CN101855311A - 半导体晶片加工用粘合带 - Google Patents

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Abstract

本发明的半导体晶片加工用粘合带，具有基材片(11)及设置在基材片(11)上的粘合剂层(12)，基材片(11)在应力-伸长率曲线中直至伸长率30％为止不存在屈服点，且断裂强度为10N/10mm以上、伸长率为200％以上。

Description

半导体晶片加工用粘合带
技术领域
本发明涉及在保持了半导体晶片的状态下伸展的半导体晶片加工用粘合带。
背景技术
在半导体装置的制造工序中，实施了在半导体晶片上贴附具有伸缩性的粘合带后以芯片单位切断(切割)半导体晶片的工序、使粘合带伸展的工序，进而实施拾取经切断的芯片的工序。
作为在上述半导体装置的制造工序中使用的粘合带，提出了在基材片上设置有粘合剂层的切割带(dicing tape)、使管芯键合膜(die bonding film)(也称为管芯安装膜(die attach film))与切割带层叠的结构的切断·管芯键合膜，且已实用化。
以使用切割带作为粘合带的情况为例，参考图7对一般的半导体晶片的切割工序、粘合带的伸展工序以及拾取工序加以说明。
首先，如图7(a)所示，在具有基材片51及粘合剂层52的粘合带上贴合半导体晶片W的背面，在环型架20上贴合粘合带的外周部，使用未图示的切割刀，机械地切断半导体晶片W，分割成多个半导体芯片C。接着，如图7(b)所示，将保持分割后的多个半导体芯片C的粘合带载置于伸展装置的台架21上。图中，符号22为伸展装置的中空圆柱形状的顶起构件。
接着，如图7(c)所示，通过使顶起构件22上升，使粘合带向圆周方向伸展，使芯片彼此间的间隔扩大。该伸展工序的实施是为了提高基于CCD照相机等的芯片的辨识性，以及为了在芯片拾取时防止因邻接芯片彼此接触而产生的芯片破损。
近年来，作为半导体晶片的切断方法，提出有使用激光加工装置以非接触方式切断晶片的方法。
例如，在专利文献1中，公开有半导体基板的切断方法，其具备下述工序：对于使管芯键合树脂层(管芯键合膜)介于其间贴附有片材(切割带)的半导体基板内部，通过对准焦点光照射激光光，而在半导体基板内部形成基于多光子吸收的改性区域，由此改性区域形成切断预定部的工序；和通过使片材伸展(expand)，而沿着切断预定部将半导体基板及管芯键合树脂层切断的工序。
在专利文献1的半导体基板的切断方法中，由于能够通过激光光的照射及片材的伸展而以非接触的方式切断半导体晶片及管芯键合树脂层(管芯键合膜)，故可以在不发生如使用切割刀的情况那样的卷刃(tipping)而将半导体晶片切断。因此，尤其是可以用于切断例如50μm以下的极薄半导体晶片的情况。
专利文献1：特开2003-338467号公报
发明内容
如上所述，伸展工序是为了将通过切割刀单片化的芯片的彼此间隔扩大，或者为了将经激光光照射的晶片及粘合膜截断成芯片单位而实施的工序。
然而，在粘合带的伸展中，粘合带在接触到顶起构件22的部分局部拉伸，会有发生未充分拉伸至带的中央部分为止的缩颈(necking)的情况。若未充分拉伸至粘合带的中央部分为止，则无法扩大中央部的芯片彼此的间隔而发生芯片拾取不良，或无法100％截断切断晶片及管芯键合带，而有半导体芯片的生产成品率降低的问题。
因此，本发明的目的在于，提供可以很好地扩展至中央部分为止的、伸展性优异的半导体晶片加工用粘合带。
本发明人等对上述问题进行了潜心研究，结果发现，作为半导体晶片加工用粘合带的基材片，使用由在应力-伸长率曲线中伸长率在30％以下时不存在屈服点、且断裂强度为10N/10mm以上、伸长率为200％以上的材料所形成的片材，由此伸展时的力可以传递到粘合带中央部分，而可以良好地拉伸至中央部分为止，因而完成本发明。
即，本发明的半导体晶片加工用粘合带，其特征在于，具有基材片与在基材片上设置的粘合剂层，上述基材片在应力-伸长率曲线中伸长率在30％以下时不存在屈服点，且断裂强度为10N/10mm以上、伸长率为200％以上。
作为基材片，优选从在应力-伸长率曲线中伸长率在30％以下时不存在屈服点的聚烯烃及聚氯乙烯中选择。
另外，本发明的半导体晶片加工用粘合带，可以在粘合剂层上进一步具有胶粘剂层。
另外，本发明的半导体晶片加工用粘合带，特别可以有效用于包含下述工序的半导体装置的制造方法中，所述工序是将上述半导体晶片加工用粘合带伸展，并沿着分割预定线将被该粘合带保持的上述半导体晶片或上述胶粘剂层截断，由此获得多个半导体芯片的工序。
本发明的半导体晶片加工用粘合带，由于在伸展时可以很好地伸展至中央部分，所以可以抑制芯片的拾取不良，且可以提高晶片及胶粘剂层(管芯键合膜)的截断性。
附图说明
图1是表示本发明的半导体晶片加工用粘合带的一例的剖面图。
图2是表示本发明的半导体晶片加工用粘合带的其他例的剖面图。
图3是表示本发明的半导体晶片加工用粘合带中的基材片的应力-伸长率曲线的一例的曲线图。
图4是表示比较例涉及的半导体晶片加工用粘合带中的基材片的应力-伸长率曲线的例子的曲线图。
图5是表示通过激光加工在半导体晶片上形成改性区域的状况的剖面图。
图6是表示在半导体晶片加工用粘合带上贴合了半导体晶片W和扩展用环形架的状态的剖面图。
图7(a)是表示贴合有半导体晶片的半导体晶片加工用粘合带搭载于扩展装置上的状态的截面图，(b)是表示扩展后的半导体晶片加工用粘合带和半导体晶片的剖面图。
图中：11-基材片，12-粘合剂层，13-胶粘剂层，20-环形架，21-台架，22-顶起构件。
具体实施方式
以下基于附图详细说明本发明的实施方式。
本发明的半导体晶片加工用粘合带，可以如图1所示是在基材片11上层叠有粘合剂层12及胶粘剂层13的切割·管芯键合膜，也可以如图2所示是在基材片11上设有粘合剂层12的切割带。以下，分别对基材片、粘合剂层及胶粘剂层加以详细说明。
<基材片>
基材片11是由通过拉伸试验获得的应力-伸长率曲线中至伸长率30％为止不存在屈服点且断裂强度为10N/10mm以上、伸长率为200％以上的材料所构成。通过使用此种特性的基材片，使伸展时的力可以传递到粘合带中央部分，可以使中央部分良好地拉伸。另外，所谓应力-伸长率曲线中至伸长率30％为止不存在屈服点的基材片，包含在该曲线中至断裂点为止未出现屈服点的基材片、以及伸长率为30％以上时存在有屈服点的基材片。
(应力-伸长率曲线)
图3中示出至伸长率30％为止不存在屈服点的本发明基材片的应力-伸长率曲线的一例。另外，图4中示出作为比较例的至伸长率30％为止存在有屈服点的基材片的应力-伸长率曲线的例。
如图4所示，比较例的基材片在应力-伸长率曲线中至伸长率30％为止存在有屈服点a(最初的极大点)。这样的基材片在伸展时，接触顶起构件的部分屈服，仅该部分伸长，无法均匀拉伸至中央部分。相对于此，图3中所示的本发明的基材片在应力-伸长率曲线中未出现屈服点，另外，应力不会不降低至断裂点b。通过使用此种至伸长率30％为止不存在屈服点的基材片，在伸展时的力可以传播到粘合带的中央部分，可以很好地拉伸至中央部分。
(断裂强度及伸长率)
本发明的基材片具有10N/10mm以上的断裂强度，及200％以上的伸长率。当断裂强度小于10N/10mm时，机械强度不足，伸展时容易断裂。另外，当伸长率小于200％时，伸展性不良。
本发明中，断裂强度及伸长率是使用拉伸试验装置(JIS B 7721)，通过如下的拉伸试验获得。
断裂强度：将基材片冲压成1号哑铃形状(JIS K 6301)制作试验片，且测定在标线间距离40mm，拉伸速度300mm/min的条件下标线间断裂时的载荷(拉伸应力)。
伸长率：在断裂强度测定中，测定断裂时的伸长率。
作为构成基材片的材料，只要具有上述特性者则无特别限制，但优选选自聚烯烃及聚氯乙烯。
作为上述聚烯烃，可以举出聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚丁烯-1、聚-4-甲基戊烯-1、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、离聚物等α-烯烃的均聚物或共聚物或它们的混合物等。
作为后述的粘合剂层，使用通过放射线照射固化使粘合力降低的类型时，基材片优选具有上述特性且为放射线透过性。就确保强度及芯片的拾取性的观点而言，基材片的厚度优选为50～300μm。另外，基材片可以为单层，也可以由多层构成。
<粘合剂层>
粘合剂层12可以通过在基材片11上涂布粘合剂而制造。对粘合剂层12并无特别限制，只要是具有伸展时胶粘剂层13及半导体晶片不会剥离的程度的保持性、拾取时容易与胶粘剂层13剥离的特性者即可。为了提升拾取性，粘合剂层12优选具有优异的放射线固化性、且容易与胶粘剂层13剥离的材料。
例如，本发明中，优选以相对于主链至少分别具有含放射线固化性碳-碳双健的基团、含有羟基及羧基的基团的丙烯酸系共聚物作为主成分，且凝胶分数在60％以上。进一步优选使分子中具有碘值0.5～20的放射线固化性碳-碳双键的化合物(A)与选自聚异氰酸酯类、三聚氰胺·甲醛树脂及环氧树脂的至少一种的化合物(B)进行加成反应而成的聚合物。
对作为粘合剂层主成分之一的化合物(A)加以说明。化合物(A)的放射线固化性碳-碳双键的优选导入量为以碘值计为0.5～20，更优选为0.8～10。若碘值为0.5以上，则获得放射线照射后的粘合力降低的效果，碘值若为20以下，由于放射线照射后的粘合剂流动性充分，可以充分获得延伸后的元件间隙，故可以抑制所谓在拾取时对各元件的图像辨识变得困难的问题。进而，化合物(A)本身具有稳定性，制造变得容易。
上述化合物(A)优选玻璃化转变温度为-70℃～0℃，更优选为-66℃～-28℃。玻璃化转变温度(以下称为Tg)若为-70℃以上，则对于放射线照射所伴随的热的耐热性充分，若为0℃以下，可以充分获得表面状态粗糙的晶片中切割后的元件飞散的防止效果。
化合物(A)可以以任何方式制造，例如使用使丙烯酸系共聚物或甲基丙烯酸系共聚物等具有放射线固化性碳-碳双键且具有官能团的化合物((1))、与具有可与该官能团反应的官能团的化合物((2))发生反应得到的混合物。
其中，上述的具有放射线固化性碳-碳双键及官能团的化合物((1))，可以使丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯等具有放射线固化性碳-碳双键的单体((1)-1)与具有官能团的单体((1)-2)共聚而获得。关于粘合剂双键量，是通过真空中在暗处进行溴加成反应的重量增加法，对经加热干燥的粘合剂约10克中所含的碳-碳双键量加以定量测定。
作为单体((1)-1)，可以举例为碳数6～12的丙烯酸己酯、丙烯酸正辛酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸十二烷基酯、丙烯酸癸酯，或碳数5以下的单体的丙烯酸戊酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸异丁酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸甲酯或与它们同样的甲基丙烯酸酯等。
作为单体((1)-1)，由于越使用碳数大的单体则玻璃化转变温度越降低，故可以制作所需的玻璃化转变温度的化合物。另外，除了玻璃化转变温度以外，为了提高相溶性及各种性能的目的配合乙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈等具有碳-碳双键的低分子化合物，可以在单体((1)-1)的总质量的5质量％以下的范围内。
作为单体((1)-2)所具有的官能团，可以举例为羧基、羟基、氨基、环状酸酐基、环氧基、异氰酸酯基等，作为单体((1)-2)的具体例，可以举例为丙烯酸、甲基丙烯酸、桂皮酸、衣康酸、富马酸、苯二甲酸、丙烯酸2-羟基烷基酯类、甲基丙烯酸2-羟基烷基酯类、单丙烯酸二醇酯类、单甲基丙烯酸二醇酯类、N-羟甲基丙烯酰胺、N-羟甲基甲基丙烯酰胺、烯丙醇、丙烯酸N-烷基氨基乙酯类、甲基丙烯酸N-烷基氨基乙酯类、丙烯酰胺类、甲基丙烯酰胺类、马来酸酐、衣康酸酐、富马酸酐、苯二甲酸酐、丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、烯丙基缩水甘油醚、聚异氰酸酯化合物的异氰酸酯基的一部分被具有羟基或羧基以及放射线固化性碳-碳双键的单体予以氨基甲酸酯化得到的化合物等。
化合物(2)中，作为所用的官能团，在化合物(1)、即单体((1)-2)所具有的官能团为羧基或环状酸酐基的情况下，可以举例为羟基、环氧基、异氰酸酯基等，在为羟基的情况下，可以举例为环状酸酐基、异氰酸酯基等，在氨基的情况下，可以举例为环氧基、异氰酸酯基等，在为环氧基的情况下，可以举例为羧基、环状酸酐基、氨基等，作为具体例，可以举出与单体((1-2))具体列举的例子相同。
在化合物(1)与化合物(2)的反应中，通过残留未反应官能团，可以制造关于酸值或羟基值等特性符合本发明的规定的化合物。
上述化合物(A)的合成中，作为以溶液聚合进行反应时的有机溶剂，可以使用酮系、酯系、醇系、芳香族系的溶剂，其中，优选为甲苯、乙酸乙酯、异丙醇、苯甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、丙酮、甲基乙基酮等一般为丙烯酸系聚合物的良好溶剂、沸点60～120℃的溶剂，作为聚合引发剂，通常使用α，α’-偶氮二异丁腈等偶氮双系、苯甲酰基过氧化物等有机过氧化物是等自由基发生剂。此时，根据需要可以并用催化剂、聚合抑制剂，通过调节聚合温度及聚合时间，可以获得所需分子量的化合物(A)。另外，关于分子量调节，优选使用硫醇、四氯化碳系的溶剂。另外，此反应并不限于溶液聚合，以本体聚合、悬浮聚合等其它方法亦无妨。
如上所示，可以得到化合物(A)，但本发明中，化合物(A)的重均分子量优选为30万～100万左右。在不到30万时，由放射线照射引起的凝集力变小，在晶片切割时，容易产生元件的错位，会有图像辨识变困难的情况。为了极力防止此元件的错位，重均分子量优选为40万以上。另外，重均分子量若超过100万，有合成时及涂布时凝胶化的可能性。
另外，本发明中所谓的重均分子量，为聚苯乙烯换算的重均分子量。
另外，化合物(A)若具有羟基值成为5～100的OH基，则可以通过减少放射线照射后的粘合力进一步降低拾取错误的危险性，故而优选。另外，化合物(A)优选具有成为酸值0.5～30的COOH基。
此处，化合物(A)的羟基值若过低，则放射线照射后粘合力降低效果不足，若过高，则有损及放射线照射后的粘合剂流动性的倾向。另外，如果酸值过低，则带复原性的改善效果不足，如果过高，则有损及粘合剂的流动性的倾向。
接着，对作为粘合剂的又一主成分的化合物(B)进行说明。化合物(B)为选自异氰酸酯类、三聚氰胺·甲醛树脂以及环氧树脂的化合物，其可以单独或组合2种以上使用。此化合物(B)是作为交联剂发挥作用，通过与化合物(A)或基材膜反应结果的交联结构，使以化合物(A)及化合物(B)作为主成分的粘合剂凝集力在粘合剂涂布后可以提高。
对聚异氰酸酯类并无特别限制，可以举例为例如4，4’-二苯基甲烷二异氰酸酯、甲苯二异氰酸酯、二甲苯二异氢酸酯、4，4’-二苯基醚二异氰酸酯、4，4’-[2，2-双(4-苯氧基苯基)丙烷]二异氰酸酯等芳香族异氰酸酯，六亚甲基二异氰酸酯、2，2，4-三甲基-六亚甲基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、4，4’-二环己基甲烷二异氰酸酯、2，4’-二环己基甲烷二异氰酸酯、赖氨酸二异氰酸酯、赖氨酸三异氰酸酯等。具体可以使用CORONATE L(日本聚氨酯股份有限公司制，商品名)等。
另外，作为三聚氰胺·甲醛树脂，具体而言，可以使用ニカラツクMX-45(三和化学股份有限公司制，商品名)、メラン(日立化成工业股份有限公司制，商品名)等。
进而，作为环氧树脂，可以使用TETRAD-X(三菱化学股份有限公司制，商品名)等。
本发明中，尤其优选使用聚异氰酸酯类。
作为(B)的添加量，有必要按照相对于化合物(A)100质量份使得成为0.1～10质量份、优选成为0.4～3质量份的比例进行选择。通过在此范围内选择，可以成为适当的凝集力，不会进行激烈的交联反应，故粘合剂的配合、涂布等的作业性成为良好。
另外，在本发明中，粘合剂层12中，优选含有光聚合引发剂(C)。对粘合剂层12中所含的光聚合引发剂(C)并无特别限制，可以使用以往已知的引发剂。可以举例为例如二苯甲酮、4，4’-二甲基氨基二苯甲酮、4，4’-二乙基氨基二苯甲酮、4，4’-二氯二苯甲酮等二苯甲酮类，苯乙酮、二乙氧基苯乙酮等苯乙酮类，2-乙基蒽醌、叔丁基蒽醌等蒽醌类，2-氯噻吨酮、苯偶因乙醚、苯偶因异丙醚、苯偶酰、2，4，5-三芳基咪唑二聚物(洛粉碱(lophine)二聚物)，吖啶系化合物等，它们可以单独使用或组合两种以上使用。
作为(C)的添加量，优选相对于化合物(A)100质量份为0.1～10质量份，更优选为0.5～5质量份。
进而，在本发明中所用的放射线固化性粘合剂中，根据需要可以配合增粘剂、粘合调整剂、表面活性剂或其它改性剂等。另外，还可以适当添加无机化合物填料。
粘合剂层的厚度优选至少为5μm，更优选为10μm以上。需要说明的是，粘合剂层可以为由多层层叠的构成。
<胶粘剂层>
胶粘剂层13是在下述情况下作为粘结膜发挥功能的层，即在贴合半导体晶片并切断后，在拾取芯片之际，将切断后的胶粘剂层13自粘合剂层12剥离而附着于芯片上，将芯片固定于封装基板、引线框之时。
作为胶粘剂层13，并无特别限制，但可以适当使用一般作为管芯键合膜所使用的膜状胶粘剂，优选聚酰亚胺系胶粘剂、丙烯酸系粘胶粘剂、环氧树脂/酚醛树脂/丙烯酸树脂/无机填料的混合物系粘胶粘剂等。其厚度适当设定即可，但优选为5～100μm左右。
本发明的半导体晶片加工用粘合带，可以通过将预先切成圆形形状的作为胶粘剂层的胶粘膜直接层合在粘合带上而形成。优选层合时的温度为10～100℃的范围，施加0.01～10N/m的线压。
另外，本发明的半导体晶片加工用粘合带，包含切断成每一片晶片的形态，及形成有多个晶片的长条片材卷取成卷状的形态。
接着，参照图5及图6，对使用图1所示的本发明半导体晶片加工用粘合带制造带有粘合剂层的半导体芯片的方法加以说明。
首先，如图5所示，对半导体晶片W的预定分割部分照射激光光，在晶片内部形成基于多光子吸收的改性区域30。接着，如图6(a)所示，贴合半导体晶片W及半导体晶片加工用带的胶粘剂层13，在粘合剂层12的外周部贴附环状架20，将粘合带的基材片11的下面载置于伸展装置的台架21上。图中，符号22为伸展装置的中空圆柱形状的顶起构件。
需要说明的是，在对半导体晶片W照射激光光的工序之前，可以实施与半导体晶片加工用粘合带的贴合工序。
接着，如图6(b)所示，以固定了环状架20的状态，使伸展装置的顶起构件22上升，使半导体晶片加工用粘合带伸展。由此将粘合带向圆周方向拉伸，半导体晶片W以改性区域作为起点以芯片为单位加以截断，亦截断胶粘剂层13。
随后，对粘合剂层12施加放射线固化处理或热固化处理等，拾取半导体芯片C，由此可以获得带有胶粘剂层的半导体芯片。
在如上所述的带有胶粘膜的半导体芯片的制造方法中，使用在应力-伸长率曲线中直至伸长率为30％时不存在屈服点、且断裂强度为10N/10mm以上、伸长率为200％以上的半导体晶片加工用粘合带，由此可以将粘合带均匀地拉伸至中央部分，可以提高晶片W及胶粘剂层13的截断性。
需要说明的是，本发明的半导体晶片加工用粘合带，在如上所述以芯片为单位截断经激光光照射的晶片W及胶粘剂层13之际使用时特别有效，但并不限于此。例如，使用如图1或图2所示的粘合带，在实施使用切割刀的切割工序及伸展工序时亦有效。此时，可以将粘合带均匀拉伸至中央部分，故可以提高通过CCD照相机等的芯片辨识性，同时可以防止在芯片拾取之际因邻接芯片彼此接触而产生的芯片破损。
接着，对本发明实施例加以说明，但本发明不限于这些实施例。
将所使用的基材片、粘合剂层组合物以及胶粘剂层组合物显示如下。
基材片1A：离聚物树脂片(厚度150μm)
基材片1B：乙烯-甲基丙烯酸共聚物树脂片(厚度150μm)
基材片1C：乙烯-乙酸乙烯酯共聚物树脂片(厚度100μm)
粘合剂层组合物2A：丙烯酸系放射线固化性粘合剂组合物
胶粘剂层组合物3A：环氧-丙烯酸系胶粘剂
(实施例1)
在基材片1A上，涂布溶解在有机溶剂中的粘合剂层组合物2A使干燥膜厚10μm，在110℃干燥3分钟，制作粘合带。另外，将溶解于有机溶剂中的胶粘剂层组合物3A涂布在经脱模处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜上，在110℃加热干燥1分钟，制作膜厚40μm的B阶段状态的胶粘膜。将粘合带及胶粘膜分别切成直径370mm、320mm的圆形，将粘合带的粘合剂层与胶粘膜的胶粘剂层贴合。最后，将胶粘膜的PET膜自胶粘剂层剥离，获得实施例1的晶片加工用粘合带。
(实施例2)
除了使用基材片1B作为基材片以外，与实施例1一样，制作实施例2的晶片加工用粘合带。
(实施例3)
除了使用基材片1C作为基材片以外，与实施例1一样，制作实施例3的晶片加工用粘合带。
<基材片的拉伸试验>
对于实施例1、比较例1及比较例2所使用的基材片，使用拉伸试验装置(JIS B 7721)，在温度24±2℃、湿度64±5％下进行如下所示的拉伸试验。另外，由拉伸试验所得的应力-伸长率曲线确认至伸长率30％为止有无屈服点。其结果示于表1。
(断裂强度)
将基材片冲压成1号哑铃形状(JIS K 6301)制作试验片，且测定标线间距离40mm，拉伸速度300mm/min的标线间断裂时的载荷(拉伸应力)。
(伸长率)
在上述断裂强度测定中，测定断裂时的伸长率。
<胶粘剂层的截断性试验>
对半导体晶片(厚度50μm，直径300mm)照射激光光，在晶片内部形成改性区域。在激光照射后的半导体晶片及不锈钢制的环形架上，层合实施例1及比较例1、2的晶片加工用带。接着，在晶片加工用膜的外周部贴附内径330mm的树脂制伸展环，通过伸展装置对环进行固定，半导体晶片加工用膜在下列伸展条件下进行伸展。
伸展速度：100mm/秒
伸展量：15mm
随后，对半导体晶片加工用膜照射紫外线，使粘合带的粘合剂层固化，使粘合力降低。
<胶粘剂层的切断性评价方法>
伸展后，用光学显微镜观察胶粘剂层是否与半导体晶片一起被截断。结果示于表1。表1所示的截断性是以百分比表示良好截断的胶粘剂层相对于芯片总数的数。需要说明的是，激光加工后的芯片总数约为400个，芯片尺寸为10mm×10mm。
表1
[表1]
  实施例1   比较例1   比较例2
  基材片   1A   1B   1C
  基材片厚度(μm)   150   150   100
  粘合剂层   2A   2A   2A
  粘合剂层厚度(μm)   10   10   10
  胶粘剂层   3A   3A   3A
  胶粘剂层厚度(μm)   40   40   40
  基材片的屈服点   无   有   无
  基材片的断裂强度(N/10mm)   50   35   10
  基材片的断裂伸长率(％)   300   650   150
  胶粘剂层的截断性   100％   0％   带断裂
比较例1中使用的基材片1B在应力-伸长率曲线上在至伸长率30％为止出现屈服点。因此，对于使用了基材片1B的比较例1的晶片加工用粘合带，仅仅是扩张时接触到顶起构件的部分发生伸长，无法截断胶粘剂层。另外，比较例2中使用的基材片1C在至伸长率30％为止虽未出现屈服点，但断裂时的伸长率低，为150％，因此，可知使用了基材片1C的比较例2的晶片加工用粘合带在扩张时断裂，无法作为扩张带使用。
相对于此，实施例1中使用的基材片1A在应力-伸长率曲线上未出现屈服点且断裂强度及断裂伸长率满足本发明的范围，故实施例1的晶片加工用粘合带被良好的扩展至中央部分，可以将胶粘剂层100％截断。

Claims (4)

1.一种半导体晶片加工用粘合带，其特征在于，具有基材片与设置在该基材片上的粘合剂层，
所述基材片是在应力-伸长率曲线中至伸长率30％为止不存在屈服点，且断裂强度为10N/10mm以上、伸长率为200％以上。
2.如权利要求1所述的半导体晶片加工用粘合带，其中，所述基材片是选自于在应力-伸长率曲线中至伸长率30％为止不存在屈服点的聚烯烃及聚氯乙烯。
3.如权利要求1或者2所述的半导体晶片加工用粘合带，其中，所述粘合剂层上进而具有胶粘剂层。
4.如权利要求1～3中任意一项所述的半导体晶片加工用粘合带，其中，所述半导体晶片加工用粘合带是用于包含以下工序的半导体装置的制造方法中：
将所述半导体晶片加工用粘合带伸展，沿着分割预定线将由该粘合带保持的所述半导体晶片或所述胶粘剂层截断，由此获得多个半导体芯片的工序。
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