CN102712830A - 粘合片以及电子部件的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及具有基膜以及在基膜上层叠紫外线固化型粘合剂的粘合片。紫外线固化型粘合剂含有重量平均分子量100万以上的丙烯酸酯共聚物100质量份、具有3个以上碳-碳双键的光聚合性丙烯酸酯20-200质量份和异氰酸酯固化剂0.1-10质量份。丙烯酸酯共聚物进行共聚时的单体中，混合有0.1质量%以下的具有羟基或羧基其中之一或二者都有的单体。

Description

粘合片以及电子部件的制造方法
技术领域
本发明涉及粘合片以及使用了粘合片的电子部件的制造方法。
背景技术
电子部件一般是由如下方法制造而成：将粘合片贴合在一枚半导体晶圆或者电路基板材料上形成了多个电路图案的电子部件集合体的背面(电路图案非形成面)，将电子部件集合体切割成单个芯片，拾取芯片，将芯片用接合剂固定于引线框等。通常，切割是在将电子部件集合体与粘合片贴合固定后进行的，已公开了一种以丙烯酸酯共聚物为主要成分的紫外线固化型粘合剂作为所述粘合片的粘合剂的技术(参考专利文献1、2)。使用紫外线固化型粘合剂，通过在拾取工序之前照射紫外线，能够使粘合剂固化，从而降低粘合力，使其容易拾取。
专利文献1：日本国专利申请公开公报“特开2009-147251号公报”
专利文献2：日本国专利申请公开公报“特开2009-256458号公报”
发明内容
伴随着半导体部件的高度集成化，都希望芯片越来越薄。因此，上述电子部件的制造方法中，在切割电子部件集合体之前，进行背面磨削工序，即对电子部件集合体的背面用磨削机进行磨削使其变薄的加工工序成为主流。但是，进行了背面磨削工序的情况下，在切割后会出现从粘合片上拾取芯片时成功率降低的问题。
经过发明人深入研究发现，电子部件集合体的表面上因大气中的氧等而自然形成了氧化膜，而经背面磨削工序，将这层氧化膜除去后，贴合主要成分为丙烯酸酯共聚物的紫外线固化型粘合剂时，粘合剂中的羟基以及羧基与电子部件集合体的磨削面发生反应，即使进行紫外线照射，也不能充分降低粘合力。氧化膜虽然随保存时的温度和湿度有所不同，但是一旦被除去，至少需要2、3天才能再生。因此，用通常的制造流水线进行加工时，在氧化膜再生之前进行贴合到粘合片以及切割的工序，导致拾取性降低。
鉴于上述情况，本发明发现，通过使构成粘合片的粘合层为特定组分，则即使是切割工序之前进行了背面磨削工序的情况下，也能够在拾取时容易地进行粘合片与芯片之间的剥离，因此，能够容易地进行切割后芯片的拾取操作，从而完成了本发明。
也就是说，本发明涉及下述粘合片以及使用所述粘合片的电子部件制造方法。
(1)一种粘合片，具有基膜，以及在基膜上层叠的紫外线固化型粘合剂，紫外线固化型粘合剂含有重量平均分子量100万以上的丙烯酸酯共聚物100质量份、具有3个以上碳-碳双键的光聚合性丙烯酸酯20-200质量份、异氰酸酯固化剂0.1-10质量份，丙烯酸酯共聚物进行共聚时的单体中，具有羟基或羧基其中之一，或二者都有的单体的含量为0质量%以上0.1质量%以下。
(2)如上述（1）所述的粘合片，具有3个以上碳-碳双键的光聚合性丙烯酸酯为聚氨酯丙烯酸酯。
(3)如上述（1）或（2）所述的粘合片，其基膜为离聚物树脂。
(4)一种电子部件的制造方法，包括：背面磨削工序，磨削电子部件集合体的电路图案非形成面；贴合工序，背面磨削工序之后在电子部件集合体的磨削面上贴合（1）至（3）中任意一项所述的粘合片；切割工序，贴合工序之后将电子部件集合体芯片化，切割为单个电子部件；紫外线照射工序，切割工序之后对粘合片进行紫外线照射；拾取工序，紫外线照射工序之后拾取电子部件。
使用本发明的粘合片，在电子部件制造方法中，即使在粘合到粘合片之前进行了电子部件集合体的背面磨削的情况下，也能够抑制芯片拾取成功率的降低。
具体实施方式
<用语说明>
本说明书中，“份”以及“%”，只要不进行特别的说明，均为质量基准。本说明书中，(甲基)丙烯酰基是丙烯酰基和甲基丙烯酰基的总称。(甲基)丙烯酸等含有(甲基)的化合物等同样是名称中含有“甲基”的化合物和名称中不含“甲基”的化合物的总称。光聚合性丙烯酸酯的官能团数是指1个丙烯酸酯分子中的乙烯基数量。
<粘合片>
粘合片，具有基膜以及在基膜一侧面上层叠的紫外线固化型粘合剂。
<基膜>
基膜的原材为，能够承受半导体晶圆的切割的原材，可以列举出聚氯乙烯、聚对苯二甲酸乙二酯、乙烯-醋酸乙烯共聚物、乙烯-丙烯酸-丙烯酸酯薄膜、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、热塑性烯烃类弹性体、聚乙烯、聚丙烯、聚丙烯类共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、以及通过金属离子使乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物或乙烯-(甲基)丙烯酸-(甲基)丙烯酸酯共聚物等交联而成的离聚物树脂的单体、上述物质的混合物、共聚物或多层薄膜。
基膜的原材，在上述树脂中，优选离聚物树脂。离聚物树脂中，如果使用如下离聚物树脂，则能够抑制切割时晶须状切削屑的产生，因此优选之。该离聚物树脂是通过Na+、K+、Zn2+等金属离子使含有乙烯单元、(甲基)丙烯酸单元及(甲基)丙烯酸烷基酯单元的共聚物交联而成的离聚物树脂。
基膜特别优选熔体流动速度为0.5-6.0g/10分钟(JIS K7210、210℃)，基膜特别优选熔点为80-98℃，基膜特别优选含有Zn2+离子。
基膜的成型方法，可以列举出压延成型法、T模挤出法、吹塑法及流延法，优选基膜的厚度精度良好的T模挤出法。
出于防止基膜叠加的目的，优选涂布或加入防止叠加剂或润滑剂，或在薄膜表面实施平均表面粗糙度（轮廓算术平均偏差）(Ra)5μm以下的纹理加工。此外，还优选在基膜上，涂布或加入防静电剂从而抑制静电故障，实施电晕放电或中介涂层等处理从而提高与粘合剂的密合度。
基膜的厚度优选为30μm以上，为防止拾取工序中在拉伸粘合片时粘合片发生破裂，基膜的厚度进一步优选为60μm以上。基膜的厚度优选为300μm以下，为了维持拾取工序中拉伸粘合片时的高拉伸性能，基膜的厚度进一步优选为200μm以下。
<紫外线固化型粘合剂>
紫外线固化型粘合剂含有重量平均分子量100万以上的丙烯酸酯共聚物100质量份、具有3个以上碳-碳双键的光聚合性丙烯酸酯20-200质量份、异氰酸酯固化剂0.1-10质量份。丙烯酸酯共聚物进行共聚时的单体中，混合有0.1质量%以下的具有羟基或羧基其中之一或二者都有的单体。
<丙烯酸酯共聚物>
紫外线固化型粘合剂中，重量平均分子量100万以上的丙烯酸酯共聚物为聚合了（甲基）丙烯酸烷基酯和（甲基）丙烯酸烷氧基烷基酯的物质，或者上述物质进一步与其它能够共聚的单体共同形成的共聚物。
作为丙烯酸酯共聚物的聚合所使用的（甲基）丙烯酸烷基酯以及（甲基）丙烯酸烷氧基烷基酯，可以列举出，例如（甲基）丙烯酸丁酯、（甲基）丙烯酸-2-丁酯、（甲基）丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十二烷酯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸十三烷酯、(甲基)丙烯酸十四烷酯、(甲基)丙烯酸十六烷酯、(甲基)丙烯酸十八烷酯、(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸二环戊酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯、(甲基)丙烯酸丁氧基甲酯和(甲基)丙烯酸乙氧基正丙酯的单体或上述物质的混合物。
这其中，丙烯酸甲氧基甲酯、丙烯酸乙氧基甲酯、丙烯酸-2-甲氧基乙酯、丙烯酸-2-乙氧基乙酯、丙烯酸-2-丙氧基乙酯、丙烯酸-2-丁氧基乙酯、丙烯酸-2-甲氧基丙酯、丙烯酸-3-甲氧基丙酯、丙烯酸-2-乙氧基丙酯、丙烯酸-3-乙氧基丙酯、丙烯酸-2-甲氧基丁酯、丙烯酸-3-甲氧基丁酯、丙烯酸-4-甲氧基丁酯、丙烯酸-2-乙氧基丁酯、丙烯酸-3-乙氧基丁酯、丙烯酸-4-乙氧基丁酯，其中使用丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸-2-甲氧基乙酯时，能够平衡紫外线固化型粘合剂的耐油性和抗寒性。
作为其他能够共聚的单体，可以列举出含有带羟基的官能团的单体，以及含有带羧基的官能团的单体。
作为含有带羟基的官能团的单体，可以列举，例如，(甲基)丙烯酸-2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羟基丙酯及(甲基)丙烯酸-2-羟基丁酯、2-羟基乙烯醚。
作为含有带羧基的官能团的单体，可以列举，例如，(甲基)丙烯酸、巴豆酸、马来酸、马来酸酐、衣康酸、富马酸、丙烯酰胺N-乙醇酸和肉桂酸等。
丙烯酸酯共聚物必须为，丙烯酸酯共聚物进行共聚时的单体中，具有羟基或羧基其中之一，或二者都有的单体为0质量%以上、0.1质量%以下。只要具有羟基或羧基其中之一，或二者都有的单体为0.1质量%以下，对于经背面磨削工序去除了氧化膜的电子部件集合体而言，也能够确保芯片的拾取性良好。
丙烯酸酯共聚物的重量平均分子量必须在100万以上。降低重量平均分子量，切割时容易发生紫外线固化型粘合剂沾到芯片侧面的现象。重量平均分子量为，通过凝胶渗透色谱法测量出的，用聚苯乙烯換算的平均分子量的值。
(具有3个以上碳-碳双键的光聚合性丙烯酸酯)
具有3个以上碳-碳双键的光聚合性丙烯酸酯，经紫外线照射，与紫外线聚合引发剂反应形成三维网状结构，从而使粘合剂固化，降低粘合力。
之所以限定碳-碳双键的数量在3个以上，是为了即使经紫外线照射后一段时间后，也不会发生粘合力增加和拾取不良的现象。碳-碳双键的数量在3个以上时，往往经过紫外线照射形成的三维网状结构随时间的变化不大。
具有3个以上碳-碳双键的光聚合性丙烯酸酯的数均分子量，优选3000以下。具有3个以上不饱和键的丙烯酸酯的数均分子量很高时，与被贴附体的整合性不好，切割工序时，往往产生电子部件飞散，即芯片飞散的现象。所述数均分子量为，通过凝胶渗透色谱法测量出的，用聚苯乙烯換算的值作为数均分子量。
作为具有3个以上碳-碳双键的丙烯酸酯，可以列举出，例如，三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯低聚物、聚酯丙烯酸酯低聚物、聚氨酯丙烯酸酯低聚物，其中，优选聚氨酯丙烯酸酯低聚物。
具有3个以上碳-碳双键的丙烯酸酯，相对于(甲基)丙烯酸酯共聚物100质量份，其混合量优选20～200质量份。此混合比过小时，往往使得紫外线照射后的紫外线固化型粘合剂的固化不充分而导致拾取不良，此混合比过大时，切割时往往使粘合剂沾到芯片侧面。
(异氰酸酯固化剂)
异氰酸酯固化剂，用于设定紫外线照射前粘合片的初期粘合力，具体来说，是有多个异氰酸酯基的化合物。
作为具有多个异氰酸酯基的化合物，可以列举出，例如，2,4-甲苯二异氰酸酯、2,6-甲苯二异氰酸酯、1,3-二甲苯二异氰酸酯、1,4-二甲苯二异氰酸酯、二苯甲烷-4,4'-二异氰酸酯、二苯甲烷-2,4'-二异氰酸酯、3-甲基二苯甲烷二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、二环己基甲烷-4,4'-二异氰酸酯、二环己基甲烷-2,4'-二异氰酸酯、赖氨酸异氰酸酯、亚苯基二异氰酸酯、甲苯二异氰酸酯、二苯基甲烷二异氰酸酯、环己烷二异氰酸酯、三羟甲基丙烷加成物，与水反应了的缩二脲类化合物，或具有异氰脲酸酯环的三聚体，以上化合物不仅可为单体，也可为混合物。
异氰酸酯固化剂的混合量，相对于(甲基)丙烯酸酯共聚物100质量份，为0.1-10质量份。此混合比过小时，切割时往往使粘合剂沾到芯片侧面，此混合比过大时，往往会使粘合剂固化从而容易发生切割时芯片飞散的现象。
(其他成分)
在紫外线固化型粘合剂中，对上述混合组成不产生技术上不良影响的范围内，可以添加增粘树脂、光聚合引发剂、热聚合抑制剂、填充剂、抗老化剂、柔软剂、稳定剂、或者着色剂等。关于光聚合引发剂，虽然并不限定于此，可以相对于(甲基)丙烯酸酯共聚物100质量份为0.5～10质量份。
<粘合片的制造方法>
在基膜上层压形成紫外线固化型粘合剂层的方法，可以列举出，用涂布机直接涂布的方法，将二者贴合在一起的方法，或者印刷的方法。关于用涂布机直接涂布的方法，可以列举出凹版涂布机、逗号涂布机、棒式涂布机、刮刀涂布机或辊式涂布机。关于贴合方法有，在进行了硅酮处理的剥离薄膜上涂布粘合剂后，贴合到基膜上的方法。关于印刷方法有，通过凸版印刷、凹版印刷、平版印刷、柔性版印刷、胶版印刷或丝网印刷等在基膜上印刷粘合剂的方法。
粘合片中紫外线固化型粘合剂的厚度，虽然没有特别限定，但优选干燥后的厚度为1～100μm。
<电子部件的制造方法>
电子部件的制造方法，包括：背面磨削工序，磨削电子部件集合体的背面（电路图案非形成面）；贴合工序，背面磨削工序之后在电子部件集合体的磨削面上贴合上述粘合片；切割工序，贴合工序之后将电子部件集合体芯片化，切割为单个电子部件；紫外线照射工序，切割工序之后对粘合片进行紫外线照射；拾取工序，紫外线照射工序之后拾取电子部件。
电子部件集合体为，在半导体晶圆或电路基板材料上形成了电路图案的电子部件集合体。
磨削电子部件集合体的背面使之变薄的背面磨削工序，一般为，将厚度为625μm至775μm的电子部件集合体磨薄成厚度为200μm至50μm的工序。
贴合工序为，向进行了磨削的电子部件集合体的背面贴合粘合片的粘合剂塗布面，将电子部件集合体固定在粘合片上的工序。
切割工序为，将粘合片上粘贴的电子部件集合体用旋转圆形刀片切割成单个电子部件的方法。因为电子部件也叫芯片，这一过程也被称为芯片化。
紫外线照射工序为，通过对粘合片进行紫外线照射，使光聚合引发剂与具有不饱和键的紫外线聚合化合物发生反应，使之形成三维网状结构，由此使粘合剂固化，降低其粘合力。
紫外线光源有、紫外光灯、低压水银灯、高压水银灯、超高压水银灯、金属卤化物灯或准分子灯。紫外线的照射光量，一般优选5mJ/cm2以上1000mJ/cm2以下。紫外线的照射光量过少时，往往引起紫外线固化型粘合剂固化不充分，使得拾取性降低，紫外线的照射光量过多时，往往引起固化过快，使得拾取前电子部件从粘合片上剥离。
拾取工序中，根据需要，有拉伸粘合片，从粘合片一侧用针将芯片推起，用真空筒或真空镊子等吸附的拾取方法。
实施例
以下将列举实施例以及对比例，对本发明进行进一步的说明，但本发明并不限于下述实施例。
[粘合片]
使用以下所述基膜和紫外线固化型粘合剂，制造了实施例及对比例中的各种粘合片。
<基膜>
基膜为，乙烯－甲基丙烯酸－甲基丙烯酸烷基酯共聚物的Zn盐为主体的离聚物树脂，具体采用了，熔体流动速度为1.5g/10分钟(JISK7210，210℃)、熔点为96℃、含有Zn2+离子的薄膜，产品名为Himilan1650(注册商标，三井·杜邦聚化工公司DUPONT-MITSUIPOLYCHEMICALS CO.,LTD)，厚度为100μm。
<紫外线固化型粘合剂>
如下所述，紫外线固化型粘合剂为，混合有(甲基)丙烯酸酯共聚物100质量份、具有3个以上碳-碳双键的光聚合性丙烯酸酯20-200质量份、异氰酸酯固化剂0.1-10质量份和光聚合引发剂3质量份的物质。将紫外线固化型粘合剂涂布在基膜上，使粘合片上粘合剂糊的厚度为10μm。
〔(甲基)丙烯酸酯共聚物〕
A：丙烯酸正丁酯30质量%、丙烯酸乙酯50质量%、丙烯酸-2-甲氧基乙酯20质量%的共聚物，Tg=-38.54℃、重量平均分子量130万
B：丙烯酸正丁酯30质量%、丙烯酸乙酯50质量%、丙烯酸-2-甲氧基乙酯20质量%的共聚物，Tg=-38.54℃、重量平均分子量90万
C：丙烯酸正丁酯30质量%、丙烯酸乙酯50质量%、丙烯酸-2-甲氧基乙酯19.95质量%、丙烯酸-2-羟基乙酯0.05质量%的共聚物，Tg=-38.52℃、重量平均分子量130万
(含有羟基的单体0.05质量%)
D：丙烯酸正丁酯30质量%、丙烯酸乙酯50质量%、丙烯酸-2-甲氧基乙酯19.8质量%、丙烯酸-2-羟基乙酯0.2质量%的共聚物，Tg=-38.47℃、重量平均分子量130万
(含有羟基的单体0.2质量%)
E：丙烯酸正丁酯30质量%、丙烯酸乙酯50质量%、丙烯酸-2-甲氧基乙酯19.8质量%、丙烯酸0.2质量%的共聚物，Tg=-38.33℃、重量平均分子量130万
(含有羧基的单体0.2质量%)
F：丙烯酸正丁酯30质量%、丙烯酸乙酯50质量%、丙烯酸-2-甲氧基乙酯19.92质量%、丙烯酸0.04质量%、丙烯酸-2-羟基乙酯0.04质量%的共聚物，Tg=-38.48℃、重量平均分子量130万
(含有羟基的单体0.04质量%、含有羧基的单体0.04质量%)
〔具有碳-碳双键的光聚合性丙烯酸酯〕
G：由异佛尔酮二异氰酸酯与季戊四醇三丙烯酸酯合成的聚氨酯丙烯酸酯(碳-碳双键6个)
H：三羟甲基丙烷三丙烯酸酯(碳-碳双键3个)
I：由异佛尔酮二异氰酸酯与丙烯酸-2-羟基乙酯合成的聚氨酯丙烯酸酯(碳-碳双键2个)
(异氰酸酯固化剂〕
亚甲基二异氰酸酯与二醇的反应生成物(日本聚氨酯工业株式会社制CORONATE 2067)
(光聚合引发剂〕
苄基二甲基缩酮
<粘合片的评价>
通过以下工序(1)-(5)，在使用上述粘合片将形成了电路图案的电子部件集合体固定在硅晶圆上，切割为单个电子部件(芯片)，拾取电子部件过程中，对芯片飞散(芯片保持性)、拾取性、以及残留渣浆进行评价。
(1)背面磨削工序
作为电子部件集合体，使用形成了多个电路图案的8英寸的硅晶圆。对该硅晶圆进行背面磨削，直至其厚度为100μm。
(2)贴合工序
背面磨削工序后1小时内将粘合片贴在电子部件集合体的磨削面上。
(3)切割工序
贴合工序后将电子部件集合体芯片化为单个电子部件的切割工序中，从电子部件集合体的上表面到底面，进行穿透切割，向粘合片的切入量为30μm。芯片化时，在其上表面的大小为10mm×10mm。切割装置使用了DISCO公司制DAD341。切割刀片使用DISCO公司制NBC-ZH2050-27HEEE。切割刀片形状为，外径55.56mm、刃宽35μm、内径19.05mm，切割刀片转数为40,000rpm、切割刀片推进速度为80mm/秒、切割时的切削水流温度为25℃、切削水量为1.0L/分钟。
(4)紫外线照射工序
切割工序后向粘合片照射紫外线的紫外线照射工序中，作为紫外线的光源，采用高压水银灯，紫外线照射光量为150mJ/cm2。
(5)拾取工序
紫外线照射工序后拾取电子部件的拾取工序中，从粘合片一侧将被芯片化的电子部件用针销推起后，用真空筒将芯片吸附，从粘合片上取出芯片。拾取装置使用canon-machinery公司制CAP-300II。此时针销形状为250μmR、针销数为5、针销推起高度为0.5mm、拉伸量为8mm。
〔芯片飞散〕
芯片飞散用切割工序后粘合片上保持的电子部件的残存率来评价。
优:芯片残存率为95%以上。
良：芯片残存率为90%以上小于95%。
差：芯片残存率为小于90%。
良以上为合格。
〔拾取性〕
拾取性用背面磨削工序后1小时以内贴上切割胶带，此后进行切割/UV照射，实施拾取工序时拾取成功的芯片的比例来评价。
优：拾取成功率为95%以上。
良：拾取成功率为90%以上小于95%。
差：拾取成功率为小于90%。
良以上为合格。
〔残留渣浆〕
残留渣浆用拾取工序后目测电子部件侧面确认存在粘合剂的芯片所占比例来评价。
优：粘合剂存在比例为小于5%。
良：粘合剂存在比例为5%以上小于10%。
差：粘合剂存在比例为10%以上。
良以上为合格。
表1显示了紫外线固化型粘合剂的组成以及评价结果。表1中，“含有官能团的单体”为，含有羟基或者羧基的其中之一，或二者都有的单体，数字表示具有该官能团的单体的混合比(质量%)。
[表1]
如表1所示，实施例1在芯片飞散、拾取性、残留渣浆各项中，任何一项都能够得到优秀的评价。
实施例2除了将丙烯酸酯共聚物成分从A替换为C之外，与实施例1相同。实施例3除了将实施例1中具有碳-碳双键的光聚合性丙烯酸酯从G替换为H以外，与实施例1相同。实施例2、3两者在芯片飞散和残留渣浆方面的评价都为优秀，拾取性也在合格范围内。
实施例4除了将实施例1中丙烯酸酯共聚物成分从A替换为F以外，与实施例1相同。实施例4在芯片飞散和残留渣浆方面的评价为优秀，拾取性也在合格范围内。
对比例1是将实施例1的具有碳-碳双键的光聚合性丙烯酸酯G的混合比由100质量%变为15质量%。因为此混合比过低，芯片飞散的评价变为良，拾取性的评价变为差。
对比例2是将实施例1中具有碳-碳双键的光聚合性丙烯酸酯G的混合比由100质量%变为220质量%。因为此混合比过高，拾取性及残留渣浆的评价都变为差。
对比例3是将实施例1中异氰酸酯固化剂的混合比由2质量份变为0.07质量份。因为异氰酸酯固化剂的混合比过低，虽然拾取性为良，但是残留渣浆变为差。
对比例4是将实施例1中异氰酸酯固化剂的混合比由2质量份变为12质量份。因为异氰酸酯固化剂的混合比过高，芯片飞散的评价变为差。
对比例5是，除了将实施例1中丙烯酸酯共聚物成分从A替换为B，其重量平均分子量从130万变为90万以外，与实施例1相同。因为丙烯酸酯共聚物成分的重量平均分子量过低，其拾取性以及残留渣浆的评价为差。
对比例6是，除了将实施例1中丙烯酸酯共聚物成分从A替换为D，其含有官能团的单体从0质量%变为0.2质量%以外，与实施例1相同。因为丙烯酸酯共聚物成分中含有官能团的单体的量过多，拾取性为差。
对比例7是，除了将实施例1中丙烯酸酯共聚物成分从A替换为E，含有官能团的单体从0质量%变为0.2质量%以外，与实施例1相同。因为丙烯酸酯共聚物成分中含有官能团的单体的量过多，拾取性变为差。
对比例8是，除了将实施例1中具有碳-碳双键的光聚合性丙烯酸酯G变为I以外，与实施例1相同。因为具有碳-碳双键的光聚合性丙烯酸酯的官能团数过少，拾取性变为差。

Claims (4)

1.一种粘合片，具有基膜，以及在基膜上层叠的紫外线固化型粘合剂，其特征在于，紫外线固化型粘合剂含有重量平均分子量100万以上的丙烯酸酯共聚物100质量份、具有3个以上碳-碳双键的光聚合性丙烯酸酯20-200质量份、异氰酸酯固化剂0.1-10质量份，丙烯酸酯共聚物进行共聚时的单体中，具有羟基或羧基其中之一，或二者都有的单体的含量为0质量%以上0.1质量%以下。
2.如权利要求1所述的粘合片，其特征在于，具有3个以上碳-碳双键的光聚合性丙烯酸酯为聚氨酯丙烯酸酯。
3.如权利要求1或2所述的粘合片，其特征在于，基膜为离聚物树脂。
4.一种电子部件的制造方法，其特征在于，包括：背面磨削工序，对电子部件集合体的电路图案非形成面进行磨削；贴合工序，背面磨削工序之后在电子部件集合体的磨削面上贴合权利要求1至3中任意一项所述的粘合片；切割工序，贴合工序之后将电子部件集合体芯片化，切割为单个电子部件；紫外线照射工序，切割工序之后对粘合片进行紫外线照射；拾取工序，紫外线照射工序之后拾取电子部件。
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