TWI743239B - 電子裝置的製造方法、電子裝置製造用黏著性膜及電子零件測試裝置 - Google Patents

電子裝置的製造方法、電子裝置製造用黏著性膜及電子零件測試裝置 Download PDF

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Abstract

本發明的電子裝置的製造方法包括：步驟(A)，準備包括黏著性膜、及貼附於黏著性膜的黏著面上的一個或兩個以上的電子零件的結構體；步驟(B)，以電子零件介隔黏著性膜而位於電子零件測試裝置中的試樣台的電子零件搭載區域上的方式，將結構體配置於電子零件測試裝置內，電子零件測試裝置包括具有電子零件搭載區域的試樣台、及設置於與試樣台對向的位置且具有探針端子的探針卡；步驟(C)，於貼附於黏著性膜上的狀態下，使探針端子與電子零件的端子接觸來評價電子零件的特性；及步驟(D)，於步驟(C)之後自黏著性膜拾取電子零件。

Description

電子裝置的製造方法、電子裝置製造用黏著性膜及電子零件測試裝置
本發明是有關於一種電子裝置的製造方法、電子裝置製造用黏著性膜及電子零件測試裝置。
有時於電子裝置的製造步驟中對電子零件的特性進行評價。
該電子零件的特性評價步驟中，例如於高溫或低溫下進行電子零件的特性評價。藉由所述方式，可使內部存在不良產生的因素的電子零件的劣化加速，使電子零件的初始不良提前產生而可去除其不良品。藉此，可效率良好地獲得可靠性優異的電子零件。
作為與此種電子零件的特性評價的加速測試有關的技術，例如可列舉專利文獻1(日本專利特開平10-163281號公報)中記載者。
專利文獻1中記載有如下的半導體元件的製造方法，其 特徵在於：對形成有多個半導體元件的半導體晶圓實施切割，以保持該實施了切割的半導體元件間的位置關係的狀態，將與試驗機連接的接觸端子壓抵至形成於所述半導體元件上的電極來進行電性連接，以該連接的狀態，利用試驗機對半導體元件進行藉由動作特性測試的檢查，來製造半導體元件。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開平10-163281號公報
本發明者發現：當進行電子零件70A的特性評價時，藉由對固定電子零件70A的黏著性膜50A進行加熱或冷卻而產生褶皺53A，該褶皺53A有時會與探針端子95A接觸(參照圖13)。該情況下，黏著性膜50A與探針端子95A發生干涉，因而無法準確地評價電子零件70A的特性。
即，本發明者發現：於電子零件的特性評價步驟中，就精度良好且穩定地進行電子零件的特性評價的觀點而言，尚有改善的餘地。
本發明是鑒於所述情況而形成，提供一種能夠精度良好且穩定地進行電子零件的特性評價的電子裝置的製造方法。
本發明者為了達成所述課題而反覆進行努力研究。結果 發現，藉由於評價電子零件的特性時於試樣台的垂直方向上，將固定黏著性膜的端部的框架的上表面較試樣台的電子零件搭載區域的上表面配置於更靠下方，於進行電子零件的特性評價時可抑制黏著性膜與探針端子接觸，可精度良好且穩定地進行電子零件的特性評價，從而完成了本發明。
根據本發明，提供以下所示的電子裝置的製造方法、電子裝置製造用黏著性膜及電子零件測試裝置。
[1]
一種電子裝置的製造方法，其包括：步驟(A)，準備包括黏著性膜、以及貼附於所述黏著性膜的黏著面上的一個或兩個以上的電子零件的結構體；步驟(B)，以所述電子零件介隔所述黏著性膜而位於電子零件測試裝置中的試樣台的電子零件搭載區域上的方式，將所述結構體配置於所述電子零件測試裝置內，所述電子零件測試裝置包括具有電子零件搭載區域的試樣台、以及設置於與所述試樣台對向的位置且具有探針端子的探針卡；步驟(C)，於貼附於所述黏著性膜上的狀態下，使所述探針端子與所述電子零件的端子接觸來評價所述電子零件的特性；以及步驟(D)，於所述步驟(C)之後自所述黏著性膜拾取所述電子零件；並且至少於所述步驟(C)中， 所述結構體配置於框架的框內，且將所述黏著性膜的端部固定於所述框架，於所述試樣台的垂直方向上，將所述框架的上表面較所述試樣台的所述電子零件搭載區域的上表面配置於更靠下方。
[2]
如所述[1]所記載的電子裝置的製造方法，其中於所述步驟(C)中，於0℃以下或者50℃以上、200℃以下的溫度環境下進行所述電子零件的特性評價。
[3]
如所述[1]或[2]所記載的電子裝置的製造方法，其中至少於所述步驟(C)中，以所述黏著性膜的褶皺不與所述探針卡的所述探針端子接觸的方式，於所述試樣台的垂直方向上將所述框架的上表面較所述試樣台的所述電子零件搭載區域的上表面配置於更靠下方。
[4]
如所述[1]至[3]中任一項所記載的電子裝置的製造方法，其中於所述步驟(D)中，於使所述黏著性膜中的貼附有所述電子零件的區域於膜的面內方向上擴張，使鄰接的所述電子零件間的間隔擴大的狀態下，自所述黏著性膜拾取所述電子零件。
[5]
如所述[1]至[4]中任一項所記載的電子裝置的製造方法，其中所述試樣台至少於所述電子零件搭載區域，具有藉由真空吸 引來保持所述結構體的第1真空吸引單元。
[6]
如所述[5]所記載的電子裝置的製造方法，其中所述試樣台於與所述電子零件搭載區域不同的外周側的區域，具有對所述黏著性膜的未貼附有所述電子零件的區域進行真空吸引的第2真空吸引單元。
[7]
如所述[6]所記載的電子裝置的製造方法，其中所述第2真空吸引單元是遍及所述試樣台的外周連續閉合的真空吸附槽。
[8]
如所述[5]至[7]中任一項所記載的電子裝置的製造方法，其中於所述試樣台的外周部設置有真空密封部。
[9]
如所述[1]至[8]中任一項所記載的電子裝置的製造方法，其中所述黏著性膜至少具有柔軟性樹脂層以及黏著性樹脂層。
[10]
如所述[9]所記載的電子裝置的製造方法，其中構成所述柔軟性樹脂層的柔軟性樹脂包含選自由聚酯系彈性體、聚醯胺系彈性體、聚醯亞胺系彈性體及聚對苯二甲酸丁二酯所組成的群組中的一種或兩種以上。
[11]
一種電子裝置製造用黏著性膜，其為如所述[1]至[10]中任一項所記載的電子裝置的製造方法中使用的所述黏著性膜，至少具有柔軟性樹脂層以及黏著性樹脂層。
[12]
如所述[11]所記載的電子裝置製造用黏著性膜，其中所述柔軟性樹脂層的熔點為100℃以上、250℃以下。
[13]
如所述[11]或[12]所記載的電子裝置製造用黏著性膜，其中構成所述柔軟性樹脂層的柔軟性樹脂包含選自由聚酯系彈性體、聚醯胺系彈性體、聚醯亞胺系彈性體及聚對苯二甲酸丁二酯所組成的群組中的一種或兩種以上。
[14]
如所述[11]至[13]中任一項所記載的電子裝置製造用黏著性膜，其中構成所述黏著性樹脂層的黏著劑包含選自(甲基)丙烯酸系黏著劑、矽酮系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、烯烴系黏著劑及苯乙烯系黏著劑中的一種或兩種以上。
[15]
一種電子零件測試裝置，其用於評價電子零件的特性，所述電子零件測試裝置包括：試樣台，具有電子零件搭載區域；探針卡，設置於與所述試樣台對向的位置且具有探針端子； 以及框架，於框內配置作為測試體的所述電子零件及保持所述電子零件的黏著性膜，且對所述黏著性膜的端部加以固定；並且於使所述探針端子與所述電子零件的端子接觸來評價所述電子零件的特性時，於所述試樣台的垂直方向上，將所述框架的上表面較所述試樣台的所述電子零件搭載區域的上表面配置於更靠下方。
[16]
如所述[15]所記載的電子零件測試裝置，其中所述試樣台至少於所述電子零件搭載區域，具有藉由真空吸引來保持所述電子零件及所述黏著性膜的第1真空吸引單元。
[17]
如所述[16]所記載的電子零件測試裝置，其中所述試樣台於與所述電子零件搭載區域不同的外周側的區域，具有對所述黏著性膜的未貼附有所述電子零件的區域進行真空吸引的第2真空吸引單元。
[18]
如所述[17]所記載的電子零件測試裝置，其中所述第2真空吸引單元是遍及所述試樣台的外周連續閉合的真空吸附槽。
[19]
如所述[16]至[18]中任一項所記載的電子零件測試裝置，其中 於所述試樣台的外周部設置有真空密封部。
根據本發明，可提供一種能夠精度良好且穩定地進行電子零件的特性評價的電子裝置的製造方法。
所述目的及其他目的、特徵及優點藉由以下所述的較佳實施形態、以及其中隨附的以下的圖式而進一步明確。
10:黏著性樹脂層
20:柔軟性樹脂層
30:耐熱性樹脂層
50、50A:黏著性膜
53、53A:褶皺
55:黏著性膜的端部
58:未貼附有電子零件的區域
70、70A:電子零件
75:電子零件的端子
80:試樣台
85:電子零件搭載區域
87:階差
88:電子零件搭載區域的上表面
89:與電子零件搭載區域不同的外周側的區域
90:探針卡
95、95A:探針端子
100:結構體
150:框架
155:框架的上表面
200:電子零件測試裝置
210:第1真空吸引單元
220:第2真空吸引單元
230:真空密封部
A:準備包括黏著性膜、以及貼附於黏著性膜的黏著面上的 一個或兩個以上的電子零件的結構體
B:於包括具有電子零件搭載部的試樣台、以及具有探針端子的探針卡的測試裝置內配置結構體
C:於貼附於黏著性膜上的狀態下，使探針端子與電子零件的端子接觸來評價電子零件的特性
D:於步驟(C)之後自黏著性膜拾取電子零件
X:試樣台的垂直方向
圖1是表示本發明的實施形態的電子裝置的製造方法的一例的流程圖。
圖2(a)、圖2(b)是示意性表示本發明的實施形態的電子零件測試裝置及結構體的結構的一例的剖面圖，圖2(a)表示於電子零件測試裝置內配置了結構體的狀態，圖2(b)表示對電子零件的特性進行評價的狀態。
圖3是示意性表示本發明的實施形態的結構體的結構的一例的平面圖。
圖4(a)、圖4(b)是示意性表示本發明的實施形態的電子零件測試裝置及結構體的結構的一例的剖面圖，圖4(a)表示於電子零件測試裝置內配置了結構體的狀態，圖4(b)表示對電子零件的特性進行評價的狀態。
圖5是示意性表示本發明的實施形態的第1真空吸引單元的結構的一例的剖面圖。
圖6是示意性表示本發明的實施形態的第1真空吸引單元的結構的一例的剖面圖。
圖7是示意性表示本發明的實施形態的第1真空吸引單元及第2真空吸引單元的結構的一例的剖面圖。
圖8是示意性表示本發明的實施形態的第1真空吸引單元及第2真空吸引單元的結構的一例的剖面圖。
圖9是示意性表示本發明的實施形態的第1真空吸引單元及第2真空吸引單元的結構的一例的平面圖。
圖10是示意性表示本發明的實施形態的真空密封部的結構的一例的平面圖。
圖11是示意性表示本發明的實施形態的黏著性膜的結構的一例的剖面圖。
圖12是示意性表示本發明的實施形態的黏著性膜的結構的一例的剖面圖。
圖13是用於示意性說明進行電子零件的特性評價時黏著性膜與探針端子接觸的情況的剖面圖。
以下，對於本發明的實施形態，使用圖式進行說明。此外，於所有圖式中，對同樣的構成要素標註共通的符號，且適當地省略說明。另外，圖為概略圖，與實際的尺寸比率不一致。另外，數值範圍的「A~B」若無特別說明，則表示A以上、B以下。另外，本實施形態中，所謂「(甲基)丙烯酸」是指丙烯酸及甲基丙 烯酸的其中一者或兩者。
1.電子裝置的製造方法及電子零件測試裝置
首先，對本實施形態的電子裝置的製造方法及電子零件測試裝置進行說明。
圖1是表示本發明的實施形態的電子裝置的製造方法的一例的流程圖。圖2(a)、圖2(b)及圖4(a)、圖4(b)是示意性表示本發明的實施形態的電子零件測試裝置200及結構體100的結構的一例的剖面圖，(a)表示於電子零件測試裝置200內配置了結構體100的狀態，(b)表示對電子零件70的特性進行評價的狀態。圖3是示意性表示本發明的實施形態的結構體100的結構的一例的平面圖。
本實施形態的電子裝置的製造方法至少包括以下4個步驟。
(A)準備包括黏著性膜50、以及貼附於黏著性膜50的黏著面上的一個或兩個以上的電子零件70的結構體100的步驟
(B)以電子零件70介隔黏著性膜50而位於電子零件測試裝置200中的試樣台80的電子零件搭載區域85上的方式，將結構體100配置於電子零件測試裝置200內的步驟，所述電子零件測試裝置200包括具有電子零件搭載區域85的試樣台80、以及設置於與試樣台80對向的位置且具有探針端子95的探針卡90
(C)於貼附於黏著性膜50上的狀態下，使探針端子95與電子零件70的端子75接觸來評價電子零件70的特性的步驟
(D)於步驟(C)之後自黏著性膜50拾取電子零件70的步驟
並且，至少於步驟(C)中，結構體100配置於框架150的框內，且將黏著性膜50的端部55固定於框架150，於試樣台80的垂直方向X上，將框架150的上表面155較試樣台80的電子零件搭載區域85的上表面88配置於更靠下方。
本發明者發現：當進行電子零件70A的特性評價時，固定電子零件70A的黏著性膜50A因加熱或冷卻而產生褶皺53A，該褶皺53A有時會與探針端子95A接觸(參照圖13)。該情況下，黏著性膜50A與探針端子95A發生干涉，因而無法準確地評價電子零件70A的特性。
即，本發明者發現：於電子零件的特性評價步驟中，就精度良好且穩定地進行電子零件的特性評價的觀點而言，尚有改善的餘地。
本發明者為了達成所述課題而反覆進行努力研究。結果發現，藉由於評價電子零件70的特性時於試樣台80的垂直方向X上，將固定黏著性膜50的端部55的框架150的上表面155較試樣台80的電子零件搭載區域85的上表面88配置於更靠下方，於進行電子零件70的特性評價時，可抑制黏著性膜50與探針端子95接觸，可精度良好且穩定地進行電子零件70的特性評價。
即，藉由至少於所述步驟(C)中，將框架150的上表面155較試樣台80的電子零件搭載區域85的上表面88配置於更靠下 方，即便黏著性膜50因加熱或冷卻而產生褶皺53，亦可抑制該褶皺53與探針端子95接觸，結果，可抑制黏著性膜50與探針端子95發生干涉，可精度良好且穩定地進行電子零件70的特性評價。
如以上所述，根據本實施形態的電子裝置的製造方法，藉由包括所述步驟(A)~步驟(D)，可精度良好且穩定地進行電子零件70的特性評價。
以下對本實施形態的電子裝置的製造方法的各步驟進行說明。
(步驟(A))
首先，準備包括黏著性膜50、以及貼附於黏著性膜50的黏著面上的一個或兩個以上的電子零件70的結構體100。
此種結構體例如可藉由於黏著性膜50的黏著面(例如後述的黏著性樹脂層10的表面)貼附電子零件70，視需要將黏著性膜50上的電子零件70單片化來製作。
以下，以電子零件70為半導體基板及半導體晶片的情況為例，對結構體100的製造方法進行具體說明。
首先，於黏著性膜50的黏著面貼附半導體基板。
貼附於黏著性膜50上的半導體基板例如可列舉：矽、鍺、鎵-砷、鎵-磷、鎵-砷-鋁等的基板(例如晶圓)。
另外，半導體基板較佳為使用於表面形成有電路的半導體基板。
當於黏著性膜50的黏著面貼附電子零件70時，可將黏 著性膜50貼附於框架150，然後於黏著性膜50的黏著面貼附電子零件70，亦可將框架150與電子零件70同時貼附於黏著性膜50。
黏著性膜50的貼附可用人的手來進行，但通常利用安裝有卷狀的表面保護膜的自動黏貼機來進行。
對貼附時的黏著性膜50及半導體基板的溫度並無特別限制，較佳為25℃~80℃。
另外，對貼附時的黏著性膜50與半導體基板的壓力並無特別限制，較佳為0.3MPa~0.5MPa。
繼而，將黏著性膜50上的半導體基板切割為半導體晶片。
此處所謂的「切割」中包含： (a)藉由對半導體基板設置與該半導體基板的厚度相同的深度的切口，將半導體基板分割而獲得多個經分割的半導體晶片的操作(以下亦稱為「全切(full cut)切割」)；以及(b)藉由照射雷射光或電漿，對半導體基板設置未達到半導體基板的切斷的程度的變質區域，獲得多個半導體晶片的操作(以下亦稱為「隱形(stealth)切割」)。
所述切割可使用切割刀片(切割鋸)、雷射光、電漿等來進行。
於切割為全切切割的情況下，藉由切割，半導體基板分割為多個半導體晶片。
另一方面，於切割為隱形切割的情況下，僅藉由切割，半導體基板未達到分割為多個半導體晶片的程度，藉由切割後的黏著 性膜50的擴張，半導體基板被分割而獲得多個經分割的半導體晶片。此外，隱形切割的情況下的黏著性膜50的擴張可於步驟(C)之前進行，亦可於步驟(C)之後進行。
此外，步驟(A)中的電子零件70中包括：藉由全切切割而獲得的經分割的多個半導體晶片、以及藉由隱形切割而獲得的分割前的多個半導體晶片的兩者。
(步驟(B))
其次，以電子零件70介隔黏著性膜50而位於電子零件測試裝置200中的試樣台80的電子零件搭載區域85上的方式，將結構體100配置於電子零件測試裝置200內。
以下對本實施形態的電子零件測試裝置200進行說明。
本實施形態的電子零件測試裝置200是用於評價電子零件70的特性的電子零件測試裝置，其包括：具有電子零件搭載區域85的試樣台80；設置於與試樣台80對向的位置且具有探針端子95的探針卡90；以及於框內配置作為測試體的電子零件70及保持電子零件70的黏著性膜50，且對黏著性膜50的端部55加以固定的框架150。並且，構成為：當使探針端子95與電子零件70的端子75接觸來評價電子零件70的特性時，於試樣台80的垂直方向X上，將框架150的上表面155較試樣台80的電子零件搭載區域85的上表面88配置於更靠下方。
具有探針端子95的探針卡90並無特別限定，可使用一般公知的探針卡。
框架150的形狀並無特別限定，可列舉圓形形狀、橢圓形形狀、矩形形狀等。框架150例如可列舉環狀框架。
作為將框架150的上表面155較試樣台80的電子零件搭載區域85的上表面88配置於更靠下方的構成，例如可列舉：使框架150或試樣台80可於垂直方向上自由移動的機構、或如圖4(a)、圖4(b)所示般的試樣台80的電子零件搭載區域85中的階差87等。
此處，圖5及圖6是示意性表示本發明的實施形態的第1真空吸引單元210的結構的一例的剖面圖。
如圖5及圖6所示，本實施形態的電子零件測試裝置200中，較佳為試樣台80至少於電子零件搭載區域85具有第1真空吸引單元210。
第1真空吸引單元210藉由進行真空吸引來保持電子零件70及黏著性膜50(結構體100)。藉由電子零件測試裝置200更包括第1真空吸引單元210，於評價電子零件70的特性時可將電子零件70及黏著性膜50(結構體100)更穩定地保持於試樣台80。
此處，圖7及圖8是示意性表示本發明的實施形態的第1真空吸引單元210及第2真空吸引單元220的結構的一例的剖面圖。圖9是示意性表示本發明的實施形態的第1真空吸引單元210及第2真空吸引單元220的結構的一例的平面圖。
如圖7及圖8所示，本實施形態的電子零件測試裝置200中，較佳為試樣台80於與電子零件搭載區域85不同的外周側的區域 89，具有對黏著性膜50的未貼附有電子零件70的區域58進行真空吸引的第2真空吸引單元220。
藉由電子零件測試裝置200更包括第2真空吸引單元220，可進一步拉伸黏著性膜50的因加熱或冷卻而產生的褶皺53，可進一步降低褶皺53的高低差。藉此，於進行電子零件70的特性評價時可更進一步抑制黏著性膜50與探針端子95接觸，可進而精度更良好地進行電子零件70的特性評價。
第1真空吸引單元210及第2真空吸引單元220並無特別限定，可使用公知的真空吸引單元。例如，可列舉包括進行真空吸引的泵(例如真空泵)、以及連接於真空泵的吸附孔的真空吸引單元等。此處，第1真空吸引單元210及第2真空吸引單元220的真空管線可分別獨立，亦可相連。此處，圖5~圖10中，作為第1真空吸引單元210及第2真空吸引單元220僅示出吸附孔，未圖示真空泵。可於該吸附孔連接真空泵，使用真空泵自吸附孔對電子零件70及黏著性膜50(結構體100)進行真空吸引。
另外，如圖9所示，第2真空吸引單元220較佳為遍及試樣台80的外周連續閉合的真空吸附槽。
藉由所述方式，可抑制氣體流入連續閉合的真空吸附槽的內側的區域，可進而更有效果地對黏著性膜50進行吸引。結果，可更進一步抑制黏著性膜50的因加熱或冷卻而產生的褶皺53。
此處，圖10是示意性表示本發明的實施形態的真空密封部230的結構的一例的平面圖。
本實施形態的電子零件測試裝置200中，較佳為於試樣台80的外周部設置有真空密封部230。藉此，可使真空密封部230的內側的區域的真空度更良好，因而可進而更有效果地對黏著性膜50進行吸引。結果，可更進一步抑制黏著性膜50的因加熱或冷卻而產生的褶皺53。真空密封部230的材質並無特別限定，較佳為矽酮橡膠等耐熱彈性體。
(步驟(C))
其次，於貼附於黏著性膜50上的狀態下，使探針端子95與電子零件70的端子75接觸來評價電子零件70的特性。
電子零件70的特性評價例如為電子零件70的動作確認試驗，如圖2(b)及圖4(b)所示，可使用具有探針端子95的探針卡90來進行。
例如，對於電子零件70的端子75，接觸介隔探針卡90而與試驗機連接的探針端子95。藉此，可於電子零件70與試驗機之間，進行動作電力或動作測試訊號等的授受，來判別電子零件70的動作特性的良否等。
步驟(C)中，結構體100為如圖2(a)~圖4(b)所示，配置於框架150的框內，且將黏著性膜50的端部55固定於框架150。
並且，如圖2(a)及圖4(a)所示，於試樣台80的垂直方向X上，將框架150的上表面155較試樣台80的電子零件搭載區域85的上表面88配置於更靠下方。
此處，作為將框架150的上表面155較試樣台80的電子零件搭載區域85的上表面88配置於更靠下方的方法，例如如圖2(a)所示，可列舉：使框架150向垂直方向X的下方移動的方法；使試樣台80向垂直方向X的上方移動的方法等。
另外，作為將框架150的上表面155較試樣台80的電子零件搭載區域85的上表面88配置於更靠下方的方法，例如如圖4(a)所示，亦可採用對試樣台80的電子零件搭載區域85賦予階差87的方法。此處，階差87若為框架150的上表面155較試樣台80的電子零件搭載區域85的上表面88可配置於更靠下方的構成則並無特別限定，可與試樣台80一體化，亦可並非一體化。
另外，階差87的高度例如為如電子零件搭載區域85的上表面88與框架150的上表面155的高低差+電子零件70的高度>褶皺53的高度般的高度。
另外，較佳為至少於所述步驟(C)中，如圖2(b)及圖4(b)所示，以黏著性膜50的因加熱或冷卻而產生的褶皺53不與探針卡90的探針端子95接觸的方式，於試樣台80的垂直方向X上將框架150的上表面155較試樣台80的電子零件搭載區域85的上表面88配置於更靠下方。
藉此，於進行電子零件70的特性評價時可更確實地抑制黏著性膜50與探針端子95接觸。
此處，電子零件搭載區域85的上表面88與框架150的上表面155的高低差例如為3mm~20mm、較佳為3mm~15mm左 右。若所述高低差為所述下限值以上，則更進一步消除黏著性膜50的褶皺，故較佳。若所述高低差為所述上限值以下，則可抑制黏著性膜50擴張而電子零件70的間隔發生變化且探針端子95與電子零件70的位置關係發生偏移。
步驟(C)中，較佳為於0℃以下或者50℃以上、200℃以下的溫度環境下進行電子零件70的特性評價，更佳為於60℃以上、180℃以下的溫度環境下進行電子零件70的特性評價，尤佳為於80℃以上、160℃以下的溫度環境下進行電子零件70的特性評價。藉由所述方式，可使內部存在不良產生的因素的電子零件70的劣化加速，使電子零件70的初始不良提前產生而可去除其不良品。藉此，可良率良好地獲得可靠性優異的電子零件70。
例如，藉由將結構體100放入至恆溫槽或烘箱中，或者利用設置於試樣台80上的加熱器進行加熱，可設為所述的溫度環境下。
(步驟(D))
繼而，於步驟(C)之後自黏著性膜50拾取電子零件70。
藉由該拾取，可自黏著性膜50剝離電子零件70。
電子零件70的拾取可利用公知的方法來進行。
步驟(D)中，較佳為於使黏著性膜50中的貼附有電子零件70的區域於膜的面內方向上擴張，使鄰接的電子零件70間的間隔擴大的狀態下，自黏著性膜50拾取電子零件70。
藉由所述方式，鄰接的電子零件70間的間隔擴大，因此容易自黏著性膜50拾取電子零件70。進而，藉由因黏著性膜50的面 內方向的擴張而產生的電子零件70與黏著性膜50的剪切應力，電子零件70與黏著性膜50的黏著力下降，因而容易自黏著性膜50拾取電子零件70。
另外，於使用依序具有後述的耐熱性樹脂層30、柔軟性樹脂層20及黏著性樹脂層10的膜作為黏著性膜50的情況下，較佳為於步驟(C)之後將耐熱性樹脂層30自黏著性膜50剝離來進行步驟(D)。藉此，可更容易地進行黏著性膜50的面內方向的擴張。耐熱性樹脂層30的剝離亦有利用手來進行的情況，但一般利用稱為自動剝離機的裝置來進行。
(步驟(E))
本實施形態的電子裝置的製造方法中，可更包括如下的步驟(E)：藉由於步驟(D)之前對黏著性膜50照射放射線，使黏著性膜50進行交聯，而使黏著性膜50對於電子零件70的黏著力下降。
藉由進行步驟(E)，可容易地自黏著性膜50拾取電子零件70。另外，可抑制藉由構成黏著性膜50的黏著成分而污染電子零件70的表面。
放射線例如是自黏著性膜50的與黏著面相反側的面來照射。
於使用紫外線作為放射線的情況下，對黏著性膜50照射的紫外線的線量較佳為100mJ/cm2以上，更佳為350mJ/cm2以上。
若紫外線的線量為所述下限值以上，則可使黏著性膜50的黏著力充分下降，結果，可更進一步抑制於電子零件70表面產生殘 膠。
另外，對黏著性膜50照射的紫外線的線量的上限並無特別限定，就生產性的觀點而言，例如為1500mJ/cm2以下，較佳為1200mJ/cm2以下。
紫外線照射例如可使用高壓水銀燈來進行。
進行步驟(E)的時機並無特別限制，可為步驟(A)與步驟(B)之間、步驟(B)與步驟(C)之間或者步驟(C)與步驟(D)之間的任一者，於將電子零件搭載區域85預先加熱的情況下，較佳為於步驟(A)與步驟(B)之間進行。於將結構體100配置於電子零件搭載區域85後進行升溫的情況下，亦可於步驟(B)與步驟(C)之間或者步驟(C)與步驟(D)之間進行。
(其他步驟)
本實施形態的電子裝置的製造方法亦可包括所述以外的其他步驟。其他步驟可使用電子裝置的製造方法中公知的步驟。
例如，於進行步驟(D)之後，亦可進而進行將所獲得的半導體晶片等電子零件70安裝於電路基板的步驟，或引線接合(wire bonding)步驟、密封步驟等電子零件的製造步驟中一般會進行的任意步驟。
另外，於使用具有電路面的半導體基板作為電子零件70的情況下，例如可更包括如下步驟：利用通常使用的方法，於半導體基板的電路形成面上進行電極形成以及於非電路面上進行保護膜形成。設置有該進行電極形成及樹脂密封的步驟的製造方法 亦稱為晶圓級封裝(Wafer Level Package，WLP)。
另外，亦可更包括於電子零件的電路面上形成再配線層的步驟。
藉由於超過半導體晶片面積的寬廣區域中形成再配線層而獲得的電子裝置亦稱為扇出封裝(Fan-out Package)。
2.黏著性膜
其次，對本實施形態的半導體裝置的製造方法中使用的黏著性膜50(亦稱為電子裝置製造用黏著性膜)進行說明。
圖11及圖12是示意性表示本發明的實施形態的黏著性膜50的結構的一例的剖面圖。
黏著性膜50至少具有黏著性樹脂層10。另外，就提高黏著性膜50的柔軟性、進一步提高電子零件70的拾取性的觀點而言，黏著性膜50較佳為除了具有黏著性樹脂層10以外，更具有柔軟性樹脂層20。
另外，就使柔軟性及耐熱性的平衡更良好的觀點而言，黏著性膜50較佳為除了具有黏著性樹脂層10以外，更具有柔軟性樹脂層20及耐熱性樹脂層30的兩者。
於黏著性膜50包含黏著性樹脂層10、柔軟性樹脂層20及耐熱性樹脂層30的情況下，黏著性膜50較佳為依序具有耐熱性樹脂層30、柔軟性樹脂層20及黏著性樹脂層10。
藉由所述方式，藉由耐熱性樹脂層30而黏著性樹脂層10的變形或熔融受到抑制，可抑制電子零件70的位置偏移，結果，可 更準確地進行所述步驟(D)中的電子零件70的拾取。即，可使黏著性膜50的黏著性、耐熱性及柔軟性的平衡更良好。
此處，本實施形態中，所謂耐熱性是指高溫或低溫下的膜或樹脂層的尺寸穩定性。即是指，越是耐熱性優異的膜或樹脂層，越難以產生高溫或低溫下的膨脹或收縮、軟化等變形或熔融等。
(黏著性樹脂層)
黏著性樹脂層10是於將黏著性膜50貼附於電子零件70時，與電子零件70的表面接觸而黏著的層。
構成黏著性樹脂層10的黏著劑可列舉：(甲基)丙烯酸系黏著劑、矽酮系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、烯烴系黏著劑、苯乙烯系黏著劑等。該些中，就可容易地調整黏接力的方面等而言，較佳為將(甲基)丙烯酸系聚合體作為基礎聚合物的(甲基)丙烯酸系黏著劑。
作為構成黏著性樹脂層10的黏著劑，可使用藉由放射線而使黏著力下降的放射線交聯型黏著劑。由放射線交聯型黏著劑所構成的黏著性樹脂層10藉由放射線的照射而交聯，黏著力顯著減少，因此於電子零件70的拾取步驟中，容易自黏著性樹脂層10拾取電子零件70。放射線可列舉紫外線、電子束、紅外線等。
放射線交聯型黏著劑較佳為紫外線交聯型黏著劑。
(甲基)丙烯酸系黏著劑中所含的(甲基)丙烯酸系聚合體例如可列舉：(甲基)丙烯酸酯化合物的均聚物、(甲基)丙烯酸酯化 合物與共聚單體的共聚物等。(甲基)丙烯酸酯化合物例如可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸羥基乙酯、(甲基)丙烯酸羥基丙酯、(甲基)丙烯酸二甲基胺基乙酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等。該些(甲基)丙烯酸酯化合物可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。
另外，構成(甲基)丙烯酸系共聚物的共聚單體例如可列舉：乙酸乙烯酯、(甲基)丙烯腈、苯乙烯、(甲基)丙烯酸、衣康酸、(甲基)丙烯醯胺、羥甲基(甲基)丙烯醯胺、順丁烯二酸酐等。該些共聚單體可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。
放射線交聯型黏著劑例如包含：所述(甲基)丙烯酸系黏著劑等黏著劑、交聯性化合物(具有碳-碳雙鍵的成分)、以及光聚合起始劑或熱聚合起始劑。
交聯性化合物例如可列舉：分子中具有碳-碳雙鍵，可藉由自由基聚合而交聯的單體、寡聚物或聚合物等。此種交聯性化合物例如可列舉：三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸與多元醇的酯；酯(甲基)丙烯酸酯寡聚物；2-丙烯基二-3-丁烯基氰脲酸酯、雙(2-(甲基)丙烯醯氧基乙基)異氰脲酸2-羥基乙酯、三(2-甲基丙烯醯氧基乙基)異氰脲酸酯等異氰脲酸酯或者異氰脲酸酯化合物等。
此外，於黏著劑為於聚合物的側鏈上具有碳-碳雙鍵的放射線 交聯型聚合物的情況下，亦可不添加交聯性化合物。
相對於黏著劑100質量份，交聯性化合物的含量較佳為5質量份~900質量份，更佳為20質量份~200質量份。藉由交聯性化合物的含量為所述範圍，則與少於所述範圍的情況相比，黏著力的調整變得容易，且與多於所述範圍的情況相比，難以產生由於對熱或光的感度過高而引起的保存穩定性的下降。
光聚合起始劑若為藉由照射放射線而開裂生成自由基的化合物即可，例如可列舉：安息香甲醚、安息香異丙醚、安息香異丁醚等安息香烷基醚類；苄基、安息香、二苯甲酮、α-羥基環己基苯基酮等芳香族酮類；苄基二甲基縮酮等芳香族縮酮類；聚乙烯基二苯甲酮；氯硫雜蒽酮、十二烷基硫雜蒽酮、二甲基硫雜蒽酮、二乙基硫雜蒽酮等硫雜蒽酮類等。
熱聚合起始劑例如可列舉有機過氧化物衍生物或偶氮系聚合起始劑等。就加熱時不會產生氮的方面而言，較佳為有機過氧化物衍生物。熱聚合起始劑例如可列舉：酮過氧化物、過氧化縮酮、氫過氧化物、二烷基過氧化物、二醯基過氧化物、過氧化酯及過氧化二碳酸酯等。
黏著劑中亦可添加交聯劑。交聯劑例如可列舉：山梨糖醇聚縮水甘油醚、聚丙三醇聚縮水甘油醚、季戊四醇聚縮水甘油醚、二丙三醇聚縮水甘油醚等環氧系化合物；四羥甲基甲烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、三羥甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、N,N'-二苯基甲烷-4,4'-雙(1-氮丙啶羧基醯胺)、N,N'-六亞甲基-1,6-雙(1-氮丙 啶羧基醯胺)等氮丙啶系化合物；四亞甲基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、聚異氰酸酯等異氰酸酯系化合物等。
黏著性樹脂層10的厚度並無特別限制，例如較佳為1μm以上、100μm以下，更佳為3μm以上、50μm以下。
黏著性樹脂層10例如可藉由於基材層或柔軟性樹脂層20上塗佈黏著劑塗佈液而形成。
塗佈黏著劑塗佈液的方法可採用現有公知的塗佈方法，例如：輥塗佈機法、反向輥塗佈機法、凹版輥法、棒塗法、缺角輪塗佈機法、模塗佈機法等。對所塗佈的黏著劑的乾燥條件並無特別限制，一般而言較佳為於80℃~200℃的溫度範圍內乾燥10秒~10分鐘。尤佳為於80℃~170℃下乾燥15秒~5分鐘。為了充分促進交聯劑與黏著劑的交聯反應，亦可於黏著劑塗佈液的乾燥結束後，於40℃~80℃下加熱5小時~300小時左右。
(柔軟性樹脂層)
柔軟性樹脂層20是出於使黏著性膜50的柔軟性或伸縮性等特性良好的目的而設置的層。
藉由設置柔軟性樹脂層20，黏著性膜50的伸縮性或柔軟性提高，可更容易地於拾取半導體晶片70的步驟(D)中使黏著性膜50於面內方向上擴張。
柔軟性樹脂層20若為可於面內方向上擴張者，則並無特別限定，較佳為柔軟性或伸縮性等特性優異，且具有當於高溫或低溫下進行電子零件70的特性評價時可維持與黏著性樹脂層 10的黏接性的程度的耐熱性者。
構成所述柔軟性樹脂層20的柔軟性樹脂例如可列舉選自聚酯系彈性體、聚醯胺系彈性體、聚醯亞胺系彈性體及聚對苯二甲酸丁二酯等中的一種或兩種以上。
柔軟性樹脂層20的熔點較佳為100℃以上、250℃以下。
若使用此種柔軟性樹脂層20，則可更進一步抑制於高溫或低溫下進行電子零件70的特性評價時的黏著性膜50的熱膨脹。
柔軟性樹脂層20的厚度並無特別限制，例如較佳為10μm以上、500μm以下，更佳為20μm以上、300μm以下，尤佳為30μm以上、250μm以下，特佳為50μm以上、200μm以下。
(耐熱性樹脂層)
耐熱性樹脂層30是出於使黏著性膜50的操作性或機械特性、耐熱性等特性更良好的目的而設置的層。
耐熱性樹脂層30只要具有當於高溫或低溫下進行電子零件70的特性評價時，不會產生引起電子零件70的位置偏移的程度的變形或熔融的程度的耐熱性，則並無特別限定，例如可使用耐熱性樹脂膜。
構成所述耐熱性樹脂膜的樹脂例如可列舉選自以下化合物中的一種或兩種以上：聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯；尼龍-6、尼龍-66、聚己二醯間苯二甲胺等聚醯胺；聚醯亞胺；聚醚醯亞胺；聚醯胺醯亞胺；聚碳酸酯；改質聚苯醚；聚縮醛；聚芳酯；聚碸；聚醚碸；聚苯 硫醚；聚醚醚酮；氟系樹脂；液晶聚合物；偏二氯乙烯樹脂；聚苯并咪唑；聚苯并噁唑；聚甲基戊烯等。
該些中，就耐熱性或機械強度、透明性、價格等的平衡優異的觀點而言，較佳為選自聚醯亞胺、聚醯胺及聚酯中的一種或兩種以上。
耐熱性樹脂層30的熔點較佳為200℃以上，更佳為220℃以上。或者，耐熱性樹脂層30較佳為不顯示熔點者，更佳為分解溫度為200℃以上，尤佳為分解溫度為220℃以上。
若使用此種耐熱性樹脂層30，則可更進一步抑制於高溫或低溫下進行電子零件70的特性評價時的黏著性膜50的變形。
耐熱性樹脂層30可為單層，亦可為兩種以上的層。
另外，為了形成耐熱性樹脂層30而使用的樹脂膜的形態可為延伸膜，亦可為於單軸方向或雙軸方向上延伸的膜，但就提高耐熱性樹脂層30的耐熱性及機械強度的觀點而言，較佳為於單軸方向或雙軸方向上延伸的膜。
就獲得良好的膜特性的觀點而言，耐熱性樹脂層30的厚度較佳為10μm以上、1000μm以下，更佳為10μm以上、500μm以下，尤佳為20μm以上、300μm以下。
耐熱性樹脂層30為了改良與其他層的黏接性，亦可進行表面處理。具體而言，亦可進行電暈處理、電漿處理、下塗(under coat)處理、底塗(primer coat)處理等。
耐熱性樹脂層30較佳為以可剝離的方式對柔軟性樹脂 層20進行積層。
以可剝離的方式積層的方法並無特別限定，例如可列舉：介隔可剝離的黏接層(未圖示)而積層的方法。所謂可剝離的黏接層，是指藉由於剝離時施加放射線或熱等某種刺激而可容易地剝離的層。
此種可剝離的黏接層例如可列舉：(1)由可藉由放射線照射來降低黏著力的放射線交聯型黏著劑所構成的黏接層；(2)由藉由加熱而膨脹，可降低黏著力的加熱膨脹型黏著劑所構成的黏接層；(3)由藉由加熱而收縮，可降低黏著力且以收縮性膜作為基材的兩面黏著性膜所構成的黏接層等。
放射線交聯型黏著劑是於放射線照射前，對耐熱性樹脂層30及柔軟性樹脂層20具有充分的黏接力，且於放射線照射後黏著力顯著減少者。即，於放射線照射前可黏接耐熱性樹脂層30及柔軟性樹脂層20，且於放射線照射後可自柔軟性樹脂層20容易地剝離耐熱性樹脂層30。
放射線交聯型黏著劑可使用一般公知的紫外線交聯型黏著劑等放射線交聯型黏著劑。
加熱膨脹型黏著劑是指於黏著劑中分散有熱膨脹性微粒子或發泡劑等的黏著劑。黏著劑可使用一般公知的黏著劑，例如可列舉：(甲基)丙烯酸系黏著劑、矽酮系黏著劑、橡膠系黏著劑、聚胺基甲酸酯系黏著劑、聚乙烯醚系黏著劑等。
熱膨脹性微粒子例如可列舉：使異丁烷、丙烷、戊烷等藉由 加熱而容易氣化膨脹的物質內包於具有彈性的殼內的微粒子。
發泡劑例如可列舉具有熱分解而產生水、二氧化碳、氮的能力的化學物質等。
若藉由加熱，熱膨脹性微粒子或發泡劑膨脹，則黏接層的表面狀態變化，可使柔軟性樹脂層20與耐熱性樹脂層30的黏接力下降，結果，可自柔軟性樹脂層20容易地剝離耐熱性樹脂層30。
以收縮性膜作為基材的兩面黏著性膜中使用的收縮膜可列舉藉由加熱而收縮的熱收縮膜。例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯、聚乙烯、聚苯乙烯、聚丙烯、聚醯胺、聚胺基甲酸酯、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯等單軸或雙軸延伸膜等。
設置於收縮性膜的兩面的黏著劑可使用一般公知的黏著劑，例如可列舉：(甲基)丙烯酸系黏著劑、矽酮系黏著劑、橡膠系黏著劑、聚胺基甲酸酯系黏著劑、聚乙烯醚系黏著劑等。
若藉由加熱，基材的收縮性膜收縮，則黏接層的表面狀態變化，可使柔軟性樹脂層20與耐熱性樹脂層30的黏接力下降，結果，可自柔軟性樹脂層20容易地剝離耐熱性樹脂層30。
本實施形態的黏著性膜50亦可於黏著性樹脂層10上進而積層脫模膜。脫模膜例如可列舉經實施脫模處理的聚酯膜等。
本實施形態的黏著性膜50的總透光率較佳為80%以上，更佳為85%以上。藉由所述方式，可對黏著性膜50賦予透明性。而且，藉由將黏著性膜50的總透光率設為所述下限值以上，可對黏著性樹脂層10更有效果地照射放射線，可提高放射線照射 效率。此外，黏著性膜50的總透光率可依據JIS K7105(1981)來測定。
繼而，對本實施形態的黏著性膜50的製造方法的一例進行說明。
本實施形態的黏著性膜50可藉由以下方式而獲得：於基材層或柔軟性樹脂層20上塗佈黏著劑塗佈液並使其乾燥，藉此而形成黏著性樹脂層10。
柔軟性樹脂層20例如可利用擠出層壓法而形成於基材層或耐熱性樹脂層30的其中一面。另外，耐熱性樹脂層30與柔軟性樹脂層20可藉由共擠出成形而形成，亦可將膜狀的耐熱性樹脂層30與膜狀的柔軟性樹脂層20進行層壓(積層)而形成。
以上，已對本發明的實施形態下進行了說明，但該些為本發明的例示，亦可採用所述以外的多種構成。
此外，本發明並不限定於所述的實施形態，可達成本發明的目的的範圍內的變形、改良等包含於本發明中。
本申請案主張以2016年10月27日提出申請的日本申請特願2016-210616號作為基礎的優先權，將其揭示的全部併入本申請案中。
A:準備包括黏著性膜、以及貼附於黏著性膜的黏著面上的一個或兩個以上的電子零件的結構體
B:於包括具有電子零件搭載部的試樣台、以及具有探針端子的探針卡的測試裝置內配置結構體
C:於貼附於黏著性膜上的狀態下，使探針端子與電子零件的端子接觸來評價電子零件的特性
D:於步驟(C)之後自黏著性膜拾取電子零件

Claims (18)

  1. 一種電子裝置的製造方法，其包括：步驟(A)，準備包括黏著性膜、以及貼附於所述黏著性膜的黏著面上的一個或兩個以上的電子零件的結構體；步驟(B)，以所述電子零件介隔所述黏著性膜而位於電子零件測試裝置中的試樣台的電子零件搭載區域上的方式，將所述結構體配置於所述電子零件測試裝置內，所述電子零件測試裝置包括具有電子零件搭載區域的試樣台、以及設置於與所述試樣台對向的位置且具有探針端子的探針卡；步驟(C)，於貼附於所述黏著性膜上的狀態下，使所述探針端子與所述電子零件的端子接觸來評價所述電子零件的特性；以及步驟(D)，於所述步驟(C)之後自所述黏著性膜拾取所述電子零件；並且至少於所述步驟(C)中，所述結構體配置於框架的框內，且將所述黏著性膜的端部固定於所述框架，於所述試樣台的垂直方向上，將所述框架的上表面較所述試樣台的所述電子零件搭載區域的上表面配置於更靠下方，於所述步驟(C)中，於0℃以下或者50℃以上、200℃以下的溫度環境下進行所述電子零件的特性評價。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的電子裝置的製造方法，其 中至少於所述步驟(C)中，以所述黏著性膜的褶皺不與所述探針卡的所述探針端子接觸的方式，於所述試樣台的垂直方向上將所述框架的上表面較所述試樣台的所述電子零件搭載區域的上表面配置於更靠下方。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的電子裝置的製造方法，其中於所述步驟(D)中，於使所述黏著性膜中的貼附有所述電子零件的區域於膜的面內方向上擴張，使鄰接的所述電子零件間的間隔擴大的狀態下，自所述黏著性膜拾取所述電子零件。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的電子裝置的製造方法，其中所述試樣台至少於所述電子零件搭載區域，具有藉由真空吸引來保持所述結構體的第1真空吸引單元。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的電子裝置的製造方法，其中所述試樣台於與所述電子零件搭載區域不同的外周側的區域，具有對所述黏著性膜的未貼附有所述電子零件的區域進行真空吸引的第2真空吸引單元。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的電子裝置的製造方法，其中所述第2真空吸引單元是遍及所述試樣台的外周連續閉合的 真空吸附槽。
  7. 如申請專利範圍第5項所述的電子裝置的製造方法，其中於所述試樣台的外周部設置有真空密封部。
  8. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的電子裝置的製造方法，其中所述黏著性膜至少具有柔軟性樹脂層以及黏著性樹脂層。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的電子裝置的製造方法，其中構成所述柔軟性樹脂層的柔軟性樹脂包含選自由聚酯系彈性體、聚醯胺系彈性體、聚醯亞胺系彈性體及聚對苯二甲酸丁二酯所組成的群組中的一種或兩種以上。
  10. 一種電子裝置製造用黏著性膜，其為如申請專利範圍第1項至第9項中任一項所述的電子裝置的製造方法中使用的所述黏著性膜，至少具有柔軟性樹脂層以及黏著性樹脂層。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的電子裝置製造用黏著性膜，其中所述柔軟性樹脂層的熔點為100℃以上、250℃以下。
  12. 如申請專利範圍第10項或第11項所述的電子裝置製造用黏著性膜，其中構成所述柔軟性樹脂層的柔軟性樹脂包含選自由聚酯系彈性 體、聚醯胺系彈性體、聚醯亞胺系彈性體及聚對苯二甲酸丁二酯所組成的群組中的一種或兩種以上。
  13. 如申請專利範圍第10項或第11項所述的電子裝置製造用黏著性膜，其中構成所述黏著性樹脂層的黏著劑包含選自(甲基)丙烯酸系黏著劑、矽酮系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、烯烴系黏著劑及苯乙烯系黏著劑中的一種或兩種以上。
  14. 一種電子零件測試裝置，其用於評價電子零件的特性，所述電子零件測試裝置包括：試樣台，具有電子零件搭載區域；探針卡，設置於與所述試樣台對向的位置且具有探針端子；以及框架，於框內配置作為測試體的所述電子零件及保持所述電子零件的黏著性膜，且對所述黏著性膜的端部加以固定；並且於使所述探針端子與所述電子零件的端子接觸來評價所述電子零件的特性時，於所述試樣台的垂直方向上，將所述框架的上表面較所述試樣台的所述電子零件搭載區域的上表面配置於更靠下方，並且於0℃以下或者50℃以上、200℃以下的溫度環境下進行所述電子零件的特性評價。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的電子零件測試裝置，其中 所述試樣台至少於所述電子零件搭載區域，具有藉由真空吸引來保持所述電子零件及所述黏著性膜的第1真空吸引單元。
  16. 如申請專利範圍第15項所述的電子零件測試裝置，其中所述試樣台於與所述電子零件搭載區域不同的外周側的區域，具有對所述黏著性膜的未貼附有所述電子零件的區域進行真空吸引的第2真空吸引單元。
  17. 如申請專利範圍第16項所述的電子零件測試裝置，其中所述第2真空吸引單元是遍及所述試樣台的外周連續閉合的真空吸附槽。
  18. 如申請專利範圍第15項至第17項中任一項所述的電子零件測試裝置，其中於所述試樣台的外周部設置有真空密封部。
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