KR20080095797A - 릴리징층을 갖는 적층 패키지 및 그 형성 방법 - Google Patents

릴리징층을 갖는 적층 패키지 및 그 형성 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20080095797A
KR20080095797A KR1020080038028A KR20080038028A KR20080095797A KR 20080095797 A KR20080095797 A KR 20080095797A KR 1020080038028 A KR1020080038028 A KR 1020080038028A KR 20080038028 A KR20080038028 A KR 20080038028A KR 20080095797 A KR20080095797 A KR 20080095797A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
die
adhesive layer
pad
wire
elastic adhesive
Prior art date
Application number
KR1020080038028A
Other languages
English (en)
Inventor
디안-펭 린
웬-쿤 양
Original Assignee
어드벤스드 칩 엔지니어링 테크놀로지, 인크.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어드벤스드 칩 엔지니어링 테크놀로지, 인크. filed Critical 어드벤스드 칩 엔지니어링 테크놀로지, 인크.
Publication of KR20080095797A publication Critical patent/KR20080095797A/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0657Stacked arrangements of devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0555Shape
    • H01L2224/05552Shape in top view
    • H01L2224/05553Shape in top view being rectangular
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/2919Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32135Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/32145Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124Aluminium (Al) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49171Fan-out arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83194Lateral distribution of the layer connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • H01L2224/8385Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/0651Wire or wire-like electrical connections from device to substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01004Beryllium [Be]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01014Silicon [Si]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0105Tin [Sn]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01075Rhenium [Re]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/014Solder alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06Polymers
    • H01L2924/0665Epoxy resin
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06Polymers
    • H01L2924/078Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12044OLED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Manufacture Of Switches (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

본 발명은 적층된 다이스 패키지의 구조 및 그 형성 공정을 제공하며, 여기서 제1 다이 상에 적용된 탄성 접착층은 제1 다이의 상부 표면 모두를 덮으며 제1 접점 패드들 상에 형성된 오프닝들을 제외하고 제1 다이의 주변 에지들에 림들을 형성한다. 탄성 접착층의 이러한 형태로, 본 발명은 다이의 접점 패드 상에 와이어 본딩을 수행하는 동안 다이 내에 발생하는 마이크로 크랙을 회피할 수 있다.

Description

릴리징층을 갖는 적층 패키지 및 그 형성 방법{Stack Package with Releasing Layer and Method for Forming the Same}
본 발명은 적층된 패키지의 구조에 관련되며, 더욱 상세하게는 릴리징층(releasing layer)을 갖는 적층 패키지(stack package)에 관련된다.
반도체 디이이스 분야에 있어서, 디바이스 밀도는 증가하지만, 디바이스 크기는 감소하고 있다. 전통적인 패키지 기술은 칩 상에 고밀도 요소들을 가진 더 작은 칩을 생산하여야 하는 요구를 만족시킬 수 없다; 그러므로 이러한 고밀도 디바이스들에 대한 새로운 패키징 또는 상호접속 기술들이 요구되고 있다.
적층 다이스를 가진 반도체 패키지 상에 와이어 본딩(wire-bonding)을 수행하는 것은 많은 문제점들과 직면한다. 와이어 본딩 장비는 와이어 본딩 중 다이 상의 본딩 패드들로의 중대한 힘을 유발한다; 그러므로 다이 내에 마이크로 크랙킹(micro cracking)이 일어날 수 있다.
몇 가지 발명들이 이러한 문제를 해결하기 위해 제안되어 왔다. 미국 특허 제2005/0035461호는 n자형 캐리어 캡을 가진 복수의 적층 다이스 패키징 구조를 개시한다; n자형 캐리어는 상부 칩 상에 와이어 본딩을 수행할 때 동일 평 면(coplanar)을 확보하기 위해 상부 및 하부 칩 사이에 제공된다. 이 발명은 상부 다이를 지지하기 위한 캡을 제공하지만, 마이크로 디바이스들에는 부적당하게 커다란 간격을 요구한다.
또 다른 해결책이 상부 다이에 대한 서포트를 제공하기 위해 적층 다이스의 다이스 사이에 접착층(adhesive layer)을 부가하는 것이다. 미국 특허 제2004/0251526호는 적층 다이스를 가진 반도체 패키지를 개시한다. 중간 접착층이 상부 다이 및 하부 다이 사이에 도포된다. 접착층은 와이어 본딩을 수행하는 동안 상부 다이에 대한 서포트를 제공함으로써 다이 크랙킹의 발생을 감소시킨다; 그러므로 이 발명은 적층 패키징의 생산량을 증가시키는 구조 및 방법을 개시한다. 이 발명의 단점은 접착층이 노즐과 같은 접착제 도포 장비에 의해 주입된다는 것이다; 불행히도 주입력이 본딩 포인트 상에서 와이어의 본딩을 유지하기에는 너무나 강력하다; 즉 패드들 상의 와이어 본딩의 접촉 포인트는 손상을 입을 수가 있다. 도 1에 도시된 바와 같이 접착층을 주입하는 또 다른 단점은 접착층이 패드들의 상부 표면을 완전히 덮을 수 없고 접착층의 탄성 입자들은 또한 균일하게 퍼질 수 없다는 것이다.
그러므로, 본 발명은 다이 내의 마이크로 크랙킹의 문제점을 해결하기 위해 릴리징층을 가진 적층 구조를 제공한다.
본 발명의 하나의 이점은 와이어 본딩을 수행하기 전에 다이 상에 탄성 부착 재료를 코팅하고 접점 패드들(contacting pads) 상에 오프닝을 형성하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 이점은 후면 상에 접착제가 없는 상부 칩을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 이점은 와이어 본딩을 수행하는 동안 칩 내에 마이크로 크랙킹을 유발하지 않는 구조 및 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 복수의 패드를 갖는 기판; 상기 기판 상에 부착된 제1 접점 패드를 갖는 제1 다이; 상기 패드 및 상기 제1 접점 패드에 전기적으로 결합된 제1 와이어; 상기 제1 다이의 상부 표면 모두를 덮고 상기 제1 접점 패드들 상에 형성된 상기 슬롯들을 제외하고 상기 제1 다이의 주변 에지들에 림들을 형성하는 상기 제1 다이 상의 도포된 탄성 접착층; 상기 탄성 접착층 상에 배치된 제2 접점 패드를 갖는 제2 다이; 상기 패드 및 상기 제2 접점 패드에 전기적으로 연결되는 제2 와이어; 및 상기 제1 다이, 상기 제2 다이, 상기 패드들, 상기 제1 와이어 및 상기 제2 와이어를 인캡슐레이트하는 보호층을 포함하는 적층된 다이스 패키지의 구조를 제공한다.
본 발명은 미리 형성된 패드들을 가진 기판을 제공하는 단계; 상기 기판으로 제1 접점 패드를 가진 제1 다이를 부착하는 단계로, 탄성 접착층은 상기 제1 다이 상에 미리 형성되는 단계; 상기 제1 점점 패드의 위치에서 상기 탄성 접착층 내에 오프닝을 형성하는 단계로, 상기 탄성 접착층은 상기 제1 다이의 상부 표면 모두를 덮으며 상기 제1 접점 패드들 상에 형성된 오프닝들을 제외하고 상기 제1 다이의 주변 에지들에 림들을 형성하는, 단계; 상기 제1 접점패드를 상기 패드와 와이어 본딩하는 단계; 제2 접점 패드를 가진 제2 다이를 상기 탄성 접착층에 부착하는 단계로, 상기 제2 다이는 상기 제2 다이의 후면 상에 접착제를 도포하는 것을 요구하지 않으면서 상기 탄성층 상에 부착되는, 단계; 및 상기 제2 접점 패드를 상기 패드에 와이어 본딩하는 단계를 포함하는 적층된 다이스 패키지를 형성하는 방법을 제공한다.
본 발명은 본 발명의 바람직한 실시예들 및 첨부된 도면들과 함께 더 상세히 설명될 것이다. 그럼에도 불구하고 본 발명의 바람직한 실시예들은 단지 예시를 위한 것임이 인식되어야 한다. 여기에 언급된 바람직한 실시예 외에도, 본 발명은 명백히 기재된 것들에 부가하여 넓은 범위의 다른 실시예들에 실시될 수 있으며 본 발명의 범위는 첨부하는 청구항에 기재된 범위로 명백히 제한되는 것이 아니다.
본 발명은 탄성 접착층을 가진 적층 다이스 패키징 구조를 제조하기 위한 구조를 개시한다. 포토센시티브 재료가 접점 패드들(contacting pads) 상에 와이어 본딩(wire-bonding)을 수행하기 전에 다이스와 다이의 접점 패드들을 노광시키기 위하여 다이스 위에 형성된 복수의 오프닝들 사이에 코팅된다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 적층 다이스 패키징 구조(1)의 횡단면도를 도시한다. 도 2에 도시된 바와 같이, 적층 다이스 패키징 구조(1)는 각각 패드(3) 및 패드(4)로 언급되는 패드들 및 제1 다이(7)를 배치하기 위한 접착 영 역(9) 가진 기판(2)을 포함한다. 기판(2)은 라미네이트되고 상부 표면 및 하부 표면을 갖는다; 여기서 상부 표면은 다이스가 배치되는 표면을 의미한다. 패드(3)는 기판(2)의 하부 표면 상에 위치되며 솔더볼(14)이 그 위에 형성된다. 패드(4)는 기판(2)의 상부 표면 상에 위치되며 와이어들을 통해 다이스와의 전기적 결합을 유지한다; 와이어들은 제1 와이어(5) 및 제2 와이어(6)로 각각 언급된다. 기판의 재료는 유기 에폭시 타입 FR4, FR5, BT, PCB(인쇄 회로 기판), 합금 또는 금속을 포함한다. 택일적으로 기판은 유리, 세라믹 또는 실리콘일 수 있다.
제1 다이(7)는 기판(2)의 접착 영역(9) 상에 배치되며, 제1 접점 패드들(본딩 패드들)(8)은 제1 다이(7) 상에 형성된다; 즉, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 다이(7)는 패드들(4)과 접점 패드들(8) 사이의 전기적 결합을 확보하기 위하여 제1 와이어(5)에 의해 제1 다이(7)의 상부 표면의 둘레에 위치된 복수의 접점 패드들(8)을 구비한다. 제1 와이어(5)는 알루미늄 또는 금과 같은 다양한 금속들로 만들어진다.
도 3은 제1 와이어들(5)이 본딩하는 접점 패드들(8)을 가진 제1 다이의 상면도를 도시한다; 여기서 포토 센시티브 탄성 재료층이 제1 다이의 상부 상에 덮여지고 복수의 슬롯들(15)이 탄성 접착층(10)의 둘레에 형성되며 다이의 에지들로 연장된다, 즉, 접점 패드들(8)을 노광시키고 제1 다이 및 기판 사이에 결합된 본딩 와이어들을 수용하기 위해 릴리징층, 다시 말해 탄성 접착층(10)이 제1 다이(7)의 상부 표면 모두를 덮으며, 패드들(8) 상에 형성된 슬롯들(15)을 제외하고 제1 다이의 주변 에지에 림(rim)을 형성한다.
탄성 접착층(10)은 20% 보다 높은 연신률을 갖는 재료이다. 바람직하게 탄성 접착층(10)의 두께는 제1 와이어(5) 보다 크며 20㎛ 이상이다. 바람직하게, 탄성 접착층(10)의 경화 온도는 200℃ 보다 낮다. 탄성 접착층(elastic adhesive layer)은 포토센시티브 재료를 포함한다.
도 2로 돌아가서, 제2 접점 패드들(12)을 가진 제2 다이(11)가 탄성 접착층(10) 상에 배치된다; 여기서 접점 패드들(12)은 제2 와이어(6)을 통해 패드들(4)과 전기적 결합을 유지한다. 접점 패드(12) 및 제2 와이어(6)는 복수의 접점 패드들 및 와이어들을 나타내는 것으로 이해되어야 한다; 즉, 제2 다이(11)는 제2 와이어(6)를 통해 제2 다이(11) 및 패드들(4) 사이의 전기적인 접촉을 유지하기 위해 제2 다이(11)의 상부 표면의 둘레에 위치된 복수의 접점 패드들(12)을 구비한다. 제2 와이어(6)는 알루미늄 또는 금과 같은 다양한 금속들로 이루어진다. 본 발명의 바람직한 실시예에 있어서, 탄성 접착층(10)의 두께는 제2 다이(11)가 제1 와이어(5)와 접촉하는 것을 막기 위하여 제1 와이어(5) 위에서 제2 다이(11)가 멀리 떨어지도록 할 만큼 충분히 두껍다. 본 발명의 바람직한 실시예에 있어서, 탄성 접착층(10)의 두께는 제1 와이어(5)의 루프(loop) 높이를 넘는다. 본 발명의 바람직한 실시예에 있어서, 제2 다이(11)는 그 후면 상에 미리 형성된 테이프 없이도 탄성 접착층(10) 상에 위치된다.
도 2에 도시된 바와 같이, 보호층(13)은 제1 다이스(7), 제2 다이(11), 패드들(4), 제1 와이어(5) 및 제2 와이어(6)를 인캡슐레이트하여 외부의 간섭, 예를 들어 습기로부터 이들을 보호한다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 보호층(13)의 재 료들은 유기 컴파운드, 리퀴드 컴파운드 및 실리콘 러버를 포함한다. 본 발명의 또 다른 실시예에 있어서, 보호층(13)은 바람직하게 보호층과 적층 다이스 패키징 구조의 다른 요소들 사이의 열팽창계수 사이의 차이에 의해 유발된 효과를 감소시키기 위해 적당한 열팽창계수를 갖는다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 보호층의 재료는 열가소성 물질(thermoplastics), 에폭시일 수 있다.
적층 다이스 패키징 구조를 제조하기 위한 본 발명의 공정은 표면 상에 스핀 코팅된 탄성 접착층(10)을 가진 웨이퍼를 제공하는 단계를 포함한다. 이후, 웨이퍼는 UV 테이프 폼 또는 청색 테이프 폼으로 다이싱된다; 그러므로 탄성 접착층은 제1 다이의 모든 상부 표면을 덮으며 제1 다이의 주변 에지들에 림들을 형성한다. 피크앤 플레이스 미세 정렬 시스템(pick and place fine alignment system)이 알려진 양호한 다이들, 즉 도 2에 도시된 제1 다이(7)를 각각 패드(3) 및 패드(4)로 언급되는 제1 접점 패드들을 가진 기판(2) 상에 재배선시키기 위하여 이용되며, 접착층(9)은 도 4에 도시된 구조(1)를 형성하기 위해 제1 다이(7)의 후면을 접착하기 위해 기판 상에 미리 형성된다. 도 3에 도시된 바와 같이, 탄성 접착층(10)은 제1 다이(7)의 모든 상부 표면을 덮는다. 본 발명의 바람직한 실시예에 있어서, 탄성 접착층(10)에 도포된 두께는 제2 다이(11)가 제1 와이어(5)에 접촉하는 것을 방지하기 위해 제1 와이어(5) 위에서 멀리 떨어지도록 다른 다이, 즉 도 1에 도시된 제2 다이(11)를 위치시킬 만큼 충분히 두꺼워야 한다.
다음으로, 도 3에 도시된 바와 같이, 리소그래피가 접점 패드들(8) 상에 오프닝들(15)을 형성하기 위해 탄성 접착층(10) 상에 수행된다; 오프닝들(15)은 제1 와이어(5)가 기판의 제1 접점 패드들(8) 및 패드들(4)에 와이어 본딩되도록 하는 어떤 종류의 포맷이든 될 수 있다; 본 발명의 바람직한 실시에에 있어서, 오프닝들(15)은 장방형이다. 복수의 오프닝들(15)은 제1 접점 패드들(8)을 노광시키기 위해 탄성 접착층(10)의 둘레 상에 형성되며, 즉, 탄성 접착층(10)은 제1 다이의 상부 표면의 모두를 덮으며 제1 접점 패드들 상에 형성된 오프닝들(15)을 제외하고 제1 다이의 주변 에지에 림을 형성한다.
다음으로, 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 다이(7) 및 패드들(4) 사이의 전기적 결합을 확보하기 위하여 제1 와이어들(5)에 의해 기판(2) 상의 패드들(4)과 제1 다이(7)의 접점 패드들(8)을 와이어 본딩하는 단계이다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 와이어 본딩은 초음파 본딩(ultrasonic bonding), 압축 본딩(compression bonding), 솔더링(soldering)과 같은 종래의 기술에 의해 수행된다.
이후 패크앤 플레이스 미세 정렬 시스템(다이 본더)이 다시 다른 공지의 양호한 다이들, 즉 도 2에 도시된 제2 다이(11)를 다이스의 적층 구조를 형성하기 위해 부착시킴으로써 탄성 접착층(10) 상에 적층하기 위해 이용된다; 제2 다이(11)는 상부 표면 상에 복수의 접점 패드들(12)을 구비한다; 즉 제2 다이(11)는 제2 다이(11)의 상부 표면의 둘레 주위에 위치된 복수의 접점 패드들(12)을 구비한다. 본 발명의 바람직한 실시예에 있어서, 다이(11)는 그 후면 상에 접착층의 도포를 요구하지 않으면서 탄성 접착층(10) 상에 배치된다.
도 2를 참조하면, 제2 다이(11)가 탄성 접착층(10) 상에 배치된 이후, 제2 와이어(6)로 표시되는 복수의 와이어들이 접점 패드들(12)을 복수의 패드들(4)과 와이어 본딩한다; 탄성층(10)은 상부 칩 상에 와이어 본딩을 수행할 때 다이스의 동일 평면을 확보하기 위해 충분히 안정적이고 제1 다이(7) 및 제2 다이(11)가 와이어 본딩을 수행하는 동안 서로 충돌하지 않도록 하기 위해 충분히 두껍다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 와이어 본딩은 초음파 본딩, 압축 본딩, 솔더링과 같은 종래의 기술에 의하여 수행된다.
제2 다이(11)가 접착층(10) 상에 본딩된 이후, 탄성층의 형태를 고정하기 위해 탄성 접착층(10)을 경화하는 단계이다. 다이스 및 기판이 몰딩 컴파운드에 의해 몰딩된 이후 적층 다이스 패키징 구조가 완료된다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 몰딩이 제1 다이(7), 제2 다이(11), 제2 와이어(6) 및 제1 와이어(5)로 표시되는 복수의 와이어들, 패드(4)로 표시되는 복수의 패드들 상에 보호층(13)을 도포함으로써 수행되어 이들을 인캡슐레이트한다.
본 발명의 바람직한 실시예들이 기재되었지만, 본 발명은 기재된 바람직한 실시예들로 제한되어서는 안된다는 것을 당업자에 의하여 이해될 것이다. 오히려 다양한 변화 및 수정들이 다음의 청구항에 정의된 것처럼, 본 발명의 정신 및 범위 내에서 이루어질 수 있다.
도 1은 적층된 다이스 패키징 구조에 관련된 종래 기술을 도시한다.
도 2는 본 발명에 따른 적층된 다이스 패키징 구조의 횡단면도를 도시한다.
도 3은 본 발명에 따른 적층된 다이스 패키징 구조의 상면도를 도시한다.
도 4는 본 발명에 따른 적층된 다이스 패키징 구조의 제조 공정의 일 단계를 도시한다.

Claims (5)

  1. 복수의 패드를 갖는 기판;
    상기 기판 상에 부착된 제1 접점 패드를 갖는 제1 다이;
    상기 패드 및 상기 제1 접점 패드에 전기적으로 결합된 제1 와이어;
    안에 형성된 슬롯을 구비하며 상기 제1 다이의 상부 표면을 덮고 상기 제1 접점 패드들 상에 형성된 상기 슬롯들을 제외하고 상기 다이의 주변 에지들에 림들을 형성하는 상기 제1 다이 상의 탄성 접착층;
    상기 탄성 접착층 상에 배치된 제2 접점 패드를 갖는 제2 다이;
    상기 패드 및 상기 제2 접점 패드에 전기적으로 연결되는 제2 와이어; 및
    상기 제1 다이, 상기 제2 다이, 상기 패드들, 상기 제1 와이어 및 상기 제2 와이어를 인캡슐레이트하는 보호층을 포함하는 적층된 다이스 패키지의 구조.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 탄성 접착층의 연신률은 20%보다 높은 구조.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 탄성 접착층의 두께는 상기 제1 와이어의 루프 높이를 초과하는 구조.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 탄성 접착층의 경화 온도는 200℃ 보다 낮은 구조.
  5. 미리 형성된 패드들을 가진 기판을 제공하는 단계;
    상기 기판으로 제1 접점 패드를 가진 제1 다이를 부착하는 단계로, 탄성 접착층은 상기 제1 다이 상에 미리 형성되며, 상기 탄성 접착층은 상기 제1 다이의 상부 표면을 덮으며 상기 제1 다이의 주변 에지들에 림들을 형성하는, 단계;
    상기 제1 접점 패드 위의 위치에서 상기 탄성 접착층 내에 슬롯들을 형성하는 단계로, 상기 탄성 접착층은 상기 제1 다이의 상부 표면을 덮으며 상기 제1 접점 패드들 상에 형성된 상기 슬롯들을 제외하고 상기 제1 다이의 주변 에지들에 림들을 형성하는, 단계;
    상기 제1 접점 패드를 상기 패드와 와이어 본딩하는 단계;
    제2 접점 패드를 가진 제2 다이를 상기 탄성 접착층에 부착하는 단계로, 상기 제2 다이는 상기 제2 다이의 후면 상에 접착제를 도포하는 것을 요구하지 않으면서 상기 탄성층 상에 부착되는, 단계; 및
    상기 제2 접점 패드를 상기 패드에 와이어 본딩하는 단계를 포함하는 적층된 다이스 패키지를 형성하는 방법.
KR1020080038028A 2007-04-24 2008-04-24 릴리징층을 갖는 적층 패키지 및 그 형성 방법 KR20080095797A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/739,241 2007-04-24
US11/739,241 US20080265393A1 (en) 2007-04-24 2007-04-24 Stack package with releasing layer and method for forming the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20080095797A true KR20080095797A (ko) 2008-10-29

Family

ID=39877361

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080038028A KR20080095797A (ko) 2007-04-24 2008-04-24 릴리징층을 갖는 적층 패키지 및 그 형성 방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20080265393A1 (ko)
JP (1) JP2008270821A (ko)
KR (1) KR20080095797A (ko)
CN (1) CN101295709A (ko)
DE (1) DE102008020469A1 (ko)
SG (1) SG147398A1 (ko)
TW (1) TW200843079A (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8680686B2 (en) * 2010-06-29 2014-03-25 Spansion Llc Method and system for thin multi chip stack package with film on wire and copper wire
CN102569272B (zh) * 2011-12-31 2014-06-25 天水华天科技股份有限公司 一种基板的多层隔片式ic芯片堆叠封装件及其生产方法
JP5867873B2 (ja) * 2013-10-10 2016-02-24 本田技研工業株式会社 防水クリップ
US11776375B2 (en) * 2022-01-10 2023-10-03 Wellsense, Inc. Pressure sensing mat with vent holes
US11892363B2 (en) 2022-01-10 2024-02-06 Wellsense, Inc. Anti-crinkling pressure sensing mat

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8181125B2 (en) * 2002-08-05 2012-05-15 Hewlett-Packard Development Company, L.P. System and method for providing compliant mapping between chip bond locations and package bond locations for an integrated circuit
US6833287B1 (en) 2003-06-16 2004-12-21 St Assembly Test Services Inc. System for semiconductor package with stacked dies
US7091590B2 (en) * 2003-08-11 2006-08-15 Global Advanced Packaging Technology H.K. Limited Multiple stacked-chip packaging structure

Also Published As

Publication number Publication date
TW200843079A (en) 2008-11-01
JP2008270821A (ja) 2008-11-06
US20080265393A1 (en) 2008-10-30
DE102008020469A1 (de) 2008-11-27
CN101295709A (zh) 2008-10-29
SG147398A1 (en) 2008-11-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107887346B (zh) 集成扇出型封装件
USRE39957E1 (en) Method of making semiconductor package with heat spreader
KR101031394B1 (ko) 광 센서 패키지
US7326592B2 (en) Stacked die package
US7315078B2 (en) Chip-stacked semiconductor package and method for fabricating the same
US6919627B2 (en) Multichip module
TWI345276B (en) Dice rearrangement package structure using layout process to form a compliant configuration
US6458626B1 (en) Fabricating method for semiconductor package
US9691688B2 (en) Thin plastic leadless package with exposed metal die paddle
US8018050B2 (en) Integrated circuit package with integrated heat sink
JP5227501B2 (ja) スタックダイパッケージ及びそれを製造する方法
US7445963B2 (en) Semiconductor package having an interfacial adhesive layer
US20080164595A1 (en) Stackable semiconductor package and the method for making the same
TWI469301B (zh) 堆疊封裝間具有線接點互連之半導體多重封裝模組
US20100213588A1 (en) Wire bond chip package
US20070215992A1 (en) Chip package and wafer treating method for making adhesive chips
US8815645B2 (en) Multi-chip stacking method to reduce voids between stacked chips
US20100213589A1 (en) Multi-chip package
US9716079B2 (en) Multi-chip package having encapsulation body to replace substrate core
US8093104B1 (en) Multi-chip stacking method to reduce voids between stacked chips
US8531017B2 (en) Semiconductor packages having increased input/output capacity and related methods
TWI829392B (zh) 晶片封裝方法及晶片結構
KR20080095797A (ko) 릴리징층을 갖는 적층 패키지 및 그 형성 방법
KR100487135B1 (ko) 볼그리드어레이패키지
TW201001632A (en) Chip rearrangement package structure and the method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application