WO2020203089A1 - 電子装置の製造方法 - Google Patents

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WO2020203089A1
WO2020203089A1 PCT/JP2020/010246 JP2020010246W WO2020203089A1 WO 2020203089 A1 WO2020203089 A1 WO 2020203089A1 JP 2020010246 W JP2020010246 W JP 2020010246W WO 2020203089 A1 WO2020203089 A1 WO 2020203089A1
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manufacturing
electronic device
electronic component
forming surface
thermosetting
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PCT/JP2020/010246
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貴信 室伏
哲光 森本
Original Assignee
三井化学東セロ株式会社
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    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/06—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the heating method
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape

Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing an electronic device.
  • thermosetting protective film is attached to the non-circuit forming surface (back surface) of the electronic component (for example, a semiconductor wafer) from the viewpoint of protecting the non-circuit forming surface (back surface) of the electronic component.
  • the process of attaching may be performed.
  • thermosetting protective film examples include those described in Patent Document 1 (Japanese Unexamined Patent Publication No. 2017-1188).
  • Patent Document 1 describes a protective film for semiconductors including a protective layer made of a non-conductive inorganic material and an adhesive layer provided on one surface of the protective layer.
  • the thickness of electronic components is becoming thinner.
  • the thermosetting protective film is attached to the non-circuit-forming surface of the electronic component in the conventional manufacturing method of the electronic device, and then the protective film is applied.
  • the electronic components tend to warp during thermosetting.
  • the resin and the semiconductor are integrated like a wafer level CSP and the thickness of the resin is relatively thick, or when the surface irregularities of the electrodes and the like are large, warpage tends to occur. If the electronic component is warped, it becomes difficult to handle the electronic component or the electrode is cracked.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a method for manufacturing an electronic device capable of providing a method for manufacturing an electronic device capable of suppressing warpage.
  • the present inventors have made extensive studies to achieve the above problems.
  • a surface protective film for protecting the circuit forming surface of the electronic component an adhesive laminated film having a base material layer, an unevenness absorbing resin layer and an adhesive resin layer in this order is used, and this adhesive lamination is used.
  • the present invention has been completed by finding that the warp of an electronic component can be suppressed by thermosetting the thermosetting protective film attached to the non-circuit forming surface of the electronic component with the film attached.
  • the following method for manufacturing an electronic device is provided.
  • thermosetting protective film attached to the surface of the electronic component opposite to the circuit forming surface
  • Preparation step (A) for preparing a structure including The thermosetting step (B) of thermosetting the thermosetting protective film by heating the structure, and A method of manufacturing an electronic device comprising.
  • the preparation step (A) is A curing step of thermosetting or ultraviolet-curing the unevenness-absorbing resin layer in the adhesive laminated film with the adhesive laminated film attached to the circuit forming surface of the electronic component. After the curing step, a step of attaching the thermosetting protective film to the surface of the electronic component opposite to the circuit forming surface, and A method of manufacturing an electronic device including.
  • a method for manufacturing an electronic device in which the heating temperature in the step of attaching the thermosetting protective film to the surface of the electronic component opposite to the circuit forming surface is 50 ° C. or higher and 90 ° C. or lower.
  • the circuit forming surface of the electronic component is a method for manufacturing an electronic device including a bump electrode.
  • a method for manufacturing an electronic device in which the thickness of the uneven absorbing resin layer is 10 ⁇ m or more and 1000 ⁇ m or less.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an example of a method for manufacturing an electronic device according to an embodiment of the present invention.
  • the method for manufacturing an electronic device includes the following steps (A) and (B).
  • (A) The electronic component 10 having the circuit forming surface 10A, the base material layer 20, the unevenness absorbing resin layer 30, and the adhesive resin layer 40 are provided in this order, and are attached to the circuit forming surface 10A side of the electronic component 10.
  • thermosetting protective film is attached to the non-circuit-forming surface of the electronic component in the conventional manufacturing method of the electronic device.
  • the protective film was thermoset, it became clear that the electronic components tended to warp easily.
  • the resin and the semiconductor are integrated like a wafer level CSP and the thickness of the resin is relatively thick, or when the surface irregularities of the electrodes and the like are large, warpage tends to occur. If the electronic component is warped, it becomes difficult to handle the electronic component or the electrode is cracked.
  • the present inventors have made extensive studies to achieve the above problems.
  • thermosetting step (B) of thermosetting the thermosetting protective film 70 attached to the surface 10C opposite to the circuit forming surface 10A is performed. It was found that the warpage of the electronic component 10 in the thermosetting step (B) can be suppressed. As described above, according to the method for manufacturing an electronic device according to the present embodiment, it is possible to suppress the warp of the electronic device.
  • the base material layer 20 is a layer provided for the purpose of improving the handleability, mechanical properties, heat resistance, and other properties of the adhesive laminated film 50.
  • the base material layer 20 is not particularly limited, and examples thereof include a resin film.
  • a resin film As the resin constituting the base material layer 20, a known thermoplastic resin can be used.
  • polyolefins such as polyethylene, polypropylene, poly (4-methyl-1-pentene), poly (1-butene); polyesters such as polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyethylene naphthalate; nylon-6, nylon-66, poly.
  • Polyesters such as metaxylene adipamide; polyacrylates; polymethacrylates; polyvinyl chlorides; polyimides; polyetherimides; polyamideimides; ethylene / vinyl acetate copolymers; polyacrylonitrile; polycarbonates; polystyrenes; ionomers; polysulfones; polyethers One or more selected from sulfone; polyether ether ketone; polyphenylene sulfide; polyphenylene ether; polyester-based elastomer, polyamide-based elastomer, polyimide-based elastomer, polyethylene such as polybutylene terephthalate; and the like can be mentioned.
  • polypropylene, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyamide, polyimide, ethylene / vinyl acetate copolymer, polyester-based elastomer, polyamide-based elastomer, polyimide-based elastomer, and polybutylene terephthalate from the viewpoint of improving transparency.
  • polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyester elastomer, polyamide elastomer, polyimide elastomer, polybutylene terephthalate and polyimide are more preferable.
  • the resin constituting the base material layer 20 includes a polyester-based elastomer, a polyamide-based elastomer, and a polyimide-based elastomer. , And one or more selected from polybutylene terephthalates and the like are more preferable.
  • the elasticity and flexibility of the adhesive laminated film 50 are improved, and it is even easier to expand the adhesive laminated film 50 in the in-plane direction when the electronic component 10 and the adhesive laminated film 50 are peeled off. This makes it easier to peel off the electronic component 10 from the adhesive laminated film 50.
  • the melting point of the base material layer 20 is preferably 100 ° C. or higher.
  • the upper limit of the melting point is not particularly limited, and may be selected in consideration of processability and the like.
  • the base material layer 20 may be a single layer or two or more types of layers. Further, the form of the resin film used for forming the base material layer 20 may be a stretched film or a film stretched in a uniaxial direction or a biaxial direction.
  • the thickness of the base material layer 20 is preferably 10 ⁇ m or more and 500 ⁇ m or less, more preferably 20 ⁇ m or more and 300 ⁇ m or less, and further preferably 25 ⁇ m or more and 250 ⁇ m or less from the viewpoint of obtaining good film characteristics.
  • the base material layer 20 may be surface-treated in order to improve the adhesiveness with other layers. Specifically, corona treatment, plasma treatment, undercoat treatment, primer coating treatment and the like may be performed.
  • the adhesive laminated film 50 has an unevenness absorbing resin layer 30 between the base material layer 20 and the adhesive resin layer 40.
  • the unevenness absorbing resin layer 30 is provided for the purpose of improving the followability of the adhesive laminated film 50 to the circuit forming surface 10A and improving the adhesion between the circuit forming surface 10A and the adhesive laminated film 50. It is a layer. Further, the unevenness absorbing resin layer 30 is a layer provided for the purpose of increasing the heat resistance of the adhesive laminated film 50 by being thermosetting or ultraviolet curing.
  • thermosetting protective film 70 to the surface 10C opposite to the circuit forming surface 10A of the electronic component 10 and the thermosetting step (B) of thermosetting the thermosetting protective film 70. Warpage of electronic parts can be suppressed. Further, in the step (A2) of attaching the thermosetting protective film 70 to the surface 10C opposite to the circuit forming surface 10A of the electronic component 10 and the thermosetting step (B) of thermosetting the thermosetting protective film 70, unevenness is formed. It is possible to prevent the absorbent resin layer 30 from melting and causing the resin to squeeze out.
  • the resin constituting the unevenness absorbing resin layer 30 is not particularly limited as long as it exhibits unevenness absorbing property, and is selected from the group consisting of, for example, a polyolefin resin, a polystyrene resin, and a (meth) acrylic resin. One or more types may be mentioned.
  • the uneven absorption resin layer 30 preferably contains a crosslinkable resin. Since the unevenness absorbing resin layer 30 contains the crosslinkable resin, the unevenness absorbing resin layer 30 can be more effectively thermoset or ultraviolet cured before the step (B), and the unevenness absorbing resin layer 30 can be cured with ultraviolet rays. It is possible to further improve the heat resistance. As a result, in the step (A2) of attaching the thermosetting protective film 70 to the surface 10C opposite to the circuit forming surface 10A of the electronic component 10 and the thermosetting step (B) of thermosetting the thermosetting protective film 70. Warpage of electronic components can be further suppressed.
  • thermosetting protective film 70 in the step (A2) of attaching the thermosetting protective film 70 to the surface 10C opposite to the circuit forming surface 10A of the electronic component 10 and the thermosetting step (B) of thermosetting the thermosetting protective film 70, unevenness is formed. It is possible to further suppress the melting of the absorbent resin layer 30 and the occurrence of resin squeezing.
  • the crosslinkable resin according to the present embodiment is not particularly limited as long as it can form the uneven absorption resin layer 30 and is crosslinked by heat, ultraviolet rays, or the like to improve heat resistance.
  • ethylene and the number of carbon atoms are not limited.
  • Density ethylene resin Density ethylene resin, ultra-low density ethylene resin, linear low density polyethylene (LLDPE) resin, ethylene / cyclic olefin copolymer, ethylene / ⁇ -olefin / cyclic olefin copolymer, ethylene / ⁇ -olefin / Non-conjugated polyene copolymer, ethylene / ⁇ -olefin / conjugated polyene copolymer, ethylene / aromatic vinyl copolymer, olefin resin such as ethylene / ⁇ -olefin / aromatic vinyl copolymer, ethylene / unsaturated Ethylene carboxylic acid copolymer, ethylene / ⁇ -olefin / unsaturated anhydrous carboxylic acid copolymer, ethylene / epoxy-containing unsaturated compound copolymer, ethylene / ⁇ -olefin / epoxy-containing unsaturated compound copolymer,
  • Ethylene / ⁇ -olefin copolymer composed of ethylene and ⁇ -olefin having 3 to 20 carbon atoms, low density ethylene resin, ultra low density ethylene resin, linear low density polyethylene (LLDPE) resin, ethylene / ⁇ -Olefin / non-conjugated polyene copolymer, ethylene / ⁇ -olefin / conjugated polyene copolymer, ethylene / unsaturated anhydrous carboxylic acid copolymer, ethylene / ⁇ -olefin / unsaturated anhydrous carboxylic acid copolymer, ethylene / Epoxy-containing unsaturated compound copolymer, ethylene / ⁇ -olefin / epoxy-containing unsaturated compound copolymer, ethylene / vinyl acetate copolymer, ethylene / acrylic acid copolymer, ethylene / methacrylic acid copolymer, etc.
  • Ethylene / ⁇ -olefin copolymer composed of ethylene and ⁇ -olefin with 3 to 20 carbon atoms, low density ethylene resin, ultra low density ethylene resin, linear low density polyethylene (LLDPE) resin, ethylene / ⁇ -Ethylene such as olefin / non-conjugated polyene copolymer, ethylene / ⁇ -olefin / conjugated polyene copolymer, ethylene / vinyl acetate copolymer, ethylene / acrylic acid copolymer, ethylene / methacrylic acid copolymer, etc.
  • LLDPE linear low density polyethylene
  • one or more selected from unsaturated carboxylic acid copolymers are more preferable to use.
  • at least one selected from an ethylene / ⁇ -olefin copolymer and an ethylene / vinyl acetate copolymer is particularly preferably used.
  • the above-mentioned resins may be used alone or in a blended manner.
  • the ⁇ -olefin of an ethylene / ⁇ -olefin copolymer composed of ethylene and an ⁇ -olefin having 3 to 20 carbon atoms used as the crosslinkable resin in the present embodiment is usually an ⁇ -olefin having 3 to 20 carbon atoms. Can be used alone or in combination of two or more. Of these, ⁇ -olefins having 10 or less carbon atoms are preferable, and ⁇ -olefins having 3 to 8 carbon atoms are particularly preferable.
  • ⁇ -olefins examples include propylene, 1-butene, 1-pentene, 1-hexene, 3-methyl-1-butene, 3,3-dimethyl-1-butene and 4-methyl-1-pentene. , 1-octene, 1-decene, 1-dodecene and the like. Among these, propylene, 1-butene, 1-pentene, 1-hexene, 4-methyl-1-pentene and 1-octene are preferable because of their availability.
  • the ethylene / ⁇ -olefin copolymer may be a random copolymer or a block copolymer, but a random copolymer is preferable from the viewpoint of flexibility.
  • the thickness of the unevenness absorbing resin layer 30 is not particularly limited as long as it can embed the unevenness of the circuit forming surface 10A of the electronic component 10, but is preferably 10 ⁇ m or more and 1000 ⁇ m or less, preferably 20 ⁇ m. It is more preferably 900 ⁇ m or less, further preferably 30 ⁇ m or more and 800 ⁇ m or less, and particularly preferably 50 ⁇ m or more and 700 ⁇ m or less.
  • H / d is 1 or less. It is preferably 0.85 or less, more preferably 0.7 or less.
  • H / d is not more than the above upper limit value, the thickness of the adhesive laminated film 50 can be made thinner and the unevenness absorption can be made better.
  • the lower limit of H / d is not particularly limited, but is, for example, 0.01 or more.
  • the height of the bump electrode is generally 2 ⁇ m or more and 600 ⁇ m or less.
  • the adhesive resin layer 40 is a layer provided on one surface side of the unevenness absorbing resin layer 30, and is a circuit of the electronic component 10 when the adhesive laminated film 50 is attached to the circuit forming surface 10A of the electronic component 10. It is a layer that comes into contact with and adheres to the forming surface 10A.
  • Examples of the adhesive constituting the adhesive resin layer 40 include (meth) acrylic adhesive, silicone adhesive, urethane adhesive, olefin adhesive, styrene adhesive and the like. Among these, a (meth) acrylic pressure-sensitive adhesive using a (meth) acrylic polymer as a base polymer is preferable because the adhesive strength can be easily adjusted.
  • the pressure-sensitive adhesive constituting the pressure-sensitive adhesive resin layer 40 a radiation-crosslinked pressure-sensitive adhesive whose adhesive strength is reduced by radiation can also be used. Since the adhesive resin layer 40 composed of the radiation-crosslinked adhesive is crosslinked by irradiation with radiation and the adhesive force is remarkably reduced, the step (C) of peeling the electronic component 10 and the adhesive laminated film 50 described later. In, the electronic component 10 can be easily peeled off from the adhesive resin layer 40. Examples of radiation include ultraviolet rays, electron beams, and infrared rays. As the radiation-crosslinked pressure-sensitive adhesive, an ultraviolet-crosslinked pressure-sensitive adhesive is preferable.
  • Examples of the (meth) acrylic polymer contained in the (meth) acrylic pressure-sensitive adhesive include a homopolymer of a (meth) acrylic acid ester compound, a copolymer of a (meth) acrylic acid ester compound and a comonomer, and the like. Can be mentioned.
  • Examples of the (meth) acrylic acid ester compound include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, hydroxyethyl (meth) acrylate, and hydroxypropyl (meth).
  • Examples thereof include acrylate, dimethylaminoethyl (meth) acrylate, and glycidyl (meth) acrylate. These (meth) acrylic acid ester compounds may be used alone or in combination of two or more.
  • Examples of the comonomer constituting the (meth) acrylic copolymer include vinyl acetate, (meth) acrylonitrile, styrene, (meth) acrylic acid, itaconic acid, (meth) acrylic amide, and methylol (meth) acrylic. Examples thereof include amide and maleic anhydride. These comonomer may be used alone or in combination of two or more.
  • the radiation cross-linking type pressure-sensitive adhesive contains, for example, the above-mentioned (meth) acrylic polymer, a cross-linking compound (a component having a carbon-carbon double bond), and a photopolymerization initiator or a thermal polymerization initiator.
  • crosslinkable compound examples include a monomer, oligomer or polymer having a carbon-carbon double bond in the molecule and crosslinkable by radical polymerization.
  • crosslinkable compounds include trimethyl propantri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, and neo.
  • esters of (meth) acrylic acids such as pentylglycol di (meth) acrylates and dipentaerythritol hexa (meth) acrylates with polyhydric alcohols; ester (meth) acrylate oligomers; 2-propenyldi-3-butenyl cyanurate, 2 Examples thereof include isocyanurates such as -hydroxyethylbis (2- (meth) acryloxyethyl) isocyanurate and tris (2-methacryloxyethyl) isocyanurate, or isocyanurate compounds.
  • the (meth) acrylic polymer is a radiation-crosslinked polymer having a carbon-carbon double bond in the side chain of the polymer, it is not necessary to add the crosslinkable compound.
  • the content of the crosslinkable compound is preferably 5 to 900 parts by mass, more preferably 5 to 100 parts by mass, still more preferably 10 to 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the (meth) acrylic polymer.
  • the adhesive strength can be easily adjusted as compared with the case where the content is less than the above range, and the sensitivity to heat and light is too high as compared with the case where the content is more than the above range. As a result, the storage stability is unlikely to decrease.
  • the photopolymerization initiator may be any compound that cleaves to generate radicals when irradiated with radiation, and is, for example, benzoin alkyl ethers such as benzoin methyl ether, benzoin isopropyl ether, and benzoin isobutyl ether; benzyl, benzoin, and benzophenone.
  • thermal polymerization initiator examples include organic peroxide derivatives and azo-based polymerization initiators. It is preferably an organic peroxide derivative because nitrogen is not generated during heating.
  • thermal polymerization initiator examples include ketone peroxides, peroxyketals, hydroperoxides, dialkyl peroxides, diacyl peroxides, peroxyesters, peroxydicarbonates and the like.
  • a cross-linking agent may be added to the pressure-sensitive adhesive.
  • the cross-linking agent include epoxy compounds such as sorbitol polyglycidyl ether, polyglycerol polyglycidyl ether, pentaeristol polyglycidyl ether, and diglycerol polyglycidyl ether; tetramethylolmethane-tri- ⁇ -aziridinyl propionate.
  • the content of the cross-linking agent is 0.1 part by mass or more and 10 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the (meth) acrylic polymer from the viewpoint of improving the balance between the heat resistance and the adhesion of the adhesive resin layer 40. Is preferable.
  • the thickness of the adhesive resin layer 40 is not particularly limited, but is preferably 1 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less, and more preferably 3 ⁇ m or more and 50 ⁇ m or less.
  • the adhesive laminated film 50 according to the present embodiment interferes with the object of the present invention in the case where the unevenness absorbing resin layer 30 is ultraviolet-cured or the adhesive resin layer 40 is ultraviolet-crosslinked. It is necessary to have a light transmittance to some extent.
  • the thickness of the entire adhesive laminated film 50 according to the present embodiment is preferably 25 ⁇ m or more and 1100 ⁇ m or less, more preferably 100 ⁇ m or more and 900 ⁇ m or less, and further preferably 200 ⁇ m or more, from the viewpoint of the balance between mechanical properties and handleability. It is 800 ⁇ m or less.
  • the adhesive laminated film 50 according to the present embodiment may be provided with an adhesive layer (not shown) between the layers. According to this adhesive layer, the adhesiveness between the layers can be improved.
  • the unevenness-absorbing resin layer 30 is extruded and laminated on one surface of the base material layer 20 by a laminating method.
  • the adhesive coating liquid is applied onto the unevenness-absorbing resin layer 30 and dried to form the adhesive resin layer 40, and the adhesive laminated film 50 is obtained.
  • the base material layer 20 and the unevenness absorbing resin layer 30 may be formed by coextrusion molding, or the film-shaped base material layer 20 and the film-shaped unevenness absorbing resin layer 30 are laminated. May be formed.
  • Step (A) First, the electronic component 10 having the circuit forming surface 10A, the base material layer 20, the unevenness absorbing resin layer 30, and the adhesive resin layer 40 are provided in this order, and are attached to the circuit forming surface 10A side of the electronic component 10.
  • a structure 60 including the adhesive laminated film 50 and the thermosetting protective film 70 attached to the surface 10C opposite to the circuit forming surface 10A of the electronic component 10 is prepared.
  • Such a structure 60 is, for example, heated to the step (A1) of attaching the adhesive laminated film 50 to the circuit forming surface 10A of the electronic component 10 and the surface 10C opposite to the circuit forming surface 10A of the electronic component 10. It can be produced by performing the step (A2) of attaching the curable protective film 70.
  • the method of attaching the adhesive laminated film 50 to the circuit forming surface 10A of the electronic component 10 is not particularly limited, and it can be peeled off by a generally known method. For example, it may be performed manually, or it may be performed by a device called an automatic pasting machine to which a roll-shaped adhesive laminated film 50 is attached.
  • thermosetting protective film 70 to the surface 10C opposite to the circuit forming surface 10A of the electronic component 10 is not particularly limited, and it can be peeled off by a generally known method. For example, it may be performed manually, or it may be performed by a device called an automatic pasting machine to which a roll-shaped thermosetting protective film 70 is attached.
  • the step (A2) of attaching the thermosetting protective film 70 to the surface 10C opposite to the circuit forming surface 10A of the electronic component 10 is performed, for example, while heating the thermosetting protective film 70.
  • the heating temperature in the step (A2) is not particularly limited because it is appropriately set depending on the type of the thermosetting protective film 70, but is, for example, 50 ° C. or higher and 90 ° C. or lower, preferably 60 ° C. or higher and 80 ° C. or lower.
  • the thermosetting protective film 70 is not particularly limited, and for example, a known thermosetting type semiconductor back surface protective film can be used.
  • the thermosetting protective film 70 may include, for example, a thermosetting adhesive layer, and may further include a protective layer if necessary.
  • the adhesive layer is preferably formed of a thermosetting resin, and more preferably formed of a thermosetting resin and a thermoplastic resin.
  • the thermosetting resin include epoxy resin, phenol resin, amino resin, unsaturated polyester resin, polyurethane resin, silicone resin, and thermosetting polyimide resin.
  • One type or two or more types of these thermosetting resins can be used. Among these, epoxy resins having a low content of ionic impurities and the like are preferable.
  • thermoplastic resin examples include natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, ethylene / vinyl acetate copolymer, ethylene / acrylic acid copolymer, ethylene / acrylic acid ester copolymer, polybutadiene resin, and polycarbonate resin.
  • thermoplastic polyimide resin examples include thermoplastic polyimide resin, polyamide resin, phenoxy resin, acrylic resin, saturated polyester resin such as polyethylene terephthalate and polybutylene terephthalate, polyamideimide resin, and fluororesin.
  • an acrylic resin having a low content of ionic impurities and the like is preferable.
  • the adhesive layer can contain other additives as needed.
  • additives include fillers, flame retardants, silane coupling agents, ion trapping agents, bulking agents, antiaging agents, antioxidants, surfactants and the like.
  • the protective layer is made of, for example, a heat-resistant resin, a metal, or the like.
  • the heat-resistant resin constituting the protective layer is not particularly limited, and examples thereof include polyphenylene sulfide, polyimide, polyetherimide, polyarylate, polysulfone, polyethersulfone, polyether ether ketone, liquid crystal polymer, and polytetrafluoroethylene. Be done. Among these, polyimide, polyphenylene sulfide, polysulfone, polyetherimide, polyetherketone, polyetheretherketone and the like can be mentioned.
  • the metal constituting the protective layer is not particularly limited, and examples thereof include aluminum, alumite, stainless steel, iron, titanium, tin, and copper.
  • thermosetting protective film 70 A commercially available film may be used as the thermosetting protective film 70.
  • examples of commercially available films include chip back surface protective tapes (product name: "LC tape” series) manufactured by Lintec Corporation.
  • the electronic component 10 is not particularly limited as long as it is an electronic component 10 having a circuit forming surface 10A, and examples thereof include a semiconductor wafer, a sapphire substrate, a lithium tantalate substrate, a mold wafer, a mold panel, a mold array package, and a semiconductor substrate. Be done.
  • the semiconductor substrate include a silicon substrate, a germanium substrate, a germanium-arsenic substrate, a gallium-phosphosphide substrate, a gallium-arsenide-aluminum substrate, a gallium-arsenide substrate, and the like.
  • the electronic component 10 may be an electronic component for any purpose, but for example, an electronic component for logic (for example, for communication, high frequency signal processing, etc.), a memory, a sensor, a power supply, and the like. Can be mentioned. Only one of these may be used, or two or more thereof may be used in combination.
  • the circuit forming surface 10A of the electronic component 10 has an uneven structure, for example, by having an electrode 10B. Further, when the electronic device is mounted on the mounting surface, the electrode 10B is joined to the electrode formed on the mounting surface and is electrically connected between the electronic device and the mounting surface (mounting surface such as a printed circuit board). It forms a connection.
  • the electrode 10B include bump electrodes such as ball bumps, printing bumps, stud bumps, plating bumps, and pillar bumps. That is, the electrode 10B is usually a convex electrode. These bump electrodes may be used alone or in combination of two or more.
  • the metal type constituting the bump electrode is not particularly limited, and examples thereof include silver, gold, copper, tin, lead, bismuth, and alloys thereof. These metal species may be used alone or in combination of two or more.
  • thermosetting protective film 70 before the step (A2) of attaching the thermosetting protective film 70 to the surface 10C of the electronic component 10 opposite to the circuit forming surface 10A, the circuit of the electronic component 10 It is preferable to perform a curing step (A3) in which the unevenness-absorbing resin layer 30 of the adhesive laminated film 50 is thermosetting or ultraviolet-cured with the adhesive laminated film 50 attached to the forming surface 10A. Thereby, the heat resistance of the adhesive laminated film 50 can be improved. By doing so, a step (A2) of attaching the thermosetting protective film 70 to the surface 10C opposite to the circuit forming surface 10A of the electronic component 10 and a thermosetting step (B) of thermosetting the thermosetting protective film 70.
  • thermosetting protective film 70 to the surface 10C opposite to the circuit forming surface 10A of the electronic component 10 and the thermosetting step (B) of thermosetting the thermosetting protective film 70, unevenness is formed. It is possible to prevent the absorbent resin layer 30 from melting and causing the resin to squeeze out.
  • thermosetting the uneven absorbing resin layer 30 is not particularly limited as long as it can heat-cure the crosslinkable resin, and examples thereof include thermosetting with a radical polymerization initiator.
  • a radical polymerization initiator used for thermal cross-linking with a radical polymerization initiator can be used.
  • the radical polymerization initiator a known thermal radical polymerization initiator can be used.
  • the unevenness absorbing resin layer 30 can be crosslinked and cured.
  • the ultraviolet rays are emitted from, for example, the surface of the adhesive laminated film 50 on the base material layer 20 side.
  • a cross-linking aid may be blended with the uneven-absorbing resin layer 30 to carry out the cross-linking of the uneven-absorbing resin layer 30.
  • the surface 10C opposite to the circuit forming surface 10A of the electronic component 10 is formed.
  • the back grind step (A4) for back grinding may be performed. That is, the adhesive laminated film 50 according to this embodiment may be used as the back grind tape.
  • the curing step (A3) is performed before the back grind step (A4), the adhesive strength of the adhesive laminated film 50 decreases, so that the adhesive laminated film 50 is peeled off in the back grind step (A4). There is a concern that it will end up. Therefore, it is preferable to perform the back grind step (A4) before the curing step (A3).
  • the surface 10C of the electronic component 10 opposite to the circuit forming surface 10A is back grinded while being attached to the adhesive laminated film 50.
  • backgrinding means that the electronic component 10 is thinned to a predetermined thickness without being cracked or damaged.
  • the back grind of the electronic component 10 can be performed by a known method. For example, a method of fixing the electronic component 10 to a chuck table or the like of a grinder and grinding the surface 10C of the electronic component 10 on the side opposite to the circuit forming surface 10A can be mentioned.
  • the back surface grinding method is not particularly limited, but for example, a known grinding method such as a through-feed method or an in-feed method can be adopted. Each grinding can be performed while cooling water by applying it to the electronic component 10 and the grindstone.
  • thermosetting protective film 70 is thermoset by heating the structure 60.
  • thermosetting the thermosetting protective film 70 is appropriately set depending on the type of the thermosetting protective film 70 and is not particularly limited, but is, for example, 120 ° C. or higher and 170 ° C. or lower, preferably 120 ° C. or higher. It is 130 ° C. or higher and 160 ° C. or lower.
  • a step (C) for peeling the electronic component 10 and the adhesive laminated film 50 may be further performed after the step (B).
  • the electronic component 10 can be peeled off from the adhesive laminated film 50.
  • the peeling temperature is, for example, 20 to 100 ° C.
  • the peeling of the electronic component 10 and the adhesive laminated film 50 can be performed by a known method.
  • the method for manufacturing an electronic device according to the present embodiment may include other steps other than the above.
  • a step known in the method for manufacturing an electronic device can be used.
  • a metal film forming process such as a metal film forming process, an annealing process, a dying process, a die bonding process, a wire bonding process, a flip tip connecting process, a cure heating test process, a sealing process, and a reflow process. Any of the above steps may be further performed.

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Abstract

回路形成面（１０Ａ）を有する電子部品（１０）と、基材層（２０）、凹凸吸収性樹脂層（３０）および粘着性樹脂層（４０）をこの順番に有し、電子部品（１０）の回路形成面（１０Ａ）側に貼り付けられた粘着性積層フィルム（５０）と、電子部品（１０）の回路形成面（１０Ａ）とは反対側の面（１０Ｃ）に貼り付けられた熱硬化性保護フィルム（７０）と、を備える構造体（６０）を準備する準備工程（Ａ）と、構造体（６０）を加熱することにより、熱硬化性保護フィルム（７０）を熱硬化させる熱硬化工程（Ｂ）と、を備える電子装置の製造方法。

Description

電子装置の製造方法
　本発明は、電子装置の製造方法に関する。
　電子装置（例えば、半導体装置）の製造工程では、電子部品（例えば、半導体ウエハ）の非回路形成面（裏面）を保護する観点から、電子部品の非回路形成面に熱硬化性保護フィルムを貼り付ける工程をおこなう場合がある。
　このような熱硬化性保護フィルムに関する技術としては、例えば、特許文献１（特開２０１７－１１８８号公報）に記載のものが挙げられる。
　特許文献１には、非導電性無機材料で構成された保護層と、上記保護層の一方の面に設けられた接着剤層とを具備する半導体用保護フィルムが記載されている。
特開２０１７－１１８８号公報
　近年の傾向として電子部品の厚みが薄くなってきている。本発明者らの検討によれば、電子部品の厚みが薄くなるに従い、従来の電子装置の製造方法において、電子部品の非回路形成面に熱硬化性保護フィルムを貼り付けた後に上記保護フィルムを熱硬化する際に、電子部品に反りが生じやすくなる傾向にあることが明らかになった。特に、ウエハーレベルＣＳＰの様に樹脂と半導体が一体化されており当該樹脂の厚みが比較的厚い場合や、電極等で表面の凹凸が大きくい場合には、反りが生じやすい傾向にある。電子部品に反りが生じると、電子部品のハンドリングが難しくなったり、電極にクラックが発生したりしてしまう。
　本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、反りを抑制することが可能な電子装置の製造方法を提供することが可能な電子装置の製造方法を提供するものである。
　本発明者らは、上記課題を達成するために鋭意検討を重ねた。その結果、電子部品の回路形成面を保護するための表面保護フィルムとして、基材層、凹凸吸収性樹脂層および粘着性樹脂層をこの順番に有する粘着性積層フィルムを使用し、この粘着性積層フィルムを貼り付けた状態で、電子部品の非回路形成面に貼り付けた熱硬化性保護フィルムの熱硬化をおこなうことにより、電子部品の反りを抑制できることを見出して、本発明を完成させた。
　本発明によれば、以下に示す電子装置の製造方法が提供される。
［１］
　回路形成面を有する電子部品と、基材層、凹凸吸収性樹脂層および粘着性樹脂層をこの順番に有し、上記電子部品の上記回路形成面側に貼り付けられた粘着性積層フィルムと、上記電子部品の上記回路形成面とは反対側の面に貼り付けられた熱硬化性保護フィルムと、
を備える構造体を準備する準備工程（Ａ）と、
　上記構造体を加熱することにより、上記熱硬化性保護フィルムを熱硬化させる熱硬化工程（Ｂ）と、
を備える電子装置の製造方法。
［２］
　上記［１］に記載の電子装置の製造方法において、
　上記準備工程（Ａ）は、
　　上記電子部品の上記回路形成面に上記粘着性積層フィルムが貼り付けられた状態で、上記粘着性積層フィルムにおける上記凹凸吸収性樹脂層を熱硬化または紫外線硬化させる硬化工程と、
　　上記硬化工程の後に、上記電子部品の上記回路形成面とは反対側の面に上記熱硬化性保護フィルムを貼り付ける工程と、
を含む電子装置の製造方法。
［３］
　上記［２］に記載の電子装置の製造方法において、
　上記電子部品の上記回路形成面とは反対側の面に上記熱硬化性保護フィルムを貼り付ける工程における加熱温度が５０℃以上９０℃以下である電子装置の製造方法。
［４］
　上記［２］または［３］に記載の電子装置の製造方法において、
　上記準備工程（Ａ）は、上記硬化工程の前に、上記電子部品の上記回路形成面に上記粘着性積層フィルムが貼り付けられた状態で、上記電子部品の上記回路形成面とは反対側の面をバックグラインドするバックグラインド工程を含む電子装置の製造方法。
［５］
　上記［１］乃至［４］のいずれか一つに記載の電子装置の製造方法において、
　上記熱硬化工程（Ｂ）における加熱温度が１２０℃以上１７０℃以下である電子装置の製造方法。
［６］
　上記［１］乃至［５］のいずれか一つに記載の電子装置の製造方法において、
　上記電子部品の上記回路形成面はバンプ電極を含む電子装置の製造方法。
［７］
　上記［６］に記載の電子装置の製造方法において、
　上記バンプ電極の高さをＨ［μｍ］とし、上記凹凸吸収性樹脂層の厚みをｄ［μｍ］としたとき、Ｈ／ｄが０．０１以上１以下である電子装置の製造方法。
［８］
　上記［１］乃至［７］のいずれか一つに記載の電子装置の製造方法において、
　上記凹凸吸収性樹脂層が架橋性樹脂を含む電子装置の製造方法。
［９］
　上記［１］乃至［８］のいずれか一つに記載の電子装置の製造方法において、
　上記凹凸吸収性樹脂層の厚みが１０μｍ以上１０００μｍ以下である電子装置の製造方法。
［１０］
　上記［１］乃至［９］のいずれか一つに記載の電子装置の製造方法において、
　上記基材層を構成する樹脂がポリエステル系エラストマー、ポリアミド系エラストマー、ポリイミド系エラストマー、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、およびポリイミドからなる群から選択される一種または二種以上を含む電子装置の製造方法。
［１１］
　上記［１］乃至［１０］のいずれか一つに記載の電子装置の製造方法において、
　上記粘着性樹脂層を構成する粘着剤が（メタ）アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ウレタン系粘着剤、オレフィン系粘着剤およびスチレン系粘着剤から選択される一種または二種以上を含む電子装置の製造方法。
　本発明によれば、反りを抑制することが可能な電子装置の製造方法を提供することができる。
本発明に係る実施形態の電子装置の製造方法の一例を模式的に示した断面図である。
　以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には共通の符号を付し、適宜説明を省略する。また、図は概略図であり、実際の寸法比率とは一致していない。また、数値範囲の「Ａ～Ｂ」は特に断りがなければ、Ａ以上Ｂ以下を表す。また、本実施形態において、「（メタ）アクリル」とは、アクリル、メタクリルまたはアクリルおよびメタクリルの両方を意味する。
　図１は、本発明に係る実施形態の電子装置の製造方法の一例を模式的に示した断面図である。
　本実施形態に係る電子装置の製造方法は、以下の工程（Ａ）および工程（Ｂ）を含む。
　（Ａ）回路形成面１０Ａを有する電子部品１０と、基材層２０、凹凸吸収性樹脂層３０および粘着性樹脂層４０をこの順番に有し、電子部品１０の回路形成面１０Ａ側に貼り付けられた粘着性積層フィルム５０と、電子部品１０の回路形成面１０Ａとは反対側の面１０Ｃに貼り付けられた熱硬化性保護フィルム７０と、を備える構造体６０を準備する準備工程
　（Ｂ）構造体６０を加熱することにより、熱硬化性保護フィルム７０を熱硬化させる熱硬化工程
　前述したように、本発明者らの検討によれば、電子部品の厚みが薄くなるに従い、従来の電子装置の製造方法において、電子部品の非回路形成面に熱硬化性保護フィルムを貼り付けた後に上記保護フィルムを熱硬化する際に、電子部品に反りが生じやすくなる傾向にあることが明らかになった。特に、ウエハーレベルＣＳＰの様に樹脂と半導体が一体化されており当該樹脂の厚みが比較的厚い場合や、電極等で表面の凹凸が大きくい場合には、反りが生じやすい傾向にある。電子部品に反りが生じると、電子部品のハンドリングが難しなったり、電極にクラックが発生したりしてしまう。
　本発明者らは、上記課題を達成するために鋭意検討を重ねた。その結果、電子部品１０の回路形成面１０Ａを保護するための表面保護フィルムとして、基材層２０、凹凸吸収性樹脂層３０および粘着性樹脂層４０をこの順番に有する粘着性積層フィルム５０を使用し、この粘着性積層フィルム５０を貼り付けた状態で、回路形成面１０Ａとは反対側の面１０Ｃに貼り付けられた熱硬化性保護フィルム７０を熱硬化させる熱硬化工程（Ｂ）をおこなうことによって、熱硬化工程（Ｂ）における電子部品１０の反りを抑制できることを見出した。
　以上のように、本実施形態に係る電子装置の製造方法によれば、電子装置の反りを抑制することが可能となる。
１．粘着性積層フィルム
　以下、本実施形態に係る電子装置の製造方法で用いる粘着性積層フィルム５０について説明する。
＜基材層＞
　基材層２０は、粘着性積層フィルム５０の取り扱い性や機械的特性、耐熱性等の特性をより良好にすることを目的として設けられる層である。
　基材層２０は特に限定されないが、例えば、樹脂フィルムが挙げられる。
　基材層２０を構成する樹脂としては、公知の熱可塑性樹脂を用いることができる。例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ（４－メチル－１－ペンテン）、ポリ（１－ブテン）等のポリオレフィン；ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル；ナイロン－６、ナイロン－６６、ポリメタキシレンアジパミド等のポリアミド；ポリアクリレート；ポリメタアクリレート；ポリ塩化ビニル；ポリイミド；ポリエーテルイミド；ポリアミドイミド；エチレン・酢酸ビニル共重合体；ポリアクリロニトリル；ポリカーボネート；ポリスチレン；アイオノマー；ポリスルホン；ポリエーテルスルホン；ポリエーテルエーテルケトン；ポリフェニレンスルフィド；ポリフェニレンエーテル；ポリエステル系エラストマー、ポリアミド系エラストマー、ポリイミド系エラストマー、ポリブチレンテレフタレート等のエラストマー；等から選択される一種または二種以上を挙げることができる。
　これらの中でも、透明性を良好にする観点から、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアミド、ポリイミド、エチレン・酢酸ビニル共重合体、ポリエステル系エラストマー、ポリアミド系エラストマー、ポリイミド系エラストマー、およびポリブチレンテレフタレートから選択される一種または二種以上が好ましく、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエステル系エラストマー、ポリアミド系エラストマー、ポリイミド系エラストマー、ポリブチレンテレフタレートおよびポリイミドから選択される一種または二種以上がより好ましい。
　また、粘着性積層フィルム５０の柔軟性や伸縮性等の特性と耐熱性とのバランスを向上させる観点から、基材層２０を構成する樹脂としては、ポリエステル系エラストマー、ポリアミド系エラストマー、ポリイミド系エラストマー、およびポリブチレンテレフタレート等から選択される一種または二種以上がさらに好ましい。これにより、粘着性積層フィルム５０の伸縮性や柔軟性が向上し、電子部品１０と粘着性積層フィルム５０とを剥離する際に粘着性積層フィルム５０を面内方向に拡張させることがより一層容易になり、粘着性積層フィルム５０から電子部品１０を剥離し易くなる。
　基材層２０の融点は１００℃以上であることが好ましい。融点上限は特に限定されず、加工性等を鑑みて選択すればよい。
　このような基材層２０を用いると、工程（Ｂ）において粘着性積層フィルム５０が高温に曝されても粘着性積層フィルム５０の変形や溶融をより一層抑制することができる。
　基材層２０は、単層であっても、二種以上の層であってもよい。
　また、基材層２０を形成するために使用する樹脂フィルムの形態としては、延伸フィルムであってもよいし、一軸方向または二軸方向に延伸したフィルムであってもよい。
　基材層２０の厚さは、良好なフィルム特性を得る観点から、好ましくは１０μｍ以上５００μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以上３００μｍ以下、さらに好ましくは２５μｍ以上２５０μｍ以下である。
　基材層２０は他の層との接着性を改良するために、表面処理を行ってもよい。具体的には、コロナ処理、プラズマ処理、アンダーコート処理、プライマーコート処理等を行ってもよい。
＜凹凸吸収性樹脂層＞
　本実施形態に係る粘着性積層フィルム５０は、基材層２０と粘着性樹脂層４０との間に凹凸吸収性樹脂層３０を有する。
　凹凸吸収性樹脂層３０は、粘着性積層フィルム５０の回路形成面１０Ａへの追従性を良好にし、回路形成面１０Ａと粘着性積層フィルム５０との密着性を良好にすることを目的として設けられる層である。さらに、凹凸吸収性樹脂層３０は熱硬化または紫外線硬化することで、粘着性積層フィルム５０の耐熱性を高めることを目的として設けられる層である。これによって、電子部品１０の回路形成面１０Ａとは反対側の面１０Ｃに熱硬化性保護フィルム７０を貼り付ける工程（Ａ２）や熱硬化性保護フィルム７０を熱硬化させる熱硬化工程（Ｂ）において電子部品の反りを抑制することができる。さらに電子部品１０の回路形成面１０Ａとは反対側の面１０Ｃに熱硬化性保護フィルム７０を貼り付ける工程（Ａ２）や熱硬化性保護フィルム７０を熱硬化させる熱硬化工程（Ｂ）において、凹凸吸収性樹脂層３０が溶融して樹脂のハミ出しが起きるのを抑制できる。
　凹凸吸収性樹脂層３０を構成する樹脂は、凹凸吸収性を示すものであれば特に限定されないが、例えば、ポリオレフィン系樹脂、ポリスチレン系樹脂、および（メタ）アクリル系樹脂からなる群から選択される一種または二種以上が挙げられる。
　また、凹凸吸収性樹脂層３０は架橋性樹脂を含むことが好ましい。凹凸吸収性樹脂層３０が架橋性樹脂を含むことにより、工程（Ｂ）の前に凹凸吸収性樹脂層３０をより効果的に熱硬化または紫外線硬化させることができ、凹凸吸収性樹脂層３０の耐熱性をより一層向上させることが可能となる。これにより、電子部品１０の回路形成面１０Ａとは反対側の面１０Ｃに熱硬化性保護フィルム７０を貼り付ける工程（Ａ２）や熱硬化性保護フィルム７０を熱硬化させる熱硬化工程（Ｂ）において電子部品の反りをより一層抑制することができる。さらに電子部品１０の回路形成面１０Ａとは反対側の面１０Ｃに熱硬化性保護フィルム７０を貼り付ける工程（Ａ２）や熱硬化性保護フィルム７０を熱硬化させる熱硬化工程（Ｂ）において、凹凸吸収性樹脂層３０が溶融して樹脂のハミ出しが起きるのをより一層抑制できる。
　本実施形態に係る架橋性樹脂としては凹凸吸収性樹脂層３０を形成でき、かつ、熱や紫外線等によって架橋して耐熱性が向上する樹脂であれば特に限定されないが、例えば、エチレンおよび炭素数３～２０のα－オレフィンとを含むエチレン・α－オレフィン共重合体、高密度エチレン系樹脂、低密度エチレン系樹脂、中密度エチレン系樹脂、超低密度エチレン系樹脂、直鎖状低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）系樹脂、プロピレン（共）重合体、１－ブテン（共）重合体、４－メチルペンテン－１（共）重合体、エチレン・環状オレフィン共重合体、エチレン・α－オレフィン・環状オレフィン共重合体、エチレン・α－オレフィン・非共役ポリエン共重合体、エチレン・α－オレフィン・共役ポリエン共重合体、エチレン・芳香族ビニル共重合体、エチレン・α－オレフィン・芳香族ビニル共重合体等のオレフィン系樹脂；エチレン・不飽和無水カルボン酸共重合体、エチレン・α－オレフィン・不飽和無水カルボン酸共重合体等のエチレン・無水カルボン酸系共重合体；エチレン・エポキシ含有不飽和化合物共重合体、エチレン・α－オレフィン・エポキシ含有不飽和化合物共重合体等のエチレン・エポキシ系共重合体；エチレン・（メタ）アクリル酸エチル共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸メチル共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸プロピル共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸ブチル共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸ヘキシル共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸－２－ヒドロキシエチル共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸－２－ヒドロキシプロピル共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸グリシジル共重合体等のエチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体；エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン・マレイン酸共重合体、エチレン・フマル酸共重合体、エチレン・クロトン酸共重合体等のエチレン・エチレン性不飽和酸共重合体；エチレン・酢酸ビニル共重合体、エチレン・プロピオン酸ビニル共重合体、エチレン・酪酸ビニル共重合体、エチレン・ステアリン酸ビニル共重合体等のエチレン・ビニルエステル共重合体；エチレン・スチレン共重合体等；（メタ）アクリル酸エステル（共）重合体等の不飽和カルボン酸エステル（共）重合体；エチレン・アクリル酸金属塩共重合体、エチレン・メタアクリル酸金属塩共重合体等のアイオノマー樹脂；ウレタン系樹脂；シリコーン系樹脂；アクリル酸系樹脂；メタアクリル酸系樹脂；環状オレフィン（共）重合体；α－オレフィン・芳香族ビニル化合物・芳香族ポリエン共重合体；エチレン・α－オレフィン・芳香族ビニル化合物；芳香族ポリエン共重合体；エチレン・芳香族ビニル化合物・芳香族ポリエン共重合体；スチレン系樹脂；アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン共重合体；スチレン・共役ジエン共重合体；アクリロニトリル・スチレン共重合体；アクリロニトリル・エチレン・α－オレフィン・非共役ポリエン・スチレン共重合体；アクリロニトリル・エチレン・α－オレフィン・共役ポリエン・スチレン共重合体；メタアクリル酸・スチレン共重合体；エチレンテレフタレート樹脂；フッ素樹脂；ポリエステルカーボネート；ポリ塩化ビニル；ポリ塩化ビニリデン；ポリオレフィン系熱可塑性エラストマー；ポリスチレン系熱可塑性エラストマー；ポリウレタン系熱可塑性エラストマー；１，２－ポリブタジエン系熱可塑性エラストマー；トランスポリイソプレン系熱可塑性エラストマー；塩素化ポリエチレン系熱可塑性エラストマー；液晶性ポリエステル；ポリ乳酸等から選択される一種または二種以上を用いることができる。
　これらの中でも、有機過酸化物等の架橋剤による架橋が容易であることから、エチレンおよび炭素数３～２０のα－オレフィンからなるエチレン・α－オレフィン共重合体、低密度エチレン系樹脂、中密度エチレン系樹脂、超低密度エチレン系樹脂、直鎖状低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）系樹脂、エチレン・環状オレフィン共重合体、エチレン・α－オレフィン・環状オレフィン共重合体、エチレン・α－オレフィン・非共役ポリエン共重合体、エチレン・α－オレフィン・共役ポリエン共重合体、エチレン・芳香族ビニル共重合体、エチレン・α－オレフィン・芳香族ビニル共重合体等のオレフィン系樹脂、エチレン・不飽和無水カルボン酸共重合体、エチレン・α－オレフィン・不飽和無水カルボン酸共重合体、エチレン・エポキシ含有不飽和化合物共重合体、エチレン・α－オレフィン・エポキシ含有不飽和化合物共重合体、エチレン・酢酸ビニル共重合体、エチレン・アクリル酸共重合体、エチレン・メタアクリル酸共重合体等のエチレン・不飽和カルボン酸共重合体、１，２－ポリブタジエン系熱可塑性エラストマーから選択される一種または二種以上を用いることが好ましい。
　エチレンおよび炭素数３～２０のα－オレフィンからなるエチレン・α－オレフィン共重合体、低密度エチレン系樹脂、超低密度エチレン系樹脂、直鎖状低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）系樹脂、エチレン・α－オレフィン・非共役ポリエン共重合体、エチレン・α－オレフィン・共役ポリエン共重合体、エチレン・不飽和無水カルボン酸共重合体、エチレン・α－オレフィン・不飽和無水カルボン酸共重合体、エチレン・エポキシ含有不飽和化合物共重合体、エチレン・α－オレフィン・エポキシ含有不飽和化合物共重合体、エチレン・酢酸ビニル共重合体、エチレン・アクリル酸共重合体、エチレン・メタアクリル酸共重合体等のエチレン・不飽和カルボン酸共重合体から選択される一種または二種以上を用いることがより好ましい。
　エチレンおよび炭素数３～２０のα－オレフィンからなるエチレン・α－オレフィン共重合体、低密度エチレン系樹脂、超低密度エチレン系樹脂、直鎖状低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）系樹脂、エチレン・α－オレフィン・非共役ポリエン共重合体、エチレン・α－オレフィン・共役ポリエン共重合体、エチレン・酢酸ビニル共重合体、エチレン・アクリル酸共重合体、エチレン・メタアクリル酸共重合体等のエチレン・不飽和カルボン酸共重合体から選択される一種または二種以上を用いることがさらに好ましい。
　これらの中でも、エチレン・α－オレフィン共重合体およびエチレン・酢酸ビニル共重合体から選択される少なくとも一種が特に好ましく使用される。なお本実施形態においては上述した樹脂は、単独で用いてもよいし、ブレンドして用いてもよい。
　本実施形態における架橋性樹脂として用いられる、エチレンおよび炭素数３～２０のα－オレフィンからなるエチレン・α－オレフィン共重合体のα－オレフィンとしては、通常、炭素数３～２０のα－オレフィンを１種類単独でまたは２種類以上を組み合わせて用いることができる。中でも好ましいのは、炭素数が１０以下であるα－オレフィンであり、とくに好ましいのは炭素数が３～８のα－オレフィンである。このようなα－オレフィンとしては、例えば、プロピレン、１－ブテン、１－ペンテン、１－ヘキセン、３－メチル－１－ブテン、３，３－ジメチル－１－ブテン、４－メチル－１－ペンテン、１－オクテン、１－デセン、１－ドデセン等を挙げることができる。これらの中でも、入手の容易さからプロピレン、１－ブテン、１－ペンテン、１－ヘキセン、４－メチル－１－ペンテンおよび１－オクテンが好ましい。なお、エチレン・α－オレフィン共重合体はランダム共重合体であっても、ブロック共重合体であってもよいが、柔軟性の観点からランダム共重合体が好ましい。
　凹凸吸収性樹脂層３０の厚さは、電子部品１０の回路形成面１０Ａの凹凸を埋め込むことができる厚さであれば、特に制限されないが、例えば、１０μｍ以上１０００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上９００μｍ以下であることがより好ましく、３０μｍ以上８００μｍ以下であることがさらに好ましく、５０μｍ以上７００μｍ以下であることが特に好ましい。
　電子部品１０の回路形成面１０Ａに存在するバンプ電極の高さをＨ［μｍ］とし、凹凸吸収性樹脂層３０の厚みをｄ［μｍ］としたとき、Ｈ／ｄが１以下であることが好ましく、０．８５以下であることがより好ましく、０．７以下であることがさらに好ましい。Ｈ／ｄが上記上限値以下であると、粘着性積層フィルム５０の厚みをより薄くしつつ、凹凸吸収性をより良好にすることができる。
　Ｈ／ｄの下限は特に限定されないが、例えば、０．０１以上である。バンプ電極の高さは、一般的に２μｍ以上６００μｍ以下である。
＜粘着性樹脂層＞
　粘着性樹脂層４０は、凹凸吸収性樹脂層３０の一方の面側に設けられる層であり、粘着性積層フィルム５０を電子部品１０の回路形成面１０Ａに貼り付ける際に、電子部品１０の回路形成面１０Ａに接触して粘着する層である。
　粘着性樹脂層４０を構成する粘着剤は、（メタ）アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ウレタン系粘着剤、オレフィン系粘着剤、スチレン系粘着剤等が挙げられる。これらの中でも、接着力の調整を容易にできる点等から、（メタ）アクリル系重合体をベースポリマーとする（メタ）アクリル系粘着剤が好ましい。
　また、粘着性樹脂層４０を構成する粘着剤としては、放射線により粘着力を低下させる放射線架橋型粘着剤を用いることもできる。放射線架橋型粘着剤により構成された粘着性樹脂層４０は、放射線の照射により架橋して粘着力が著しく減少するため、後述する電子部品１０と粘着性積層フィルム５０とを剥離する工程（Ｃ）において、粘着性樹脂層４０から電子部品１０を剥離し易くなる。放射線としては、紫外線、電子線、赤外線等が挙げられる。
　放射線架橋型粘着剤としては、紫外線架橋型粘着剤が好ましい。
　（メタ）アクリル系粘着剤に含まれる（メタ）アクリル系重合体としては、例えば、（メタ）アクリル酸エステル化合物の単独重合体、（メタ）アクリル酸エステル化合物とコモノマーとの共重合体等が挙げられる。（メタ）アクリル酸エステル化合物としては、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの（メタ）アクリル酸エステル化合物は一種単独で用いてもよく、二種以上を併用して用いてもよい。
　また、（メタ）アクリル系共重合体を構成するコモノマーとしては、例えば、酢酸ビニル、（メタ）アクリルニトリル、スチレン、（メタ）アクリル酸、イタコン酸、（メタ）アクリルアマイド、メチロール（メタ）アクリルアマイド、無水マレイン酸等が挙げられる。これらのコモノマーは一種単独で用いてもよく、二種以上を併用して用いてもよい。
　放射線架橋型粘着剤は、例えば、上記（メタ）アクリル系重合体と、架橋性化合物（炭素－炭素二重結合を有する成分）と、光重合開始剤または熱重合開始剤と、を含む。
　架橋性化合物としては、例えば、分子中に炭素－炭素二重結合を有し、ラジカル重合により架橋可能なモノマー、オリゴマーまたはポリマー等が挙げられる。このような架橋性化合物としては、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６－ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル酸と多価アルコールとのエステル；エステル（メタ）アクリレートオリゴマー；２－プロペニルジ－３－ブテニルシアヌレート、２－ヒドロキシエチルビス（２－（メタ）アクリロキシエチル）イソシアヌレート、トリス（２－メタクリロキシエチル）イソシアヌレート等のイソシアヌレートまたはイソシアヌレート化合物等が挙げられる。
　なお、（メタ）アクリル系重合体が、ポリマーの側鎖に炭素－炭素二重結合を有する放射線架橋型ポリマーである場合は、架橋性化合物を加えなくてもよい。
　架橋性化合物の含有量は、（メタ）アクリル系重合体１００質量部に対して５～９００質量部が好ましく、５～１００質量部がより好ましく、１０～５０質量部がさらに好ましい。架橋性化合物の含有量が上記範囲であることにより、上記範囲よりも少ない場合に比べて粘着力の調整がし易くなり、上記範囲よりも多い場合に比べて、熱や光に対する感度が高すぎることによる保存安定性の低下が起こりにくい。
　光重合開始剤としては、放射線を照射することにより開裂しラジカルを生成する化合物であればよく、例えば、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等のベンゾインアルキルエーテル類；ベンジル、ベンゾイン、ベンゾフェノン、α－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等の芳香族ケトン類；ベンジルジメチルケタール等の芳香族ケタール類；ポリビニルベンゾフェノン；クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン等のチオキサントン類等が挙げられる。
　熱重合開始剤としては、例えば、有機過酸化物誘導体やアゾ系重合開始剤等が挙げられる。加熱時に窒素が発生しない点から、好ましくは有機過酸化物誘導体である。熱重合開始剤としては、例えば、ケトンパーオキサイド、パーオキシケタール、ハイドロパーオキサイド、ジアルキルパーオキサイド、ジアシルパーオキサイド、パーオキシエステルおよびパーオキシジカーボネート等が挙げられる。
　粘着剤には架橋剤を添加してもよい。架橋剤としては、例えば、ソルビトールポリグリシジルエーテル、ポリグリセロールポリグリシジルエーテル、ペンタエリストールポリグリシジルエーテル、ジグリセロールポリグリシジルエーテル等のエポキシ系化合物；テトラメチロールメタン－トリ－β－アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン－トリ－β－アジリジニルプロピオネート、Ｎ，Ｎ’－ジフェニルメタン－４，４’－ビス（１－アジリジンカルボキシアミド）、Ｎ，Ｎ’－ヘキサメチレン－１，６－ビス（１－アジリジンカルボキシアミド）等のアジリジン系化合物；テトラメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、ポリイソシアネート等のイソシアネート系化合物等が挙げられる。
　架橋剤の含有量は、粘着性樹脂層４０の耐熱性や密着力とのバランスを向上させる観点から、（メタ）アクリル系重合体１００質量部に対し、０．１質量部以上１０質量部以下であることが好ましい。
　粘着性樹脂層４０の厚みは特に制限されないが、例えば、１μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましい。
　粘着性樹脂層４０は、例えば、凹凸吸収性樹脂層３０上に粘着剤塗布液を塗布することにより形成することができる。
　粘着剤塗布液を塗布する方法としては、従来公知の塗布方法、例えば、ロールコーター法、リバースロールコーター法、グラビアロール法、バーコート法、コンマコーター法、ダイコーター法等が採用できる。塗布された粘着剤の乾燥条件には特に制限はないが、一般的には、８０～２００℃の温度範囲において、１０秒～１０分間乾燥することが好ましい。更に好ましくは、８０～１７０℃において、１５秒～５分間乾燥する。架橋剤と粘着剤との架橋反応を十分に促進させるために、粘着剤塗布液の乾燥が終了した後、４０～８０℃において５～３００時間程度加熱してもよい。
　本実施形態に係る粘着性積層フィルム５０は、凹凸吸収性樹脂層３０を紫外線硬化させたり、粘着性樹脂層４０を紫外線架橋させたりする場合には、当該硬化や架橋を本発明の目的を妨げない程度に光線透過率を有する必要がある。
　本実施形態に係る粘着性積層フィルム５０全体の厚さは、機械的特性と取扱い性のバランスから、好ましくは２５μｍ以上１１００μｍ以下であり、より好ましくは１００μｍ以上９００μｍ以下であり、さらに好ましくは２００μｍ以上８００μｍ以下である。
　本実施形態に係る粘着性積層フィルム５０は、各層の間に接着層（図示せず）を設けていてもよい。この接着層によれば、各層の間の接着性を向上させることができる。
　次に、本実施形態に係る粘着性積層フィルム５０の製造方法の一例について説明する。
　まず、基材層２０の一方の面に凹凸吸収性樹脂層３０を押出しラミネート法によって形成する。次いで、凹凸吸収性樹脂層３０上に粘着剤塗布液を塗布し乾燥させることによって、粘着性樹脂層４０を形成し、粘着性積層フィルム５０が得られる。
　また、基材層２０と凹凸吸収性樹脂層３０とは共押出成形によって形成してもよいし、フィルム状の基材層２０とフィルム状の凹凸吸収性樹脂層３０とをラミネート（積層）して形成してもよい。
２．電子装置の製造方法
　次に、本実施形態に係る電子装置の製造方法の各工程について説明する。
（工程（Ａ））
　はじめに、回路形成面１０Ａを有する電子部品１０と、基材層２０、凹凸吸収性樹脂層３０および粘着性樹脂層４０をこの順番に有し、電子部品１０の回路形成面１０Ａ側に貼り付けられた粘着性積層フィルム５０と、電子部品１０の回路形成面１０Ａとは反対側の面１０Ｃに貼り付けられた熱硬化性保護フィルム７０と、を備える構造体６０を準備する。
　このような構造体６０は、例えば、電子部品１０の回路形成面１０Ａに粘着性積層フィルム５０を貼り付ける工程（Ａ１）と、電子部品１０の回路形成面１０Ａとは反対側の面１０Ｃに熱硬化性保護フィルム７０を貼り付ける工程（Ａ２）とをおこなうことによって作製することができる。
　電子部品１０の回路形成面１０Ａに粘着性積層フィルム５０を貼り付ける方法は特に限定されず、一般的に公知の方法で剥がすことができる。例えば、人手により行ってもよいし、ロール状の粘着性積層フィルム５０を取り付けた自動貼り機と称される装置によって行ってもよい。
　電子部品１０の回路形成面１０Ａとは反対側の面１０Ｃに熱硬化性保護フィルム７０を貼り付ける方法は特に限定されず、一般的に公知の方法で剥がすことができる。例えば、人手により行ってもよいし、ロール状の熱硬化性保護フィルム７０を取り付けた自動貼り機と称される装置によって行ってもよい。
　電子部品１０の回路形成面１０Ａとは反対側の面１０Ｃに熱硬化性保護フィルム７０を貼り付ける工程（Ａ２）は、例えば、熱硬化性保護フィルム７０を加熱しながら行われる。工程（Ａ２）における加熱温度は熱硬化性保護フィルム７０の種類によって適宜設定されるため特に限定されないが、例えば、５０℃以上９０℃以下であり、好ましくは６０℃以上８０℃以下である。
　熱硬化性保護フィルム７０としては特に限定されず、例えば、公知の熱硬化型の半導体裏面保護用フィルムを用いることができる。
　熱硬化性保護フィルム７０は、例えば、熱硬化性の接着剤層を備え、必要に応じて保護層をさらに備えてもよい。
　接着剤層としては、熱硬化性樹脂により形成されていることが好ましく、熱硬化性樹脂および熱可塑性樹脂により形成されていることがより好ましい。
　熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの熱硬化性樹脂は、１種または２種以上を用いることができる。これらの中でも、イオン性不純物等の含有量が少ないエポキシ樹脂が好ましい。
　熱可塑性樹脂としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン・酢酸ビニル共重合体、エチレン・アクリル酸共重合体、エチレン・アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレートやポリブチレンテレフタレート等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は、１種または２種以上を用いることができる。これらの中でも、イオン性不純物等の含有量が少ないアクリル樹脂が好ましい。
　接着剤層には、必要に応じて他の添加剤を含有させることができる。他の添加剤としては、例えば、充填剤、難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤、増量剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤等が挙げられる。
　保護層は、例えば、耐熱性樹脂、金属等で構成されている。
　保護層を構成する耐熱性樹脂としては特に限定されないが、例えば、ポリフェニレンスルフィド、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、液晶ポリマー、ポリテトラフルオロエチレン等が挙げられる。これらの中でも、ポリイミド、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン等が挙げられる。
　保護層を構成する金属としては特に限定されないが、例えば、アルミニウム、アルマイト、ステンレス、鉄、チタン、スズ、銅等が挙げられる。
　熱硬化性保護フィルム７０は、市販のフィルムを用いてもよい。市販のフィルムとしては、例えば、リンテック社製のチップ裏面保護テープ（製品名：「ＬＣテープ」シリーズ）等が挙げられる。
　電子部品１０としては回路形成面１０Ａを有する電子部品１０であれば特に限定されないが、例えば、半導体ウエハ、サファイア基盤、タンタル酸リチウム基板、モールドウエハ、モールドパネル、モールドアレイパッケージ、半導体基板等が挙げられる。
　また、半導体基板としては、例えば、シリコン基板、ゲルマニウム基板、ゲルマニウム－ヒ素基板、ガリウム－リン基板、ガリウム－ヒ素－アルミニウム基板、ガリウム－ヒ素基板、等が挙げられる。
　また、電子部品１０はどのような用途の電子部品であってもよいが、例えば、ロジック用（例えば、通信用、高周波信号処理用等）、メモリ用、センサー用、電源用の電子部品等が挙げられる。これらは、１種のみを用いてもよく２種以上を併用してもよい。
　電子部品１０の回路形成面１０Ａは、例えば、電極１０Ｂを有することにより、凹凸構造となっている。
　また、電極１０Ｂは、電子装置を実装面に実装する際に、実装面に形成された電極に対して接合されて、電子装置と実装面（プリント基板等の実装面）との間の電気的接続を形成するものである。
　電極１０Ｂとしては、例えば、ボールバンプ、印刷バンプ、スタッドバンプ、めっきバンプ、ピラーバンプ等のバンプ電極が挙げられる。すなわち、電極１０Ｂは、通常凸電極である。これらのバンプ電極は１種単独で用いてもよく２種以上を併用してもよい。
　また、バンプ電極を構成する金属種は特に限定されず、例えば、銀、金、銅、錫、鉛、ビスマス及びこれらの合金等が挙げられる。これらの金属種は１種単独で用いてもよく２種以上を併用してもよい。
　本実施形態に係る電子装置の製造方法において、電子部品１０の回路形成面１０Ａとは反対側の面１０Ｃに熱硬化性保護フィルム７０を貼り付ける工程（Ａ２）の前に、電子部品１０の回路形成面１０Ａに粘着性積層フィルム５０が貼り付けられた状態で、粘着性積層フィルム５０における凹凸吸収性樹脂層３０を熱硬化または紫外線硬化させる硬化工程（Ａ３）を行うことが好ましい。これにより、粘着性積層フィルム５０の耐熱性を向上させることができる。こうすることで、電子部品１０の回路形成面１０Ａとは反対側の面１０Ｃに熱硬化性保護フィルム７０を貼り付ける工程（Ａ２）や熱硬化性保護フィルム７０を熱硬化させる熱硬化工程（Ｂ）において電子部品１０の反りを抑制することができる。さらに電子部品１０の回路形成面１０Ａとは反対側の面１０Ｃに熱硬化性保護フィルム７０を貼り付ける工程（Ａ２）や熱硬化性保護フィルム７０を熱硬化させる熱硬化工程（Ｂ）において、凹凸吸収性樹脂層３０が溶融して樹脂のハミ出しが起きるのを抑制できる。
　凹凸吸収性樹脂層３０の熱硬化方法としては架橋性樹脂を熱硬化できる方法であれば特に限定されないが、ラジカル重合開始剤による熱架橋が挙げられる。
　ラジカル重合開始剤による熱架橋は、架橋性樹脂の架橋に用いられているラジカル重合開始剤を用いることができる。ラジカル重合開始剤としては、公知の熱ラジカル重合開始剤を用いることができる。
　また、凹凸吸収性樹脂層３０に紫外線を照射することによって、凹凸吸収性樹脂層３０を架橋させて硬化させることができる。
　紫外線は、例えば、粘着性積層フィルム５０の基材層２０側の面から照射される。
　また、いずれの架橋方法においても凹凸吸収性樹脂層３０に架橋助剤を配合して凹凸吸収性樹脂層３０の架橋をおこなってもよい。
　本実施形態に係る電子装置の製造方法において、電子部品１０の回路形成面１０Ａに粘着性積層フィルム５０が貼り付けられた状態で、電子部品１０の回路形成面１０Ａとは反対側の面１０Ｃをバックグラインドするバックグラインド工程（Ａ４）をおこなってもよい。すなわち、本実施形態に係る粘着性積層フィルム５０をバックグラインドテープとして使用してもよい。ここで、バックグラインド工程（Ａ４）の前に硬化工程（Ａ３）をおこなうと、粘着性積層フィルム５０の粘着力が低下するため、バックグラインド工程（Ａ４）において、粘着性積層フィルム５０が剥れてしまう懸念がある。そのため、硬化工程（Ａ３）の前にバックグラインド工程（Ａ４）を行うことが好ましい。
　バックグラインド工程（Ａ４）では、粘着性積層フィルム５０に貼り付けられた状態で、電子部品１０の回路形成面１０Ａとは反対側の面１０Ｃをバックグラインドする。
　ここで、バックグラインドするとは、電子部品１０を割ったり、破損したりすることなく、所定の厚みまで薄化加工することを意味する。
　電子部品１０のバックグラインドは、公知の方法で行うことができる。例えば、研削機のチャックテーブル等に電子部品１０を固定し、電子部品１０の回路形成面１０Ａとは反対側の面１０Ｃを研削する方法が挙げられる。
　裏面研削方式としては特に限定されないが、例えば、スルーフィード方式、インフィード方式等の公知の研削方式を採用することができる。それぞれ研削は、水を電子部品１０と砥石にかけて冷却しながら行うことができる。
（工程（Ｂ））
　つぎに、構造体６０を加熱することにより、熱硬化性保護フィルム７０を熱硬化させる。
　熱硬化性保護フィルム７０を熱硬化させる工程（Ｂ）における加熱温度は熱硬化性保護フィルム７０の種類によって適宜設定されるため特に限定されないが、例えば、１２０℃以上１７０℃以下であり、好ましくは１３０℃以上１６０℃以下である。
（工程（Ｃ））
　また、本実施形態に係る電子装置の製造方法において、工程（Ｂ）の後に電子部品１０と粘着性積層フィルム５０とを剥離する工程（Ｃ）をさらにおこなってもよい。この工程（Ｃ）をおこなうことで、粘着性積層フィルム５０から電子部品１０を剥離することができる。剥離温度は、例えば２０～１００℃である。
　電子部品１０と粘着性積層フィルム５０との剥離は、公知の方法で行うことができる。
（その他の工程）
　本実施形態に係る電子装置の製造方法は、上記以外のその他の工程を有していてもよい。その他の工程としては、電子装置の製造方法において公知の工程を用いることができる。
　例えば、金属膜形成工程、アニール処理、ダイシング工程、ダイボンディング工程、ワイヤボンディング工程、フリップチップ接続工程、キュア加温テスト工程、封止工程、リフロー工程等の電子部品の製造工程において一般的におこなわれている任意の工程等をさらに行ってもよい。
　以上、本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
　なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
　この出願は、２０１９年３月２９日に出願された日本出願特願２０１９－０６７１８４号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
１０　　　電子部品
１０Ａ　　回路形成面
１０Ｂ　　電極
１０Ｃ　　回路形成面とは反対側の表面
２０　　　基材層
３０　　　凹凸吸収性樹脂層
４０　　　粘着性樹脂層
５０　　　粘着性積層フィルム
６０　　　構造体
７０　　　熱硬化性保護フィルム

Claims (11)

  1. 　回路形成面を有する電子部品と、基材層、凹凸吸収性樹脂層および粘着性樹脂層をこの順番に有し、前記電子部品の前記回路形成面側に貼り付けられた粘着性積層フィルムと、前記電子部品の前記回路形成面とは反対側の面に貼り付けられた熱硬化性保護フィルムと、
    を備える構造体を準備する準備工程（Ａ）と、
    　前記構造体を加熱することにより、前記熱硬化性保護フィルムを熱硬化させる熱硬化工程（Ｂ）と、
    を備える電子装置の製造方法。
  2. 　請求項１に記載の電子装置の製造方法において、
    　前記準備工程（Ａ）は、
    　　前記電子部品の前記回路形成面に前記粘着性積層フィルムが貼り付けられた状態で、前記粘着性積層フィルムにおける前記凹凸吸収性樹脂層を熱硬化または紫外線硬化させる硬化工程と、
    　　前記硬化工程の後に、前記電子部品の前記回路形成面とは反対側の面に前記熱硬化性保護フィルムを貼り付ける工程と、
    を含む電子装置の製造方法。
  3. 　請求項２に記載の電子装置の製造方法において、
    　前記電子部品の前記回路形成面とは反対側の面に前記熱硬化性保護フィルムを貼り付ける工程における加熱温度が５０℃以上９０℃以下である電子装置の製造方法。
  4. 　請求項２または３に記載の電子装置の製造方法において、
    　前記準備工程（Ａ）は、前記硬化工程の前に、前記電子部品の前記回路形成面に前記粘着性積層フィルムが貼り付けられた状態で、前記電子部品の前記回路形成面とは反対側の面をバックグラインドするバックグラインド工程を含む電子装置の製造方法。
  5. 　請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電子装置の製造方法において、
    　前記熱硬化工程（Ｂ）における加熱温度が１２０℃以上１７０℃以下である電子装置の製造方法。
  6. 　請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電子装置の製造方法において、
    　前記電子部品の前記回路形成面はバンプ電極を含む電子装置の製造方法。
  7. 　請求項６に記載の電子装置の製造方法において、
    　前記バンプ電極の高さをＨ［μｍ］とし、前記凹凸吸収性樹脂層の厚みをｄ［μｍ］としたとき、Ｈ／ｄが０．０１以上１以下である電子装置の製造方法。
  8. 　請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電子装置の製造方法において、
    　前記凹凸吸収性樹脂層が架橋性樹脂を含む電子装置の製造方法。
  9. 　請求項１乃至８のいずれか一項に記載の電子装置の製造方法において、
    　前記凹凸吸収性樹脂層の厚みが１０μｍ以上１０００μｍ以下である電子装置の製造方法。
  10. 　請求項１乃至９のいずれか一項に記載の電子装置の製造方法において、
    　前記基材層を構成する樹脂がポリエステル系エラストマー、ポリアミド系エラストマー、ポリイミド系エラストマー、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、およびポリイミドからなる群から選択される一種または二種以上を含む電子装置の製造方法。
  11. 　請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の電子装置の製造方法において、
    　前記粘着性樹脂層を構成する粘着剤が（メタ）アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ウレタン系粘着剤、オレフィン系粘着剤およびスチレン系粘着剤から選択される一種または二種以上を含む電子装置の製造方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021235389A1 (ja) * 2020-05-22 2021-11-25 三井化学東セロ株式会社 粘着性積層フィルムおよび電子装置の製造方法
WO2022224900A1 (ja) * 2021-04-20 2022-10-27 三井化学東セロ株式会社 粘着性樹脂フィルムおよび電子装置の製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015179825A (ja) * 2014-02-26 2015-10-08 古河電気工業株式会社 半導体ウェハ表面保護用粘着テープ
JP2017137487A (ja) * 2016-02-04 2017-08-10 信越化学工業株式会社 表面保護フィルム、基板加工体、及び表面保護フィルムの製造方法
WO2017170449A1 (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 三井化学東セロ株式会社 半導体装置製造用粘着性フィルムおよび半導体装置の製造方法
JP2018107425A (ja) * 2016-12-26 2018-07-05 リンテック株式会社 ワークの製造方法
WO2018147097A1 (ja) * 2017-02-09 2018-08-16 リンテック株式会社 硬化性樹脂フィルム及び第１保護膜形成用シート

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5943898B2 (ja) * 2012-11-29 2016-07-05 日東電工株式会社 熱硬化性樹脂シート及び電子部品パッケージの製造方法
JP6106332B2 (ja) * 2014-03-31 2017-03-29 三井化学東セロ株式会社 保護フィルム、及び、該保護フィルムを用いる半導体装置の製造方法
JP6265105B2 (ja) * 2014-10-30 2018-01-24 信越化学工業株式会社 シリコーン樹脂、樹脂組成物、樹脂フィルム及び半導体装置とその製造方法
JP6816918B2 (ja) * 2015-11-04 2021-01-20 リンテック株式会社 半導体装置の製造方法
KR102494902B1 (ko) * 2017-02-02 2023-02-01 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 전자 부품의 제조 방법, 가보호용 수지 조성물 및 가보호용 수지 필름

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015179825A (ja) * 2014-02-26 2015-10-08 古河電気工業株式会社 半導体ウェハ表面保護用粘着テープ
JP2017137487A (ja) * 2016-02-04 2017-08-10 信越化学工業株式会社 表面保護フィルム、基板加工体、及び表面保護フィルムの製造方法
WO2017170449A1 (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 三井化学東セロ株式会社 半導体装置製造用粘着性フィルムおよび半導体装置の製造方法
JP2018107425A (ja) * 2016-12-26 2018-07-05 リンテック株式会社 ワークの製造方法
WO2018147097A1 (ja) * 2017-02-09 2018-08-16 リンテック株式会社 硬化性樹脂フィルム及び第１保護膜形成用シート

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021235389A1 (ja) * 2020-05-22 2021-11-25 三井化学東セロ株式会社 粘着性積層フィルムおよび電子装置の製造方法
JPWO2021235389A1 (ja) * 2020-05-22 2021-11-25
JP7464706B2 (ja) 2020-05-22 2024-04-09 三井化学東セロ株式会社 電子装置の製造方法
WO2022224900A1 (ja) * 2021-04-20 2022-10-27 三井化学東セロ株式会社 粘着性樹脂フィルムおよび電子装置の製造方法

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