JP2007088240A - 半導体ウェハダイシング用粘着テープ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】少なくとも1層のフィルム層からなる基材フィルムの片面に粘着剤を塗布した半導体ウェハダイシング用粘着テープであって、前記フィルム層がアイオノマー樹脂100質量部と、可塑性エラストマーであるスチレン・ブタジエン共重合体の水素添加物10〜300質量部との樹脂組成物からなり、前記アイオノマー樹脂がエチレン、(メタ)アクリル酸、及び(メタ)アクリル酸アルキルエステルを主な重合体構成成分とする3元共重合体の金属イオン架橋体である半導体ウェハダイシング用粘着テープ。
【選択図】なし
Description
また、ダイシング後の次工程では、個々のチップを半導体ウェハダイシング用粘着テープからピックアップし、リードフレームにマウントする処理が行われ、このときダイシングテープを放射状に伸展することによって均一にチップ間隔を広げる、いわゆるエキスパンドした状態で、個々の素子を粘着テープ上よりピックアップする方式が採用されている。
同基材フィルムは、エキスパンド性など基材フィルムの伸張性、ピックアップ性などは良好である。しかし、切断するSiウェハの厚さが厚いとダイシング時にテープの基材フィルムからヒゲ状切削屑が発生しないものの、Siウェハの厚さが薄くとなるとダイシング時にテープの基材フィルムからヒゲ状切削屑が発生する。このヒゲ状切削屑がSiチップに付着すると後工程であるワイヤーボンディング工程において、配線作業時に断線不良などが発生し、歩留りが大きく低下する。
近年では、Siウェハの裏面研削直後にダイシングテープを貼合したり、ウェハとダイシンクテープを加熱条件による環境において貼合したりするなど紫外線硬化後のピックアップ時の負荷も更に大きくなり、上記のようにウェハの薄膜化により、チップのテープからの剥離が難しくなってきている。したがって、ダイシングテープに使われる基材フィルムには、突上げピンの凹凸を柔軟に吸収する柔軟性も要求されている。
(1)少なくとも1層のフィルム層からなる基材フィルムの片面に粘着剤を塗布した半導体ウェハダイシング用粘着テープであって、前記フィルム層がアイオノマー樹脂100質量部と、可塑性エラストマーであるスチレン・ブタジエン共重合体の水素添加物10〜300質量部との樹脂組成物からなり、前記アイオノマー樹脂がエチレン、(メタ)アクリル酸、及び(メタ)アクリル酸アルキルエステルを主な重合体構成成分とする3元共重合体の金属イオン架橋体であることを特徴とする半導体ウェハダイシング用粘着テープ。
(2)前記基材フィルムが少なくとも1層からなり、前記基材フィルムのヤング率を50〜200MPaとしたことを特徴とする(1)記載の半導体ウェハダイシング用粘着テープ。
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明の半導体ウェハダイシング用粘着テープに用いられる基材フィルムの厚さは、特に限定されないが、好ましくは基材フィルムの総厚さとして60〜200μmである。基材フィルムに用いる樹脂は、粘着剤との接着性の高いものが好ましい。基材フィルムと粘着剤との密着強度を十分に保ち、ダイシング時に基材フィルムと粘着剤から剥離することがないよう、アンカー処理やコロナ処理などのように基材フィルムの下地処理を行ってもよい。
アイオノマー樹脂と熱可塑性エラストマーとを含むフィルム層においては、本発明の効果を妨げなければ、その他の樹脂、添加剤などを含有させてもよい。また、通常の方法により樹脂組成物として混合しフィルム形成することができるが、その際に溶媒などを用いることを妨げるものではない。
また、アイオノマー樹脂および熱可塑性エラストマーはそれぞれ単独で含有させても、2種以上を組み合わせて含有させてもよい。
アイオノマー樹脂は、他に、エチレン、(メタ)アクリル酸を、主な重合体構成成分とする2元共重合体で、金属イオン架橋させた樹脂もある。しかしながら、同樹脂は非常に硬くまた、フィルムの引張試験において、降伏点が発生し、エキスパンド工程での均一なダイシングテープの伸張性がない。したがって、本発明の半導体ウェハダイシング用粘着テープにおいては、上述した3元構成成分による共重合体を用いる。
また、ポリオレフィン樹脂(例えば、エチレン−酢酸ビニル共重合体、低密度ポリエチレン(LD)、高密度ポリエチレン(HD)などのポリエチレンや、ポリプロピレンなど)もあるが、これらの樹脂とエラストマーとを混合配合しても本発明の効果は得られない。
このように、アイオノマー樹脂と熱可塑性エラストマーを混合することにより、適度な拡張性と柔軟性が得られる。さらに、アイオノマー樹脂単独では融点が低く(98℃)ヒゲ状切削屑を発生する点についても相乗的に解決しうるものである。
アイオノマー樹脂と熱可塑性エラストマーとの樹脂組成物からなるフィルム層と他成分フィルム層の厚さに特に制限はないが、アイオノマー樹脂と熱可塑性エラストマーとの樹脂組成物からなるフィルム層の厚さの合計を100としたとき、他成分フィルム層の厚さの合計を5〜50とすることが好ましい。
また、アイオノマー樹脂と熱可塑性エラストマーとの樹脂組成物からなるフィルム層は、粘着剤と接触する面を構成する層(粘着剤接触層)とすることが好ましく、他成分フィルム層は、その他の構成層、例えば、エキスパンドリングに接触する面を構成する層(エキスパンドリング接触層)としてもよい。
アイオノマー樹脂(ハイミラン(HM)1855(商品名)、三井デュポン社製)100質量部に対し、熱可塑性エラストマー(HSBR、水素添加スチレン・ブタジエン共重合体、ダイナロン1320P(商品名)、JSR社製)10質量部を混合し、単層構成で、厚さ100μmの基材フィルムを作製した。
この基材フィルムに下記のとおり調製した紫外線硬化性粘着剤を乾燥後の粘着剤塗布厚さが10μmとなるように塗布して本発明の粘着テープAを得た。
(粘着剤の調製)
ブチルアクリレート、2−ヒドロキシエチルアクリレートを主成分としたアクリル系共重合体(ガラス転移点:−30℃、重量平均分子量:50万)100質量部に対して、放射性重合性化合物(ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート)を150質量部、イソシアネート系硬化剤(日本ポリウレタン社製、商品名コロネート−L)を3質量部、光重合性開始剤(α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン)を1質量部混合して、紫外線硬化性粘着剤を作製した。
熱可塑性エラストマーを100質量部とした以外、実施例1と同様にして本発明の粘着テープBを得た。
熱可塑性エラストマーを300質量部とした以外、実施例1と同様にして本発明の粘着テープCを得た。
予めアイオノマー樹脂(ハイミラン(HM)1855(商品名)、三井デュポン社製)100質量部に対し、熱可塑性エラストマー(HSBR、水素添加スチレン・ブタジエン共重合体、ダイナロン1320P(商品名)、JSR社製)10質量部を混合した樹脂組成物を作製した。その後、当該組成物層の厚さを90μmとした粘着剤接触層上に、厚さ10μmのエチレンメタアクリル酸共重合樹脂(ニュクレルAN4213C(商品名)、三井デュポン社製、MFR:10、融点:88℃)層を共押出で形成し、厚さ100μmの基材フィルムを作製した。この基材フィルムに、実施例1に記載した紫外線硬化性粘着剤を乾燥後の粘着剤塗布厚みが10μmとなるように塗布して本発明の粘着テープDを得た。
熱可塑性エラストマーを100質量部とした以外、実施例4と同様にして本発明の粘着テープEを得た。
熱可塑性エラストマーを300質量部とした以外、実施例4と同様にして本発明の粘着テープFを得た。
熱可塑性エラストマーの含有量を0、5、315、または400質量部とした以外、実施例1と同様にして比較のための粘着テープG、H、I、またはJを得た。
熱可塑性エラストマーの含有量を0、5、315、または400質量部とした以外、実施例4と同様にして比較のための粘着テープK、L、M、またはNを得た。
粘着テープA〜Nの粘着剤面に、表面保護フィルムとして、PET基材(厚さ:25μm)の片側にシリコン離型剤を塗布したセパレータを貼り付けた。このようにして、作製した粘着テープ試料について、以下のとおり試験を行った。
試験片(基材フィルム)として、サイズ:25mm幅、100mm長さを用意し、引張試験装置であるストログラフVE10D((株)東洋精機製作所社製)のチャック(チャックと称する試験片固定用冶具)間に固定し下記の条件で、同基材フィルムが破断するまで試験を行った。なお試験方向は、引っ張る方向を基材フィルムのMD方向とした。
(ヤング率測定条件)
チャック間距離(標線間距離):50mm
引張速度(試験速度):300mm/min
ヤング率:応力−ひずみ曲線における初期の直線部分に対する接線の傾きの平均値
以下の条件で半導体ウェハのダイシング試験を行った。
(ダイシング試験条件)
ダイシング装置 :DISCO社製 DAD−340(商品名)
ブレード :DISCO社製 NBC−ZH2050 27HEDD(商品名)
ブレード回転数 :40000rpm
切削速度 :100mm/sec
切り込み厚さ :30μm
切削水量 :1.2リットル/min
切削水設定温度 :18℃
ダイシングサイズ :5mm角
ウェハ :Siベアウェハ
ウェハサイズ :直径6インチ
ウェハ厚み :200μm
ウェハの裏面研削粗さ:#2000研磨面
上記のように半導体ウェハのダイシング試験を行い、以下のようにヒゲ状切削屑の発生を確認した。
測定対象:切断した全チップ上に発生したヒゲ状切削屑の発生量(個数)
ヒゲ状切削屑の発生は、下記のとおり、ヒゲ状切削屑の長さによって2つに区別し、それぞれの発生量を確認して、判定を行った。異なる判定結果となった場合は、より悪い方の判定結果を当該項目の判定とした。
−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
ヒゲ状切削屑の長さ ◎ ○ ×
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100μm未満長さ 0個 1個以上9個以下 10個以上
100μm以上長さ 0個 1個以上4個以下 5個以上
−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
上記の条件でダイシングし、以下の条件で、エキスパンド性を確認した。
紫外線(UV)照射装置によりテープに貼合されたSiウェハをテープ側からUV照射した。その後、ピックアップダイボンダー装置を用いて、エキスパンド工程により個々に切断されたチップ間隔を拡張した。ダイシングしUV照射した後、エキスパンド前のチップ−チップ間の距離(カーフ幅)を100%とし、エキスパンド後のチップ−チップ間の距離の増加率(開口率)を測定した。このときウェハ中の任意の20チップの間隔において測定し平均開口率とした。
(UV照射条件)
UV照射装置 :古河電気工業社製 UVM−200(商品名)
UV照射ランプ :ウシオ電機社製、高圧水銀灯 UVL2000RS(商品名)
UV照射量 :500mJ(照度:40mW/cm2 、照射時間:12.5秒)
(エキスパンド条件)
ピックアップダイボンダー装置:ニチデン機械社製 CPS−100FM(商品名)
エキスパンド時のテープ引落し量:10mm
エキスパンド性に関しては、エキスバド時のチップ−チップ間の平均開口率が、40%未満のものを×とし、40以上100%未満のものを○とし、100%以上のものを◎とした。また、そのバラツキについては、開口率10%未満の発生が1つでも確認された場合×とし、平均開口率が◎もしくは○であっても、当該項目の判定を×とした(これは、バラツキの増加とともに、ほとんど開口しない不具合箇所の発生を示すものである。)。
(ピックアップ条件)
ピン先端形状:R250μm
突上げピン数:4本
ピン間隔:8mm(□形状にピンを配置)
ピックアップ速度:60mm/sec
ピン突上げ高さ:200μm
上記のピックアップ条件で、各テープで処理したチップをピックアップした。この時の試験回数を20回とし、80個のチップをピックアップして行った。
正常にピックアップができたチップの個数が91〜100%のとき○とし、51〜90%のとき△とし(実用上、条件付きで使用可能なレベル)、0〜50%のとき×とした(実用上、問題のあるレベル)。
実用上、問題なく使用できるレベル :◎
実用上、限定して使用可能なレベル :○
実用上、問題があり使用できないレベル :×
Claims (2)
- 少なくとも1層のフィルム層からなる基材フィルムの片面に粘着剤を塗布した半導体ウェハダイシング用粘着テープであって、前記フィルム層がアイオノマー樹脂100質量部と、可塑性エラストマーであるスチレン・ブタジエン共重合体の水素添加物10〜300質量部との樹脂組成物からなり、前記アイオノマー樹脂がエチレン、(メタ)アクリル酸、及び(メタ)アクリル酸アルキルエステルを主な重合体構成成分とする3元共重合体の金属イオン架橋体であることを特徴とする半導体ウェハダイシング用粘着テープ。
- 前記基材フィルムが少なくとも1層からなり、前記基材フィルムのヤング率を50〜200MPaとしたことを特徴とする請求項1記載の半導体ウェハダイシング用粘着テープ。
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