CN109075085A - 半导体装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的半导体装置的制造方法至少具备以下3个工序。所述工序为：工序(A)，准备第1结构体(100)，所述第1结构体(100)具备依次具有耐热性树脂层(10)、柔软性树脂层(20)和粘着性树脂层(30)的粘着性层叠膜(50)、以及粘贴于粘着性树脂层(30)上且具有第1端子(65)的第1半导体部件(60)；工序(B)，在粘贴于粘着性树脂层(30)上的状态下，对第1结构体(100)进行回流焊处理；工序(C)，在工序(B)之后，将耐热性树脂层(10)从粘着性层叠膜(50)剥离。

Description

半导体装置的制造方法
技术领域
本发明涉及半导体装置的制造方法。
背景技术
伴随着近年来的半导体装置的高集成化，提出了将多个半导体芯片层叠于一个封装内来进行安装的芯片上芯片(chip on chip)的技术，以及将半导体芯片安装于半导体晶片上的晶片上芯片(chip on wafer)、将半导体晶片安装于半导体晶片上的晶片上晶片(wafer on wafer)的技术等。
在这样的半导体装置的制造工序中，有时进行将半导体芯片、半导体晶片等半导体部件彼此通过使用焊料凸块的回流焊处理来进行接合的工序。
作为利用使用焊料凸块的回流焊处理进行的接合相关的技术，可举出例如，专利文献1(日本特开2014-143305号公报)所记载的技术。
专利文献1中记载了一种半导体装置的安装结构，其特征在于，是在将形成于安装基板的上表面的电极部与形成于半导体元件的上表面的电极部进行了电连接的状态下，在上述安装基板上安装上述半导体元件的半导体装置的安装结构，其具备凸型凸块和凹型凸块，所述凸型凸块具有：一端连接在上述半导体元件和上述安装基板中一方的电极部上且由高熔点金属形成的柱状的凸块柱(Bump post)、以及被覆该凸块柱的另一端部的上表面和侧面的第1阻挡层，所述凹型凸块具有：形成于上述半导体元件和上述安装基板中另一方的电极部上的第2阻挡层、以及将该第2阻挡层与上述凸型凸块的被上述第1阻挡层所被覆的上表面和侧面连接的由低熔点焊料形成的焊料构件。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2014-143305号公报
发明内容
发明所要解决的课题
根据本发明人的研究，关于以往的半导体装置的制造方法，发现了以下那样的课题。
首先，本发明人认识到在以往的半导体装置的制造方法中，通过使用焊料凸块的回流焊处理来将半导体部件彼此进行接合时，固定半导体部件的粘着性膜发生变形，或熔融。在该情况下，粘着性膜上的半导体部件会发生位置偏移，导致不能良好地进行后续的半导体部件的拾取。
进一步，根据本发明人的研究可知，为了抑制粘着性膜的变形、熔融，如果提高粘着性膜的耐热性，则粘着性膜的变形、熔融得以抑制而半导体部件的位置偏移得以改善，而另一方面，此时粘着性膜的伸缩性、柔软性恶化，会导致不能良好地进行半导体部件的拾取。
即，以往的半导体装置的制造方法中，使用焊料凸块的回流焊处理后的半导体部件的拾取性尚有改善的余地。
因此，以往的半导体装置的制造方法中，从良好地进行使用焊料凸块的回流焊处理和半导体部件的拾取的观点出发，如图7所示那样，必须使粘着性膜50A上的半导体部件70A先移动至托盘80A等后再配置于回流焊炉90A，进行使用焊料凸块68A的回流焊处理，使获得的半导体部件70B再次移动至粘着性膜50A等后再进行切割工序、拾取工序，导致工序复杂。
即，本发明人等发现了，对于以往的半导体装置的制造方法，从兼顾回流焊工序至半导体部件的拾取工序之间的工序的简化、以及半导体部件的拾取性这样的观点出发，尚有改善的余地。
本发明是鉴于上述情况而做出的发明，提供能够简化从回流焊工序至半导体部件的拾取工序之间的工序的同时，能够精度良好地拾取半导体部件的半导体装置的制造方法。
用于解决课题的方法
本发明人等为了完成上述课题而反复进行了深入研究。其结果发现，通过使用依次具有耐热性树脂层、柔软性树脂层和粘着性树脂层的粘着性层叠膜作为固定半导体部件的膜，并且在半导体部件的拾取工序之前将上述耐热性树脂层进行剥离，从而能够兼顾从回流焊工序至半导体部件的拾取工序之间的工序的简化、以及半导体部件的拾取性，由此完成本发明。
根据本发明，可提供以下所示的半导体装置的制造方法。
[1]
一种半导体装置的制造方法，其具备下述工序：
工序(A)，准备第1结构体，所述第1结构体具备依次具有耐热性树脂层、柔软性树脂层和粘着性树脂层的粘着性层叠膜、以及粘贴于上述粘着性树脂层上且具有第1端子的第1半导体部件；
工序(B)，在粘贴于上述粘着性树脂层上的状态下，对上述第1结构体进行回流焊处理；
工序(C)，在上述工序(B)之后，将上述耐热性树脂层从上述粘着性层叠膜剥离。
[2]
根据上述[1]所述的半导体装置的制造方法，
上述工序(B)包含：通过使焊料凸块与上述第1半导体部件的上述第1端子接合来获得第2结构体的工序。
[3]
根据上述[2]所述的半导体装置的制造方法，
上述工序(B)包含：使另行准备的具有第2端子的第2半导体部件的上述第2端子介由上述焊料凸块而接合在上述第1半导体部件的上述第1端子上，从而获得上述第2结构体的工序。
[4]
根据上述[2]或[3]所述的半导体装置的制造方法，
在上述工序(B)中，在180℃以上300℃以下的温度环境下进行上述回流焊处理。
[5]
根据上述[2]～[4]中任一项所述的半导体装置的制造方法，
上述第1半导体部件包含半导体基板，
在上述工序(B)与上述工序(C)之间，进一步具备将上述第2结构体切割，获得多个第3半导体部件的工序(D)。
[6]
根据上述[5]所述的半导体装置的制造方法，
在上述工序(C)之后，进一步具备从上述粘着性树脂层拾取上述第3半导体部件的工序(E)。
[7]
根据上述[2]～[4]中任一项所述的半导体装置的制造方法，
上述第2结构体包含多个第3半导体部件，
在上述工序(C)之后，进一步具备从上述粘着性树脂层拾取上述第3半导体部件的工序(E)。
[8]
根据上述[6]或[7]所述的半导体装置的制造方法，
在上述工序(B)与上述工序(E)之间，进一步具备：通过对上述粘着性层叠膜照射放射线，使上述粘着性树脂层交联，从而使上述粘着性树脂层对于上述第3半导体部件的粘着力降低的工序(F)。
[9]
根据上述[6]～[8]中任一项所述的半导体装置的制造方法，
在上述工序(E)中，使上述粘着性树脂层中的粘贴有上述第3半导体部件的区域沿着膜的面内方向扩张，使相邻的上述第3半导体部件间的间隔扩大，在该状态下，从上述粘着性树脂层拾取上述第3半导体部件。
[10]
根据上述[5]～[9]中任一项所述的半导体装置的制造方法，
在上述工序(B)与上述工序(C)之间，进一步具备：在粘贴于上述粘着性树脂层上的状态下，确认上述第3半导体部件的动作的工序(G)。
[11]
根据上述[1]～[10]中任一项所述的半导体装置的制造方法，
上述耐热性树脂层的熔点为200℃以上，或上述耐热性树脂层不具有熔点。
[12]
根据上述[1]～[11]中任一项所述的半导体装置的制造方法，
上述柔软性树脂层的熔点为100℃以上250℃以下。
[13]
根据上述[1]～[12]中任一项所述的半导体装置的制造方法，
构成上述耐热性树脂层的耐热性树脂包含选自由聚酰亚胺、聚酰胺和聚酯组成的组中的一种或两种以上。
[14]
根据上述[1]～[13]中任一项所述的半导体装置的制造方法，
构成上述柔软性树脂层的柔软性树脂包含选自由聚酯系弹性体、聚酰胺系弹性体、聚酰亚胺系弹性体和聚对苯二甲酸丁二醇酯组成的组中的一种或两种以上。
[15]
根据上述[1]～[14]中任一项所述的半导体装置的制造方法，
构成上述粘着性树脂层的粘着剂包含选自(甲基)丙烯酸系粘着剂、有机硅系粘着剂、氨基甲酸酯系粘着剂、烯烃系粘着剂和苯乙烯系粘着剂中的一种或两种以上。
[16]
根据上述[1]～[15]中任一项所述的半导体装置的制造方法，
上述粘着性层叠膜的全光线透过率为85％以上。
发明的效果
根据本发明，可以提供在能够简化从回流焊工序至半导体部件的拾取工序之间的工序的同时，能够精度良好地拾取半导体部件的半导体装置的制造方法。
附图说明
上述目的、以及其他目的、特征和优点通过以下所述的优选实施方式及其附带的以下附图进一步明确。
图1为表示本发明涉及的半导体装置的制造方法的一例的流程图。
图2为表示本发明涉及的半导体装置的制造方法的一例的流程图。
图3为表示本发明涉及的半导体装置的制造方法的一例的流程图。
图4为表示本发明涉及的半导体装置的制造方法的一例的流程图。
图5为示意性示出本发明涉及的实施方式的粘着性层叠膜的结构的一例的截面图。
图6为示意性示出本发明涉及的实施方式的半导体装置的制造方法的一例的截面图。
图7为示意性示出以往的半导体装置的制造方法的一例的截面图。
具体实施方式
以下，对于本发明的实施方式，使用附图进行说明。另外，在全部附图中，对同样的构成要素附上共同的符号，适当省略说明。此外，图为概略图，与实际的尺寸比率不一致。此外，数值范围的“A～B”只要没有特别指出，就表示A以上B以下。此外，在本实施方式中，所谓“(甲基)丙烯酸”，是指丙烯酸、甲基丙烯酸或者丙烯酸和甲基丙烯酸这两者。
图1～4为表示本发明涉及的半导体装置的制造方法的一例的流程图。图5为示意性示出本发明涉及的实施方式的粘着性层叠膜50的结构的一例的截面图。图6为示意性示出本发明涉及的实施方式的半导体装置的制造方法的一例的截面图。
本实施方式涉及的半导体装置的制造方法至少具备以下3个工序。
工序(A)，准备第1结构体100，所述第1结构体100具备依次具有耐热性树脂层10、柔软性树脂层20和粘着性树脂层30的粘着性层叠膜50、以及粘贴于粘着性树脂层30上且具有第1端子65的第1半导体部件60。
工序(B)，在粘贴于粘着性树脂层30上的状态下，对第1结构体100进行回流焊处理。
工序(C)，在工序(B)之后，将耐热性树脂层10从粘着性层叠膜50剥离。
根据本发明人等的研究，关于以往的半导体装置的制造方法，发现了以下那样的课题。
首先，本发明人认识到在以往的半导体装置的制造方法中，通过使用焊料凸块的回流焊处理来将半导体部件彼此进行接合时，固定半导体部件的粘着性膜会发生变形，或熔融。在该情况下，粘着性膜上的半导体部件的位置发生偏移，导致不能良好地进行后续的半导体部件的拾取。
进一步，根据本发明人的研究，明确了如果为了抑制粘着性膜的变形、熔融而提高粘着性膜的耐热性，则粘着性膜的变形、熔融得以抑制而半导体部件的位置偏移得以改善，但另一方面，此时粘着性膜的伸缩性、柔软性恶化，会导致不能良好地进行半导体部件的拾取。
即，以往的半导体装置的制造方法中，使用焊料凸块的回流焊处理后的半导体部件的拾取性尚有改善的余地。
因此，以往的半导体装置的制造方法中，从良好地进行使用焊料凸块的回流焊处理和半导体部件的拾取的观点出发，如图7所示那样，必须使粘着性膜50A上的半导体部件70A先移动至托盘80A等后再配置于回流焊炉90A，进行使用了焊料凸块68A的回流焊处理，使获得的半导体部件70B再次移动至粘着性膜50A等后再进行切割工序、拾取工序，导致工序复杂。
即，本发明人等发现了，对于以往的半导体装置的制造方法，从兼顾回流焊工序至半导体部件的拾取工序之间的工序的简化、以及半导体部件的拾取性这样的观点出发，尚有改善的余地。
本发明人等为了完成上述课题而反复进行了深入研究。其结果发现，通过使用依次具有耐热性树脂层10、柔软性树脂层20和粘着性树脂层30的粘着性层叠膜50作为固定半导体部件的膜，并且在半导体部件的拾取工序之前将耐热性树脂层10进行剥离，从而能够兼顾从回流焊工序至半导体部件的拾取工序之间的工序的简化、以及半导体部件的拾取性。
即，通过使用具有耐热性树脂层10的粘着性层叠膜50来进行上述工序(B)，从而能够通过耐热性树脂层10来抑制粘着性树脂层30的变形、熔融而抑制半导体部件的位置偏移，其结果是能够更准确地进行半导体部件的拾取。
此外，在上述工序(B)之后通过进行上述工序(C)除去伸缩性、柔软性差的耐热性树脂层10，因此在半导体部件的拾取工序中，具备粘着性树脂层30和柔软性树脂层20的膜的伸缩性、柔软性变得良好，能够更容易地进行半导体部件的拾取。
进一步，可以在粘贴于粘着性层叠膜50上的状态下，进行半导体部件的回流焊处理，因此不需要在半导体部件的回流焊处理之前使半导体部件从粘着性层叠膜50移动至托盘等，能够简化从回流焊工序至半导体部件的拾取工序之间的工序。
如以上那样，根据本实施方式涉及的半导体装置的制造方法，通过具备上述工序(A)～(C)，在能够简化从回流焊工序至半导体部件的拾取工序之间的工序的同时，能够精度良好地拾取半导体部件。
1.粘着性层叠膜
首先，对本实施方式涉及的半导体装置的制造方法所使用的粘着性层叠膜50进行说明。
这里，在本实施方式中，所谓耐热性，是指在高温下的膜、树脂层的尺寸稳定性。即，意味着越是耐热性优异的膜、树脂层，则高温下的膨胀、收缩、软化等变形、熔融等越难以发生。
＜耐热性树脂层＞
耐热性树脂层10是以使粘着性层叠膜50的操作性、机械特性、耐热性等特性变得更良好为目的而设置的层。
耐热性树脂层10只要具有在进行回流焊处理时不发生导致半导体部件位置偏移的程度的变形、熔融那样的耐热性，就不受特别限定，例如，可以使用耐热性树脂膜。
作为构成上述耐热性树脂膜的树脂，可举出例如，选自聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯；尼龙-6、尼龙-66、聚己二酰间苯二甲胺等聚酰胺；聚酰亚胺；聚醚酰亚胺；聚酰胺酰亚胺；聚碳酸酯；改性聚苯醚；聚缩醛；聚芳酯；聚砜；聚醚砜；聚苯硫醚；聚醚醚酮；氟系树脂；液晶聚合物；偏氯乙烯树脂；聚苯并咪唑；聚苯并唑；聚甲基戊烯等中的一种或两种以上。
其中，从耐热性、机械强度、透明性、价格等的平衡优异的观点出发，优选为选自聚酰亚胺、聚酰胺和聚酯中的一种或两种以上。
耐热性树脂层10的熔点优选为200℃以上，更优选为220℃以上。或者耐热性树脂层10优选不显示熔点，更优选分解温度为200℃以上，进一步优选分解温度为220℃以上。
如果使用这样的耐热性树脂层10，则能够进一步抑制进行回流焊处理时的粘着性层叠膜50的变形。
耐热性树脂层10可以为单层，也可以为两种以上的层。
此外，作为用于形成耐热性树脂层10所使用的树脂膜的形态，可以为拉伸膜，也可以为在单轴方向或双轴方向上进行了拉伸的膜，从提高耐热性树脂层10的耐热性和机械强度的观点出发，优选为在单轴方向或双轴方向上进行了拉伸的膜。
耐热性树脂层10的厚度从获得良好的膜特性的观点出发，优选为10μm以上1000μm以下，更优选为10μm以上500μm以下，进一步优选为20μm以上300μm以下。
对于耐热性树脂层10，可以为了改良与其他层的粘接性而进行表面处理。具体而言，可以进行电晕处理、等离子体处理、底涂(undercoat)处理、底漆涂布(primer coat)处理等。
耐热性树脂层10与柔软性树脂层20以可剥离的方式层叠。
可剥离地进行层叠的方法不受特别限定，可举出例如，介由可剥离的粘接层(未图示)进行层叠的方法；调整耐热性树脂层10的与柔软性树脂层20接触的一侧表面的表面粗糙度，并对该表面进行脱模处理的方法等。所谓可剥离的粘接层，是指剥离时通过施加放射线、热等某种刺激而能够容易地剥离的层。
作为这样的可剥离的粘接层，可举出例如，(1)由通过放射线照射而能够抑制粘着力增涨的放射线交联型粘着剂构成的粘接层，(2)由通过加热而膨胀并能够抑制粘着力增涨的加热膨胀型粘着剂构成的粘接层，(3)通过加热而收缩并能够抑制粘着力增涨的、由以收缩性膜为基材的两面粘着性膜构成的粘接层，(4)在高温或低温下的处理后也能够抑制粘着力增涨的耐热性粘接层等。
((1)由通过放射线照射而能够抑制粘着力增涨的放射线交联型粘着剂构成的粘接层)
放射线交联型粘着剂是在放射线照射前，对耐热性树脂层10和柔软性树脂层20具有充分的粘接力，在放射线照射后能够抑制粘着力增涨的物质。即，在放射线照射前能够粘接耐热性树脂层10和柔软性树脂层20，在放射线照射后能够从柔软性树脂层20容易地剥离耐热性树脂层10。
作为放射线交联型粘着剂，一般而言，可以使用公知的紫外线交联型粘着剂等放射线交联型粘着剂。
((2)由通过加热而膨胀并能够抑制粘着力增涨的加热膨胀型粘着剂构成的粘接层)
加热膨胀型粘着剂是指在粘着剂中分散有热膨胀性微粒、发泡剂等的粘着剂。作为粘着剂，一般而言可以使用公知的粘着剂，可举出例如，(甲基)丙烯酸系粘着剂、有机硅系粘着剂、橡胶系粘着剂、聚氨酯系粘着剂、聚乙烯基醚系粘着剂等。
作为热膨胀性微粒，可举出例如，使异丁烷、丙烷、戊烷等通过加热而容易气化并膨胀的物质包含于具有弹性的壳内而成的微粒。
作为发泡剂，可举出例如，具有进行热分解而产生水、二氧化碳气体、氮气的能力的化学物质等。
如果通过加热而热膨胀性微粒、发泡剂发生膨胀，则粘接层的表面状态发生变化，能够抑制柔软性树脂层20与耐热性树脂层10的粘着力增涨，其结果是能够从柔软性树脂层20容易地剥离耐热性树脂层10。
((3)通过加热而收缩并能够抑制粘着力增涨的、由以收缩性膜为基材的两面粘着性膜构成的粘接层)
作为以收缩性膜为基材的两面粘着性膜中所使用的收缩膜，可举出通过加热而收缩的热收缩膜。可举出例如，聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯、聚苯乙烯、聚丙烯、聚酰胺、聚氨酯、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯等单轴或双轴拉伸膜等。
作为设置在收缩性膜的两面的粘着剂，一般而言可以使用公知的粘着剂，可举出例如，(甲基)丙烯酸系粘着剂、有机硅系粘着剂、橡胶系粘着剂、聚氨酯系粘着剂、聚乙烯基醚系粘着剂等。
如果通过加热而基材的收缩性膜收缩，则粘接层的表面状态发生变化，能够抑制柔软性树脂层20与耐热性树脂层10的粘着力增涨，其结果是能够从柔软性树脂层20容易地剥离耐热性树脂层10。
((4)在高温或低温下的处理后也能够抑制粘着力增涨的耐热性粘接层)
关于构成在高温或低温下的处理后也能够抑制粘着力增涨的耐热性粘接层的粘着剂，可举出(甲基)丙烯酸系粘着剂、有机硅系粘着剂氨基甲酸酯系粘着剂烯烃系粘着剂苯乙烯系粘着剂等。
这里，(甲基)丙烯酸系粘着剂包含(甲基)丙烯酸系粘着性树脂作为必须成分。有机硅系粘着剂包含有机硅系粘着性树脂作为必须成分。氨基甲酸酯系粘着剂包含氨基甲酸酯系粘着性树脂作为必须成分。
其中，从使得耐热性树脂层10与柔软性树脂层20之间的剥离强度的调整变得更容易的观点等出发，优选为(甲基)丙烯酸系粘着剂。
作为(甲基)丙烯酸系粘着剂中所使用的(甲基)丙烯酸系粘着性树脂，可举出例如，包含(甲基)丙烯酸烷基酯单体单元(A)和具有能与交联剂反应的官能团的单体单元(B)的共聚物。
在本实施方式中，所谓(甲基)丙烯酸烷基酯，是指丙烯酸烷基酯、甲基丙烯酸烷基酯或它们的混合物。
本实施方式涉及的(甲基)丙烯酸系粘着性树脂例如，可通过将包含(甲基)丙烯酸烷基酯单体(A)和具有能与交联剂反应的官能团的单体(B)的单体混合物进行共聚来获得。
作为形成(甲基)丙烯酸烷基酯单体单元(A)的单体(A)，可举出具有碳原子数1～12左右的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯。优选为具有碳原子数1～8的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯。具体而言，可举出丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸丁酯、丙烯酸-2-乙基己酯、甲基丙烯酸-2-乙基己酯等。它们可以单独使用，也可以使用2种以上。
本实施方式涉及的(甲基)丙烯酸系粘着性树脂中，在将(甲基)丙烯酸系粘着性树脂中的全部单体单元的合计设为100质量％时，(甲基)丙烯酸烷基酯单体单元(A)的含量优选为10质量％以上98.9质量％以下，更优选为85质量％以上95质量％以下。
作为形成具有能与交联剂反应的官能团的单体(B)的单体(B)，可举出丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、中康酸、柠康酸、富马酸、马来酸、衣康酸单烷基酯、中康酸单烷基酯、柠康酸单烷基酯、富马酸单烷基酯、马来酸单烷基酯、丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、丙烯酸-2-羟基乙酯、甲基丙烯酸-2-羟基乙酯、丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺、丙烯酸叔丁基氨基乙酯、甲基丙烯酸叔丁基氨基乙酯等。优选为丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸-2-羟基乙酯、甲基丙烯酸-2-羟基乙酯、丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺等。它们可以单独使用，也可以使用2种以上。
本实施方式涉及的(甲基)丙烯酸系粘着性树脂中，在将(甲基)丙烯酸系粘着性树脂中的全部单体单元的合计设为100质量％时，单体单元(B)的含量优选为1质量％以上40质量％以下，更优选为1质量％以上20质量％以下，进一步优选为1质量％以上10质量％以下。
本实施方式涉及的(甲基)丙烯酸系粘着性树脂中，除了单体单元(A)和单体单元(B)以外，也可以进一步包含2官能性单体(C)、具有作为表面活性剂的性质的特定的共聚单体(以下，称为聚合性表面活性剂)单元。
聚合性表面活性剂具有与单体(A)、单体(B)和单体(C)进行共聚的性质，并且在进行乳液聚合的情况下具有作为乳化剂的作用。
作为形成2官能性单体单元(C)的单体(C)，可举出甲基丙烯酸烯丙酯、丙烯酸烯丙酯、二乙烯基苯、甲基丙烯酸乙烯酯、丙烯酸乙烯酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、四甘醇二(甲基)丙烯酸酯，例如，两末端为二丙烯酸酯或二甲基丙烯酸酯且主链的结构为丙二醇型(例如，日本油脂(株)制，商品名：PDP-200、商品名：PDP-400、商品名：ADP-200、商品名：ADP-400)、四亚甲基二醇型(例如，日本油脂(株)制，商品名：ADT-250、商品名：ADT-850)和它们的混合型(例如，日本油脂(株)制，商品名：ADET-1800、商品名：ADPT-4000)的物质等。
本实施方式涉及的(甲基)丙烯酸系粘着性树脂中，在将(甲基)丙烯酸系粘着性树脂中的全部单体单元的合计设为100质量％时，单体单元(C)的含量优选为0.1质量％以上30质量％以下，更优选为0.1质量％以上5质量％以下。
作为聚合性表面活性剂的例子，可举出例如，聚氧乙烯壬基苯基醚的苯环中导入有聚合性的1-丙烯基的聚合性表面活性剂(第一工业制药(株)制；商品名：阿库阿隆(アクアロン)RN-10、阿库阿隆(アクアロン)RN-20、阿库阿隆RN-30、阿库阿隆(アクアロン)RN-50等)、在聚氧乙烯壬基苯基醚的硫酸酯的铵盐的苯环中导入有聚合性的1-丙烯基的聚合性表面活性剂(第一工业制药(株)制；商品名：阿库阿隆(アクアロン)HS-10、阿库阿隆(アクアロン)HS-20、阿库阿隆(アクアロン)HS-1025等)、以及分子内具有聚合性双键的磺基琥珀酸二酯系(花王(株)制；商品名：LATEMUL S-120A、LATEMUL S-180A等)等。
本实施方式涉及的(甲基)丙烯酸系粘着性树脂可以根据需要进一步含有乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯等由具有聚合性双键的单体形成的单体单元。
作为本实施方式涉及的(甲基)丙烯酸系粘着性树脂的聚合反应机理，可举出自由基聚合、阴离子聚合、阳离子聚合等。如果考虑(甲基)丙烯酸系粘着性树脂的制造成本、单体的官能团的影响等，则优选通过自由基聚合来进行聚合。
在通过自由基聚合反应进行聚合时，作为自由基聚合引发剂，可举出过氧化苯甲酰、过氧化二叔丁基、过氧化二枯基、过氧化3,3,5-三甲基己酰、过氧化二碳酸二(2-乙基己基)酯、过氧化甲基乙基酮、叔丁基过氧化邻苯二甲酸酯、叔丁基过氧化苯甲酸酯、二叔丁基过氧化乙酸酯、叔丁基过氧化异丁酸酯、叔丁基过氧化-2-己酸酯、叔丁基过氧化-2-乙基己酸酯、叔丁基过氧化-3,5,5-三甲基己酸酯、过氧化乙酰、过氧化异丁酰、过氧化辛酰、过氧化叔丁基、过氧化二叔戊基等有机过氧化物；过硫酸铵、过硫酸钾、过硫酸钠等无机过氧化物；2,2’-偶氮二异丁腈、2,2’-偶氮二(2-甲基丁腈)、4,4’-偶氮二(4-氰基戊酸)等偶氮化合物。
在通过乳液聚合法进行聚合的情况下，在这些自由基聚合引发剂中，优选为水溶性的过硫酸铵、过硫酸钾、过硫酸钠等无机过氧化物、同样为水溶性的4,4’-偶氮二(4-氰基戊酸)等分子内具有羧基的偶氮化合物，进一步优选为过硫酸铵、4,4’-偶氮二(4-氰基戊酸)等分子内具有羧基的偶氮化合物，特别优选为4,4’-偶氮二(4-氰基戊酸)等分子内具有羧基的偶氮化合物。
(甲基)丙烯酸系粘着剂中，除了(甲基)丙烯酸系粘着性树脂以外，优选进一步包含1分子中具有2个以上交联性官能团的交联剂。
1分子中具有2个以上交联性官能团的交联剂用于与(甲基)丙烯酸系粘着性树脂所具有的官能团反应而调整粘着力和凝聚力。
作为这样的交联剂，可举出山梨糖醇聚缩水甘油醚、聚甘油聚缩水甘油醚、季戊四醇聚缩水甘油醚、二甘油聚缩水甘油醚、甘油聚缩水甘油醚、新戊二醇二缩水甘油醚、间苯二酚二缩水甘油醚等环氧系化合物；四亚甲基二异氰酸酯酯、六亚甲基二异氰酸酯、三羟甲基丙烷的甲苯二异氰酸酯3加成物、多异氰酸酯、二苯基甲烷二异氰酸酯、甲苯二异氰酸酯等异氰酸酯系化合物；三羟甲基丙烷-三(β-吖丙啶基丙酸酯)、四羟甲基甲烷-三(β-吖丙啶基丙酸酯)、N,N’-二苯基甲烷-4,4’-双(1-吖丙啶甲酰胺)、N,N’-六亚甲基-1,6-双(1-吖丙啶甲酰胺)、N,N’-甲苯-2,4-双(1-吖丙啶甲酰胺)、三羟甲基丙烷-三[β-(2-甲基吖丙啶)丙酸酯]等吖丙啶系化合物；N,N,N’,N’-四缩水甘油基-间苯二甲胺、1,3-双(N,N’-二缩水甘油基氨基甲基)环己烷等4官能性环氧系化合物；六甲氧基羟甲基三聚氰胺等三聚氰胺系化合物等。它们可以单独使用，也可以并用2种以上。
其中，优选包含选自环氧系化合物、异氰酸酯系化合物和吖丙啶系化合物中的一种或两种以上。
关于(甲基)丙烯酸系粘着剂中的交联剂的含量，从提高粘接层的耐热性、与密合力的平衡的观点出发，相对于(甲基)丙烯酸系粘着性树脂100质量份优选为10质量份以上50质量份以下，更优选为12质量份以上30质量份以下。
此外，通过调整(甲基)丙烯酸系粘着剂中的交联剂的含量，能够调整耐热性树脂层10与柔软性树脂层20之间的剥离强度。
本实施方式涉及的(甲基)丙烯酸系粘着剂中，除了粘着性树脂以外，也可以进一步包含紫外线聚合引发剂。由此，能够减少利用紫外线照射进行的固化时间以及紫外线照射量。
紫外线聚合引发剂的例子可举出甲氧基苯乙酮等苯乙酮系光聚合引发剂；4-(2-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮等α-酮醇化合物；苯偶酰二甲基缩酮等缩酮系化合物；苯偶姻、苯偶姻甲基醚、苯偶姻乙基醚、苯偶姻异丙基醚等苯偶姻系光聚合引发剂；二苯甲酮、苯甲酰苯甲酸等二苯甲酮系光聚合引发剂等。
粘着剂中的紫外线聚合引发剂的含量相对于粘着性树脂100质量份优选为0.1质量份以上10质量份以下，更优选为2.5质量份以上5质量份以下。
可剥离的粘接层的厚度不受特别限制，例如，优选为1μm以上100μm以下，更优选为3μm以上50μm以下。
可剥离的粘接层例如可以通过在耐热性树脂层10或柔软性树脂层20上涂布粘着剂涂布液来形成。
作为涂布粘着剂涂布液的方法，可以采用以往公知的涂布方法，例如，辊涂机法、逆辊涂布机法、凹版辊法、棒涂法、缺角轮涂布机法、模涂机法等。所涂布的粘着剂的干燥条件不受特别限制，一般而言，优选在80～200℃的温度范围，干燥10秒～10分钟。进一步优选在80～170℃，干燥15秒～5分钟。为了充分地促进交联剂与粘着剂的交联反应，可以在粘着剂涂布液的干燥结束之后，在40～80℃，加热5～300小时左右。
此外，本实施方式涉及的粘着性层叠膜50中，通过调整耐热性树脂层10的与柔软性树脂层20接触一侧的表面的表面粗糙度，并对该表面进行脱模处理，也能够调整耐热性树脂层10与柔软性树脂层20之间的剥离强度。
这里，由JIS-B0601规定的、耐热性树脂层10的与柔软性树脂层20接触一侧的表面的表面粗糙度(Ra)优选为0.10μm以上10μm以下。
此外，耐热性树脂层10的与柔软性树脂层20接触一侧的表面优选通过有机硅、聚四氟乙烯等脱模剂进行了脱模处理。
(柔软性树脂层)
柔软性树脂层20是为了使粘着性层叠膜50的柔软性、伸缩性等特性变得良好而设置的层。
通过设置柔软性树脂层20，从而剥离耐热性树脂层10后的粘着性层叠膜50的伸缩性、柔软性得以提高，在拾取第3半导体部件80的工序(E)中，能够使粘着性层叠膜50沿面内方向扩张。
通过这样操作，相邻的第3半导体部件80间的间隔扩大，因此易于从粘着性层叠膜50拾取第3半导体部件80。进一步，通过因粘着性层叠膜50沿面内方向的扩张而产生的、第3半导体部件80与粘着性树脂层30的剪切应力，从而第3半导体部件80与粘着性树脂层30的粘着力降低，因此易于从粘着性层叠膜50拾取第3半导体部件80。
柔软性树脂层20只要能够沿面内方向扩张，就不受特别限定，优选为柔软性、伸缩性等特性优异、且在进行回流焊处理时具有可维持耐热性树脂层10与粘着性树脂层30的粘接性的程度的耐热性的柔软性树脂层。
作为构成上述柔软性树脂层20的柔软性树脂，可举出例如，选自聚酯系弹性体、聚酰胺系弹性体、聚酰亚胺系弹性体和聚对苯二甲酸丁二醇酯等中的一种或两种以上。
按照JIS K7161，在样品宽度10mm、夹盘间距离30mm、拉伸速度300mm/分的条件下测定得到的、柔软性树脂层20在160℃时的拉伸弹性模量(E’)优选为1MPa以上300MPa以下，更优选为5MPa以上150MPa以下。由此，能够良好地保持柔软性树脂层20的柔软性、伸缩性等特性，同时进一步抑制进行回流焊处理时的粘着性层叠膜50的热膨胀。
柔软性树脂层20的熔点优选为100℃以上250℃以下。
如果使用这样的柔软性树脂层20，则能够进一步抑制进行回流焊处理时的粘着性层叠膜50的变形。
柔软性树脂层20的厚度不受特别限制，例如，优选为10μm以上500μm以下，更优选为20μm以上300μm以下，进一步优选为30μm以上250μm以下，特别优选为50μm以上200μm以下。
＜粘着性树脂层＞
粘着性树脂层30是设置于柔软性树脂层20的一面侧的层，是将粘着性层叠膜50粘贴于半导体基板时，与半导体基板的表面接触并粘着的层。
构成粘着性树脂层30的粘着剂可举出(甲基)丙烯酸系粘着剂、有机硅系粘着剂、氨基甲酸酯系粘着剂、烯烃系粘着剂、苯乙烯系粘着剂等。其中，从能够容易地调整粘接力的方面等出发，优选为以(甲基)丙烯酸系聚合物为基础聚合物的(甲基)丙烯酸系粘着剂。
作为构成粘着性树脂层30的粘着剂，可以使用通过放射线而使粘着力降低的放射线交联型粘着剂。由放射线交联型粘着剂构成的粘着性树脂层30通过放射线的照射而交联，粘着力显著地减少，因此在第3半导体部件80的拾取工序中，易于从粘着性树脂层30拾取第3半导体部件80。作为放射线，可举出紫外线、电子射线、红外线等。
作为放射线交联型粘着剂，优选为紫外线交联型粘着剂。
作为(甲基)丙烯酸系粘着剂所包含的(甲基)丙烯酸系聚合物，可举出例如，(甲基)丙烯酸酯化合物的均聚物、(甲基)丙烯酸酯化合物与共聚单体的共聚物等。作为(甲基)丙烯酸酯化合物，可举出例如，(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸羟基乙酯、(甲基)丙烯酸羟基丙酯、(甲基)丙烯酸二甲基氨基乙酯、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等。这些(甲基)丙烯酸酯化合物可以单独使用一种，也可以并用两种以上来使用。
此外，作为构成(甲基)丙烯酸系共聚物的共聚单体，可举出例如，乙酸乙烯酯、(甲基)丙烯腈、苯乙烯、(甲基)丙烯酸、衣康酸、(甲基)丙烯酰胺、羟甲基(甲基)丙烯酰胺、马来酸酐等。这些共聚单体可以单独使用一种，也可以并用两种以上来使用。
放射线交联型粘着剂包含例如上述(甲基)丙烯酸系粘着剂等粘着剂、交联性化合物(具有碳-碳双键的成分)、以及光聚合引发剂或热聚合引发剂。
作为交联性化合物，可举出例如，分子中具有碳-碳双键而能够通过自由基聚合进行交联的单体、低聚物或聚合物等。作为这样的交联性化合物，可举出例如，三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、四甘醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸与多元醇的酯；酯(甲基)丙烯酸酯低聚物；2-丙烯基二(3-丁烯基氰脲酸酯)、2-羟基乙基双(2-(甲基)丙烯酰氧基乙基)异氰脲酸酯、三(2-甲基丙烯酰氧基乙基)异氰脲酸酯等异氰脲酸酯或异氰脲酸酯化合物等。
另外，在粘着剂为聚合物的侧链具有碳-碳双键的放射线交联型聚合物的情况下，可以不添加交联性化合物。
交联性化合物的含量相对于粘着剂100质量份优选为5～900质量份，更优选为5～100质量份，进一步优选为10～50质量份。通过使交联性化合物的含量为上述范围，从而与比上述范围少的情况相比，易于进行粘着力的调整，与比上述范围多的情况相比，因对热、光的灵敏度过高所导致的保存稳定性的降低难以发生。
作为光聚合引发剂，只要是通过照射放射线而开裂，生成自由基的化合物即可，可举出例如，苯偶姻甲基醚、苯偶姻异丙基醚、苯偶姻异丁基醚等苯偶姻烷基醚类；苯偶酰、苯偶姻、二苯甲酮、α-羟基环己基苯基酮等芳香族酮类；苯偶酰二甲基缩酮等芳香族缩酮类；聚乙烯基二苯甲酮；氯噻吨酮、十二烷基噻吨酮、二甲基噻吨酮、二乙基噻吨酮等噻吨酮类等。
作为热聚合引发剂，可举出例如，有机过氧化物衍生物、偶氮系聚合引发剂等。从加热时不产生氮气的观点出发，优选为有机过氧化物衍生物。作为热聚合引发剂，可举出例如，过氧化酮、过氧缩酮、氢过氧化物、二烷基过氧化物、过氧化二酰、过氧化酯和过氧化二碳酸酯等。
粘着剂中可以添加交联剂。作为交联剂，可举出例如，山梨糖醇聚缩水甘油醚、聚甘油聚缩水甘油醚、季戊四醇聚缩水甘油醚、二甘油聚缩水甘油醚等环氧系化合物；四羟甲基甲烷-三(β-吖丙啶基丙酸酯)、三羟甲基丙烷-三(β-吖丙啶基丙酸酯)、N,N’-二苯基甲烷-4,4’-双(1-吖丙啶甲酰胺)、N,N’-六亚甲基-1,6-双(1-吖丙啶甲酰胺)等吖丙啶系化合物；四亚甲基二异氰酸酯酯、六亚甲基二异氰酸酯、多异氰酸酯等异氰酸酯系化合物等。
从提高粘着性树脂层30的耐热性、与密合力的平衡的观点出发，交联剂的含量相对于(甲基)丙烯酸系聚合物100质量份优选为0.1质量份以上10质量份以下。
粘着性树脂层30的厚度不受特别限制，例如，优选为1μm以上100μm以下，更优选为3μm以上50μm以下。
粘着性树脂层30例如，可以通过在柔软性树脂层20上涂布粘着剂涂布液来形成。
作为涂布粘着剂涂布液的方法，可以采用以往公知的涂布方法，例如，辊涂机法、逆辊涂布机法、凹版辊法、棒涂法、缺角轮涂布机法、模涂机法等。所涂布的粘着剂的干燥条件不受特别限制，一般而言，优选在80～200℃的温度范围，干燥10秒～10分钟。进一步优选在80～170℃，干燥15秒～5分钟。为了充分地促进交联剂与粘着剂的交联反应，可以在粘着剂涂布液的干燥结束之后，在40～80℃，加热5～300小时左右。
本实施方式涉及的粘着性层叠膜50可以在粘着性树脂层30上进一步层叠脱模膜。作为脱模膜，可举出例如，实施了脱模处理的聚酯膜等。
本实施方式涉及的粘着性层叠膜50的全光线透过率优选为85％以上，更优选为90％以上。通过这样操作，能够对粘着性层叠膜50赋予透明性。而且，通过使粘着性层叠膜50的全光线透过率为上述下限值以上，从而在对于本实施方式涉及的粘着性层叠膜50从耐热性树脂层10侧照射放射线时，能够更有效地对粘着性树脂层30照射放射线，能够提高放射线照射效率。另外，粘着性层叠膜50的全光线透过率可以按照JIS K7105(1981)进行测定。
接下来，对于本实施方式涉及的粘着性层叠膜50的制造方法的一例进行说明。
首先，在耐热性树脂层10的一面上，通过挤出层压法来形成柔软性树脂层20。接着，通过在柔软性树脂层20上涂布粘着剂涂布液，使其干燥，从而形成粘着性树脂层30，获得粘着性层叠膜50。
此外，耐热性树脂层10与柔软性树脂层20可以通过共挤出成型来形成，也可以将膜状的耐热性树脂层10与膜状的柔软性树脂层20进行层压(层叠)来形成。
2.半导体装置的制造方法
接下来，对于本实施方式涉及的半导体装置的制造方法的各工序进行说明。
(工序(A))
首先，准备第1结构体100，所述第1结构体100具备依次具有耐热性树脂层10、柔软性树脂层20和粘着性树脂层30的粘着性层叠膜50、以及粘贴于粘着性树脂层30上且具有第1端子65的第1半导体部件60。
作为第1半导体部件60，可举出1个或2个以上的半导体芯片、半导体基板(例如，半导体晶片)等。
在第1半导体部件60包含半导体基板的情况下，第1结构体100例如可以通过在粘着性层叠膜50的粘着性树脂层30上粘贴半导体基板来制作。
此外，在第1半导体部件60包含1个或2个以上的半导体芯片的情况下，第1结构体100例如可以通过在粘着性层叠膜50的粘着性树脂层30上粘贴半导体基板，接着，将粘着性层叠膜50上的半导体基板切割成半导体芯片来制作。
以下，对于第1结构体100的制造方法进行说明。
首先，在粘着性层叠膜50的粘着性树脂层30上粘贴半导体基板。
作为粘贴于粘着性层叠膜50的半导体基板，可举出例如硅、锗、镓-砷、镓-磷、镓-砷-铝等的基板(例如，晶片)。
此外，作为半导体基板，优选使用表面形成有电路的半导体基板。
粘着性层叠膜50的粘贴可以通过手动来进行，但通常通过安装有卷状表面保护膜的自动贴附机来进行。
粘着性层叠膜50和半导体基板的粘贴时的温度不受特别限制，优选为25℃～80℃。
此外，关于粘着性层叠膜50与半导体基板的粘贴时的压力，没有特别限制，优选为0.3MPa～0.5MPa。
接着，根据需要将粘着性层叠膜50上的半导体基板切割成半导体芯片。
这里所谓的“切割”，包括：
(a)通过对于半导体基板设置与该半导体基板的厚度相同深度的切口来分割半导体基板，获得多个经分割的半导体芯片的操作(以下，也称为“全切割”)，以及，
(b)通过照射激光，对于半导体基板，设置不至于切断半导体基板的程度的变质区域，获得多个半导体芯片的操作(以下，也称为“隐形切割”)。
上述切割可以使用切割片(切片锯)、激光等来进行。
在切割为全切割的情况下，半导体基板通过切割而被分割成多个半导体芯片。
另一方面，在切割为隐形切割的情况下，仅通过切割并不至于使半导体基板被分割成多个半导体芯片，而是半导体基板通过切割后的粘着性层叠膜50的扩张而被分割，从而获得多个经分割的半导体芯片。另外，隐形切割时的粘着性层叠膜50的扩张可以在工序(B)之前进行，也可以在工序(B)之后进行。
另外，工序(A)中的第1半导体部件60包含通过全切割而获得的经分割的多个半导体芯片、以及通过隐形切割而获得的被分割之前的多个半导体芯片这两者。
(工序(B))
接下来，在粘贴于粘着性树脂层30上的状态下，对第1结构体100进行回流焊处理。
工序(B)中，可以通过使焊料凸块68与第1半导体部件60的第1端子65接合来获得第2结构体200，也可以通过使另行准备的具有第2端子75的第2半导体部件70的第2端子75介由焊料凸块68而接合于第1半导体部件60的第1端子65，从而获得第2结构体200。
这里，作为具有第2端子75的第2半导体部件70，可举出1个或2个以上的半导体芯片、半导体基板(例如，半导体晶片)等。
工序(B)中，例如，可以在180℃以上300℃以下的温度环境下进行回流焊处理。
回流焊处理不受特别限定，例如，可以使用公知的回流炉90来进行。
(工序(C))
接着，在工序(B)之后，将耐热性树脂层10从粘着性层叠膜50剥离。
粘着性层叠膜50的剥离有时通过手动来进行，但一般而言，可以通过被称为自动剥离机的装置来进行。
(工序(D))
本实施方式涉及的半导体装置的制造方法中，在第1半导体部件60包含半导体基板的情况下，优选如图2和6所示那样，在上述工序(B)与上述工序(C)之间，进一步具备：将第2结构体200进行切割而获得多个第3半导体部件80的工序(D)。
另一方面，在第1半导体部件60包含1个或2个以上的半导体芯片，可获得多个第2结构体200的情况下，可以省略将第2结构体200进行切割的工序。在该情况下，第2结构体200成为第3半导体部件80。
(工序(E))
接着，在工序(C)之后，从粘着性树脂层30拾取第3半导体部件80。
通过该拾取，能够从粘着性层叠膜50剥离第3半导体部件80。
第3半导体部件80的拾取可以利用公知的方法来进行。
工序(E)中，优选在使粘着性树脂层30中的粘贴有第3半导体部件80的区域沿着膜的面内方向扩张，使相邻的第3半导体部件80间的间隔扩大的状态下，从粘着性树脂层30拾取第3半导体部件80。
通过这样操作，相邻的第3半导体部件80间的间隔扩大，因此易于从粘着性层叠膜50拾取第3半导体部件80。进一步，通过因粘着性层叠膜50沿面内方向的扩张而产生的、第3半导体部件80与粘着性树脂层30的剪切应力，从而第3半导体部件80与粘着性树脂层30的粘着力降低，因此易于从粘着性层叠膜50拾取第3半导体部件80。
(工序(F))
本实施方式涉及的半导体装置的制造方法中，优选如图3所示那样，在上述工序(B)与上述工序(E)之间，进一步具备：对粘着性层叠膜50照射放射线，使粘着性树脂层30进行交联，从而降低粘着性树脂层30对第3半导体部件80的粘着力的工序(F)。
通过进行工序(F)，从而能够从粘着性树脂层30容易地拾取第3半导体部件80。此外，能够抑制第3半导体部件80的表面因构成粘着性树脂层30的粘着成分而被污染。
放射线例如从粘着性层叠膜50的耐热性树脂层10侧照射。
在使用紫外线作为放射线的情况下，对粘着性层叠膜50照射的紫外线的剂量优选为100mJ/cm2以上，更优选为350mJ/cm2以上。
如果紫外线的剂量为上述下限值以上，则能够充分地降低粘着性树脂层30的粘着力，其结果是能够进一步抑制在半导体部件表面产生残胶。
此外，对粘着性层叠膜50照射的紫外线的剂量的上限不受特别限定，从生产率的观点出发，例如为1500mJ/cm2以下，优选为1200mJ/cm2以下。
紫外线照射例如可以使用高压水银灯、LED来进行。
工序(F)可以在工序(C)之前进行，也可以在工序(C)之后进行，优选在工序(D)与工序(C)之间或工序(C)与工序(E)之间进行。
(工序(G))
本实施方式涉及的半导体装置的制造方法中，优选如图4所示那样，在上述工序(B)与上述工序(C)之间，进一步具备：在粘贴于粘着性树脂层30上的状态下，确认第3半导体部件80的动作的工序(G)。
第3半导体部件80的动作确认例如可以使粘贴有第3半导体部件80的粘着性层叠膜50载置于检查台，使用公知的半导体试验装置来进行。
例如，对于第3半导体部件80的电极，使其接触与测试机(tester)连接的接触端子。由此，在第3半导体部件80与测试机之间，进行动作电力、动作试验信号等的收发，识别第3半导体部件80的动作特性的好坏等。
工序(G)可以在工序(F)之前进行，也可以在工序(F)之后进行。
工序(G)中，优选在0℃以下或50℃以上200℃以下的温度环境下进行第3半导体部件80的动作确认，更优选在60℃以上180℃以下的温度环境下进行第3半导体部件80的动作确认，进一步优选在80℃以上160℃以下的温度环境下进行第3半导体部件80的动作确认。通过这样操作，能够加快在内部存在有不良发生原因的第3半导体部件80的劣化，能够使第3半导体部件80的初始不良在早期发生，并除去该不良品。由此，能够成品率良好地获得可靠性优异的第3半导体部件80。
例如，可以将粘贴有第3半导体部件80的粘着性层叠膜50放入恒温槽、烘箱，或通过利用设置于检查台的加热器进行加热，从而设为上述温度环境。
本实施方式涉及的半导体装置的制造方法中，可以通过使用具有耐热性树脂层10的粘着性层叠膜50来进行上述工序(G)，从而因耐热性树脂层10而使得粘着性树脂层30的变形、熔融得以抑制，从而能够抑制第3半导体部件80的位置偏移，其结果是能够更准确地进行上述工序(E)中的第3半导体部件80的拾取。
(其他工序)
本实施方式涉及的半导体装置的制造方法可以具有上述以外的其他工序。作为其他工序，可以使用半导体装置的制造方法中公知的工序。
例如，可以在进行工序(E)之后，进一步进行将获得的半导体部件安装于电路基板的工序、引线接合工序、密封工序等在电子部件的制造工序中通常进行的任意的工序等。
此外，在使用仅在一面具有电路面的半导体基板作为半导体基板的情况下，可以进一步具有密封半导体基板的电路面的密封工序。
密封工序中，例如，通过在贴着有粘着性层叠膜50的半导体基板的电路面上形成保护层，从而将电路面密封于内部。在该情况下，通过密封工序之后的切割工序，将电路面被密封了的半导体基板进行切割。
另外，密封工序可以在半导体基板上粘贴粘着性层叠膜50的工序之前进行。
此外，在使用具有电路面的半导体基板的情况下，例如，可以进一步具有利用通常所使用的方法在半导体基板的电路形成面进行电极形成以及在非电路面进行保护膜形成的工序。设置有进行该电极形成和保护膜形成的工序的制造方法也被称为WLP(晶片级封装(Wafer Level Package))。
此外，可以进一步具有在半导体基板的电路面形成再配线层的工序。通过在超过半导体芯片面积的宽的区域形成再配线层而获得的半导体装置也被称为扇出型封装(Fan-out Package)。
以上，对于本发明的实施方式进行了描述，但它们是本发明的例示，还可以采用上述以外的各种构成。
另外，本发明不限定于上述实施方式，可以实现本发明的目的的范围内的变形、改良等也包含于本发明中。
本申请主张以2016年3月30日申请的日本申请特愿2016-068859号作为基础的优先权，将其公开内容的全部并入本申请中。

Claims (16)

1.一种半导体装置的制造方法，其具备下述工序：
工序(A)，准备第1结构体，所述第1结构体具备依次具有耐热性树脂层、柔软性树脂层和粘着性树脂层的粘着性层叠膜、以及粘贴于所述粘着性树脂层上且具有第1端子的第1半导体部件；
工序(B)，在粘贴于所述粘着性树脂层上的状态下，对所述第1结构体进行回流焊处理；
工序(C)，在所述工序(B)之后，将所述耐热性树脂层从所述粘着性层叠膜剥离。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，
所述工序(B)包含：通过使焊料凸块与所述第1半导体部件的所述第1端子接合来获得第2结构体的工序。
3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，
所述工序(B)包含：通过使另行准备的具有第2端子的第2半导体部件的所述第2端子介由所述焊料凸块而接合在所述第1半导体部件的所述第1端子上，从而获得所述第2结构体的工序。
4.根据权利要求2或3所述的半导体装置的制造方法，
在所述工序(B)中，在180℃以上300℃以下的温度环境下进行所述回流焊处理。
5.根据权利要求2～4中任一项所述的半导体装置的制造方法，
所述第1半导体部件包含半导体基板，
在所述工序(B)与所述工序(C)之间，进一步具备将所述第2结构体进行切割，获得多个第3半导体部件的工序(D)。
6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，
在所述工序(C)之后，进一步具备从所述粘着性树脂层拾取所述第3半导体部件的工序(E)。
7.根据权利要求2～4中任一项所述的半导体装置的制造方法，
所述第2结构体包含多个第3半导体部件，
在所述工序(C)之后，进一步具备从所述粘着性树脂层拾取所述第3半导体部件的工序(E)。
8.根据权利要求6或7所述的半导体装置的制造方法，
在所述工序(B)与所述工序(E)之间，进一步具备：通过对所述粘着性层叠膜照射放射线，使所述粘着性树脂层交联，从而使所述粘着性树脂层对于所述第3半导体部件的粘着力降低的工序(F)。
9.根据权利要求6～8中任一项所述的半导体装置的制造方法，
在所述工序(E)中，使所述粘着性树脂层中的粘贴有所述第3半导体部件的区域沿着膜的面内方向扩张，使相邻的所述第3半导体部件间的间隔扩大，在该状态下，从所述粘着性树脂层拾取所述第3半导体部件。
10.根据权利要求5～9中任一项所述的半导体装置的制造方法，
在所述工序(B)与所述工序(C)之间，进一步具备：在粘贴于所述粘着性树脂层上的状态下，确认所述第3半导体部件的动作的工序(G)。
11.根据权利要求1～10中的任一项所述的半导体装置的制造方法，
所述耐热性树脂层的熔点为200℃以上，或所述耐热性树脂层不具有熔点。
12.根据权利要求1～11中任一项所述的半导体装置的制造方法，
所述柔软性树脂层的熔点为100℃以上250℃以下。
13.根据权利要求1～12中的任一项所述的半导体装置的制造方法，
构成所述耐热性树脂层的耐热性树脂包含选自由聚酰亚胺、聚酰胺和聚酯组成的组中的一种或两种以上。
14.根据权利要求1～13中任一项所述的半导体装置的制造方法，
构成所述柔软性树脂层的柔软性树脂包含选自由聚酯系弹性体、聚酰胺系弹性体、聚酰亚胺系弹性体和聚对苯二甲酸丁二醇酯组成的组中的一种或两种以上。
15.根据权利要求1～14中任一项所述的半导体装置的制造方法，
构成所述粘着性树脂层的粘着剂包含选自(甲基)丙烯酸系粘着剂、有机硅系粘着剂、氨基甲酸酯系粘着剂、烯烃系粘着剂和苯乙烯系粘着剂中的一种或两种以上。
16.根据权利要求1～15中任一项所述的半导体装置的制造方法，
所述粘着性层叠膜的全光线透过率为85％以上。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110023438B (zh) * 2016-11-25 2022-01-25 三井化学东赛璐株式会社 粘着性层叠膜及电子装置的制造方法
JP6875865B2 (ja) * 2017-01-12 2021-05-26 リンテック株式会社 半導体加工用シートおよび半導体装置の製造方法
CN109686854A (zh) * 2017-10-19 2019-04-26 京东方科技集团股份有限公司 封装结构及封装方法、电子装置及封装薄膜回收方法
JP7133355B2 (ja) * 2018-05-17 2022-09-08 日東電工株式会社 粘着シート
CN109599357B (zh) * 2018-11-26 2020-12-18 合肥彩虹蓝光科技有限公司 一种半导体元件的切割方法及制造方法
JP7479336B2 (ja) 2021-08-06 2024-05-08 古河電気工業株式会社 半導体製造工程用搬送テープ

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120070658A1 (en) * 2010-09-16 2012-03-22 Nitto Denko Corporation Pressure-sensitive adhesive tape
WO2012053463A1 (ja) * 2010-10-21 2012-04-26 住友ベークライト株式会社 電子装置の製造方法およびそれを用いてなる電子装置、電気、電子部品の製造方法およびそれを用いてなる電気、電子部品
US8816404B2 (en) * 2011-09-16 2014-08-26 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming stacked semiconductor die and conductive interconnect structure through an encapsulant
US20150348820A1 (en) * 2012-12-28 2015-12-03 Lintec Corporation Dicing sheet base film and dicing sheet

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002226796A (ja) 2001-01-29 2002-08-14 Hitachi Chem Co Ltd ウェハ貼着用粘着シート及び半導体装置
JP4745073B2 (ja) 2006-02-03 2011-08-10 シチズン電子株式会社 表面実装型発光素子の製造方法
JP2012033637A (ja) * 2010-07-29 2012-02-16 Nitto Denko Corp ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム及び半導体装置の製造方法
JP5963395B2 (ja) * 2011-03-04 2016-08-03 タツタ電線株式会社 保護テープ
JP2013227435A (ja) * 2012-04-26 2013-11-07 Toray Ind Inc 半導体装置製造用接着剤シートおよび半導体装置の製造方法
KR102007259B1 (ko) 2012-09-27 2019-08-06 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 그 제조 방법
JP5894092B2 (ja) 2013-01-24 2016-03-23 日本電信電話株式会社 半導体装置の実装構造および半導体装置の製造方法
JP2015137299A (ja) 2014-01-21 2015-07-30 住友ベークライト株式会社 樹脂組成物、接着シート、ダイシングテープ一体型接着シート、バックグラインドテープ一体型接着シート、バックグラインドテープ兼ダイシングテープ一体型接着シート、および電子装置
JP6280400B2 (ja) 2014-03-07 2018-02-14 日東電工株式会社 アンダーフィル材、積層シート及び半導体装置の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120070658A1 (en) * 2010-09-16 2012-03-22 Nitto Denko Corporation Pressure-sensitive adhesive tape
WO2012053463A1 (ja) * 2010-10-21 2012-04-26 住友ベークライト株式会社 電子装置の製造方法およびそれを用いてなる電子装置、電気、電子部品の製造方法およびそれを用いてなる電気、電子部品
US8816404B2 (en) * 2011-09-16 2014-08-26 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming stacked semiconductor die and conductive interconnect structure through an encapsulant
US20150348820A1 (en) * 2012-12-28 2015-12-03 Lintec Corporation Dicing sheet base film and dicing sheet

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