TW202105632A - 電子裝置的製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種電子裝置的製造方法，包括：準備步驟（A），準備包括電子零件（10）、黏著性積層膜（50）及熱硬化性保護膜（70）的結構體（60），所述電子零件（10）具有電路形成面（10A），所述黏著性積層膜（50）依次具有基材層（20）、凹凸吸收性樹脂層（30）及黏著性樹脂層（40），且貼附於電子零件（10）的電路形成面（10A）側，所述熱硬化性保護膜（70）貼附於電子零件（10）的與電路形成面（10A）為相反側的面（10C）；以及熱硬化步驟（B），藉由對結構體（60）進行加熱來使熱硬化性保護膜（70）熱硬化。

Description

電子裝置的製造方法
本發明是有關於一種電子裝置的製造方法。
於電子裝置（例如半導體裝置）的製造步驟中，就保護電子零件（例如半導體晶圓）的非電路形成面（背面）的觀點而言，有時進行於電子零件的非電路形成面貼附熱硬化性保護膜的步驟。 作為與所述熱硬化性保護膜有關的技術，例如可列舉專利文獻1（日本專利特開2017-1188號公報）中記載的技術。
在專利文獻1中記載了一種半導體用保護膜，所述半導體用保護膜包括：由非導電性無機材料構成的保護層、以及設置於所述保護層的其中一面的接著劑層。 [現有技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2017-1188號公報
[發明所欲解決之課題] 作為近年來的趨勢，電子零件的厚度逐漸變薄。根據本發明者等人的研究可知，隨著電子零件的厚度變薄，於先前的電子裝置的製造方法中，於在電子零件的非電路形成面貼附熱硬化性保護膜後對所述保護膜進行熱硬化時，存在電子零件容易產生翹曲的傾向。特別是於如晶圓級晶片級封裝（chip scale package，CSP）般使樹脂與半導體一體化且所述樹脂的厚度較厚的情況下，或者電極等的表面凹凸大的情況下，存在容易產生翹曲的傾向。若電子零件產生翹曲，則電子零件的處理變得困難，或者電極產生裂紋。
本發明是鑑於所述情況而完成，提供可提供可抑制翹曲的電子裝置的製造方法的電子裝置的製造方法。 [解決課題之手段]
本發明者等人為了達成所述課題而反覆進行銳意研究。結果發現，藉由使用依次具有基材層、凹凸吸收性樹脂層及黏著性樹脂層的黏著性積層膜作為用於保護電子零件的電路形成面的表面保護膜，且於貼附所述黏著性積層膜的狀態下，對貼附於電子零件的非電路形成面的熱硬化性保護膜進行熱硬化，可抑制電子零件的翹曲，從而完成了本發明。
根據本發明，提供以下所示的電子裝置的製造方法。
[1] 一種電子裝置的製造方法，包括： 準備步驟（A），準備包括電子零件、黏著性積層膜及熱硬化性保護膜的結構體， 所述電子零件具有電路形成面，所述黏著性積層膜依次具有基材層、凹凸吸收性樹脂層及黏著性樹脂層，且貼附於所述電子零件的所述電路形成面側，所述熱硬化性保護膜貼附於所述電子零件的與所述電路形成面為相反側的面；以及 熱硬化步驟（B），藉由對所述結構體進行加熱來使所述熱硬化性保護膜熱硬化。 [2] 如所述[1]所述的電子裝置的製造方法，其中 所述準備步驟（A）包括： 硬化步驟，於在所述電子零件的所述電路形成面貼附有所述黏著性積層膜的狀態下，使所述黏著性積層膜中的所述凹凸吸收性樹脂層熱硬化或紫外線硬化；以及 於所述硬化步驟後，在所述電子零件的與所述電路形成面為相反側的面貼附所述熱硬化性保護膜的步驟。 [3] 如所述[2]所述的電子裝置的製造方法，其中 在所述電子零件的與所述電路形成面為相反側的面貼附所述熱硬化性保護膜的步驟中的加熱溫度為50℃以上且90℃以下。 [4] 如所述[2]或[3]所述的電子裝置的製造方法，其中 所述準備步驟（A）於所述硬化步驟之前包括背面研磨步驟，所述背面研磨步驟是於在所述電子零件的所述電路形成面貼附有所述黏著性積層膜的狀態下，對所述電子零件的與所述電路形成面為相反側的面進行背面研磨。 [5] 如所述[1]至[4]中任一項所述的電子裝置的製造方法，其中 所述熱硬化步驟（B）中的加熱溫度為120℃以上且170℃以下。 [6] 如所述[1]至[5]中任一項所述的電子裝置的製造方法，其中 所述電子零件的所述電路形成面包含凸塊電極。 [7] 如所述[6]所述的電子裝置的製造方法，其中 於將所述凸塊電極的高度設為H[μm]且將所述凹凸吸收性樹脂層的厚度設為d[μm]時，H/d為0.01以上且1以下。 [8] 如所述[1]至[7]中任一項所述的電子裝置的製造方法，其中 所述凹凸吸收性樹脂層包含交聯性樹脂。 [9] 如所述[1]至[8]中任一項所述的電子裝置的製造方法，其中 所述凹凸吸收性樹脂層的厚度為10 μm以上且1000 μm以下。 [10] 如所述[1]至[9]中任一項所述的電子裝置的製造方法，其中 構成所述基材層的樹脂包含選自由聚酯系彈性體、聚醯胺系彈性體、聚醯亞胺系彈性體、聚對苯二甲酸丁二酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯及聚醯亞胺所組成的群組中的一種或兩種以上。 [11] 如所述[1]至[10]中任一項所述的電子裝置的製造方法，其中 構成所述黏著性樹脂層的黏著劑包含選自(甲基)丙烯酸系黏著劑、矽酮系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、烯烴系黏著劑及苯乙烯系黏著劑中的一種或兩種以上。 [發明的效果]
根據本發明，可提供可抑制翹曲的電子裝置的製造方法。
以下，對於本發明的實施形態，使用圖式進行說明。再者，於所有圖式中，對同樣的構成要素標註共通的符號，且適當地省略說明。另外，圖為概略圖，與實際的尺寸比率不一致。另外，數值範圍的「A～B」若無特別說明，則表示A以上且B以下。另外，本實施形態中，所謂「(甲基)丙烯酸」是指丙烯酸、甲基丙烯酸或者丙烯酸及甲基丙烯酸的兩者。
圖1的（A）、圖1的（B）是示意性表示本發明的實施形態的電子裝置的製造方法的一例的剖面圖。
本實施形態的電子裝置的製造方法包括以下的步驟（A）及步驟（B）。 （A）準備步驟，準備包括電子零件10、黏著性積層膜50及熱硬化性保護膜70的結構體60，所述電子零件10具有電路形成面10A，所述黏著性積層膜50依次具有基材層20、凹凸吸收性樹脂層30及黏著性樹脂層40，且貼附於電子零件10的電路形成面10A側，所述熱硬化性保護膜70貼附於電子零件10的與電路形成面10A為相反側的面10C。 （B）熱硬化步驟，藉由對結構體60進行加熱來使熱硬化性保護膜70熱硬化。
如上所述，根據本發明者等人的研究可知，隨著電子零件的厚度變薄，於先前的電子裝置的製造方法中，於在電子零件的非電路形成面貼附熱硬化性保護膜後對所述保護膜進行熱硬化時，存在電子零件容易產生翹曲的傾向。特別是於如晶圓級CSP般使樹脂與半導體一體化且所述樹脂的厚度較厚的情況下，或者電極等的表面凹凸大的情況下，存在容易產生翹曲的傾向。若電子零件產生翹曲，則電子零件的處理變得困難，或者電極產生裂紋。 本發明者等人為了達成所述課題而反覆進行銳意研究。結果發現，藉由使用依次具有基材層20、凹凸吸收性樹脂層30及黏著性樹脂層40的黏著性積層膜50作為用於保護電子零件10的電路形成面10A的表面保護膜，且於貼附所述黏著性積層膜50的狀態下，進行使貼附於與電路形成面10A為相反側的面10C的熱硬化性保護膜70熱硬化的熱硬化步驟（B），可抑制熱硬化步驟（B）中的電子零件10的翹曲。 如上所述，根據本實施形態的電子裝置的製造方法，可抑制電子裝置的翹曲。
1.黏著性積層膜 以下，對本實施形態的電子裝置的製造方法中使用的黏著性積層膜50進行說明。
＜基材層＞ 基材層20是出於使黏著性積層膜50的操作性或機械特性、耐熱性等特性更良好的目的而設置的層。 基材層20並無特別限定，例如可列舉樹脂膜。 作為構成基材層20的樹脂，可使用公知的熱塑性樹脂。例如可列舉選自以下化合物中的一種或兩種以上：聚乙烯、聚丙烯、聚(4-甲基-1-戊烯)、聚(1-丁烯)等聚烯烴；聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯；尼龍-6、尼龍-66、聚己二醯間苯二甲胺等聚醯胺；聚丙烯酸酯；聚甲基丙烯酸酯；聚氯乙烯；聚醯亞胺；聚醚醯亞胺；聚醯胺醯亞胺；乙烯·乙酸乙烯酯共聚物；聚丙烯腈；聚碳酸酯；聚苯乙烯；離子聚合物；聚碸；聚醚碸；聚醚醚酮；聚苯硫醚；聚苯醚；聚酯系彈性體、聚醯胺系彈性體、聚醯亞胺系彈性體、聚對苯二甲酸丁二酯等彈性體等。 該些中，就使透明性良好的觀點而言，較佳為選自聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚醯胺、聚醯亞胺、乙烯·乙酸乙烯酯共聚物、聚酯系彈性體、聚醯胺系彈性體、聚醯亞胺系彈性體及聚對苯二甲酸丁二酯中的一種或兩種以上，更佳為選自聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚酯系彈性體、聚醯胺系彈性體、聚醯亞胺系彈性體、聚對苯二甲酸丁二酯及聚醯亞胺中的一種或兩種以上。 另外，就使黏著性積層膜50的柔軟性或伸縮性等特性與耐熱性的平衡提高的觀點而言，作為構成基材層20的樹脂，進而佳為選自聚酯系彈性體、聚醯胺系彈性體、聚醯亞胺系彈性體及聚對苯二甲酸丁二酯等中的一種或兩種以上。藉此，黏著性積層膜50的伸縮性或柔軟性提高，於剝離電子零件10與黏著性積層膜50時使黏著性積層膜50於面內方向上擴張變得更容易，容易自黏著性積層膜50剝離電子零件10。
基材層20的熔點較佳為100℃以上。熔點上限並無特別限定，只要鑑於加工性等進行選擇即可。 若使用所述基材層20，則於步驟（B）中即便將黏著性積層膜50暴露於高溫下，亦可進一步抑制黏著性積層膜50的變形或熔融。
基材層20可為單層，亦可為兩種以上的層。 另外，為了形成基材層20而使用的樹脂膜的形態可為延伸膜，亦可為於單軸方向或雙軸方向上延伸的膜。
就獲得良好的膜特性的觀點而言，基材層20的厚度較佳為10 μm以上且500 μm以下，更佳為20 μm以上且300 μm以下，進而佳為25 μm以上且250 μm以下。 基材層20為了改良與其他層的黏接性，亦可進行表面處理。具體而言，亦可進行電暈處理、電漿處理、下塗（under coat）處理、底塗（primer coat）處理等。
＜凹凸吸收性樹脂層＞ 本實施形態的黏著性積層膜50於基材層20與黏著性樹脂層40之間具有凹凸吸收性樹脂層30。 凹凸吸收性樹脂層30是出於使黏著性積層膜50的對於電路形成面10A的追隨性良好，且使電路形成面10A與黏著性積層膜50的密接性良好的目的而設置的層。進而，凹凸吸收性樹脂層30是出於藉由進行熱硬化或紫外線硬化來提高黏著性積層膜50的耐熱性的目的而設置的層。藉此，於在電子零件10的與電路形成面10A為相反側的面10C貼附熱硬化性保護膜70的步驟（A2）、或者使熱硬化性保護膜70熱硬化的熱硬化步驟（B）中，可抑制電子零件的翹曲。進而，於在電子零件10的與電路形成面10A為相反側的面10C貼附熱硬化性保護膜70的步驟（A2）、或者使熱硬化性保護膜70熱硬化的熱硬化步驟（B）中，可抑制凹凸吸收性樹脂層30熔融而引起樹脂的溢出。
構成凹凸吸收性樹脂層30的樹脂只要為顯示凹凸吸收性者，則並無特別限定，例如可列舉選自由聚烯烴系樹脂、聚苯乙烯系樹脂及(甲基)丙烯酸系樹脂所組成的群組中的一種或兩種以上。
另外，凹凸吸收性樹脂層30較佳為包含交聯性樹脂。藉由凹凸吸收性樹脂層30包含交聯性樹脂，可在步驟（B）之前使凹凸吸收性樹脂層30更有效地熱硬化或紫外線硬化，可進一步提高凹凸吸收性樹脂層30的耐熱性。藉此，於在電子零件10的與電路形成面10A為相反側的面10C貼附熱硬化性保護膜70的步驟（A2）、或者使熱硬化性保護膜70熱硬化的熱硬化步驟（B）中，可進一步抑制電子零件的翹曲。進而，於在電子零件10的與電路形成面10A為相反側的面10C貼附熱硬化性保護膜70的步驟（A2）、或者使熱硬化性保護膜70熱硬化的熱硬化步驟（B）中，可進一步抑制凹凸吸收性樹脂層30熔融而引起樹脂的溢出。 作為本實施形態的交聯性樹脂，只要為可形成凹凸吸收性樹脂層30且藉由熱或紫外線等進行交聯而耐熱性提高的樹脂，則並無特別限定，例如可使用選自以下化合物中的一種或兩種以上：包含乙烯及碳數3～20的α-烯烴的乙烯·α-烯烴共聚物、高密度乙烯系樹脂、低密度乙烯系樹脂、中密度乙烯系樹脂、超低密度乙烯系樹脂、直鏈狀低密度聚乙烯（線型低密度聚乙烯（Linear Low Density Polyethylene，LLDPE））系樹脂、丙烯(共)聚合物、1-丁烯(共)聚合物、4-甲基戊烯-1(共)聚合物、乙烯·環狀烯烴共聚物、乙烯·α-烯烴·環狀烯烴共聚物、乙烯·α-烯烴·非共軛聚烯共聚物、乙烯·α-烯烴·共軛聚烯共聚物、乙烯·芳香族乙烯基共聚物、乙烯·α-烯烴·芳香族乙烯基共聚物等烯烴系樹脂；乙烯·不飽和羧酸酐共聚物、乙烯·α-烯烴·不飽和羧酸酐共聚物等乙烯·羧酸酐系共聚物；乙烯·含環氧基的不飽和化合物共聚物、乙烯·α-烯烴·含環氧基的不飽和化合物共聚物等乙烯·環氧系共聚物；乙烯·(甲基)丙烯酸乙酯共聚物、乙烯·(甲基)丙烯酸甲酯共聚物、乙烯·(甲基)丙烯酸丙酯共聚物、乙烯·(甲基)丙烯酸丁酯共聚物、乙烯·(甲基)丙烯酸己酯共聚物、乙烯·(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯共聚物、乙烯·(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯共聚物、乙烯·(甲基)丙烯酸縮水甘油酯共聚物等乙烯·(甲基)丙烯酸酯共聚物；乙烯·(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯·順丁烯二酸共聚物、乙烯·反丁烯二酸共聚物、乙烯·丁烯酸共聚物等乙烯·乙烯性不飽和酸共聚物；乙烯·乙酸乙烯酯共聚物、乙烯·丙酸乙烯酯共聚物、乙烯·丁酸乙烯酯共聚物、乙烯·硬脂酸乙烯酯共聚物等乙烯·乙烯酯共聚物；乙烯·苯乙烯共聚物等；(甲基)丙烯酸酯(共)聚合物等不飽和羧酸酯(共)聚合物；乙烯·丙烯酸金屬鹽共聚物、乙烯·甲基丙烯酸金屬鹽共聚物等離子聚合物樹脂；胺基甲酸酯系樹脂；矽酮系樹脂；丙烯酸系樹脂；甲基丙烯酸系樹脂；環狀烯烴(共)聚合物；α-烯烴·芳香族乙烯酯化合物·芳香族聚烯共聚物；乙烯·α-烯烴·芳香族乙烯酯化合物；芳香族聚烯共聚物；乙烯·芳香族乙烯酯化合物·芳香族聚烯共聚物；苯乙烯系樹脂；丙烯腈·丁二烯·苯乙烯共聚物；苯乙烯·共軛二烯共聚物；丙烯腈·苯乙烯共聚物；丙烯腈·乙烯·α-烯烴·非共軛聚烯·苯乙烯共聚物；丙烯腈·乙烯·α-烯烴·共軛聚烯·苯乙烯共聚物；甲基丙烯酸·苯乙烯共聚物；對苯二甲酸乙二酯樹脂；氟樹脂；聚酯碳酸酯；聚氯乙烯；聚偏二氯乙烯；聚烯烴系熱塑性彈性體；聚苯乙烯系熱塑性彈性體；聚胺基甲酸酯系熱塑性彈性體；1,2-聚丁二烯系熱塑性彈性體；反式聚異戊二烯系熱塑性彈性體；氯化聚乙烯系熱塑性彈性體；液晶性聚酯；聚乳酸等。
該些中，就利用有機過氧化物等交聯劑的交聯容易的方面而言，較佳為使用選自以下化合物中的一種或兩種以上：包含乙烯及碳數3～20的α-烯烴的乙烯·α-烯烴共聚物、低密度乙烯系樹脂、中密度乙烯系樹脂、超低密度乙烯系樹脂、直鏈狀低密度聚乙烯（LLDPE）系樹脂、乙烯·環狀烯烴共聚物、乙烯·α-烯烴·環狀烯烴共聚物、乙烯·α-烯烴·非共軛聚烯共聚物、乙烯·α-烯烴·共軛聚烯共聚物、乙烯·芳香族乙烯基共聚物、乙烯·α-烯烴·芳香族乙烯基共聚物等烯烴系樹脂、乙烯·不飽和羧酸酐共聚物、乙烯·α-烯烴·不飽和羧酸酐共聚物、乙烯·含環氧基的不飽和化合物共聚物、乙烯·α-烯烴·含環氧基的不飽和化合物共聚物、乙烯·乙酸乙烯酯共聚物、乙烯·丙烯酸共聚物、乙烯·甲基丙烯酸共聚物等乙烯·不飽和羧酸共聚物、1,2-聚丁二烯系熱塑性彈性體。 更佳為使用選自以下化合物中的一種或兩種以上：包含乙烯及碳數3～20的α-烯烴的乙烯·α-烯烴共聚物、低密度乙烯系樹脂、超低密度乙烯系樹脂、直鏈狀低密度聚乙烯（LLDPE）系樹脂、乙烯·α-烯烴·非共軛聚烯共聚物、乙烯·α-烯烴·共軛聚烯共聚物、乙烯·不飽和羧酸酐共聚物、乙烯·α-烯烴·不飽和羧酸酐共聚物、乙烯·含環氧基的不飽和化合物共聚物、乙烯·α-烯烴·含環氧基的不飽和化合物共聚物、乙烯·乙酸乙烯酯共聚物、乙烯·丙烯酸共聚物、乙烯·甲基丙烯酸共聚物等乙烯·不飽和羧酸共聚物。 進而佳為使用選自以下化合物中的一種或兩種以上：包含乙烯及碳數3～20的α-烯烴的乙烯·α-烯烴共聚物、低密度乙烯系樹脂、超低密度乙烯系樹脂、直鏈狀低密度聚乙烯（LLDPE）系樹脂、乙烯·α-烯烴·非共軛聚烯共聚物、乙烯·α-烯烴·共軛聚烯共聚物、乙烯·乙酸乙烯酯共聚物、乙烯·丙烯酸共聚物、乙烯·甲基丙烯酸共聚物等乙烯·不飽和羧酸共聚物。 該些中，可尤佳地使用選自乙烯·α-烯烴共聚物及乙烯·乙酸乙烯酯共聚物中的至少一種。再者，本實施形態中所述樹脂可單獨使用，亦可混合使用。
關於可作為本實施形態中的交聯性樹脂而使用的包含乙烯及碳數3～20的α-烯烴的乙烯·α-烯烴共聚物的α-烯烴，通常可將碳數3～20的α-烯烴單獨使用一種或者組合使用兩種以上。其中較佳的是碳數為10以下的α-烯烴，尤佳的是碳數3～8的α-烯烴。作為所述α-烯烴，例如可列舉：丙烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、3-甲基-1-丁烯、3,3-二甲基-1-丁烯、4-甲基-1-戊烯、1-辛烯、1-癸烯、1-十二烯等。該些中，就獲取的容易性而言，較佳為丙烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、4-甲基-1-戊烯及1-辛烯。再者，乙烯·α-烯烴共聚物可為無規共聚物，亦可為嵌段共聚物，但就柔軟性的觀點而言，較佳為無規共聚物。
凹凸吸收性樹脂層30的厚度若為可將電子零件10的電路形成面10A的凹凸埋入的厚度，則並無特別限制，例如較佳為10 μm以上且1000 μm以下，更佳為20 μm以上且900 μm以下，進而佳為30 μm以上且800 μm以下，尤佳為50 μm以上且700 μm以下。
於將電子零件10的電路形成面10A上存在的凸塊電極的高度設為H[μm]且將凹凸吸收性樹脂層30的厚度設為d[μm]時，H/d較佳為1以下，更佳為0.85以下，進而佳為0.7以下。若H/d為所述上限值以下，則可使黏著性積層膜50的厚度更薄，且使凹凸吸收性更良好。 H/d的下限並無特別限定，例如為0.01以上。凸塊電極的高度通常為2 μm以上且600 μm以下。
＜黏著性樹脂層＞ 黏著性樹脂層40為設置於凹凸吸收性樹脂層30的其中一面側的層，是於將黏著性積層膜50貼附於電子零件10的電路形成面10A時，與電子零件10的電路形成面10A接觸而黏著的層。
構成黏著性樹脂層40的黏著劑可列舉：(甲基)丙烯酸系黏著劑、矽酮系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、烯烴系黏著劑、苯乙烯系黏著劑等。該些中，就可容易調整黏接力的方面等而言，較佳為將(甲基)丙烯酸系聚合物作為基礎聚合物的(甲基)丙烯酸系黏著劑。
另外，作為構成黏著性樹脂層40的黏著劑，亦可使用藉由放射線而使黏著力下降的放射線交聯型黏著劑。由放射線交聯型黏著劑所構成的黏著性樹脂層40藉由放射線的照射而交聯，黏著力顯著減少，因此於將後述的電子零件10與黏著性積層膜50剝離的步驟（C）中，容易自黏著性樹脂層40剝離電子零件10。放射線可列舉紫外線、電子束、紅外線等。 放射線交聯型黏著劑較佳為紫外線交聯型黏著劑。
(甲基)丙烯酸系黏著劑中所含的(甲基)丙烯酸系聚合物例如可列舉：(甲基)丙烯酸酯化合物的均聚物、(甲基)丙烯酸酯化合物與共聚單體的共聚物等。(甲基)丙烯酸酯化合物例如可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸羥基乙酯、(甲基)丙烯酸羥基丙酯、(甲基)丙烯酸二甲基胺基乙酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等。該些(甲基)丙烯酸酯化合物可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。 另外，構成(甲基)丙烯酸系共聚物的共聚單體例如可列舉：乙酸乙烯酯、(甲基)丙烯腈、苯乙烯、(甲基)丙烯酸、衣康酸、(甲基)丙烯醯胺、羥甲基(甲基)丙烯醯胺、順丁烯二酸酐等。該些共聚單體可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。
放射線交聯型黏著劑例如包含：所述(甲基)丙烯酸系聚合物、交聯性化合物（具有碳-碳雙鍵的成分）、以及光聚合起始劑或熱聚合起始劑。
交聯性化合物例如可列舉：分子中具有碳-碳雙鍵，可藉由自由基聚合而交聯的單體、寡聚物或聚合物等。所述交聯性化合物例如可列舉：三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸與多元醇的酯；酯(甲基)丙烯酸酯寡聚物；2-丙烯基二-3-丁烯基三聚氰酸酯、2-羥基乙基雙(2-(甲基)丙烯醯氧基乙基)異三聚氰酸酯、三(2-甲基丙烯醯氧基乙基)異三聚氰酸酯等異三聚氰酸酯或者異三聚氰酸酯化合物等。 再者，於(甲基)丙烯酸系聚合物為於聚合物的側鏈上具有碳-碳雙鍵的放射線交聯型聚合物的情況下，亦可不添加交聯性化合物。
相對於(甲基)丙烯酸系聚合物100質量份，交聯性化合物的含量較佳為5質量份～900質量份，更佳為5質量份～100質量份，進而佳為10質量份～50質量份。藉由交聯性化合物的含量為所述範圍，與少於所述範圍的情況相比，黏著力的調整變得容易，且與多於所述範圍的情況相比，難以產生由於對熱或光的感度過高而引起的保存穩定性的下降。
光聚合起始劑只要為藉由照射放射線而開裂生成自由基的化合物即可，例如可列舉：安息香甲醚、安息香異丙醚、安息香異丁醚等安息香烷基醚類；苄基、安息香、二苯甲酮、α-羥基環己基苯基酮等芳香族酮類；苄基二甲基縮酮等芳香族縮酮類；聚乙烯基二苯甲酮；氯硫雜蒽酮、十二烷基硫雜蒽酮、二甲基硫雜蒽酮、二乙基硫雜蒽酮等硫雜蒽酮類等。
熱聚合起始劑例如可列舉有機過氧化物衍生物或偶氮系聚合起始劑等。就加熱時不會產生氮的方面而言，較佳為有機過氧化物衍生物。熱聚合起始劑例如可列舉：酮過氧化物、過氧化縮酮、氫過氧化物、二烷基過氧化物、二醯基過氧化物、過氧化酯及過氧化二碳酸酯等。
黏著劑中亦可添加交聯劑。交聯劑例如可列舉：山梨糖醇聚縮水甘油醚、聚丙三醇聚縮水甘油醚、季戊四醇聚縮水甘油醚、二丙三醇聚縮水甘油醚等環氧系化合物；四羥甲基甲烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、三羥甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、N,N'-二苯基甲烷-4,4'-雙(1-氮丙啶羧基醯胺)、N,N'-六亞甲基-1,6-雙(1-氮丙啶羧基醯胺)等氮丙啶系化合物；四亞甲基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、聚異氰酸酯等異氰酸酯系化合物等。 就提高黏著性樹脂層40的耐熱性或與密合力的平衡的觀點而言，相對於(甲基)丙烯酸系聚合物100質量份，交聯劑的含量較佳為0.1質量份以上且10質量份以下。
黏著性樹脂層40的厚度並無特別限制，例如較佳為1 μm以上且100 μm以下，更佳為3 μm以上且50 μm以下。
黏著性樹脂層40例如可藉由在凹凸吸收性樹脂層30上塗佈黏著劑塗佈液而形成。 塗佈黏著劑塗佈液的方法可採用現有公知的塗佈方法，例如：輥塗佈機法、反向輥塗佈機法、凹版輥法、棒塗法、缺角輪塗佈機法、模塗佈機法等。對所塗佈的黏著劑的乾燥條件並無特別限制，一般而言較佳為於80℃～200℃的溫度範圍內乾燥10秒～10分鐘。進而佳為於80℃～170℃下乾燥15秒～5分鐘。為了充分促進交聯劑與黏著劑的交聯反應，亦可於黏著劑塗佈液的乾燥結束後，於40℃～80℃下加熱5小時～300小時左右。
關於本實施形態的黏著性積層膜50，於使凹凸吸收性樹脂層30紫外線硬化或使黏著性樹脂層40紫外線交聯的情況下，需要以使所述硬化或交聯不妨礙本發明的目的的程度具有光線透過率。
就機械特性與操作性的平衡而言，本實施形態的黏著性積層膜50整體的厚度較佳為25 μm以上且1100 μm以下，更佳為100 μm以上且900 μm以下，進而佳為200 μm以上且800 μm以下。
本實施形態的黏著性積層膜50可於各層之間設置黏接層（未圖示）。藉由該黏接層，可提高各層之間的黏接性。
繼而，對本實施形態的黏著性積層膜50的製造方法的一例進行說明。 首先，於基材層20的其中一面上，利用擠出層壓法來形成凹凸吸收性樹脂層30。繼而，藉由在凹凸吸收性樹脂層30上塗佈黏著劑塗佈液，使其乾燥而形成黏著性樹脂層40，獲得黏著性積層膜50。 另外，基材層20與凹凸吸收性樹脂層30可藉由共擠出成形而形成，亦可將膜狀的基材層20與膜狀的凹凸吸收性樹脂層30進行層壓（積層）而形成。
2.電子裝置的製造方法 繼而，對本實施形態的電子裝置的製造方法的各步驟進行說明。
（步驟（A）） 首先，準備包括電子零件10、黏著性積層膜50及熱硬化性保護膜70的結構體60，所述電子零件10具有電路形成面10A，所述黏著性積層膜50依次具有基材層20、凹凸吸收性樹脂層30及黏著性樹脂層40，且貼附於電子零件10的電路形成面10A側，所述熱硬化性保護膜70貼附於電子零件10的與電路形成面10A為相反側的面10C。
所述結構體60例如可藉由進行於電子零件10的電路形成面10A貼附黏著性積層膜50的步驟（A1）、以及在電子零件10的與電路形成面10A為相反側的面10C貼附熱硬化性保護膜70的步驟（A2）來製作。
於電子零件10的電路形成面10A貼附黏著性積層膜50的方法並無特別限定，可利用一般公知的方法剝離。例如，可由人手進行，亦可由安裝了輥狀的黏著性積層膜50的被稱為自動貼附機的裝置進行。
在電子零件10的與電路形成面10A為相反側的面10C貼附熱硬化性保護膜70的方法並無特別限定，可利用一般公知的方法剝離。例如，可由人手進行，亦可由安裝了輥狀的熱硬化性保護膜70的被稱為自動貼附機的裝置進行。
在電子零件10的與電路形成面10A為相反側的面10C貼附熱硬化性保護膜70的步驟（A2）例如於對熱硬化性保護膜70進行加熱的同時進行。步驟（A2）中的加熱溫度根據熱硬化性保護膜70的種類適當設定，因此並無特別限定，例如為50℃以上且90℃以下，較佳為60℃以上且80℃以下。
作為熱硬化性保護膜70，並無特別限定，例如可使用公知的熱硬化型半導體背面保護用膜。 熱硬化性保護膜70例如包括熱硬化性接著劑層，亦可視需要進一步包括保護層。 作為接著劑層，較佳為由熱硬化性樹脂形成，更佳為由熱硬化性樹脂及熱塑性樹脂形成。 作為熱硬化性樹脂，例如可列舉環氧樹脂、酚樹脂、胺基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、矽酮樹脂、熱硬化性聚醯亞胺樹脂等。該些熱硬化性樹脂可使用一種或兩種以上。該些中，較佳為離子性雜質等含量少的環氧樹脂。 作為熱塑性樹脂，例如可列舉天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁二烯橡膠、乙烯·乙酸乙烯酯共聚物、乙烯·丙烯酸共聚物、乙烯·丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯或聚對苯二甲酸丁二酯等飽和聚酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、氟樹脂等。該些熱塑性樹脂可使用一種或兩種以上。該些中，較佳為離子性雜質等含量少的丙烯酸樹脂。
接著劑層可視需要含有其他添加劑。作為其他添加劑，例如可列舉填充劑、阻燃劑、矽烷偶合劑、離子捕捉劑、增量劑、抗老化劑、抗氧化劑、界面活性劑等。
保護層例如由耐熱性樹脂、金屬等構成。 作為構成保護層的耐熱性樹脂，並無特別限定，例如可列舉聚苯硫醚、聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚芳酯、聚碸、聚醚碸、聚醚醚酮、液晶聚合物、聚四氟乙烯等。該些中，可列舉聚醯亞胺、聚苯硫醚、聚碸、聚醚醯亞胺、聚醚酮、聚醚醚酮等。 作為構成保護層的金屬，並無特別限定，例如可列舉鋁、耐酸鋁（alumite）、不鏽鋼、鐵、鈦、錫、銅等。
熱硬化性保護膜70可使用市售的膜。作為市售的膜，例如可列舉琳得科（Lintec）公司製造的晶片背面保護膠帶（製品名：「LC膠帶」系列）等。
作為電子零件10，只要為具有電路形成面10A的電子零件10，則並無特別限定，例如可列舉：半導體晶圓、藍寶石基盤、鉭酸鋰基板、模具晶圓、模具面板、模具陣列封裝、半導體基板等。 另外，作為半導體基板，例如可列舉：矽基板、鍺基板、鎵-砷基板、鎵-磷基板、鎵-砷-鋁基板、鎵-砷基板等。
另外，電子零件10可為任意用途的電子零件，例如可列舉邏輯用途（例如通信用途、高頻信號處理用途等）、記憶用途、感測器用途、電源用途的電子零件等。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
電子零件10的電路形成面10A例如藉由具有電極10B而成為凹凸結構。 另外，電極10B是於將電子裝置安裝於安裝面時與形成於安裝面上的電極接合而形成電子裝置與安裝面（印刷基板等的安裝面）之間的電性連接者。 作為電極10B，例如可列舉球凸塊、印刷凸塊、螺栓凸塊、鍍敷凸塊、柱凸塊等凸塊電極。即，電極10B通常為凸電極。該些凸塊電極可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。 另外，構成凸塊電極的金屬種並無特別限定，例如可列舉銀、金、銅、錫、鉛、鉍及該些的合金等。該些金屬種可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。
本實施形態的電子裝置的製造方法中，較佳為於在電子零件10的與電路形成面10A為相反側的面10C貼附熱硬化性保護膜70的步驟（A2）之前，進行於在電子零件10的電路形成面10A貼附有黏著性積層膜50的狀態下，使黏著性積層膜50中的凹凸吸收性樹脂層30熱硬化或紫外線硬化的硬化步驟（A3）。藉此，可提高黏著性積層膜50的耐熱性。藉此，於在電子零件10的與電路形成面10A為相反側的面10C貼附熱硬化性保護膜70的步驟（A2）、或者使熱硬化性保護膜70熱硬化的熱硬化步驟（B）中，可抑制電子零件10的翹曲。進而，於在電子零件10的與電路形成面10A為相反側的面10C貼附熱硬化性保護膜70的步驟（A2）、或者使熱硬化性保護膜70熱硬化的熱硬化步驟（B）中，可抑制凹凸吸收性樹脂層30熔融而引起樹脂的溢出。。
作為凹凸吸收性樹脂層30的熱硬化方法，只要是可使交聯性樹脂熱硬化的方法即可，並無特別限定，可列舉利用自由基聚合起始劑進行的熱交聯。 利用自由基聚合起始劑進行的熱交聯可使用交聯性樹脂的交聯中使用的自由基聚合起始劑。作為自由基聚合起始劑，可使用公知的熱自由基聚合起始劑。
另外，藉由對凹凸吸收性樹脂層30照射紫外線，可使凹凸吸收性樹脂層30交聯而硬化。 紫外線例如從黏著性積層膜50的基材層20側的面照射。 另外，於任一交聯方法中，可對凹凸吸收性樹脂層30調配交聯助劑而進行凹凸吸收性樹脂層30的交聯。
本實施形態的電子裝置的製造方法中，亦可進行背面研磨步驟（A4），所述背面研磨步驟（A4）於在電子零件10的電路形成面10A貼附有黏著性積層膜50的狀態下，對電子零件10的與電路形成面10A為相反側的面10C進行背面研磨。即，可將本實施形態的黏著性積層膜50用作背面研磨膠帶。此處，若於背面研磨步驟（A4）之前進行硬化步驟（A3），則黏著性積層膜50的黏著力降低，因此於背面研磨步驟（A4）中，有黏著性積層膜50剝落之虞。因此，較佳為於硬化步驟（A3）之前進行背面研磨步驟（A4）。
於背面研磨步驟（A4）中，於貼附於黏著性積層膜50的狀態下，對電子零件10的與電路形成面10A為相反側的面10C進行背面研磨。 此處，所謂進行背面研磨，是指於不會使電子零件10破裂、或破損的情況下，進行薄化加工至既定的厚度為止。 電子零件10的背面研磨可利用公知的方法進行。例如，可列舉於研削機的夾盤等上固定電子零件10，對電子零件10的與電路形成面10A為相反側的面10C進行研削的方法。
背面研削方式並無特別限定，例如可採用貫穿進給（through feed）方式、切入進給（in feed）方式等公知的研削方式。各種研削是一邊將水澆到電子零件10及研磨石上冷卻一邊進行。
（步驟（B）） 其次，藉由對結構體60進行加熱來使熱硬化性保護膜70熱硬化。
使熱硬化性保護膜70熱硬化的步驟（B）中的加熱溫度根據熱硬化性保護膜70的種類適當設定，因此並無特別限定，例如為120℃以上且170℃以下，較佳為130℃以上且160℃以下。
（步驟（C）） 另外，本實施形態的電子裝置的製造方法中，亦可於步驟（B）之後進一步進行將電子零件10與黏著性積層膜50剝離的步驟（C）。藉由進行所述步驟（C），可從黏著性積層膜50剝離電子零件10。剝離溫度例如為20℃～100℃。 電子零件10與黏著性積層膜50的剝離可利用公知的方法進行。
（其他步驟） 本實施形態的電子裝置的製造方法亦可包括所述以外的其他步驟。作為其他步驟，可使用在電子裝置的製造方法中公知的步驟。
例如，亦可進一步進行金屬膜形成步驟、退火處理、切割步驟、晶粒結合步驟、打線接合步驟、倒裝晶片連接步驟、硬化加熱測試步驟、密封步驟、回流焊步驟等電子零件的製造步驟中通常進行的任意的步驟等。
以上，對本發明的實施形態進行敘述，但該些是本發明的例示，亦可採用所述以外的各種構成。
再者，本發明並不限定於所述實施形態，可達成本發明的目的的範圍內的變形、改良等亦包括在本發明中。
本申請案主張以2019年3月29日提出申請的日本申請特願2019-067184號為基礎的優先權，並將其揭示的全部內容引入至本申請案中。
10:電子零件 10A:電路形成面 10B:電極 10C:與電路形成面為相反側的表面 20:基材層 30:凹凸吸收性樹脂層 40:黏著性樹脂層 50:黏著性積層膜 60:結構體 70:熱硬化性保護膜 A～D:步驟
圖1的（A）、圖1的（B）是示意性表示本發明的實施形態的電子裝置的製造方法的一例的剖面圖。
10:電子零件
10A:電路形成面
10B:電極
10C:與電路形成面為相反側的表面
20:基材層
30:凹凸吸收性樹脂層
40:黏著性樹脂層
50:黏著性積層膜
60:結構體
70:熱硬化性保護膜

Claims (11)

  1. 一種電子裝置的製造方法，包括： 準備步驟（A），準備包括電子零件、黏著性積層膜及熱硬化性保護膜的結構體，所述電子零件具有電路形成面，所述黏著性積層膜依次具有基材層、凹凸吸收性樹脂層及黏著性樹脂層，且貼附於所述電子零件的所述電路形成面側，所述熱硬化性保護膜貼附於所述電子零件的與所述電路形成面為相反側的面；以及 熱硬化步驟（B），藉由對所述結構體進行加熱來使所述熱硬化性保護膜熱硬化。
  2. 如請求項1所述的電子裝置的製造方法，其中 所述準備步驟（A）包括： 硬化步驟，於在所述電子零件的所述電路形成面貼附有所述黏著性積層膜的狀態下，使所述黏著性積層膜中的所述凹凸吸收性樹脂層熱硬化或紫外線硬化；以及 於所述硬化步驟後，在所述電子零件的與所述電路形成面為相反側的面貼附所述熱硬化性保護膜的步驟。
  3. 如請求項2所述的電子裝置的製造方法，其中 在所述電子零件的與所述電路形成面為相反側的面貼附所述熱硬化性保護膜的步驟中的加熱溫度為50℃以上且90℃以下。
  4. 如請求項2所述的電子裝置的製造方法，其中 所述準備步驟（A）於所述硬化步驟之前包括背面研磨步驟，所述背面研磨步驟是於在所述電子零件的所述電路形成面貼附有所述黏著性積層膜的狀態下，對所述電子零件的與所述電路形成面為相反側的面進行背面研磨。
  5. 如請求項1或請求項2所述的電子裝置的製造方法，其中 所述熱硬化步驟（B）中的加熱溫度為120℃以上且170℃以下。
  6. 如請求項1或請求項2所述的電子裝置的製造方法，其中 所述電子零件的所述電路形成面包含凸塊電極。
  7. 如請求項6所述的電子裝置的製造方法，其中 於將所述凸塊電極的高度設為H[μm]且將所述凹凸吸收性樹脂層的厚度設為d[μm]時，H/d為0.01以上且1以下。
  8. 如請求項1或請求項2所述的電子裝置的製造方法，其中 所述凹凸吸收性樹脂層包含交聯性樹脂。
  9. 如請求項1或請求項2所述的電子裝置的製造方法，其中 所述凹凸吸收性樹脂層的厚度為10 μm以上且1000 μm以下。
  10. 如請求項1或請求項2所述的電子裝置的製造方法，其中 構成所述基材層的樹脂包含選自由聚酯系彈性體、聚醯胺系彈性體、聚醯亞胺系彈性體、聚對苯二甲酸丁二酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯及聚醯亞胺所組成的群組中的一種或兩種以上。
  11. 如請求項1或請求項2所述的電子裝置的製造方法，其中 構成所述黏著性樹脂層的黏著劑包含選自(甲基)丙烯酸系黏著劑、矽酮系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、烯烴系黏著劑及苯乙烯系黏著劑中的一種或兩種以上。
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