CN102473617B - 晶片粘贴用粘合片及使用该粘合片的晶片的加工方法 - Google Patents

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Abstract

一种晶片粘贴用粘合片，其是由基材树脂膜和形成在该基材树脂膜上的粘合剂层构成的粘合片，其中，使用将该粘合片加工成宽5mm的试验片，利用动态粘弹性测定装置，通过在23℃的温度下施加频率为400Hz～900Hz的拉伸应力而测定的损失系数的最小值为0.20以上，并且，通过在15℃～40℃的温度下施加频率为650Hz的拉伸应力而测定的损失系数的最小值为0.20以上。

Description

晶片粘贴用粘合片及使用该粘合片的晶片的加工方法
技术领域
本发明涉及晶片粘贴用粘合片及使用该晶片粘贴用粘合片的晶片的加工方法，进一步详细地说，涉及能够将在对半导体晶片进行切断分离成小片时所产生的芯片的缺损或开裂(以下记载为碎裂)降低的晶片粘贴用粘合片及使用该晶片粘贴用粘合片的晶片的加工方法。
背景技术
在IC、LSI等半导体装置的制造工序中，在将硅、砷化镓等半导体晶片切断分离(切割)成小片的工序之后，供给到拾取工序中。对于一般的半导体晶片的切割工序及拾取工序，一边参照图2～5所示的截面图，一边进行说明。
首先，将半导体晶片13粘贴于两端固定于支架11的、在基材树脂膜上涂布有粘合剂的晶片粘贴用粘合片12上(图2)，利用切割将晶片分割成元件小片(芯片)14(图3)。接着，为了拾取芯片14，沿实线箭头方向15利用扩展器16顶起，沿虚线箭头方向17进行扩展，由此来扩张芯片14间的间隔(参照图4)，进行全部芯片14的拾取或进行一部分芯片14的拾取(图5)。需要说明的是，在图2～5中，相同的符号表示相同的物质。
以往，在从半导体晶片的切割工序至拾取工序的工序中，一直使用在基材树脂膜上涂布有粘合剂的粘合片。对于这种粘合片，考虑到扩展性，使用了由较软质的树脂构成的基材，例如有时使用聚氯乙烯膜或聚乙烯系膜。
在切割时，产生被称为碎裂的芯片的缺损、开裂，大小为100μm以上并不稀奇，若碎裂到达电路面上，则有时还会对电路本身的性能带来障碍。另外，在拾取工序时，有时由碎裂产生的芯片的碎片附着在其它芯片表面上，会破坏电路本身。
由于在切割中使用的被称为刀片的旋转刀，切削中的芯片会产生振动，此时，芯片与刀片接触而产生碎裂。因此，也有使用蜡来代替粘合片将晶片完全固定以使其不产生振动的方法(例如，参照专利文献1)。但是，在反复进行切割的制造工序的情况下，基于蜡的固定和除去很费事，因此专利文献1所述的方法不能说是现实的。另外，在蜡无法完全除去时，蜡作为晶片的污染物而残留，因此对于非常忌讳污染物质的电子设备，很难适用专利文献1的方法。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平7-169718号公报
发明内容
发明要解决的问题
本发明要解决上述的现有技术所伴随的问题点，其课题在于提供一种能够降低在切割时产生的碎裂的发生的晶片粘贴用粘合片和使用该晶片粘贴用粘合片的晶片的加工方法。
本发明人对上述课题进行了深刻研究，结果发现，通过使晶片粘贴用粘合片具有特定的损失系数，可以解决上述课题，本发明是基于这样的见解而完成的。
即，根据本发明，可以提供以下的方案。
(1)一种晶片粘贴用粘合片，其是由基材树脂膜和形成在该基材树脂膜上的粘合剂层构成的粘合片，其特征在于，使用将该粘合片加工成宽5mm的试验片，利用动态粘弹性测定装置，通过在温度23℃、施加频率为400Hz～900Hz的拉伸应力而测定的损失系数的最小值为0.20以上，并且，通过在温度15℃～40℃、施加频率为650Hz的拉伸应力而测定的损失系数的最小值为0.20以上。
(2)如(1)所述的晶片粘贴用粘合片，其特征在于，所述基材树脂膜的5％模量为4.0MPa～7.0MPa，并且撕裂强度为100N/mm以上。
(3)如(1)或(2)所述的晶片粘贴用粘合片，其特征在于，所述基材树脂膜的至少1层含有选自苯乙烯-氢化异戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯共聚物、苯乙烯-氢化丁二烯-苯乙烯共聚物和苯乙烯-氢化异戊二烯-丁二烯-苯乙烯共聚物中的至少1种。
(4)如权利要求(1)～(3)任一项所述的晶片粘贴用粘合片，其特征在于，所述基材树脂膜的至少1层是相对于100质量份的作为(A)成分的聚丙烯树脂，含有30质量份～100质量份的作为(B)成分的选自苯乙烯-氢化异戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯共聚物、苯乙烯-氢化丁二烯-苯乙烯共聚物和苯乙烯-氢化异戊二烯-丁二烯-苯乙烯共聚物中的至少1种的树脂组合物。
(5)如(4)所述的晶片粘贴用粘合片，其特征在于，所述基材树脂膜中的至少1层由以(A)成分作为连续相、以(B)成分作为分散相的树脂分散体构成，该分散相颗粒的平均直径为15nm以上。
(6)如(1)～(5)任一项所述的晶片粘贴用粘合片，其特征在于，在所述粘合剂层上进一步形成有粘接剂层。
(7)如(1)～(6)任一项所述的晶片粘贴用粘合片，其特征在于，形成所述粘合剂层的粘合剂为丙烯酸系粘合剂。
(8)一种晶片的加工方法，其是将晶片贴合于(1)～(7)任一项所述的晶片粘贴用粘合片上而进行该晶片的切割的晶片的加工方法，其特征在于，不切入至所述基材树脂膜。
发明效果
利用本发明的晶片粘贴用粘合片及使用该晶片粘贴用粘合片的晶片的加工方法，能够大幅度减少碎裂。
本发明的上述及其它特征和优点可适当参照附图，由下述的叙述而更加明了。
附图说明
图1是表示本发明的晶片粘贴用粘合片的一个实施方式的截面图。
图2是说明半导体晶片的切割工序及拾取工序的截面图。
图3是说明半导体晶片的切割工序及拾取工序的截面图。
图4是说明半导体晶片的切割工序及拾取工序的截面图。
图5是说明半导体晶片的切割工序及拾取工序的截面图。
具体实施方式
图1是表示本发明的晶片粘贴用粘合片的优选实施方式的示意性截面图，其包括基材树脂膜1和形成于基材树脂膜1上的粘合剂层2。如后述的工序的说明所示，在本发明中，粘合片包括粘合带(例如切割带或切割固晶带)。
对于本发明的晶片粘贴用粘合片，使用加工成宽5mm的膜状的试验片，利用动态粘弹性测定装置，通过在温度23℃、施加频率为400Hz～900Hz的拉伸应力而测定的损失系数的最小值为0.20以上；并且，通过在温度15℃～40℃、施加频率为650Hz的拉伸应力而测定的损失系数的最小值为0.20以上。通常，对于本发明的晶片粘贴用粘合片，使用加工成宽5mm的膜状的试验片，利用动态粘弹性测定装置，通过在温度23℃、施加频率为400Hz～900Hz的拉伸应力而测定的损失系数的最小值为0.40以下；并且，通过在温度15℃～40℃、施加频率为650Hz的拉伸应力而测定的损失系数的最小值为0.40以下。
此处，对一般的动态粘弹性的测定方法进行说明。该方法是对试验体施加周期性的微小应变，并测定对其的响应的方法。通过使用该方法，能够获知试验体中具有何种程度的弹性要素和粘性要素这两个要素。如果试验体为完全弹性体，则对其的响应以同相位显现，由储存弹性模量和损失弹性模量的比求出的损失系数为0。但是，若存在粘性要素，则响应产生滞后，损失系数为正值。
储存弹性模量因弹性要素而显现，弹性要素具有在通过施加应力而产生变形时，接受对其的响应，而力学能量守恒的性质，与此相对，损失弹性模量因粘性要素而显现，并具有在通过施加应力而产生变形时，与施加的应力相对应的力学能量以热的形式被消耗的性质。
在本发明中发现，在切割加工时，应力是由刀片的旋转而被赋予的，但如果对晶片粘贴用粘合片施加拉伸应力的情况下的损失系数为特定值以上，则晶片粘贴用粘合片可以抑制与相对于该应力的变形的恢复相对应的芯片的振动，所以能降低碎裂。
另外，由于动态粘弹性的值根据施加的频率和测定温度而变化，因此动态粘弹性可以采取使温度恒定的频率特性或采取施加恒定的频率的温度特性。
在本发明中，损失系数可以利用动态粘弹性测定装置(例如，UBM公司制造，商品名“Rheogel-E4000”)，由测定的储藏拉伸弹性模量(E’)和损失拉伸弹性模量(E”)之比(E’/E”)求出。在温度23℃、频率400Hz～900Hz下的损失系数的最小值可以通过将温度固定在23℃，在频率400Hz～900Hz的范围内对试验片施加拉伸应力，并由其响应而求出。另外，在温度15℃～40℃、频率为650Hz下的损失系数的最小值可以通过在温度15℃～40℃对试验片施加频率固定在650Hz的拉伸应力，并由其响应而求出。
碎裂是由切割时的被称为刀片的旋转刀引起的，本发明人对其原因进行了深入研究，结果发现，如果能够利用晶片粘贴用粘合片使切割时产生的芯片的振动衰减，则能够减小碎裂，进行深入研究的结果，利用由动态粘弹性测定装置以膜状测定得到的特定条件下的损失系数为特定值以上的晶片粘贴用粘合片，完成了本发明。
在利用刀片进行切割时，由于旋转的刀片和晶片接触而发热。通常，刀片的旋转数为25000rpm～55000rpm，将该值换算成频率则为400Hz～900Hz。通常，为了抑制发热，在切割时，在其接触部分流动15℃～25℃的冷却水，晶片粘贴用粘合片几乎保持在恒温(例如23℃)。通过使温度为23℃且频率为400Hz～900Hz下的损失系数的最小值为0.20以上，使切割时所产生的芯片的振动衰减，从而能够防止碎裂。
另外，由于晶片粘贴用粘合片在局部上的冷却过度或不足，有时例如在温度15℃～40℃，旋转的刀片与晶片及晶片粘贴用粘合片发生接触。因此，通过使温度为15℃～40℃且频率为650Hz下的损失系数的最小值为0.20以上，可以使切割时所产生的芯片的振动衰减，从而能够防止碎裂。
晶片粘贴用粘合片的损失系数为0.20以上，优选为0.22以上。若损失系数过小，则无法降低切割刀片所引起的振动，变得难以防止碎裂。通常，晶片粘贴用粘合片的损失系数为0.40以下。
对于本发明的晶片粘贴用粘合片，优选基材树脂膜的5％模量为4.0MPa～7.0MPa，且撕裂强度为100N/mm以上。基材树脂膜的5％模量是根据JIS K7127/2/300，通过测定5％应变时的应力而得到的。若基材树脂膜的5％模量和撕裂强度在该范围内，则在扩展工序中，即使充分地施加拉伸应力，在基材树脂膜上也不会产生撕裂，能够均匀地扩张芯片间隔。
若基材树脂膜的5％模量过大，则本发明的晶片粘贴用粘合片有时在图4所示的扩张芯片14间的间隔的扩展工序中，无法充分扩张芯片间隔，产生拾取不良。若基材树脂膜的5％模量过小，则有时晶片粘贴用粘合片以低应力拉伸，从而在操作方面产生阻碍。基材树脂膜的5％模量优选为4.5MPa～6.5MPa，进一步优选为5.0MPa～6.5MPa。
在扩展工序中，为了能够均匀地扩张芯片间的间隔，本发明的晶片粘贴用粘合片的基材树脂膜的MD方向和TD方向的5％模量优选为4.0MPa～7.0MPa。
对于本发明的晶片粘贴用粘合片，基材树脂膜的撕裂强度为100N/mm以上。基材树脂膜的撕裂强度是依据JIS K7128-3而得到的。基材树脂膜的撕裂强度小于100N/mm的晶片粘贴用粘合片有时会在扩展工序中断裂。基材树脂膜的撕裂强度越大越不会发生撕裂，通常，只要为150N/mm以下，就可以充分地使用。基材树脂膜的撕裂强度优选为110N/mm以上，进一步优选为115N/mm以上。
另外，利用图4所示的扩展器16来进行扩展工序时，本发明的晶片粘贴用粘合片的基材树脂膜的MD方向和TD方向的基材树脂膜的撕裂强度优选为100N/mm以上。
对于基材树脂膜没有特别限制，只要是对利用切割工序中的刀片进行的晶片的切断具有优异的耐热性的树脂膜就可以使用。在本发明中，基材树脂膜的树脂包括塑料、热塑性弹性体、橡胶等能够成型为片状的树脂。作为该树脂，可以举出例如选自苯乙烯-氢化异戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物(以下称为“SEPS”)、苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯共聚物(以下称为“SIS”)、苯乙烯-氢化丁二烯-苯乙烯共聚物(以下称为“SEBS”)和苯乙烯-氢化异戊二烯/丁二烯-苯乙烯共聚物(以下称为“SEEPS”)中的至少1种。基材树脂膜1可以为单层也可以为多层，多层的情况下，可以为不同的材料，也可以为相同的材料，优选构成基材树脂膜1的层中的至少1层含有选自上述的SEPS、SIS、SEBS、SEEPS中的至少1种。含有该选自SEPS、SIS、SEBS、SEEPS中的至少1种的层也可以通过层积而组合使用。
可以在上述的包含选自SEPS、SIS、SEBS、SEEPS中的至少1种的层中混合有聚丙烯、低密度聚乙烯(LDPE)、直链低密度聚乙烯(LLDPE)、乙烯·丙烯共聚物、丙烯共聚物、乙烯-丙烯-二烯共聚物硫化物、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸乙酯共聚物、聚氯乙烯、氯乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-氯乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、聚氨酯、聚酰胺、离聚物、丁腈橡胶、丁基橡胶、苯乙烯异戊二烯橡胶、苯乙烯丁二烯橡胶、天然橡胶及其加氢物或改性物等而形成为树脂组合物。
在本发明中，作为离聚物，是指利用钠或锌等金属离子，对乙烯-甲基丙烯酸共聚物或乙烯-丙烯酸共聚物的分子间进行分子间结合而得到的树脂。作为金属离子，优选为锌。
构成基材树脂膜的层中的至少一层优选为含有以聚丙烯树脂作为(A)成分，和以选自苯乙烯-氢化异戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯共聚物、苯乙烯-氢化丁二烯-苯乙烯共聚物和苯乙烯-氢化异戊二烯-丁二烯-苯乙烯共聚物中的至少1种作为(B)成分的树脂组合物。此时的聚丙烯树脂包括丙烯的均聚物、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-丙烯-二烯共聚物硫化物或其它的丙烯共聚物等；共聚物的情况下，可以为无规共聚物、嵌段共聚物中的任一种，可以进行适当地选择。
在本发明中，作为(A)成分的聚丙烯树脂和作为(B)成分的选自SEPS、SIS、SEBS和SEEPS中的至少1种的混合量可以考虑膜强度和减振性的平衡而进行适当地确定。
相对于100质量份的作为(A)成分的聚丙烯树脂，优选使作为(B)成分的选自SEPS、SIS、SEBS和SEEPS中的至少1种为30质量份～100质量份。相对于100质量份的(A)成分，作为(B)成分的选自SEPS、SIS、SEBS和SEEPS中的至少1种过少的情况下，有时无法得到充分的减震性，碎裂抑制效果小。另外，相对于100质量份的(A)成分，作为(B)成分的选自SEPS、SIS、SEBS和SEEPS中的至少1种过多的情况下，膜自身变得过软，在操作方面产生阻碍。
含有作为(A)成分的聚丙烯树脂和作为(B)成分的选自苯乙烯-氢化异戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯共聚物、苯乙烯-氢化丁二烯-苯乙烯共聚物和苯乙烯-氢化异戊二烯-丁二烯-苯乙烯共聚物中的至少1种的情况下，优选为以(A)成分作为连续相、以(B)成分作为分散相，该分散相颗粒的平均直径为15nm以上的树脂分散体。对该分散相的颗粒的上限没有特别限制，但若过大，则有时局部产生膜强度不均，优选为25nm以下。
对于以(A)成分为连续相、以(B)成分为分散相的树脂分散体，在施加应力时的拉伸或其恢复过程中，由于(B)成分彼此的分子链或侧链的碰撞而产生能量损失。(B)成分的分散相的平均直径过小的情况下，邻接的分子链少，因此有时无法充分得到用于抑制碎裂的能量损失，难以使切割时所产生的芯片的振动得到衰减。
对于基材树脂膜的与粘合剂层相接的面，为了提高密合性，可以实施电晕处理或可以设置等离子体等其它的层。对于基材树脂膜1的厚度没有特别限制，优选为30μm～200μm，特别优选为50μm～100μm。
另外，基材树脂膜1由多层构成的情况下，上述含有SEPS、SIS、SEBS或SEEPS的层的厚度优选为5μm～100μm。
粘合剂层可以由各种粘合剂形成。作为用于这种粘合剂的树脂成分没有任何限定。可以使用例如以天然橡胶或各种合成橡胶等橡胶系聚合物、丙烯酸系、硅酮系、聚乙烯醚系等为基础聚合物的粘合剂。其中，优选使用丙烯酸系聚合物，例如聚(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸烷基酯和与其能够共聚的其它不饱和单体形成的共聚物。
为了对这些树脂成分赋予凝聚力，可以混合交联剂。
作为该交联剂，通过对应于树脂成分中的官能团来适当地选择具有能够与该官能团反应的官能团的交联剂，能够对粘合剂赋予凝聚力的同时，将初期的粘合力设定为所期望的值。作为交联剂，可以举出例如异氰酸酯系交联剂、环氧系交联剂、金属螯合物系交联剂、氮杂环丙烷系交联剂、胺树脂等。
从通用性的观点考虑，作为交联剂，优选异氰酸酯系交联剂。具体来说，可以使用多元异氰酸酯化合物，例如2，4-甲苯二异氰酸酯、2，6-甲苯二异氰酸酯、1，3-苯二甲基二异氰酸酯、1，4-苯二甲基二异氰酸酯、二苯基甲烷-4，4’-二异氰酸酯、二苯基甲烷-2，4’-二异氰酸酯、3-甲基二苯基甲烷二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、二环己基甲烷-4，4’-二异氰酸酯、二环己基甲烷-2，4’-二异氰酸酯、赖氨酸异氰酸酯等。
进一步，在不损害本发明的目的的范围内，根据期望，粘合剂中可以含有各种添加成分。
作为粘合剂，可以使用放射线固化型或加热发泡型的粘合剂。作为放射线固化型的粘合剂，可以使用通过紫外线、电子射线等进行固化，在剥离时容易剥离的粘合剂；加热发泡型的粘合剂可以使用通过加热利用发泡剂或膨胀剂使剥离变得容易的粘合剂。作为放射线固化型粘合剂，优选使用例如日本特公平1-56112号公报、日本特开平7-135189号公报等中记载的放射线固化型粘合剂，但并不限定于这些粘合剂。
在本发明中，优选使用紫外线固化型粘合剂。这种情况下，只要具有利用放射线进行固化并三维网状化的性质即可，例如针对通常的橡胶系或丙烯酸系的压敏性的树脂成分，可以混合分子中具有至少2个光聚合性碳-碳双键的低分子量的光聚合性化合物(以下称为光聚合性化合物)及光聚合引发剂。
作为光聚合性化合物，可以举出例如三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1，4-丁二醇二丙烯酸酯、1，6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、有机聚硅氧烷组合物、市售的低聚酯丙烯酸酯、氨基甲酸酯丙烯酸酯等。
作为构成粘合剂的树脂成分，可以使用具有光固化性碳-碳双键的物质。可以举出例如使在主链的重复单元中具有光固化性碳-碳双键、且具有官能团的丙烯酸系共聚物和/或甲基丙烯酸系共聚物(a1)、和具有能够与该官能团反应的官能团的化合物(a2)反应而得到的物质。所述的在主链的重复单元中具有放射线固化性碳-碳双键、且具有官能团的丙烯酸系共聚物和/或甲基丙烯酸系共聚物(a1)可以通过例如使具有放射线固化性碳-碳双键的丙烯酸烷基脂和/或甲基丙烯酸烷基脂等单体(a1-1)与具有官能团的(a1-2)共聚而得到。
作为单体(a1-1)，可以举出例如烷基酯的烷基的碳原子数为6～12的(甲基)丙烯酸烷基脂(例如，丙烯酸己酯、丙烯酸正辛酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸十二酯、丙烯酸癸酯)。另外，可以举出烷基酯的烷基的碳原子数为5以下的(甲基)丙烯酸烷基脂(例如，丙烯酸戊酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸异丁酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸甲酯或与它们相同的甲基丙烯酸酯等)。
作为单体(a1-2)所具有的官能团，可以举出例如羧基、羟基、氨基、环状酸酐基、环氧基、异氰酸酯基等。作为单体(a1-2)的具体例，可以举出例如丙烯酸、甲基丙烯酸、肉桂酸、衣康酸、富马酸、邻苯二甲酸、丙烯酸-2-羟基烷基酯类、甲基丙烯酸-2-羟基烷基酯类、乙二醇单丙烯酸酯类、乙二醇单甲基丙烯酸酯类、N-羟甲基丙烯酰胺、N-羟甲基甲基丙烯酰胺、烯丙醇、丙烯酸-N-烷基氨基乙酯类、甲基丙烯酸-N-烷基氨基乙酯类、丙烯酰胺类、甲基丙烯酰胺类、马来酸酐、衣康酸酐、富马酸酐、邻苯二甲酸酐、丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、烯丙基缩水甘油醚、利用具有羟基或羧基以及放射线固化性碳-碳双键的单体对多异氰酸酯化合物的异氰酸酯基的一部分进行氨基甲酸酯化而得到的物质等。
所述(a2)的官能团为羧基或环状酸酐基的情况下，作为(a1)所具有的官能团，可以举出例如羟基、环氧基、异氰酸酯基等。另外，(a2)的官能团为羟基的情况下，作为(a1)所具有的官能团，可以举出例如环状酸酐基、异氰酸酯基等。(a2)的官能团为氨基的情况下，作为(a1)所具有的官能团，可以举出例如环氧基、异氰酸酯基等。(a2)的官能团为环氧基的情况下，作为(a1)所具有的官能团，可以举出例如羧基、环状酸酐基、氨基等。
在紫外线固化型粘合剂的情况下，通过将光聚合引发剂混入粘合剂中，可以减少利用紫外线照射的聚合固化时间以及紫外线照射量。
作为这种光聚合引发剂，具体可以举出苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苄基二苯基硫醚、一硫化四甲基秋兰姆、偶氮二异丁腈、联苄、双乙酰、β-氯蒽醌等。
对于粘合剂层的厚度没有特别限制，优选为4μm～30μm，特别优选为5μm～25μm。
本发明的晶片粘贴用粘合片可以不在粘合剂层上进一步设置粘接剂层而以切割带的形式来使用。另外，在本发明的粘合剂层为能够兼用于切割固晶带的粘合剂的情况下，可以用作切割固晶带。这种情况下，在切割工序结束后，粘合剂层在与基材树脂膜之间处剥离，使用在芯片上附着有粘合剂层的芯片，之后的直接粘结成为可能。
另外，本发明的晶片粘贴用粘合片也可以在粘合剂层上的至少晶片粘合预定部分上层积有粘接剂层。这种情况下，将晶片粘贴于粘接剂层上，进行切割，然后在将得到的芯片进行拾取时，粘接剂层作为通过附着在芯片上而将芯片固定在基板或导线架时的粘接剂进行使用。粘接剂层可以使用一般用于切割固晶带的膜状粘接剂，可以优选使用丙烯酸系粘接剂、环氧树脂/酚树脂/丙烯酸系树脂的混合系粘接剂等。其厚度可以适宜地设定，优选为5μm～100μm左右。
构成粘接剂层的树脂组合物具有在常温下能够贴合于晶片且能够进行切割加工这样的粘合性，并且在切割加工结束后，可以从粘合剂层上剥离，然后利用加热而表现出粘接性，起到固晶剂的作用。对于此时的加热没有特别限制，优选在40℃～100℃、更优选在60℃～80℃进行。
可以在本发明的晶片粘贴用粘合片上贴合晶片，并进行如图2～5所示的晶片的切割及拾取。在使用本发明的晶片粘贴用粘合片的晶片的加工方法中，为了减少切割刀片的切削阻力、使晶片切削顺利、减少碎裂，优选不切入至基材树脂膜。进一步优选为，最多切入至粘合剂层的厚度的2/3左右。为了使切入不到达基材树脂膜，例如，按照操作说明书适当变更所使用的切割装置的切入深度的设定即可。
对于本发明所使用的裸晶片没有特别限定，可以从以往使用的任意的裸晶片中适当选择而使用。
实施例
以下，基于实施例进一步详细地说明本发明，但本发明并不仅限于这些实施例。需要说明的是，实施例及比较例中使用的粘合剂、基材构成树脂如下所述。
(粘合剂组合物1)
在100质量份的丙烯酸系基础聚合物(由丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸-2-羟基乙酯构成的共聚物、重均分子量20万、玻璃化转变温度＝-35℃)中，添加3质量份的异氰酸酯系交联剂(Nippon Polyurethane公司制造、商品名Coronet L)、10质量份的作为光聚合性化合物的四羟甲基甲烷四丙烯酸酯、1质量份的作为光聚合引发剂的α-羟基环己基苯基酮，进行混合，从而得到粘合剂组合物1。
(粘合剂组合物2)
使由丙烯酸-2-乙基己酯(69mol％)、丙烯酸-2-羟基乙酯(29mol％)和甲基丙烯酸(2mol％)构成的共聚物的丙烯酸-2-羟基乙酯侧链末端的羟基与2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰基酯的异氰酸酯基反应，得到具有光固化性碳-碳双键的丙烯酸系共聚物。在100质量份的该共聚物中，添加2质量份的异氰酸酯系交联剂(Nippon Polyurethane公司制造、商品名Coronet L)、1质量份的作为光聚合引发剂的α-羟基环己基苯基酮，进行混合，从而得到粘合剂组合物2。
[实施例1～3、6、7和比较例1、2]
在实施例1～3、7和比较例1中，将苯乙烯-氢化异戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEPS)(Kuraray公司制造、商品名“Septon KF-2104”)和均聚丙烯(PP)(宇部兴产公司制造、商品名“J-105G”)按表1所示的配比进行混合，使用双螺杆混炼机，在约200℃通过膜挤压成型进行加工，制造出厚度100μm的基材树脂膜。
在实施例6中，首先准备30μm的苯乙烯-氢化异戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEPS)(Kuraray公司制造、商品名“Septon KF-2104”)的树脂膜。以该树脂膜为中间层，在其两侧各形成35μm的由相对于100质量份的均聚丙烯(PP)(宇部兴产公司制造、商品名“J-105G”)，苯乙烯-氢化异戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEPS)(Kuraray公司制造、商品名“Septon KF-2104”)为30质量份所构成的树脂组合物层，在约200℃进行膜挤出成型而得到3层构成的厚度为100μm的基材树脂膜。在表1中示出了基材树脂膜中间层以外的层的树脂组合物的配比。
比较例2的情况为使用Mitsui-DuPont Polychemical公司制造、商品名“Himilan1554”作为离聚物，在约200℃通过膜挤出成型来进行加工，从而制造出厚度为100μm的基材树脂膜。
在得到的基材树脂膜的一个表面上，将上述粘合剂组合物1涂布成厚度10μm，然后通过熟化，形成粘合剂层，从而制造出实施例1～3、6、7和比较例1、2的晶片粘贴用粘合片。
[实施例4、5]
替代上述苯乙烯-氢化异戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEPS)，将以下的共聚物分别按表1所示的配比混合，除此之外，与实施例1同样地制造晶片粘贴用粘合片。
苯乙烯-氢化丁二烯-苯乙烯共聚物(SEBS)
(Kuraray公司制造、商品名“Septon8104”)
苯乙烯-氢化异戊二烯/丁二烯-苯乙烯共聚物(SEEPS)
(Kuraray公司制造、商品名“Septon4033”)
[实施例8]
在由实施例1制作的基材树脂膜的一个表面上，将上述粘合剂组合物2涂布成厚度10μm，然后通过熟化，形成粘合剂层，从而制造出实施例8的晶片粘贴用粘合片。
[实施例9]
<固晶膜的制作>
将50质量份的作为环氧树脂的甲酚线型酚醛型环氧树脂(环氧当量197、分子量1200、软化点70℃)、1.5质量份的作为硅烷偶联剂的γ-巯丙基三甲氧基硅烷、3质量份的γ-脲丙基三乙氧基硅烷、30质量份的平均粒径为16nm的二氧化硅填料混合，添加环己酮，进行搅拌混合，进一步使用珠磨机混炼90分钟。向其中添加100质量份的丙烯酸树脂(质均分子量：80万、玻璃化转变温度-17℃)、2.5质量份的Curezol 2PZ(四国化成(株)制造、商品名“2-苯基咪唑”)，进行搅拌混合，真空脱气，从而得到固晶膜用粘接剂组合物。将该粘接剂组合物涂布于厚度为25μm的经脱模处理的聚对苯二甲酸乙二酯膜上，在110℃进行1分钟加热干燥，形成膜厚为20μm的涂膜，制作出固晶膜。
<晶片粘贴用粘合片的制作>
将得到的固晶膜贴合于与实施例1相同构成的粘合剂层上，从而制造出在粘合剂层上形成有作为固晶膜的粘接剂层的实施例9的晶片粘贴用粘合片。
在实施例1～9及比较例1、2的晶片粘贴用粘合片的粘合剂层或粘接剂层上，贴合直径6英寸、厚度350μm的表面蒸镀金的硅晶片，使用切割装置(DISCO公司制造、DAD-340)，以芯片尺寸为5mm见方的方式进行切割。切割条件为，旋转圆刀片旋转数：40000rpm、切削速度：100mm/s、切削水流量为20mL。另外，在切割时，以旋转圆刀片切入至粘合片的深度为30μm的方式进行。
如下所述来进行各种特性的评价，将结果示于表1。
(损失系数)
由实施例1～9及比较例1、2的晶片粘贴用粘合片切出宽5mm×长10mm的试验片。将该试验片固定在动态粘弹性测定装置(UBM公司制造、Rheogel-E4000)的支撑用夹具上，在温度23℃、频率400Hz～900Hz下进行测定，得到该范围内的损失系数的最小值。另外，同样地将由实施例1～7及比较例1、2的晶片粘贴用粘合片切出的宽5mm×长10mm的试验片固定在所述动态粘弹性测定装置的支撑用夹具上，在频率650Hz、温度15℃～40℃下进行测定，得到该范围内的损失系数的最小值。
(5％模量)
使用在实施例1～9及比较例1、2的晶片粘贴用粘合片中所使用的基材树脂膜，按照JIS K7127/2/300，制作试验片，测定5％模量。将测定数n＝5的平均值作为试验结果。
(撕裂强度)
使用在实施例1～9及比较例1、2的晶片粘贴用粘合片中所使用的基材树脂膜，按照JIS K7128-3，制作试验片，测定撕裂强度。将测定数n＝5的平均值作为试验结果。
(碎裂性)
将晶片安装于实施例1～9及比较例1、2的晶片粘贴用粘合片上，进行切割。然后，实施紫外线照射(500mJ/m2)，从1片晶片中随机地取出50个芯片，用显微镜(100倍～200倍)测定芯片背面(粘合面)各边的最大的碎裂尺寸，算出全部值的平均值。
(扩展性)
将晶片安装于实施例1～9及比较例1、2的晶片粘贴用粘合片上，进行切割。然后，实施紫外线照射(500mJ/m2)，使用扩展装置(Technovision公司制造、商品名“TEX-218G”)，扩展20mm，由此来评价粘合片有无断裂。测定数为n＝30，一次也没有断裂的情况为◎；测定数n＝30中，断裂的样品数为小于n＝3的情况为○、n＝3以上的断裂的情况为×。
表1
(分散径的测定)
使用环氧树脂将如上制作的在实施例1和2中使用的基材树脂膜凝固，然后利用四氧化钌进行染色，使用切片机来制作成薄切片。使用透射电子显微镜(HitachiHigh-Technologies公司制造、商品名“H-9000NA”)对该薄切片进行观察。其结果为，无论是实施例1，还是实施例2，均观察到了在连续相中存在着被染色的分散相的情况。SEPS所含有的苯乙烯容易被四氧化钌染色，由此可知，连续相为聚丙烯，分散相为SEPS。对透射电子显微镜的视野(200nm×200nm)中的分散相的颗粒直径进行测定，并求出其平均值。其结果为，实施例1的SEPS的平均直径为21nm。另外，实施例2的SEPS的平均直径为19nm。此外，实施例3的平均直径为18nm。
如表1所示，与比较例1、2的晶片粘贴用粘合片相比，实施例1～9的晶片粘贴用粘合片能够将碎裂尺寸大幅减低至1/2以下，并且在扩展性方面也显示出了良好的性能。
符号说明
1基材树脂膜
2粘合剂层
11支架
12晶片粘贴用粘合片
13半导体晶片
14元件小片(芯片)
15实线箭头方向
16扩展器
17虚线箭头方向
将本发明与其实施方式一同进行了说明，但我们认为，只要没有特别指定，则说明的任何细节均不限定我们的发明，在不违反所附的权利要求书所示的发明的精神和范围的情况下，应当更宽地解释本发明。
本申请要求基于2009年7月8日在日本国专利申请的日本特愿2009-162009的优先权，其在此进行参考并将其内容作为本说明书的记述的一部分载入。

Claims (5)

1.一种晶片粘贴用粘合片，其是由基材树脂膜和形成在该基材树脂膜上的粘合剂层构成的粘合片，其特征在于，使用将该粘合片加工成宽5mm的试验片，利用动态粘弹性测定装置，通过在23℃的温度下施加频率为400Hz～900Hz的拉伸应力而测定的损失系数的最小值为0.20以上，并且，通过在15℃～40℃的温度下施加频率为650Hz的拉伸应力而测定的损失系数的最小值为0.20以上，
所述基材树脂膜的至少1层是相对于100质量份的作为A成分的聚丙烯树脂，含有30质量份～100质量份的作为B成分的选自苯乙烯-氢化异戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯共聚物、苯乙烯-氢化丁二烯-苯乙烯共聚物和苯乙烯-氢化异戊二烯-丁二烯-苯乙烯共聚物中的至少1种的树脂组合物，
所述基材树脂膜中的所述至少1层由以A成分作为连续相、以B成分作为分散相的树脂分散体构成，该分散相颗粒的平均直径为15nm以上。
2.如权利要求1所述的晶片粘贴用粘合片，其特征在于，所述基材树脂膜的5％模量为4.0MPa～7.0MPa，并且撕裂强度为100N/mm以上，所述撕裂强度是依据JISK7128-3而得到的，所述基材树脂膜的5％模量是根据JIS K7127/2/300，通过测定5％应变时的应力而得到的。
3.如权利要求1所述的晶片粘贴用粘合片，其特征在于，在所述粘合剂层上进一步形成有粘接剂层。
4.如权利要求1所述的晶片粘贴用粘合片，其特征在于，形成所述粘合剂层的粘合剂为丙烯酸系粘合剂。
5.一种晶片的加工方法，其是将晶片贴合于权利要求1～4任一项所述的晶片粘贴用粘合片而进行该晶片的切割的晶片的加工方法，其特征在于，不切入至所述基材树脂膜。
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