TW202132506A - 電子裝置的製造方法及黏著性積層膜 - Google Patents

電子裝置的製造方法及黏著性積層膜 Download PDF

Info

Publication number
TW202132506A
TW202132506A TW110103620A TW110103620A TW202132506A TW 202132506 A TW202132506 A TW 202132506A TW 110103620 A TW110103620 A TW 110103620A TW 110103620 A TW110103620 A TW 110103620A TW 202132506 A TW202132506 A TW 202132506A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
resin layer
adhesive
electronic device
manufacturing
laminated film
Prior art date
Application number
TW110103620A
Other languages
English (en)
Inventor
室伏貴信
栗原宏嘉
森本哲光
Original Assignee
日商三井化學東賽璐股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商三井化學東賽璐股份有限公司 filed Critical 日商三井化學東賽璐股份有限公司
Publication of TW202132506A publication Critical patent/TW202132506A/zh

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J3/00—Processes of treating or compounding macromolecular substances
    • C08J3/28—Treatment by wave energy or particle radiation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J201/00—Adhesives based on unspecified macromolecular compounds
    • C09J201/02—Adhesives based on unspecified macromolecular compounds characterised by the presence of specified groups, e.g. terminal or pendant functional groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/29—Laminated material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

一種電子裝置的製造方法，包括：準備步驟（A），準備結構體（60），所述結構體（60）包括具有電路形成面（10A）的電子零件（10）、以及黏著性積層膜（50），所述黏著性積層膜（50）依次具有包含一層聚酯系樹脂層的基材層（20）、紫外線硬化型的凹凸吸收性樹脂層（30）及黏著性樹脂層（40），且於電子零件（10）的電路形成面（10A）貼附有黏著性積層膜（50）以保護電路形成面（10A）；紫外線硬化步驟（B），藉由對黏著性積層膜（50）照射紫外線，而使黏著性積層膜（50）的凹凸吸收性樹脂層（30）硬化；以及表面處理步驟（C），於真空加熱下，對電子零件（10）的與電路形成面（10A）為相反側的表面進行處理。

Description

電子裝置的製造方法及黏著性積層膜
本發明是有關於一種電子裝置的製造方法及黏著性積層膜。
電子裝置（例如，半導體裝置）有時經過對電子零件（例如，半導體晶圓）的非電路形成面進行研削以使電子零件的厚度變薄的步驟（背面研磨步驟）、或對研削後的電子零件的非電路形成面進行表面處理的步驟（例如，離子注入步驟、金屬膜形成步驟等）等來製造。 於該些步驟中，就保護電子零件的電路形成面的觀點而言，有時會在電子零件的電路形成面貼附表面保護膜。
作為與此種表面保護膜相關的技術，例如可列舉專利文獻1（日本專利特開2001-203255號公報）及專利文獻2（日本專利特開2005-303068號公報）中記載的技術。
於專利文獻1中，記載有一種半導體晶圓保持保護用黏著片，所述半導體晶圓保持保護用黏著片為於半導體晶圓加工時，貼附於半導體晶圓表面而用於保持保護半導體晶圓的黏著片，所述半導體晶圓保持保護用黏著片的特徵在於，於基材層的一面設置有彈性係數為30 kPa～1000 kPa且凝膠成分為20%以下的中間層，且於該中間層的表面形成有黏著劑層。
於專利文獻2中，記載有一種半導體晶圓保持保護用黏著片，所述半導體晶圓保持保護用黏著片為於半導體晶圓加工時，貼附於半導體晶圓表面而用於保持保護半導體晶圓的黏著片，所述半導體晶圓保持保護用黏著片的特徵在於，於基材層的一面設置有於25℃下的彈性係數為10 kPa～1000 kPa且凝膠成分為26%～45%的中間層，且於該中間層的表面形成有黏著劑層。 [現有技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2001-203255號公報 專利文獻2：日本專利特開2005-303068號公報
[發明所欲解決之課題] 根據本發明者等人的研究，明確了於先前的電子裝置的製造方法中，於高溫真空下的表面處理步驟中，有時會產生黏著性膜的浮起。 本發明是鑑於所述情況而完成，提供一種於高溫真空下的表面處理步驟中能夠抑制黏著性膜的浮起的電子裝置的製造方法。 [解決課題之手段]
本發明者等人為了達成所述課題而反覆進行銳意研究。結果發現，藉由使用依次具有基材層、紫外線硬化型的凹凸吸收性樹脂層及黏著性樹脂層的黏著性積層膜作為用於保護電子零件的電路形成面的表面保護膜，於高溫真空下的表面處理步驟之前使凹凸吸收性樹脂層紫外線硬化，可於高溫真空下的表面處理步驟中抑制黏著性膜的浮起，從而完成了本發明。
根據本發明，可提供以下所示的電子裝置的製造方法。
[1] 一種電子裝置的製造方法，包括： 準備步驟（A），準備結構體，所述結構體包括具有電路形成面的電子零件、以及黏著性積層膜，所述黏著性積層膜依次具有包含一層聚酯系樹脂層的基材層、紫外線硬化型的凹凸吸收性樹脂層及黏著性樹脂層，且於所述電子零件的所述電路形成面貼附有所述黏著性積層膜以保護所述電路形成面； 紫外線硬化步驟（B），藉由對所述黏著性積層膜照射紫外線，而使所述黏著性積層膜的所述凹凸吸收性樹脂層硬化；以及 表面處理步驟（C），於真空加熱下，對所述電子零件的與所述電路形成面為相反側的表面進行處理。 [2] 如所述[1]所述的電子裝置的製造方法，其中 所述準備步驟（A）包括： 背面研磨步驟，於在所述電子零件的所述電路形成面貼附有背面研磨帶的狀態下，對所述電子零件的與所述電路形成面為相反側的面進行背面研磨； 於所述背面研磨步驟之後，自所述電子零件剝離所述背面研磨帶的步驟；以及 於所述電子零件的所述電路形成面貼附所述黏著性積層膜的步驟。 [3] 如所述[1]或[2]所述的電子裝置的製造方法，其中 所述表面處理步驟（C）包括選自由離子注入步驟、金屬膜形成步驟及退火處理步驟所組成的群組中的一種或兩種以上。 [4] 如所述[1]至[3]中任一項所述的電子裝置的製造方法，其中 所述表面處理步驟（C）中的加熱溫度為40℃以上、350℃以下。 [5] 如所述[1]至[4]中任一項所述的電子裝置的製造方法，其中 於所述電子零件的所述電路形成面包含凹凸結構。 [6] 如所述[5]所述的電子裝置的製造方法，其中 於將所述凹凸結構的高度設為H[μm]，且將所述凹凸吸收性樹脂層的厚度設為d[μm]時，H/d為0.01以上、1以下。 [7] 如所述[1]至[6]中任一項所述的電子裝置的製造方法，其中 所述凹凸吸收性樹脂層包含交聯性樹脂。 [8] 如所述[1]至[7]中任一項所述的電子裝置的製造方法，其中 所述凹凸吸收性樹脂層的厚度為10 μm以上、1000 μm以下。 [9] 如所述[1]至[8]中任一項所述的電子裝置的製造方法，其中 構成所述黏著性樹脂層的黏著劑包含選自(甲基)丙烯酸系黏著劑、矽酮系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、烯烴系黏著劑及苯乙烯系黏著劑中的一種或兩種以上。 [10] 如所述[1]至[9]中任一項所述的電子裝置的製造方法，其中 所述黏著性積層膜是藉由在具有所述基材層及所述凹凸吸收性樹脂層的積層體的所述凹凸吸收性樹脂層上積層非放射線硬化型的黏著性樹脂層而形成的膜。 [11] 一種黏著性積層膜，為如所述[1]至[10]中任一項所述的電子裝置的製造方法中使用的所述黏著性積層膜，且 依次具有包含一層聚酯系樹脂層的基材層、紫外線硬化型的凹凸吸收性樹脂層及黏著性樹脂層。 [12] 如所述[11]所述的黏著性積層膜， 是藉由在具有所述基材層及所述凹凸吸收性樹脂層的積層體的所述凹凸吸收性樹脂層上積層非放射線硬化型的黏著性樹脂層而形成。 [發明的效果]
根據本發明，可提供一種於高溫真空下的表面處理步驟中能夠抑制黏著性膜的浮起的電子裝置的製造方法。
以下，對於本發明的實施形態，使用圖式進行說明。再者，於所有圖式中，對同樣的構成要素標註共通的符號，且適當地省略說明。另外，圖為概略圖，與實際的尺寸比率不一致。另外，數值範圍的「A～B」若無特別說明，則表示A以上、B以下。另外，本實施形態中，所謂「(甲基)丙烯酸」是指丙烯酸、甲基丙烯酸或者丙烯酸及甲基丙烯酸的兩者。
圖1及圖2是示意性表示本發明的實施形態的電子裝置的製造方法的一例的剖面圖。
本實施形態的電子裝置的製造方法包括以下的步驟（A）、步驟（B）及步驟（C）。 （A）準備步驟，準備結構體60，所述結構體60包括具有電路形成面10A的電子零件10、以及黏著性積層膜50，所述黏著性積層膜50依次具有包含一層聚酯系樹脂層的基材層20、紫外線硬化型的凹凸吸收性樹脂層30及黏著性樹脂層40，且於電子零件10的電路形成面10A貼附有黏著性積層膜50以保護電路形成面10A （B）紫外線硬化步驟，藉由對黏著性積層膜50照射紫外線，而使黏著性積層膜50的凹凸吸收性樹脂層30硬化 （C）表面處理步驟，於真空加熱下，對電子零件10的與電路形成面10A為相反側的表面進行處理
如上所述，根據本發明者等人的研究，明確了於電子裝置的製造方法中，於高溫真空下的表面處理步驟中，有時會產生黏著性膜的浮起。 本發明者等人為了達成所述課題而反覆進行銳意研究。結果發現，藉由使用依次具有基材層20、紫外線硬化型的凹凸吸收性樹脂層30及黏著性樹脂層40的黏著性積層膜50作為用於保護電子零件10的電路形成面10A的表面保護膜，於高真空加熱下，於對電子零件10的與電路形成面10A為相反側的表面進行處理的表面處理步驟（C）之前，對黏著性積層膜50照射紫外線，而進行使黏著性積層膜50的凹凸吸收性樹脂層30硬化的紫外線硬化步驟（B），從而於高溫真空下的表面處理步驟（C）中，可抑制黏著性積層膜50的浮起。 藉由使黏著性積層膜50的凹凸吸收性樹脂層30硬化，可提高黏著性積層膜50的耐熱性，從而可抑制高溫真空下的表面處理步驟（C）中的黏著性積層膜50的翹曲等變形。結果，於高溫真空下的表面處理步驟（C）中，可抑制黏著性積層膜50的浮起。 如上所述，根據本實施形態的電子裝置的製造方法，於高溫真空下的表面處理步驟中，可抑制黏著性膜的浮起。
1.黏著性積層膜 以下，對本實施形態的電子裝置的製造方法中使用的黏著性積層膜50進行說明。
＜基材層＞ 基材層20僅包含一層聚酯系樹脂層，且是出於使黏著性積層膜50的操作性或機械特性、耐熱性等特性更良好的目的而設置的層。作為構成聚酯系樹脂層的聚酯系樹脂，例如可列舉聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚酯系彈性體等。 基材層20並無特別限定，例如可列舉樹脂膜。 基材層20亦可包含聚酯系樹脂層以外的樹脂層。 作為構成聚酯系樹脂層以外的樹脂層的樹脂，可使用公知的熱塑性樹脂。例如可列舉選自以下化合物中的一種或兩種以上：聚乙烯、聚丙烯、聚(4-甲基-1-戊烯)、聚(1-丁烯)等聚烯烴；尼龍-6、尼龍-66、聚己二醯間苯二甲胺等聚醯胺；聚丙烯酸酯；聚甲基丙烯酸酯；聚氯乙烯；聚醯亞胺；聚醚醯亞胺；聚醯胺醯亞胺；乙烯·乙酸乙烯酯共聚物；聚丙烯腈；聚碳酸酯；聚苯乙烯；離子聚合物；聚碸；聚醚碸；聚醚醚酮；聚苯硫醚；聚苯醚；聚醯胺系彈性體、聚醯亞胺系彈性體等彈性體等。 另外，作為構成基材層20的樹脂，較佳為選自聚對苯二甲酸乙二酯及聚萘二甲酸乙二酯中的至少一種。
基材層20的熔點較佳為100℃以上。熔點上限並無特別限定，只要鑑於加工性等進行選擇即可。 若使用此種基材層20，則於表面處理步驟（C）中即便將黏著性積層膜50暴露於高溫下，亦可進一步抑制黏著性積層膜50的變形或熔融。
基材層20可為單層，亦可為兩種以上的層。 另外，為了形成基材層20而使用的樹脂膜的形態可為延伸膜，亦可為於單軸方向或雙軸方向上延伸的膜。
就防止背面研磨後的電子零件的翹曲等的觀點而言，基材層20的厚度例如較佳為10 μm以上，更佳為20 μm以上，進而佳為25 μm以上，尤佳為50 μm以上。另外，就將黏著性積層膜50貼附於電子零件時該黏著性積層膜50的切割容易度、將黏著性積層膜50的產品形態製成卷狀時的生產性等觀點而言，基材層20的厚度較佳為500 μm以下，更佳為300 μm以下，進而佳為250 μm以下，尤佳為75 μm以下。 基材層20為了改良與其他層的黏接性，亦可進行表面處理。具體而言，亦可進行電暈處理、電漿處理、下塗（under coat）處理、底塗（primer coat）處理等。
＜凹凸吸收性樹脂層＞ 本實施形態的黏著性積層膜50於基材層20與黏著性樹脂層40之間具有紫外線硬化型的凹凸吸收性樹脂層30。 凹凸吸收性樹脂層30是出於使黏著性積層膜50的對於電路形成面10A的追隨性良好，且使電路形成面10A與黏著性積層膜50的密接性良好的目的而設置的層。進而，凹凸吸收性樹脂層30是出於藉由利用紫外線照射進行硬化，從而提高黏著性積層膜50的耐熱性的目的而設置的層。藉此，於高溫真空下的表面處理步驟（C）中，可抑制黏著性積層膜50的浮起。
構成凹凸吸收性樹脂層30的樹脂只要為顯示凹凸吸收性者，則並無特別限定，例如可列舉選自由聚烯烴系樹脂、聚苯乙烯系樹脂及(甲基)丙烯酸系樹脂所組成的群組中的一種或兩種以上。
另外，凹凸吸收性樹脂層30較佳為包含交聯性樹脂。藉由凹凸吸收性樹脂層30包含交聯性樹脂，可於紫外線硬化步驟（B）中，使凹凸吸收性樹脂層30更有效地進行紫外線交聯，從而能夠進一步提高凹凸吸收性樹脂層30的耐熱性。藉此，即便於表面處理步驟（C）中將黏著性積層膜50暴露於高溫下，亦可進一步抑制黏著性積層膜50的變形或熔融。 作為本實施形態的交聯性樹脂，只要為可形成凹凸吸收性樹脂層30且藉由紫外線進行交聯而耐熱性提高的樹脂，則並無特別限定，例如可使用選自以下化合物中的一種或兩種以上：包含乙烯及碳數3～20的α-烯烴的乙烯·α-烯烴共聚物、高密度乙烯系樹脂、低密度乙烯系樹脂、中密度乙烯系樹脂、超低密度乙烯系樹脂、直鏈狀低密度聚乙烯（線型低密度聚乙烯（Linear Low Density Polyethylene，LLDPE））系樹脂、丙烯(共)聚合物、1-丁烯(共)聚合物、4-甲基戊烯-1(共)聚合物、乙烯·環狀烯烴共聚物、乙烯·α-烯烴·環狀烯烴共聚物、乙烯·α-烯烴·非共軛聚烯共聚物、乙烯·α-烯烴·共軛聚烯共聚物、乙烯·芳香族乙烯基共聚物、乙烯·α-烯烴·芳香族乙烯基共聚物等烯烴系樹脂；乙烯·不飽和羧酸酐共聚物、乙烯·α-烯烴·不飽和羧酸酐共聚物等乙烯·羧酸酐系共聚物；乙烯·含環氧基的不飽和化合物共聚物、乙烯·α-烯烴·含環氧基的不飽和化合物共聚物等乙烯·環氧系共聚物；乙烯·(甲基)丙烯酸乙酯共聚物、乙烯·(甲基)丙烯酸甲酯共聚物、乙烯·(甲基)丙烯酸丙酯共聚物、乙烯·(甲基)丙烯酸丁酯共聚物、乙烯·(甲基)丙烯酸己酯共聚物、乙烯·(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯共聚物、乙烯·(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯共聚物、乙烯·(甲基)丙烯酸縮水甘油酯共聚物等乙烯·(甲基)丙烯酸酯共聚物；乙烯·(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯·順丁烯二酸共聚物、乙烯·反丁烯二酸共聚物、乙烯·丁烯酸共聚物等乙烯·乙烯性不飽和酸共聚物；乙烯·乙酸乙烯酯共聚物、乙烯·丙酸乙烯酯共聚物、乙烯·丁酸乙烯酯共聚物、乙烯·硬脂酸乙烯酯共聚物等乙烯·乙烯酯共聚物；乙烯·苯乙烯共聚物等；(甲基)丙烯酸酯(共)聚合物等不飽和羧酸酯(共)聚合物；乙烯·丙烯酸金屬鹽共聚物、乙烯·甲基丙烯酸金屬鹽共聚物等離子聚合物樹脂；胺基甲酸酯系樹脂；矽酮系樹脂；丙烯酸系樹脂；甲基丙烯酸系樹脂；環狀烯烴(共)聚合物；α-烯烴·芳香族乙烯酯化合物·芳香族聚烯共聚物；乙烯·α-烯烴·芳香族乙烯酯化合物；芳香族聚烯共聚物；乙烯·芳香族乙烯酯化合物·芳香族聚烯共聚物；苯乙烯系樹脂；丙烯腈·丁二烯·苯乙烯共聚物；苯乙烯·共軛二烯共聚物；丙烯腈·苯乙烯共聚物；丙烯腈·乙烯·α-烯烴·非共軛聚烯·苯乙烯共聚物；丙烯腈·乙烯·α-烯烴·共軛聚烯·苯乙烯共聚物；甲基丙烯酸·苯乙烯共聚物；對苯二甲酸乙二酯樹脂；氟樹脂；聚酯碳酸酯；聚氯乙烯；聚偏二氯乙烯；聚烯烴系熱塑性彈性體；聚苯乙烯系熱塑性彈性體；聚胺基甲酸酯系熱塑性彈性體；1,2-聚丁二烯系熱塑性彈性體；反式聚異戊二烯系熱塑性彈性體；氯化聚乙烯系熱塑性彈性體；液晶性聚酯；聚乳酸等。
該些中，就使用有機過氧化物等交聯劑的紫外線交聯容易的方面而言，較佳為使用選自以下化合物中的一種或兩種以上：包含乙烯及碳數3～20的α-烯烴的乙烯·α-烯烴共聚物、低密度乙烯系樹脂、中密度乙烯系樹脂、超低密度乙烯系樹脂、直鏈狀低密度聚乙烯（LLDPE）系樹脂、乙烯·環狀烯烴共聚物、乙烯·α-烯烴·環狀烯烴共聚物、乙烯·α-烯烴·非共軛聚烯共聚物、乙烯·α-烯烴·共軛聚烯共聚物、乙烯·芳香族乙烯基共聚物、乙烯·α-烯烴·芳香族乙烯基共聚物等烯烴系樹脂、乙烯·不飽和羧酸酐共聚物、乙烯·α-烯烴·不飽和羧酸酐共聚物、乙烯·含環氧基的不飽和化合物共聚物、乙烯·α-烯烴·含環氧基的不飽和化合物共聚物、乙烯·乙酸乙烯酯共聚物、乙烯·丙烯酸共聚物、乙烯·甲基丙烯酸共聚物等乙烯·不飽和羧酸共聚物、1,2-聚丁二烯系熱塑性彈性體。 更佳為使用選自以下化合物中的一種或兩種以上：包含乙烯及碳數3～20的α-烯烴的乙烯·α-烯烴共聚物、低密度乙烯系樹脂、超低密度乙烯系樹脂、直鏈狀低密度聚乙烯（LLDPE）系樹脂、乙烯·α-烯烴·非共軛聚烯共聚物、乙烯·α-烯烴·共軛聚烯共聚物、乙烯·不飽和羧酸酐共聚物、乙烯·α-烯烴·不飽和羧酸酐共聚物、乙烯·含環氧基的不飽和化合物共聚物、乙烯·α-烯烴·含環氧基的不飽和化合物共聚物、乙烯·乙酸乙烯酯共聚物、乙烯·丙烯酸共聚物、乙烯·甲基丙烯酸共聚物等乙烯·不飽和羧酸共聚物。 進而佳為使用選自以下化合物中的一種或兩種以上：包含乙烯及碳數3～20的α-烯烴的乙烯·α-烯烴共聚物、低密度乙烯系樹脂、超低密度乙烯系樹脂、直鏈狀低密度聚乙烯（LLDPE）系樹脂、乙烯·α-烯烴·非共軛聚烯共聚物、乙烯·α-烯烴·共軛聚烯共聚物、乙烯·乙酸乙烯酯共聚物、乙烯·丙烯酸共聚物、乙烯·甲基丙烯酸共聚物等乙烯·不飽和羧酸共聚物。 該些中，可尤佳地使用選自乙烯·α-烯烴共聚物及乙烯·乙酸乙烯酯共聚物中的至少一種。再者，本實施形態中所述樹脂可單獨使用，亦可混合使用。
關於可作為本實施形態中的交聯性樹脂而使用的包含乙烯及碳數3～20的α-烯烴的乙烯·α-烯烴共聚物的α-烯烴，通常可將碳數3～20的α-烯烴單獨使用一種或者組合使用兩種以上。其中較佳的是碳數為10以下的α-烯烴，尤佳的是碳數3～8的α-烯烴。作為此種α-烯烴，例如可列舉：丙烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、3-甲基-1-丁烯、3,3-二甲基-1-丁烯、4-甲基-1-戊烯、1-辛烯、1-癸烯、1-十二烯等。該些中，就獲取的容易性而言，較佳為丙烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、4-甲基-1-戊烯及1-辛烯。再者，乙烯·α-烯烴共聚物可為無規共聚物，亦可為嵌段共聚物，但就柔軟性的觀點而言，較佳為無規共聚物。
作為凹凸吸收性樹脂層30，例如亦可使用在一般的黏著劑中調配了紫外線硬化性單體成分或寡聚物成分的紫外線硬化性黏著劑。 作為一般的黏著劑，例如可列舉(甲基)丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑等。該些中，較佳為將(甲基)丙烯酸系聚合物作為基礎聚合物的(甲基)丙烯酸系黏著劑。 作為紫外線硬化性單體成分，例如可列舉胺基甲酸酯寡聚物、胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。另外，作為紫外線硬化性寡聚物成分，例如可列舉胺基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各種寡聚物等。 相對於構成黏著劑的(甲基)丙烯酸系聚合物等基礎聚合物100質量份，紫外線硬化性單體成分或寡聚物成分的含量例如為5質量份以上、500質量份以下，較佳為40質量份以上、150質量份以下。
另外，作為凹凸吸收性樹脂層30，可使用紫外線硬化性黏著劑，所述紫外線硬化性黏著劑使用在聚合物側鏈或主鏈中或者主鏈末端具有碳-碳雙鍵者來作為基礎聚合物。 所述具有碳-碳雙鍵的基礎聚合物可使用具有碳-碳雙鍵且具有黏著性的聚合物。作為此種基礎聚合物，較佳為以(甲基)丙烯酸系聚合物為基本骨架的聚合物。 向(甲基)丙烯酸系聚合物導入不飽和鍵的方法並無特別限制，例如，可列舉如下方法：於使具有官能基的單體與(甲基)丙烯酸系聚合物共聚後，使具有能夠與該官能基反應的官能基及不飽和鍵的化合物於維持不飽和鍵的紫外線硬化性的狀態下進行縮合或加成反應。 作為該些官能基的組合的例子，可列舉：羧酸基與環氧基、羧酸基與氮丙啶基（aziridinyl）、羥基與異氰酸酯基等。該些官能基的組合中，較佳為羥基與異氰酸酯基的組合。較佳為(甲基)丙烯酸系聚合物具有羥基，所述化合物具有異氰酸酯基的情況。作為具有碳-碳雙鍵的異氰酸酯化合物，例如可列舉甲基丙烯醯基異氰酸酯、2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、間異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯等。另外，作為(甲基)丙烯酸系聚合物，可使用含羥基的單體或2-羥基乙基乙烯基醚、4-羥基丁基乙烯基醚、二乙二醇單乙烯基醚的醚系化合物等共聚而成的聚合物。
所述紫外線硬化性黏著劑亦可調配所述紫外線硬化性的單體成分或寡聚物成分。相對於基礎聚合物100質量份，紫外線硬化性的單體成分或寡聚物成分的含量例如較佳為30質量份以下，更佳為10質量份以下。
紫外線硬化性黏著劑較佳為包含光聚合起始劑。作為光聚合起始劑，例如可列舉：4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α,α’-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環己基苯基酮等α-酮系化合物；甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-嗎啉基丙烷-1等苯乙酮系化合物；安息香乙醚、安息香異丙醚、大茴香偶姻甲醚（anisoin methyl ether）等安息香醚系化合物；苄基二甲基縮酮等縮酮系化合物；2-萘磺醯氯等芳香族磺醯氯系化合物；1-苯酮-1,1-丙烷二酮-2-(鄰乙氧基羰基)肟等光活性肟系化合物；二苯甲酮、苯甲醯基苯甲酸、3,3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮系化合物；噻噸酮、2-氯噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2,4-二甲基噻噸酮、異丙基噻噸酮、2,4-二氯噻噸酮、2,4-二乙基噻噸酮、2,4-二異丙基噻噸酮等噻噸酮系化合物；樟腦醌；鹵化酮；醯基膦氧化物；醯基磷酸酯等。
相對於構成黏著劑的(甲基)丙烯酸系聚合物等基礎聚合物100質量份，光聚合起始劑的調配量較佳為0.1質量份以上，更佳為0.5質量份以上，就提高黏著劑的保存性的方面而言，較佳為15質量份以下，更佳為5質量份以下。
凹凸吸收性樹脂層30的厚度若為可將電子零件10的電路形成面10A的凹凸結構埋入的厚度，則並無特別限制，例如較佳為10 μm以上、1000 μm以下，更佳為20 μm以上、900 μm以下，進而佳為30 μm以上、800 μm以下。
另外，於將電子零件10的電路形成面10A存在的凹凸結構的高度設為H[μm]且將凹凸吸收性樹脂層30的厚度設為d[μm]時，H/d較佳為1以下，更佳為0.85以下，進而佳為0.7以下。若H/d為所述上限值以下，則可使黏著性積層膜50的厚度更薄，且使凹凸吸收性更良好。 H/d的下限並無特別限定，例如為0.01以上。凸塊電極的高度一般而言為2 μm以上、600 μm以下。
＜黏著性樹脂層＞ 黏著性樹脂層40為設置於凹凸吸收性樹脂層30的其中一面側的層，是於將黏著性積層膜50貼附於電子零件10的電路形成面10A時，與電子零件10的電路形成面10A接觸而黏著的層。
構成黏著性樹脂層40的黏著劑可列舉：(甲基)丙烯酸系黏著劑、矽酮系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、烯烴系黏著劑、苯乙烯系黏著劑等。該些中，就可容易調整黏接力的方面等而言，較佳為將(甲基)丙烯酸系聚合物作為基礎聚合物的(甲基)丙烯酸系黏著劑。
就抑制對電子零件10的殘膠的觀點而言，黏著性樹脂層40較佳為藉由積層非放射線硬化型的黏著性樹脂層而形成者。作為構成非放射線硬化型的黏著性樹脂層的黏著劑，就對電子零件10的黏接性、剝離後的電子零件10的利用超純水或醇等有機溶劑的清洗性等觀點而言，較佳為將(甲基)丙烯酸系聚合物作為基礎聚合物的(甲基)丙烯酸系黏著劑。
作為(甲基)丙烯酸系聚合物，例如可列舉使用(甲基)丙烯酸烷基酯（例如甲基酯、乙基酯、丙基酯、異丙基酯、丁基酯、異丁基酯、第二丁基酯、第三丁基酯、戊基酯、異戊基酯、己基酯、庚基酯、辛基酯、2-乙基己基酯、異辛基酯、壬基酯、癸基酯、異癸基酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、二十烷基酯等直鏈狀或支鏈狀的烷基酯等）以及(甲基)丙烯酸環烷基酯（例如環戊基酯、環己基酯等）的一種或兩種以上作為單量體成分的聚合物等。
出於凝聚力或耐熱性等的改質的目的，(甲基)丙烯酸系聚合物可根據需要包含和能夠與(甲基)丙烯酸烷基酯或環烷基酯共聚的其他單體成分對應的單元。作為此種單體成分，例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙基酯、(甲基)丙烯酸羧基戊基酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸等含羧基的單體；馬來酸酐、衣康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙基酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁基酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己基酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛基酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸基酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂基酯、(甲基)丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲基酯等含羥基的單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺基丙基酯、(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等含磺酸基的單體；2-羥基乙基丙烯醯基磷酸酯等含磷酸基的單體；丙烯醯胺、丙烯腈、丙烯醯基嗎啉等。該些單體成分可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。於將全部單體成分設為100質量%時，該些可共聚的單體的使用量較佳為50質量%以下。
由於(甲基)丙烯酸系聚合物進行交聯，因此亦可根據需要包含多官能性單體等作為共聚用單體成分。作為此種多官能性單體，例如可列舉：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸環氧基酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。該些多官能性單體可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。於將全部單體成分設為100質量%時，多官能性單體的使用量較佳為30質量%以下。
(甲基)丙烯酸系聚合物可藉由將包含一種或兩種以上的單體成分的混合物聚合而得到。聚合可列舉：溶液聚合、乳化聚合、塊狀聚合、懸浮聚合等。就防止對電子零件10的污染等方面而言，(甲基)丙烯酸系聚合物的數量平均分子量較佳為30萬以上，進而佳為40萬～300萬左右。
另外，於構成非放射線硬化型的黏著性樹脂層的黏著劑中，為了提高作為基礎聚合物的(甲基)丙烯酸系聚合物等的數量平均分子量，亦可使用外部交聯劑。作為外部交聯方法，例如可列舉添加聚異氰酸酯化合物、環氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺系交聯劑等交聯劑進行反應的方法。外部交聯劑的使用量根據基礎聚合物而適當決定，例如，相對於基礎聚合物100質量份，較佳為5質量份以下，更佳為0.01質量份以上、5質量份以下。
構成非放射線硬化型的黏著性樹脂層的黏著劑根據需要可更包含黏著賦予劑、抗老化劑等添加劑。
黏著性樹脂層40的厚度並無特別限制，例如較佳為1 μm以上、100 μm以下，更佳為3 μm以上、50 μm以下。
黏著性樹脂層40例如可藉由在凹凸吸收性樹脂層30上塗佈黏著劑塗佈液而形成。 塗佈黏著劑塗佈液的方法可採用現有公知的塗佈方法，例如：輥塗佈機法、反向輥塗佈機法、凹版輥法、棒塗法、缺角輪塗佈機法、模塗佈機法等。對所塗佈的黏著劑的乾燥條件並無特別限制，一般而言較佳為於80℃～200℃的溫度範圍內乾燥10秒～10分鐘。進而佳為於80℃～170℃下乾燥15秒～5分鐘。為了充分促進交聯劑與黏著劑的交聯反應，亦可於黏著劑塗佈液的乾燥結束後，於40℃～80℃下加熱5小時～300小時左右。
就機械特性與操作性的平衡而言，本實施形態的黏著性積層膜50整體的厚度較佳為25 μm以上、500 μm以下，更佳為50 μm以上、300 μm以下。
本實施形態的黏著性積層膜50可於各層之間設置黏接層（未圖示）。藉由該黏接層，可提高各層之間的黏接性。
本實施形態的黏著性積層膜50例如可藉由在具有基材層20及凹凸吸收性樹脂層30的積層體的凹凸吸收性樹脂層30上積層黏著性樹脂層40而形成。
2.電子裝置的製造方法 繼而，對本實施形態的電子裝置的製造方法的各步驟進行說明。
（步驟（A）） 首先，準備結構體60，所述結構體60包括具有電路形成面10A的電子零件10、以及黏著性積層膜50，所述黏著性積層膜50依次具有基材層20、紫外線硬化型的凹凸吸收性樹脂層30及黏著性樹脂層40，且於電子零件10的電路形成面10A貼附有黏著性積層膜50以保護電路形成面10A。
如圖2所示，此種結構體60例如可藉由進行如下步驟來製作：背面研磨步驟（A1），於在電子零件10的電路形成面10A貼附有背面研磨帶80的狀態下，對電子零件10的與電路形成面10A為相反側的面10C進行背面研磨；於背面研磨步驟（A1）之後，自電子零件10剝離背面研磨帶80的步驟（A2）；以及於電子零件10的電路形成面10A貼附黏著性積層膜50的步驟（A3）。
於背面研磨步驟（A1）中，在貼附於背面研磨帶80的狀態下對電子部件10的與電路形成面10A為相反側的面10C進行背面研磨。 此處，所謂進行背面研磨，是指於不會使電子零件10破裂、或破損的情況下，進行薄化加工至既定的厚度為止。 電子零件10的背面研磨可利用公知的方法進行。例如，可列舉於研削機的夾盤等上固定電子零件10，對電子零件10的與電路形成面10A為相反側的面10C進行研削的方法。 另外，作為背面研磨帶80，並無特別限定，可使用一般公知的背面研磨帶。
背面研削方式並無特別限定，例如可採用貫穿進給（through feed）方式、切入進給（in feed）方式等公知的研削方式。各種研削是一邊將水澆到電子零件10及研磨石上冷卻一邊進行。
作為貼附於背面研磨帶80的電子零件10，只要是具有電路形成面10A的電子零件10，則並無特別限定，例如可列舉：半導體晶圓、模具晶圓、模具面板、模具陣列封裝、半導體基板等。 另外，作為半導體基板，例如可列舉：矽基板、藍寶石基板、鍺基板、鍺-砷基板、鎵-磷基板、鎵-砷-鋁基板、鎵-砷基板、鉭酸鋰基板等。
另外，電子零件10可為任意用途的電子零件，例如可列舉邏輯用途（例如通訊用途、高頻訊號處理用途等）、記憶用途、感測器用途、電源用途的電子零件等。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
電子零件10的電路形成面10A例如包括包含電極的凹凸結構10B。 構成電極的金屬種並無特別限定，例如可列舉：銀、金、銅、錫、鉛、鉍及該些的合金等。該些金屬種可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。
於背面研磨步驟（A1）之後，自電子零件10剝離背面研磨帶80的方法並無特別限定，可利用一般公知的方法進行剝離。 另外，於電子零件10的電路形成面10A貼附黏著性積層膜50的方法亦無特別限定，可利用一般公知的方法進行剝離。例如，可藉由人手進行，亦可藉由安裝有卷狀的黏著性積層膜50的被稱為自動貼附機的裝置進行。
（步驟（B）） 繼而，藉由對黏著性積層膜50照射紫外線，使黏著性積層膜50的凹凸吸收性樹脂層30硬化。藉此，可提高黏著性積層膜50的耐熱性。藉此，即便於步驟（C）中將黏著性積層膜50暴露於高溫下，亦可抑制黏著性積層膜50的變形，因此於高溫真空下的表面處理步驟（C）中，能夠抑制黏著性積層膜50的浮起。
藉由對凹凸吸收性樹脂層30照射紫外線，可使凹凸吸收性樹脂層30交聯並硬化。 紫外線例如自黏著性積層膜50的基材層20側的面照射。
（步驟（C）） 繼而，於真空加熱下，對電子零件10的與電路形成面10A為相反側的面10C進行處理。藉由該表面處理步驟（C），可於電子零件10的與電路形成面10A為相反側的面10C形成表面層70。 作為表面處理步驟（C），只要是於電子裝置的製造步驟中進行的高溫真空下的表面處理，則並無特別限定，例如可列舉：離子注入步驟、金屬膜形成步驟及退火處理步驟等。該些步驟可單獨進行一種，亦可將兩種以上組合進行。 此處，通常於離子注入步驟之後進行退火處理步驟。另外，作為金屬膜形成步驟，可列舉於電子零件10的與電路形成面10A為相反側的面10C形成銅或鋁等的金屬薄膜的步驟（背墊金屬步驟）等。金屬薄膜的形成例如可藉由濺鍍、蒸鍍、鍍敷、化學氣相沈積（Chemical Vapor Deposition，CVD）等來進行。
表面處理步驟（C）中的加熱溫度根據表面處理步驟而適當設定，因此並無特別限定，例如為40℃以上、350℃以下，較佳為100℃以上、350℃以下，更佳為120℃以上、300℃以下。
（步驟（D）） 另外，於本實施形態的電子裝置的製造方法中，亦可於步驟（C）之後進一步進行將電子零件10與黏著性積層膜50剝離的步驟（D）。藉由進行該步驟（D），可自黏著性積層膜50剝離電子零件10。剝離溫度例如為20℃～100℃。 電子零件10與黏著性積層膜50的剝離可利用公知的方法進行。
（其他步驟） 本實施形態的電子裝置的製造方法亦可包括除所述步驟以外的其他步驟。作為其他步驟，可使用電子裝置的製造方法中公知的步驟。
例如，亦可進一步進行切割步驟、晶粒結合步驟、打線接合步驟、倒裝晶片連接步驟、固化加熱測試步驟、雜質活性化退火處理步驟、密封步驟、回流焊步驟等電子零件的製造步驟中一般進行的任意的步驟等。
以上，對本發明的實施形態進行敘述，但該些是本發明的例示，亦可採用所述以外的各種結構。
再者，本發明並不限定於所述實施形態，可達成本發明的目的的範圍內的變形、改良等包括在本發明中。
本申請案主張以2020年2月4日提出申請的日本申請特願2020-016776號為基礎的優先權，並將其揭示的全部內容引入至本申請案中。
10:電子零件 10A:電路形成面 10B:凹凸結構 10C:與電路形成面為相反側的表面 20:基材層 30:凹凸吸收性樹脂層 40:黏著性樹脂層 50:黏著性積層膜 60:結構體 70:表面層 80:背面研磨帶 （A）～（C）、（A2）、（A3）:步驟 （A1）:背面研磨步驟
圖1是示意性表示本發明的實施形態的電子裝置的製造方法的一例的剖面圖。 圖2是示意性表示本發明的實施形態的電子裝置的製造方法的一例的剖面圖。
10:電子零件
10A:電路形成面
10B:凹凸結構
10C:與電路形成面為相反側的表面
20:基材層
30:凹凸吸收性樹脂層
40:黏著性樹脂層
50:黏著性積層膜
60:結構體
70:表面層

Claims (12)

  1. 一種電子裝置的製造方法，包括： 準備步驟（A），準備結構體，所述結構體包括具有電路形成面的電子零件、以及黏著性積層膜，所述黏著性積層膜依次具有包含一層聚酯系樹脂層的基材層、紫外線硬化型的凹凸吸收性樹脂層及黏著性樹脂層，且於所述電子零件的所述電路形成面貼附有所述黏著性積層膜以保護所述電路形成面； 紫外線硬化步驟（B），藉由對所述黏著性積層膜照射紫外線，而使所述黏著性積層膜的所述凹凸吸收性樹脂層硬化；以及 表面處理步驟（C），於真空加熱下，對所述電子零件的與所述電路形成面為相反側的表面進行處理。
  2. 如請求項1所述的電子裝置的製造方法，其中 所述準備步驟（A）包括： 背面研磨步驟，於在所述電子零件的所述電路形成面貼附有背面研磨帶的狀態下，對所述電子零件的與所述電路形成面為相反側的面進行背面研磨； 於所述背面研磨步驟之後，自所述電子零件剝離所述背面研磨帶的步驟；以及 於所述電子零件的所述電路形成面貼附所述黏著性積層膜的步驟。
  3. 如請求項1或請求項2所述的電子裝置的製造方法，其中 所述表面處理步驟（C）包括選自由離子注入步驟、金屬膜形成步驟及退火處理步驟所組成的群組中的一種或兩種以上。
  4. 如請求項1或請求項2所述的電子裝置的製造方法，其中 所述表面處理步驟（C）中的加熱溫度為40℃以上、350℃以下。
  5. 如請求項1或請求項2所述的電子裝置的製造方法，其中 於所述電子零件的所述電路形成面包含凹凸結構。
  6. 如請求項5所述的電子裝置的製造方法，其中 於將所述凹凸結構的高度設為H[μm]，且將所述凹凸吸收性樹脂層的厚度設為d[μm]時，H/d為0.01以上、1以下。
  7. 如請求項1或請求項2所述的電子裝置的製造方法，其中 所述凹凸吸收性樹脂層包含交聯性樹脂。
  8. 如請求項1或請求項2所述的電子裝置的製造方法，其中 所述凹凸吸收性樹脂層的厚度為10 μm以上、1000 μm以下。
  9. 如請求項1或請求項2所述的電子裝置的製造方法，其中 構成所述黏著性樹脂層的黏著劑包含選自(甲基)丙烯酸系黏著劑、矽酮系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、烯烴系黏著劑及苯乙烯系黏著劑中的一種或兩種以上。
  10. 如請求項1或請求項2所述的電子裝置的製造方法，其中 所述黏著性積層膜是藉由在具有所述基材層及所述凹凸吸收性樹脂層的積層體的所述凹凸吸收性樹脂層上積層非放射線硬化型的黏著性樹脂層而形成的膜。
  11. 一種黏著性積層膜，為如請求項1或請求項2所述的電子裝置的製造方法中使用的所述黏著性積層膜，且 依次具有包含一層聚酯系樹脂層的基材層、紫外線硬化型的凹凸吸收性樹脂層及黏著性樹脂層。
  12. 如請求項11所述的黏著性積層膜， 是藉由在具有所述基材層及所述凹凸吸收性樹脂層的積層體的所述凹凸吸收性樹脂層上積層非放射線硬化型的黏著性樹脂層而形成。
TW110103620A 2020-02-04 2021-02-01 電子裝置的製造方法及黏著性積層膜 TW202132506A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020016776 2020-02-04
JP2020-016776 2020-02-04

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202132506A true TW202132506A (zh) 2021-09-01

Family

ID=77199472

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110103620A TW202132506A (zh) 2020-02-04 2021-02-01 電子裝置的製造方法及黏著性積層膜

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JPWO2021157441A1 (zh)
TW (1) TW202132506A (zh)
WO (1) WO2021157441A1 (zh)

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102259854B1 (ko) * 2016-07-26 2021-06-01 미쓰이 가가쿠 토세로 가부시키가이샤 반도체 장치의 제조 방법
WO2019017226A1 (ja) * 2017-07-20 2019-01-24 三井化学東セロ株式会社 電子装置の製造方法
JP7049797B2 (ja) * 2017-09-29 2022-04-07 三井化学東セロ株式会社 粘着性フィルム
SG11202009374YA (en) * 2018-03-30 2020-10-29 Mitsui Chemicals Tohcello Inc Method for manufacturing electronic device

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2021157441A1 (zh) 2021-08-12
WO2021157441A1 (ja) 2021-08-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102532978B1 (ko) 다이싱 다이 본드 필름
KR101688236B1 (ko) 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름
KR101417205B1 (ko) 다이싱ㆍ다이 본드 필름
JP4970863B2 (ja) 被加工物の加工方法
KR101420993B1 (ko) 다이싱·다이본드 필름
KR101370687B1 (ko) 다이싱·다이본드 필름
JP4810565B2 (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法
US20100129986A1 (en) Dicing die-bonding film and process for producing semiconductor device
JP4781185B2 (ja) 耐熱ダイシングテープ又はシート
KR101420902B1 (ko) 다이싱ㆍ다이 본드 필름
WO2013011850A1 (ja) 電子部品の製造方法および該製造方法に用いる粘着シート
JP2011018669A (ja) 半導体ウェハダイシング用粘着シート及び該粘着シートを用いる半導体ウェハのダイシング方法
WO2013172328A1 (ja) 接着性樹脂層付シートおよび半導体装置の製造方法
EP1895581A2 (en) Method of semiconductor wafer back processing, method of substrate back processing, and radiation-curable pressure-sensitive adhesive sheet
KR20150113862A (ko) 다이 본드 필름, 다이싱 시트 부착 다이 본드 필름, 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
JP2012136678A (ja) 放射線硬化型粘着剤組成物及び粘着シート
KR20150113878A (ko) 다이싱 필름, 다이싱·다이본드 필름 및 반도체 장치의 제조 방법
JP2010209158A (ja) 粘着シート及びそれを用いた半導体ウェハの加工方法
JP7252945B2 (ja) 粘着性フィルムおよび電子装置の製造方法
TW202132506A (zh) 電子裝置的製造方法及黏著性積層膜
JP7440633B2 (ja) 電子装置の製造方法
JP7440632B2 (ja) 電子装置の製造方法
WO2022019158A1 (ja) バックグラインド用粘着性フィルムおよび電子装置の製造方法
WO2022019160A1 (ja) 電子装置の製造方法
WO2022019166A1 (ja) 電子装置の製造方法