TW201901775A - 半導體裝置的製造方法及可擴展膠帶 - Google Patents

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Abstract

一種可擴展膠帶1，其用於半導體裝置的製造方法中，所述半導體裝置的製造方法具備膠帶擴展步驟，所述膠帶擴展步驟是藉由對可擴展膠帶1進行加熱並加以延伸而將固定於可擴展膠帶1上的經單片化的半導體晶片2的間隔自100 μm以下加寬至300 μm以上，所述膠帶擴展步驟的加熱溫度下的拉伸應力為10 MPa以下，且室溫下的拉伸應力較所述加熱溫度下的拉伸應力高5 MPa以上。

Description

半導體裝置的製造方法及可擴展膠帶
本發明是有關於一種半導體裝置的製造方法及可擴展膠帶。
近年來，隨著半導體裝置的小型化、高功能化及高積體化，半導體的多針腳化、高密度化及配線的窄間距化不斷發展。因此，可適用以針腳或配線的微細化或低介電常數化為目的的低介電常數（low-K）層之類的脆弱層，伴隨於此要求一種高可靠性化技術。 於此種背景下，能夠實現高可靠性化、高生產化等的晶圓級封裝（Wafer Level Package：WLP）技術不斷發展。 WLP技術以於晶圓狀態下進行組裝並於其最終步驟中藉由切割來將晶圓單片化為特徵。由於以晶圓級一攬進行組裝（進行密封），故為能夠實現高生產化及高可靠性化的技術。 WLP技術中，於半導體晶片的電路面的絕緣膜上形成藉由聚醯亞胺、銅配線等形成再配線圖案的再配線層，並於所述再配線層上搭載金屬墊、焊料球等，從而構成連接端子用凸塊。 WLP中存在晶圓級晶片尺寸封裝（Wafer Level Chip Scale Package，WLCSP）或扇入型晶圓級封裝（Fan In Wafer Level Package，FI-WLP）之類的半導體晶片與封裝面積為相同程度的半導體封裝，以及扇出型晶圓級封裝（Fan Out Wafer Level Package，FO-WLP）之類的封裝面積大於半導體晶片面積且可將端子加寬至晶片的外側為止的半導體封裝。此種半導體封裝中小型化及薄型化急速發展，因此為了確保可靠性，以晶圓級進行密封來保護半導體晶片周邊後，進行再配線層的形成、每一封裝的單片化等。 藉由進行此種晶圓級的密封，並進行之後的二次安裝等操作來確保可靠性。另外，分立半導體（discrete semiconductor）之類的單功能半導體的安裝領域亦是以減少操作時的半導體晶片的裂紋或施加至墊周邊部的壓力（stress）為目的，以晶圓級進行密封來保護半導體晶片周邊後，對各封裝進行單片化並推進至下一步驟（表面安裝技術（Surface Mount Technology，SMT）製程等）。與系統LCI相比，分立半導體多為小型者，為了更高水準地保護半導體晶片，特別要求半導體晶片的5面或6面密封。
且說，為了對半導體晶片的側面進行密封，需要對晶圓進行單片化並製作半導體晶片後，將半導體晶片的間隔加寬。作為將半導體晶片的間隔加寬的方法，提出一種具備將藉由對半導體晶圓進行切割而獲得的經單片化的半導體晶片再配置於載體等的再配置步驟的方法（例如，參照非專利文獻1）。 [現有技術文獻] [非專利文獻]
[非專利文獻1]陳康等人,「利用FlexLine的創新型晶圓級封裝製造（Innovative Wafer Level Packaging Manufacturing with FlexLine）」, 2014 IEEE第十六屆電子封裝技術會議（Electronics Packaging Technology Conference，EPTC）.
[發明所欲解決之課題] 然而，藉由半導體晶片的小型化，各晶圓的半導體晶片數增加，因此使用安裝器、倒裝晶片接合器（flip chip bonder）等對半導體晶片進行再配置的再配置步驟的長時間化成為課題。另外，藉由半導體晶片的薄型化等，於進行再配置步驟中的晶片安裝時，有於晶片產生損傷之虞。
鑒於所述情況，本發明的目的在於提供一種與具有再配置步驟的現有的製程相比而能夠實現短時間化、且對晶片造成的損傷小的半導體裝置的製造方法以及能夠適用於該製造方法中的可擴展膠帶。 [解決課題之手段]
本發明者等人進行了努力研究，結果發現，藉由以下的[1]～[9]中記載的發明，可解決所述課題。 [1] 一種可擴展膠帶，其用於半導體裝置的製造方法中，所述半導體裝置的製造方法具備膠帶擴展步驟，所述膠帶擴展步驟是藉由對可擴展膠帶進行加熱並加以延伸而將固定於該可擴展膠帶上的經單片化的半導體晶片的間隔自100 μm以下加寬至300 μm以上， 膠帶擴展步驟的加熱溫度下的拉伸應力為10 MPa以下，且室溫下的拉伸應力較所述加熱溫度下的拉伸應力高5 MPa以上。 [2] 如[1]所述的可擴展膠帶，其中半導體裝置的製造方法進而具備：張力保持步驟，保持經延伸的可擴展膠帶的張力；轉印步驟，將張力經保持的可擴展膠帶上的半導體晶片轉印至載體；以及剝離步驟，自轉印至載體的半導體晶片剝離可擴展膠帶。 [3] 如[1]或[2]所述的可擴展膠帶，其具有基材層及黏著層。 [4] 如[3]所述的可擴展膠帶，其中黏著層包含紫外線硬化型的黏著劑。 [5] 一種半導體裝置的製造方法，其具備膠帶擴展步驟，所述膠帶擴展步驟是藉由對如[1]至[4]中任一項所述的可擴展膠帶進行加熱並加以延伸而將固定於該可擴展膠帶上的經單片化的半導體晶片的間隔自100 μm以下加寬至300 μm以上。 [6] 一種半導體裝置的製造方法，其製造具有在電路面設有墊的半導體晶片的半導體裝置，所述半導體裝置的製造方法具備： 第1A步驟，準備可擴展膠帶以及將與電路面為相反側的面固定於該可擴展膠帶上的多個半導體晶片； 第2A步驟，藉由對可擴展膠帶進行延伸而將固定於可擴展膠帶上的多個半導體晶片的間隔加寬； 第3A步驟，保持經延伸的可擴展膠帶的張力； 第4A步驟，以多個半導體晶片的電路面固定於載體的方式進行轉印； 第5A步驟，自多個半導體晶片剝離可擴展膠帶； 第6A步驟，藉由密封材對載體上的多個半導體晶片進行密封；以及 第7A步驟，自經密封材密封的多個半導體晶片剝離載體。 [7] 一種半導體裝置的製造方法，其製造具有在電路面設有墊的半導體晶片的半導體裝置，所述半導體裝置的製造方法具備： 第1B步驟，準備可擴展膠帶以及將電路面固定於該可擴展膠帶上的多個半導體晶片； 第2B步驟，藉由對可擴展膠帶進行延伸而將固定於可擴展膠帶上的多個半導體晶片的間隔加寬； 第3B步驟，保持經延伸的可擴展膠帶的張力； 第4B步驟，以多個半導體晶片的與電路面為相反側的面固定於載體的方式進行轉印； 第5B步驟，自多個半導體晶片剝離可擴展膠帶；以及 第6B步驟，藉由密封材對載體上的多個半導體晶片進行密封。 [8] 一種半導體裝置的製造方法，其製造具有在電路面設有墊的半導體晶片的半導體裝置，所述半導體裝置的製造方法具備： 第1C步驟，準備可擴展膠帶以及將與電路面為相反側的面固定於該可擴展膠帶上的多個半導體晶片； 第2C步驟，藉由對可擴展膠帶進行延伸而將固定於可擴展膠帶上的多個半導體晶片的間隔加寬； 第3C步驟，保持經延伸的可擴展膠帶的張力； 第4C步驟，以多個半導體晶片的電路面固定於載體的方式進行轉印； 第5C步驟，自多個半導體晶片剝離可擴展膠帶； 第6C步驟，藉由密封材對載體上的多個半導體晶片進行密封； 第7C步驟，自經密封材密封的多個半導體晶片剝離載體；以及 第8C步驟，將經密封材密封的多個半導體晶片單片化為各半導體晶片，形成多個半導體封裝。 [9] 一種半導體裝置的製造方法，其製造具有在電路面設有墊的半導體晶片的半導體裝置，所述半導體裝置的製造方法具備： 第1D步驟，準備可擴展膠帶以及將電路面固定於該可擴展膠帶上的多個半導體晶片； 第2D步驟，藉由對可擴展膠帶進行延伸而將固定於可擴展膠帶上的多個半導體晶片的間隔加寬； 第3D步驟，保持經延伸的可擴展膠帶的張力； 第4D步驟，以多個半導體晶片的與電路面為相反側的面固定於載體的方式進行轉印； 第5D步驟，自多個半導體晶片剝離可擴展膠帶； 第6D步驟，藉由密封材對載體上的多個半導體晶片進行密封； 第7D步驟，對密封材進行研磨而使墊露出； 第8D步驟，自經密封材密封的多個半導體晶片剝離載體；以及 第9D步驟，將經密封材密封的多個半導體晶片單片化為各半導體晶片，形成多個半導體封裝。 [發明的效果]
根據本發明，可提供一種與具有再配置步驟的現有的製程相比而能夠實現短時間化、且對晶片造成的損傷小的半導體裝置的製造方法以及能夠適用於該製造方法中的可擴展膠帶。
以下，參照圖式並對本實施形態進行詳細說明。以下的說明中，對相同或相當部分標註相同的符號並省略重複的說明。另外，上下左右等位置關係只要無特別說明，則是指基於圖式所示的位置關係。進而，圖式的尺寸比率並不限於圖示的比率。
（半導體裝置的製造方法） [第1半導體裝置的製造方法] 本實施形態的第1半導體裝置的製造方法是製造具有在電路面設有墊的半導體晶片的半導體裝置，所述第1半導體裝置的製造方法具備： 第1A步驟，準備可擴展膠帶以及將與電路面為相反側的面固定於該可擴展膠帶上的多個半導體晶片； 第2A步驟，藉由對可擴展膠帶進行延伸而將固定於可擴展膠帶上的多個半導體晶片的間隔加寬； 第3A步驟，保持經延伸的可擴展膠帶的張力； 第4A步驟，以多個半導體晶片的電路面固定於載體的方式進行轉印； 第5A步驟，自多個半導體晶片剝離可擴展膠帶； 第6A步驟，藉由密封材對載體上的多個半導體晶片進行密封； 第7A步驟，自經密封材密封的多個半導體晶片剝離載體； 第8A步驟，由經密封材密封的多個半導體晶片的墊形成具有再配線圖案的再配線層，於半導體晶片的區域外設置藉由再配線圖案而連接於半導體晶片的連接端子用墊；以及 第9A步驟，將半導體晶片及連接於其的連接端子用墊設為一群組而進行單片化，形成多個半導體封裝。
根據本實施形態的第1半導體裝置的製造方法，能夠製造封裝面積大於半導體晶片面積且可將端子加寬至晶片的外側為止的半導體封裝（FO-WLP）。
FO-WLP亦可於與晶片面積相比而端子數更多的用途中採用，因此用途正逐漸變廣。另外，相對於利用焊料凸塊等將半導體晶片與封裝基板連結並於封裝基板搭載焊料球的倒裝晶片BGA，FO-WLP是自半導體晶片連結至再配線層，並於再配線層設置金屬墊（連接用端子）而搭載焊料球。因此，FO-WLP有助於封裝的小型化及薄型化，進而配線長變短，因此能夠實現傳輸的高速化（高功能化）、由無封裝基板帶來的低成本化。
FO-WLP中，將半導體晶圓切割後，於半導體晶片外經由再配線層來製作連接端子用墊，因此需要將半導體晶片的間隔加寬。作為將半導體晶片的間隔加寬的方法，提出一種具備將藉由對現有半導體晶圓進行切割而獲得的經單片化的半導體晶片再配置於載體等的再配置步驟的方法（例如，參照非專利文獻1）。
然而，藉由半導體晶片的小型化，各晶圓的半導體晶片數增加，因此使用安裝器、倒裝晶片接合器等對半導體晶片進行再配置的再配置步驟的長時間化成為課題。另外，藉由半導體晶片的薄型化等，於進行再配置步驟中的晶片安裝時，有於晶片產生損傷之虞。相對於此，根據本實施形態的第1半導體裝置的製造方法，可消除該些問題。
以下，基於圖1（a）～圖3（c）來對所述的第1A步驟～第9A步驟進行說明。圖1（a）～圖1（d）是用以說明第1A步驟～第4A步驟的一實施形態的示意剖面圖，圖2（a）～圖2（c）是用以說明第5A步驟～第7A步驟的一實施形態的示意剖面圖，圖3（a）～圖3（c）是用以說明第8A步驟及第9A步驟的一實施形態的示意剖面圖。
首先，第1A步驟中，準備可擴展膠帶1以及固定於可擴展膠帶1上的多個半導體晶片2。可擴展膠帶1具有黏著層1a與基材膜1b，黏著層1a與半導體晶片2相接。另外，半導體晶片2具有設有墊（電路）3的電路面，將與電路面為相反側的面固定於可擴展膠帶1（圖1（a））。再者，多個半導體晶片2空開間隔而配置。 第2A步驟中，藉由對可擴展膠帶1進行延伸而將固定於可擴展膠帶1上的多個半導體晶片2的間隔加寬（圖1（b））。 第3A步驟中，使用固定用夾具（jig）4將經延伸的可擴展膠帶1固定，藉此保持可擴展膠帶1的張力（圖1（c））。 第4A步驟中，以多個半導體晶片2的電路面固定於載體5的方式進行轉印（圖1（d））。再者，轉印時可將墊3埋入至載體5中（圖1（d）），亦可僅墊3與載體5相接，於半導體晶片2的電路面與載體5之間存在間隙（未圖示）。 第5A步驟中，自多個半導體晶片2剝離可擴展膠帶1（圖2（a））。 第6A步驟中，藉由密封材6對載體5上的多個半導體晶片2進行密封（圖2（b））。再者，於將墊3埋入至載體5中且半導體晶片2的電路面與載體5相接的情況下，電路面未被密封，半導體晶片的與電路面為相反側的面及4個側面共計5個面被密封（圖2（b））。另一方面，於半導體晶片2的電路面與載體5之間存在對於密封材6流入而言充分的間隙的情況下，電路面亦被密封，半導體晶片的6個面全部被密封（未圖示）。 第7A步驟中，自經密封材6密封的多個半導體晶片2剝離載體5（圖2（c））。 圖3（a）為圖2（c）的放大圖。 第8A步驟中，由經密封材6密封的多個半導體晶片2的墊3形成具有再配線圖案7的再配線層8，於半導體晶片2的區域外設置藉由再配線圖案7而連接於半導體晶片2的連接端子用墊9（圖3（b））。 第9A步驟中，將半導體晶片2及連接於其的連接端子用墊9設為一群組而進行單片化，形成多個半導體封裝10（圖3（c））。 以下，對各步驟進行詳細說明。
＜第1A步驟＞ 準備可擴展膠帶以及固定於可擴展膠帶上的多個半導體晶片的方法並無特別限制。例如，可藉由如下方式來製作：將半導體晶圓層壓於切割膠帶等後，利用刀片或雷射器進行切割而獲得多個經單片化的半導體晶片後，將該些轉印至可擴展膠帶。 切割可藉由利用雷射器形成脆弱層並加以擴展來進行。另外，就省略所述轉印而提高生產性的觀點而言，可將半導體晶圓直接層壓於可擴展膠帶，並利用所述方法對半導體晶圓進行切割來製作。
就生產性提高及低成本化的觀點而言，較佳為初期的半導體的晶片間隔（第2A步驟前的半導體晶片的間隔）窄，且較佳為100 μm以下，更佳為80 μm以下，進而佳為60 μm以下。關於藉由切割的晶圓的切削，所述晶片間隔越寬越浪費半導體晶圓，因此就低成本化的觀點而言，較佳為如所述般窄。於將晶片間隔加寬時，為了不會對半導體晶片施加壓力，初期的半導體晶片的間隔較佳為10 μm以上。若小於10 μm，則多個半導體晶片之間的可擴展膠帶區域少，因此難以變寬。
關於半導體晶片的電路面上的墊的種類，只要為可形成於半導體晶片的電路面上者，則並無特別限定，可為銅凸塊、焊料凸塊等凸塊（突起電極），亦可為Ni/Au鍍敷墊等較平坦的金屬墊。
＜第2A步驟＞ 藉由對可擴展膠帶進行延伸而將多個半導體晶片的間隔加寬。
作為可擴展膠帶的延伸方法，例如有上推方式與拉伸方式。上推方式是藉由將可擴展膠帶固定後，呈規定的形態的平台上昇而使得可擴展膠帶被拉長。拉伸方式是藉由將可擴展膠帶固定後，與所設置的可擴展膠帶面平行地朝規定的方向拉伸來使得可擴展膠帶被拉長的方式。就使半導體晶片的間隔均勻地拉長的方面、及所需的（所佔有的）裝置面積小而緊湊的方面而言，較佳為上推方式。
延伸條件只要對應於可擴展膠帶的特性來適宜設定即可。例如，採用上推方式時的上推量（拉伸量）較佳為10 mm～500 mm，更佳為10 mm～300 mm。若為10 mm以上，則多個半導體晶片的間隔容易變寬，若為500 mm以下，則不易引起半導體晶片的飛散或位置偏移。 溫度亦只要對應於可擴展膠帶特性來適宜設定即可，例如可為10℃～200℃，亦可為10℃～150℃、20℃～100℃。若溫度為10℃以上，則可擴展膠帶容易延伸，若溫度為200℃以下，則不易引起由可擴展膠帶的熱膨脹或低彈性化帶來的應變或鬆弛導致的半導體晶片的位置偏移（可擴展膠帶與半導體晶片間的剝離）、半導體晶片的飛散等。 上推速度亦只要對應於可擴展膠帶特性來適宜設定即可，例如可為0.1 mm/sec～500 mm/sec，亦可為0.1 mm/sec～300 mm/sec、0.1 mm/sec～200 mm/sec。若為0.1 mm/sec以上，則生產性提高。若為500 mm/sec以下，則不易於半導體晶片與可擴展膠帶間產生剝離。
為了確保用於在半導體晶片的區域外設置再配線圖案及連接端子用墊而所需的空間，第2A步驟後的多個半導體晶片的間隔較佳為500 μm以上。經高密度化及高功能化的半導體封裝中再配線層的總數亦增加，因此需要將連接端子用墊設於半導體晶片的更外側。因此，半導體晶片間隔較佳為寬。就所述觀點而言，第2A步驟後的多個半導體晶片的間隔更佳為1 mm以上，進而佳為2 mm以上。上限並無特別限制，可設為5 mm以下。
＜第3A步驟＞ 保持可擴展膠帶的張力，以防止經延伸的可擴展膠帶恢復至原來的狀態。
保持可擴展膠帶的張力的方法只要保持張力並不使半導體晶片的間隔復原，則並無特別限制。例如可列舉：使用夾環（grip ring）（創見科技（Technovision）股份有限公司製造）等固定用夾具進行固定的方法、對可擴展膠帶的外周部進行加熱使其收縮（熱收縮（heat shrink））來保持張力的方法等。
＜第4A步驟＞ 以多個半導體晶片的電路面固定於載體的方式進行轉印（層壓）。層壓方法並無特別限制，可採用輥式層壓機、隔膜（diaphragm）式層壓機、真空輥式層壓機、真空隔膜式層壓機等。
層壓條件只要根據可擴展膠帶、半導體晶片及載體的物性及特性來適宜設定即可。例如，若為輥式層壓機，則可為室溫（25℃）～200℃，較佳為室溫（25℃）～150℃，更佳為室溫（25℃）～100℃。若為室溫以上，則容易將半導體晶片轉印（層壓）至載體，若為200℃以下，則不易引起由可擴展膠帶的熱膨脹或低彈性化帶來的應變或鬆弛導致的半導體晶片的位置偏移（可擴展膠帶與半導體晶片間的剝離）、半導體晶片的飛散等。若為隔膜式的層壓機，則關於溫度條件，與所述的輥式層壓機相同。壓接時間可為5秒～300秒，較佳為5秒～200秒，更佳為5秒～100秒。若為5秒以上，則容易將半導體晶片轉印（層壓）至載體，若為300秒以下，則生產性提高。壓力可為0.1 MPa～3 MPa，較佳為0.1 MPa～2 MPa，更佳為0.1 MPa～1 MPa。若為0.1 MPa以上，則容易將半導體晶片轉印（層壓）至載體，若為2 MPa以下，則可減輕對半導體晶片的損傷。
＜第5A步驟＞ 自多個半導體晶片剝離（去除）可擴展膠帶。
於剝離可擴展膠帶時，需要適宜設定可擴展膠帶與載體、可擴展膠帶與半導體晶片、半導體晶片與載體的密接力，以不使轉印至載體上的半導體晶片發生位置偏移、或自載體剝離。例如較佳為可擴展膠帶與半導體晶片的密接力和半導體晶片與載體的密接力相同或較其小。
可設定為對可擴展膠帶或載體面賦予UV硬化功能並照射UV，藉此密接力（接著力）上昇及下降。該情況下，於UV照射後（追加UV照射步驟）去除可擴展膠帶。例如，可於第3A步驟後照射UV並降低可擴展膠帶的密接力（接著力）後，層壓於載體，將可擴展膠帶自半導體晶片剝離。藉此，可減輕對半導體晶片的壓力，並無位置偏移地順暢地進行轉印。
＜第6A步驟＞ 藉由密封材對載體上的多個半導體晶片進行密封。
密封方法並無特別限制，例如可列舉：壓縮成型（密封材形狀為液狀材、固形材、顆粒材、膜材等）、轉注成型（密封材形狀為液狀材、固形材、顆粒材、膜材等）、膜狀的密封材的層壓等。
就密封材的物性調整的觀點而言，亦可於第6A步驟後添入包括後固化（post cure）的加熱處理步驟。需要於第6A步驟後或追加的所述加熱處理步驟後剝離載體。亦可於剝離時加入加熱處理、UV處理步驟等。於所述步驟後，需要設定載體（載體+黏著層、載體+暫時固定材等）的密接力，以不對半導體晶片及密封材造成損傷地將載體剝離。
＜第7A步驟＞ 自經密封材密封的多個半導體晶片剝離載體。可於剝離載體之前導入藉由加熱處理或UV照射而對與密封材面相接的載體表層施加化學性或機械性變化來容易剝離載體的步驟。
第4A步驟～第7A步驟中，將半導體晶片自可擴展膠帶轉印至載體，藉此可減少對密封步驟等加熱步驟中的耐熱性的危險。例如，若於半導體晶片存在於可擴展膠帶上的狀態下（不使用載體）進行密封，則有產生具有延伸性的可擴展膠帶的應變或熱膨脹帶來的變形等所引起的半導體晶片的位置偏移、飛散等之虞。若發生位置偏移或晶片飛散，則生產性下降而導致高成本化，因此需要將半導體晶片轉印至載體。
＜第8A步驟＞ 由經密封材密封的多個半導體晶片的墊形成具有再配線圖案的再配線層，於半導體晶片的區域外設置藉由再配線圖案而連接於半導體晶片的連接端子用墊。於高密度化及高功能化不斷發展的半導體晶片中，端子間隔窄，因此藉由形成再配線層並於半導體晶片的區域外設置連接端子用墊來將凸塊間隔加寬（FO-WLP）。藉此，對凸塊所施加的壓力下降、絕緣性提高、連接可靠性提高等，從而可靠性提高。本步驟可利用現有公知的方法來進行。
＜第9A步驟＞ 將半導體晶片及連接於其的連接端子用墊設為一群組而進行單片化，形成多個半導體封裝。於利用刀片進行切割的情況下，需要亦將刀片寬（切削而除去的部分）考慮在內於第2A步驟中設定半導體晶片的間隔。本步驟可利用現有公知的方法來進行。
於以小型化及薄型化為目的而使半導體封裝的厚度變薄的情況下，亦可導入背面研磨（backgrind）步驟（削去半導體晶片的電路面的背面側的密封材而變薄的步驟）。背面研磨步驟例如可於第6A步驟後、第7A步驟後或第8A步驟後導入。
其次，對各步驟中所使用的材料進行說明。
（可擴展膠帶） 可用於第1半導體裝置的製造方法中的可擴展膠帶只要具有可將多個半導體晶片的間隔加寬的延伸性，則並無特別限制。較佳為第2A步驟後（將半導體晶片的間隔加寬後）的MD與TD的晶片間隔均勻，但於第6A步驟後（密封後）將半導體晶片及連接於其的連接端子用墊設為一群組而進行單片化時，若能夠於對半導體晶片無損傷的狀態下進行切割（只要刀片不對半導體晶片造成損傷），則MD與TD的寬度亦可不均勻。於切割時MD與TD的切割間隔寬度亦可不相同。其中，較佳為MD的線彼此、TD的線彼此均勻。
可擴展膠帶亦可為大幅有助於延伸性的基材膜（基材層）、控制黏著力的黏著層等多個層結構。
基材膜只要具有延伸性、於張力保持步驟（第3A步驟）後保持半導體晶片間隔的穩定性，則並無特別限制。
基材膜亦可為聚對苯二甲酸乙二酯膜等聚酯系膜；聚四氟乙烯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚甲基戊烯膜、聚乙酸乙烯酯膜、及包含聚-4-甲基戊烯-1等α-烯烴的均聚物及該些的共聚物、以及所述均聚物或所述共聚物的離子聚合物的聚烯烴系膜；聚氯乙烯膜；及聚醯亞胺膜；胺基甲酸酯樹脂膜等各種塑膠膜。所述基材膜並不限於單層膜，亦可為將兩種以上的所述塑膠膜或者兩個以上的同種的塑膠膜組合而獲得的多層膜。
就延伸性的觀點而言，所述基材膜較佳為聚烯烴膜或胺基甲酸酯樹脂膜。基材膜視需要亦可包含抗黏連劑等各種添加劑。
所述基材膜的厚度只要視需要適宜設定即可，較佳為50 μm～500 μm。若較50 μm薄，則延伸性下降，若大於500 μm，則產生容易發生應變或操作性下降等不良情況。
所述基材膜的厚度可於不損及作業性的範圍內適宜選擇。其中，於使用高能量線（其中為紫外線）硬化性黏著劑作為構成黏著層的黏著劑的情況下，需要設為不阻礙所述高能量線的透過的厚度。就此種觀點而言，基材膜的厚度通常可為10 μm～500 μm，較佳為50 μm～400 μm，更佳為70 μm～300 μm。 於由多個基材膜構成基材層的情況下，較佳為以基材層整體的厚度成為所述範圍內的方式調整。為了提高與黏著層的密接性，基材膜視需要亦可為以化學方式或物理方式實施表面處理而成者。作為所述表面處理，例如可列舉：電暈處理、鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、離子化放射線處理等。
黏著層只要可控制黏著力（設定為於各步驟不會產生半導體晶片的位置偏移、飛散），則並無特別限制。
黏著層較佳為包含在室溫下具有黏著力且對於半導體晶片具有密接力的黏著劑成分。作為構成黏著層的黏著劑成分的基礎樹脂的一例，可列舉：丙烯酸系樹脂、合成橡膠、天然橡膠、聚醯亞胺樹脂等。 就減少黏著劑成分的殘糊的觀點而言，所述基礎樹脂較佳為具有可與其他添加劑反應的官能基（羥基、羧基等）。作為黏著劑成分，亦可使用藉由紫外線、放射線等高能量線或熱而硬化的樹脂。於使用此種硬化性樹脂的情況下，可藉由使樹脂進行硬化來使黏著力下降。另外，為了調整黏著力，所述黏著劑成分亦可包含可與所述基礎樹脂的官能基進行交聯反應的交聯劑。交聯劑較佳為具有選自由環氧基、異氰酸酯基、氮丙啶基、及黑色素基所組成的群組中的至少一種官能基。該些交聯劑可單獨使用，亦可併用兩種以上。 另外，於反應速度慢的情況下，視需要亦可使用胺、錫等觸媒。此外，為了調整黏著特性，所述黏著劑成分亦可適宜含有松香系、萜烯樹脂等增黏劑、及各種界面活性劑等任意成分。
黏著層的厚度通常為1 μm～100 μm，較佳為2 μm～50 μm，更佳為5 μm～40 μm。藉由將黏著層的厚度設為1 μm以上，可確保與半導體晶片的充分的黏著力，因此於第2A步驟時（將半導體晶片間隔加寬）容易抑制半導體晶片的飛散。另一方面，即便設為超過100 μm的厚度，特性中亦無優點而不經濟。
若黏著層為10 μm以上，則即便不使用切割膠帶，於可擴展膠帶上切割半導體晶圓，亦不會於基材膜產生損傷（切口等），因此第1A步驟中，可省略於切割膠帶上切割半導體晶圓並轉印至（貼附於）可擴展膠帶的步驟。
（可擴展膠帶的製作方法） 可擴展膠帶可根據該技術領域中眾所周知的技術來製造。例如，可依據以下的方法來製造。利用刮刀塗佈法、輥塗佈法、噴霧塗佈法、凹版塗佈法、棒塗佈法、簾幕式塗佈法等於保護膜上塗敷包含黏著劑成分及溶媒的清漆，並去除溶媒，藉此形成黏著層。具體而言，較佳為於50℃～200℃下進行0.1分鐘～90分鐘的加熱。只要不對各步驟中的空隙產生或黏度調整造成影響，則較佳為設為有機溶媒揮發至1.5%以下為止的條件。 於常溫～60℃的溫度條件下以黏著層與基材膜對向的方式積層所製作的帶黏著層的保護膜與基材膜。
可擴展膠帶（基材膜或基材膜+黏著層）是將保護膜剝離而使用。
作為保護膜，例如可列舉：A-63（帝人杜邦薄膜股份有限公司製造，脫模處理劑：改質矽酮系）、A-31（帝人杜邦薄膜股份有限公司製造，脫模處理劑：Pt系矽酮系）等。 保護膜的厚度可於不損及作業性的範圍內適宜選擇，通常就經濟的觀點而言，較佳為100 μm以下。所述保護膜的厚度較佳為10 μm～75 μm，更佳為25 μm～50 μm。若所述保護膜的厚度為10 μm以上，則於可擴展膠帶的製作時不易產生膜破裂等不良情況。另外，若所述保護膜的厚度為75 μm以下，則可於可擴展膠帶的使用時容易地剝離保護膜。
（載體） 載體只要可耐受轉印時的溫度及壓力（晶片不會破損、晶片間隔不會改變）、且亦可耐受第6A步驟的密封時的溫度及壓力，則並無特別限制。例如，於密封溫度為100℃～200℃的情況下，較佳為具有可耐受所述溫度區域的耐熱性。另外，熱膨脹係數較佳為100 ppm/℃以下，更佳為50 ppm/℃以下，進而佳為20 ppm/℃以下。若熱膨脹係數大，則產生半導體晶片的位置偏移等不良情況。另外，若熱膨脹係數小於半導體晶片，則產生應變或翹曲，因此熱膨脹係數較佳為3 ppm/℃以上。
載體的材質並無特別限制，可列舉：矽（晶圓）、玻璃、SUS、鐵、Cu等的板、玻璃環氧基板等。
載體的厚度可為100 μm～5000 μm，較佳為100 μm～4000 μm，更佳為100 μm～3000 μm。若為100 μm以上，則操作性提高。即便厚亦不會預見特別的操作性提高，自經濟方面考慮，只要為5000 μm以下即可。
載體亦可包含多層。除所述擔負耐熱性及操作性的層以外，就賦予密接力控制的觀點而言，亦有將黏著層或暫時固定材層壓而成的層。密接力只要考慮半導體晶片或可擴展膠帶的密接力來適宜設定即可。厚度亦無特別限制，例如可為1 μm～300 μm，較佳為1 μm～200 μm。藉由設為1 μm以上，可確保與半導體晶片的充分的黏著力。另一方面，即便設為超過300 μm的厚度，特性中亦無優點而不經濟。
（密封材（成型材）） 密封方法並無特別限制，例如可列舉：壓縮成型（密封材形狀為液狀材、固形材、顆粒材、膜材等）、轉注成型（密封材形狀為液狀材、固形材、顆粒材、膜材等）、膜狀的密封材的層壓等。
密封材料形狀、特性及密封條件只要於所述各密封方法中適宜設定即可。於密封時需要適宜設定密封材料形狀、特性及密封條件，以不會使載體上的半導體晶片移動或剝離、不會對半導體晶片造成損傷。
例如，密封溫度較佳為80℃～220℃，更佳為90℃～210℃，進而佳為100℃～200℃。若密封溫度為80℃以上，則可充分抑制半導體晶片周邊的填充不足。若密封溫度為220℃以下，則可防止密封材的硬化過快所引起的未填充、密封後的翹曲量的增加等。
就密封材的物性調整的觀點而言，亦可於密封步驟（第6A步驟）後添入包括後固化的加熱處理步驟。若為後固化，則為100℃～200℃、10分鐘～5小時，根據密封材的硬化特性來設定。於需要以翹曲抑制為目的的加熱處理步驟的情況下，只要於後固化後進而以低於後固化的溫度（200℃以下）進行10分鐘～3小時處理即可。
[第2半導體裝置的製造方法] 本實施形態的第2半導體裝置的製造方法是製造具有在電路面設有墊的半導體晶片的半導體裝置，所述第2半導體裝置的製造方法具備： 第1B步驟，準備可擴展膠帶以及將電路面固定於該可擴展膠帶上的多個半導體晶片； 第2B步驟，藉由對可擴展膠帶進行延伸而將固定於可擴展膠帶上的多個半導體晶片的間隔加寬； 第3B步驟，保持經延伸的可擴展膠帶的張力； 第4B步驟，以多個半導體晶片的與電路面為相反側的面固定於載體的方式進行轉印； 第5B步驟，自多個半導體晶片剝離可擴展膠帶； 第6B步驟，藉由密封材對載體上的多個半導體晶片進行密封； 第7B步驟，對密封材進行研磨而使墊露出； 第8B步驟，自經密封材密封的多個半導體晶片剝離載體； 第9B步驟，由經密封材密封的多個半導體晶片的墊形成具有再配線圖案的再配線層，於半導體晶片的區域外設置藉由再配線圖案而連接於半導體晶片的連接端子用墊；以及 第10B步驟，將半導體晶片及連接於其的連接端子用墊設為一群組而進行單片化，形成多個半導體封裝。
根據本實施形態的第2半導體裝置的製造方法，能夠製造封裝面積大於半導體晶片面積且可將端子加寬至晶片的外側為止的半導體封裝（FO-WLP）。根據本實施形態的第2半導體裝置的製造方法，與本實施形態的第1半導體裝置的製造方法同樣地，可消除現有的FO-WLP的製造方法中的問題。
基於圖4（a）～圖7（c）來對所述的第1B步驟～第10B步驟進行說明。圖4（a）～圖4（d）是用以說明第1B步驟～第4B步驟的一實施形態的示意剖面圖，圖5（a）～圖5（d）是用以說明第5B步驟～第8B步驟的一實施形態的示意剖面圖，圖6（a）、圖6（b）是用以說明第7B步驟及第8B步驟的另一實施形態的示意剖面圖，圖7（a）～圖7（c）是用以說明第9B步驟及第10B步驟的一實施形態的示意剖面圖。
首先，第1B步驟中，準備可擴展膠帶1以及固定於可擴展膠帶1上的多個半導體晶片2。可擴展膠帶1具有黏著層1a與基材膜1b，黏著層1a與半導體晶片2相接。另外，半導體晶片2具有設有墊（電路）3的電路面，將電路面固定於可擴展膠帶1（圖4（a））。再者，多個半導體晶片2空開間隔而配置。另外，於固定時可將墊3埋入至可擴展膠帶1中。 第2B步驟中，藉由對可擴展膠帶1進行延伸而將固定於可擴展膠帶1上的多個半導體晶片2的間隔加寬（圖4（b））。 第3B步驟中，使用固定用夾具4將經延伸的可擴展膠帶1固定，藉此保持可擴展膠帶1的張力（圖4（c））。 第4B步驟中，以多個半導體晶片2的與電路面為相反側的面固定於載體5的方式進行轉印（圖4（d））。 第5B步驟中，自多個半導體晶片2剝離可擴展膠帶1（圖5（a））。 第6B步驟中，藉由密封材6對載體5上的多個半導體晶片2進行密封（圖5（b））。此時，半導體晶片2的與電路面為相反側的面與載體5相接，因此該面未被密封，半導體晶片2的電路面及4個側面共計5個面被密封。 第7B步驟中，對密封材6進行研磨而使墊3露出。 第8B步驟中，自經密封材6密封的多個半導體晶片2剝離載體5。 再者，第7B步驟與第8B步驟的順序可調換。即，可於對密封材6進行研磨而使墊3露出（圖5（c））後，自經密封材6密封的多個半導體晶片2剝離載體5（圖5（d）），亦可於自經密封材6密封的多個半導體晶片2剝離載體5（圖6（a））後，對密封材6進行研磨而使墊3露出（圖6（b））。 圖7（a）為圖5（d）或圖6（b）的放大圖。 第9B步驟中，由經密封材6密封的多個半導體晶片2的墊3形成具有再配線圖案7的再配線層8，於半導體晶片2的區域外設置藉由再配線圖案7而連接於半導體晶片2的連接端子用墊9（圖7（b））。 第10B步驟中，將半導體晶片2及連接於其的連接端子用墊9設為一群組而進行單片化，形成多個半導體封裝10（圖7（c））。
再者，所述第1B步驟～第6B步驟可分別利用與所述第1A步驟～第6A步驟相同的方法來實施，第8B步驟～第10B步驟可分別利用與所述第7A步驟～第9A步驟相同的方法來實施。第7B步驟中，對密封材進行研磨而使墊露出。研磨可使用現有公知的研磨裝置等來進行。再者，於第6B步驟中可在電路面的墊露出的狀態下進行密封時，亦可未必設置第7B步驟。
另外，作為各步驟中所使用的材料，可使用與第1半導體裝置的製造方法中的材料相同者，關於載體5，就保護半導體晶片的與電路面為相反側的面的觀點而言，亦可將於所述擔負耐熱性及操作性的層上具有藉由塗敷、旋轉塗佈、層壓等積層密封材及能夠保護晶片的材料而成的層者設為載體。
[第3半導體裝置的製造方法] 本實施形態的第3半導體裝置的製造方法是製造具有在電路面設有墊的半導體晶片的半導體裝置，所述第3半導體裝置的製造方法具備： 第1C步驟，準備可擴展膠帶以及將與電路面為相反側的面固定於該可擴展膠帶上的多個半導體晶片； 第2C步驟，藉由對可擴展膠帶進行延伸而將固定於可擴展膠帶上的多個半導體晶片的間隔加寬； 第3C步驟，保持經延伸的可擴展膠帶的張力； 第4C步驟，以多個半導體晶片的電路面固定於載體的方式進行轉印； 第5C步驟，自多個半導體晶片剝離可擴展膠帶； 第6C步驟，藉由密封材對載體上的多個半導體晶片進行密封； 第7C步驟，自經密封材密封的多個半導體晶片剝離載體；以及 第8C步驟，將經密封材密封的多個半導體晶片單片化為各半導體晶片，形成多個半導體封裝。
以下，基於圖8（a）～圖10（e）來對所述的第1C步驟～第8C步驟進行說明。圖8（a）～圖8（d）是用以說明第1C步驟～第4C步驟的一實施形態的示意剖面圖，圖9（a）～圖9（d）是用以說明第5C步驟～第8C步驟的一實施形態的示意剖面圖，圖10（a）～圖10（e）是用以說明第4C步驟～第8C步驟的另一實施形態的示意剖面圖。
首先，第1C步驟中，準備可擴展膠帶1以及固定於可擴展膠帶1上的多個半導體晶片2。可擴展膠帶1具有黏著層1a與基材膜1b，黏著層1a與半導體晶片2相接。另外，半導體晶片2具有設有墊（電路）3的電路面，將與電路面為相反側的面固定於可擴展膠帶1（圖8（a））。再者，多個半導體晶片2空開間隔而配置。 第2C步驟中，藉由對可擴展膠帶1進行延伸而將固定於可擴展膠帶1上的多個半導體晶片2的間隔加寬（圖8（b））。 第3C步驟中，使用固定用夾具4將經延伸的可擴展膠帶1固定，藉此保持可擴展膠帶1的張力（圖8（c））。 第4C步驟中，以多個半導體晶片2的電路面固定於載體5的方式進行轉印。再者，轉印時可將墊3完全埋入至載體5中，將半導體晶片2的電路面與載體5相接（圖8（d）），亦可僅將墊3的一部分埋入至載體5中，或僅墊3的端面與載體5相接，於半導體晶片2的電路面與載體5之間存在間隙（圖10（a））。 第5C步驟中，自多個半導體晶片2剝離可擴展膠帶1（圖9（a）或圖10（b））。 第6C步驟中，藉由密封材6對載體5上的多個半導體晶片2進行密封。再者，於第5C步驟後半導體晶片2的電路面與載體5相接的情況下（圖9（a）），電路面未被密封，半導體晶片2的與電路面為相反側的面及4個側面共計5個面被密封（圖9（b））。另一方面，於第5C步驟後在半導體晶片2的電路面與載體5之間存在對於密封材6流入而言充分的間隙的情況下（圖10（b）），電路面亦被密封，半導體晶片2的6個面全部被密封（圖10（c））。 第7C步驟中，自經密封材6密封的多個半導體晶片2剝離載體5（圖9（c）或圖10（d））。 第8C步驟中，將經密封材6密封的多個半導體晶片2單片化為各半導體晶片2，形成多個半導體封裝10（圖9（d）或圖10（e））。 以下，對各步驟進行詳細說明。
＜第1C步驟＞ 準備可擴展膠帶以及固定於可擴展膠帶上的多個半導體晶片的方法並無特別限制。例如，可藉由如下方式來製作：將半導體晶圓層壓於切割膠帶等後，利用刀片或雷射器進行切割而獲得多個經單片化的半導體晶片後，將該些轉印至可擴展膠帶。 切割可藉由利用雷射器形成脆弱層並加以擴展來進行。另外，就省略所述轉印而提高生產性的觀點而言，可將半導體晶圓直接層壓於可擴展膠帶，並利用所述方法對半導體晶圓進行切割來製作。
就生產性提高及低成本化的觀點而言，較佳為初期的半導體的晶片間隔（第2C步驟前的半導體晶片的間隔）窄，且較佳為100 μm以下，更佳為80 μm以下，進而佳為60 μm以下。關於藉由切割的晶圓的切削，所述晶片間隔越寬越浪費半導體晶圓，因此就低成本化的觀點而言，較佳為如所述般窄。於將晶片間隔加寬時，為了不會對半導體晶片施加壓力，初期的半導體晶片的間隔較佳為10 μm以上。若小於10 μm，則多個半導體晶片之間的可擴展膠帶區域少，因此難以變寬。
關於半導體晶片的電路面上的墊的種類，只要為可形成於半導體晶片的電路面上者，則並無特別限定，可為銅凸塊、焊料凸塊等凸塊（突起電極），亦可為Ni/Au鍍敷墊等較平坦的金屬墊。
＜第2C步驟＞ 藉由對可擴展膠帶進行延伸來將多個半導體晶片的間隔加寬。
作為可擴展膠帶的延伸方法，例如有上推方式與拉伸方式。上推方式是藉由將可擴展膠帶固定後，呈規定的形態的平台上昇而使得可擴展膠帶被拉長。拉伸方式是藉由將可擴展膠帶固定後，與所設置的可擴展膠帶面平行地朝規定的方向拉伸來使得可擴展膠帶被拉長的方式。就使半導體晶片的間隔均勻地拉長的方面、及所需的（所佔有的）裝置面積小而緊湊的方面而言，較佳為上推方式。
延伸條件只要對應於可擴展膠帶的特性來適宜設定即可。例如，採用上推方式時的上推量（拉伸量）較佳為10 mm～500 mm，更佳為10 mm～300 mm。若為10 mm以上，則多個半導體晶片的間隔容易變寬，若為500 mm以下，則不易引起半導體晶片的飛散或位置偏移。 溫度亦只要對應於可擴展膠帶特性來適宜設定即可，例如可為10℃～200℃，亦可為10℃～150℃、20℃～100℃。若溫度為10℃以上，則可擴展膠帶容易延伸，若溫度為200℃以下，則不易引起由可擴展膠帶的熱膨脹或低彈性化帶來的應變或鬆弛導致的半導體晶片的位置偏移（可擴展膠帶與半導體晶片間的剝離）、半導體晶片的飛散等。 上推速度亦只要對應於可擴展膠帶特性來適宜設定即可，例如可為0.1 mm/sec～500 mm/sec，亦可為0.1 mm/sec～300 mm/sec、0.1 mm/sec～200 mm/sec。若為0.1 mm/sec以上，則生產性提高。若為500 mm/sec以下，則不易於半導體晶片與可擴展膠帶間產生剝離。
就密封步驟（第6C步驟）中藉由密封材更確實地保護半導體晶片的側面的觀點而言，第2C步驟後的多個半導體晶片的間隔較佳為300 μm以上。就操作性的觀點而言，第2C步驟後的多個半導體晶片的間隔更佳為500 μm以上，進而佳為1 mm以上。上限並無特別限制，可設為5 mm以下。
＜第3C步驟＞ 保持可擴展膠帶的張力，以防止經延伸的可擴展膠帶恢復至原來的狀態。
保持可擴展膠帶的張力的方法只要保持張力並不使半導體晶片的間隔復原，則並無特別限制。例如可列舉：使用夾環（創見科技（Technovision）股份有限公司製造）等固定用夾具進行固定的方法、對可擴展膠帶的外周部進行加熱使其收縮（熱收縮）來保持張力的方法等。
＜第4C步驟＞ 以多個半導體晶片的電路面固定於載體的方式進行轉印（層壓）。層壓方法並無特別限制，可採用輥式層壓機、隔膜式層壓機、真空輥式層壓機、真空隔膜式層壓機等。
層壓條件只要根據可擴展膠帶、半導體晶片及載體的物性及特性來適宜設定即可。例如，若為輥式層壓機，則可為室溫（25℃）～200℃，較佳為室溫（25℃）～150℃，更佳為室溫（25℃）～100℃。若為室溫以上，則容易將半導體晶片轉印（層壓）至載體，若為200℃以下，則不易引起由可擴展膠帶的熱膨脹或低彈性化帶來的應變或鬆弛導致的半導體晶片的位置偏移（可擴展膠帶與半導體晶片間的剝離）、半導體晶片的飛散等。若為隔膜式的層壓機，則關於溫度條件，與所述的輥式層壓機相同。壓接時間可為5秒～300秒，較佳為5秒～200秒，更佳為5秒～100秒。若為5秒以上，則容易將半導體晶片轉印（層壓）至載體，若為300秒以下，則生產性提高。壓力可為0.1 MPa～3 MPa，較佳為0.1 MPa～2 MPa，更佳為0.1 MPa～1 MPa。若為0.1 MPa以上，則容易將半導體晶片轉印（層壓）至載體，若為2 MPa以下，則可減輕對半導體晶片的損傷。
＜第5C步驟＞ 自多個半導體晶片剝離（去除）可擴展膠帶。
於剝離可擴展膠帶時，需要適宜設定可擴展膠帶與載體、可擴展膠帶與半導體晶片、半導體晶片與載體的密接力，以不使轉印至載體上的半導體晶片發生位置偏移、或自載體剝離。例如較佳為可擴展膠帶與半導體晶片的密接力和半導體晶片與載體的密接力相同或較其小。
可設定為對可擴展膠帶或載體面賦予UV硬化功能並照射UV，藉此密接力（接著力）上昇及下降。該情況下，於UV照射後（追加UV照射步驟）去除可擴展膠帶。例如，可於第3C步驟後照射UV並降低可擴展膠帶的密接力（接著力）後，層壓於載體，將可擴展膠帶自半導體晶片剝離。藉此，可減輕對半導體晶片的壓力，並無位置偏移地順暢地進行轉印。
＜第6C步驟＞ 藉由密封材對載體上的多個半導體晶片進行密封。
密封方法並無特別限制，例如可列舉：壓縮成型（密封材形狀為液狀材、固形材、顆粒材、膜材等）、轉注成型（密封材形狀為液狀材、固形材、顆粒材、膜材等）、膜狀的密封材的層壓等。
就密封材的物性調整的觀點而言，亦可於第6C步驟後添入包括後固化的加熱處理步驟。需要於第6C步驟後或追加的所述加熱處理步驟後剝離載體。亦可於剝離時加入加熱處理、UV處理步驟等。於所述步驟後，需要設定載體（載體+黏著層、載體+暫時固定材等）的密接力，以不對半導體晶片及密封材造成損傷地將載體剝離。
＜第7C步驟＞ 自經密封材密封的多個半導體晶片剝離載體。可於剝離載體之前導入藉由加熱處理或UV照射而對與密封材面相接的載體表層施加化學性或機械性變化來容易剝離載體的步驟。
第4C步驟～第7C步驟中，將半導體晶片自可擴展膠帶轉印至載體，藉此可減少對密封步驟等加熱步驟中的耐熱性的危險。例如，若於半導體晶片存在於可擴展膠帶上的狀態下（不使用載體）進行密封，則有產生具有延伸性的可擴展膠帶的應變或熱膨脹帶來的變形等所引起的半導體晶片的位置偏移、飛散等之虞。若發生位置偏移或晶片飛散，則生產性下降而導致高成本化，因此需要將半導體晶片轉印至載體。
＜第8C步驟＞ 將經密封材密封的多個半導體晶片單片化為各半導體晶片，形成多個半導體封裝。本步驟可利用現有公知的方法來進行。
於利用刀片進行切割的情況下，需要亦將刀片寬（切削而除去的部分）考慮在內於第2C步驟中設定半導體晶片的間隔。例如於欲在半導體晶片的側面殘留50 μm厚的密封材的情況下，於切割刀片寬為250 μm時，只要以第2C步驟後的多個半導體晶片的間隔成為350 μm的方式設定可擴展膠帶的特性及上推條件（擴展條件）即可。
半導體晶片的尺寸並無特別限制，就對利用密封材的保護而言所需的尺寸的觀點而言，較佳為□20 mm以下，更佳為□15 mm以下，進而佳為□10 mm以下。
於以小型化及薄型化為目的而使半導體封裝的厚度變薄的情況下，亦可導入背面研磨步驟（削去半導體晶片的電路面的背面側的密封材而變薄的步驟）。背面研磨步驟例如可於第6C步驟後或第7C步驟後導入。
另外，第6C步驟中以半導體晶片的電路面被覆蓋的方式進行密封（6個面密封）的情況下，亦可導入藉由背面研磨來使墊露出的背面研磨步驟（削去電路面側的密封材）。
再者，作為各步驟中所使用的材料，可使用與第1半導體裝置的製造方法中的材料相同者。
[第4半導體裝置的製造方法] 本實施形態的第4半導體裝置的製造方法是製造具有在電路面設有墊的半導體晶片的半導體裝置，所述第4半導體裝置的製造方法具備： 第1D步驟，準備可擴展膠帶以及將電路面固定於該可擴展膠帶上的多個半導體晶片； 第2D步驟，藉由對可擴展膠帶進行延伸而將固定於可擴展膠帶上的多個半導體晶片的間隔加寬； 第3D步驟，保持經延伸的可擴展膠帶的張力； 第4D步驟，以多個半導體晶片的與電路面為相反側的面固定於載體的方式進行轉印； 第5D步驟，自多個半導體晶片剝離可擴展膠帶； 第6D步驟，藉由密封材對載體上的多個半導體晶片進行密封； 第7D步驟，對密封材進行研磨而使墊露出； 第8D步驟，自經密封材密封的多個半導體晶片剝離載體；以及 第9D步驟，將經密封材密封的多個半導體晶片單片化為各半導體晶片，形成多個半導體封裝。
以下，基於圖11（a）～圖13（b）來對所述的第1D步驟～第9D步驟進行說明。圖11（a）～圖11（d）是用以說明第1D步驟～第4D步驟的一實施形態的示意剖面圖，圖12（a）～圖12（e）是用以說明第5D步驟～第9D步驟的一實施形態的示意剖面圖，圖13（a）、圖13（b）是用以說明第7D步驟及第8D步驟的另一實施形態的示意剖面圖。
首先，第1D步驟中，準備可擴展膠帶1以及固定於可擴展膠帶1上的多個半導體晶片2。可擴展膠帶1具有黏著層1a與基材膜1b，黏著層1a與半導體晶片2相接。另外，半導體晶片2具有設有墊（電路）3的電路面，將電路面固定於可擴展膠帶1（圖11（a））。再者，多個半導體晶片2空開間隔而配置。另外，於固定時可將墊3埋入至可擴展膠帶1中。 第2D步驟中，藉由對可擴展膠帶1進行延伸而將固定於可擴展膠帶1上的多個半導體晶片2的間隔加寬（圖11（b））。 第3D步驟中，使用固定用夾具4將經延伸的可擴展膠帶1固定，藉此保持可擴展膠帶1的張力（圖11（c））。 第4D步驟中，以多個半導體晶片2的與電路面為相反側的面固定於載體5的方式進行轉印（圖11（d））。 第5D步驟中，自多個半導體晶片2剝離可擴展膠帶1（圖12（a））。 第6D步驟中，藉由密封材6對載體5上的多個半導體晶片2進行密封（圖12（b））。此時，半導體晶片2的與電路面為相反側的面與載體5相接，因此該面未被密封，半導體晶片2的電路面及4個側面共計5個面被密封。 第7D步驟中，對密封材6進行研磨而使墊3露出。 第8D步驟中，自經密封材6密封的多個半導體晶片2剝離載體5。 再者，第7D步驟與第8D步驟的順序可調換。即，可於對密封材6進行研磨而使墊3露出（圖12（c））後，自經密封材6密封的多個半導體晶片2剝離載體5（圖12（d）），亦可於自經密封材6密封的多個半導體晶片2剝離載體5（圖13（a））後，對密封材6進行研磨而使墊3露出（圖13（b））。 第9D步驟中，將經密封材6密封的多個半導體晶片2單片化為各半導體晶片2，形成多個半導體封裝10（圖12（e））。
再者，所述第1D步驟～第6D步驟可分別利用與所述第1C步驟～第6C步驟相同的方法來實施，第8D步驟及第9D步驟可分別利用與所述第7C步驟及第8C步驟相同的方法來實施。第7D步驟中，對密封材進行研磨而使墊露出。研磨可使用現有公知的研磨裝置等來進行。再者，於第6D步驟中可在電路面的墊露出的狀態下進行密封時，亦可未必設置第7D步驟。
另外，作為各步驟中所使用的材料，可使用與第1半導體裝置的製造方法中的材料相同者，關於載體5，就保護半導體晶片的與電路面為相反側的面的觀點而言，亦可將於所述擔負耐熱性及操作性的層上具有藉由塗敷、旋轉塗佈、層壓等積層密封材及能夠保護晶片的材料而成的層者設為載體。
[第5半導體裝置的製造方法] 本實施形態的第5半導體裝置的製造方法具備膠帶擴展步驟，所述膠帶擴展步驟是藉由對可擴展膠帶進行加熱並加以延伸，將固定於該可擴展膠帶上的經單片化的半導體晶片的間隔自100 μm以下加寬至300 μm以上。本實施形態的半導體裝置的製造方法亦可進而具備：張力保持步驟，保持經延伸的可擴展膠帶的張力；轉印步驟，將張力經保持的可擴展膠帶上的半導體晶片轉印至載體；以及剝離步驟，自轉印至載體的半導體晶片剝離可擴展膠帶。以下，對各步驟進行說明。
圖14（a）～圖14（e）是用以說明第5半導體裝置的製造方法的一實施形態的示意剖面圖，圖15（a）～圖15（e）是用以說明第5半導體裝置的製造方法的另一實施形態的示意剖面圖。
首先，準備固定有經單片化的半導體晶片2的可擴展膠帶1（以下，亦稱為「準備步驟」）。可擴展膠帶1具有黏著層1a與基材膜1b，黏著層1a與半導體晶片2相接。另外，半導體晶片2具有設有墊（電路）3的電路面。半導體晶片2中可將與電路面為相反側的面固定於可擴展膠帶1（圖14（a）），亦可將電路面固定於可擴展膠帶1（圖15（a））。 膠帶擴展步驟中，藉由對可擴展膠帶1進行加熱並加以延伸，將固定於可擴展膠帶1上的半導體晶片2的間隔加寬（圖14（b）或圖15（b））。 張力保持步驟中，使用固定用夾具4將經延伸的可擴展膠帶1固定，藉此保持可擴展膠帶1的張力（圖14（c）或圖15（c））。 轉印步驟中，將半導體晶片2轉印至載體5。準備步驟中，於將半導體晶片2的與電路面為相反側的面固定於可擴展膠帶1的情況下，藉由所述轉印而將電路面固定於載體5（圖14（d）），於將半導體晶片2的電路面固定於可擴展膠帶1的情況下，藉由所述轉印而將與電路面為相反側的面固定於載體5（圖15（d））。 剝離步驟中，自半導體晶片2剝離可擴展膠帶1（圖14（e）或圖15（e））。 以下，對各步驟進行詳細說明。
＜準備步驟＞ 準備固定有經單片化的半導體晶片的可擴展膠帶的方法並無特別限制。例如，可藉由如下方式來製作：將半導體晶圓層壓於切割膠帶等後，利用刀片或雷射器進行切割而獲得多個經單片化的半導體晶片後，將該些轉印至可擴展膠帶。 切割可藉由利用雷射器形成脆弱層並加以擴展來進行。另外，就省略所述轉印而提高生產性的觀點而言，可將半導體晶圓直接層壓於可擴展膠帶，並利用所述方法對半導體晶圓進行切割來製作。
就生產性提高及低成本化的觀點而言，較佳為初期的半導體的晶片間隔（膠帶擴展步驟前的半導體晶片的間隔）窄，且為100 μm以下，較佳為80 μm以下，更佳為60 μm以下。關於藉由切割的晶圓的切削，所述晶片間隔越寬越浪費半導體晶圓，因此就低成本化的觀點而言，較佳為如所述般窄。於將晶片間隔加寬時，為了不會對半導體晶片施加壓力，初期的半導體晶片的間隔較佳為10 μm以上。若小於10 μm，則多個半導體晶片之間的可擴展膠帶區域少，因此難以變寬。
關於半導體晶片的電路面上的墊的種類，只要為可形成於半導體晶片的電路面上者，則並無特別限定，可為銅凸塊、焊料凸塊等凸塊（突起電極），亦可為Ni/Au鍍敷墊等較平坦的金屬墊。
＜膠帶擴展步驟＞ 藉由對可擴展膠帶進行加熱並加以延伸，將固定於該可擴展膠帶上的經單片化的半導體晶片的間隔加寬。
作為可擴展膠帶的延伸方法，例如有上推方式與拉伸方式。上推方式是藉由將可擴展膠帶固定後，呈規定的形態的平台上昇而使得可擴展膠帶被拉長。拉伸方式是藉由將可擴展膠帶固定後，與所設置的可擴展膠帶面平行地朝規定的方向拉伸來使得可擴展膠帶被拉長的方式。就使半導體晶片的間隔均勻地拉長的方面、及所需的（所佔有的）裝置面積小而緊湊的方面而言，較佳為上推方式。
延伸條件只要對應於可擴展膠帶的特性來適宜設定即可。例如，採用上推方式時的上推量（拉伸量）較佳為10 mm～500 mm，更佳為10 mm～300 mm。若為10 mm以上，則多個半導體晶片的間隔容易變寬，若為500 mm以下，則不易引起半導體晶片的飛散或位置偏移。 加熱溫度亦只要對應於可擴展膠帶特性來適宜設定即可，例如可為25℃～200℃。更佳為25℃～150℃，進而佳為30℃～100℃。若溫度為25℃以上，則可擴展膠帶容易延伸，若溫度為200℃以下，則不易引起由可擴展膠帶的熱膨脹或低彈性化帶來的應變或鬆弛導致的半導體晶片的位置偏移（可擴展膠帶與半導體晶片間的剝離）、半導體晶片的飛散等。 上推速度亦只要對應於可擴展膠帶特性來適宜設定即可，例如可為0.1 mm/sec～500 mm/sec，亦可為0.1 mm/sec～300 mm/sec、0.1 mm/sec～200 mm/sec。若為0.1 mm/sec以上，則生產性提高。若為500 mm/sec以下，則不易於半導體晶片與可擴展膠帶間產生剝離。
膠帶擴展步驟後的半導體晶片的間隔只要為300 μm以上即可，可對應於用途來選擇適當的間隔。 FO-WLP用途中，為了確保用於在半導體晶片的區域外設置再配線圖案及連接端子用墊而所需的空間，較佳為500 μm以上。經高密度化及高功能化的半導體封裝中再配線層的總數亦增加，因此需要將連接端子用墊設於半導體晶片的更外側。因此，半導體晶片間隔較佳為寬。就所述觀點而言，膠帶擴展步驟後的多個半導體晶片的間隔較佳為1 mm以上，更佳為2 mm以上。另外，於FI-WLP用途或分立半導體晶片安裝用途中，就密封步驟中藉由密封材更確實地保護半導體晶片的側面的觀點而言，膠帶擴展步驟後的半導體晶片的間隔為300 μm以上。就操作性的觀點而言，膠帶擴展步驟後的多個半導體晶片的間隔較佳為500 μm以上，更佳為1 mm。再者，膠帶擴展步驟後的半導體晶片的間隔的上限並無特別限制，可設為5 mm以下。
＜張力保持步驟＞ 保持可擴展膠帶的張力，以防止經延伸的可擴展膠帶恢復至原來的狀態。
保持可擴展膠帶的張力的方法只要保持張力並不使半導體晶片的間隔復原，則並無特別限制。例如可列舉：使用夾環（創見科技（Technovision）股份有限公司製造）等固定用夾具進行固定的方法、對可擴展膠帶的外周部進行加熱使其收縮（熱收縮）來保持張力的方法等。
＜轉印步驟＞ 以半導體晶片固定於載體的方式進行轉印（層壓）。層壓方法並無特別限制，可採用輥式層壓機、隔膜式層壓機、真空輥式層壓機、真空隔膜式層壓機等。
層壓條件只要根據可擴展膠帶、半導體晶片及載體的物性及特性來適宜設定即可。例如，若為輥式層壓機，則可為室溫（25℃）～200℃，較佳為室溫（25℃）～150℃，更佳為室溫（25℃）～100℃。若為室溫以上，則容易將半導體晶片轉印（層壓）至載體，若為200℃以下，則不易引起由可擴展膠帶的熱膨脹或低彈性化帶來的應變或鬆弛導致的半導體晶片的位置偏移（可擴展膠帶與半導體晶片間的剝離）、半導體晶片的飛散等。若為隔膜式的層壓機，則關於溫度條件，與所述的輥式層壓機相同。壓接時間可為5秒～300秒，較佳為5秒～200秒，更佳為5秒～100秒。若為5秒以上，則容易將半導體晶片轉印（層壓）至載體，若為300秒以下，則生產性提高。壓力可為0.1 MPa～3 MPa，較佳為0.1 MPa～2 MPa，更佳為0.1 MPa～1 MPa。若為0.1 MPa以上，則容易將半導體晶片轉印（層壓）至載體，若為2 MPa以下，則可減輕對半導體晶片的損傷。
將半導體晶片自可擴展膠帶轉印至載體，藉此可減少對後述的密封步驟等加熱步驟中的耐熱性的危險。
＜剝離步驟＞ 自半導體晶片剝離（去除）可擴展膠帶。
於剝離可擴展膠帶時，需要適宜設定可擴展膠帶與載體、可擴展膠帶與半導體晶片、半導體晶片與載體的密接力，以不使轉印至載體上的半導體晶片發生位置偏移、或自載體剝離。例如可擴展膠帶與半導體晶片的密接力較佳為和半導體晶片與載體的密接力相同或較其小。
可設定為對可擴展膠帶或載體面賦予紫外線（UV）硬化功能並照射UV，藉此密接力（接著力）上昇及下降。該情況下，於UV照射後（追加UV照射步驟）去除可擴展膠帶。例如，可於張力保持步驟後照射UV並降低可擴展膠帶的密接力（接著力）後，層壓於載體，將可擴展膠帶自半導體晶片剝離。藉此，可減輕對半導體晶片的壓力，並無位置偏移地順暢地進行轉印。
＜密封步驟＞ 半導體裝置的製造方法亦可於剝離步驟後進而具備藉由密封材對固定於載體上的半導體晶片進行密封的密封步驟（未圖示）。根據本實施形態的半導體裝置的製造方法，於半導體晶片彼此之間存在充分的間隔，因此半導體晶片的4個側面及與未固定於載體上的面為相反側的面共計5個面至少被密封。另外，根據本實施形態的半導體裝置的製造方法，可於膠帶擴展步驟中充分地將半導體晶片的間隔加寬，因此即便無再配置步驟，亦可將密封步驟後的半導體晶片適用於所述的WLP技術中。
再者，密封步驟亦可為於張力保持步驟後藉由密封材對固定於可擴展膠帶上的半導體晶片進行密封的密封步驟。
密封方法並無特別限制，例如可列舉：壓縮成型（密封材形狀為液狀材、固形材、顆粒材、膜材等）、轉注成型（密封材形狀為液狀材、固形材、顆粒材、膜材等）、膜狀的密封材的層壓等。
就密封材的物性調整的觀點而言，亦可於密封步驟後添入包括後固化的加熱處理步驟。需要於密封步驟後或追加的所述加熱處理步驟後剝離載體。亦可於剝離時加入加熱處理、UV處理步驟等。於所述步驟後，需要設定載體（載體+黏著層、載體+暫時固定材等）的密接力，以不對半導體晶片及密封材造成損傷地將載體剝離。
於以小型化及薄型化為目的而使半導體封裝的厚度變薄的情況下，亦可於密封步驟後導入背面研磨步驟（削去半導體晶片的電路面的背面側的密封材而變薄的步驟）。
再者，第5半導體裝置的製造方法中，可使用與所述第1半導體裝置的製造方法中所使用的材料相同的材料，可特別較佳地使用以下所示的本實施形態的可擴展膠帶。再者，本實施形態的可擴展膠帶可利用與所述第1半導體裝置的製造方法中的可擴展膠帶的製作方法相同的方法來製作。
本實施形態的可擴展膠帶中，所述膠帶擴展步驟的加熱溫度（例如50℃）下的拉伸應力為10 MPa以下，且室溫（25℃）下的拉伸應力較所述加熱溫度下的拉伸應力高5 MPa以上。本實施形態的可擴展膠帶可較佳地適用於所述半導體裝置的製造方法中、特別是膠帶擴展步驟中的理由未必明確，本發明者等考慮如下。
膠帶擴展步驟中有助於將半導體晶片的間隔加寬的是固定有半導體晶片的區域的可擴展膠帶的伸長，可擴展膠帶的端部分的伸長對將半導體晶片的間隔加寬而言並無幫助。此處，膠帶擴展步驟中，固定有半導體晶片的區域（平台區域）的可擴展膠帶被加熱，另一方面可擴展膠帶的端部分未被加熱而成為室溫。另外，藉由可擴展膠帶進行加熱，拉伸應力變小，拉伸應力小時可擴展膠帶容易伸長。 因此，將膠帶擴展步驟的加熱溫度下的可擴展膠帶的拉伸應力設為所述規定的範圍中的小者，並且可擴展膠帶於室溫下的拉伸應力較所述加熱溫度下的拉伸應力高所述規定值以上，藉此膠帶擴展步驟中，於固定有半導體晶片的區域的可擴展膠帶的伸長較可擴展膠帶的端部分的伸長而充分大，可進一步將半導體晶片的間隔加寬。
為了進一步將擴展後的半導體晶片的間隔加寬，可擴展膠帶於所述加熱溫度下的拉伸應力較佳為9 MPa以下，更佳為8 MPa以下。
可擴展膠帶於所述加熱溫度下的拉伸應力並無特別限定，較佳為0.1 MPa以上。若小於0.1 MPa，則容易產生晶片的應變或膠帶的鬆弛。
為了進一步將擴展後的半導體晶片的間隔加寬，可擴展膠帶於室溫（25℃）下的拉伸應力較佳為較所述加熱溫度下的拉伸應力高6 MPa以上，更佳為高7 MPa以上。
再者，所謂拉伸應力，為利用微力（microforce）試驗機（英斯特朗（INSTRON）製造，INSTRON5948）測定的情況下的拉伸應變為1（mm/mm）時的值。拉伸速度設為5 mm/sec。
較佳為膠帶擴展步驟後的MD與TD的晶片間隔均勻，於密封後將半導體晶片及連接於其的連接端子用墊設為一群組而進行單片化時，若能夠於對半導體晶片無損傷的狀態下進行切割（若刀片不對半導體晶片造成損傷），則MD與TD的寬度亦可不均勻。於切割時MD與TD的切割間隔寬度亦可不相同。其中，較佳為MD的線彼此、TD的線彼此均勻。
可擴展膠帶較佳為大幅有助於延伸性的基材膜（基材層）、控制黏著力的黏著層等多個層結構。
基材膜較佳為具有延伸性、於張力保持步驟後保持半導體晶片的間隔的穩定性。
基材膜亦可為聚對苯二甲酸乙二酯膜等聚酯系膜；聚四氟乙烯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚甲基戊烯膜、聚乙酸乙烯酯膜、及包含聚-4-甲基戊烯-1等α-烯烴的均聚物及該些的共聚物、以及所述均聚物或所述共聚物的離子聚合物的聚烯烴系膜；聚氯乙烯膜；及聚醯亞胺膜；胺基甲酸酯樹脂膜等各種塑膠膜。所述基材膜並不限於單層膜，亦可為將兩種以上的所述塑膠膜或者兩個以上的同種的塑膠膜組合而獲得的多層膜。
就延伸性的觀點而言，所述基材膜較佳為聚烯烴膜或胺基甲酸酯樹脂膜。基材膜視需要亦可包含抗黏連劑等各種添加劑。
所述基材膜的厚度只要視需要適宜設定即可，較佳為50 μm～500 μm。若較50 μm薄，則延伸性下降，若大於500 μm，則產生容易發生應變或操作性下降等不良情況。
所述基材膜的厚度可於不損及作業性的範圍內適宜選擇。其中，於使用高能量線（其中為紫外線）硬化性黏著劑作為構成黏著層的黏著劑的情況下，需要設為不阻礙所述高能量線的透過的厚度。就此種觀點而言，基材膜的厚度通常可為10 μm～500 μm，較佳為50 μm～400 μm，更佳為70 μm～300 μm。 於由多個基材膜構成基材層的情況下，較佳為以基材層整體的厚度成為所述範圍內的方式調整。為了提高與黏著層的密接性，基材膜視需要亦可為以化學方式或物理方式實施了表面處理而成者。作為所述表面處理，例如可列舉：電暈處理、鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、離子化放射線處理等。
黏著層只要可控制黏著力（設定為於各步驟不會引起半導體晶片的位置偏移、飛散），則並無特別限制。
黏著層較佳為包含在室溫下具有黏著力且對於半導體晶片具有密接力的黏著劑成分。作為構成黏著層的黏著劑成分的基礎樹脂的一例，可列舉：丙烯酸系樹脂、合成橡膠、天然橡膠、聚醯亞胺樹脂等。 就減少黏著劑成分的殘糊的觀點而言，所述基礎樹脂較佳為具有可與其他添加劑反應的官能基（羥基、羧基等）。作為黏著劑成分，亦可使用藉由紫外線、放射線等高能量線而硬化的樹脂（特別是紫外線硬化型樹脂），或藉由熱而硬化的樹脂（熱硬化性樹脂）。於使用此種硬化性樹脂的情況下，可藉由使樹脂進行硬化來使黏著力下降。特別是可較佳地使用包含紫外線硬化型樹脂的紫外線硬化型的黏著劑。
另外，為了調整黏著力，所述黏著劑成分亦可包含可與所述基礎樹脂的官能基進行交聯反應的交聯劑。交聯劑較佳為具有選自由環氧基、異氰酸酯基、氮丙啶基、及黑色素基所組成的群組中的至少一種官能基。該些交聯劑可單獨使用，亦可併用兩種以上。另外，於反應速度慢的情況下，視需要亦可使用胺、錫等觸媒。此外，為了調整黏著特性，所述黏著劑成分亦可適宜含有松香系、萜烯樹脂等增黏劑、及各種界面活性劑等任意成分。
黏著層的厚度通常為1 μm～100 μm，較佳為2 μm～50 μm，更佳為5 μm～40 μm。藉由將黏著層的厚度設為1 μm以上，可確保與半導體晶片的充分的黏著力，因此於膠帶擴展步驟中容易抑制半導體晶片的飛散。另一方面，即便設為超過100 μm的厚度，特性中亦無優點而不經濟。
若黏著層為10 μm以上，則即便不使用切割膠帶，於可擴展膠帶上切割半導體晶圓，亦不會於基材膜產生損傷（切口等），因此準備步驟中，可省略於切割膠帶上切割半導體晶圓並轉印至（貼附於）可擴展膠帶的步驟。 [實施例]
以下，使用實施例來對本發明更詳細地進行說明，但本發明並不受該些限制。
（丙烯酸系樹脂溶液的製備） 於具備三一馬達（three-one motor）、攪拌翼、氮氣導入管的容量4000 ml的高壓釜中調配乙酸乙酯1000 g、丙烯酸2-乙基己酯650 g、丙烯酸2-羥基乙酯350 g、及偶氮雙異丁腈3.0 g，攪拌至均勻為止後，以流量100 ml/min實施60分鐘的氮氣起泡，並對體系中的溶存氧進行脫氣。花費1小時昇溫至60℃，於昇溫後進行4小時聚合。之後花費1小時昇溫至90℃，進而於90℃下保持1小時後冷卻至室溫。其次，加入1000 g的乙酸乙酯並進行攪拌、稀釋。向其中添加作為聚合抑制劑的0.1 g的甲氧基苯酚、作為胺基甲酸酯化觸媒的0.05 g的二月桂酸二辛基錫後，加入100 g的異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯（昭和電工股份有限公司製造，卡蘭茨（Karenz）MOI）。於70℃下反應6小時後冷卻至室溫。之後，加入乙酸乙酯，並以丙烯酸系樹脂溶液中的不揮發成分含量成為35質量%的方式進行調整，從而獲得具有能夠進行鏈聚合的官能基的丙烯酸系樹脂溶液。依據JIS K0070來測定該樹脂的酸價與羥價，結果未檢測出酸價，羥值為121 mgKOH/g。另外，將所獲得的丙烯酸系樹脂溶液於60℃下真空乾燥一晚，利用全自動元素分析裝置（艾力蒙塔（elementar）股份有限公司製造，varioEL）對所獲得的固體成分進行元素分析。由所測定的氮含量算出丙烯酸系樹脂中所導入的異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯的含量，結果為0.59 mmol/g。另外，使用SD-8022/DP-8020/RI-8020（東曹股份有限公司製造），管柱是使用Gelpack GL-A150-S/GL-A160-S（日立化成股份有限公司製造），溶離液中使用四氫呋喃並進行GPC測定，結果聚苯乙烯換算重量平均分子量為42萬。
（可擴展膠帶的製作） 相對於所述丙烯酸系樹脂溶液（固體成分：100重量份），加入作為交聯劑的以固體成分計為12.0 g的多官能異氰酸酯（日本聚胺基甲酸酯工業股份有限公司製造，科羅耐特（Coronate）L，固體成分為75%）、作為光起始劑的1.0 g的1-羥基環己基苯基酮（巴斯夫（BASF）股份有限公司製造，豔佳固（Irgacure）184），進而以總固體成分含量成為27質量%的方式加入乙酸乙酯，並均勻地攪拌10分鐘。之後，將所獲得的溶液塗敷於保護膜（表面脫模處理聚對苯二甲酸乙二酯，厚度25 μm）上並加以乾燥，從而形成黏著層。此時，製作乾燥時的黏著層厚度為10 μm或30 μm的兩種。進而，將黏著層面層壓於基材膜（厚度100 μm）。之後，將所獲得的兩種膠帶於40℃下老化4天。將黏著層為10 μm的膠帶設為可擴展膠帶A，將黏著層為30 μm的膠帶設為可擴展膠帶B。
再者，作為所述基材膜，使用將海米蘭（Himilan）1706（三井杜邦聚合化學股份有限公司製造，離子聚合物樹脂）、乙烯·1-己烯共聚物與丁烯·α-烯烴共聚物、及海米蘭（Himilan）1706依序積層而成的三層的樹脂膜。 另外，所謂黏著層及保護膜與基材膜，是利用40℃的輥式層壓機進行層壓而製成保護膜/黏著層/基材膜的順序的構成。於用作可擴展膠帶時，將保護膜剝離來使用。
＜可擴展膠帶上的經單片化的半導體晶片的製作（步驟1）＞ （評價樣品A）於40℃下使用晶圓安裝裝置（DM-300-H，JCM股份有限公司製造）來將8吋矽晶圓（厚度250 μm）層壓於切割膠帶，利用刀片並使用切割裝置（DFD6361，迪思科（Disco）股份有限公司製造）切割為5 mm×5 mm的尺寸。之後，使用UV曝光機（ML-320FSAT，米卡薩（Mikasa）股份有限公司製造）並照射300 mJ的UV，減小切割膠帶的密接力，使用層壓裝置（V130，日礦材料（Nikko-materials）股份有限公司製造）將經單片化的半導體晶片轉印（40℃/0.5 MPa/10秒的條件）至可擴展膠帶A，從而製作評價樣品A。將剝離了切割膠帶的評價樣品A固定於12吋尺寸的切割環。此時，初期的半導體晶片間隔為約50 μm。
（評價樣品B） 於40℃下使用晶圓安裝裝置（DM-300-H，JCM股份有限公司製造）來將8吋矽晶圓（厚度250 μm）層壓於可擴展膠帶B，利用刀片並使用切割裝置（DFD6361，迪思科（Disco）股份有限公司製造）切割為5 mm×5 mm的尺寸，從而製作評價樣品B。將評價樣品B固定於12吋尺寸的切割環。此時，初期的半導體晶片間隔為約50 μm。
（評價樣品C） 於40℃下使用晶圓安裝裝置（DM-300-H，JCM股份有限公司製造）來將8吋矽晶圓（厚度250 μm）層壓於切割膠帶，利用刀片並使用切割裝置（DFD6361，迪思科（Disco）股份有限公司製造）切割為5 mm×5 mm的尺寸，從而製作評價樣品C。此時，初期的半導體晶片間隔為約50 μm。
（載體） 利用真空層壓機（V130，日礦材料（Nikko-materials）股份有限公司製造）將暫時固定材層壓於12吋矽晶圓（原厚度775 μm）後，以晶圓的形態進行外形加工來製作載體。層壓條件設為隔膜溫度80℃、平台溫度40℃、時間60 s、壓力0.5 MPa。
（密封材） 作為密封材，使用CEL-400ZHF-40WG（日立化成股份有限公司製造）。
（實施例1、實施例2） ＜步驟2＞將評價樣品A、評價樣品B設置於12吋擴展器裝置（大宮工業股份有限公司製造，MX-5154FN），於上推速度100 mm/sec、溫度（平台溫度）50℃下上推1秒鐘（上推量：100 mm），並將可擴展膠帶拉長。此時，半導體的晶片間隔於評價樣品A、評價樣品B中均自初期的約50 μm加寬至約1 mm。＜步驟3＞利用12吋擴展器用夾環（創見科技（Technovision）股份有限公司製造，GR-12）固定拉長了可擴展膠帶的評價樣品A、評價樣品B，並保持張力。由於步驟2與步驟3聯動發生（上推達到100 mm的同時利用夾環進行固定的裝置），因此步驟2與步驟3以合計1秒完成。＜步驟4＞對保持張力的評價樣品A、評價樣品B照射UV（UV曝光機ML-320FSAT，米卡薩（Mikasa）股份有限公司製造）後，使用真空層壓機（V130，日礦材料（Nikko-materials）股份有限公司製造）將半導體晶片面層壓於載體。層壓條件設為隔膜溫度60℃、平台溫度60℃、壓力0.5 MPa、60秒。＜步驟5＞自層壓後的評價樣品A、評價樣品B僅剝離可擴展膠帶，製作於載體上（暫時固定材）排列有半導體晶片的評價樣品A'、評價樣品B'。由評價樣品A、評價樣品B製作的評價樣品A'、評價樣品B'均無半導體晶片飛散或位置偏移而良好。再者，可擴展膠帶的剝落作業是於室溫（25℃）/10秒下進行。＜步驟6及步驟7＞使用所述密封材，並藉由密封裝置（CPM1180，東和（TOWA）股份有限公司製造）來對評價樣品A'、評價樣品B'進行密封。於密封的尺寸為12吋晶圓大小、厚度為350 μm下進行。密封材的形狀是使用顆粒。以方式為壓縮成型進行。密封條件設為150℃/10分鐘/37 ton。之後，進行150℃/1 h的固化。於固化後，為了剝離載體，進行180℃/5分鐘加熱處理來剝離載體。
（比較例1） 利用倒裝晶片接合器（LFB2301，新川股份有限公司製造）自切割膠帶拾取評價樣品C並再配置於載體。關於5 mm×5 mm尺寸的一個半導體晶片附近的壓接時間（再配置時間），包含拾取在內以2秒進行。評價樣品C中5 mm×5 mm尺寸的半導體晶片為約1250個（計算上為1256個左右，但於切割時成為5 mm×5 mm尺寸以下的周邊部的晶片除外），因此於再配置時需要2500秒。半導體晶片的間隔是與評價樣品A、評價樣品B同樣地設為1 mm。將再配置於載體上的樣品設為評價樣品C'。使用所述密封材，並藉由密封裝置（CPM1180，東和（TOWA）股份有限公司製造）來對評價樣品C'進行密封。於密封的尺寸為12吋晶圓大小、厚度為350 μm下進行。密封材的形狀是使用顆粒。以方式為壓縮成型進行。密封條件設為150℃/10分鐘/37 ton。之後，進行150℃/1 h的固化。於固化後，為了剝離載體，進行180℃/5分鐘加熱處理來剝離載體。
（i）半導體晶片間隔的測定方法 半導體晶片與半導體晶片的間隔是利用能夠測長的顯微鏡（ECLIPSE-L，尼康股份有限公司製造）進行測定。測定是對中心部1點、周邊部4點（以中心部為中心上下左右各1點）共計5點進行測長。半導體晶片間隔是設為5點的平均值。（ii）密封步驟（步驟6）前後的半導體晶片間隔的位置偏移評價利用與（i）相同的方法測定密封步驟前後的半導體晶片間隔。與（i）同樣地選擇5點，於密封前後對相同的點進行測長。將共計5點的各半導體晶片間隔於密封步驟前後變動大於10 μm的樣品設為NG評價，將變動10 μm以內設為OK評價（良好）。
將關於實施例1、實施例2及比較例1的評價結果歸納於表1中。 [表1]
與現有的方法（比較例）相比，本發明的製造方法（實施例1～實施例2）中精度同等（位置偏移評價），且生產性明顯提高。
1‧‧‧可擴展膠帶
1a‧‧‧黏著層
1b‧‧‧基材膜
2‧‧‧半導體晶片
3‧‧‧墊（電路）
4‧‧‧固定用夾具
5‧‧‧載體
6‧‧‧密封材
7‧‧‧再配線圖案
8‧‧‧再配線層
9‧‧‧連接端子用墊
10‧‧‧半導體封裝
圖1（a）～圖1（d）是用以說明第1半導體裝置的製造方法中的第1A步驟～第4A步驟的一實施形態的示意剖面圖。 圖2（a）～圖2（c）是用以說明第1半導體裝置的製造方法中的第5A步驟～第7A步驟的一實施形態的示意剖面圖。 圖3（a）～圖3（c）是用以說明第1半導體裝置的製造方法中的第8A步驟及第9A步驟的一實施形態的示意剖面圖。 圖4（a）～圖4（d）是用以說明第2半導體裝置的製造方法中的第1B步驟～第4B步驟的一實施形態的示意剖面圖。 圖5（a）～圖5（d）是用以說明第2半導體裝置的製造方法中的第5B步驟～第8B步驟的一實施形態的示意剖面圖。 圖6（a）、圖6（b）是用以說明第2半導體裝置的製造方法中的第7B步驟及第8B步驟的另一實施形態的示意剖面圖。 圖7（a）～圖7（c）是用以說明第2半導體裝置的製造方法中的第9B步驟及第10B步驟的一實施形態的示意剖面圖。 圖8（a）～圖8（d）是用以說明第3半導體裝置的製造方法中的第1C步驟～第4C步驟的一實施形態的示意剖面圖。 圖9（a）～圖9（d）是用以說明第3半導體裝置的製造方法中的第5C步驟～第8C步驟的一實施形態的示意剖面圖。 圖10（a）～圖10（e）是用以說明第3半導體裝置的製造方法中的第4C步驟～第8C步驟的另一實施形態的示意剖面圖。 圖11（a）～圖11（d）是用以說明第4半導體裝置的製造方法中的第1D步驟～第4D步驟的一實施形態的示意剖面圖。 圖12（a）～圖12（e）是用以說明第4半導體裝置的製造方法中的第5D步驟～第9D步驟的一實施形態的示意剖面圖。 圖13（a）、圖13（b）是用以說明第4半導體裝置的製造方法中的第7D步驟及第8D步驟的另一實施形態的示意剖面圖。 圖14（a）～圖14（e）是用以說明第5半導體裝置的製造方法的一實施形態的示意剖面圖。 圖15（a）～圖15（e）是用以說明第5半導體裝置的製造方法的另一實施形態的示意剖面圖。

Claims (9)

  1. 一種可擴展膠帶，其用於半導體裝置的製造方法中，所述半導體裝置的製造方法具備膠帶擴展步驟，所述膠帶擴展步驟是藉由對可擴展膠帶進行加熱並加以延伸而將固定於所述可擴展膠帶上的經單片化的半導體晶片的間隔自100 μm以下加寬至300 μm以上， 所述膠帶擴展步驟的加熱溫度下的拉伸應力為10 MPa以下，且室溫下的拉伸應力較所述加熱溫度下的拉伸應力高5 MPa以上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的可擴展膠帶，其中所述半導體裝置的製造方法進而具備：張力保持步驟，保持經延伸的所述可擴展膠帶的張力；轉印步驟，將張力經保持的所述可擴展膠帶上的所述半導體晶片轉印至載體；以及剝離步驟，自轉印至所述載體的所述半導體晶片剝離所述可擴展膠帶。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的可擴展膠帶，其具有基材層及黏著層。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的可擴展膠帶，其中所述黏著層包含紫外線硬化型的黏著劑。
  5. 一種半導體裝置的製造方法，其具備膠帶擴展步驟，所述膠帶擴展步驟是藉由對如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的可擴展膠帶進行加熱並加以延伸而將固定於所述可擴展膠帶上的經單片化的半導體晶片的間隔自100 μm以下加寬至300 μm以上。
  6. 一種半導體裝置的製造方法，其製造具有在電路面設有墊的半導體晶片的半導體裝置，所述半導體裝置的製造方法具備： 第1A步驟，準備可擴展膠帶以及將與所述電路面為相反側的面固定於所述可擴展膠帶上的多個所述半導體晶片； 第2A步驟，藉由對所述可擴展膠帶進行延伸而將固定於所述可擴展膠帶上的多個所述半導體晶片的間隔加寬； 第3A步驟，保持經延伸的所述可擴展膠帶的張力； 第4A步驟，以多個所述半導體晶片的所述電路面固定於載體的方式進行轉印； 第5A步驟，自多個所述半導體晶片剝離所述可擴展膠帶； 第6A步驟，藉由密封材對所述載體上的多個所述半導體晶片進行密封；以及 第7A步驟，自經所述密封材密封的多個半導體晶片剝離所述載體。
  7. 一種半導體裝置的製造方法，其製造具有在電路面設有墊的半導體晶片的半導體裝置，所述半導體裝置的製造方法具備： 第1B步驟，準備可擴展膠帶以及將所述電路面固定於所述可擴展膠帶上的多個所述半導體晶片； 第2B步驟，藉由對所述可擴展膠帶進行延伸而將固定於所述可擴展膠帶上的多個所述半導體晶片的間隔加寬； 第3B步驟，保持經延伸的所述可擴展膠帶的張力； 第4B步驟，以多個所述半導體晶片的與所述電路面為相反側的面固定於載體的方式進行轉印； 第5B步驟，自多個所述半導體晶片剝離所述可擴展膠帶；以及 第6B步驟，藉由密封材對所述載體上的多個所述半導體晶片進行密封。
  8. 一種半導體裝置的製造方法，其製造具有在電路面設有墊的半導體晶片的半導體裝置，所述半導體裝置的製造方法具備： 第1C步驟，準備可擴展膠帶以及將與所述電路面為相反側的面固定於所述可擴展膠帶上的多個所述半導體晶片； 第2C步驟，藉由對所述可擴展膠帶進行延伸而將固定於所述可擴展膠帶上的多個所述半導體晶片的間隔加寬； 第3C步驟，保持經延伸的所述可擴展膠帶的張力； 第4C步驟，以多個所述半導體晶片的所述電路面固定於載體的方式進行轉印； 第5C步驟，自多個所述半導體晶片剝離所述可擴展膠帶； 第6C步驟，藉由密封材對所述載體上的多個所述半導體晶片進行密封； 第7C步驟，自經所述密封材密封的多個半導體晶片剝離所述載體；以及 第8C步驟，將經所述密封材密封的多個半導體晶片單片化為各半導體晶片，形成多個半導體封裝。
  9. 一種半導體裝置的製造方法，其製造具有在電路面設有墊的半導體晶片的半導體裝置，所述半導體裝置的製造方法具備： 第1D步驟，準備可擴展膠帶以及將電路面固定於所述可擴展膠帶上的多個所述半導體晶片； 第2D步驟，藉由對所述可擴展膠帶進行延伸而將固定於所述可擴展膠帶上的多個所述半導體晶片的間隔加寬； 第3D步驟，保持經延伸的所述可擴展膠帶的張力； 第4D步驟，以多個所述半導體晶片的與所述電路面為相反側的面固定於載體的方式進行轉印； 第5D步驟，自多個所述半導體晶片剝離所述可擴展膠帶； 第6D步驟，藉由密封材對所述載體上的多個所述半導體晶片進行密封； 第7D步驟，對密封材進行研磨而使所述墊露出； 第8D步驟，自經所述密封材密封的多個半導體晶片剝離所述載體；以及 第9D步驟，將經所述密封材密封的多個半導體晶片單片化為各半導體晶片，形成多個半導體封裝。
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