JP7459576B2 - パネル及びその製造方法、パネル製造用部材及びその製造方法、並びに半導体チップ - Google Patents
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Description
本実施形態ではパネルとしてFO-PLPを挙げ、FO-PLP及びその製造方法について説明する。図1(a)はFO-PLPの一例を模式的に示す平面図であり、図1(b)は図1(a)に示すb-b線における断面図である。これらの図に示すパネル20は、平面視で略正方形であり且つ300mm以上の辺を有する。なお、パネル20は、平面視で略長方形であり且つ300mm以上の辺を有するものであってもよい。パネル20の一辺の長さは、半導体装置を効率的に製造する観点から、450mm以上であってもよく、500mm以上又は600mm以上であってもよい。パネル20の一辺の長さの上限は、パネル20の取り扱い性の観点から、例えば、920mmである。図1(b)には平面視で略正方形の半導体チップTを図示したが、半導体チップTの形状は略長方形であってもよい。
図2及び図3を参照しながら、パネル20の製造方法について説明する。図2(a)は、ダイシングフィルムDFの表面に半導体ウエハWを貼り合わせた状態を模式的に示す断面図である。ダイシングフィルムDFの表面に対し、半導体ウエハWの回路面W1の反対側の面W2が接するように、半導体ウエハWにダイシングフィルムDFが貼られている。ダイシングフィルムDFの表面には、半導体ウエハWを囲むようにダイシングリングDRも貼り合わされている。半導体ウエハWの回路面W1は、例えば、銅バンプ、はんだバンプ等のバンプ(突起電極)を備えるものであってもよいし、Ni/Auめっきパッド等の比較的平坦な金属パッドを備えるものであってもよい。
図4を参照しながら、比較形態について説明する。上記実施形態においては、ダイシングフィルムDFの表面上にある複数の半導体チップSを表面処理の対象とするものであるのに対し、比較形態においては、仮固定材層1aの表面上にある複数の半導体チップSを表面処理の対象とするものである。仮固定材層1aの表面上に複数の半導体チップSを移し替えた後に上記表面処理を行うと、図4(a)に示すように、半導体チップSの表面に加えて仮固定材層1aの表面1fにも表面処理がなされる。そうすると、仮固定材層1aと封止材層15との間の密着強度も高まるため、パネル20から支持キャリア1を剥離することが困難となる(図4(b)参照)。
(半導体チップの作製)
ミラーウエハ(材質:シリコン、直径:300mm、厚さ:0.775mm)を準備した。このウエハの厚さをグラインドによって0.500mmにした。次に、ダイシングフィルムとダイシングリングを利用してウエハを6mm角の半導体チップに個片化した。
ダイシングフィルムの表面上の複数の半導体チップを対象としてアルゴンプラズマ処理を実施した。処理に使用した装置及び処理条件は以下のとおりとした。これにより、実施例1に係る複数の半導体チップを得た。
・装置:Nordson AP-1000
・Arガスの濃度:100%
・プラズマ出力:350W
・処理時間:180秒
・アルゴン流量:50sccm
アルゴンプラズマ処理を実施しなかったこと他は実施例1と同様にして比較例1に係る複数の半導体チップを得た。
支持キャリア(直径:300mm、材質:シリコン)に仮固定フィルム(日東電工製リバアルファ3195V)を真空ラミネーターで貼り付けた。この仮固定フィルムは、熱剥離式のものであり、170℃以上の高温下で剥離が可能になる。
・モールド材の厚さ:0.6mm
・温度条件:150℃
・加熱時間:180秒
・半導体チップ表面に載るモールド材の厚さ(図1(b)における厚さt3):0.1mm
・モールド材の硬化処理(Post Mold Cure,PMC):175℃で4時間
実施例1及び比較例1に係る試験片について、図5(c)に示す態様で三点曲げ試験を実施した。すなわち、16mmの間隔をあけた二つの支点で試験片を支え、試験片に対して押し込みジグによって上方から押圧力を加えた。支点は隣接する二つの半導体チップの間に配置した。押圧力は隣接する二つの半導体チップの間に付与した。実施例1及び比較例1についてそれぞれ5回の三点曲げ試験を行った結果、比較例1に係る試験片の曲げ強度を基準として、実施例1に係る試験片は曲げ強度が2%向上した。実施例1及び比較例1に係る試験片はいずれも、半導体チップ側面とモールド材との界面で破断していた。
モールド材の硬化処理(PMC、条件:175℃で4時間)を実施しなかったことの他は実施例1と同様にして複数の試験片を作製した。この場合も、支持キャリアの仮固定フィルムからパネルを剥がす際、特段の工夫を必要とすることなく、半導体チップが配置された箇所を仮固定フィルムから良好に剥離することができた。
モールド材の硬化処理(PMC、条件:175℃で4時間)を実施しなかったことの他は比較例1と同様にして複数の試験片を作製した。
Claims (12)
- (A)仮固定材層を表面に有する支持キャリアと、前記仮固定材層の表面に直接接し且つ互いに離間して配置された複数の半導体チップとを備えるパネル製造用部材を準備する工程と、
(B)前記複数の半導体チップを覆い且つ前記仮固定材層の表面に直接接する封止材層を形成する工程と、
(C)前記(B)工程を経て形成された、前記封止材層と前記複数の半導体チップとを備えるパネルを前記支持キャリアから剥離する工程と、
を含み、
前記パネル製造用部材において、前記複数の半導体チップの前記仮固定材層と直接接している面以外の面に、前記封止材層との密着性を向上させるための表面処理が施されており、前記仮固定材層の前記複数の半導体チップが配置されている表面には前記表面処理が施されていない、パネルの製造方法。 - (a1)ダイシングフィルムの表面上に配置された半導体ウエハを個片化することによって複数の半導体チップを得る工程と、
(a2)前記ダイシングフィルムの表面上の前記複数の半導体チップの露出している面に対して前記表面処理を施す工程と、
(a3)前記ダイシングフィルムから複数の前記半導体チップをピックアップする工程と、
(a4)複数の前記半導体チップを前記仮固定材層の表面上に互いに離間した状態で配置する工程と、
を更に含み、
前記(a4)工程を経て前記パネル製造用部材が準備される、請求項1に記載のパネルの製造方法。 - 前記パネルは、平面視で略矩形であり且つ300mm以上の辺を有する、請求項1又は2に記載のパネルの製造方法。
- 前記パネルは、平面視で略円形であり且つ400mm以上の直径を有する、請求項1又は2に記載のパネルの製造方法。
- 前記パネルの厚さが1mm以下である、請求項1~4のいずれか一項に記載のパネルの製造方法。
- (a1)ダイシングフィルムの表面上に配置された半導体ウエハを個片化することによって複数の半導体チップを得る工程と、
(a2)前記ダイシングフィルムの表面上の前記複数の半導体チップの露出している面に対して封止材との密着性を向上させるための表面処理を施す工程と、
(a3)前記ダイシングフィルムから複数の前記半導体チップをピックアップする工程と、
(a4)支持キャリアが表面に有する仮固定材層に、複数の前記半導体チップを互いに離間した状態で配置する工程と、
を含む、パネル製造用部材の製造方法。 - 仮固定材層を表面に有する支持キャリアと、
前記仮固定材層の表面に直接接し且つ互いに離間して配置された複数の半導体チップと、
を備え、
前記複数の半導体チップの前記仮固定材層と直接接している面以外の面に、封止材との密着性を向上させるための表面処理が施されており、前記仮固定材層の前記複数の半導体チップが配置されている表面には前記表面処理が施されていない、パネル製造用部材。 - 前記表面処理がアルゴンプラズマ処理である、請求項7に記載のパネル製造用部材。
- 複数の半導体チップと、
前記複数の半導体チップを覆う封止材層と、
を備え、
前記複数の半導体チップは、前記封止材層から露出している第一の面と、前記封止材層に直接接している第二の面及び側面とをそれぞれ有し、前記第二の面及び前記側面に、前記封止材層との密着性を向上させるための表面処理が施されている、パネル。 - 平面視で略矩形であり且つ300mm以上の辺を有する、請求項9に記載のパネル。
- 平面視で略円形であり且つ400mm以上の直径を有する、請求項9に記載のパネル。
- 厚さが1mm以下である、請求項9~11のいずれか一項に記載のパネル。
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