JPWO2017170451A1 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

本発明の半導体装置の製造方法は、以下の３つの工程を少なくとも備えている。（Ａ）耐熱性樹脂層（１０）、柔軟性樹脂層（２０）および粘着性樹脂層（３０）をこの順番に有する粘着性積層フィルム（５０）と、粘着性樹脂層（３０）上に貼り付けられ、かつ、第１端子（６５）を有する第１半導体部品（６０）と、を備える第１構造体（１００）を準備する工程、（Ｂ）粘着性樹脂層（３０）上に貼り付けられた状態で、第１構造体（１００）に対し、半田リフロー処理を行う工程、（Ｃ）工程（Ｂ）の後に、耐熱性樹脂層（１０）を粘着性積層フィルム（５０）から剥離する工程。

Description

本発明は、半導体装置の製造方法に関する。

近年の半導体装置の高集積化に伴い、複数の半導体チップを単一のパッケージ内に積層して実装するチップオンチップの技術や、半導体チップを半導体ウェハ上に実装するチップオンウェハ、半導体ウェハを半導体ウェハ上に実装するウェハオンウェハの技術等が提案されている。

このような半導体装置の製造工程では、半導体チップや半導体ウェハ等の半導体部品同士を、半田バンプを用いた半田リフロー処理により接合する工程をおこなう場合がある。
半田バンプを用いた半田リフロー処理による接合に関する技術としては、例えば、特許文献１（特開２０１４−１４３３０５号公報）に記載のものが挙げられる。

特許文献１には、実装基板の上面に形成された電極部と、半導体素子の上面に形成された電極部とを電気的に接続した状態で、上記実装基板上に上記半導体素子を取り付ける半導体装置の実装構造であって、上記半導体素子および上記実装基板のうちの一方の電極部上に一端が接続された高融点金属からなる柱状のバンプポスト、および、このバンプポストの他端部の上面および側面を被覆した第１のバリア層を有する凸型バンプと、上記半導体素子および上記実装基板のうちの他方の電極部上に形成された第２のバリア層、および、この第２のバリア層と上記凸型バンプの上記第１のバリア層により被覆された上面および側面とを接続する低融点はんだからなるはんだ部材を有する凹型バンプとを備えたことを特徴とする半導体装置の実装構造が記載されている。

特開２０１４−１４３３０５号公報

本発明者の検討によれば、従来の半導体装置の製造方法に関し、以下のような課題を見出した。
まず、本発明者は、従来の半導体装置の製造方法において、半田バンプを用いた半田リフロー処理により半導体部品同士を接合する際に、半導体部品を固定する粘着性フィルムが変形したり、溶融したりすることを知見した。この場合、粘着性フィルム上の半導体部品の位置ズレが起こり、その後の半導体部品のピックアップが上手くできなくなってしまう。

さらに、本発明者の検討によれば、粘着性フィルムの変形や溶融を抑制するために、粘着性フィルムの耐熱性を高めると、粘着性フィルムの変形や溶融が抑制されて半導体部品の位置ズレは改善される一方で、今度は粘着性フィルムの伸縮性や柔軟性が悪化し、半導体部品のピックアップが上手くできなくなってしまうことが明らかになった。
すなわち、従来の半導体装置の製造方法では、半田バンプを用いた半田リフロー処理後における半導体部品のピックアップ性において改善の余地があった。

そのため、従来の半導体装置の製造方法では、半田バンプを用いた半田リフロー処理と半導体部品のピックアップを上手くおこなう観点から、図７に示すように粘着性フィルム５０Ａ上の半導体部品７０Ａをトレー８０Ａ等に一度移動させてから、半田リフロー炉９０Ａに配置し、半田バンプ６８Ａを用いた半田リフロー処理を行い、得られた半導体部品７０Ｂを粘着性フィルム５０Ａ等に再び移動させてからダイシング工程やピックアップ工程を行わなければならず、工程が複雑になっていた。
すなわち、本発明者らは、従来の半導体装置の製造方法には、半田リフロー工程から半導体部品のピックアップ工程までの間の工程の簡略化と、半導体部品のピックアップ性とを両立させるという観点において、改善の余地があることを見出した。

本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、半田リフロー工程から半導体部品のピックアップ工程までの間の工程を簡略化できるとともに、半導体部品を精度よくピックアップすることが可能な半導体装置の製造方法を提供するものである。

本発明者らは、上記課題を達成するために鋭意検討を重ねた。その結果、半導体部品を固定するフィルムとして、耐熱性樹脂層、柔軟性樹脂層および粘着性樹脂層をこの順番に有する粘着性積層フィルムを使用し、かつ、半導体部品のピックアップ工程の前に、上記耐熱性樹脂層を剥離することにより、半田リフロー工程から半導体部品のピックアップ工程までの間の工程の簡略化と、半導体部品のピックアップ性とを両立できることを見出して、本発明を完成させた。

本発明によれば、以下に示す半導体装置の製造方法が提供される。

［１］
耐熱性樹脂層、柔軟性樹脂層および粘着性樹脂層をこの順番に有する粘着性積層フィルムと、上記粘着性樹脂層上に貼り付けられ、かつ、第１端子を有する第１半導体部品と、を備える第１構造体を準備する工程（Ａ）と、
上記粘着性樹脂層上に貼り付けられた状態で、上記第１構造体に対し、半田リフロー処理を行う工程（Ｂ）と、
上記工程（Ｂ）の後に、上記耐熱性樹脂層を上記粘着性積層フィルムから剥離する工程（Ｃ）と、
を備える半導体装置の製造方法。
［２］
上記［１］に記載の半導体装置の製造方法において、
上記工程（Ｂ）が、上記第１半導体部品の上記第１端子に半田バンプを接合させることにより第２構造体を得る工程を含む半導体装置の製造方法。
［３］
上記［２］に記載の半導体装置の製造方法において、
上記工程（Ｂ）が、上記第１半導体部品の上記第１端子に、別途準備された第２端子を有する第２半導体部品の上記第２端子を、上記半田バンプを介して接合させることにより上記第２構造体を得る工程を含む半導体装置の製造方法。
［４］
上記［２］または［３］に記載の半導体装置の製造方法において、
上記工程（Ｂ）では、１８０℃以上３００℃以下の温度環境下で上記半田リフロー処理をおこなう半導体装置の製造方法。
［５］
上記［２］乃至［４］いずれか一つに記載の半導体装置の製造方法において、
上記第１半導体部品が半導体基板を含み、
上記工程（Ｂ）と上記工程（Ｃ）との間に、上記第２構造体をダイシングし、複数の第３半導体部品を得る工程（Ｄ）をさらに備える半導体装置の製造方法。
［６］
上記［５］に記載の半導体装置の製造方法において、
上記工程（Ｃ）の後に、上記粘着性樹脂層から上記第３半導体部品をピックアップする工程（Ｅ）をさらに備える半導体装置の製造方法。
［７］
上記［２］乃至［４］いずれか一つに記載の半導体装置の製造方法において、
上記第２構造体が複数の第３半導体部品を含み、
上記工程（Ｃ）の後に、上記粘着性樹脂層から上記第３半導体部品をピックアップする工程（Ｅ）をさらに備える半導体装置の製造方法。
［８］
上記［６］または［７］に記載の半導体装置の製造方法において、
上記工程（Ｂ）と上記工程（Ｅ）との間に、上記粘着性積層フィルムに対して放射線を照射し、上記粘着性樹脂層を架橋させることで、上記第３半導体部品に対する上記粘着性樹脂層の粘着力を低下させる工程（Ｆ）をさらに備える半導体装置の製造方法。
［９］
上記［６］乃至［８］いずれか一つに記載の半導体装置の製造方法において、
上記工程（Ｅ）では、上記粘着性樹脂層における上記第３半導体部品が貼り付けられた領域をフィルムの面内方向に拡張させて、隣接する上記第３半導体部品間の間隔を拡大させた状態で、上記粘着性樹脂層から上記第３半導体部品をピックアップする半導体装置の製造方法。
［１０］
上記［５］乃至［９］いずれか一つに記載の半導体装置の製造方法において、
上記工程（Ｂ）と上記工程（Ｃ）との間に、上記粘着性樹脂層上に貼り付けられた状態で、上記第３半導体部品の動作を確認する工程（Ｇ）をさらに備える半導体装置の製造方法。
［１１］
上記［１］乃至［１０］いずれか一つに記載の半導体装置の製造方法において、
上記耐熱性樹脂層の融点が２００℃以上である、あるいは上記耐熱性樹脂層は融点を有さない半導体装置の製造方法。
［１２］
上記［１］乃至［１１］いずれか一つに記載の半導体装置の製造方法において、
上記柔軟性樹脂層の融点が１００℃以上２５０℃以下である半導体装置の製造方法。
［１３］
上記［１］乃至［１２］いずれか一つに記載の半導体装置の製造方法において、
上記耐熱性樹脂層を構成する耐熱性樹脂がポリイミド、ポリアミド、およびポリエステルからなる群から選択される一種または二種以上を含む半導体装置の製造方法。
［１４］
上記［１］乃至［１３］いずれか一つに記載の半導体装置の製造方法において、
上記柔軟性樹脂層を構成する柔軟性樹脂がポリエステル系エラストマー、ポリアミド系エラストマー、ポリイミド系エラストマー、およびポリブチレンテレフタレートからなる群から選択される一種または二種以上を含む半導体装置の製造方法。
［１５］
上記［１］乃至［１４］いずれか一つに記載の半導体装置の製造方法において、
上記粘着性樹脂層を構成する粘着剤が（メタ）アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ウレタン系粘着剤、オレフィン系粘着剤、およびスチレン系粘着剤から選択される一種または二種以上を含む半導体装置の製造方法。
［１６］
上記［１］乃至［１５］いずれか一つに記載の半導体装置の製造方法において、
上記粘着性積層フィルムの全光線透過率が８５％以上である半導体装置の製造方法。

本発明によれば、半田リフロー工程から半導体部品のピックアップ工程までの間の工程を簡略化できるとともに、半導体部品を精度よくピックアップすることが可能な半導体装置の製造方法を提供することができる。

上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。

本発明に係る半導体装置の製造方法の一例を示すフロー図である。 本発明に係る半導体装置の製造方法の一例を示すフロー図である。 本発明に係る半導体装置の製造方法の一例を示すフロー図である。 本発明に係る半導体装置の製造方法の一例を示すフロー図である。 本発明に係る実施形態の粘着性積層フィルムの構造の一例を模式的に示した断面図である。 本発明に係る実施形態の半導体装置の製造方法の一例を模式的に示した断面図である。 従来の半導体装置の製造方法の一例を模式的に示した断面図である。

以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には共通の符号を付し、適宜説明を省略する。また、図は概略図であり、実際の寸法比率とは一致していない。また、数値範囲の「Ａ〜Ｂ」は特に断りがなければ、Ａ以上Ｂ以下を表す。また、本実施形態において、「（メタ）アクリル」とは、アクリル、メタクリルまたはアクリルおよびメタクリルの両方を意味する。

図１〜４は、本発明に係る半導体装置の製造方法の一例を示すフロー図である。図５は、本発明に係る実施形態の粘着性積層フィルム５０の構造の一例を模式的に示した断面図である。図６は、本発明に係る実施形態の半導体装置の製造方法の一例を模式的に示した断面図である。

本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、以下の３つの工程を少なくとも備えている。
（Ａ）耐熱性樹脂層１０、柔軟性樹脂層２０および粘着性樹脂層３０をこの順番に有する粘着性積層フィルム５０と、粘着性樹脂層３０上に貼り付けられ、かつ、第１端子６５を有する第１半導体部品６０と、を備える第１構造体１００を準備する工程
（Ｂ）粘着性樹脂層３０上に貼り付けられた状態で、第１構造体１００に対し、半田リフロー処理を行う工程
（Ｃ）工程（Ｂ）の後に、耐熱性樹脂層１０を粘着性積層フィルム５０から剥離する工程

本発明者らの検討によれば、従来の半導体装置の製造方法に関し、以下のような課題を見出した。
まず、本発明者は、従来の半導体装置の製造方法において、半田バンプを用いた半田リフロー処理により半導体部品同士を接合する際に、半導体部品を固定する粘着性フィルムが変形したり、溶融したりすることを知見した。この場合、粘着性フィルム上の半導体部品の位置ズレが起こり、その後の半導体部品のピックアップが上手くできなくなってしまう。
さらに、本発明者の検討によれば、粘着性フィルムの変形や溶融を抑制するために、粘着性フィルムの耐熱性を高めると、粘着性フィルムの変形や溶融が抑制されて半導体部品の位置ズレは改善される一方で、今度は粘着性フィルムの伸縮性や柔軟性が悪化し、半導体部品のピックアップが上手くできなくなってしまうことが明らかになった。
すなわち、従来の半導体装置の製造方法では、半田バンプを用いた半田リフロー処理後における半導体部品のピックアップ性において改善の余地があった。

そのため、従来の半導体装置の製造方法では、半田バンプを用いた半田リフロー処理と半導体部品のピックアップを上手くおこなう観点から、図７に示すように粘着性フィルム５０Ａ上の半導体部品７０Ａをトレー８０Ａ等に一度移動させてから、半田リフロー炉９０Ａに配置し、半田バンプ６８Ａを用いた半田リフロー処理を行い、得られた半導体部品７０Ｂを粘着性フィルム５０Ａ等に再び移動させてからダイシング工程やピックアップ工程を行わなければならず、工程が複雑になっていた。
すなわち、本発明者らは、従来の半導体装置の製造方法には、半田リフロー工程から半導体部品のピックアップ工程までの間の工程の簡略化と、半導体部品のピックアップ性とを両立させるという観点において、改善の余地があることを見出した。

本発明者らは、上記課題を達成するために鋭意検討を重ねた。その結果、半導体部品を固定するフィルムとして、耐熱性樹脂層１０、柔軟性樹脂層２０および粘着性樹脂層３０をこの順番に有する粘着性積層フィルム５０を使用し、かつ、半導体部品のピックアップ工程の前に、耐熱性樹脂層１０を剥離することにより、半田リフロー工程から半導体部品のピックアップ工程までの間の工程の簡略化と、半導体部品のピックアップ性とを両立できることを見出した。
すなわち、耐熱性樹脂層１０を有する粘着性積層フィルム５０を使用して上記工程（Ｂ）をおこなうことで、耐熱性樹脂層１０により粘着性樹脂層３０の変形や溶融が抑制されて半導体部品の位置ズレを抑制でき、その結果、半導体部品のピックアップをより正確におこなうことができる。
また、上記工程（Ｂ）の後に上記工程（Ｃ）をおこなうことで伸縮性や柔軟性に劣る耐熱性樹脂層１０が除去されるため、半導体部品のピックアップ工程において、粘着性樹脂層３０および柔軟性樹脂層２０を備えるフィルムの伸縮性や柔軟性が良好になり、半導体部品のピックアップをより容易におこなうことができる。
さらに、粘着性積層フィルム５０上に貼り付けたまま、半導体部品の半田リフロー処理をおこなうことができるため、半導体部品の半田リフロー処理の前に粘着性積層フィルム５０から半導体部品をトレー等に移動させる必要がなく、半田リフロー工程から半導体部品のピックアップ工程までの間の工程を簡略化することができる。
以上のように、本実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、上記工程（Ａ）〜（Ｃ）を備えることで、半田リフロー工程から半導体部品のピックアップ工程までの間の工程を簡略化できるとともに、半導体部品を精度よくピックアップすることが可能となる。

１．粘着性積層フィルム
はじめに、本実施形態に係る半導体装置の製造方法で用いる粘着性積層フィルム５０について説明する。

ここで、本実施形態において、耐熱性とは高温におけるフィルムや樹脂層の寸法安定性を意味する。すなわち、耐熱性に優れるフィルムや樹脂層ほど、高温における膨張や収縮、軟化等の変形や溶融等が起き難いことを意味する。

＜耐熱性樹脂層＞
耐熱性樹脂層１０は、粘着性積層フィルム５０の取り扱い性や機械的特性、耐熱性等の特性をより良好にすることを目的として設けられる層である。
耐熱性樹脂層１０は、半田リフロー処理を行う際に、半導体部品の位置ズレが起きるほどの変形や溶融が起きない程度の耐熱性があれば特に限定されないが、例えば、耐熱性樹脂フィルムを用いることができる。

上記耐熱性樹脂フィルムを構成する樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル；ナイロン−６、ナイロン−６６、ポリメタキシレンアジパミド等のポリアミド；ポリイミド；ポリエーテルイミド；ポリアミドイミド；ポリカーボネート；変性ポリフェニレンエーテル；ポリアセタール；ポリアリレート；ポリスルホン；ポリエーテルスルホン；ポリフェニレンスルフィド；ポリエーテルエーテルケトン；フッ素系樹脂；液晶ポリマー；塩化ビニリデン樹脂；ポリベンゾイミダゾール；ポリベンゾオキサゾール；ポリメチルペンテン等から選択される一種または二種以上を挙げることができる。

これらの中でも、耐熱性や機械的強度、透明性、価格等のバランスに優れる観点から、ポリイミド、ポリアミド、およびポリエステルから選択される一種または二種以上が好ましい。

耐熱性樹脂層１０の融点は２００℃以上であることが好ましく、２２０℃以上であることがより好ましい。あるいは、耐熱性樹脂層１０は融点を示さないものであることが好ましく、分解温度が２００℃以上であることがより好ましく、分解温度が２２０℃以上であることがさらに好ましい。
このような耐熱性樹脂層１０を用いると、半田リフロー処理を行う際の粘着性積層フィルム５０の変形をより一層抑制することができる。

耐熱性樹脂層１０は、単層であっても、二種以上の層であってもよい。
また、耐熱性樹脂層１０を形成するために使用する樹脂フィルムの形態としては、延伸フィルムであってもよいし、一軸方向または二軸方向に延伸したフィルムであってもよいが、耐熱性樹脂層１０の耐熱性および機械的強度を向上させる観点から、一軸方向または二軸方向に延伸したフィルムであることが好ましい。

耐熱性樹脂層１０の厚さは、良好なフィルム特性を得る観点から、好ましくは１０μｍ以上１０００μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以上５００μｍ以下、さらに好ましくは２０μｍ以上３００μｍ以下である。
耐熱性樹脂層１０は他の層との接着性を改良するために、表面処理を行ってもよい。具体的には、コロナ処理、プラズマ処理、アンダーコート処理、プライマーコート処理等を行ってもよい。

耐熱性樹脂層１０は柔軟性樹脂層２０に対して剥離可能なように積層されている。
剥離可能に積層する方法は特に限定されないが、例えば、剥離可能な接着層（図示しない）を介して積層する方法や、耐熱性樹脂層１０の柔軟性樹脂層２０と接する側の表面の表面粗さを調整し、かつ、その表面を離型処理する方法等が挙げられる。剥離可能な接着層とは、剥離の際に放射線や熱等の何らかの刺激を加えることによって容易に剥離することが可能な層をいう。

このような剥離可能な接着層としては、例えば、（１）放射線照射により粘着力の昂進を抑制できる放射線架橋型粘着剤により構成された接着層、（２）加熱により膨張して粘着力の昂進を抑制できる加熱膨張型粘着剤により構成された接着層、（３）加熱により収縮して粘着力の昂進を抑制できる、収縮性フィルムを基材とした両面粘着性フィルムにより構成された接着層、（４）高温または低温での処理後も粘着力の昂進を抑制できる耐熱性接着層等が挙げられる。

（（１）放射線照射により粘着力の昂進を抑制できる放射線架橋型粘着剤により構成された接着層）
放射線架橋型粘着剤は、放射線照射前には耐熱性樹脂層１０および柔軟性樹脂層２０に対して十分な接着力を有し、放射線照射後には粘着力の昂進を抑制できるものである。すなわち、放射線照射前には耐熱性樹脂層１０および柔軟性樹脂層２０を接着でき、放射線照射後には柔軟性樹脂層２０から耐熱性樹脂層１０を容易に剥離することができる。
放射線架橋型粘着剤としては、一般的に公知の紫外線架橋型粘着剤等の放射線架橋型粘着剤を用いることができる。

（（２）加熱により膨張して粘着力の昂進を抑制できる加熱膨張型粘着剤により構成された接着層）
加熱膨張型粘着剤は粘着剤中に熱膨張性微粒子や発泡剤等が分散している粘着剤をいう。粘着剤としては、一般的に公知の粘着剤を用いることができ、例えば、（メタ）アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ゴム系粘着剤、ポリウレタン系粘着剤、ポリビニルエーテル系粘着剤等が挙げられる。
熱膨張性微粒子としては、例えば、イソブタン、プロパン、ペンタン等の加熱によって容易にガス化して膨張する物質を、弾性を有する殻内に内包させた微粒子が挙げられる。
発泡剤としては、例えば、熱分解して、水、炭酸ガス、窒素を発生させる能力を有する化学物質等が挙げられる。
加熱により、熱膨張性微粒子や発泡剤が膨張すると、接着層の表面状態が変化し、柔軟性樹脂層２０と耐熱性樹脂層１０との粘着力の昂進を抑制することができ、その結果、柔軟性樹脂層２０から耐熱性樹脂層１０を容易に剥離することができる。

（（３）加熱により収縮して粘着力の昂進を抑制できる、収縮性フィルムを基材とした両面粘着性フィルムにより構成された接着層）
収縮性フィルムを基材とした両面粘着性フィルムに使用される収縮フィルムとしては、加熱により収縮する熱収縮フィルムが挙げられる。例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリウレタン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等の一軸または二軸延伸フィルム等を挙げることができる。
収縮性フィルムの両面に設けられる粘着剤としては、一般的に公知の粘着剤を用いることができ、例えば、（メタ）アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ゴム系粘着剤、ポリウレタン系粘着剤、ポリビニルエーテル系粘着剤等が挙げられる。
加熱により、基材の収縮性フィルムが収縮すると、接着層の表面状態が変化し、柔軟性樹脂層２０と耐熱性樹脂層１０との粘着力の昂進を抑制することができ、その結果、柔軟性樹脂層２０から耐熱性樹脂層１０を容易に剥離することができる。

（（４）高温または低温での処理後も粘着力の昂進を抑制できる耐熱性接着層）
高温または低温での処理後も粘着力の昂進を抑制できる耐熱性接着層を構成する粘着剤は、（メタ）アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ウレタン系粘着剤、オレフィン系粘着剤、スチレン系粘着剤等が挙げられる。
ここで、（メタ）アクリル系粘着剤は（メタ）アクリル系粘着性樹脂を必須成分として含んでいる。シリコーン系粘着剤はシリコーン系粘着性樹脂を必須成分として含んでいる。ウレタン系粘着剤はウレタン系粘着性樹脂を必須成分として含んでいる。
これらの中でも耐熱性樹脂層１０と柔軟性樹脂層２０との間の剥離強度の調整をより容易にする観点等から、（メタ）アクリル系粘着剤が好ましい。

（メタ）アクリル系粘着剤に使用される（メタ）アクリル系粘着性樹脂としては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマー単位（Ａ）および架橋剤と反応し得る官能基を有するモノマー単位（Ｂ）を含む共重合体が挙げられる。
本実施形態において、（メタ）アクリル酸アルキルエステルとは、アクリル酸アルキルエステル、メタクリル酸アルキルエステル、またはこれらの混合物を意味する。

本実施形態に係る（メタ）アクリル系粘着性樹脂は、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマー（Ａ）および架橋剤と反応し得る官能基を有するモノマー（Ｂ）を含むモノマー混合物を共重合することにより得ることができる。

（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマー単位（Ａ）を形成するモノマー（Ａ）としては、炭素数１〜１２程度のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルが挙げられる。好ましくは、炭素数１〜８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルである。具体的には、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、メタクリル酸ブチル、アクリル酸−２−エチルヘキシル、メタクリル酸−２−エチルヘキシル等が挙げられる。これらは単独で使用してもよいし、２種以上を使用してもよい。
本実施形態に係る（メタ）アクリル系粘着性樹脂において、（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマー単位（Ａ）の含有量は、（メタ）アクリル系粘着性樹脂中の全モノマー単位の合計を１００質量％としたとき、１０質量％以上９８．９質量％以下であることが好ましく、８５質量％以上９５質量％以下であることがより好ましい。

架橋剤と反応し得る官能基を有するモノマー（Ｂ）を形成するモノマー（Ｂ）としては、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、メサコン酸、シトラコン酸、フマル酸、マレイン酸、イタコン酸モノアルキルエステル、メサコン酸モノアルキルエステル、シトラコン酸モノアルキルエステル、フマル酸モノアルキルエステル、マレイン酸モノアルキルエステル、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル、メタクリル酸−２−ヒドロキシエチル、アクリルアミド、メタクリルアミド、ターシャル−ブチルアミノエチルアクリレート、ターシャル−ブチルアミノエチルメタクリレート等が挙げられる。好ましくは、アクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル、メタクリル酸−２−ヒドロキシエチル、アクリルアミド、メタクリルアミド等である。これらは単独で使用してもよいし、２種以上を使用してもよい。
本実施形態に係る（メタ）アクリル系粘着性樹脂において、モノマー単位（Ｂ）の含有量は、（メタ）アクリル系粘着性樹脂中の全モノマー単位の合計を１００質量％としたとき、１質量％以上４０質量％以下であることが好ましく、１質量％以上２０質量％以下であることがより好ましく、１質量％以上１０質量％以下であることがさらに好ましい。

本実施形態に係る（メタ）アクリル系粘着性樹脂は、モノマー単位（Ａ）およびモノマー単位（Ｂ）以外に、２官能性モノマー（Ｃ）や界面活性剤としての性質を有する特定のコモノマー（以下、重合性界面活性剤と称する）単位をさらに含んでもよい。
重合性界面活性剤は、モノマー（Ａ）、モノマー（Ｂ）およびモノマー（Ｃ）と共重合する性質を有すると共に、乳化重合する場合には乳化剤としての作用を有する。

２官能性モノマー単位（Ｃ）を形成するモノマー（Ｃ）としては、メタクリル酸アリル、アクリル酸アリル、ジビニルベンゼン、メタクリル酸ビニル、アクリル酸ビニル、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレートや、例えば、両末端がジアクリレートまたはジメタクリレートで主鎖の構造がプロピレングリコール型（例えば、日本油脂（株）製、商品名；ＰＤＰ−２００、同ＰＤＰ−４００、同ＡＤＰ−２００、同ＡＤＰ−４００）、テトラメチレングリコール型（例えば、日本油脂（株）製、商品名；ＡＤＴ−２５０、同ＡＤＴ−８５０）およびこれらの混合型（例えば、日本油脂（株）製、商品名：ＡＤＥＴ−１８００、同ＡＤＰＴ−４０００）であるもの等が挙げられる。

本実施形態に係る（メタ）アクリル系粘着性樹脂において、モノマー単位（Ｃ）の含有量は、（メタ）アクリル系粘着性樹脂中の全モノマー単位の合計を１００質量％としたとき、０．１質量％以上３０質量％以下であることが好ましく、０．１質量％以上５質量％以下であることがより好ましい。

重合性界面活性剤の例としては、例えば、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテルのベンゼン環に重合性の１−プロペニル基を導入したもの（第一工業製薬（株）製；商品名：アクアロンＲＮ−１０、同ＲＮ−２０、同ＲＮ−３０、同ＲＮ−５０等）、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテルの硫酸エステルのアンモニウム塩のベンゼン環に重合性の１−プロペニル基を導入したもの（第一工業製薬（株）製；商品名：アクアロンＨＳ−１０、同ＨＳ−２０、同ＨＳ−１０２５等）、および分子内に重合性二重結合を持つ、スルホコハク酸ジエステル系（花王（株）製；商品名：ラテムルＳ−１２０Ａ、同Ｓ−１８０Ａ等）等が挙げられる。

本実施形態に係る（メタ）アクリル系粘着性樹脂は、必要に応じて、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン等の重合性２重結合を有するモノマーにより形成されたモノマー単位をさらに含有してもよい。

本実施形態に係る（メタ）アクリル系粘着性樹脂の重合反応機構としては、ラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合等が挙げられる。（メタ）アクリル系粘着性樹脂の製造コスト、モノマーの官能基の影響等を等慮すればラジカル重合によって重合することが好ましい。
ラジカル重合反応によって重合する際、ラジカル重合開始剤として、ベンゾイルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、３，３，５−トリメチルヘキサノイルパーオキサイド、ジ−２−エチルヘキシルパーオキシジカーボネート、メチルエチルケトンパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシフタレート、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、ジ−ｔ−ブチルパーオキシアセテート、ｔ−ブチルパーオキシイソブチレート、ｔ−ブチルパーオキシ−２−ヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシ−３，５，５−トリメチルヘキサノエート、アセチルパーオキサイド、イソブチリルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキサイド、ジ−ｔ−アミルパーオキサイド等の有機過酸化物；過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム、過硫酸ナトリウム等の無機過酸化物；２，２'−アゾビスイソブチロニトリル、２，２'−アゾビス−２−メチルブチロニトリル、４，４'−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等のアゾ化合物が挙げられる。

乳化重合法により重合する場合には、これらのラジカル重合開始剤の中で、水溶性の過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム、過硫酸ナトリウム等の無機過酸化物、同じく水溶性の４，４'−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等の分子内にカルボキシル基を持ったアゾ化合物が好ましく、過硫酸アンモニウム、４，４'−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等の分子内にカルボキシル基を有するアゾ化合物がさらに好ましく、４，４'−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等の分子内にカルボキシル基を有するアゾ化合物が特に好ましい。

（メタ）アクリル系粘着剤は、（メタ）アクリル系粘着性樹脂に加えて、架橋性の官能基を１分子中に２個以上有する架橋剤をさらに含むことが好ましい。
架橋性の官能基を１分子中に２個以上有する架橋剤は、（メタ）アクリル系粘着性樹脂が有する官能基と反応させ、粘着力および凝集力を調整するために用いる。
このような架橋剤としては、ソルビトールポリグリシジルエーテル、ポリグリセロールポリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル、ジグリセロールポリグリシジルエーテル、グリセロールポリグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、レソルシンジグリシジルエーテル等のエポキシ系化合物；テトラメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメチロールプロパンのトルエンジイソシアネート３付加物、ポリイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート等のイソシアネート系化合物；トリメチロールプロパン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、テトラメチロールメタン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、Ｎ，Ｎ'−ジフェニルメタン−４，４'−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）、Ｎ，Ｎ'−ヘキサメチレン−１，６−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）、Ｎ，Ｎ'−トルエン−２，４−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）、トリメチロールプロパン−トリ−β−（２−メチルアジリジン）プロピオネート等のアジリジン系化合物；Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラグリシジル−ｍ−キシレンジアミン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ'−ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサン等の４官能性エポキシ系化合物；ヘキサメトキシメチロールメラミン等のメラミン系化合物等が挙げられる。これらは単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
これらの中でも、エポキシ系化合物、イソシアネート系化合物およびアジリジン系化合物から選択される一種または二種以上を含むことが好ましい。

（メタ）アクリル系粘着剤中の架橋剤の含有量は、接着層の耐熱性や密着力とのバランスを向上させる観点から、（メタ）アクリル系粘着性樹脂１００質量部に対し、１０質量部以上５０質量部以下であることが好ましく、１２質量部以上３０質量部以下がより好ましい。
また、（メタ）アクリル系粘着剤中の架橋剤の含有量を調整することにより、耐熱性樹脂層１０と柔軟性樹脂層２０との間の剥離強度を調整することができる。

本実施形態に係る（メタ）アクリル系粘着剤は、粘着性樹脂に加えて、紫外線重合開始剤をさらに含んでもよい。これにより紫外線照射による硬化時間ならびに紫外線照射量を少なくすることができる。
紫外線重合開始剤の例には、メトキシアセトフェノン等のアセトフェノン系光重合開始剤；４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン等のα−ケトール化合物；ベンジルジメチルケタール等のケタール系化合物；ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、等のベンゾイン系光重合開始剤；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸等のベンゾフェノン系光重合開始剤等が挙げられる。
粘着剤中の紫外線重合開始剤の含有量は、粘着性樹脂１００質量部に対し、０．１質量部以上１０質量部以下であることが好ましく、２．５質量部以上５質量部以下であることがより好ましい。

剥離可能な接着層の厚さは特に制限されないが、例えば、１μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましい。

剥離可能な接着層は、例えば、耐熱性樹脂層１０または柔軟性樹脂層２０上に粘着剤塗布液を塗布することにより形成することができる。
粘着剤塗布液を塗布する方法としては、従来公知の塗布方法、例えば、ロールコーター法、リバースロールコーター法、グラビアロール法、バーコート法、コンマコーター法、ダイコーター法等が採用できる。塗布された粘着剤の乾燥条件には特に制限はないが、一般的には、８０〜２００℃の温度範囲において、１０秒〜１０分間乾燥することが好ましい。さらに好ましくは、８０〜１７０℃において、１５秒〜５分間乾燥する。架橋剤と粘着剤との架橋反応を十分に促進させるために、粘着剤塗布液の乾燥が終了した後、４０〜８０℃において５〜３００時間程度加熱してもよい。

また、本実施形態に係る粘着性積層フィルム５０において、耐熱性樹脂層１０の柔軟性樹脂層２０と接する側の表面の表面粗さを調整し、かつ、その表面を離型処理することによっても、耐熱性樹脂層１０と柔軟性樹脂層２０との間の剥離強度を調整することが可能である。
ここで、ＪＩＳ−Ｂ０６０１により規定される、耐熱性樹脂層１０の柔軟性樹脂層２０と接する側の表面の表面粗さ（Ｒａ）は好ましくは０．１０μｍ以上１０μｍ以下である。
また、耐熱性樹脂層１０の柔軟性樹脂層２０と接する側の表面がシリコーンやポリテトラフルオロエチレンなどの離型剤により離型処理されていることが好ましい。

（柔軟性樹脂層）
柔軟性樹脂層２０は、粘着性積層フィルム５０の柔軟性や伸縮性等の特性を良好にすることを目的として設けられる層である。
柔軟性樹脂層２０を設けることにより、耐熱性樹脂層１０を剥離した後の粘着性積層フィルム５０の伸縮性や柔軟性が向上し、第３半導体部品８０をピックアップする工程（Ｅ）において粘着性積層フィルム５０を面内方向に拡張させることができる。
こうすることにより、隣接する第３半導体部品８０間の間隔が拡大するため、粘着性積層フィルム５０から第３半導体部品８０をピックアップし易くなる。さらに、粘着性積層フィルム５０の面内方向の拡張によって生じる、第３半導体部品８０と粘着性樹脂層３０とのずり応力により、第３半導体部品８０と粘着性樹脂層３０との粘着力が低下するため、粘着性積層フィルム５０から第３半導体部品８０をピックアップし易くなる。

柔軟性樹脂層２０は面内方向に拡張できるものであれば特に限定されないが、柔軟性や伸縮性等の特性に優れ、かつ、半田リフロー処理を行う際に耐熱性樹脂層１０と粘着性樹脂層３０との接着性を維持できる程度の耐熱性があるものが好ましい。
上記柔軟性樹脂層２０を構成する柔軟性樹脂としては、例えば、ポリエステル系エラストマー、ポリアミド系エラストマー、ポリイミド系エラストマー、およびポリブチレンテレフタレート等から選択される一種または二種以上が挙げられる。

ＪＩＳ Ｋ７１６１に準拠し、サンプル幅１０ｍｍ、チャック間距離３０ｍｍ、引張速度３００ｍｍ／分の条件で測定される、柔軟性樹脂層２０の１６０℃での引張弾性率（Ｅ'）が１ＭＰa以上３００ＭＰa以下であることが好ましく、５ＭＰa以上１５０ＭＰa以下であることがより好ましい。これにより、柔軟性樹脂層２０の柔軟性や伸縮性等の特性を良好に保ちつつ、半田リフロー処理を行う際の粘着性積層フィルム５０の熱膨張をより一層抑制することができる。

柔軟性樹脂層２０の融点は１００℃以上２５０℃以下であることが好ましい。
このような柔軟性樹脂層２０を用いると、半田リフロー処理を行う際の粘着性積層フィルム５０の変形をより一層抑制することができる。

柔軟性樹脂層２０の厚みは特に制限されないが、例えば、１０μｍ以上５００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上３００μｍ以下であることがより好ましく、３０μｍ以上２５０μｍ以下であることがさらに好ましく、５０μｍ以上２００μｍ以下であることが特に好ましい。

＜粘着性樹脂層＞
粘着性樹脂層３０は、柔軟性樹脂層２０の一方の面側に設けられる層であり、粘着性積層フィルム５０を半導体基板に貼り付ける際に、半導体基板の表面に接触して粘着する層である。

粘着性樹脂層３０を構成する粘着剤は、（メタ）アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ウレタン系粘着剤、オレフィン系粘着剤、スチレン系粘着剤等が挙げられる。これらの中でも、接着力の調整を容易にできる点等から、（メタ）アクリル系重合体をベースポリマーとする（メタ）アクリル系粘着剤が好ましい。

粘着性樹脂層３０を構成する粘着剤としては、放射線により粘着力を低下させる放射線架橋型粘着剤を用いることができる。放射線架橋型粘着剤により構成された粘着性樹脂層３０は、放射線の照射により架橋して粘着力が著しく減少するため第３半導体部品８０のピックアップ工程において、粘着性樹脂層３０から第３半導体部品８０をピックアップし易くなる。放射線としては、紫外線、電子線、赤外線等が挙げられる。
放射線架橋型粘着剤としては、紫外線架橋型粘着剤が好ましい。

（メタ）アクリル系粘着剤に含まれる（メタ）アクリル系重合体としては、例えば、（メタ）アクリル酸エステル化合物の単独重合体、（メタ）アクリル酸エステル化合物とコモノマーとの共重合体等が挙げられる。（メタ）アクリル酸エステル化合物としては、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの（メタ）アクリル酸エステル化合物は一種単独で用いてもよく、二種以上を併用して用いてもよい。
また、（メタ）アクリル系共重合体を構成するコモノマーとしては、例えば、酢酸ビニル、（メタ）アクリルニトリル、スチレン、（メタ）アクリル酸、イタコン酸、（メタ）アクリルアマイド、メチロール（メタ）アクリルアマイド、無水マレイン酸等が挙げられる。これらのコモノマーは一種単独で用いてもよく、二種以上を併用して用いてもよい。

放射線架橋型粘着剤は、例えば、上記（メタ）アクリル系粘着剤等の粘着剤と、架橋性化合物（炭素−炭素二重結合を有する成分）と、光重合開始剤または熱重合開始剤と、を含む。

架橋性化合物としては、例えば、分子中に炭素−炭素二重結合を有し、ラジカル重合により架橋可能なモノマー、オリゴマーまたはポリマー等が挙げられる。このような架橋性化合物としては、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル酸と多価アルコールとのエステル；エステル（メタ）アクリレートオリゴマー；２−プロペニルジ−３−ブテニルシアヌレート、２−ヒドロキシエチルビス（２−（メタ）アクリロキシエチル）イソシアヌレート、トリス（２−メタクリロキシエチル）イソシアヌレート等のイソシアヌレートまたはイソシアヌレート化合物等が挙げられる。
なお、粘着剤が、ポリマーの側鎖に炭素−炭素二重結合を有する放射線架橋型ポリマーである場合は、架橋性化合物を加えなくてもよい。

架橋性化合物の含有量は、粘着剤１００質量部に対して５〜９００質量部が好ましく、５〜１００質量部がより好ましく、１０〜５０質量部がさらに好ましい。架橋性化合物の含有量が上記範囲であることにより、上記範囲よりも少ない場合に比べて粘着力の調整がし易くなり、上記範囲よりも多い場合に比べて、熱や光に対する感度が高すぎることによる保存安定性の低下が起こりにくい。

光重合開始剤としては、放射線を照射することにより開裂しラジカルを生成する化合物であればよく、例えば、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等のベンゾインアルキルエーテル類；ベンジル、ベンゾイン、ベンゾフェノン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等の芳香族ケトン類；ベンジルジメチルケタール等の芳香族ケタール類；ポリビニルベンゾフェノン；クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン等のチオキサントン類等が挙げられる。

熱重合開始剤としては、例えば、有機過酸化物誘導体やアゾ系重合開始剤等が挙げられる。加熱時に窒素が発生しない点から、好ましくは有機過酸化物誘導体である。熱重合開始剤としては、例えば、ケトンパーオキサイド、パーオキシケタール、ハイドロパーオキサイド、ジアルキルパーオキサイド、ジアシルパーオキサイド、パーオキシエステルおよびパーオキシジカーボネート等が挙げられる。

粘着剤には架橋剤を添加してもよい。架橋剤としては、例えば、ソルビトールポリグリシジルエーテル、ポリグリセロールポリグリシジルエーテル、ペンタエリストールポリグリシジルエーテル、ジグリセロールポリグリシジルエーテル等のエポキシ系化合物；テトラメチロールメタン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン-トリ-β-アジリジニルプロピオネート、Ｎ，Ｎ'−ジフェニルメタン−４，４'−ビス（１-アジリジンカルボキシアミド）、Ｎ，Ｎ'−ヘキサメチレン−１，６−ビス（1-アジリジンカルボキシアミド）等のアジリジン系化合物；テトラメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、ポリイソシアネート等のイソシアネート系化合物等が挙げられる。
架橋剤の含有量は、粘着性樹脂層３０の耐熱性や密着力とのバランスを向上させる観点から、（メタ）アクリル系重合体１００質量部に対し、０．１質量部以上１０質量部以下であることが好ましい。

粘着性樹脂層３０の厚みは特に制限されないが、例えば、１μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましい。

粘着性樹脂層３０は、例えば、柔軟性樹脂層２０上に粘着剤塗布液を塗布することにより形成することができる。
粘着剤塗布液を塗布する方法としては、従来公知の塗布方法、例えば、ロールコーター法、リバースロールコーター法、グラビアロール法、バーコート法、コンマコーター法、ダイコーター法等が採用できる。塗布された粘着剤の乾燥条件には特に制限はないが、一般的には、８０〜２００℃の温度範囲において、１０秒〜１０分間乾燥することが好ましい。更に好ましくは、８０〜１７０℃において、１５秒〜５分間乾燥する。架橋剤と粘着剤との架橋反応を十分に促進させるために、粘着剤塗布液の乾燥が終了した後、４０〜８０℃において５〜３００時間程度加熱してもよい。

本実施形態に係る粘着性積層フィルム５０は、粘着性樹脂層３０上に離型フィルムをさらに積層させてもよい。離型フィルムとしては、例えば、離型処理が施されたポリエステルフィルム等が挙げられる。

本実施形態に係る粘着性積層フィルム５０の全光線透過率は、好ましくは８５％以上であり、より好ましくは９０％以上である。こうすることで、粘着性積層フィルム５０に透明性を付与することができる。そして、粘着性積層フィルム５０の全光線透過率を上記下限値以上とすることにより、本実施形態に係る粘着性積層フィルム５０において耐熱性樹脂層１０側から放射線を照射する際に、粘着性樹脂層３０へより効果的に放射線を照射することができ、放射線照射効率を向上させることができる。なお、粘着性積層フィルム５０の全光線透過率は、ＪＩＳ Ｋ７１０５（１９８１）に準じて測定することが可能である。

次に、本実施形態に係る粘着性積層フィルム５０の製造方法の一例について説明する。
まず、耐熱性樹脂層１０の一方の面に柔軟性樹脂層２０を押出しラミネート法によって形成する。次いで、柔軟性樹脂層２０上に粘着剤塗布液を塗布し乾燥させることによって、粘着性樹脂層３０を形成し、粘着性積層フィルム５０が得られる。
また、耐熱性樹脂層１０と柔軟性樹脂層２０とは共押出成形によって形成してもよいし、フィルム状の耐熱性樹脂層１０とフィルム状の柔軟性樹脂層２０とをラミネート（積層）して形成してもよい。

２．半導体装置の製造方法
次に、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の各工程について説明する。

（工程（Ａ））
はじめに、耐熱性樹脂層１０、柔軟性樹脂層２０および粘着性樹脂層３０をこの順番に有する粘着性積層フィルム５０と、粘着性樹脂層３０上に貼り付けられ、かつ、第１端子６５を有する第１半導体部品６０と、を備える第１構造体１００を準備する。
第１半導体部品６０としては、１または２以上の半導体チップや半導体基板（例えば、半導体ウェハ）等が挙げられる。

第１半導体部品６０が半導体基板を含む場合、第１構造体１００は、例えば、粘着性積層フィルム５０の粘着性樹脂層３０上に、半導体基板を貼り付けることにより作製することができる。
また、第１半導体部品６０が１または２以上の半導体チップを含む場合、第１構造体１００は、例えば、粘着性積層フィルム５０の粘着性樹脂層３０上に、半導体基板を貼り付け、次いで、粘着性積層フィルム５０上の半導体基板を半導体チップにダイシングすることにより作製することができる。
以下、第１構造体１００の製造方法について説明する。

はじめに、粘着性積層フィルム５０の粘着性樹脂層３０上に、半導体基板を貼り付ける。
粘着性積層フィルム５０に貼り付ける半導体基板としては、例えば、シリコン、ゲルマニウム、ガリウム−ヒ素、ガリウム−リン、ガリウム−ヒ素−アルミニウム等の基板（例えば、ウェハ）が挙げられる。
また、半導体基板としては、表面に回路が形成された半導体基板を用いることが好ましい。

粘着性積層フィルム５０の貼り付けは、人の手で行なってもよいが、通常、ロール状の表面保護フィルムを取り付けた自動貼り機によって行なう。
粘着性積層フィルム５０および半導体基板の貼り付け時の温度には特に制限はないが、２５℃〜８０℃が好ましい。
また、粘着性積層フィルム５０と半導体基板との貼り付け時の圧力については特に制限はないが、０．３ＭＰａ〜０．５ＭＰａが好ましい。

次いで、必要に応じて、粘着性積層フィルム５０上の半導体基板を半導体チップにダイシングする。
ここでいう「ダイシング」には、
（ａ）半導体基板に対してこの半導体基板の厚さと同じ深さの切れ込みを設けることによって半導体基板を分断し、複数の分断された半導体チップを得る操作（以下、「フルカットダイシング」ともいう）、および、
（ｂ）レーザー光を照射することにより、半導体基板に対し、半導体基板の切断までには至らない変質領域を設け、複数の半導体チップを得る操作（以下、「ステルスダイシング」ともいう）が含まれる。
上記ダイシングは、ダイシングブレード（ダイシングソー）、レーザー光等を用いて行うことができる。

ダイシングがフルカットダイシングである場合には、ダイシングによって半導体基板が複数の半導体チップに分断される。
一方、ダイシングがステルスダイシングである場合には、ダイシングのみによっては半導体基板が複数の半導体チップに分断されるまでには至らず、ダイシング後の粘着性積層フィルム５０の拡張によって半導体基板が分断されて複数の分断された半導体チップが得られる。なお、ステルスダイシングである場合の粘着性積層フィルム５０の拡張は、工程（Ｂ）の前におこなってもよいし、工程（Ｂ）の後におこなってもよい。
なお、工程（Ａ）における第１半導体部品６０には、フルカットダイシングにより得られる分断された複数の半導体チップと、ステルスダイシングにより得られる分断される前の複数の半導体チップの両方を含む。

（工程（Ｂ））
次に、粘着性樹脂層３０上に貼り付けられた状態で、第１構造体１００に対し、半田リフロー処理を行う。
工程（Ｂ）では、第１半導体部品６０の第１端子６５に半田バンプ６８を接合させることにより第２構造体２００を得てもよいし、第１半導体部品６０の第１端子６５に、別途準備された第２端子７５を有する第２半導体部品７０の第２端子７５を、半田バンプ６８を介して接合させることにより第２構造体２００を得てもよい。
ここで、第２端子７５を有する第２半導体部品７０としては、１または２以上の半導体チップや半導体基板（例えば、半導体ウェハ）等が挙げられる。

工程（Ｂ）では、例えば、１８０℃以上３００℃以下の温度環境下で半田リフロー処理をおこなうことができる。
半田リフロー処理は特に限定されないが、例えば、公知のリフロー炉９０を用いておこなうことができる。

（工程（Ｃ））
次いで、工程（Ｂ）の後に、耐熱性樹脂層１０を粘着性積層フィルム５０から剥離する。
粘着性積層フィルム５０の剥離は手により行われる場合もあるが、一般には自動剥がし機と称される装置によって行うことができる。

（工程（Ｄ））
本実施形態に係る半導体装置の製造方法において、第１半導体部品６０が半導体基板を含む場合、図２および６に示すように、上記工程（Ｂ）と上記工程（Ｃ）との間に、第２構造体２００をダイシングし、複数の第３半導体部品８０を得る工程（Ｄ）をさらに備えることが好ましい。
一方で、第１半導体部品６０が１または２以上の半導体チップを含み、複数の第２構造体２００が得られる場合、第２構造体２００をダイシングする工程を省略することができる。この場合、第２構造体２００が第３半導体部品８０となる。

（工程（Ｅ））
次いで、工程（Ｃ）の後に，粘着性樹脂層３０から第３半導体部品８０をピックアップする。
このピックアップにより、粘着性積層フィルム５０から第３半導体部品８０を剥離することができる。
第３半導体部品８０のピックアップは、公知の方法で行うことができる。

工程（Ｅ）では、粘着性樹脂層３０における第３半導体部品８０が貼り付けられた領域をフィルムの面内方向に拡張させて、隣接する第３半導体部品８０間の間隔を拡大させた状態で、粘着性樹脂層３０から第３半導体部品８０をピックアップすることが好ましい。
こうすることにより、隣接する第３半導体部品８０間の間隔が拡大するため、粘着性積層フィルム５０から第３半導体部品８０をピックアップし易くなる。さらに、粘着性積層フィルム５０の面内方向の拡張によって生じる、第３半導体部品８０と粘着性樹脂層３０とのずり応力により、第３半導体部品８０と粘着性樹脂層３０との粘着力が低下するため、粘着性積層フィルム５０から第３半導体部品８０をピックアップし易くなる。

（工程（Ｆ））
本実施形態に係る半導体装置の製造方法において、図３に示すように、上記工程（Ｂ）と上記工程（Ｅ）との間に、粘着性積層フィルム５０に対して放射線を照射し、粘着性樹脂層３０を架橋させることで、第３半導体部品８０に対する粘着性樹脂層３０の粘着力を低下させる工程（Ｆ）をさらに備えることが好ましい。
工程（Ｆ）をおこなうことで、粘着性樹脂層３０から第３半導体部品８０を容易にピックアップすることができる。また、粘着性樹脂層３０を構成する粘着成分により第３半導体部品８０の表面が汚染されることを抑制することができる。
放射線は、例えば、粘着性積層フィルム５０の耐熱性樹脂層１０側から照射される。
放射線として紫外線を用いる場合、粘着性積層フィルム５０に対して照射する紫外線の線量は、１００ｍＪ／ｃｍ^２以上が好ましく、３５０ｍＪ／ｃｍ^２以上がより好ましい。
紫外線の線量が上記下限値以上であると、粘着性樹脂層３０の粘着力を十分に低下させることができ、その結果、半導体部品表面に糊残りが発生することをより抑制することができる。
また、粘着性積層フィルム５０に対して照射する紫外線の線量の上限は特に限定されないが、生産性の観点から、例えば、１５００ｍＪ／ｃｍ^２以下であり、好ましくは１２００ｍＪ／ｃｍ^２以下である。
紫外線照射は、例えば、高圧水銀ランプやＬＥＤを用いておこなうことができる。
工程（Ｆ）は工程（Ｃ）の前におこなってもよいし、工程（Ｃ）の後におこなってもよいが、工程（Ｄ）と工程（Ｃ）との間あるいは工程（Ｃ）と工程（Ｅ）との間におこなうことが好ましい。

（工程（Ｇ））
本実施形態に係る半導体装置の製造方法において、図４に示すように、上記工程（Ｂ）と上記工程（Ｃ）との間に、粘着性樹脂層３０上に貼り付けられた状態で、第３半導体部品８０の動作を確認する工程（Ｇ）をさらに備えることが好ましい。
第３半導体部品８０の動作確認は、例えば、第３半導体部品８０が貼り付けられた粘着性積層フィルム５０を検査台に載せて、公知の半導体試験装置を用いておこなうことができる。
例えば、第３半導体部品８０の電極に対して、テスタに接続された接触端子を接触させる。これにより、第３半導体部品８０とテスタとの間で、動作電力や動作試験信号等の授受を行い、第３半導体部品８０の動作特性の良否等を判別する。
工程（Ｇ）は工程（Ｆ）の前におこなってもよいし、工程（Ｆ）の後におこなってもよい。

工程（Ｇ）では、０℃以下または５０℃以上２００℃以下の温度環境下で第３半導体部品８０の動作確認をおこなうことが好ましく、６０℃以上１８０℃以下の温度環境下で第３半導体部品８０の動作確認をおこなうことがより好ましく、８０℃以上１６０℃以下の温度環境下で第３半導体部品８０の動作確認をおこなうことがさらに好ましい。こうすることで、不良発生の要因が内在している第３半導体部品８０の劣化を加速でき、第３半導体部品８０の初期不良を早期に発生させ、その不良品を除去することができる。これにより、信頼性に優れた第３半導体部品８０を歩留りよく得ることができる。
例えば、第３半導体部品８０が貼り付けられた粘着性積層フィルム５０を恒温槽やオーブンに入れるか、または検査台に設けられたヒーターで加熱することによって、上記の温度環境下とすることができる。
本実施形態に係る半導体装置の製造方法において、耐熱性樹脂層１０を有する粘着性積層フィルム５０を使用して上記工程（Ｇ）をおこなうことで、耐熱性樹脂層１０により粘着性樹脂層３０の変形や溶融が抑制されて第３半導体部品８０の位置ズレを抑制でき、その結果、上記工程（Ｅ）での第３半導体部品８０のピックアップをより正確におこなうことができる。

（その他の工程）
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、上記以外のその他の工程を有していてもよい。その他の工程としては、半導体装置の製造方法において公知の工程を用いることができる。

例えば、工程（Ｅ）を行った後、得られた半導体部品を回路基板に実装する工程や、ワイヤボンディング工程、封止工程等の電子部品の製造工程において一般的におこなわれている任意の工程等をさらに行ってもよい。

また、半導体基板として一方の面のみに回路面を有する半導体基板を用いる場合、半導体基板の回路面を封止する封止工程をさらに有していてもよい。
封止工程では、例えば、粘着性積層フィルム５０が貼着された半導体基板の回路面上に保護層を形成することで、回路面を内部に封止する。その場合、封止工程の後のダイシング工程によって、回路面が封止された半導体基板をダイシングする。
なお、封止工程は、半導体基板に粘着性積層フィルム５０を貼り付ける工程の前に行ってもよい。

また、回路面を有する半導体基板を用いる場合、例えば、半導体基板の回路形成面に通常用いられる方法で電極形成および非回路面に保護膜形成を行う工程をさらに有してもよい。この電極形成および保護膜形成を行う工程が設けられた製造方法は、ＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ）とも呼ばれている。
また、半導体基板の回路面に再配線層を形成する工程をさらに有してもよい。半導体チップ面積を超える広い領域に再配線層を形成することにより得られる半導体装置は、ファンアウトパッケージ（Ｆａｎ−ｏｕｔ Ｐａｃｋａｇｅ)とも呼ばれている。

以上、本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。

この出願は、２０１６年３月３０日に出願された日本出願特願２０１６−０６８８５９号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。

Claims (16)

1. 耐熱性樹脂層、柔軟性樹脂層および粘着性樹脂層をこの順番に有する粘着性積層フィルムと、前記粘着性樹脂層上に貼り付けられ、かつ、第１端子を有する第１半導体部品と、を備える第１構造体を準備する工程（Ａ）と、
   前記粘着性樹脂層上に貼り付けられた状態で、前記第１構造体に対し、半田リフロー処理を行う工程（Ｂ）と、
   前記工程（Ｂ）の後に、前記耐熱性樹脂層を前記粘着性積層フィルムから剥離する工程（Ｃ）と、
   を備える半導体装置の製造方法。
2. 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記工程（Ｂ）が、前記第１半導体部品の前記第１端子に半田バンプを接合させることにより第２構造体を得る工程を含む半導体装置の製造方法。
3. 請求項２に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記工程（Ｂ）が、前記第１半導体部品の前記第１端子に、別途準備された第２端子を有する第２半導体部品の前記第２端子を、前記半田バンプを介して接合させることにより前記第２構造体を得る工程を含む半導体装置の製造方法。
4. 請求項２または３に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記工程（Ｂ）では、１８０℃以上３００℃以下の温度環境下で前記半田リフロー処理をおこなう半導体装置の製造方法。
5. 請求項２乃至４いずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記第１半導体部品が半導体基板を含み、
   前記工程（Ｂ）と前記工程（Ｃ）との間に、前記第２構造体をダイシングし、複数の第３半導体部品を得る工程（Ｄ）をさらに備える半導体装置の製造方法。
6. 請求項５に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記工程（Ｃ）の後に、前記粘着性樹脂層から前記第３半導体部品をピックアップする工程（Ｅ）をさらに備える半導体装置の製造方法。
7. 請求項２乃至４いずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記第２構造体が複数の第３半導体部品を含み、
   前記工程（Ｃ）の後に、前記粘着性樹脂層から前記第３半導体部品をピックアップする工程（Ｅ）をさらに備える半導体装置の製造方法。
8. 請求項６または７に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記工程（Ｂ）と前記工程（Ｅ）との間に、前記粘着性積層フィルムに対して放射線を照射し、前記粘着性樹脂層を架橋させることで、前記第３半導体部品に対する前記粘着性樹脂層の粘着力を低下させる工程（Ｆ）をさらに備える半導体装置の製造方法。
9. 請求項６乃至８いずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記工程（Ｅ）では、前記粘着性樹脂層における前記第３半導体部品が貼り付けられた領域をフィルムの面内方向に拡張させて、隣接する前記第３半導体部品間の間隔を拡大させた状態で、前記粘着性樹脂層から前記第３半導体部品をピックアップする半導体装置の製造方法。
10. 請求項５乃至９いずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記工程（Ｂ）と前記工程（Ｃ）との間に、前記粘着性樹脂層上に貼り付けられた状態で、前記第３半導体部品の動作を確認する工程（Ｇ）をさらに備える半導体装置の製造方法。
11. 請求項１乃至１０いずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記耐熱性樹脂層の融点が２００℃以上である、あるいは前記耐熱性樹脂層は融点を有さない半導体装置の製造方法。
12. 請求項１乃至１１いずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記柔軟性樹脂層の融点が１００℃以上２５０℃以下である半導体装置の製造方法。
13. 請求項１乃至１２いずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記耐熱性樹脂層を構成する耐熱性樹脂がポリイミド、ポリアミド、およびポリエステルからなる群から選択される一種または二種以上を含む半導体装置の製造方法。
14. 請求項１乃至１３いずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記柔軟性樹脂層を構成する柔軟性樹脂がポリエステル系エラストマー、ポリアミド系エラストマー、ポリイミド系エラストマー、およびポリブチレンテレフタレートからなる群から選択される一種または二種以上を含む半導体装置の製造方法。
15. 請求項１乃至１４いずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記粘着性樹脂層を構成する粘着剤が（メタ）アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ウレタン系粘着剤、オレフィン系粘着剤、およびスチレン系粘着剤から選択される一種または二種以上を含む半導体装置の製造方法。
16. 請求項１乃至１５いずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記粘着性積層フィルムの全光線透過率が８５％以上である半導体装置の製造方法。

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