TWI709485B - 半導體晶圓加工用片材用基材、半導體晶圓加工用片材、及半導體裝置之製造方法 - Google Patents

半導體晶圓加工用片材用基材、半導體晶圓加工用片材、及半導體裝置之製造方法 Download PDF

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Abstract

具有樹脂層(A)、積層於樹脂層(A)之一方的面上之樹脂層(B)之半導體晶圓加工用片材用基材2，半導體晶圓加工用片材用基材2之一方之面由樹脂層(B)之面構成，樹脂層(A)含有維卡軟化點為50℃以上87℃以下之熱塑性彈性體，樹脂層(B)含有維卡軟化點為91℃以上220℃以下之熱塑性彈性體，半導體晶圓加工用片材用基材2之厚度t及樹脂層(A)之厚度tA滿足下述式(1)及(2)。
t≦150μm (1)
tA/t≧78% (2)
上述半導體晶圓加工用片材用基材具有復元性同時作為半導體晶圓加工用片材使用時，即使被加熱亦難以融著。

Description

半導體晶圓加工用片材用基材、半導體晶圓加工用片材、及半導體裝置之製造方法
本發明係關於半導體晶圓加工用片材用基材、半導體晶圓加工用片材、及半導體裝置之製造方法。
從半導體晶圓等工件製造晶片(chip)狀之半導體裝置之際，以往一般是進行刀片切割(blade dicing)加工。上述刀片切割加工是將以洗淨等為目的之液體一邊噴塗到工件上一邊用旋轉刀(rotary knife)切斷工件得到晶片。但是，近年採用以乾式就可以將晶片進行分割之隱形切割(stealth dicing)(註冊商標)加工。於隱形切割(註冊商標)加工中，照射開口度(NA)大的雷射光束，以使工件表面近傍受到的損害為最小限度同時於工件內部形成預備之改質層，其後於擴展步驟等中，對工件施加力來得到晶片。
擴展步驟於一具體例中如下進行。預先使半導體晶圓加工用片材為如下狀態：將照射雷射光束使其內部形成改質層的工件(於本說明書，亦稱為「改質工件」。)貼著於加工用片材，於改質工件之周圍貼著環狀框架(ring frame)。於該半導體晶圓加工用片材中在位於改質工件所貼著之區域與環狀框架所貼著之區域之中間區域，使環狀構件接觸，使環狀構件與 環狀框架之垂直方向之相對位置發生變動。藉由該相對位置之變動，向半導體晶圓加工用片材施加張力。通常上述垂直方向相對位置之變動藉由相對於環狀構件拉下環狀框架來進行。
像這樣於擴展步驟中，若對半導體晶圓加工用片材施加張力，則半導體晶圓加工用片材有發生鬆弛之情況，其鬆弛有對其後之步驟造成影響之程度。具體而言，因為對半導體晶圓加工用片材所施加之張力而產生之鬆弛量(於半導體晶圓加工用片材中以貼著於環狀框架之部分之下側面為基準的、半導體晶圓加工用片材之底面的垂直方向之空隙)若過多的話，則搬送時，半導體晶圓加工用片材發生鬆弛之底面或其近傍容易與異物衝突，半導體晶圓加工用片材於使用時之操作性降低。因此，半導體晶圓加工用片材之鬆弛量多時，亦有對該半導體晶圓加工用片材進行部分加熱，使半導體晶圓加工用片材所具備之半導體晶圓加工用片材用基材熱收縮，來降低半導體晶圓加工用片材鬆弛量之情形。於本說明書中，將基於上述基材之熱收縮，來降低半導體晶圓加工用片材之鬆弛量之現象亦稱為「復元」，將可以給予具有該復元易於發生之性質及復元量(鬆弛量之降低量)大之性質的至少一者之半導體晶圓加工用片材之半導體晶圓加工用片材用基材，亦稱為「具有復元性之半導體晶圓加工用片材用基材」。
專利文獻1中，作為復元性優異的半導體晶圓加工用片材用基材，公開了使用由熱傳導率為0.15W/m．K以上之熱塑性架橋樹脂構成的半導體晶圓加工用片材用基材。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2005-229040號公報
但是，近年來對如上所述地製造的晶片，要求積層其他之晶片或將晶片接著於薄膜基板上。並且，從將晶片之回路與其他晶片或基板上之回路，藉由金屬線連接之面向上(face up)型封裝，向將設有突起狀電極之晶片之電極形成面與其他晶片基板上之回路相對，藉由其電極進行直接連接之覆晶式(flip chip)封裝、Through Silicon Via(TSV)之移行於一些領域在進行。對應於這樣之覆晶式(flip chip)封裝等中對晶片之積層．接著之要求，提出了對其他晶片、薄膜基板，使用接著劑將帶電極之晶片進行固定之方法。
並且，為易於適用於這樣之用途，進行了如下之提案：於上述製造方法之過程中，在與電極形成面相反側之面上對貼付有切割片材之帶電極工件或帶電極改質工件，於其電極形成面上積層薄膜狀接著劑，使藉由擴展步驟分割所得之帶電極晶片，於其電極形成面上具備接著劑層。給予於該用途中所使用的接著劑層之薄膜狀接著劑，使用異方導電性薄膜、非導電性薄膜，非導電性薄膜亦被稱為「非導電性接著薄膜」(Nonconductive film)，亦有被略稱為「NCF」之情形。
對於工件或改質工件作為積層這樣的薄膜狀接著劑之方法，最一般且簡便之方法為使薄膜狀接著劑中含有感熱 性接著劑進行加熱積層，即進行熱積層之方法。該熱積層通常是將具備半導體晶圓加工用片材與工件或改質工件之積層體載置於工作台上，對該積層體之工件或改質工件的面加熱薄膜狀之接著劑同時使其融著，由此來進行。
但是，該薄膜狀之接著劑於熱積層之際，由於對工件或改質工件所施加的熱之影響，有貼付於工件或改質工件之半導體晶圓加工用片材之基材(以下，亦有略稱為「基材」之情況。)融著於作業用工作臺之情形。於本說明書中，將這樣由於半導體晶圓加工用片材之加熱，基材融著於作業用工作臺之現象，亦稱為「融著」。若發生基材之融著，則難以將具備積層有薄膜狀接著劑之工件或改質工件之積層體，從作業用工作臺上分離，最壞之情形甚至有工件或改質工件遭到破損之情況。
本發明者們通過探討得知，這樣之問題，如上所述，在為降低擴展作業後之鬆弛量，而使用具有復元性之半導體晶圓加工用片材用基材之情形時特別顯著。
本發明之目的在於提供一種具有復元性，同時作為半導體晶圓加工用片材使用時，即使有像薄膜狀接著劑之熱積層等半導體晶圓加工用片材被加熱這樣之情形，基材之融著亦難以發生之半導體晶圓加工用片材用基材、及使用上述基材所成之半導體晶圓加工用片材。
為達成上述目的，本發明者們進行了如下之探討。具有復元性之基材藉由使用通過加熱可以收縮之熱塑性彈 性體而可能實現。但是，根據本發明者們之確認可知，於工作臺接觸之基材之加熱變形，對於工作臺基材之融著有很大影響。即，於藉由NCF之熱積層等加熱半導體晶圓加工用片材時，半導體晶圓加工用片材中於工作臺接觸之基材，以追隨工作臺之面之凹凸之方式發生變形，其結果是，於工作臺接觸之基材之密著性過度增高，而有造成基材之融著之可能性。因此，於基材中作為半導體晶圓加工用片材所使用之際，將面向工作臺側之面，用即使被加熱亦不易變形之材料構成，則可以使基材難以發生融著。
基於以上之探討，本發明者們得到如下之新見解：藉由使半導體晶圓加工用片材用基材為多層構造，使各層所含有之熱塑性彈性體之維卡軟化點不同，則作為半導體晶圓加工用片材用基材，可以製成為因為可以熱收縮而具有復元性，即使以於工作臺接觸之狀態被加熱也不容易變形之半導體晶圓加工用片材用基材。
基於上述之見解所完成之本發明如下所述。
(1)半導體晶圓加工用片材用基材，其為具有樹脂層(A)、積層於前述樹脂層(A)之一方的面上之樹脂層(B)之半導體晶圓加工用片材用基材，其特徵在於：前述半導體晶圓加工用片材用基材之一方之面由前述樹脂層(B)之面構成，前述樹脂層(A)含有維卡軟化點為50℃以上87℃以下之熱塑性彈性體，前述樹脂層(B)含有維卡軟化點為91℃以上220℃以下之熱塑性彈性體，前述半導體晶圓加工用片材用基材之厚度t及前述樹脂層(A)之厚度tA滿足下述式(i)及(ii)。
t≦150μm (i)
tA/t≧78% (ii)
(2)上述(1)所述之半導體晶圓加工用片材用基材，前述樹脂層(B)之厚度tB為3μm以上15μm以下。
(3)上述(1)或(2)所述之半導體晶圓加工用片材用基材，其具有積層於前述樹脂層(A)之另一方之面上之樹脂層(C)，前述樹脂層(C)含有維卡軟化點為91℃以上220℃以下之熱塑性彈性體。
(4)上述(3)所述之半導體晶圓加工用片材用基材，前述樹脂層(C)與前述樹脂層(B)由同一材料所構成。
(5)上述(3)或(4)所述之半導體晶圓加工用片材用基材，前述樹脂層(C)之厚度tC為3μm以上15μm以下。
(6)一種半導體晶圓加工用片材，其具有上述(1)至(5)中任一項所述之半導體晶圓加工用片材用基材與、積層於前述半導體晶圓加工用片材用基材中與由前述樹脂層(B)所成之面相反側之面上之黏著劑層。
(7)一種半導體裝置之製造方法，其特徵在於具有：將上述(6)所述之半導體晶圓加工用片材之前述黏著劑層側之面貼付於半導體晶圓之一個面上之黏晶步驟；以貼著於前述半導體晶圓的前述半導體晶圓加工用片材中由前述樹脂層(B)所成之面成為接觸面之方式，將前述半導體晶圓加工用片材載置於工作臺上，於前述半導體晶圓中與面向前述半導體晶圓加工用片材之面相反側之面上，加熱積層感熱性接著用薄膜之熱積層步驟；拉伸前述半導體晶圓加工用片材，藉由分割前述感 熱性接著用薄膜所積層之前述半導體晶圓，得到具備前述感熱性接著用薄膜所積層的前述半導體晶圓分割體的晶片之擴展步驟；加熱周緣區域(所述周緣區域為位於前述半導體晶圓加工用片材中前述晶片所貼付之區域的外周側之區域)，使位於前述周緣區域之前述半導體晶圓加工用片材用基材收縮之收縮步驟：及從經過了前述收縮步驟之前述半導體晶圓加工用片材上，分別分離前述晶片作為半導體裝置得到前述晶片之拾取步驟，於前述擴展步驟開始之前，以聚焦到設定於前述半導體晶圓內部之焦點上之方式，照射紅外光域之雷射光束，進行於前述半導體晶圓內部形成改質層之改質層形成步驟。
根據本發明，可以提供一種具有復元性同時作為半導體晶圓加工用片材使用時即使有半導體晶圓加工用片材被加熱這樣之情形亦難以發生融著之半導體晶圓加工用片材用基材。又，根據本發明，可以提供使用上述基材所成之半導體晶圓加工用片材。
1:半導體晶圓加工用片材
2:基材(半導體晶圓加工用片材用基材)
(A):樹脂層(A)
(B):樹脂層(B)
(C):樹脂層(C)
3:黏著劑層
[圖1]為本發明之一實施形態所述之半導體晶圓加工用片材之概略剖面圖。
[圖2]為本發明之一實施形態之其他一例所述之半導體晶圓加工用片材之概略剖面圖。
以下，關於本發明之一實施形態進行說明。
1．半導體晶圓加工用片材
如圖1所示，本發明之一實施形態所述之半導體晶圓加工用片材1具有半導體晶圓加工用片材用基材(基材)2及黏著劑層3。作為本發明一實施形態所述之半導體晶圓加工用片材1之具體適用例子，可以舉出切割片材。於本說明書中「切割片材」亦包含切割黏接片(dicing die bonding sheet)、在與黏著劑層3的面向基材2的面相反側之面上具有用於保護半導體晶圓背面之薄膜者、具有用於貼付環狀框架之其他基材及黏著劑層者。於本說明書中，「切割」除刀片切割之外，亦包含像隱形切割(註冊商標)這樣不使用刀片而使半導體晶圓個片化之情形。 本說明書中之「片材」亦含有「帶」之概念。
(1)基材
本實施形態所述之半導體晶圓加工用片材1之基材2，至少具有2層之積層構造。圖1所示之基材2，作為最簡單之例子，為由樹脂層(A)及樹脂層(B)所構成之2層構造。
具體地說明的話，圖1所示之基材2為具備樹脂層(A)與、積層於樹脂層(A)之一方之面上之樹脂層(B)之半導體晶圓加工用基材。樹脂層(A)於樹脂層(B)相比，以相對於黏著劑層3以靠近黏著劑層3之方式被配置。另一方面，半導體晶圓加工用片材1之一方之面由樹脂層(B)之面構成。即，於半導體晶圓加工用片材1之基材2上，樹脂層(B)位於離黏著劑層3最遠處之位置。
樹脂層(A)含有維卡軟化點相對低之熱塑性彈性體，樹脂層(B)含有維卡軟化點相對高之熱塑性彈性體。像這 樣藉由於兩者所含有之熱塑性彈性體的維卡軟化點有差異，表現出如下之本發明之效果：藉由熱收縮性大之前者之作用而具有復元性，同時藉由加熱變形小之後者之作用，作為半導體晶圓加工用片材使用時即使有加熱半導體晶圓加工用片材這樣之情形亦難以發生向工作台之融著。作為使這樣之熱塑性彈性體之維卡軟化點之差異產生的、每個熱塑性彈性體之維卡軟化點之範圍，若至少為後述之範圍，則可發揮本發明之作用效果。
(1-1)樹脂層(A)
樹脂層(A)含有維卡軟化點為50℃以上87℃以下之熱塑性彈性體。於本說明書中，維卡軟化點係基於JIS K6922-2：2010所測定之溫度。
藉由樹脂層(A)含有維卡軟化點為50℃以上87℃以下之熱塑性彈性體，作為基材2可以具有復元性。從基材2具有優異的復元性之觀點考慮，樹脂層(A)較佳為含有55℃以上80℃以下之熱塑性彈性體，更較佳為含有60℃以上75℃以下之熱塑性彈性體。於本說明書中，為表現基材2之復元性，將樹脂層(A)所含有的上述熱塑性彈性體亦稱為「熱塑性彈性體(A)」。
只要是能滿足上述關於維卡軟化點(vicat softening point)之規定，熱塑性彈性體(A)之具體的種類則沒有限定。作為構成熱塑性彈性體(A)之材料，例示烯烴系彈性體、苯乙烯系彈性體、聚氨酯系彈性體、酯系彈性體等。亦可以使用聚氯乙烯。這些之中，從環境負荷低易於得到上述物理特性之觀點考慮，以烯烴系彈性體為佳。
作為上述烯烴系彈性體，例示乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、高密度聚乙烯、低密度聚乙烯(作為具體例可以舉出LDPE、VLDPE、LLDPE等)、丙烯與α烯烴之共聚物；α烯烴聚合物(係聚合α烯烴所得之聚合物，可為均聚物及共聚物之任意者。)；乙烯-丙烯橡膠(EPM)、乙烯-丙烯-二烯橡膠(EPDM)等乙烯-丙烯系橡膠；氯磺化聚乙烯(CSM)等。這裡，本說明書中之「(甲基)丙烯酸」是指丙烯酸及甲基丙烯酸之兩者。其他之類似語亦同樣。
熱塑性彈性體(A)可由1種之聚合物構成，亦可為複數種之聚合物之混合物。
樹脂層(A)中熱塑性彈性體(A)之含量，只要是藉由樹脂層(A)含有熱塑性彈性體(A)而作為基材2實現具有復元性，則沒有限定。
樹脂層(A)除熱塑性彈性體(A)以外，亦可含有顏料、阻燃劑、可塑劑、防靜電劑、潤滑劑、填料等各種添加劑。 作為顏料，可以舉出例如二氧化鈦、碳黑等。又，作為填料，可以例示三聚氰胺樹脂這樣之有機系材料、煙霧矽膠(fumed silica)這樣之無機系材料以及鎳粒子這樣之金屬系材料。這些添加劑之含量沒有特別的限定，但是應該限定在基材2具有適當的復元性，不失所希望之平滑性、柔軟性之範圍。
(1-2)樹脂層(B)
樹脂層(B)含有維卡軟化點為91℃以上220℃以下之熱塑性彈性體。藉由樹脂層(B)含有維卡軟化點為91℃以上220℃以下之熱塑性彈性體，則加熱半導體晶圓加工用片材1時，可 以使基材2融著於工作台等之現象難以發生。
從使基材2之融著更難以發生之觀點考慮，樹脂層(B)亦可以含有維卡軟化點為103℃以上之熱塑性彈性體。於本說明書中，像這樣將為使基材2之融著難以發生而含於樹脂層(B)中之熱塑性彈性體，亦稱為「熱塑性彈性體(B)」。熱塑性彈性體(B)之維卡軟化點較佳為200℃以下，進一步關於後述之基材2之厚度t、樹脂層(B)之厚度tB及樹脂層(C)之厚度tC，即使在(tB+tC)/t(基材2沒有樹脂層(C)之情形時，為tB/t)大之情形(例如為15%以上)，從易於得到高復元性之觀點考慮，亦可以使熱塑性彈性體(B)之維卡軟化點為108℃以下。
只要是能滿足上述關於維卡軟化點之規定，熱塑性彈性體(B)之具體的種類則沒有限定。作為構成熱塑性彈性體(B)之材料可以例示烯烴系彈性體、苯乙烯系彈性體、聚氨酯系彈性體、酯系彈性體等。若進一步具體地例示，則可以舉出高密度聚乙烯(HDPE)、聚丙烯、聚苯乙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯(polybutyrene telephthalate)等。從製造基材2之容易性之觀點考慮，從降低於樹脂層(A)與樹脂層(B)之間發生剝離之可能性之觀點考慮，熱塑性彈性體(A)與熱塑性彈性體(B)較佳為同種之彈性體。又，從環境負荷低之観點及維持基材全體之柔軟性，使擴展適性、晶片之拾取性容易地保持在規定水平之觀點考慮，熱塑性彈性體(B)較佳為烯烴系彈性體。
熱塑性彈性體(B)可由1種之聚合物構成，亦可為複數種之聚合物之混合物。
樹脂層(B)中熱塑性彈性體(B)之含量，只要是藉由 樹脂層(B)含有熱塑性彈性體(B)而實現基材2之融著難以發生，則沒有限定。
樹脂層(B)除熱塑性彈性體(B)以外，亦可含有顏料、阻燃劑、可塑劑、防靜電劑、潤滑劑、填料等各種添加劑。 作為顏料，可以舉出例如二氧化鈦、碳黑等。又，作為填料，可以例示三聚氰胺樹脂這樣之有機系材料、煙霧矽膠(fumed silica)這樣之無機系材料以及鎳粒子這樣之金屬系材料。這些添加劑之含量沒有特別的限定，但是應該限定於藉由樹脂層(B)，實現基材2難以發生融著，不失所希望之平滑性、柔軟性之範圍。
(1-3)樹脂層(C)
本發明之一實施形態所述之基材2，如圖2所示，較佳於樹脂層(A)中和面向樹脂層(B)之面的相反側之面上具有樹脂層(C)。
樹脂層(C)與樹脂層(B)同樣含有維卡軟化點為91℃以上220℃以下之熱塑性彈性體。藉由樹脂層(C)含有維卡軟化點為91℃以上220℃以下之熱塑性彈性體(以下亦稱為「熱塑性彈性體(C)」。)，則於基材2之製造階段、使用半導體晶圓加工用片材1之際，於基材2或半導體晶圓加工用片材1上不易發生捲曲(curl)等問題。若於半導體晶圓加工用片材1上發生捲曲則於片材之貼付性、晶圓支持性上有發生障礙之虞。於半導體晶圓加工用片材1之基材2或半導體晶圓加工用片材1中從更穩定地抑制捲曲發生之觀點考慮，熱塑性彈性體(B)之維卡軟化點與熱塑性彈性體(C)之維卡軟化點之差，較佳為4℃以 下，更較佳為2℃以下。樹脂層(C)較佳與樹脂層(B)由同種之材料構成，更較佳由同一材料構成。關於後述之基材2之厚度t、樹脂層(B)之厚度tB及樹脂層(C)之厚度tC，從即使(tB+tC)/t大之情形(例如為15%以上)，亦易於得到高復元性之觀點考慮，熱塑性彈性體(C)之維卡軟化點亦可為108℃以下。
(1-4)厚度、表面粗糙度
基材2之厚度t(單位：μm)為150μm以下。一般而言，在半導體加工用片材之基材厚之情形下，用於使基材收縮所需要之熱量增多。為此，在基材過度厚之情形，有基材難以具有適當之復元性之情形。本發明之一實施形態所述之半導體加工用片材1之基材2藉由其厚度為150μm以下，則不用過度地加熱基材2就可以使基材2收縮。從提高該基材2之源自加熱之收縮性之觀點考慮，基材2之厚度t(單位：μm)較佳為140μm以下，更佳為130μm以下，特佳為120μm以下。
基材2之厚度t之下限根據具備基材2之半導體加工用片材所要求之特性而適當設定。基材2之厚度t通常為10μm以上，較佳為20μm以上，更佳為30μm以上，特佳為50μm以上。
關於本發明之一實施形態所述之基材2，基材2之厚度t及樹脂層(A)之厚度tA滿足下述式(1)。
tA/t≧78% (1)
基材2關於厚度，藉由滿足上述式(1)，基材2能具有復元性。從基材2能具有優異的復元性之觀點考慮，基材2之厚度t及樹脂層(A)之厚度tA較佳為滿足下述式(2)，更佳 為滿足下述式(3)。
tA/t≧80% (2)
tA/t≧83% (3)
作為tA/t之上限較佳為97%以下，更佳為95%以下。再者，從穩定地得到基材2之性能之觀點考慮，tA/t亦可為未滿85%。
樹脂層(B)之厚度tB沒有限定。從基材2具有復元性、及容易使基材2之融著難以發生之觀點考慮，樹脂層(B)之厚度tB較佳為3μm以上15μm以下，更佳為5μm以上12μm以下。
樹脂層(C)之厚度tC沒有限定。從容易使基材2上難以發生捲曲之觀點考慮，樹脂層(C)之厚度tC與樹脂層(B)之厚度tB同樣，較佳為3μm以上15μm以下。
關於本發明之一實施形態所述之基材2，基材2之厚度t、樹脂層(B)之厚度tB及樹脂層(C)之厚度tC較佳為滿足下述式(4)。
3%<(tB+tC)/t<22% (4)
又，從穩定地得到基材2之性能之觀點考慮，(tB+tC)/t亦可為15%以上。再者，當基材2沒有樹脂層(C)之情形，關於tB/t亦同樣。
本發明之一實施形態所述之半導體晶圓加工用片材1之基材2，關於和面對黏著劑層3側之面(於本說明書中，亦稱為「黏著劑加工面」。)的相反側之面(於本說明書中，亦稱為「基材背面」。)，由JIS B0601：2013(ISO 4287：1997)所規定之算術平均粗糙度Ra(以下，沒有特殊說明之「算術平均粗糙度 Ra」用於該意思。)以1.0μm以下為佳。藉由基材背面之算術平均粗糙度Ra為1.0μm以下，則從半導體晶圓加工用片材1之基材背面側入射雷射之時，所入射之雷射光束易於有效地到達貼付了半導體晶圓加工用片材1之半導體晶圓。從提高上述所入射之雷射光束有效地到達之觀點考慮，基材背面之算術平均粗糙度Ra以0.5μm以下為更佳，以0.3μm以下為更佳。若基材背面之算術平均粗糙度Ra像這樣位於低範圍，雖然有基材易於發生向作業用工作台融著之情形，但是本發明之一實施形態所述之半導體加工用片材1，樹脂層(B)含有具有規定範圍之維卡軟化點之熱塑性彈性體，能夠抑制基材之融著。黏著劑加工面之算術平均粗糙度Ra不會像基材背面算術平均粗糙度Ra那樣影響雷射光束之有效地到達，但以3.0μm以下程度為佳。 從使所入射之雷射光束有效地到達之觀點考慮，關於黏著劑加工面及基材背面之雙方，算術平均粗糙度Ra之下限沒有限定。從維持製造穩定性之觀點等考慮，這些面之算術平均粗糙度Ra較佳為0.01μm以上。
(1-5)基材的其他之構成
於構成基材2之上述樹脂層(A)及樹脂層(B)進一步根據需要所設置之樹脂層(C)(以下，總稱這些層之際，稱為「樹脂層(A)等」。)各層之層間，亦可以另外設置樹脂層(A)等以外之層，於基材2中最外層亦可以由樹脂層(A)等以外之層所構成。例如，於樹脂層(A)和樹脂層(B)之間，藉由配置類似材質之層可以提高各層間之密著性，或可以提高基材2之生產性。又，於基材2上以賦予防靜電性為目的，設置具有防靜電性之層，或 為提高基材2與黏著劑層3之密著性可以於和黏著劑層3之隣接面上設置具有良好的密著性之層。像這樣，基材2具備樹脂層(A)等層以外之層之際，以不阻礙基於樹脂層(A)等之機能之方式，有該層以構成樹脂層(A)等之材料所構成為佳之情形。 於基材2上亦可以實施表面處理。藉由於基材2實施表面處理，有可以得到對黏著劑層3之密著性提高等之效果之情形。 表面處理之種類根據目的適當設定。作為表面處理之具體例，可以舉出電暈處理、電漿處理、底塗處理等。
(1-6)基材之製造方法
基材2之製造方法沒有特別之限定。例示T模具法、丸模具法、吹脹成型法等之熔融押出法；壓延法；乾式法、濕式法等之溶液法等，可以使用任意之方法。從高生產性地製造基材2之觀點等考慮，以採用熔融押出法或壓延法為佳。這些之中，藉由熔融押出法進行製造之際，使用用於形成樹脂層(A)之樹脂組成物及用於形成樹脂層(B)之樹脂組成物、進一步根據需要使用用於形成樹脂層(C)之樹脂組成物，藉由共押出成形，製造具有積層構造之基材即可。對所得之基材2，根據需要亦可以實施上述電暈處理等之表面處理。
(2)於半導體晶圓加工用片材中其他之構成要素
於半導體晶圓加工用片材1中作為基材2以外之構成要素，例示有於基材2之一方之面上所配置之黏著劑層3、及該黏著劑層3的和面向基材2之側的相反側之面、即用於保護用於貼付於工件或改質工件之面之剝離片。
(2-1)黏著劑層3
作為構成黏著劑層3之黏著劑沒有特別限定。可使用例如橡膠系、丙烯酸系、矽酮系、聚乙烯醚系等之黏著劑，又，亦可為能量線硬化型(包含紫外線硬化型)或加熱發泡型或加熱硬化型之黏著劑。作為這樣的黏著劑，可以使用例如日本特開2011-139042號公報所述之黏著劑。再者，本發明之一實施形態所述之半導體加工用片材1，作為切割黏接片(dicing die bonding sheet)使用時，可使用同時兼具晶圓固定機能與片(die)接著機能之黏接著劑、熱塑性接著劑、B級接著劑等。
黏著劑層3之厚度通常為3μm至60μm，較佳為5μm至50μm左右。藉由設為這樣之厚度，則易於降低用於提高基材2之溫度所必需之熱量。
(2-2)剝離片
用於保護黏著劑層3之剝離片為任意。作為剝離片，可使用例如聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate)膜、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylenenaphthalate)膜、聚對苯二甲酸丁二酯(polybutyleneterephthalate)膜、聚氨酯膜、乙烯乙酸乙烯酯膜、離聚物(ionomer)樹脂膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物膜、聚苯乙烯膜、聚碳酸酯膜、聚醯亞胺膜、氟樹脂膜等。又，亦可使用這些之交聯膜。再者，也可為這些膜之複數個積層所得之積層膜。
於上述剝離片之剝離面(特別是與黏著劑層3相接之面)上，較佳為實施有剝離處理。作為於剝離處理中所使用 之剝離劑，可舉出例如醇酸(alkyd)系、矽酮(silicone)系、氟系、不飽和聚酯系、聚烯烴系、蠟系之剝離劑。
進一步，關於剝離片之厚度沒有特別限定，通常為20μm至150μm左右。
(3)霧度
本發明之一實施形態所述之半導體晶圓加工用片材1，由JIS K7136：2000(ISO 14782：1999)所規定之霧度，當將比黏著劑層更靠近基材之面作為入射面之時，以0.01%以上15%以下為佳。藉由該霧度為15%以下，向半導體晶圓加工用片材1入射雷射光束時，該所入射之雷射光束能有效活用。從更穩定地實現有效地活用入射到半導體晶圓加工用片材1中之雷射光束之觀點考慮，上述之霧度以10%以下為更佳。從有效地活用入射到半導體晶圓加工用片材1中之雷射光束之觀點考慮，沒有設定上述霧度之下限。從提高製造穩定性之觀點考慮，上述霧度設為0.01%以上程度為佳。
2．半導體晶圓加工用片材之製造方法
上述具備基材2及黏著劑層3之半導體晶圓加工用片材1之製造方法沒有特別限定。
關於半導體晶圓加工用片材1之製造方法若舉出若干之例子，則如下所述。
(i)於剝離片上形成黏著劑層3，於該黏著劑層3上將基材2壓著積層。此時，黏著劑層3之形成方法為任意。
若舉出黏著劑層3之形成方法之一例則如下。調製用於形成黏著劑層3之黏著劑組成物與、依所需進一步含有 之溶媒。以輥式塗佈機、刮刀塗佈機、滾動刮刀塗佈機、氣刀塗佈機、模具塗佈機、刮棒塗佈機、凹版塗佈機、簾式塗佈機等塗佈機，於基材2之面中，塗佈於比樹脂層(B)更靠近樹脂層(A)一側之主面上。藉由使由基材2上之塗佈劑所成之層乾燥而形成黏著劑層3。
(ii)形成基材2，於其上形成黏著劑層3，根據必要進一步積層剝離片。此時黏著劑層3之形成方法如上所述，為任意。
作為上述(i)、(ii)之方法以外之例子，亦可以將另外所形成之片狀之黏著劑層3貼付於基材2上。
3．半導體裝置之製造方法
關於使用本發明之一實施形態所述之半導體晶圓加工用片材1之半導體裝置之製造方法之一例，以下進行說明。
(1)黏晶步驟
首先，進行將本發明之一實施形態所述之半導體晶圓加工用片材1之黏著劑層3側之面，貼付到半導體晶圓之一個面上之黏晶(mount)步驟。使用本發明之一實施形態所述之半導體晶圓加工用片材1之半導體裝置之製造方法，適宜從覆晶式(flip chip)用、TSV用等於表面具有電極之半導體晶圓製造半導體裝置之情形。黏晶步驟之實施使用所謂貼付裝置即可。黏晶步驟之際，於半導體晶圓加工用片材1之黏著劑層3側之面中半導體晶圓所貼著之區域的外周側之區域，貼付環狀框架。於平面視，作為周緣區域，於環狀框架與半導體晶圓之間存在黏著劑層3露出之區域。
(2)熱積層步驟
於熱積層步驟中，首先半導體晶圓加工用片材1中以由樹脂層(B)所構成之面成為接觸面之方式，將半導體晶圓加工用片材1載置於工作台上。接著，半導體晶圓加工用片材1之黏著劑層3的面所貼付之半導體晶圓中，在與面對半導體晶圓加工用片材1之面的相反側之面上，加熱積層(熱積層)具有感熱性之薄膜狀接著劑。半導體晶圓於表面具有電極時，通常半導體晶圓中在和面向半導體晶圓加工用片材1之面的相反側之面上存在電極。
薄膜狀接著劑只要具有適當之感熱接著性，其具體之種類則沒有限定。作為具體例可以舉出由含有聚醯亞胺樹脂、環氧樹脂、苯酚樹脂等耐熱性之樹脂材料與、硬化促進劑之接著劑組成物所形成之薄膜狀構件。
對半導體晶圓積層薄膜狀接著劑之條件沒有限定。考慮構成薄膜狀接著劑之材料、薄膜狀接著劑之厚度、半導體晶圓加工用片材1的耐熱性之程度等而適當設定。薄膜狀接著劑可以為異方導電性者，亦可以為非導電性之NCF。半導體晶圓中在與面向半導體晶圓加工用片材1之面的相反側之面上存在電極之情形時，由於熱積層薄膜狀接著劑跟隨電極之形狀而變形，有薄膜狀接著劑之與面向半導體晶圓之面的相反側之面的平滑性得到保持之傾向。為増進薄膜狀接著劑跟隨電極之形狀之變形，亦有於減壓下進行薄膜狀接著劑之貼付的情形。通常，由於該加熱積層，於半導體晶圓加工用片材1上進行數十秒鐘至數分鐘之加熱，使該片材為60℃左右至100℃左 右範圍之溫度。半導體晶圓加工用片材之基材藉由受到這樣之加熱而軟質化。在半導體晶圓加工用片材之基材具有復元性之情形，該傾向顯著。
但是，本發明之一實施形態所述之半導體晶圓加工用片材1之基材2，如前所述，基材2具有積層構造。為此，構成基材2之層中，含有維卡軟化點比較高之熱塑性彈性體(B)之樹脂層(B)接觸工作台。由於樹脂層(B)即使被加熱亦難以融著於工作台，本發明之一實施形態所述之半導體晶圓加工用片材1於熱積層步驟中難以發生基材2之融著。
(3)擴展步驟
於擴展步驟中，藉由拉伸半導體晶圓加工用片材1，分割積層了薄膜狀接著劑之半導體晶圓。其結果是，形成分割半導體晶圓所得之晶片貼著於半導體晶圓加工用片材1之黏著劑層3上之狀態。擴展步驟中具體的條件沒有限定。例如，拉伸半導體晶圓加工用片材1之際的溫度即可以為常溫，亦可以為低溫(作為具體例，可以舉出0℃左右。)。由於該擴展步驟，通常於半導體晶圓加工用片材1之周緣區域(以平面視為環狀框架與一群晶片之間之區域)產生鬆弛。
(4)改質層形成步驟
於上述擴展步驟開始之前，以聚焦到設定於半導體晶圓內部之焦點上之方式，照射紅外光域之雷射光束，進行於半導體晶圓內部形成改質層之改質層形成步驟。對半導體晶圓既可以進行改質層形成步驟之後進行黏晶步驟，亦可以經過黏晶步驟後，對處於積層於半導體加工用片材1上之狀態之半導體晶 圓，進行改質層形成步驟。或亦可以經過熱積層步驟後，於一方之面上對積層了薄膜狀接著劑之半導體晶圓進行改質層形成步驟。於熱積層步驟後實施改質層形成步驟之情形時，隔著半導體加工用片材1向半導體晶圓照射紅外光域之雷射光束。
(5)收縮步驟
於收縮步驟中，對半導體加工用片材1之周緣區域進行加熱。此處，周緣區域可以定義為：於貼著有晶片之半導體晶圓加工用片材1上，於晶片所貼付之區域之外周側所存在之區域。所述晶片為由上述擴展步驟所得到的、積層有薄膜狀接著劑之半導體晶圓之分割體所構成。藉由對半導體加工用片材1之周邊區域進行加熱，則位於該周緣區域之基材2收縮，可以降低於擴展步驟中所產生的半導體晶圓加工用片材1之鬆弛量。收縮步驟中之加熱方法沒有限定。可以吹送熱風，亦可以照射紅外線，還可以照射微波。
(6)拾取步驟
這樣，藉由收縮步驟使半導體晶圓加工用片材復元後，分別使貼著於半導體晶圓加工用片材1上之晶片從半導體晶圓加工用片材1上分離，進行作為半導體裝置而得到晶片之拾取步驟。藉由實施以上之製造方法，使用本發明之一實施形態所述之半導體晶圓加工用片材1，可以製造半導體裝置。
以上所說明之實施形態係為易於理解本發明所進行之記載，並非為限制本發明之記載。因此，於上述實施形態所公開之各要素亦為含有屬於本發明之技術範圍之所有設計變更或均等物之趣旨。
例如，本發明之一實施形態所述之半導體晶圓加工用片材1，除切割片材以外亦可用於如下之用途。於其他之黏著片材上，於研削前之半導體晶圓上進行與上述改質層形成步驟同樣之步驟，其後，在研削半導體晶圓之同時給予衝擊，將半導體晶圓分割成晶片。將所得之複數個晶片，轉換到本發明之一實施形態所述之半導體晶圓加工用片材1上，接著，進行上述擴展步驟、收縮步驟、拾取步驟。
又，於上述之半導體裝置之製造方法中，作為伴隨加熱之步驟，舉了熱積層步驟，但是本發明之一實施形態所述之半導體晶圓加工用片材1，例如亦可以用於含有進行加熱檢査之步驟之半導體裝置之製造方法。
[實施例]
以下，基於實施例等對本發明進行詳細說明，但本發明之範圍並不限定於該等實施例。
〔實施例1〕
(1)基材之製造
作為用於形成樹脂層(A)之材料，準備熱塑性彈性體之一種即乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(tosoh社製「Ultrathene540」、維卡軟化點72℃、於23℃之拉伸彈性率：80MPa，以下稱為「熱塑性彈性體(A1)」。)。
作為用於形成樹脂層(B)之材料，準備熱塑性彈性體之一種即聚丙烯(住友化學社製「excellenEP3711E1」、維卡軟化點114℃、於23℃之拉伸彈性率：400MPa、以下稱為「熱塑性彈性體(B1)」)。
將用於形成樹脂層(A)之材料與用於形成樹脂層(B)之材料，以小型T型模押出機(東洋精機製作所社製，LABO PLASTOMILL)共押出成形，得到有樹脂層(A)及樹脂層(B)之2層構造，具有表1所示之總厚及層厚比之基材。於本例中相當於基材背面的、樹脂層(B)之露出表面之算術平均粗糙度Ra為0.09μm。
(2)黏著劑組成物之調製
將使丙烯酸丁酯/甲基丙稀酸甲酯/2-羥基丙烯酸乙酯=62/10/28(質量比)反應所得之丙烯酸黏性聚合物與、該丙烯酸黏著性聚合物每100g為30g之甲基丙烯醯基羥基異氰酸乙酯(MOI)(對於2-羥基丙烯酸乙酯，相當於0.8當量。)進行反應，得到能量線硬化型黏著性聚合物。將所得之能量線硬化型黏著性聚合物100質量部、作為光聚合起始劑之IRGACURE184(BASF社製)3質量部、及作為架橋劑之CORONATEL(Nippon Polyurethane Industry社製)4.3質量部於溶媒中進行混合，得到黏著劑組成物。
(3)半導體加工用片材之製造
於剝離薄膜(LINTEC社製「SP-PET3811」)之剝離面上，塗佈上述黏著劑組成物，接著，藉由加熱進行黏著劑組成物之乾燥，得到黏著劑組成物之塗膜與剝離薄膜之積層體。之後成為黏著劑層之該塗膜之厚度為20μm。藉由貼合該積層體中塗膜側之面與、上述基材之樹脂層(A)側之面，得到半導體晶圓加工片材。
〔實施例2〕
除作為形成樹脂層(A)之材料而使用熱塑性彈性體之一種即乙烯-甲基丙烯酸共聚物(DU PONT MITSUI POLYCHEMICALS CO.,LTD社製「NucrelN0903HC」、維卡軟化點82℃、於23℃之拉伸彈性率：140MPa，以下稱為「熱塑性彈性體(A2)」。)以外，與實施例1同樣地進行操作，得到半導體晶圓加工片材。
〔實施例3〕
將由熱塑性彈性體(B1)構成的用於形成樹脂層(B)之材料、由熱塑性彈性體(A1)構成的用於形成樹脂層(A)之材料、及由熱塑性彈性體(B1)構成的用於形成樹脂層(B)之材料，以小型T型模押出機(東洋精機製作所社製，LABO PLASTOMILL)共押出成形，得到有樹脂層(B)、樹脂層(A)及樹脂層(B)之3層構造，具有表1所示之總厚及層厚比之基材。於本例中相當於基材背面的、樹脂層(B)之露出的一方之面的算術平均粗糙度Ra為0.09μm。再者，本例基材2具有樹脂層(C)，樹脂層(C)之材料及厚度適合於與樹脂層(B)相同之情形，以下，關於實施例4~6、比較例3亦同樣。
於剝離薄膜(LINTEC社製「SP-PET3811」)之剝離面上，塗佈於實施例1所製造之黏著劑組成物，接著，藉由加熱進行黏著劑組成物之乾燥，得到黏著劑組成物之塗膜與剝離薄膜之積層體。之後成為黏著劑層之該塗膜之厚度為20μm。 藉由貼合該積層體中塗膜側之面、上述基材中與測定了算術平均粗糙度Ra之面相反側之面(為由樹脂層(B)所構成之面)，得到半導體晶圓加工片材。
〔實施例4〕
將用於形成樹脂層(B)之材料，變更為熱塑性彈性體之一種即高密度聚乙烯(Japan Polypropylene Corporation製「NOVATECHD HJ360」、維卡軟化點122℃、於23℃之拉伸彈性率：800MPa，以下稱為「熱塑性彈性體(B2)」。)，同時將總厚變更為80μm，除此以外，進行與實施例3同樣之操作，得到半導體晶圓加工片材。
〔實施例5〕
將樹脂層(B)、樹脂層(A)及樹脂層(B)之3層構造中層厚比，如表1所示地進行變更，除此以外，進行與實施例3同樣之操作，得到半導體晶圓加工片材。
〔實施例6〕
將用於形成樹脂層(B)之材料，變更為熱塑性彈性體之一種即低密度聚乙烯(Japan Polypropylene Corporation製「NOVATECLD LC525」、維卡軟化點96℃、於23℃之拉伸彈性率：150MPa，以下稱為「熱塑性彈性體(B3)」。)，除此以外，進行與實施例5同樣之操作，得到半導體晶圓加工片材。
〔比較例1〕
使用由熱塑性彈性體(A1)構成的用於形成樹脂層(A)之材料，將基材設為由樹脂層(A)單獨構成者，除此以外，進行與實施例1同樣之操作，得到半導體晶圓加工片材。
〔比較例2〕
使用由熱塑性彈性體(B1)構成的用於形成樹脂層(B)之材料，將基材設為由樹脂層(B)單獨構成者，除此以外，進行與 實施例1同樣之操作，得到半導體晶圓加工片材。
〔比較例3〕
將樹脂層(B)、樹脂層(A)及樹脂層(B)之3層構造中層厚比，如表1所示地進行變更，除此以外，進行與實施例3同樣之操作，得到半導體晶圓加工片材。
〔比較例4〕
將基材之總厚及樹脂層(A)及樹脂層(B)之2層構造中層厚比，如表1所示地進行變更，除此以外，進行與實施例1同樣之操作，得到半導體晶圓加工片材。
〔試驗例1〕<熱積層耐性之評價>
使用貼付裝置(LINTEC社製「RAD-2700 F/12」)，將於實施例及比較例所得之半導體晶圓加工片材，貼付於8英寸尺寸厚度為50μm之矽晶圓及環狀框架上。
使用真空積層機(LINTEC社製「RAD3810」)，以加熱溫度90℃、氣壓0.1MPa、貼付時間90秒鐘之條件，不使用薄膜狀之接著劑，進行貼付操作。於貼付後將半導體晶圓加工片材從工作台上剝離，以目視確認是否可以搬送半導體晶圓加工片材。藉由下面之基準進行熱積層耐性之評價。
「A」：基材與工作台之間沒有融著，可以從工作台上搬送。(非常良好)
「B」：於半導體晶圓加工片材之基材與工作台之間有輕度之融著，搬送之際帶(tape)被工作台拖拉，不過可以將帶從工作台上剝下進行搬送。(良好)
「C」：半導體晶圓加工片材之基材融著於工作台上，不能 搬送，裝置發生錯誤。(不良)
〔試驗例2〕<復元性之評價>
將於實施例及比較例所得之半導體晶圓加工片材，與試驗例1同樣地貼付於8英寸尺寸厚度為50μm之矽晶圓及環狀框架上。向半導體晶圓加工片材上之矽晶圓，使用雷射照射裝置(DISCO社製「DFL7360」，雷射波長：1064nm)，將於矽晶圓內部集光之雷射，沿著形成8mm×8mm之晶片的方式所設定的切斷預定線，一邊掃描一邊照射，於矽晶圓內部形成改質層。雷射照射從半導體晶圓之沒有貼付半導體晶圓加工片材之一面側進行。使用Die Separator(DISCO社製「DDS2300」)，以1mm/s之上升速度、12mm之上升量，將形成有改質層之半導體晶圓加工片材向面內方向拉伸，分割半導體晶圓加工片材上之矽晶圓。擴展解除後，用吹風機輸出溫度220℃、回轉速度5mm/°，以熱風從黏著劑層側對半導體晶圓加工片材之周邊區域進行加溫，以目視確認擴展解除後所發生之鬆弛是否藉由熱收縮而解消。藉由以下之基準進行復元性之評價。
「A」：鬆弛得到解消(非常良好)
「B」：鬆弛沒有完全得到解消，但是搬送步驟、收納時不與裝置、器具接觸，能夠實施這些步驟。(良好)
「C」：鬆弛沒有得到解消，不能進行搬送步驟或收納。(不良)
[表1]
Figure 104132023-A0305-02-0031-2
從表1可知，滿足本發明之條件的實施例之半導 體晶圓加工用片材，關於熱積層耐性及復元性之各項評價良好。
[產業上可利用性]
本發明所述之半導體晶圓加工用片材，適宜用於薄膜狀接著劑所積層之半導體晶圓之切割片材等、使用之際進行含有加熱步驟之半導體晶圓加工用片材而使用。
1:半導體晶圓加工用片材
2:基材(半導體晶圓加工用片材用基材)
(A):樹脂層(A)
(B):樹脂層(B)
(C):樹脂層(C)
3:黏著劑層

Claims (11)

  1. 一種半導體晶圓加工用片材用基材，其為具有樹脂層(A)與積層於前述樹脂層(A)之一方的面上之樹脂層(B)之半導體晶圓加工用片材用基材，其特徵在於：前述半導體晶圓加工用片材用基材之一方之面由前述樹脂層(B)之面構成，前述半導體晶圓加工用片材用基材中由前述樹脂層(B)所構成之前述一方之面之算術平均粗糙度Ra為1.0μm以下，前述樹脂層(A)含有維卡軟化點為50℃以上87℃以下之熱塑性彈性體，前述樹脂層(B)含有維卡軟化點為91℃以上220℃以下之熱塑性彈性體，前述半導體晶圓加工用片材用基材之厚度t及前述樹脂層(A)之厚度tA滿足下述式(1)及(2)：t≦150μm (1) tA/t≧78% (2)。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之半導體晶圓加工用片材用基材，前述樹脂層(B)之厚度tB為3μm以上15μm以下。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之半導體晶圓加工用片材用基材，其具有積層於前述樹脂層(A)之另一方之面上之樹脂層(C)，前述樹脂層(C)含有維卡軟化點為91℃以上220℃以下之熱塑性彈性體。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之半導體晶圓加工用片材用基材，前述樹脂層(C)與前述樹脂層(B)由同一材料所構成。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之半導體晶圓加工用片材用基 材，前述樹脂層(C)之厚度tC為3μm以上15μm以下。
  6. 一種半導體晶圓加工用片材，其具有申請專利範圍第1至5項中任一項所述之半導體晶圓加工用片材用基材和於前述半導體晶圓加工用片材用基材中與由前述樹脂層(B)所構成的前述一方之面相反側之面上所積層之黏著劑層。
  7. 一種半導體裝置之製造方法，其為使用半導體晶圓加工用片材的半導體裝置之製造方法，其特徵在於：前述半導體晶圓加工用片材具有半導體晶圓加工用片材用基材與黏著劑層，前述半導體晶圓加工用片材用基材具有樹脂層(A)與積層於前述樹脂層(A)之一方的面上之樹脂層(B)，前述半導體晶圓加工用片材用基材之一方之面由前述樹脂層(B)之面構成，前述樹脂層(A)含有維卡軟化點為50℃以上87℃以下之熱塑性彈性體，前述樹脂層(B)含有維卡軟化點為91℃以上220℃以下之熱塑性彈性體，前述半導體晶圓加工用片材用基材之厚度t及前述樹脂層(A)之厚度tA滿足下述式(1)及(2)：t≦150μm (1) tA/t≧78% (2)前述黏著劑層為於前述半導體晶圓加工用片材用基材中與由前述樹脂層(B)所構成之前述一方之面相反側之面上所積層，前述半導體裝置之製造方法為將前述半導體晶圓加工用片材之前述黏著劑層側之面貼付於半導體晶圓之一個面上之 黏晶步驟；以貼著於前述半導體晶圓的前述半導體晶圓加工用片材中由前述樹脂層(B)所構成之前述一方之面成為接觸面之方式，將前述半導體晶圓加工用片材載置於工作臺上，於前述半導體晶圓中與面向前述半導體晶圓加工用片材之面相反側之面上，加熱積層感熱性接著用薄膜之熱積層步驟；拉伸前述半導體晶圓加工用片材，藉由分割前述感熱性接著用薄膜所積層之前述半導體晶圓，得到具備前述感熱性接著用薄膜所積層的前述半導體晶圓分割體的晶片之擴展步驟；加熱周緣區域(所述周緣區域為位於前述半導體晶圓加工用片材中前述晶片所貼付之區域的外周側之區域)，使位於前述周緣區域之前述半導體晶圓加工用片材用基材收縮之收縮步驟；及從經過了前述收縮步驟之前述半導體晶圓加工用片材上，分別分離前述晶片作為半導體裝置得到前述晶片之拾取步驟，於前述擴展步驟開始之前，以聚焦到設定於前述半導體晶圓內部之焦點上之方式，照射紅外光域之雷射光束，進行於前述半導體晶圓內部形成改質層之改質層形成步驟。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之半導體裝置之製造方法，前述半導體晶圓加工用片材用基材具有積層於前述樹脂層(A)之另一方之面上之樹脂層(C)，前述樹脂層(C)含有維卡軟化點為91℃以上220℃以下之熱塑性彈性體。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之半導體裝置之製造方法，前述樹脂層(C)與前述樹脂層(B)由同一材料所構成。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之半導體裝置之製造方法，前述樹脂層(C)之厚度tC為3μm以上15μm以下。
  11. 如申請專利範圍第7至10項中任一項所述之半導體裝置之製造方法，前述半導體晶圓加工用片材用基材中由前述樹脂層(B)所構成之前述一方之面之算術平均粗糙度Ra為1.0μm以下。
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