TWI705496B - 半導體裝置的製造方法 - Google Patents

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TWI705496B
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林下英司
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日商三井化學東賽璐股份有限公司
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Abstract

本發明的半導體裝置的製造方法至少包括以下的3個步驟。（A）準備第1結構體（100）的步驟，所述第1結構體（100）包括：依次具有耐熱性樹脂層（10）、柔軟性樹脂層（20）及黏著性樹脂層（30）的黏著性積層膜（50），以及貼附於黏著性樹脂層（30）上且具有第1端子（65）的第1半導體零件（60）；（B）以貼附於黏著性樹脂層（30）上的狀態，對第1結構體（100）進行回流焊處理的步驟；以及（C）於步驟（B）之後，將耐熱性樹脂層（10）從黏著性積層膜（50）上剝離的步驟。

Description

半導體裝置的製造方法
本發明是有關於一種半導體裝置的製造方法。
隨著近年來的半導體裝置的高積體化，提出了：將多個半導體晶片積層於單一的封裝體內來安裝的堆疊晶片（chip on chip）的技術；或將半導體晶片安裝於半導體晶圓上的晶片堆疊晶圓（chip on wafer）、將半導體晶圓安裝於半導體晶圓上的堆疊晶圓（wafer on wafer）的技術等。
所述半導體裝置的製造步驟中，存在進行如下步驟的情況：藉由使用焊料凸塊的回流焊處理，將半導體晶片或半導體晶圓等半導體零件彼此接合。 與藉由使用焊料凸塊的回流焊處理來進行的接合有關的技術例如可列舉專利文獻1（日本專利特開2014-143305號公報）中記載者。
專利文獻1中記載有一種半導體裝置的安裝結構，其以將形成於安裝基板的上表面的電極部、與形成於半導體元件的上表面的電極部電性連接的狀態，於所述安裝基板上安裝所述半導體元件，所述半導體裝置的安裝結構的特徵在於包括凸型凸塊以及凹型凸塊，所述凸型凸塊包括：包含高熔點金屬的柱狀的凸塊柱，其於所述半導體元件及所述安裝基板中的其中一者的電極部上連接一端，以及第1阻隔層，其被覆該凸塊柱的另一端部的上表面及側面；且所述凹型凸塊包括：第2阻隔層，其形成於所述半導體元件及所述安裝基板中的另一者的電極部上，以及包含低熔點焊料的焊料構件，其將該第2阻隔層與所述凸型凸塊的由所述第1阻隔層所被覆的上表面及側面連接。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2014-143305號公報
[發明所欲解決的課題] 依據本發明者的研究而瞭解到，關於現有的半導體裝置的製造方法，發現如以下所述的課題。 首先，本發明者獲得如下見解：於現有的半導體裝置的製造方法中，當藉由使用焊料凸塊的回流焊處理而將半導體零件彼此時，將半導體零件固定的黏著性膜會變形或熔融。該情況下，產生黏著性膜上的半導體零件的位置偏移，其後的半導體零件的拾取無法順利進行。
進而，依據本發明者的研究而瞭解到，若為了抑制黏著性膜的變形或熔融而提高黏著性膜的耐熱性，則黏著性膜的變形或熔融受到抑制，半導體零件的位置偏移得到改善，但另一方面，此次黏著性膜的伸縮性或柔軟性惡化，半導體零件的拾取無法順利進行。 即，現有的半導體裝置的製造方法中，使用焊料凸塊的回流焊處理後的半導體零件的拾取性存在改善的餘地。
因此，現有的半導體裝置的製造方法中，就順利進行使用焊料凸塊的回流焊處理及半導體零件的拾取的觀點而言，必須如圖7所示，使黏著性膜50A上的半導體零件70A暫時移動至盤80A等上後，配置於回流焊爐90A中，進行使用焊料凸塊68A的回流焊處理，使所獲得的半導體零件70B再次移動至黏著性膜50A等中後，進行切割步驟或拾取步驟，步驟變得複雜。 即，本發明者們發現，於現有的半導體裝置的製造方法中，就使從回流焊步驟至半導體零件的拾取步驟之間的步驟的簡略化、與半導體零件的拾取性併存的觀點而言，存在改善的餘地。
本發明是鑒於所述情況而形成，提供一種不僅可使從回流焊步驟至半導體零件的拾取步驟之間的步驟簡略化，而且可精度良好地拾取半導體零件的半導體裝置的製造方法。 [解決課題的手段]
本發明者們為了達成所述課題而反覆進行銳意研究。其結果為發現，藉由使用依次具有耐熱性樹脂層、柔軟性樹脂層及黏著性樹脂層的黏著性積層膜來作為將半導體零件固定的膜，且於半導體零件的拾取步驟之前，將所述耐熱性樹脂層剝離，可使從回流焊步驟至半導體零件的拾取步驟之間的步驟的簡略化、與半導體零件的拾取性併存，從而完成本發明。
依據本發明，提供以下所示的半導體裝置的製造方法。
[1] 一種半導體裝置的製造方法，其包括： 步驟（A），準備第1結構體，其包括：依次具有耐熱性樹脂層、柔軟性樹脂層及黏著性樹脂層的黏著性積層膜，以及貼附於所述黏著性樹脂層上且具有第1端子的第1半導體零件； 步驟（B），以貼附於所述黏著性樹脂層上的狀態，對所述第1結構體進行回流焊處理；以及 步驟（C），於所述步驟（B）之後，將所述耐熱性樹脂層從所述黏著性積層膜上剝離。 [2] 如所述[1]中所述的半導體裝置的製造方法，其中 所述步驟（B）包括如下步驟：藉由在所述第1半導體零件的所述第1端子上接合焊料凸塊而獲得第2結構體。 [3] 如所述[2]中所述的半導體裝置的製造方法，其中 所述步驟（B）包括如下步驟：藉由在所述第1半導體零件的所述第1端子上，經由所述焊料凸塊而接合另行準備的具有第2端子的第2半導體零件的所述第2端子，從而獲得所述第2結構體。 [4] 如所述[2]或[3]中所述的半導體裝置的製造方法，其中 於所述步驟（B）中，於180℃以上、300℃以下的溫度環境下進行所述回流焊處理。 [5] 如所述[2]至[4]中任一項所述的半導體裝置的製造方法，其中 所述第1半導體零件包含半導體基板，並且 於所述步驟（B）與所述步驟（C）之間更包括將所述第2結構體切割而獲得多個第3半導體零件的步驟（D）。 [6] 如所述[5]中所述的半導體裝置的製造方法，其中 於所述步驟（C）之後，更包括從所述黏著性樹脂層上拾取所述第3半導體零件的步驟（E）。 [7] 如所述[2]至[4]中任一項所述的半導體裝置的製造方法，其中 所述第2結構體包含多個第3半導體零件，並且 於所述步驟（C）之後，更包括從所述黏著性樹脂層上拾取所述第3半導體零件的步驟（E）。 [8] 如所述[6]或[7]中所述的半導體裝置的製造方法，其中 於所述步驟（B）與所述步驟（E）之間更包括如下的步驟（F）：藉由對所述黏著性積層膜照射放射線，使所述黏著性樹脂層進行交聯，從而使所述黏著性樹脂層對於所述第3半導體零件的黏著力下降。 [9] 如所述[6]至[8]中任一項所述的半導體裝置的製造方法，其中 於所述步驟（E）中，以使所述黏著性樹脂層中的貼附有所述第3半導體零件的區域於膜的面內方向上擴張，使鄰接的所述第3半導體零件間的間隔擴大的狀態，從所述黏著性樹脂層上拾取所述第3半導體零件。 [10] 如所述[5]至[9]中任一項所述的半導體裝置的製造方法，其中 於所述步驟（B）與所述步驟（C）之間更包括如下的步驟（G）：以貼附於所述黏著性樹脂層上的狀態，確認所述第3半導體零件的動作。 [11] 如所述[1]至[10]中任一項所述的半導體裝置的製造方法，其中 所述耐熱性樹脂層的熔點為200℃以上，或者所述耐熱性樹脂層不具有熔點。 [12] 如所述[1]至[11]中任一項所述的半導體裝置的製造方法，其中 所述柔軟性樹脂層的熔點為100℃以上、250℃以下。 [13] 如所述[1]至[12]中任一項所述的半導體裝置的製造方法，其中 構成所述耐熱性樹脂層的耐熱性樹脂包含選自由聚醯亞胺、聚醯胺及聚酯所組成的群組中的一種或兩種以上。 [14] 如所述[1]至[13]中任一項所述的半導體裝置的製造方法，其中 構成所述柔軟性樹脂層的柔軟性樹脂包含選自由聚酯系彈性體、聚醯胺系彈性體、聚醯亞胺系彈性體及聚對苯二甲酸丁二酯所組成的群組中的一種或兩種以上。 [15] 如所述[1]至[14]中任一項所述的半導體裝置的製造方法，其中 構成所述黏著性樹脂層的黏著劑包含選自(甲基)丙烯酸系黏著劑、矽酮系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、烯烴系黏著劑及苯乙烯系黏著劑中的一種或兩種以上。 [16] 如所述[1]至[15]中任一項所述的半導體裝置的製造方法，其中 所述黏著性積層膜的總透光率為85%以上。 [發明的效果]
依據本發明，可提供一種不僅可使從回流焊步驟至半導體零件的拾取步驟之間的步驟簡略化，而且可精度良好地拾取半導體零件的半導體裝置的製造方法。
以下，對於本發明的實施形態，使用圖式進行說明。此外，於所有圖式中，對同樣的構成要素標註共通的符號，且適當地省略說明。另外，圖為概略圖，與實際的尺寸比率不一致。另外，數值範圍的「A～B」若無特別說明，則表示A以上、B以下。另外，本實施形態中，所謂「(甲基)丙烯酸」是指丙烯酸、甲基丙烯酸或者丙烯酸及甲基丙烯酸的兩者。
圖1～圖4是表示本發明的半導體裝置的製造方法的一例的流程圖。圖5是示意性表示本發明的實施形態的黏著性積層膜50的結構的一例的剖面圖。圖6是示意性表示本發明的實施形態的半導體裝置的製造方法的一例的剖面圖。
本實施形態的半導體裝置的製造方法至少包括以下的3個步驟。 （A）準備第1結構體100的步驟，所述第1結構體100包括：依次具有耐熱性樹脂層10、柔軟性樹脂層20及黏著性樹脂層30的黏著性積層膜50，以及貼附於黏著性樹脂層30上且具有第1端子65的第1半導體零件60。 （B）以貼附於黏著性樹脂層30上的狀態，對第1結構體100進行回流焊處理的步驟。 （C）於步驟（B）之後，將耐熱性樹脂層10從黏著性積層膜50上剝離的步驟。
依據本發明者們的研究，關於現有的半導體裝置的製造方法，發現如以下所述的課題。 首先，本發明者獲得如下見解：於現有的半導體裝置的製造方法中，當藉由使用焊料凸塊的回流焊處理而使半導體零件彼此接合時，將半導體零件固定的黏著性膜會變形或熔融。該情況下，產生黏著性膜上的半導體零件的位置偏移，其後的半導體零件的拾取無法順利進行。 進而，依據本發明者的研究而瞭解到，若為了抑制黏著性膜的變形或熔融而提高黏著性膜的耐熱性，則黏著性膜的變形或熔融受到抑制，半導體零件的位置偏移得到改善，但另一方面，此次黏著性膜的伸縮性或柔軟性惡化，半導體零件的拾取無法順利進行。 即，現有的半導體裝置的製造方法中，使用焊料凸塊的回流焊處理後的半導體零件的拾取性存在改善的餘地。
因此，現有的半導體裝置的製造方法中，就順利進行使用焊料凸塊的回流焊處理及半導體零件的拾取的觀點而言，必須如圖7所示，使黏著性膜50A上的半導體零件70A暫時移動至盤80A等上後，配置於回流焊爐90A中，進行使用焊料凸塊68A的回流焊處理，使所獲得的半導體零件70B再次移動至黏著性膜50A等上後，進行切割步驟或拾取步驟，步驟變得複雜。 即，本發明者們發現，於現有的半導體裝置的製造方法中，就使從回流焊步驟至半導體零件的拾取步驟之間的步驟的簡略化、與半導體零件的拾取性併存的觀點而言，存在改善的餘地。
本發明者們為了達成所述課題而反覆進行銳意研究。其結果為發現，藉由使用依次具有耐熱性樹脂層10、柔軟性樹脂層20及黏著性樹脂層30的黏著性積層膜50來作為將半導體零件固定的膜，且於半導體零件的拾取步驟之前，剝離耐熱性樹脂層10，可使從回流焊步驟至半導體零件的拾取步驟之間的步驟的簡略化、與半導體零件的拾取性併存。 即，藉由使用具有耐熱性樹脂層10的黏著性積層膜50來進行所述步驟（B），則藉由耐熱性樹脂層10而使黏著性樹脂層30的變形或熔融受到抑制，可抑制半導體零件的位置偏移，其結果為，可更準確地進行半導體零件的拾取。 另外，藉由在所述步驟（B）之後，進行所述步驟（C）而去除伸縮性或柔軟性差的耐熱性樹脂層10，因此於半導體零件的拾取步驟中，包括黏著性樹脂層30及柔軟性樹脂層20的膜的伸縮性或柔軟性變得良好，可更容易進行半導體零件的拾取。 進而，可於貼附於黏著性積層膜50上的狀態下，進行半導體零件的回流焊處理，因此不需要於半導體零件的回流焊處理之前，使半導體零件從黏著性積層膜50上移動至盤等上，可使從回流焊步驟至半導體零件的拾取步驟之間的步驟簡略化。 如以上所述，依據本實施形態的半導體裝置的製造方法，藉由包括所述步驟（A）～步驟（C），可使從回流焊步驟至半導體零件的拾取步驟之間的步驟簡略化，而且可精度良好地拾取半導體零件。
1.黏著性積層膜 首先，對本實施形態的半導體裝置的製造方法中使用的黏著性積層膜50進行說明。
此處，本實施形態中，所謂耐熱性是指高溫下的膜或樹脂層的尺寸穩定性。即，越是耐熱性優異的膜或樹脂層，越難以產生高溫下的膨脹或收縮、軟化等變形或熔融等。
＜耐熱性樹脂層＞ 耐熱性樹脂層10是出於使黏著性積層膜50的操作性或機械特性、耐熱性等特性更良好的目的而設置的層。 耐熱性樹脂層10只要具有當進行回流焊處理時，不會產生引起半導體零件的位置偏移的程度的變形或熔融的程度的耐熱性，則並無特別限定，例如可使用耐熱性樹脂膜。
構成所述耐熱性樹脂膜的樹脂例如可列舉選自以下化合物中的一種或兩種以上：聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯；尼龍-6、尼龍-66、聚己二醯間苯二甲胺等聚醯胺；聚醯亞胺；聚醚醯亞胺；聚醯胺醯亞胺；聚碳酸酯；改質聚苯醚；聚縮醛；聚芳酯；聚碸；聚醚碸；聚苯硫醚；聚醚醚酮；氟系樹脂；液晶聚合物；偏二氯乙烯樹脂；聚苯并咪唑；聚苯并噁唑；聚甲基戊烯等。
該些中，就耐熱性或機械強度、透明性、價格等的平衡優異的觀點而言，較佳為選自聚醯亞胺、聚醯胺及聚酯中的一種或兩種以上。
耐熱性樹脂層10的熔點較佳為200℃以上，更佳為220℃以上。或者，耐熱性樹脂層10較佳為不顯示熔點者，更佳為分解溫度為200℃以上，尤佳為分解溫度為220℃以上。 若使用此種耐熱性樹脂層10，則可更進一步抑制進行回流焊處理時的黏著性積層膜50的變形。
耐熱性樹脂層10可為單層，亦可為兩種以上的層。 另外，為了形成耐熱性樹脂層10而使用的樹脂膜的形態可為延伸膜，亦可為於單軸方向或雙軸方向上延伸的膜，但就提高耐熱性樹脂層10的耐熱性及機械強度的觀點而言，較佳為於單軸方向或雙軸方向上延伸的膜。
就獲得良好的膜特性的觀點而言，耐熱性樹脂層10的厚度較佳為10 μm以上、1000 μm以下，更佳為10 μm以上、500 μm以下，尤佳為20 μm以上、300 μm以下。 耐熱性樹脂層10為了改良與其他層的黏接性，亦可進行表面處理。具體而言，亦可進行電暈處理、電漿處理、下塗（under coat）處理、底塗（primer coat）處理等。
耐熱性樹脂層10是以可剝離的方式對柔軟性樹脂層20進行積層。 以可剝離的方式積層的方法並無特別限定，例如可列舉：經由可剝離的黏接層（未圖示）而積層的方法；或調整耐熱性樹脂層10的與柔軟性樹脂層20接觸之側的表面的表面粗糙度，且對其表面進行脫模處理的方法等。所謂可剝離的黏接層，是指藉由在剝離時施加放射線或熱等某種刺激而可容易剝離的層。
此種可剝離的黏接層例如可列舉：（1）由可藉由放射線照射而抑制黏著力的亢進的放射線交聯型黏著劑所構成的黏接層；（2）由藉由加熱而膨脹，可抑制黏著力的亢進的加熱膨脹型黏著劑所構成的黏接層；（3）由藉由加熱而收縮，可抑制黏著力的亢進，且以收縮性膜作為基材的兩面黏著性膜所構成的黏接層；（4）於高溫或低溫下的處理後亦可抑制黏著力的亢進的耐熱性黏接層等。
（（1）由可藉由放射線照射而抑制黏著力的亢進的放射線交聯型黏著劑所構成的黏接層） 放射線交聯型黏著劑為於放射線照射前，對耐熱性樹脂層10及柔軟性樹脂層20具有充分的黏接力，且於放射線照射後可抑制黏著力的亢進者。即，於放射線照射前可黏接耐熱性樹脂層10及柔軟性樹脂層20，且於放射線照射後可從柔軟性樹脂層20上容易地剝離耐熱性樹脂層10。 放射線交聯型黏著劑可使用通常公知的紫外線交聯型黏著劑等放射線交聯型黏著劑。
（（2）由藉由加熱而膨脹，可抑制黏著力的亢進的加熱膨脹型黏著劑所構成的黏接層） 加熱膨脹型黏著劑是指於黏著劑中分散有熱膨脹性微粒子或發泡劑等的黏著劑。黏著劑可使用通常公知的黏著劑，例如可列舉：(甲基)丙烯酸系黏著劑、矽酮系黏著劑、橡膠系黏著劑、聚胺基甲酸酯系黏著劑、聚乙烯醚系黏著劑等。 熱膨脹性微粒子例如可列舉：使異丁烷、丙烷、戊烷等藉由加熱而容易氣化膨脹的物質內包於具有彈性的殼內的微粒子。 發泡劑例如可列舉具有進行熱分解而產生水、二氧化碳、氮的能力的化學物質等。 若藉由加熱，熱膨脹性微粒子或發泡劑膨脹，則黏接層的表面狀態變化，可抑制柔軟性樹脂層20與耐熱性樹脂層10的黏著力的亢進，其結果為，可從柔軟性樹脂層20上容易地剝離耐熱性樹脂層10。
（（3）由藉由加熱而收縮，可抑制黏著力的亢進，且以收縮性膜作為基材的兩面黏著性膜所構成的黏接層） 以收縮性膜作為基材的兩面黏著性膜中使用的收縮膜可列舉藉由加熱而收縮的熱收縮膜。例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯、聚乙烯、聚苯乙烯、聚丙烯、聚醯胺、聚胺基甲酸酯、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯等單軸或雙軸延伸膜等。 設置於收縮性膜的兩面的黏著劑可使用通常公知的黏著劑，例如可列舉：(甲基)丙烯酸系黏著劑、矽酮系黏著劑、橡膠系黏著劑、聚胺基甲酸酯系黏著劑、聚乙烯醚系黏著劑等。 若藉由加熱，基材的收縮性膜收縮，則黏接層的表面狀態變化，可抑制柔軟性樹脂層20與耐熱性樹脂層10的黏著力的亢進，其結果為，可從柔軟性樹脂層20上容易地剝離耐熱性樹脂層10。
（（4）於高溫或低溫下的處理後亦可抑制黏著力的亢進的耐熱性黏接層） 構成於高溫或低溫下的處理後亦可抑制黏著力的亢進的耐熱性黏接層的黏著劑可列舉：(甲基)丙烯酸系黏著劑、矽酮系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、烯烴系黏著劑、苯乙烯系黏著劑等。 此處，(甲基)丙烯酸系黏著劑包含(甲基)丙烯酸系黏著性樹脂作為必需成分。矽酮系黏著劑包含矽酮系黏著性樹脂作為必需成分。胺基甲酸酯系黏著劑包含胺基甲酸酯系黏著性樹脂作為必需成分。 該些中，就使耐熱性樹脂層10與柔軟性樹脂層20之間的剝離強度的調整更容易的觀點等而言，較佳為(甲基)丙烯酸系黏著劑。
(甲基)丙烯酸系黏著劑中使用的(甲基)丙烯酸系黏著性樹脂例如可列舉包含(甲基)丙烯酸烷基酯單體單元（A）以及具有可與交聯劑反應的官能基的單體單元（B）的共聚物。 本實施形態中，所謂(甲基)丙烯酸烷基酯是指丙烯酸烷基酯、甲基丙烯酸烷基酯、或者該些的混合物。
本實施形態的(甲基)丙烯酸系黏著性樹脂例如可藉由將包含(甲基)丙烯酸烷基酯單體（A）以及具有可與交聯劑反應的官能基的單體（B）的單體混合物進行共聚合而獲得。
形成(甲基)丙烯酸烷基酯單體單元（A）的單體（A）可列舉具有碳數1～12左右的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯。較佳為具有碳數1～8的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯。具體而言可列舉：丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸丁酯、丙烯酸-2-乙基己酯、甲基丙烯酸-2-乙基己酯等。該些可單獨使用，亦可使用兩種以上。 本實施形態的(甲基)丙烯酸系黏著性樹脂中，當將(甲基)丙烯酸系黏著性樹脂中的全部單體單元的合計設為100質量%時，(甲基)丙烯酸烷基酯單體單元（A）的含量較佳為10質量%以上、98.9質量%以下，更佳為85質量%以上、95質量%以下。
形成具有可與交聯劑反應的官能基的單體（B）的單體（B）可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、中康酸、檸康酸、反丁烯二酸、順丁烯二酸、衣康酸單烷基酯、中康酸單烷基酯、檸康酸單烷基酯、反丁烯二酸單烷基酯、順丁烯二酸單烷基酯、丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯、丙烯酸-2-羥基乙酯、甲基丙烯酸-2-羥基乙酯、丙烯醯胺、甲基丙烯醯胺、丙烯酸第三-丁基胺基乙酯、甲基丙烯酸第三-丁基胺基乙酯等。較佳為丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸-2-羥基乙酯、甲基丙烯酸-2-羥基乙酯、丙烯醯胺、甲基丙烯醯胺等。該些可單獨使用，亦可使用兩種以上。 本實施形態的(甲基)丙烯酸系黏著性樹脂中，當將(甲基)丙烯酸系黏著性樹脂中的全部單體單元的合計設為100質量%時，單體單元（B）的含量較佳為1質量%以上、40質量%以下，更佳為1質量%以上、20質量%以下，尤佳為1質量%以上、10質量%以下。
本實施形態的(甲基)丙烯酸系黏著性樹脂除了包含單體單元（A）及單體單元（B）以外，亦可更包含二官能性單體（C）或具有作為界面活性劑的性質的特定的共聚單體（以下稱為聚合性界面活性劑）單元。 聚合性界面活性劑不僅具有與單體（A）、單體（B）及單體（C）進行共聚合的性質，而且於乳化聚合的情況下具有作為乳化劑的作用。
形成二官能性單體單元（C）的單體（C）可列舉：甲基丙烯酸烯丙酯、丙烯酸烯丙酯、二乙烯基苯、甲基丙烯酸乙烯酯、丙烯酸乙烯酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯，或例如兩末端為二丙烯酸酯或二甲基丙烯酸酯且主鏈的結構為丙二醇型（例如日本油脂（股）製造，商品名：PDP-200、同PDP-400、同ADP-200、同ADP-400）、四亞甲基二醇型（例如日本油脂（股）製造，商品名：ADT-250、同ADT-850）以及該些的混合型（例如日本油脂（股）製造，商品名：ADET-1800、同ADPT-4000)者等。
本實施形態的(甲基)丙烯酸系黏著性樹脂中，當將(甲基)丙烯酸系黏著性樹脂中的全部單體單元的合計設為100質量%時，單體單元(C)的含量較佳為0.1質量%以上、30質量%以下，更佳為0.1質量%以上、5質量%以下。
聚合性界面活性劑的例子例如可列舉：於聚氧乙烯壬基苯基醚的苯環上導入有聚合性的1-丙烯基者(第一工業製藥(股)製造；商品名：阿誇綸(Aqualon)RN-10、阿誇綸(Aqualon)RN-20、阿誇綸(Aqualon)RN-30、阿誇綸(Aqualon)RN-50等)、於聚氧乙烯壬基苯基醚的硫酸酯的銨鹽的苯環上導入有聚合性的1-丙烯基者(第一工業製藥(股)製造；商品名：阿誇綸(Aqualon)HS-10、阿誇綸(Aqualon)HS-20、阿誇綸(Aqualon)HS-1025等)、以及於分子內具有聚合性雙鍵的磺基丁二酸二酯系(花王(股)製造；商品名：拉特穆(Latemul)S-120A、拉特穆(Latemul)S-180A等)等。
本實施形態的(甲基)丙烯酸系黏著性樹脂亦可視需要而更含有由乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯等具有聚合性雙鍵的單體所形成的單體單元。
本實施形態的(甲基)丙烯酸系黏著性樹脂的聚合反應機制可列舉自由基聚合、陰離子聚合、陽離子聚合等。若考慮到(甲基)丙烯酸系黏著性樹脂的製造成本、單體的官能基的影響等，則較佳為藉由自由基聚合來聚合。
當藉由自由基聚合反應來聚合時，自由基聚合起始劑可列舉：苯甲醯基過氧化物、二-第三丁基過氧化物、二枯基過氧化物、3,3,5-三甲基己醯基過氧化物、過氧化二碳酸二-2-乙基己酯、甲基乙基酮過氧化物、過氧化鄰苯二甲酸第三丁酯、過氧化苯甲酸第三丁酯、過氧化乙酸二-第三丁酯、過氧化異丁酸第三丁酯、過氧化-2-己酸第三丁酯、過氧化-2-乙基己酸第三丁酯、過氧化-3,5,5-三甲基己酸第三丁酯、乙醯基過氧化物、異丁醯基過氧化物、辛醯基過氧化物、第三丁基過氧化物、二-第三戊基過氧化物等有機過氧化物；過硫酸銨、過硫酸鉀、過硫酸鈉等無機過氧化物；2,2'-偶氮雙異丁腈、2,2'-偶氮雙-2-甲基丁腈、4,4'-偶氮雙-4-氰基戊酸等偶氮化合物。
於藉由乳化聚合法來聚合的情況下，該些自由基聚合起始劑中，較佳為水溶性的過硫酸銨、過硫酸鉀、過硫酸鈉等無機過氧化物，同樣為水溶性的4,4'-偶氮雙-4-氰基戊酸等分子內具有羧基的偶氮化合物，尤佳為過硫酸銨、4,4'-偶氮雙-4-氰基戊酸等分子內具有羧基的偶氮化合物，特佳為4,4'-偶氮雙-4-氰基戊酸等分子內具有羧基的偶氮化合物。
(甲基)丙烯酸系黏著劑較佳為除了包含(甲基)丙烯酸系黏著性樹脂以外，更包含1分子中具有2個以上的交聯性官能基的交聯劑。 1分子中具有2個以上的交聯性官能基的交聯劑與(甲基)丙烯酸系黏著性樹脂所具有的官能基進行反應，用於調整黏著力及凝聚力。 此種交聯劑可列舉：山梨糖醇聚縮水甘油醚、聚丙三醇聚縮水甘油醚、季戊四醇聚縮水甘油醚、二丙三醇聚縮水甘油醚、丙三醇聚縮水甘油醚、新戊二醇二縮水甘油醚、間苯二酚二縮水甘油醚等環氧系化合物；四亞甲基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、三羥甲基丙烷的甲苯二異氰酸酯三加成物、聚異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、甲苯二異氰酸酯等異氰酸酯系化合物；三羥甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、四羥甲基甲烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、N,N'-二苯基甲烷-4,4'-雙(1-氮丙啶羧基醯胺)、N,N'-六亞甲基-1,6-雙(1-氮丙啶羧基醯胺)、N,N'-甲苯-2,4-雙(1-氮丙啶羧基醯胺)、三羥甲基丙烷-三-β-(2-甲基氮丙啶)丙酸酯等氮丙啶系化合物；N,N,N',N'-四縮水甘油基-間二甲苯二胺、1,3-雙(N,N'-二縮水甘油基胺基甲基)環己烷等四官能性環氧系化合物；六甲氧基羥甲基三聚氰胺等三聚氰胺系化合物等。該些可單獨使用，亦可併用兩種以上。 該些中，較佳為包含選自環氧系化合物、異氰酸酯系化合物及氮丙啶系化合物中的一種或兩種以上。
就提高黏接層的耐熱性或與密合力的平衡的觀點而言，相對於(甲基)丙烯酸系黏著性樹脂100質量份，(甲基)丙烯酸系黏著劑中的交聯劑的含量較佳為10質量份以上、50質量份以下，更佳為12質量份以上、30質量份以下。 另外，藉由調整(甲基)丙烯酸系黏著劑中的交聯劑的含量，可調整耐熱性樹脂層10與柔軟性樹脂層20之間的剝離強度。
本實施形態的(甲基)丙烯酸系黏著劑除了包含黏著性樹脂以外，亦可更包含紫外線聚合起始劑。藉此，可減少紫外線照射的硬化時間以及紫外線照射量。 紫外線聚合起始劑的例子中可列舉：甲氧基苯乙酮等苯乙酮系光聚合起始劑；4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮等α-酮醇化合物；苄基二甲基縮酮等縮酮系化合物；安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚等安息香系光聚合起始劑；二苯甲酮、苯甲醯基苯甲酸等二苯甲酮系光聚合起始劑等。 相對於黏著性樹脂100質量份，黏著劑中的紫外線聚合起始劑的含量較佳為0.1質量份以上、10質量份以下，更佳為2.5質量份以上、5質量份以下。
可剝離的黏接層的厚度並無特別限制，例如較佳為1 μm以上、100 μm以下，更佳為3 μm以上、50 μm以下。
可剝離的黏接層例如可藉由在耐熱性樹脂層10或柔軟性樹脂層20上塗佈黏著劑塗佈液而形成。 塗佈黏著劑塗佈液的方法可採用現有公知的塗佈方法，例如：輥塗佈機法、反向輥塗佈機法、凹版輥法、棒塗法、缺角輪塗佈機法、模塗佈機法等。對所塗佈的黏著劑的乾燥條件並無特別限制，通常，較佳為於80℃～200℃的溫度範圍內乾燥10秒～10分鐘。尤佳為於80℃～170℃下乾燥15秒～5分鐘。為了充分促進交聯劑與黏著劑的交聯反應，亦可於黏著劑塗佈液的乾燥結束後，於40℃～80℃下加熱5小時～300小時左右。
另外，本實施形態的黏著性積層膜50中，藉由調整耐熱性樹脂層10的與柔軟性樹脂層20接觸之側的表面的表面粗糙度，且對其表面進行脫模處理，亦可調整耐熱性樹脂層10與柔軟性樹脂層20之間的剝離強度。 此處，由JIS-B0601所規定的耐熱性樹脂層10的與柔軟性樹脂層20接觸之側的表面的表面粗糙度（Ra）較佳為0.10 μm以上、10 μm以下。 另外，耐熱性樹脂層10的與柔軟性樹脂層20接觸之側的表面較佳為藉由矽酮或聚四氟乙烯等脫模劑來進行脫模處理。
（柔軟性樹脂層） 柔軟性樹脂層20是出於使黏著性積層膜50的柔軟性或伸縮性等特性良好的目的而設置的層。 藉由設置柔軟性樹脂層20，剝離耐熱性樹脂層10後的黏著性積層膜50的伸縮性或柔軟性提高，可於拾取第3半導體零件80的步驟（E）中使黏著性積層膜50於面內方向上擴張。 藉由所述方式，鄰接的第3半導體零件80間的間隔擴大，因此容易從黏著性積層膜50上拾取第3半導體零件80。進而，藉由因黏著性積層膜50的面內方向的擴張而產生的第3半導體零件80與黏著性樹脂層30的剪切應力，第3半導體零件80與黏著性樹脂層30的黏著力下降，因此容易從黏著性積層膜50上拾取第3半導體零件80。
柔軟性樹脂層20若為可於面內方向上擴張者，則並無特別限定，較佳為柔軟性或伸縮性等特性優異，且具有當進行回流焊處理時可維持耐熱性樹脂層10與黏著性樹脂層30的黏接性的程度的耐熱性者。 構成所述柔軟性樹脂層20的柔軟性樹脂例如可列舉選自聚酯系彈性體、聚醯胺系彈性體、聚醯亞胺系彈性體及聚對苯二甲酸丁二酯等中的一種或兩種以上。
依據JIS K7161，以樣品寬度10 mm、夾頭間距離30 mm、拉伸速度300 mm/min的條件來測定的柔軟性樹脂層20的160℃下的拉伸彈性模數（E'）較佳為1 MPa以上、300 MPa以下，更佳為5 MPa以上、150 MPa以下。藉此，不僅可使柔軟性樹脂層20的柔軟性或伸縮性等特性保持良好，而且可更進一步抑制於進行回流焊處理時的黏著性積層膜50的熱膨脹。
柔軟性樹脂層20的熔點較佳為100℃以上、250℃以下。 若使用此種柔軟性樹脂層20，則可更進一步抑制於進行回流焊處理時的黏著性積層膜50的變形。
柔軟性樹脂層20的厚度並無特別限制，例如較佳為10 μm以上、500 μm以下，更佳為20 μm以上、300 μm以下，尤佳為30 μm以上、250 μm以下，特佳為50 μm以上、200 μm以下。
＜黏著性樹脂層＞ 黏著性樹脂層30為設置於柔軟性樹脂層20的其中一面側的層，是於將黏著性積層膜50貼附於半導體基板上時，與半導體基板的表面接觸而黏著的層。
構成黏著性樹脂層30的黏著劑可列舉：(甲基)丙烯酸系黏著劑、矽酮系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、烯烴系黏著劑、苯乙烯系黏著劑等。該些中，就可容易調整黏接力的方面等而言，較佳為將(甲基)丙烯酸系聚合體作為基礎聚合物的(甲基)丙烯酸系黏著劑。
作為構成黏著性樹脂層30的黏著劑，可使用藉由放射線而使黏著力下降的放射線交聯型黏著劑。由放射線交聯型黏著劑所構成的黏著性樹脂層30藉由放射線的照射而交聯，黏著力顯著減少，因此於第3半導體零件80的拾取步驟中，容易從黏著性樹脂層30上拾取第3半導體零件80。放射線可列舉紫外線、電子束、紅外線等。 放射線交聯型黏著劑較佳為紫外線交聯型黏著劑。
(甲基)丙烯酸系黏著劑中所含的(甲基)丙烯酸系聚合體例如可列舉：(甲基)丙烯酸酯化合物的均聚物、(甲基)丙烯酸酯化合物與共聚單體的共聚物等。(甲基)丙烯酸酯化合物例如可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸羥基乙酯、(甲基)丙烯酸羥基丙酯、(甲基)丙烯酸二甲基胺基乙酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等。該些(甲基)丙烯酸酯化合物可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。 另外，構成(甲基)丙烯酸系共聚物的共聚單體例如可列舉：乙酸乙烯酯、(甲基)丙烯腈、苯乙烯、(甲基)丙烯酸、衣康酸、(甲基)丙烯醯胺、羥甲基(甲基)丙烯醯胺、順丁烯二酸酐等。該些共聚單體可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。
放射線交聯型黏著劑例如包含：所述(甲基)丙烯酸系黏著劑等黏著劑、交聯性化合物（具有碳-碳雙鍵的成分）、以及光聚合起始劑或熱聚合起始劑。
交聯性化合物例如可列舉：分子中具有碳-碳雙鍵，可藉由自由基聚合而交聯的單體、寡聚物或聚合物等。此種交聯性化合物例如可列舉：三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸與多元醇的酯；酯(甲基)丙烯酸酯寡聚物；2-丙烯基二-3-丁烯基氰脲酸酯、雙(2-(甲基)丙烯醯氧基乙基)異氰脲酸2-羥基乙酯、三(2-甲基丙烯醯氧基乙基)異氰脲酸酯等異氰脲酸酯或者異氰脲酸酯化合物等。 此外，於黏著劑為於聚合物的側鏈上具有碳-碳雙鍵的放射線交聯型聚合物的情況下，亦可不添加交聯性化合物。
相對於黏著劑100質量份，交聯性化合物的含量較佳為5質量份～900質量份，更佳為5質量份～100質量份，尤佳為10質量份～50質量份。藉由交聯性化合物的含量為所述範圍，則與少於所述範圍的情況相比，黏著力的調整變得容易，且與多於所述範圍的情況相比，難以產生由於對熱或光的感度過高而引起的保存穩定性的下降。
光聚合起始劑若為藉由照射放射線而開裂生成自由基的化合物即可，例如可列舉：安息香甲醚、安息香異丙醚、安息香異丁醚等安息香烷基醚類；苄基、安息香、二苯甲酮、α-羥基環己基苯基酮等芳香族酮類；苄基二甲基縮酮等芳香族縮酮類；聚乙烯基二苯甲酮；氯硫雜蒽酮、十二烷基硫雜蒽酮、二甲基硫雜蒽酮、二乙基硫雜蒽酮等硫雜蒽酮類等。
熱聚合起始劑例如可列舉有機過氧化物衍生物或偶氮系聚合起始劑等。就加熱時不會產生氮的方面而言，較佳為有機過氧化物衍生物。熱聚合起始劑例如可列舉：酮過氧化物、過氧化縮酮、氫過氧化物、二烷基過氧化物、二醯基過氧化物、過氧化酯及過氧化二碳酸酯等。
黏著劑中亦可添加交聯劑。交聯劑例如可列舉：山梨糖醇聚縮水甘油醚、聚丙三醇聚縮水甘油醚、季戊四醇聚縮水甘油醚、二丙三醇聚縮水甘油醚等環氧系化合物；四羥甲基甲烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、三羥甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、N,N'-二苯基甲烷-4,4'-雙(1-氮丙啶羧基醯胺)、N,N'-六亞甲基-1,6-雙(1-氮丙啶羧基醯胺)等氮丙啶系化合物；四亞甲基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、聚異氰酸酯等異氰酸酯系化合物等。 就提高黏著性樹脂層30的耐熱性或與密合力的平衡的觀點而言，相對於(甲基)丙烯酸系聚合體100質量份，交聯劑的含量較佳為0.1質量份以上、10質量份以下。
黏著性樹脂層30的厚度並無特別限制，例如較佳為1 μm以上、100 μm以下，更佳為3 μm以上、50 μm以下。
黏著性樹脂層30例如可藉由在柔軟性樹脂層20上塗佈黏著劑塗佈液而形成。 塗佈黏著劑塗佈液的方法可採用現有公知的塗佈方法，例如：輥塗佈機法、反向輥塗佈機法、凹版輥法、棒塗法、缺角輪塗佈機法、模塗佈機法等。對所塗佈的黏著劑的乾燥條件並無特別限制，通常較佳為於80℃～200℃的溫度範圍內乾燥10秒～10分鐘。尤佳為於80℃～170℃下乾燥15秒～5分鐘。為了充分促進交聯劑與黏著劑的交聯反應，亦可於黏著劑塗佈液的乾燥結束後，於40℃～80℃下加熱5小時～300小時左右。
本實施形態的黏著性積層膜50亦可於黏著性樹脂層30上進而積層脫模膜。脫模膜例如可列舉經實施脫模處理的聚酯膜等。
本實施形態的黏著性積層膜50的總透光率較佳為85%以上，更佳為90%以上。藉由所述操作，可對黏著性積層膜50賦予透明性。而且，藉由將黏著性積層膜50的總透光率設為所述下限值以上，可於對本實施形態的黏著性積層膜50，從耐熱性樹脂層10側照射放射線時，對黏著性樹脂層30更有效果地照射放射線，可提高放射線照射效率。此外，黏著性積層膜50的總透光率可依據JIS K7105（1981）來測定。
繼而，對本實施形態的黏著性積層膜50的製造方法的一例進行說明。 首先，於耐熱性樹脂層10的其中一面上，利用擠出層壓法來形成柔軟性樹脂層20。繼而，藉由在柔軟性樹脂層20上塗佈黏著劑塗佈液，使其乾燥而形成黏著性樹脂層30，獲得黏著性積層膜50。 另外，耐熱性樹脂層10與柔軟性樹脂層20可藉由共擠出成形而形成，亦可將膜狀的耐熱性樹脂層10與膜狀的柔軟性樹脂層20進行層壓（積層）而形成。
2.半導體裝置的製造方法 繼而，對本實施形態的半導體裝置的製造方法的各步驟進行說明。
（步驟（A）） 首先，準備第1結構體100，其包括：依次具有耐熱性樹脂層10、柔軟性樹脂層20及黏著性樹脂層30的黏著性積層膜50，以及貼附於黏著性樹脂層30上且具有第1端子65的第1半導體零件60。 第1半導體零件60可列舉1個或2個以上的半導體晶片或半導體基板（例如半導體晶圓）等。
於第1半導體零件60包含半導體基板的情況下，第1結構體100例如可藉由在黏著性積層膜50的黏著性樹脂層30上貼附半導體基板來製作。 另外，於第1半導體零件60包含1個或2個以上的半導體晶片的情況下，第1結構體100例如可藉由在黏著性積層膜50的黏著性樹脂層30上貼附半導體基板，繼而，將黏著性積層膜50上的半導體基板切割為半導體晶片來製作。 以下，對第1結構體100的製造方法進行說明。
首先，於黏著性積層膜50的黏著性樹脂層30上貼附半導體基板。 貼附於黏著性積層膜50上的半導體基板例如可列舉：矽、鍺、鎵-砷、鎵-磷、鎵-砷-鋁等基板（例如晶圓）。 另外，半導體基板較佳為使用於表面形成有電路的半導體基板。
黏著性積層膜50的貼附亦可用人的手來進行，但通常利用安裝有卷狀的表面保護膜的自動黏貼機來進行。 對黏著性積層膜50及半導體基板的貼附時的溫度並無特別限制，較佳為25℃～80℃。 另外，對黏著性積層膜50與半導體基板的貼附時的壓力並無特別限制，較佳為0.3 MPa～0.5 MPa。
繼而，視需要，將黏著性積層膜50上的半導體基板切割為半導體晶片。 此處所謂的「切割」中包含： （a）藉由對半導體基板設置與該半導體基板的厚度相同的深度的切口，將半導體基板分割而獲得多個經分割的半導體晶片的操作（以下亦稱為「全切（full cut）切割」）；以及 （b）藉由照射雷射光，對半導體基板設置未達到半導體基板的切斷的程度的變質區域，獲得多個半導體晶片的操作（以下亦稱為「隱形（stealth）切割」）。 所述切割可使用切割刀片（切割鋸）、雷射光等來進行。
於切割為全切切割的情況下，藉由切割，半導體基板分割為多個半導體晶片。 另一方面，於切割為隱形切割的情況下，僅藉由切割，半導體基板未達到分割為多個半導體晶片的程度，藉由切割後的黏著性積層膜50的擴張，半導體基板被分割而獲得多個經分割的半導體晶片。此外，隱形切割的情況下的黏著性積層膜50的擴張可於步驟（B）之前進行，亦可於步驟（B）之後進行。 此外，步驟（A）中的第1半導體零件60中包括：藉由全切切割而獲得的經分割的多個半導體晶片、以及藉由隱形切割而獲得的分割前的多個半導體晶片的兩者。
（步驟（B）） 繼而，以貼附於黏著性樹脂層30上的狀態，對第1結構體100進行回流焊處理。 於步驟（B）中，可藉由在第1半導體零件60的第1端子65上接合焊料凸塊68而獲得第2結構體200，亦可藉由在第1半導體零件60的第1端子65上，經由焊料凸塊68而接合另行準備的具有第2端子75的第2半導體零件70的第2端子75，從而獲得第2結構體200。 此處，具有第2端子75的第2半導體零件70可列舉1個或2個以上的半導體晶片或半導體基板（例如半導體晶圓）等。
步驟（B）中，例如可於180℃以上、300℃以下的溫度環境下進行回流焊處理。 回流焊處理並無特別限定，例如可使用公知的回流爐90來進行。
（步驟（C）） 繼而，於步驟（B）之後，將耐熱性樹脂層10從黏著性積層膜50上剝離。 黏著性積層膜50的剝離亦有利用手來進行的情況，但通常利用稱為自動剝離機的裝置來進行。
（步驟（D）） 本實施形態的半導體裝置的製造方法中，於第1半導體零件60包含半導體基板的情況下，較佳為如圖2及圖6（A）、（B）、（C）、（D）及（E）所示，於所述步驟（B）與所述步驟（C）之間，更包括將第2結構體200切割而獲得多個第3半導體零件80的步驟（D）。 另一方面，於第1半導體零件60包含1個或2個以上的半導體晶片而獲得多個第2結構體200的情況下，可省略將第2結構體200進行切割的步驟。該情況下，第2結構體200成為第3半導體零件80。
（步驟（E）） 繼而，於步驟（C）之後，從黏著性樹脂層30上拾取第3半導體零件80。 藉由該拾取，可從黏著性積層膜50上剝離第3半導體零件80。 第3半導體零件80的拾取可利用公知的方法來進行。
步驟（E）中，較佳為以使黏著性樹脂層30中的貼附有第3半導體零件80的區域於膜的面內方向上擴張，使鄰接的第3半導體零件80間的間隔擴大的狀態，從黏著性樹脂層30上拾取第3半導體零件80。 藉由所述方式，鄰接的第3半導體零件80間的間隔擴大，因此容易從黏著性積層膜50上拾取第3半導體零件80。進而，藉由因黏著性積層膜50的面內方向的擴張而產生的第3半導體零件80與黏著性樹脂層30的剪切應力，第3半導體零件80與黏著性樹脂層30的黏著力下降，因此容易從黏著性積層膜50上拾取第3半導體零件80。
（步驟（F）） 本實施形態的半導體裝置的製造方法中，較佳為如圖3所示，於所述步驟（B）與所述步驟（E）之間更包括如下的步驟（F）：藉由對黏著性積層膜50照射放射線，使黏著性樹脂層30進行交聯，而使黏著性樹脂層30對第3半導體零件80的黏著力下降。 藉由進行步驟（F），可容易從黏著性樹脂層30上拾取第3半導體零件80。另外，可抑制藉由構成黏著性樹脂層30的黏著成分而污染第3半導體零件80的表面。 放射線例如是從黏著性積層膜50的耐熱性樹脂層10側照射。 於使用紫外線作為放射線的情況下，對黏著性積層膜50照射的紫外線的線量較佳為100 mJ/cm2 以上，更佳為350 mJ/cm2 以上。 若紫外線的線量為所述下限值以上，則可使黏著性樹脂層30的黏著力充分下降，其結果為，可更進一步抑制於半導體零件表面產生殘膠。 另外，對黏著性積層膜50照射的紫外線的線量的上限並無特別限定，就生產性的觀點而言，例如為1500 mJ/cm2 以下，較佳為1200 mJ/cm2 以下。 紫外線照射例如可使用高壓水銀燈或發光二極體（Light Emitting Diode，LED）來進行。 步驟（F）可於步驟（C）之前進行，亦可於步驟（C）之後進行，較佳為於步驟（D）與步驟（C）之間或者步驟（C）與步驟（E）之間進行。
（步驟（G）） 本實施形態的半導體裝置的製造方法中，較佳為如圖4所示，於所述步驟（B）與所述步驟（C）之間更包括如下的步驟（G）：以貼附於黏著性樹脂層30上的狀態，確認第3半導體零件80的動作。 第3半導體零件80的動作確認例如可將貼附有第3半導體零件80的黏著性積層膜50載置於檢查台上，使用公知的半導體試驗裝置來進行。 例如，對於第3半導體零件80的電極，接觸與試驗機連接的接觸端子。藉此，於第3半導體零件80與試驗機之間，進行動作電力或動作試驗信號等的授受，來判別第3半導體零件80的動作特性的良否等。 步驟（G）可於步驟（F）之前進行，亦可於步驟（F）之後進行。
步驟（G）中，較佳為於0℃以下或者50℃以上、200℃以下的溫度環境下進行第3半導體零件80的動作確認，更佳為於60℃以上、180℃以下的溫度環境下進行第3半導體零件80的動作確認，尤佳為於80℃以上、160℃以下的溫度環境下進行第3半導體零件80的動作確認。藉由所述操作，可使內部存在不良產生的要因的第3半導體零件80的劣化加速，使第3半導體零件80的初始不良提前產生，可去除其不良品。藉此，可良率良好地獲得可靠性優異的第3半導體零件80。 例如，藉由將貼附有第3半導體零件80的黏著性積層膜50放入至恆溫槽或烘箱中，或者利用設置於檢查台上的加熱器進行加熱，可設為所述的溫度環境下。 本實施形態的半導體裝置的製造方法中，藉由使用具有耐熱性樹脂層10的黏著性積層膜50來進行所述步驟（G），則藉由耐熱性樹脂層10來抑制黏著性樹脂層30的變形或熔融，可抑制第3半導體零件80的位置偏移，其結果為，可更準確地進行所述步驟（E）中的第3半導體零件80的拾取。
（其他步驟） 本實施形態的半導體裝置的製造方法亦可包括所述以外的其他步驟。其他步驟可使用半導體裝置的製造方法中公知的步驟。
例如，於進行步驟（E）之後，亦可進而進行將所獲得的半導體零件安裝於電路基板上的步驟，或引線接合（wire bonding）步驟、密封步驟等電子零件的製造步驟中通常進行的任意步驟等。
另外，於使用僅於其中一面具有電路面的半導體基板來作為半導體基板的情況下，亦可更包括將半導體基板的電路面密封的密封步驟。 密封步驟中，例如藉由在貼附有黏著性積層膜50的半導體基板的電路面上形成保護層，而將電路面密封於內部。該情況下，藉由密封步驟的後的切割步驟，將密封有電路面的半導體基板進行切割。 此外，密封步驟亦可於在半導體基板上貼附黏著性積層膜50的步驟之前進行。
另外，於使用具有電路面的半導體基板的情況下，例如可更包括如下步驟：利用通常使用的方法，於半導體基板的電路形成面上進行電極形成以及於非電路面上進行保護膜形成。設置有該進行電極形成及保護膜形成的步驟的製造方法亦稱為晶圓級封裝（Wafer Level Package，WLP）。 另外，亦可更包括於半導體基板的電路面上形成再配線層的步驟。藉由在超過半導體晶片面積的寬廣區域中形成再配線層而獲得的半導體裝置亦稱為扇出封裝（Fan-out Package）。
以上，已對本發明的實施形態進行了說明，但該些為本發明的例示，亦可採用所述以外的多種構成。
此外，本發明並不限定於所述的實施形態，可達成本發明的目的的範圍內的變形、改良等包含於本發明中。
本申請案主張以2016年3月30日提出申請的日本申請案特願2016-068859號作為基礎的優先權，將其揭示的全部併入本文中。
10‧‧‧耐熱性樹脂層20‧‧‧柔軟性樹脂層30‧‧‧黏著性樹脂層50‧‧‧黏著性積層膜50A‧‧‧黏著性膜60‧‧‧第1半導體零件65‧‧‧第1端子68、68A‧‧‧焊料凸塊70、70A、70B‧‧‧半導體零件75‧‧‧第2端子80‧‧‧第3半導體零件80A‧‧‧盤90‧‧‧回流爐90A‧‧‧回流焊爐100‧‧‧第1結構體200‧‧‧第2結構體A、B、C、D、E、F、G‧‧‧步驟
所述目的及其他目的、特徵及優點藉由以下所述的較佳實施形態、以及其中隨附的以下的圖式而進一步明確。
圖1是表示本發明的半導體裝置的製造方法的一例的流程圖。 圖2是表示本發明的半導體裝置的製造方法的一例的流程圖。 圖3是表示本發明的半導體裝置的製造方法的一例的流程圖。 圖4是表示本發明的半導體裝置的製造方法的一例的流程圖。 圖5是示意性表示本發明的實施形態的黏著性積層膜的結構的一例的剖面圖。 圖6是示意性表示本發明的實施形態的半導體裝置的製造方法的一例的剖面圖。 圖7是示意性表示現有的半導體裝置的製造方法的一例的剖面圖。
A、B、C‧‧‧步驟

Claims (16)

  1. 一種半導體裝置的製造方法，其包括： 步驟（A），準備第1結構體，其包括：依次具有耐熱性樹脂層、柔軟性樹脂層及黏著性樹脂層的黏著性積層膜，以及貼附於所述黏著性樹脂層上且具有第1端子的第1半導體零件； 步驟（B），以貼附於所述黏著性樹脂層上的狀態，對所述第1結構體進行回流焊處理；以及 步驟（C），於所述步驟（B）之後，將所述耐熱性樹脂層從所述黏著性積層膜上剝離。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的半導體裝置的製造方法，其中 所述步驟（B）包括如下步驟：藉由在所述第1半導體零件的所述第1端子上接合焊料凸塊而獲得第2結構體。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的半導體裝置的製造方法，其中 所述步驟（B）包括如下步驟：藉由在所述第1半導體零件的所述第1端子上，經由所述焊料凸塊而接合另行準備具有第2端子的第2半導體零件的所述第2端子，從而獲得所述第2結構體。
  4. 如申請專利範圍第2項或第3項所述的半導體裝置的製造方法，其中 於所述步驟（B）中，於180℃以上、300℃以下的溫度環境下進行所述回流焊處理。
  5. 如申請專利範圍第2項或第3項所述的半導體裝置的製造方法，其中 所述第1半導體零件包含半導體基板，並且 於所述步驟（B）與所述步驟（C）之間，更包括將所述第2結構體切割而獲得多個第3半導體零件的步驟（D）。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的半導體裝置的製造方法，其中 於所述步驟（C）之後，更包括從所述黏著性樹脂層上拾取所述第3半導體零件的步驟（E）。
  7. 如申請專利範圍第2項或第3項所述的半導體裝置的製造方法，其中 所述第2結構體包含多個第3半導體零件，並且 於所述步驟（C）之後，更包括從所述黏著性樹脂層上拾取所述第3半導體零件的步驟（E）。
  8. 如申請專利範圍第6項所述的半導體裝置的製造方法，其中 於所述步驟（B）與所述步驟（E）之間更包括如下的步驟（F）：藉由對所述黏著性積層膜照射放射線，使所述黏著性樹脂層進行交聯，而使所述黏著性樹脂層對於所述第3半導體零件的黏著力下降。
  9. 如申請專利範圍第6項所述的半導體裝置的製造方法，其中 於所述步驟（E）中，以使所述黏著性樹脂層中的貼附有所述第3半導體零件的區域於膜的面內方向上擴張，使鄰接的所述第3半導體零件間的間隔擴大的狀態，從所述黏著性樹脂層上拾取所述第3半導體零件。
  10. 如申請專利範圍第5項所述的半導體裝置的製造方法，其中 於所述步驟（B）與所述步驟（C）之間更包括如下的步驟（G）：以貼附於所述黏著性樹脂層上的狀態，確認所述第3半導體零件的動作。
  11. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的半導體裝置的製造方法，其中 所述耐熱性樹脂層的熔點為200℃以上，或者所述耐熱性樹脂層不具有熔點。
  12. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的半導體裝置的製造方法，其中 所述柔軟性樹脂層的熔點為100℃以上、250℃以下。
  13. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的半導體裝置的製造方法，其中 構成所述耐熱性樹脂層的耐熱性樹脂包含選自由聚醯亞胺、聚醯胺及聚酯所組成的群組中的一種或兩種以上。
  14. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的半導體裝置的製造方法，其中 構成所述柔軟性樹脂層的柔軟性樹脂包含選自由聚酯系彈性體、聚醯胺系彈性體、聚醯亞胺系彈性體及聚對苯二甲酸丁二酯所組成的群組中的一種或兩種以上。
  15. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的半導體裝置的製造方法，其中 構成所述黏著性樹脂層的黏著劑包含選自(甲基)丙烯酸系黏著劑、矽酮系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、烯烴系黏著劑及苯乙烯系黏著劑中的一種或兩種以上。
  16. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的半導體裝置的製造方法，其中 所述黏著性積層膜的總透光率為85%以上。
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