JPH05156219A - 半導体ウエハ固定用粘着テープ - Google Patents

半導体ウエハ固定用粘着テープ

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JPH05156219A
JPH05156219A JP34885791A JP34885791A JPH05156219A JP H05156219 A JPH05156219 A JP H05156219A JP 34885791 A JP34885791 A JP 34885791A JP 34885791 A JP34885791 A JP 34885791A JP H05156219 A JPH05156219 A JP H05156219A
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adhesive
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Shinichi Ishiwatari
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Kazushige Iwamoto
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 基材フィルムの片側に放射線硬化性粘着剤層
を設けてなる半導体ウエハ固定用粘着テープにおいて、
前記基材フィルムが、中心層としてエチレン−メタアク
リル酸共重合体の分子間を亜鉛イオンで架橋したアイオ
ノマー樹脂フィルム層を有し、この層に対し接着層を介
して、または直接、放射線硬化性粘着剤層側に粘着剤塗
布層、他方側に転写防止層を有する積層フィルムである
ことを特徴とする半導体ウエハ固定用粘着テープ。 【効果】 放射線照射後の粘着テープはゴム状弾性(柔
軟性)を維持し延伸性が優れていると同時に放射線照射
による基材フィルム劣化による破断が起こらないため粘
着テープによる素子間隙の大幅で均一な拡大が可能とな
り、素子小片の画像認識が容易となる。また、ピックア
ップ時の熱による破断も起こらない。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、各種半導体を製造する
工程において使用する粘着テープに関し、さらに詳しく
いえば、例えばパターンを形成したウエハを一つ一つの
パターン毎に切断し半導体素子として分割する際に使用
する半導体ウエハ固定用の放射線硬化性粘着テープに関
するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、回路パターンの形成された半導体
ウエハを素子小片に切断分離するダイシング加工を行う
際は、放射線硬化性粘着テープを用いるピックアップ方
式が提案されている。
【0003】これは放射線、例えば紫外線のような光、
または電子線のような電離性放射線を透過する基材フィ
ルムと、この基材フィルム上に塗工された放射線照射に
より硬化する性質を有する粘着剤層とからなる半導体ウ
エハ固定用粘着テープを用いる方式で、詳しくはこの粘
着テープを半導体ウエハに貼着しダイシング加工時には
素子固定粘着力を強固に保ち、半導体ウエハを素子小片
に切断分離後には基材フィルム側より放射線照射を行い
放射線硬化型粘着層を硬化させて素子固定粘着力を大幅
に低下させて、素子小片の大きさに関係なく例えば25mm
2 以上の大きな素子であっても容易にピックアップする
ことができるようにした方式である。この方式は、放射
線透過性の基材フィルム上に放射線硬化性粘着剤を塗工
した半導体ウエハ固定用粘着テープの粘着剤層中に含ま
れる放射線硬化性化合物を放射線照射によって硬化させ
粘着剤に三次元網状化構造を与えて、その流動性と粘着
性を著しく低下させる原理に基づくものである。
【0004】しかし、このような粘着テープでは放射線
硬化性化合物の硬化反応により粘着剤を硬化させて三次
元網状化構造を与え粘着力を低下させるため、ダイシン
グ加工時に有していた粘着テープのゴム状弾性がピック
アップ時には殆ど無くなってしまう結果となる。このた
め、従来行われていた粘着テープの放射状延伸による素
子間隙の拡大ができなくなる場合がある。
【0005】この問題を解決するため、軟質ポリ塩化ビ
ニル(PVC)を基材フィルムの中心層とするものがす
でに実用化されているが、ポリ塩化ビニルは塩素系樹脂
であり、しかも金属化合物からなる安定剤や可塑剤を含
有しているため、塩素イオン、金属イオン、可塑剤など
が移行して半導体ウエハの表面を汚染する原因となるこ
とがあった。
【0006】そこで、特開昭63−17980号に開示
されるようにエチレン−アクリル酸共重合体等の重合体
構成単位としてカルボキシル基を有する化合物を含む重
合体からなる基材フィルム上に放射線硬化性粘着剤を塗
工してなる粘着テープが提案された。しかし、この粘着
テープは、3×3mm程度の小チップに分割する場合、放
射線照射前の延伸では、素子間隙の素子同士の接触を防
止するに足りるだけの拡大は可能であるが、放射線照射
後の延伸においても画像認識をともなうピックアップ装
置にて必要とされる素子小片の大幅で均一な間隙量をと
るには、放射線照射後の延伸時に、放射線照射による基
材フィルム劣化による破断が起こるなど特性として不十
分なものであった。
【0007】一方、特開平2−215528号に開示さ
れるように、ゴム状弾性を有する熱可塑性樹脂例えば、
ポリブテン−1、ポリウレタン、ポリエステルエラスト
マー、1,2−ポリブタジエン、スチレン−イソプレン
−スチレン共重合体の水添物、スチレン−エチレン−ブ
テン−スチレン共重合体(SEBS)を中心層とする積
層フィルムを基材フィルムとする粘着テープが提案され
た。しかし、これらの粘着テープの中には、、放射線照
射後の延伸においても画像認識をともなうピックアップ
装置にて必要とされる素子小片の大幅で均一な間隙量を
とるには、基材フィルム自体のネッキング(フィルム延
伸時、力の伝播性不良による部分的な伸びの発生)や放
射線照射による基材フィルムの劣化に伴うゴム状弾性の
喪失など特性として不十分なものがあった。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の問題
点を解決した半導体ウエハ固定用粘着テープを提供する
ことを目的とする。すなわち、本発明においては基材フ
ィルムの中心層の材質につき鋭意検討し、放射線照射後
の粘着テープにおいてゴム状弾性(柔軟性)を維持する
と同時に放射線照射による基材フィルム劣化による破断
が起こらないため、放射線照射後の粘着テープ延伸によ
る素子間隙の大幅で均一な拡大を行うことができ、ピッ
クアップ時の熱による破断も起こらない半導体ウエハ固
定用粘着テープを提供するものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、基材フィル
ムの中心層としてエチレン−メタアクリル酸共重合体の
分子間を亜鉛イオンで架橋したアイオノマー樹脂を有す
るものが、放射線照射後の粘着テープ延伸による素子間
隙の大幅で均一な拡大を可能にし、ピックアップ時に用
いるダイボンダーの熱による基材フィルムの破断を起き
ないことを見出し、この知見に基づき本発明をなすに至
った。
【0010】すなわち本発明は、基材フィルムの片側に
放射線硬化性粘着層を設けてなる半導体ウエハ固定用粘
着テープにおいて、前記基材フィルムが、中心層として
エチレン−メタアクリル酸共重合体の分子間を亜鉛イオ
ンで架橋したアイオノマー樹脂フィルム層を有し、この
層に対し接着層を介して、または直接、放射線硬化性粘
着剤層側に粘着剤塗布層、他方側に転写防止層を有する
積層フィルムであることを特徴とする半導体ウエハ固定
用粘着テープを提供するものである。本発明において放
射線とは、紫外線のような光線、または電子線などの電
離性放射線をいう。
【0011】本発明におけるアイオノマ−樹脂として
は、エチレン−メタアクリル酸共重合体の分子間を亜鉛
イオンで架橋したもの、上記共重合体に必要に応じてカ
ルボキシル基などの官能基を含む無水マレイン酸などの
低分子を付加または置換し変性した変性体等従来公知の
もの、あるいはこれらの混合物等が用いられ、基材フィ
ルムの要求特性、コストなどの諸事情に応じて樹脂の種
類、混合比率を任意に選択することができる。
【0012】本発明のエチレン−メタアクリル酸共重合
体の分子間を亜鉛イオンで架橋したアイオノマ−樹脂に
おいて、分子間を架橋する金属を亜鉛に限定した理由
は、ウエハの特性(主として電気特性)に悪影響を及ぼ
すことがないからである。尚、本発明のエチレン−メタ
アクリル酸共重合体の分子間を亜鉛イオンで架橋したア
イオノマ−樹脂は、後述するブレンド組成での相溶性、
複層、積層構造での層間接着力を高めるため、アクリル
酸、アクリロニトリル、酢酸ビニルなどのモノマーをさ
らに共重合させたものでも良い。
【0013】また、本発明における基材フィルムの中心
層は、アイオノマー樹脂に他の樹脂をブレンドした組成
物からなるブレンド樹脂を用いることができる。本発明
のエチレン−メタアクリル酸共重合体の分子間を亜鉛イ
オンで架橋したアイオノマー樹脂とブレンドしうる樹脂
は、エチレン−メタアクリル酸共重合体の分子間を亜鉛
イオンで架橋したアイオノマー樹脂と相溶性があり、か
つ放射線透過性が良好な樹脂であれば特に制限されるも
のではない。
【0014】例えば、低密度ポリエチレン、直鎖低密度
ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン
共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリメチル
ペンテン、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−
メタアクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステ
ル共重合体、エチレン−メタアクリル酸エステル共重
体、エチレン−プロピレン−ジエン共重合体、スチレン
−イソプレン共重合体、スチレン−ブタジエン共重合、
スチレン−エチレン−ブテン共重合体などの単独重合
体、共重合体等従来公知のものあるいはこれらの混合
物、または他の樹脂及びエラストマーとの混合物等が挙
げられ基材フィルムの要求特性、コストなどの諸事情に
応じて樹脂の種類、50wt%以下でのブレンド比率を任意
に選択することができる。尚、粘着剤塗布層、転写防止
層との接着性に優れた樹脂をブレンドすると粘着テープ
を延伸した時、層間剥離を起こし難いので好ましい。
【0015】本発明の樹脂を調製するために混合手段と
しては、加熱ロール、バンバリーミキサー等が一般に採
用される。以上のような混合手段を用いると混合が容易
であるとともに確実であるので得られた基材フィルムは
折り曲げても白化現象はないという効果も有している。
【0016】また本発明において中心層となるアイオノ
マー樹脂フィルムと他の樹脂からなるフィルムとの複層
フィルムを中心層として用いることができる。複層とす
るためのフィルムは、例えば、相溶性のある樹脂、相溶
し難いが要求を満たす樹脂等従来公知のもの、あるいは
これらの混合物等からなるもので、基材フィルムの要求
特性、コストなどの諸事情に応じて任意に選択される。
また、このフィルムの厚みは、アイオノマー樹脂からな
るフィルムの厚み以下で任意に選択することができる特
にアイオノマー樹脂、粘着剤塗布層あるいは転写防止層
との接着性に優れた樹脂からなるフィルムを用いて複層
フィルムとすると、これを中心層として用いた粘着テー
プは延伸した時に層間剥離を起こし難いので好ましい。
【0017】この複層フィルムの製法としては、従来公
知の共押出法、ラミネート法などが用いられ、この際通
常のラミネートフィルムの製造で通常行われているよう
に、複層フィルム間に接着剤を介在させてもよい。この
ような接着剤としては、エチレン−酢酸ビニル共重合体
またはこれをマレイン酸変性したもの等、従来公知の接
着剤を使用することができる。
【0018】本発明において放射線硬化性粘着剤を塗布
する側の粘着剤塗布層用の樹脂としては、放射線透過性
で、Siウエハを汚染し難く、放射線硬化性粘着剤との粘
着力が大きいもの、例えばエチレン系のものが好まし
く、低密度ポリエチレン、直鎖低密度ポリエチレン、エ
チレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−メタアクリル
酸共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体等、従来公
知のもの、あるいはこれらの混合物等が挙げられ、用い
られる放射線硬化性粘着剤との接着性によって任意に選
択することができる。この粘着剤塗布層は、粘着剤と基
材フィルムとの接着を強固にするための役割を果たし、
ウエハ加工後の粘着テープ延伸時に粘着剤の基材フィル
ムからの剥離による半導体ウエハの汚染防止に寄与す
る。
【0019】本発明の転写防止層用の樹脂としては、例
えばエチレン系のものが好ましく、低密度ポリエチレ
ン、直鎖低密度ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共
重合体、エチレン−メタアクリル酸共重合体、エチレン
−アクリル酸共重合体等、従来公知のもの、あるいはこ
れらの混合物等が挙げられる。この転写防止層は、粘着
テープの伸び特性を妨げず基材フィルムのブロッキング
を防止するためのものである。
【0020】尚、粘着テープ延伸時の粘着テープと治具
との摩擦を減少し、基材フィルムのネッキングを防止す
るために転写防止層として低密度ポリエチレン、エチレ
ン−酢酸ビニル共重合体、さらにエチレン−酢酸ビニル
共重合体は酢酸ビニル含量が5wt%以下のエチレン−酢
酸ビニル共重合体を用いることが好ましい。
【0021】中心層と粘着剤塗布層又は転写防止層とを
積層する方法としては、共押出法、熱融着又は接着剤に
よるラミネート法など従来公知の方法が用いられる。接
着剤を用いて積層する場合の接着剤としては、エチレン
−酢酸ビニル共重合体、これをマレイン酸変性したも
の、マレイン酸変性エチレン−α−オレフィン共重合
体、共重合ポリエステル系樹脂等従来公知の接着性化合
物、又はこれらの混合物等を用いることができる。尚、
接着剤として用いるエチレン−酢酸ビニル共重合体、ま
たはこの共重合体のマレイン酸変性体は酢酸ビニル含量
が20%以上のものが接着力が大きく層間剥離を起こし難
いので好ましい。
【0022】基材フィルムの厚みは、強伸度特性、放射
線透過性の観点から通常30〜300μmが適当であ
る。基材フィルムの中心層の厚さ比率は、基材フィルム
の要求特性に応じて任意に設定されるが、通常基材フィ
ルムの総厚に対して30%以上が好ましく、50〜90
%がより好ましい。また粘着剤塗布層および転写防止層
の厚みは、基材フィルムのカールを防止するため、両層
ほぼ同じ厚みとすることが好ましい。尚、基材フィルム
の転写防止層側表面をシボ加工もしくは滑剤コーティン
グすると、ブロッキング防止、粘着テープ延伸時の粘着
テープと治具との摩擦を減少する事による基材フィルム
のネッキング防止などの効果があるので好ましい。
【0023】放射線硬化性粘着剤としては、特に制限な
く通常の粘着剤が用いられるが、アクリル系粘着剤10
0重量部に対し炭素−炭素二重結合を有するシアヌレー
ト化合物及びイソシアヌレート化合物の群から選ばれた
少なくとも一種の化合物10〜200重量部と炭素−炭
素二重結合を二個有する直鎖状のポリエステルまたはポ
リオール系ウレタンアクリレート化合物5〜100重量
部とを含有する粘着剤を用いると、放射線照射後の粘着
剤層のゴム状弾性を維持することができるため、放射線
照射後における粘着テープのゴム状弾性(柔軟性)を維
持する効果が特に大きい。
【0024】なお、本発明の半導体ウエハ固定用粘着テ
ープを紫外線照射によって硬化させる場合には、光重合
開始剤、例えばイソプロピルベンゾインエーテル、イソ
ブチルベンゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラー
ズケトン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサン
トン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサント
ン、ベンジルジメチルケタール、α−ヒドロキシシクロ
ヘキシルフェニルケトン、2−ヒドロキシメチルフェニ
ルプロパン等を粘着剤層に添加すると硬化反応時間また
は紫外線照射量が少なくても効率よく硬化反応を進行さ
せ、素子固定粘着力を低下させることができる。
【0025】さらに必要に応じて放射線照射後の素子固
定粘着力を良好に低下させるため放射線硬化性のシリコ
ンアクリレート又はシリコンメタアクリレートあるいは
被着体である半導体ウエハの表面に金属物質のコーティ
ングされている特殊処理面に対しても同様に素子固定粘
着力を低下させるため、イオン封鎖剤等を、またタッキ
ファイアー、粘度調整剤、界面活性剤など、あるいはそ
の他の改質剤および慣用成分を配合することができる。
この放射線硬化性粘着剤層の厚さは通常2〜50μmと
する。
【0026】
【実施例】次に本発明を実施例に基づきさらに詳細に説
明する。 実施例1〜6、比較例1〜3 表1及び表2に示した各層構成の基材フィルムを押出機
を使用して、下記樹脂A〜D単体またはニーダー練りブ
レンド組成物などを用いて共押出加工により作成した。
得られた基材フィルムの厚みはすべて100μmであ
る。得られた基材フィルムの粘着剤塗布層側にコロナ処
理をして、乾燥後の粘着剤層の厚さが10μmとなるよ
うに粘着剤を塗工し、放射線硬化性粘着テープを作成し
た。
【0027】使用した樹脂、粘着剤を下記に示す。 樹脂A(亜鉛イオン架橋エチレン−アクリル酸共重合
体) :三井デュポンポリケミカル製 ハイミラン 1705 樹脂B(ナトリウムイオン架橋エチレン−アクリル酸共
重合体) :三井デュポンポリケミカル製 ハイミラン 1601 樹脂C(エチレン−メタアクリル酸共重合体 メタアク
リル酸含有量20%) :ダウケミカル製 プリマコール 5980 樹脂D(1、2ポリブタジエン) :日本合成ゴム製 RB 805 SEB (スチレン−エチレン−ブテン共重合体) :シェル化学製 KRATON G1650 EVA−10(エチレン−酢酸ビニル共重合体(酢酸ビ
ニル含量10%)) :住友化学工業製 エバテートH2021F EVA−3(エチレン−酢酸ビニル共重合体(酢酸ビニ
ル含量 3%)) :三菱油化製 ユカロン−エバV113K LLDPE(低密度ポリエチレン) :東ソー製 ペトロセン205
【0028】 粘着剤A:アクリル系粘着剤 100重量部 イソシアヌレート化合物 80重量部 ウレタンアクリレート化合物 20重量部 光重合開始剤 1重量部 粘着剤B:アクリル系粘着剤 100重量部 シアヌレート化合物 40重量部 ウレタンアクリレート化合物 10重量部
【0029】得られた粘着テープにつき、下記の方法で
特性を評価し、表1及び表2に示した。各特性の評価方
法は下記のとおりである。
【0030】1)粘着力(g/25mm) 素子固定粘着力の照射前の大きさと照射後の低下の程度
を調べた。作成した放射線硬化性粘着テープに直径5イ
ンチの大きさのSiウエハを被着体とし、JIS−Z0
237に基づき紫外線照射前後の粘着力を測定した(9
0°剥離、剥離速度50mm/min) 。この際、粘着テープ
に貼合するウエハの表面状態は、鏡面状態とした。
【0031】2)素子間隙(μm) 粘着テープ延伸時の素子間隙の大きさと縦方向/横方向
の均一性の程度を調べた。作成した放射線硬化性粘着テ
ープに固定した直径5インチのSiウエハをダイシング
ソーで、3×3mm、6×6mmと2種類の大きさにフルカ
ットし、紫外線硬化後、ウエハ拡張装置(エアー圧2.0
kg/cm ) にて、エキスパンドストロークを10mm上昇さ
せて延伸した際の縦方向、横方向の素子間隙量を測定
し、素子間隙の大きさ、均一性をみた。ここで素子間隙
量は、ダイシング時のブレード厚さ40μmを含む。
【0032】3)粘着テープのエキスパンド時の強度 エキスパンドストローク30mm時のテープの状態を調べ
た。2)と同様な方法で3×3mmの大きさにフルカット
し、エキスパンドストロークを30mm上昇させて延伸し
た際の粘着テープが破断しているかどうかの状態をみ
た。
【0033】4)粘着テープのピックアップ時の強度 素子ピックアップ時のテープの状態を調べた。2)と同
様な方法で3×3mmの大きさにフルカットし、エキスパ
ンドストロークを30mm上昇させて延伸した後、素子を
ピックアップする際の粘着テープが破断しているかどう
かの状態をみた。
【0034】
【表1】
【0035】
【表2】
【0036】
【発明の効果】本発明の半導体固定用粘着テープを半導
体ウエハ等の切断加工に用いた場合、放射線照射後の粘
着テープがゴム状弾性(柔軟性)を維持し延伸性が優れ
ていると同時に放射線照射による基材フィルム劣化によ
る破断が起こらないため粘着テープによる素子間隙の大
幅で均一な拡大が可能となるので、素子小片の画像認識
が容易となる。また、ピックアップ時の熱による破断も
起こらない。よって、素子を容易にしかも損傷すること
なくピックアップすることができるという優れた効果を
奏する。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成4年8月12日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0014
【補正方法】変更
【補正内容】
【0014】例えば、低密度ポリエチレン、直鎖低密度
ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン
共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリメチル
ペンテン、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−
メタアクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステ
ル共重合体、エチレン−メタアクリル酸エステル共重
体、エチレン−プロピレン−ジエン共重合体、スチレン
−イソプレン共重合体、スチレン−ブタジエン共重合、
スチレン−エチレン−ブテン共重合体などの単独重合
体、共重合体等従来公知のものあるいはこれらの混合
物、または他の樹脂及びエラストマーとの混合物等が挙
げられ基材フィルムの要求特性、コストなどの諸事情に
応じて樹脂の種類、ブレンド比率を任意に選択すること
ができる。尚、粘着剤塗布層、転写防止層との接着性に
優れた樹脂をブレンドすると粘着テープを延伸した時、
層間剥離を起こし難いので好ましい。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0026
【補正方法】変更
【補正内容】
【0026】
【実施例】次に本発明を実施例に基づきさらに詳細に説
明する。 実施例1〜、比較例1〜 表1及び表2に示した各層構成の基材フィルムを押出機
を使用して、下記樹脂A〜単体またはニーダー練りブ
レンド組成物などを用いて共押出加工により作成した。
得られた基材フィルムの厚みはすべて100μmであ
る。得られた基材フィルムの粘着剤塗布層側にコロナ処
理をして、乾燥後の粘着剤層の厚さが10μmとなるよ
うに粘着剤を塗工し、放射線硬化性粘着テープを作成し
た。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0027
【補正方法】変更
【補正内容】
【0027】使用した樹脂、粘着剤を下記に示す。 樹脂A(亜鉛イオン架橋エチレン−メタアクリル酸共重
合体) :三井デュポンポリケミカル製 ハイミラン 1705 樹脂(エチレン−メタアクリル酸共重合体) :三井デュポンポリケミカル製 ニュクレル410 樹脂(1、2ポリブタジエン) :日本合成ゴム製 RB 805 SEB (スチレン−エチレン−ブテン共重合体) :シェル化学製 KRATON G1650 EVA−10(エチレン−酢酸ビニル共重合体(酢酸ビ
ニル含量10%)) :住友化学工業製 エバテートH2021F EVA−3(エチレン−酢酸ビニル共重合体(酢酸ビニ
ル含量 3%)) :三菱油化製 ユカロン−エバV113K LLDPE(低密度ポリエチレン) :東ソー製 ペトロセン205
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0034
【補正方法】変更
【補正内容】
【0034】
【表1】
【手続補正5】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0035
【補正方法】変更
【補正内容】
【0035】
【表2】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石渡 伸一 東京都千代田区丸の内2丁目6番1号 古 河電気工業株式会社内 (72)発明者 岩本 和繁 東京都千代田区丸の内2丁目6番1号 古 河電気工業株式会社内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基材フィルムの片側に放射線硬化性粘着
    剤層を設けてなる半導体ウエハ固定用粘着テープにおい
    て、前記基材フィルムが、中心層としてエチレン−メタ
    アクリル酸共重合体の分子間を亜鉛イオンで架橋したア
    イオノマー樹脂フィルム層を有し、この層に対し接着層
    を介して、または直接、放射線硬化性粘着剤層側に粘着
    剤塗布層、他方側に転写防止層を有する積層フィルムで
    あることを特徴とする半導体ウエハ固定用粘着テープ。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007088240A (ja) * 2005-09-22 2007-04-05 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体ウェハダイシング用粘着テープ
WO2012053448A1 (ja) * 2010-10-21 2012-04-26 アキレス株式会社 半導体製造工程用テープの基材フィルム
JP2012216841A (ja) * 2011-03-31 2012-11-08 Furukawa Electric Co Ltd:The ダイシングテープ及び半導体ウエハ加工方法
JP2015230916A (ja) * 2014-06-03 2015-12-21 アキレス株式会社 半導体製造工程用テープの基材フィルム

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007088240A (ja) * 2005-09-22 2007-04-05 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体ウェハダイシング用粘着テープ
JP4609852B2 (ja) * 2005-09-22 2011-01-12 古河電気工業株式会社 半導体ウェハダイシング用粘着テープ
WO2012053448A1 (ja) * 2010-10-21 2012-04-26 アキレス株式会社 半導体製造工程用テープの基材フィルム
JP2012089732A (ja) * 2010-10-21 2012-05-10 Achilles Corp 半導体製造工程用テープの基材フィルム
KR20130142136A (ko) * 2010-10-21 2013-12-27 아키레스 가부시키가이샤 반도체 제조 공정용 테이프의 기재필름
JP2012216841A (ja) * 2011-03-31 2012-11-08 Furukawa Electric Co Ltd:The ダイシングテープ及び半導体ウエハ加工方法
JP2015230916A (ja) * 2014-06-03 2015-12-21 アキレス株式会社 半導体製造工程用テープの基材フィルム

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