KR20120023811A - 웨이퍼 첩착용 점착시트 및 이를 이용한 웨이퍼의 가공방법 - Google Patents

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Abstract

기재 수지 필름과, 이 기재 수지 필름상에 점착제층이 형성된 점착시트로서, 이 점착시트를 폭 5mm로 가공한 시험편을 사용하여, 동적 점탄성 측정장치에 의해, 온도 23℃에서 주파수 400?900Hz의 인장 응력을 인가함에 의해 측정된 손실 계수의 최소치가 0.20 이상이고, 또한 온도 15?40℃에서 주파수 650Hz의 인장 응력을 인가함에 의해 측정된 손실 계수의 최소치가 0.20 이상인 웨이퍼 첩착용 점착시트.

Description

웨이퍼 첩착용 점착시트 및 이를 이용한 웨이퍼의 가공방법{WAFER-PASTING ADHESIVE SHEET AND WAFER PROCESSING METHOD USING THE SAME}
본 발명은 웨이퍼 첩착(貼着)용 점착시트 및 이를 이용한 웨이퍼의 가공방법에 관한 것으로, 더 자세하게는, 반도체 웨이퍼를 소편(小片)으로 절단 분리할 때에 발생하는 칩의 이빠짐 혹은 크랙(이후, 칩핑이라 기재)을 저감할 수 있는 웨이퍼 첩착용 점착시트 및 이를 이용한 웨이퍼의 가공방법에 관한 것이다.
IC, LSI 등의 반도체 장치의 제조공정에 있어서는, 실리콘, 갈륨 비소 등의 반도체 웨이퍼는 소편으로 절단 분리(다이싱)하는 공정 후, 픽업 공정으로 보내진다. 일반적인 반도체 웨이퍼의 다이싱 공정 및 픽업 공정에 대해서 도 2 내지 도 5에 도시한 단면도를 참조하면서 설명한다.
우선, 양단이 홀더(11)에 고정되어 있는, 기재(基材) 수지 필름상에 점착제를 도포한 웨이퍼 첩착용 점착시트(12)에, 반도체 웨이퍼(13)를 첩착하고(도 2), 다이싱에 의해 웨이퍼를 소자 소편(칩)(14)으로 분할한다(도 3). 이어서, 칩(14)을 픽업하기 위해서, 실선 화살표 방향(15)으로 익스팬더(expander)(16)에 의해 밀어 올려, 점선 화살표 방향(17)으로 익스팬딩해서 칩(14) 사이의 간격을 확장하여(도 4), 전체 칩(14)의 픽업 혹은 일부 칩(14)의 픽업을 행한다(도 5). 아울러, 도 2 내지 도 5에 있어서, 같은 부호는 같은 것을 의미한다.
종래, 반도체 웨이퍼의 다이싱 공정으로부터 픽업 공정에 이르는 공정에서는, 기재 수지 필름에 점착제를 도포한 점착시트가 이용되어 왔다. 이러한 점착시트에 있어서, 익스팬딩성을 고려하여, 비교적 연질의 수지로 이루어지는 기재가 이용되고 있는데, 예를 들면 폴리염화비닐 필름이나 폴리에틸렌계 필름이 이용되는 경우가 있다.
다이싱시에는, 칩핑이라 불리는 칩의 이빠짐?크랙이 생기는데, 크기는 100㎛ 이상으로 되는 경우는 드물지 않고, 회로면에 칩핑이 도달하면 회로 그 자체의 성능에 지장을 초래하기도 한다. 또한, 픽업 공정시에 칩핑에 의해 생긴 칩의 파편이 다른 칩 표면에 부착하여, 회로 그 자체를 파괴하는 경우가 있다.
다이싱에 사용되는 블레이드라 불리는 회전날에 의해, 절삭중의 칩은 진동한다. 그때, 칩과 블레이드가 접촉하여 칩핑이 생긴다. 따라서, 점착시트 대신에 왁스로 웨이퍼를 완전하게 고정하여, 진동이 일어나지 않게 하는 방법도 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조). 그러나 반복하여 다이싱을 행하는 제조공정의 경우는, 왁스에 의한 고정?제거가 번거롭기 때문에, 특허문헌 1에 기재된 방법은 현실적이라고는 할 수 없다. 또한, 왁스를 완전하게 제거할 수 없는 경우는, 왁스가 웨이퍼의 오염으로서 남기 때문에, 오염물질을 극도로 꺼리는 전자기기에 있어서는, 특허문헌 1의 방법을 적용하기는 어렵다.
일본 공개특허 평7-169718호 공보
본 발명은, 상기의 종래기술에 따른 문제점을 해결하고자 하는 것으로, 다이싱시에 발생하는 칩핑의 발생을 저감 할 수 있는 웨이퍼 첩착용 점착시트 및 이를 이용한 웨이퍼의 가공방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명자들은, 상기 과제에 대해 예의 검토한 결과, 웨이퍼 첩착용 점착시트에 특정의 손실 계수를 갖도록 함으로써, 상기 과제를 해결할 수 있다는 것을 알게 되었고, 본 발명은 그 지견에 기초하여 안출된 것이다.
즉, 본 발명에 의하면 이하의 수단이 제공된다.
(1) 기재(基材) 수지 필름과, 이 기재 수지 필름상에 점착제층이 형성된 점착시트로서, 이 점착시트를 폭 5mm로 가공한 시험편을 이용하여, 동적 점탄성(粘彈性) 측정장치에 의해, 온도 23℃에서 주파수 400?900Hz의 인장 응력을 인가함에 의해 측정된 손실 계수의 최소치가 0.20 이상이며, 또한 온도 15?40℃에서 주파수 650Hz의 인장 응력을 인가함에 의해 측정된 손실 계수의 최소치가 0.20 이상인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 첩착용 점착시트.
(2) 상기 기재 수지 필름의 5% 모듈러스(modulus)가 4.0?7.0MPa이며, 또한 인열강도(引裂强度)가 100N/mm 이상인 것을 특징으로 하는 (1)에 기재된 웨이퍼 첩착용 점착시트.
(3) 상기 기재 수지 필름의 적어도 1층이, 스티렌-수첨(水添) 이소프렌-스티렌 블록 공중합체, 스티렌-이소프렌-스티렌 공중합체, 스티렌-수첨 부타디엔-스티렌 공중합체 및 스티렌-수첨 이소프렌-부타디엔-스티렌 공중합체로부터 선택된 적어도 1종을 함유하는 것을 특징으로 하는 (1) 또는 (2)에 기재된 웨이퍼 첩착용 점착시트.
(4) 상기 기재 수지 필름의 적어도 1층이, (A)성분으로서 폴리프로필렌 수지 100질량부에 대해, (B)성분으로서 스티렌-수첨 이소프렌-스티렌 블록 공중합체, 스티렌-이소프렌-스티렌 공중합체, 스티렌-수첨 부타디엔-스티렌 공중합체 및 스티렌-수첨 이소프렌-부타디엔-스티렌 공중합체로부터 선택된 적어도 1종 30?100질량부를 함유하는 수지 조성물인 것을 특징으로 하는 (1) 내지 (3) 중 어느 한 항에 기재된 웨이퍼 첩착용 점착시트.
(5) 상기 기재 수지 필름중 적어도 1층이, (A)성분을 연속상(連續相)으로 하고, (B)성분을 분산상(分散相)으로 하는 수지 분산체로 구성되고, 상기 분산상 입자의 평균직경이 15nm 이상인 것을 특징으로 하는 (4)에 기재된 웨이퍼 첩착용 점착시트.
(6) 상기 점착제층상에 접착제층이 더 형성된 것을 특징으로 하는 (1) 내지 (5) 중 어느 한 항에 기재된 웨이퍼 첩착용 점착시트.
(7) 상기 점착제층을 형성하는 점착제가 아크릴계 점착제인 것을 특징으로 하는 (1) 내지 (6) 중 어느 한 항에 기재된 웨이퍼 첩착용 점착시트.
(8) (1) 내지 (7) 중 어느 한 항에 기재된 웨이퍼 첩착용 점착시트에 웨이퍼를 맞붙임하고, 이 웨이퍼의 다이싱을 행하는 웨이퍼의 가공방법으로서, 상기 기재 수지 필름까지 컷팅을 행하지 않는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 가공방법.
본 발명에 의한 웨이퍼 첩착용 점착시트 및 이를 이용한 웨이퍼의 가공방법에 의해, 칩핑을 대폭 감소시킬 수 있다.　본 발명의 상기 및 다른 특징 및 이점은, 적절히 첨부의 도면을 참조하여, 하기의 기재에서 더 명백해질 것이다.
도 1은 본 발명의 웨이퍼 첩착용 점착시트의 일 실시 형태를 나타내는 단면도이다.
도 2는 반도체 웨이퍼의 다이싱 공정 및 픽업 공정을 설명하는 단면도이다.
도 3은 반도체 웨이퍼의 다이싱 공정 및 픽업 공정을 설명하는 단면도이다.
도 4는 반도체 웨이퍼의 다이싱 공정 및 픽업 공정을 설명하는 단면도이다.
도 5는 반도체 웨이퍼의 다이싱 공정 및 픽업 공정을 설명하는 단면도이다.
도 1은 본 발명의 웨이퍼 첩착용 점착시트의 바람직한 실시 형태를 나타내는 개략 단면도로서, 기재 수지 필름(1)과, 기재 수지 필름(1)상에 점착제층(2)이 형성되어 있다. 본 발명에 있어서, 후술의 공정의 설명에서 나타나는 바와 같이, 점착시트는 점착 테이프(예를 들면, 다이싱테이프나 다이싱 다이본드 테이프)를 포함하는 것이다.
본 발명의 웨이퍼 첩착용 점착시트는, 폭 5mm로 가공한 필름 형상의 시험편을 이용하여, 동적 점탄성 측정장치에 의해, 온도 23℃에서 주파수 400?900Hz의 인장 응력을 인가함에 의해 측정된 손실 계수의 최소치가 0.20 이상이며, 또한 온도 15?40℃에서 주파수 650Hz의 인장 응력을 인가함에 의해 측정된 손실 계수의 최소치가 0.20 이상이다. 통상은, 본 발명의 웨이퍼 첩착용 점착시트는, 폭 5mm로 가공한 필름 형상의 시험편을 이용하여, 동적 점탄성 측정장치에 의해, 온도 23℃에서 주파수 400?900Hz의 인장 응력을 인가함에 의해 측정된 손실 계수의 최소치는 0.40 이하이며, 또한 온도 15?40℃에서 주파수 650Hz의 인장 응력을 인가함에 의해 측정된 손실 계수의 최소치는 0.40 이하이다.
여기서 일반적인 동적 점탄성의 측정 방법에 대해 설명한다. 당해 방법은, 시험체에 주기적인 미소(微小) 변형을 주고, 그에 대한 응답을 측정하는 방법이다. 이 방법을 이용함으로써, 시험체에서의 탄성 요소와 점성 요소의 양방 요소를 어느 정도 갖는지 알 수 있다. 시험체가 완전한 탄성체이면, 그에 대한 응답은 동(同)위상(位相)으로 나타나고, 저장탄성률(貯藏彈性率)과, 손실 탄성률의 비로 얻어지는 손실 계수는 0으로 된다. 그러나 점성 요소가 존재하면, 응답에 지연이 생겨, 손실 계수는, 양의 값을 취한다.
저장탄성률은 탄성 요소에 기인해서 나타나고, 탄성 요소는 응력 인가에 의해 변형되었을 때, 그에 대한 응답을 받아, 역학적 에너지가 보존되는 성질을 갖는 것에 대해, 손실 탄성률은 점성 요소에 기인해서 나타나고, 응력 인가에 의해서 변형되었을 때, 인가한 응력에 따른 역학적 에너지는 열로서 소비되는 성질을 갖는다.
본 발명에 있어서는, 다이싱 가공시에 응력은 블레이드의 회전으로부터 부여되지만, 웨이퍼 첩착용 점착시트에 인장 응력을 인가한 경우의 손실 계수가 특정의 값 이상이면, 웨이퍼 첩착용 점착시트가 그 응력에 대한 변형의 회복에 대응하는 칩의 진동을 억제할 수 있기 때문에, 칩핑을 저감할 수 있다는 것을 알게 되었다.
또한 동적 점탄성은 인가되는 주파수와 측정 온도에 의해 그 값은 변화하기 때문에, 온도를 일정하게 하여 주파수 특성을 채취하는 것이나, 일정 주파수를 인가하여 온도 특성을 채취하는 것이 가능하다.
본 발명에 있어서는, 손실 계수는, 동적 점탄성 측정장치(예를 들면, 유비엠사 제품, 상품명 「Rheogel-E4000」)로, 측정되는 저장 인장 탄성률(E')과, 손실 인장 탄성률(E'')의 비(E'/E'')로부터 구할 수 있다. 온도 23℃에서의 주파수 400?900Hz에서의 손실 계수의 최소치는, 온도를 23℃로 고정하고, 시험편에 주파수 400?900Hz의 범위내에서 인장 응력을 인가함에 의해, 그 응답으로부터 구할 수 있다. 또한 온도 15?40℃에서 주파수 650Hz에서의 손실 계수의 최소치는, 시험편에 주파수를 650Hz로 고정한 인장 응력을 온도 15?40℃에서 인가하여, 그 응답으로부터 구할 수 있다.
칩핑은, 다이싱시의 블레이드로 불리는 회전날에 의해 발생되는 것이지만, 그 원인에 대해 본 발명자들이 검토한 바, 웨이퍼 첩착용 점착시트에 의해, 다이싱시에 발생한 칩의 진동을 감쇠시킬 수 있으면, 칩핑을 작게 할 수 있는 것을 알게 되어, 예의 검토한 결과, 동적 점탄성 측정장치에 의해 필름 상태에서 측정한 특정 조건에서의 손실 계수를 특정의 값 이상으로 한 웨이퍼 첩착용 점착시트에 의해, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
블레이드에 의한 다이싱시에는, 회전하는 블레이드와 웨이퍼와의 접촉에 의해 발열한다. 블레이드의 회전수는 통상, 25000?55000rpm이며, 그 값을 주파수로 환산하면 400?900Hz가 된다. 통상 발열을 억제하기 위해서, 다이싱시에는 15?25℃의 냉각수가 그 접촉 부분으로 흐르게 되고, 웨이퍼 첩착용 점착시트는 거의 일정 온도(예를 들면, 23℃)로 유지된다. 온도 23℃에서 주파수 400?900Hz에서의 손실 계수의 최소치가 0.20 이상으로 함으로써, 다이싱시에 발생한 칩의 진동을 감쇠시켜, 칩핑을 막을 수 있다.
또한 부분적으로 웨이퍼 첩착용 점착시트는 냉각의 과부족에 의해, 예를 들면 온도 15?40℃에서, 회전하는 블레이드와 웨이퍼 및 웨이퍼 첩착용 점착시트와의 접촉이 행해지는 경우가 있다. 그래서 온도 15?40℃에서 주파수 650Hz에서의 손실 계수의 최소치가 0.20 이상으로 함에 의해, 다이싱시에 발생한 칩의 진동을 감쇠시켜, 칩핑을 막을 수 있다.
웨이퍼 첩착용 점착시트의 손실 계수는 0.20 이상, 바람직하게는 0.22 이상이다. 손실 계수가 너무 작으면 다이싱 블레이드에 의한 진동을 저감하지 못하여, 칩핑을 막기 어렵게 된다. 통상, 웨이퍼 첩착용 점착시트의 손실 계수는 0.40 이하이다.
본 발명의 웨이퍼 첩착용 점착시트에 있어서는, 기재 수지 필름의 5% 모듈러스가 4.0?7.0MPa이며, 또한 인열강도가 100N/mm 이상인 것이 바람직하다. 기재 수지 필름의 5% 모듈러스는, JIS K 7127/2/300에 따라, 5% 변형시의 응력을 측정함으로써 얻을 수 있다. 기재 수지 필름의 5% 모듈러스와 인열강도가 이 범위내인 것은, 익스팬딩 공정에서 충분히 인장 응력을 인가해도, 기재 수지 필름에 찢어짐이 생기지 않고, 균일하게 칩 간격을 확장할 수 있다.　
기재 수지 필름의 5% 모듈러스가 너무 크면, 본 발명의 웨이퍼 첩착용 점착시트는, 도 4에 나타내는 칩(14) 간 간격을 확장하는 익스팬딩 공정에서, 충분히 칩 간격을 확장할 없어, 픽업 불량이 생기는 경우가 있다. 기재 수지 필름의 5% 모듈러스가 너무 작으면, 저응력에서 웨이퍼 첩착용 점착시트가 신장하여, 취급에 지장을 가져오는 경우가 있다. 기재 수지 필름의 5% 모듈러스는 바람직하게는 4.5?6.5MPa, 더 바람직하게는 5.0?6.5MPa이다.　
익스팬딩 공정에 있어서, 칩 간 간격을 균일하게 확장할 수 있도록 하기 위해서는, 본 발명의 웨이퍼 첩착용 점착시트의 기재 수지 필름의 MD방향과 TD방향의 5% 모듈러스가 4.0?7.0MPa임이 바람직하다.
본 발명의 웨이퍼 첩착용 점착시트에 있어서는, 기재 수지 필름의 인열강도는 100N/mm 이상이다. 기재 수지 필름의 인열강도는, JIS K7128-3에 따름에 의해 얻어진다. 기재 수지 필름의 인열강도가 100N/mm 미만인 웨이퍼 첩착용 점착시트는, 익스팬딩 공정에서 파단되어 버리는 경우가 있다. 기재 수지 필름의 인열강도는 클수록 찢어져 버리는 경우는 없지만, 통상, 150N/mm 이하이면, 충분히 사용할 수 있다. 기재 수지 필름의 인열강도는 바람직하게는 110N/mm 이상, 더 바람직하게는 115N/mm 이상이다.　
또한 도 4에 나타내는 익스팬더(16)에 의해, 익스팬딩 공정이 행하여지는 경우에, 본 발명의 웨이퍼 첩착용 점착시트의 기재 수지 필름의 MD방향과 TD방향의 기재 수지 필름의 인열강도는 100N/mm 이상임이 바람직하다.
기재 수지 필름에는, 다이싱 공정에서의 블레이드에 의한 웨이퍼의 절단에 대한 내열성이 뛰어난 것이면 특별히 제한 없이 사용할 수 있다. 본 발명에 있어서는, 기재 수지 필름의 수지에는, 플라스틱, 열가소성 엘라스토머, 고무 등 시트형상으로 성형할 수 있는 것을 포함하는 것으로 한다. 이 수지로서 예를 들면, 스티렌-수첨 이소프렌-스티렌 블록 공중합체(이하, 「SEPS」라고 한다), 스티렌-이소프렌-스티렌 공중합체(이하, 「SIS」라고 한다), 스티렌-수첨 부타디엔-스티렌 공중합체(이하, 「SEBS」라고 한다) 및 스티렌-수첨 이소프렌/부타디엔-스티렌 공중합체(이하, 「SEEPS」라고 한다)로부터 선택된 적어도 1종을 들 수 있다. 기재 수지 필름(1)은 단층이라도 복층이라도 좋고, 복층의 경우는 상이한 재료로도, 동일한 재료로도 좋지만, 기재 수지 필름(1)을 구성하는 층 중 적어도 1층이, 상기의 SEPS, SIS, SEBS, SEEPS로부터 선택된 적어도 1종을 함유함이 바람직하다. 이 SEPS, SIS, SEBS, SEEPS로부터 선택된 적어도 1종으로 이루어지는 층은, 적층하고 조합하여 이용할 수도 있다.
상기의 SEPS, SIS, SEBS, SEEPS로부터 선택된 적어도 1종으로 이루어지는 층에는, 폴리프로필렌, 저밀도 폴리에틸렌(LDPE), 직쇄(直鎖) 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE), 에틸렌?프로필렌 공중합체, 프로필렌 공중합체, 에틸렌-프로필렌-디엔 공중합체 가황물, 폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴리메틸펜텐, 에틸렌-초산비닐 공중합체, 에틸렌-(메타) 아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메타) 아크릴산 메틸 공중합체, 에틸렌-(메타) 아크릴산 에틸 공중합체, 폴리염화비닐, 염화비닐-초산비닐 공중합체, 에틸렌-염화비닐-초산비닐 공중합체, 폴리우레탄, 폴리아미드, 아이오노머, 니트릴고무, 부틸고무, 스티렌 이소프렌 고무, 스티렌 부타디엔 고무, 천연고무 및 그 물(水) 첨가물 또는 변성물 등을 배합한 수지 조성물로 할 수 있다.　
본 발명에 있어서, 아이오노머로서는, 에틸렌-메타크릴산 공중합체나 에틸렌-아크릴산 공중합체의 분자 사이를, 나트륨이나 아연 등의 금속 이온으로 분자간 결합한 수지를 말한다. 금속 이온으로서는, 아연이 바람직하다.
기재 수지 필름을 구성하는 층 중 적어도 1층은, (A)성분으로서 폴리프로필렌 수지와, (B)성분으로서 스티렌-수첨 이소프렌-스티렌 블록 공중합체, 스티렌-이소프렌-스티렌 공중합체, 스티렌-수첨 부타디엔-스티렌 공중합체 및 스티렌-수첨 이소프렌-부타디엔-스티렌 공중합체로부터 선택된 적어도 1종을 함유하는 수지 조성물로 함이 바람직하다. 이 경우의 폴리프로필렌 수지는, 프로필렌의 단독 중합체, 에틸렌-프로필렌 공중합체, 에틸렌-프로필렌-디엔 공중합체 가황물이나 그 외의 프로필렌 공중합체 등을 포함하고, 공중합체의 경우는 랜덤 공중합체, 블록 공중합체 중 어느 것이라도 좋고, 적의 선택된다.
본 발명에 있어서, (A)성분의 폴리프로필렌 수지와, (B)성분의 SEPS, SIS, SEBS 및 SEEPS로부터 선택된 적어도 1종과의 배합량은, 필름 강도와 제진성(制振性)의 밸런스를 고려해서 적의 결정할 수 있다.　
(A)성분의 폴리프로필렌 수지 100질량부에 대해서, (B)성분의 SEPS, SIS, SEBS 및 SEEPS로부터 선택된 적어도 1종을 30?100질량부로 함이 바람직하다. (A)성분 100질량부에 대해서, (B)성분의 SEPS, SIS, SEBS 및 SEEPS로부터 선택된 적어도 1종이 너무 적은 경우는, 충분한 제진성(制振性)을 얻지 못하여, 칩핑 억제 효과가 적은 경우가 있다. 또한, (A)성분 100질량부에 대해서, (B)성분의 SEPS, SIS, SEBS 및 SEEPS로부터 선택된 적어도 1종이 너무 많은 경우는, 필름 자체가 너무 부드러워져, 취급에 지장이 생긴다.
(A)성분으로서 폴리프로필렌 수지와, (B)성분으로서 스티렌-수첨 이소프렌-스티렌 블록 공중합체, 스티렌-이소프렌-스티렌 공중합체, 스티렌-수첨 부타디엔-스티렌 공중합체 및 스티렌-수첨 이소프렌-부타디엔-스티렌 공중합체로부터 선택된 적어도 1종을 함유하는 경우, (A)성분을 연속상으로 하고, (B)성분을 분산상으로 하며, 당해 분산상 입자의 평균직경이 15nm 이상의 수지 분산체인 것이 바람직하다. 이 분산상의 입자의 상한에는 특별히 제한은 없지만, 너무 크면, 국소적으로 필름 강도가 고르지 않은 경우가 있어, 바람직하게는 25nm 이하이다.　
(A)성분을 연속상으로 하고, (B)성분을 분산상으로 한 수지 분산체에 있어서, 응력 인가시에 있어서의 인장 혹은 그 복원 과정에서, (B)성분끼리의 분자 체인 혹은 사이드 체인(side-chain)의 충돌에 의해, 에너지 손실을 발생시킨다. (B)성분의 분산상의 평균직경이 너무 작은 경우에는, 인접하는 분자 체인이 적기 때문에, 칩핑 억제를 위한 에너지 손실을 충분히 얻지 못하여, 다이싱시에 발생한 칩의 진동을 감쇠시키기 어려운 경우가 있다.
기재 수지 필름의 점착제층과 접하는 면에는 밀착성을 향상하기 위해서, 코로나 처리(corona treatment)를 실시하거나, 프라이머(primer) 등의 다른 층을 형성해도 좋다. 기재 수지 필름(1)의 두께는 특별히 제한되지 않지만, 바람직하게는 30?200㎛, 특히 바람직하게는 50?100㎛이다.　
또한, 기재 수지 필름(1)이 복층으로 구성되는 경우에는, 상기 SEPS, SIS, SEBS 또는 SEEPS 함유층의 두께는 5?100㎛인 것이 바람직하다.
점착제층은, 여러 가지의 점착제에 의해 형성될 수 있다. 이러한 점착제에 사용되는 수지 성분으로서는, 어떠한 한정이 되는 것은 아니다. 예를 들면, 천연고무나 각종의 합성고무 등의 고무계 폴리머, 아크릴계, 실리콘계, 폴리비닐 에테르계 등을 베이스 폴리머로 한 점착제가 이용된다. 이 중에서도, 아크릴계 폴리머, 예를 들면, 폴리(메타)아크릴산 알킬에스테르, (메타)아크릴산 알킬에스테르와 이것과 공중합 가능한 다른 불포화 단량체와의 공중합체를 사용함이 바람직하다.
이러한 수지 성분에 응집력을 부가하기 위해서 가교제를 배합할 수 있다.　
이 가교제로서는, 수지성분 중의 관능기에 대응하여, 이 관능기와 반응 가능한 관능기를 갖는 가교제를 적의 선택함으로써, 점착제에 응집력을 부여하는 동시에, 초기의 점착력을 원하는 값으로 설정할 수 있다. 가교제로서는, 예를 들면, 이소시아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제, 금속 킬레이트계 가교제, 아지리딘계 가교제, 아민수지 등을 들 수 있다.
범용성의 관점에서, 가교제로서는, 이소시아네이트계 가교제가 바람직하다. 구체적으로는, 다가(多價) 이소시아네이트 화합물, 예를 들면, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌디이소시아네이트, 1,3-크실렌디이소시아네이트, 1,4-크실렌디이소시아네이트, 디페닐메탄-4,4'-디이소시아네이트, 디페닐메탄-2,4'-디이소시아네이트, 3-메틸디페닐메탄디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄-4,4'-디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄-2,4'-디이소시아네이트, 라이신 이소시아네이트(lysine isocyanate) 등이 이용된다.　
또한 점착제에는, 본 발명의 목적이 훼손되지 않는 범위에서, 소망에 의해, 각종 첨가 성분을 함유시킬 수 있다.
점착제로서, 방사선 경화형이나 가열 발포형의 점착제를 이용할 수 있다. 방사선 경화형의 점착제로서는, 자외선, 전자선 등으로 경화하고, 박리시에는 박리하기 쉬워지는 점착제를 사용할 수 있으며, 가열 발포형의 점착제는, 가열에 의해 발포제나 팽창제에 의해 박리하기 쉬워지는 점착제를 사용할 수 있다. 방사선 경화형 점착제로서는, 예를 들어, 일본 특허공고 평1-56112호 공보, 일본 공개특허 평7-135189호 공보 등에 기재된 것이 바람직하게 사용되지만, 이들에 한정되지 않는다.
본 발명에 있어서는, 자외선 경화형 점착제를 이용하는 것이 바람직하다. 그 경우에는, 방사선에 의해 경화되어 삼차원 망상(網狀)화하는 성질을 가지면 좋고, 예를 들면 통상의 고무계 혹은 아크릴계의 감압성(感壓性)의 수지 성분에 대해, 분자 중에 적어도 2개의 광중합성(光重合性) 탄소-탄소 이중결합을 갖는 저분자량의 광중합성 화합물(이하, 광중합성 화합물이라 한다) 및 광중합 개시제를 배합할 수 있다.
광중합성 화합물로서는, 예를 들어, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 오르가노폴리실록산 조성물, 시판의 올리고에스테르아크릴레이트, 우레탄아크릴레이트 등을 들 수 있다.
점착제를 구성하는 수지 성분으로서, 광경화성 탄소-탄소 이중결합을 갖는 것을 사용해도 좋다. 예를 들면, 메인 체인의 반복단위에 대해서 광경화성 탄소-탄소 이중결합을 갖고, 또한 관능기를 갖는 아크릴계 공중합체 및/또는 메타크릴계 공중합체(a1)와, 이 관능기와 반응할 수 있는 관능기를 갖는 화합물(a2)을 반응시켜 얻은 것을 들 수 있다. 상기의 메인 체인의 반복단위에 대해서 방사선 경화성 탄소-탄소 이중결합을 갖고, 또한 관능기를 갖는 아크릴계 공중합체 및/또는 메타크릴계 공중합체(a1)는, 예를 들면, 방사선 경화성 탄소-탄소 이중결합을 갖는 아크릴산 알킬에스테르 및/또는 메타크릴산 알킬에스테르 등의 단량체(單量體,a1-1)와, 관능기를 갖는 단량체(a1-2)를 공중합시켜 얻을 수 있다.
단량체(a1-1)로서는, 예를 들면, 알킬에스테르의 알킬기의 탄소수가 6?12인 (메타)아크릴산 알킬에스테르(예를 들면, 헥실아크릴레이트, n-옥틸아크릴레이트, 이소옥틸아크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, 도데실아크릴레이트, 데실아크릴레이트)를 들 수 있다. 또한, 알킬에스테르의 알킬기의 탄소수가 5 이하인 (메타)아크릴산 알킬에스테르(예를 들면, 펜틸아크릴레이트, n-부틸아크릴레이트, 이소부틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 메틸아크릴레이트, 또는 이들과 동일한 메타크릴레이트 등)를 들 수 있다.
단량체(a1-2)가 갖는 관능기로서는, 카르복실기, 수산기, 아미노기, 환상(環狀) 산무수기, 에폭시기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있다. 단량체(a1--2)의 구체 예로서는, 예를 들면, 아크릴산, 메타크릴산, 계피산, 이타콘산, 프말산, 프탈산, 2-히드록시알킬아크릴레이트류, 2-히드록시알킬메타크릴레이트류, 글리콜모노아크릴레이트류, 글리콜모노메타크릴레이트류, N-메틸올아크릴아미드, N-메틸올메타크릴아미드, 알릴알코올, N-알킬아미노에틸아크릴레이트류, N-알킬아미노에틸메타크릴레이트류, 아크릴아미드류, 메타크릴아미드류, 무수 말레인산, 무수 이타콘산, 무수 프말산, 무수 프탈산, 글리시딜아크릴레이트, 글리시딜메타크릴레이트, 알릴글리시딜에테르, 폴리이소시아네이트 화합물의 이소시아네이트기의 일부를 수산기 또는 카르복실기 및 방사선 경화성 탄소-탄소 이중결합을 갖는 단량체로 우레탄화한 것 등을 열거할 수 있다.
상기 (a2)의 관능기가 카르복실기나 환상 산무수기(酸無水基)인 경우는, (a1)이 갖는 관능기로서는, 예를 들면, 수산기, 에폭시기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있다. 또한 (a2)의 관능기가 수산기인 경우는, (a1)이 갖는 관능기로서는, 예를 들면, 환상 산무수기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있다. (a2)의 관능기가 아미노기인 경우는, (a1)이 갖는 관능기로서는, 에폭시기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있다. (a2)의 관능기가 에폭시기인 경우에는, (a1)이 갖는 관능기로서는, 예를 들면, 카르복실기, 환상 산무수기, 아미노기 등을 들 수 있다.
자외선 경화형 점착제의 경우에는, 점착제 중에 광중합 개시제를 혼입함으로써, 자외선 조사에 의한 중합 경화시간 및 자외선 조사량을 적게 할 수 있다.
이러한 광중합 개시제로서는, 구체적으로는, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤질디페닐설파이드, 테트라메틸티우람모노설파이드, 아조비스이소부티로니트릴, 디벤질, 디아세틸, β-크롤안스라퀴논 등을 들 수 있다.
점착제층의 두께는 특별히 제한되지 않지만, 바람직하게는 4?30㎛, 특히 바람직하게는 5?25㎛이다.
본 발명의 웨이퍼 첩착용 점착시트는, 점착제층상에, 접착제층을 더 형성하지 않고 다이싱테이프로서 사용할 수 있다. 또한, 본 발명의 점착제층이 다이싱 다이본딩 겸용 가능한 점착제인 경우에는, 다이싱 다이본드 테이프로서 사용할 수 있다. 이 경우는, 다이싱 공정 종료 후에, 점착제층은 기재 수지 필름과의 사이에서 박리되고, 칩에 점착제층이 부착된 것을 이용하여, 그 후 다이렉트 본딩이 가능해진다.
또한, 본 발명의 웨이퍼 첩착용 점착시트는, 점착제층상의 적어도 웨이퍼 첩착 예정 부분에, 접착제층이 적층된 것이라도 좋다. 그 경우, 접착제층에 웨이퍼를 첩착하여 다이싱한 후, 얻어진 칩을 픽업할 때, 접착제층은 칩에 부착하여, 칩을 기판이나 리드 프레임에 고정할 때의 접착제로서 사용된다. 접착제층은, 다이싱 다이본드시트에 일반적으로 사용되는 필름 형상 접착제를 사용할 수 있어, 아크릴계 점접착제(粘接着劑), 에폭시수지/페놀수지/아크릴수지의 블렌드계 점접착제 등을 바람직하게 사용할 수 있다. 그 두께는 적의 설정해도 좋지만, 5?100㎛ 정도가 바람직하다.
접착제층을 구성하는 수지 조성물은, 상온에서 웨이퍼에 점합(粘合)할 수 있고 다이싱 가공이 가능한 점착성을 갖는 동시에, 다이싱 가공이 종료한 후에 점착제층으로부터 박리할 수 있고, 그 후 가열함으로써 접착성이 발현되어, 다이본드제로서 작용한다. 이때의 가열은, 특별히 제한되는 것은 아니지만, 바람직하게는 40?100℃, 더 바람직하게는 60?80℃에서 행한다.
본 발명의 웨이퍼 첩착용 점착시트에 웨이퍼를 점합하고, 도 2 내지 도 5에 나타내는 바와 같은 웨이퍼의 다이싱 및 픽업을 행할 수 있다. 본 발명의 웨이퍼 첩착용 점착시트를 이용한 웨이퍼의 가공방법에 있어서는, 기재 수지 필름까지 컷팅을 행하지 않는 것이, 다이싱 블레이드의 절삭 저항을 저감하고, 웨이퍼 절삭을 원활하게 하여, 칩핑을 저감하기 때문에, 바람직하다. 더 바람직하게는, 점착제층의 두께의 2/3 정도까지 최대한 컷팅을 행하도록 함이 바람직하다. 컷팅이 기재 수지 필름까지 도달하지 않도록 하기 위해서는, 예를 들면, 이용하는 다이싱 장치의 컷팅 깊이의 설정을, 메뉴얼에 따라 적의 변경하면 좋다.
본 발명에 이용되는 베어(bare) 웨이퍼는, 특별히 한정되는 것이 아니고, 종래 이용되고 있는 임의의 베어 웨이퍼로부터 적의 선택하여 이용할 수 있다.
실시예
이하, 본 발명을 실시예에 기초하여 더 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다. 아울러, 실시예 및 비교예에서 이용한 점착제, 기재 구성 수지는 이하와 같다.
(점착제 조성물 1)
아크릴계 베이스 폴리머(2-에틸헥실아크릴레이트, 메틸아크릴레이트 및 2-히드록시에틸아크릴레이트로 이루어지는 공중합체, 중량 평균 분자량 20만, 유리전이점 = -35℃) 100질량부에 이소시아네이트계 가교제(일본폴리우레탄사 제품, 상품명: 코로네이트 L) 3질량부, 광중합성 화합물로서 테트라메틸올메탄 테트라아크릴레이트 10질량부, 광중합 개시제로서 α-히드록시시클로헥실페닐케톤 1질량부를 첨가하고, 혼합하여, 점착제 조성물 1을 얻었다.
(점착제 조성물 2)
2-에틸헥실아크릴레이트(69mol%), 2-히드록시에틸아크릴레이트(29mol%) 및 메타크릴산(2mol%)으로 이루어지는 공중합체의 2-히드록시에틸아크릴레이트 사이드 체인 말단의 수산기와, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트의 이소시아네이트기를 반응시켜, 광경화성 탄소-탄소 이중결합을 갖는 아크릴계 공중합체를 얻었다. 이 공중합체 100질량부에 이소시아네이트계 가교제(일본폴리우레탄사 제품, 상품명: 코로네이트 L) 2질량부, 광중합 개시제로서 α-히드록시시클로헥실페닐케톤 1질량부를 첨가하고, 혼합하여, 점착제 조성물 2를 얻었다.
[실시예 1 내지 3, 6, 7 및 비교예 1, 2]
실시예 1 내지 3, 7 및 비교예 1에 있어서는, 스티렌-수첨 이소프렌-스티렌 블록 공중합체(SEPS)(쿠라레(kuraray)사 제품, 상품명「세프톤 KF-2104」)와 호모프로필렌(PP){우베교산사(宇部興産社) 제품, 상품명「J-105G」}를 표 1에서 나타내는 배합비로 혼합하고, 2축 혼련기로, 약 200℃에서 필름 압출성형으로 가공하여, 두께 100㎛의 기재 수지 필름을 제조하였다.　
실시예 6에서는, 우선, 스티렌-수첨 이소프렌-스티렌 블록 공중합체(SEPS)(쿠라레사 제품, 상품명「세프톤 KF-2104」) 30㎛의 수지 필름을 준비하였다. 이 수지 필름을 중간층으로 하고, 그 양측에, 호모프로필렌(PP)(우베교산사 제품, 상품명「J-105G」) 100질량부에 대해, 스티렌-수첨 이소프렌-스티렌 블록 공중합체(SEPS)(쿠라레사 제품, 상품명「세프톤 KF-2104」) 30질량부로 이루어지는 수지조성물층 각 35㎛를 형성하고, 3층 구성의 두께 100㎛의 기재 수지 필름을 약 200℃에서 필름 압출성형하여 얻었다. 표 1에는, 기재 수지 필름 중간층 이외의 층의 수지 조성물에서의 배합비를 나타낸다.
비교예 2의 경우는, 아이오노머로서, 미쓰이?듀퐁 폴리케미컬사 제품, 상품명「하이밀란 1554」를 사용하여, 약 200℃에서 필름 압출성형으로 가공하여, 두께 100㎛의 기재 수지 필름을 제조하였다.　
얻어진 기재 수지 필름의 한쪽 표면에, 상기의 점착제 조성물 1을 두께 10㎛에 도공(塗工)하고, 그 후 양생(養生)함으로써, 점착제층을 형성하여, 실시예 1 내지 3, 6, 7 및 비교예 1, 2의 웨이퍼 첩착용 점착시트를 제조하였다.
[실시예 4, 5]　
상기 스티렌-수첨 이소프렌-스티렌 블록 공중합체(SEPS)를 대신하여, 다음의 공중합체를 각각 표 1에 나타내는 배합비로 혼합한 이외는, 실시예 1과 동일하게 행하여 웨이퍼 첩착용 점착시트를 제조하였다.　
스티렌-수첨 부타디엔-스티렌 공중합체(SEBS)
(쿠라레사 제품, 상품명「세프톤 8104」)
스티렌-수첨 이소프렌/부타디엔-스티렌 공중합체(SEEPS)
(쿠라레사 제품, 상품명「세프톤 4033」)
[실시예 8]　
실시예 1에서 제작한 기재 수지 필름의 한쪽 표면에, 상기의 점착제 조성물 2를 두께 10㎛로 도공하고, 그 후 양생함으로써, 점착제층을 형성하여, 실시예 8의 웨이퍼 첩착용 점착시트를 제조하였다.
[실시예 9]
＜다이본드 필름의 제작＞　
에폭시수지로서 크레졸 노볼락형 에폭시수지(에폭시 당량 197, 분자량 1200, 연화점(軟化點) 70℃) 50질량부, 실란커플링제로서 γ-메르캅토프로필트리메톡시실란 1.5질량부, γ-우레이드프로필트리에톡시실란 3질량부, 평균 입경(粒徑) 16nm의 실리카 필러 30질량부를 배합하고, 시클로헥사논을 가하여 교반 혼합하고, 또한 비즈밀(beads-mill)을 이용하여 90분 혼련하였다. 여기에 아크릴수지(질량 평균분자량: 80만, 유리 전이온도 -17℃) 100질량부, 큐어졸 2PZ{시코쿠 카세이(주) 제품, 상품명: 2-페닐이미다졸} 2.5질량부를 가하여 교반 혼합하고, 진공 탈기하여, 다이본드 필름용 접착제 조성물을 얻었다. 이 접착제 조성물을 두께 25㎛의 이형(離型)처리한 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름상에 도포하고, 110℃에서 1분간 가열 건조하여, 막 두께가 20㎛인 도막을 형성해서, 다이본드 필름을 제작하였다.
＜웨이퍼 첩착용 점착시트의 제작＞
얻어진 다이본드 필름을 실시예 1과 같은 구성의 점착제층상에 첩합(貼合)함으로써, 점착제층상에 다이본드 필름의 접착제층이 형성된, 실시예 9의 웨이퍼 첩착용 점착시트를 제조하였다.
실시예 1 내지 9 및 비교예 1, 2의 웨이퍼 첩착용 점착시트의 점착제층 또는 접착제층상에, 직경 6인치, 두께 350㎛의 표면 금(金)증착 실리콘 웨이퍼를 첩합하고, 다이싱장치(DISCO사 제품, DAD-340)를 사용하여 칩 사이즈가, 한변이 5mm인 정사각형으로 되도록 다이싱을 행하였다. 다이싱 조건은, 회전 둥근날 회전수: 40000rpm, 절삭 속도: 100mm/s, 절삭 수류량(水流量)은 20mL이다. 또한, 다이싱시, 회전 둥근날이 점착시트에 컷팅하는 깊이는 30㎛로 되도록 행하였다.
여러 특성 평가를 하기와 같이 행하여, 결과를 표 1에 나타내었다.
(손실 계수)
실시예 1 내지 9 및 비교예 1, 2의 웨이퍼 첩착용 점착시트로부터, 폭 5mm×길이 10mm의 시험편을 잘라내었다. 그 시험편을 동적 점탄성 측정장치(유비엠사 제품, Rheogel-E4000)의 지지용 지그에 고정하고, 온도 23℃, 주파수 400?900Hz로 측정하여, 그 범위내에서의 손실 계수의 최소치를 얻었다. 또한, 실시예 1 내지 7 및 비교예 1, 2의 웨이퍼 첩착용 점착시트로부터 잘라낸, 폭 5mm×길이 10mm의 시험편을 마찬가지로, 상기 동적 점탄성 측정장치의 지지용 지그에 고정하고, 주파수 650Hz, 온도 15?40℃에서 측정하여, 그 범위내에서의 손실 계수의 최소치를 얻었다.
(5% 모듈러스)
실시예 1 내지 9 및 비교예 1, 2의 웨이퍼 첩착용 점착시트에 사용한 기재 수지 필름을 이용하여, JIS　K7127/2/300에 따라서, 시험편을 제작하여, 5% 모듈러스를 측정하였다. 측정수 n=5의 평균치를 시험 결과로 하였다.
(인열강도)
실시예 1 내지 9 및 비교예 1, 2의 웨이퍼 첩착용 점착시트에 사용한 기재 수지 필름을 이용하여, JIS K7128-3에 따라서, 시험편을 제작하여, 인열강도를 측정하였다. 측정수 n=5의 평균치를 시험 결과로 하였다.
(칩핑(chipping)성)
실시예 1 내지 9 및 비교예 1, 2의 웨이퍼 첩착용 점착시트에 웨이퍼를 마운팅하여, 다이싱을 행하였다. 그 후, 자외선 조사를 실시하여(500mJ/m2), 1매의 웨이퍼로부터 랜덤으로 50칩을 취출하고, 칩 이면(점착면)의 각 변에서의 최대의 칩핑 크기를 현미경(100?200배)으로 측정하여, 전체 값의 평균을 산출하였다.
(익스팬딩성)
실시예 1 내지 9 및 비교예 1, 2의 웨이퍼 첩착용 점착시트에 웨이퍼를 마운팅하여, 다이싱을 행하였다. 그 후, 자외선 조사를 실시하고(500 mJ/m2), 익스팬딩장치(테크노비젼사 제품, 상품명 「TEX-218G」)를 사용하여, 20mm 익스팬딩해서 점착시트의 파단(破斷)의 유무를 평가하였다. 측정수 n=30으로 하여, 한번도 파단되지 않은 경우는 ◎, 측정수 n=30 중, 파단된 샘플수가 n=3 미만을 ○, n=3 이상이 파단된 경우는 ×로 하였다.
Figure pct00001
(분산직경의 측정)
상기한 바대로 제작한 실시예 1 및 2에 사용된 기재 수지 필름을 에폭시수지로 굳힌 후에, 사산화루테늄으로 염색하고, 마이크로톰(microtome)을 이용하여 얇은 절편을 제작하였다. 그 얇은 절편을 투과 전자현미경(히다치 하이테크놀로지즈사 제품, 상품명 「H-9000NA」)으로, 관찰하였다. 그 결과, 실시예 1도, 실시예 2도, 연속상 중에 염색된 분산상이 존재하는 양상이 관찰되었다. SEPS에 포함되는 스티렌이 사산화루테늄에 의해서 염색되기 쉽기 때문에, 연속상이 폴리프로필렌이고, 분산상이 SEPS인 것을 알 수 있었다. 투과전자현미경의 시야(200nm×200nm)에서의 분산상의 입자 직경을 측정하여, 그 평균치를 구하였다. 그 결과, 실시예 1의 SEPS의 평균직경은 21nm이었다. 또한, 실시예 2의 SEPS의 평균 직경은 19nm이었다. 또한, 실시예 3의 평균직경은 18nm이었다.
표 1에 나타내는 바와 같이, 실시예 1 내지 9의 웨이퍼 첩착용 점착시트는, 비교예 1, 2의 웨이퍼 첩착용 점착시트에 비해 칩핑의 크기를 1/2 이하로 큰 폭으로 저감할 수 있고, 또한 익스팬딩성에서도 양호한 성능을 나타내었다.
본 발명을 그 실시 형태와 함께 설명했지만, 여기서 특별히 지정하지 않는 한 본 발명을 설명의 어느 상세 부분으로 한정하려는 것이 아니라, 첨부된 청구의 범위에 나타낸 발명의 정신과 범위에 반함 없이 폭넓게 해석되어야 한다.
본원은, 2009년 7월 8일에 일본국에서 특허 출원된 특원 2009-162009에 기초한 우선권을 주장하는 것으로, 이는 여기에 참조되어 그 내용을 본 명세서의 기재의 일부로서 포함한다.
1 : 기재 수지 필름
2 : 점착제층
11 : 홀더
12 : 웨이퍼 첩착용 점착시트
13 : 반도체 웨이퍼
14 : 소자 소편(칩)
15 : 실선 화살표 방향
16 : 익스팬더
17 : 점선 화살표 방향

Claims (8)

  1. 기재(基材) 수지 필름과, 이 기재 수지 필름상에 점착제층이 형성된 점착시트로서, 이 점착시트를 폭 5mm로 가공한 시험편을 사용하여, 동적 점탄성(粘彈性) 측정장치에 의해, 온도 23℃에서 주파수 400?900Hz의 인장 응력을 인가함에 의해 측정된 손실 계수의 최소치가 0.20 이상이며, 또한 온도 15?40℃에서 주파수 650Hz의 인장 응력을 인가함에 의해 측정된 손실 계수의 최소치가 0.20 이상인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 첩착(貼着)용 점착시트.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 기재 수지 필름의 5% 모듈러스가 4.0?7.0MPa이고, 또한 인열강도가 100N/mm 이상인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 첩착용 점착시트.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 기재 수지 필름의 적어도 1층이, 스티렌-수첨(水添) 이소프렌-스티렌 블록 공중합체, 스티렌-이소프렌-스티렌 공중합체, 스티렌-수첨 부타디엔-스티렌 공중합체 및 스티렌-수첨 이소프렌-부타디엔-스티렌 공중합체로부터 선택된 적어도 1종을 함유하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 첩착용 점착시트.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기재 수지 필름의 적어도 1층이, (A)성분으로서 폴리프로필렌 수지 100질량부에 대해, (B)성분으로서 스티렌-수첨 이소프렌-스티렌 블록 공중합체, 스티렌-이소프렌-스티렌 공중합체, 스티렌-수첨 부타디엔-스티렌 공중합체 및 스티렌-수첨 이소프렌-부타디엔-스티렌 공중합체로부터 선택된 적어도 1종 30?100질량부를 함유하는 수지 조성물인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 첩착용 점착시트.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 기재 수지 필름 중 적어도 1층이, (A)성분을 연속상(連續相)으로 하고, (B)성분을 분산상(分散相)으로 하는 수지 분산체로 구성되고, 당해 분산상 입자의 평균직경이 15nm 이상인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 첩착용 점착시트.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 점착제층상에 접착제층이 더 형성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 첩착용 점착시트.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 점착제층을 형성하는 점착제가 아크릴계 점착제인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 첩착용 점착시트.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 기재된 웨이퍼 첩착용 점착시트에 웨이퍼를 첩합(貼合)하고, 이 웨이퍼의 다이싱을 행하는 웨이퍼의 가공방법으로서, 상기 기재 수지 필름까지 컷팅을 행하지 않는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 가공방법.
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