KR0162103B1

KR0162103B1 - 반도체 웨이퍼 고정용 점착 테이프

Info

Publication number: KR0162103B1
Application number: KR1019920011393A
Authority: KR
Inventors: 고지 나카야마; 겐지 모우기; 에이지 시라마스; 가주시게 이와모토; 신이치 이시와타; 모리쿠니 하세베
Original assignee: 도모마쓰 겐고; 후루까와 덴끼 고오교오 가부시끼 가이샤
Priority date: 1991-06-28
Filing date: 1992-06-27
Publication date: 1999-01-15
Also published as: DE69206331T2; EP0520515A3; MY111332A; KR930000642A; EP0520515B1; EP0520515A2; TW215453B; DE69206331D1

Abstract

지지필름의 한쪽 표면상에 방사선 경화성 점착제층을 가지며, 상기 지지필름이, 중간층으로, 특정의 스티렌/에틸렌/부렌/스티렌(SEBS) 블록계 종합체 또는 특정의 스티렌/에틸렌/펜텐/스티렌(SEPS) 블록계 중합체로 구성된 필름으로 이루어지는 적충 필름으로 구성되며, 상기 방사선 경화성 점착제층이 마련되는 측면의 중간층의 한쪽 표면상에, 결합제를 통하여 또는 직접, 마련되는 점착제 코팅 층을 가지며, 중간층의 다른쪽 표면상에 마련되는 이동 방지층을 갖는 반도체 웨이퍼 고정용 점착 테이프가 개시된다.

상기 반도체 웨이퍼 고정용 점착테이프의 중간층은 특정의 성분비로, 상기 SEBS 블록 공중합체 또는 SEBS 블록 공중합체, 에틸렌/아크릴레이트계 공중합체 및/또는 무정형 폴리 α-올레핀, 및 폴리아미드/폴리에테르계 공중합체로 구성된 필름을 갖는 반도체 웨이퍼 고정용 점착테이프가 개시된다.

Description

반도체 웨이퍼 고정용 점착 테이프

제1도 및 제2도는, 각각 본 발명의 점착테이프에 관한 지지필름의 중간층을 형성하는 수지조성물의 성분범위를 나타내는 삼각형 좌표 다이어그램이다.

본 발명은 여러 가지 반도체의 생산라인에서 사용되는 점착 테이프에 관한으로, 보다 상세하게는, 예컨대 그 위에 형성된 회로패턴을 갖는 웨이퍼가 개개의 패턴으로 절단되면 분리된 반도체 칩이 형성되는데 이때 사용되는, 반도체 웨이퍼 고정용 방사선 경화성 테이프에 관한 것이다.

종래에는, 분리된 칩으로, 형성된 회로패턴을 갖는 반도체 웨이퍼를 절단하기 위한 다이싱을 행하기 위하여, 방사선 경화성 점착 테이프를 사용하는 방식이 개발되었다.

웨이퍼로 부터 반도체 칩을 제조하는 방법은 예컨대 다음과 같다.

(1) 다이싱(dicing)(점착 테이프의 강한 점착력에 의하여, 웨이퍼를 고정 부착한 후 분리된 칩으로 절단함),

(2) 조사(점착 테이프의 점착력을 저하시키기 위하여 기재의 필름 측면을 방사선으로 조사함),

(3) 연산(칩의 간격을 늘리기 위하여 점착 테이프를 방사형상으로 연산함),

(4) 픽업(진공흡인에 의한 콜릿(collet)을 이용하여, 각각의 칩을 테이프의 표면으로 부터 각각의 칩을 픽업하고 테이프의 뒷면으로부터 부착함).

또한, 다이싱 (1)과 조사 (2) 사이에 연신 (3)을 행하는 방법이 있다. 이 방식에서는, 점착 테이프로서, 전자비임과 같은 전리성 방사선이나 자외선을 포함하는 광과 같은 방사선이 투과할 수 있는 지지필름으로 이루어지며, 상기 지지필름상에 코팅되고 방사선의 노출에 의하여 특징적으로 경화될 수 있는 점착제층으로 이루어진 반도체 웨이퍼 고정용 점착 테이프가 사용된다.

이 방식에 의하면, 보다 큰 칩을 만드는 다이싱에서 칩을 고정부착하기 위한 점착 테이프의 점착력은 반도체 웨이퍼를 칩으로 절단, 분리 한 후 점착력이 저하된다.

칩으로 절단, 분리한 후 지지체인 필름 측면을 방사선으로 조사하여 방사선 경화성 점착제층을 경화하고, 이에 의하여 칩 고정 점착력을 상당히 저하 시키며, 칩의 크기에 관계없이 예컨대, 25㎟ 이상의 크기를 갖는 칩을, 용이하게 픽업할 수 있다.

이것은 방사선을 투과할 수 있는 지지필름상의 방사선 경화성 점착제를 이용하여 형성된 반도체 웨이퍼 고정용 점착 테이프의 점착제층에 함유되어 있는 방사선 경화성 화합물이 3차원 구조를 갖는 점착제이므로 방사선의 조사에 의해 경화되고, 이에 의하여 점착제의 유동성이 현저하게 저하되기 때문이다. 그러나, 3차원 구조로 인하여 다이싱시에 처리된 점착 테이프의 고무와 같은 탄성은 결과적으로 경화후 연신할 때에 거의 손상된다.

따라서, 점착테이프의 라디칼 연신에 의한 칩들사이의 간격의 종래 성능 확대가 어렵게 된다는 문제가 발생된다.

상기 문제를 해결하기 위하여, 지지필름의 중간층으로서 연성폴리염화비닐(PVC)의 사용이 이미 실행되었다.

그러나, 폴리염화비닐은, 반도체 웨이퍼의 표면을 오염시키는, 염소이온을 함유하며, 더욱이 금속화합물을 포함하는 안정제와, 어떤 경우에는, 염소이온, 금속이온, 가소제 등이 나오는 가소제를 함유한다.

그러므로, 일본국특허출원공개 215528/1990호에 개시된 바와 같이, 점착 테이프는 폴리부텐-1, 폴리우레탄, 폴리에스테르 엘라스토머, 1,2-폴리부타디엔, 수소첨가된 스티렌/이소프렌/스티렌 공중합체 및 스티렌/에틸렌/부텐/스티렌(SEBS) 공중합체 등과 같이, 고무와 같은 탄성을 갖는 열가소성 수지로 이루어진 중간층을 갖는 적층 필름으로 구성되는 지지필름을 사용하는 것이 제시되어 있다.

그러나, 이들 점착 테이프는 칩들 사이의 간격을 고정 부착하기 위하여 방사선 조사전에 연신 시킴으로써 확대되어 칩들의 접촉을 방지할 수 있지만, 다음과 같은 문제점을 일으킨다.

즉, 칩들 사이의 크고 균일한 간격은 방사선 조사후 상(象) 인식을 포함하는 장치를 픽업하는데 필요하다.

그러나, 상기 종래의 점착 테이프는, 지지필름 자체의 넥킹의 발생(필름의 연신시에 전원 전달의 실패로 인한 부분적인 늘어남의 발생) 및 방사선의 조사로 인한 지지필름의 열화로부터 오는 고무와 같은 탄성의 손상 등의 문제점이 생기기 때문에, 충분히 이러한 요구를 만족 시키지 못한다.

폴리부텐-1, 폴리에스테르 엘라스토머 및 1,2-폴리부타디엔은 각각 넥킹되기 쉬우며, 이에 의해 PVC와 같이 칩들 사이 간격의 확대가 불가능하게 되면, 폴리우레탄은 고무와 같은 탄성이 너무 높아, 칩들 사이의 균일성의 부족을 가져오며, 수소 첨가된 스티렌/이소프렌/스티렌 공중합체는 상기 중합체들보다 물성이 우수하지만, 아직 넥킹 문제를 방지할 수 없으며, 칩사이의 연신이 만족스럽지 못하다는 결점을 가져온다.

일본국특허출원공개 215528/1990 에서는 스티렌/에틸렌/부텐/스티렌(SEBS) 공중합체로서, Mitsubish Petrochemical사 제품인 RABALON이 실시예에서 사용되고 있지만, Rabalon은 폴리프로필렌 또는 에틸렌/프로필렌/디엔공중합체와 100,000의 분자량을 갖는 SEBS 와의 혼합물이며 상용제(相溶劑:compatibilizing agent)가 점착제층으로 흘러나오고, 이에 의하여 점착력이 불안정하게 되어, 웨이퍼의 오염 및 픽업의 발생과 같은 문제점을 가져온다.

더욱이, 스티렌의 함유량 분자량에 의존하는, 중간층의 그 혼합물 대신에 SEBS 만이 사용되는 경우에는, 예컨대, 넥킹으로 인하여 칩들사이의 간격을 불충분하게 하고, 조사후 점착력의 저하를 불충분하거나 방사선의 조사가 나쁘게 되는 등의 문제점을 일으킨다.

본 발명의 목적은, 상기 문제점 해소하기 위한 반도체 웨이퍼 고정용 점착 테이프를 제공하는데에 있다.

즉, 본 발명의 제1의 목적은, 점착 테이프가 방사선으로 조사하기 전에 반도체 웨이퍼를 고정하기에 충분히 높은 점착력을 가지며, 방사선 조사후 칩고정 점착력을 현저하게 줄일 수 있으며, 방사선으로 조사한 후 점착 테이프가 고무와 같은 탄성(유연성)을 유지하며, 방사선으로 조사한 후 점착 테이프의 연신이 칩사이의 간격을 충분하고 균일하게 확대할 수 있는 반도체 웨이퍼 고정용 점착 테이프를 제공하는 데에 있다.

본 발명의 제2의 목적은, 섬유지스러기(fibrous swarfs)와 같은 먼지가 반도체 웨이퍼의 다이싱시에 생기지 않으며, 점착 테이프의 점착제가 반도체 칩을 오염 시키지 않는 반도체 웨이퍼 고정용 점착 테이프를 제공하는 데에 있다.

본 발명의 제3의 목적은, 테이프의 연신시 지지필름의 부분적인 주름분리에 의하여 발생되는 칩들의 픽업의 실패를 줄일 수 있는 우수한 얇은층간의 강도(Interlaminar strength)를 가짐과 동시에 지지필름의 끊어짐이 생기지 않는 우수한 내열성을 갖는 반도체 웨이퍼 고정용 점착 테이프를 제공하는 데에 있다.

본 발명의 상기 목적 및 기타 목적, 특징 및 장점들을 첨부도면을 참고하여, 다음의 상세한 설명에서 명백하게 될 것이다.

본 반도체 웨이퍼 고정용 점착 테이프는, 다음과 같이 구성된다.

(1) 지지필름의 한쪽 표면상에 방사선 경화성 점착제 층을 가지며, 상기 지지필름은, 중간층으로서, 스티렌 중합체 블록 성분(A)와 에틸렌/부텐 공중합체 블록 성문(B)을 가지되, 상기 성분(A)가 상기 성분(A) + 성분(B)의 10내지 30wt%이고, 중량 평균 분자량이 35,000 내지 90,000인 스티렌/에틸렌/부텐/스티렌 블록계 공중합체로 구성된 필름으로 이루어지는 적충 필름으로 구성되며;

상기 방사선 경화성 점착제층이 마련되는 측면의 중간층의 한쪽 표면상에, 결합층을 통하여 혹은 직접, 마련되는 점착제 코팅층을 가지며, 중간의 다른쪽 표면상에 마련되는 이동 방지층을 갖는 것인 반도체 웨이퍼 고정용 점착테이프 및 ;

(2) 지지필름의 한쪽 표면상에 방사선 경화성 점착제 층을 가지며, 상기 지지필름은, 중간층으로서, 스티렌 중합체 블록 성분(A)와 에틸렌/펜텐 공중합체 블록 성분(C)을 가지되, 상기 성분(A)가 상기 성분 (A) + 성분(C)의 10내지 30wt%이고, 중량 분자량이 1850,000 내지 500,000인 스티렌/에틸렌/펜텐/스티렌 블록계 공중합체로 구성된 필름으로 이루어진 적층 필름으로 구성되며;

상기 방사선 경화성 점착제층이 마련되는 측면의 중간층의 한쪽 표면상에, 결합층을 통하여 혹은 직접, 마련되는 점착제 코팅층을 가지며, 중간층의 다른쪽 표면상에 마련되는 이동 방지층을 갖는 것인 반도체 웨이퍼 고정용 점착테이프.

본 명세서 및 특허청구의 범위에 있어서, 점착 테이프라는 용어는 압력감응식 점착 테이프(pressure-sensitive adhesive tape)를 의미하며, 점착제 이라는 용어는 압력 감응식 점착제(pressure-sensitive adhesive)를 의미한다.

또한, 방사선이라는 용어는 자외선과 같은 광선이나 전자비임과 같은 전리성 방사선(電離性放射線)을 나타낸다.

제1 실시예에서 중간층 필름은 필수적으로 스티렌/에틸렌/부텐/스티렌블록계 공중합체 또는 스티렌/에틸렌/펜텐/스티렌 블록계 공중합체로 구성된다.

본 발명의 스티렌/에틸렌/부텐/스티렌 블록계 공중합체 또는 스티렌/에틸렌/펜텐/스티렌 블록계 공중합체에서는, 방사선의 조사로 인한 점착제의 경화후 방사형상의 연신에 의해 칩들의 간격을 확대하기 위하여, 스틸렌 중합체 블록 성문(A)의 함유량을 10내지 30wt% 의 범위내로 하는 것이 필요하다.

성분(A)의 함유량이 10wt% 미만이면, 공중합체의 특성이 폴리에틸렌의 특성과 유사하기 때문에 넥킹이 생기기 쉬우며, 이에 의하여 균일한 연신이 불가능하게 되어서, 칩들 사이의 간격이 확대될 수 없게 된다.

성분(A)의 함유량이 30wt% 를 초과하면, 자외선이 블록 공중합체를 투과할 수 없어서, 조사후의 점착력을 저하시킬 수 없게 된다.

그 결과, 픽업의 실패가 생기거나 웨이퍼 또는 칩이 오염된다.

더 나아가서, 고무와 같은 탄성이 낮고, 균일한 연신에 의해 칩들 사이의 간격을 증대 하기가 어렵게 된다.

스티렌 중합체 블록성분(A)의 유리전이 온도는 20℃ 이상이 바람직하며, 에틸렌/부텐 공중합체 블록성분 (B) 또는 에틸렌/펜텐 공중합체 블록성분 (C)의 유리전이 온도는 -20℃ 이하가 바람직하다.

본 발명에서는, 스티렌/에틸렌/부텐/스티렌 블록계 공중합체 또는 스티렌/에틸렌/펜텐/스티렌 블록계 공중합체로서, 카르복실기와 같은 관능성기를 함유하는 말레인산 등의 저분자 화합물 1% 이하로 치환 또는 첨가하여 변성된 스티렌/에틸렌/부텐/스티렌 블록 공중합체 또는 스티렌/에틸렌/펜텐/스티렌 블록 공중합체를 사용할 수 있다.

성분 (A)와 (B)의 공중합체의 경우에는, 공중합체의 중량 평균 분자량이 35,000 내지 90,000, 바람직하게는 40,000 내지 80,000, 보다 바람직하게는 45,000 내지 70,000 이 좋다.

중량 평균 분자량이 35,000 미만이면, 인장강도가 약하고, 공중합체 필름의 끊어짐이 생길 위험이 있으며, 반면, 90,000을 초과하면, 분자들이 얽히게 되기 때문에 필름의 성형성이 나빠지게 되며 필름의 연신이 어렵게 된다.

블록성분 (A)와 (C)의 공중합체의 경우에는, 중량 평균 분자량이 150,000 내지 500,000, 바람직하게는 170,000 내지 400,000, 보다 바람직하게는 180,000 내지 300,000이 좋다.

이것은, 중량 평균 분자량이 150,000 미만이면, 인장강도가 약하고, 공중합체 필름의 끊어짐이 생길 위험이 있으며, 반면, 500,000을 초과하면, 분자들이 얽히게 되기 때문에 필름의 성형성이 나빠지며 필름의 연신이 어렵게 된다

본 발명의 또 다른 실시예에 의하면, 중간층 필름은 스티렌/에틸렌/부텐/스틸렌(SEBS) 블록계 공중합체 또는 스티렌/에틸렌/펜텐/스틸렌(SEPS) 블록계 공중합체; 15 내지 45wt%, 에틸렌/아크릴레이트계 공중합체; 15 내지 80wt%, 및 폴리아미드/폴리에테르계 공중합체; 5 내지 70wt%의 수지 조성물로 구성된다.

이 실시예에서는, 다이싱시에 섬유 지스러기를 발생시키기 않으며, 점착력은, 반도체 웨이퍼를 고정할 정도로 충분하며, 유연성을 유지하면서, 방사선의 조사후에 점착력이 감소되는 등의 우수한 효과를 얻을 수 있다.

또한, 픽업시 열로 인한 필름의 끊어짐과, 부분적인 주름분리를 방지하기 때문에 칩들의 픽업의 실패를 줄일 수 있어, 결과적으로 손상 없이 칩을 용이하게 픽업 할 수 있는 다른 효과를 얻을 수 있다.

본 실시예의 방사선 경화성 점착 테이프의 중간층을 형성하는 필름의 수지 조성률은 제1도에서 실선으로 둘러싸여진 사다리꼴로 나타낼 수 있다.

제1도는, 3개 성분의 성분을 나타내는 삼각형 좌표 다이어그램으로서, 삼각형의 각 정점 A,B 및 C는, 각각 스티렌/에틸렌/부텐 또는 펜텐 공중합체 (성분 a) 100%, 에틸렌/아크릴레이트 공중합체 (성분 b) 100%, 및 폴리아미드/폴리에스테르 공중합체 (성분 c) 100%를 나타내며, 점 D,E,F 및 G는, 각각 한계 성분을 나타낸다.

즉, D 는 a=15, b=15 및 c=70wt% 의 점을 나타내며,

E는 a=15, b=80 및 c=5wt% 의 점을 나타내며,

F 는 a=45, b=50 및 c=5wt% 의 점을 나타내며,

G 는 a=45, b=15 및 c=405wt% 의 점을 나타내며,

이들 점을 계속적으로 연결하여 얻은 사다리꼴은 그 내부범위에 의하여 수지 조성물의 범위를 나타낸다.

스티렌/에틸렌/부텐/스티렌계 공중합체 (SEBS) 또는 스티렌/에틸렌/펜텐/스티렌계 공중합체(SEPS)로서는 상기 언급한 SEBS 및 SEPS 공중합체를 이용할 수 있다.

본 실시예에서는 SEBS 또는 SEPS의 함유량은 15 내지 45wt%의 범위내로 한정되며, 그 함유량이 15wt% 미만이며, 다이싱 공정시에 섬유 지스러기가 생기기 쉬어서, 칩들에 달라붙게 되며, 그 함유량이 45wt%를 초과하면, 칩의 픽업시 열로 인한 필름의 끊어짐이 생기기 쉽다.

에틸렌/아크릴레이트계 공중합체로서는, 에틸렌/아크릴산 공중합체, 에틸렌/메틸 아크릴레이트 공중합체, 에틸렌/에틸아크릴레이트 공중합체, 에틸렌/2-에틸헥실 아크릴레이트 공중합체, 에틸렌/글리시딜 아크릴레이트 공중합체, 및 에틸렌/2-히드록시에틸 아크릴레이트 공중합체 등과 같은 아크릴레이트 성분 5mol% 이상을 갖는 공중합체;

상기 공중합체의 아크릴레이트를 메타크릴레이트로 바꾼 공중합체;

이오노머(ionomer)와 같은 가교 중합체; 필요에 따라서, 카르복실기와 같은 관능성기를 함유하는 말레인산 등의 저분자 화합물로 치환 또는 첨가에 의하여 변형 될 수 있는 상기 언급한 공중합체; 및

상기 공중합체를 종래 공지된 화합물과 혼합하여 형성된 혼합물 등을 들 수 있다.

상기 에틸렌/아크릴레이트 공중합체에서는, 에틸렌/아크릴레이트 공중합체 또는 에틸렌/메타크릴레이트 공중합체, 에틸렌/아크릴레이트 에스테르 공중합체, 에틸렌/메타크릴레이트 에스테르 공중합체로 부터 이오노머까지, 종류에 비례하여, 필름의 연신시나 칩들의 픽업시에 필름의 끊어짐이 생기지 않게 되며, 공중합체중 아크릴레이트의 함유량은 20 내지 40wt% 가 바람직하지만 이 범위 밖의 아크릴레이트 함유량으로 이루어진 것을 사용할 수 있다.

이 실시예에서는, 에틸렌/아크릴레이트계 공중합체의 함유량이 15 내지 80wt%의 범위내로 한정되며, 그 함유량이 15wt% 미만이며, 필름연신시 부분적인 주름분리로 인하여 칩들의 픽업 실패가 증가하며, 그 함유량이 80wt%를 초과하면, 다이싱 공정시에 섬유 지스러기가 생기기 쉽고, 칩들에 달라붙어 오염 시키거나 칩들의 픽업시 열로 인한 필름의 끊어짐이 생기기 쉽다.

더욱이, 폴리아미드/폴리에테르계 공중합체와 스티렌/에틸렌/부텐계 블록 공중합체 또는 스티렌/에틸렌/펜텐계 블록 공중합체와의 친화성 및 방사선의 투과가, 모두 더 좋아지는 다른 효과를, 에틸렌/아크릴레이트계 공중합체를 함유 시킴으로써 달성할 수 있다.

폴리아미드/폴리에테르계 공중합체는, 그라프트 공중합체, 블록 공중합체 등과 같은 타입의 공중합체, 폴리아미드와 폴리에테르의 얼로이(alloy), IPN 등과 같은 타입의 혼합물을 포함한다.

신도의 정도는 150wt% 이상이 바람직하다.

여기서, 폴리아미드는, 주성분 락탐으로서, 예컨대 폴리카프로아미드, 폴리운데칸아미드 및 폴리도데칸아미드를 갖는 공중합아미드(copolyamide) 및 단독중합아미드(homopolyamide)를 의미하며, 폴리아미드 모노머 이외의 모노머와 공중합체인 폴리에스테르아미드와 폴리에테르아미드를 포함한다.

폴리에테르 9는, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜, 폴리부틸렌글리콜, 및 폴리테트라메틸렌글리콜 등과 같은 디올류의 중합체를 의미한다.

더욱이, 상기 공중합체는, 필요에 따라서, 카르복실기와 같은 관능성기를 함유하는 말레인산 등과 같은 저분자 화합물로 치환 또는 첨가하여 변형 시킬수 있으며 이들 단독으로 사용하거나 종래 공지된 화합물과 혼합 사용 할 수 있다.

쇼어 경도(shore hardness) D 는 30 내지 70 범위가 바람직하다.

수지조성에 있어서 폴리아미드/폴리에테르계 공중합체의 함유량은 5 내지 70wt%의 범위내로 한정되며, 그 함유량이 5wt% 미만이며, 칩의 픽업시 열로 끊어짐이 생기기 쉽고, 그 함유량이 70wt%를 초과하면, 필름연신시에 부분적인 주름분리로 인하여 칩들의 픽업 실패가 증가하거나 다이싱 공정시 섬유 지스러기가 생기기 쉽다.

이 실시예의 중간층을 형성하는 필름의 수지 조성물에 있어서는, SEBS 또는 SEPS 블록 공중합체의 함유량은 22 내지 42wt%, 보다 바람직하게는, 27 내지 42wt%가 좋으며, 에틸렌/아크릴레이트계 공중합체의 함량은, 20 내지 55wt% 보다 바람직하게는 20 내지 35wt%가 좋으며, 폴리아미드/폴리에테르계 공중합체의 함유량은 20 내지 60wt%보다 바람직하게는 30 내지 50wt%가 좋다.

본 발명의 또 다른 실시예의 의하면, 중간층 필름은, SEBS 블록 공중합체 또는 SEPS 블록 공중합체; 15 내지 45wt%, 무정형 폴리 α-올레핀; 10 내지 70wt%, 및 폴리아미드/폴리에테르계 공중합체; 20 내지 70wt%의 수지 조성물로 구성된다.

이 실시예에 있어서는, 다이싱시에 섬유 지스러기가 생기지 않고, 점착력은 반도체 웨이퍼를 고정할 정도로 충분하고 유연성을 유지하면서 방사선의 조사후에 점착력이 감소되는 등의 우수한 효과를 얻을 수 있다.

또한, 픽업시 열로 인한 필름의 끊어짐과, 부분적인 주름분리를 방지하기 때문에 칩들의 픽업의 실패를 줄일 수 있어, 결과적으로 손상없이 용이하게 칩을 용이하게 픽업할 수 있는 다른 효과를 얻을 수 있다.

이 실시예의 수지조성물은 제2도에서 실선으로 둘러싸여진 5각형(pentagon)으로 나타낼 수 있다.

제2도는, 제1도와 같은 삼각형 좌표 다이어그램으로서, 삼각형의 각 정점 A,B 및 C는, 정점 B가 제1도에서 에틸렌/아크릴레이트 공중합체 대신에 무정형 폴리 α-올레핀을 나타내는 것 이외에는 제1도에서와 같은 동일한 의미이다.

H,I,J,K 및 L로 나타낸 5개의 점은, 각각 한계 성분을 나타낸다.

즉, H는 a=15, b=10, 및 c=75wt% 의 점을 나타내며,

I는 a=15, b=45, 및 c=40wt% 의 점을 나타내며,

J는 a=35, b=45, 및 c=20wt% 의 점을 나타내며,

K는 a=45, b=30, 및 c=20wt% 의 점을 나타내며,

L은 a=45, b=10, 및 c=45wt% 의 점을 나타내며,

이들 점으로 계속적으로 연결하여 얻은 오각형은 그 내부 범위에 의하여 수지 조성물의 범위를 나타낸다.

이 실시예에서, SEBS 또는 SEPS, 및 폴리아미드/폴리에테르 공중합체는 상기 언급한 것과 동일한 의미를 가진다.

여기서, 무정형 폴리 α-올레핀은 비교적 저분자량을 갖는 중합체, 예컨대, 프로필렌, 에틸렌 또는 부텐-1로 공중합시킨 종합체를 의미한다.

상기 언급한 폴리 α-올레핀 공중합체는, 카르복실기와 같은 관능성기를 함유하는 말레인산 등과 같은 저분자 화합물로 치환 또는 첨가하여 변형시킬 수 있으며 상기 공중합체를 종래 공지된 화합물과 혼합하여 형성된 혼합물을 사용할 수 있다.

폴리프로필렌과 상기 언급한 폴리 α-올레핀의 혼합물을 사용하면, 블록화가 억제되기 때문에, 취급성(handleablity)이 우수하게 되고, 상기 언급한 수지의 말레인산 등에 의한 변성폴리머를 사용하면, SEBS 또는 SEPS 와의 친화성을 개선할 수 있다.

무정형 폴리 α-올레핀의 양은 10 내지 45wt%의 범위로 한정되며, 그 함유량이 10wt% 미만이면, 필름연신시에 부분적인 주름분리로 인하여 칩의 픽업 실패가 증가하며, 그 함유량이 45wt%를 초과하면, 칩의 픽업시 열로 인한 필름의 끊어짐이 생기기 쉽다.

더욱이, 폴리아미드/폴리에테르계를 공중합체와 SEBS 또는 SEPS의 친화성 및, 방사선의 투과가, 모두 더 좋아지는 다른 효과를, 무정형 α-올레핀을 함유시킴으로써 달성할 수 있다.

이 실시예의 수지조성물에 있어서, SEBS 또는 SEPS 블록 공중합체의 함유량은 22 SOWL 42wt%, 보다 바람직하게는, 22 내지 37wt%가 좋으며, 무저어형 폴리 α-올레핀의 함량은 10 내지 30wt%, 보다 바람직하게는 11 내지 2wt%가 좋으며, 폴리아미드-폴리에테르계 공중합체의 함유량은, 25 내지 65wt%, 보다 바람직하게는 35 내지 55wt%가 좋다.

또한, 본 발명의 또 다른 실시예에 있어서, 중간층 필름은 SEBS 또는 SEPS 블록 공중합체 : 15 내지 45wt%, 에틸렌/아크릴레이트계 공중합체 : 15 내지 50wt%, 및 무정형 폴리 α-올레핀 : 3 내지 30wt%, 및 폴리아미드/폴리에테르계 공중합체 : 20 내지 70wt%의 수지조성물로 구성된다.

이 실시예에서, SEBS 또는 SEPS 블록 공중합체, 에틸렌/아크릴레이트 공중합체, 무정형 폴리 α-폴레핀, 및 폴리아미드/폴리에테르 공중합체는, 상기 다른 실시예에서 언급한 것과 동일한 의미를 가진다.

이 실시예에서, 다이싱시에 섬유지스러기가 생기지 않으며, 점착력은 반도체 웨이퍼를 고정할 정도로 충분하며, 유연성을 유지하면서, 방사선의 조사 후 점착력이 감소되는 등의 우수한 효과를 달성할 수 있다.

더욱이, 픽업시 열로 인한 필름의 끊어짐과, 부분적인 주름 분리를 방지하기 때문에 칩의 픽업의 실패를 줄일 수 있어, 결과적으로 손상없이 칩을 용이하게 픽업할 수 있는 다른 효과를 달성할 수 있다.

이 실시예의 중간층 필름의 수지조성에 있어서, SEBS 또는, SEPS 블록 공중합체 의 함유량은 16 내지 30wt%, 보다 바람직하게는 17 내지 27wt%가 좋으며, 에틸렌/아크릴레이트계 공중합체의 함유량은 20 내지 45wt%, 보다 바람직하게는 25 내지 40wt%가 좋으며, 무정형 폴리 α-올레핀의 함유량은 5 내지 20wt%, 보다 바람직하게는 5 내지 15wt%가 좋으며, 폴리아미드/폴리에테르계 공중합체의 함유량은 25 내지 50wt%, 보다 바람직하게는 25 내지 40wt%가 좋다.

본 발명의 적층필름의 제조방법으로서, 예컨대, 종래 공지된 공압출범이나 적층법을 사용하며, 이때 결합제를, 적층필름의 통상의 제조에서 관습적으로 실행되는 필름사이에 넣을 수 있다.

결합제로서는, 에틸렌/비닐 아세테이트 공중합체 또는 말레인산 변성 에틸렌/비닐 아세테이트 공중합체와 같은 종래의 공지된 결합제를 사용할 수 있다.

본 발명에서 사용되는, 방사선 경화성 점착제층의 측면상에 사용하는 점착 코팅층용 수지로서는, 예컨대, 종래 공지된 수지, 예컨대, 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌, 에틸렌/비닐아세테이트 공중합체, 에틸렌/메틸메타크릴레이트 공중합체, 에틸렌/에틸메타크릴레이트 공중합체, 에틸렌/메타크릴산 공중합체 및 에틸렌/아크릴산 공중합체를 포함하는 에틸렌 수지류, 또는 이들의 혼합물과 같이, 방사선을 투과할 수 있고, 반도체 웨이퍼를 거의 오염시키지 않으며, 방사선 경화성 점착제의 점착력이 높은 수지가 바람직하며, 사용될 방사선 경화성 점착제의 점착에 따라서 임의로 선택된다.

이러한 점착제 코팅층은, 점착제와 지지필름사이의 점착력을 보다 증가시킴과 동시에 반도체 웨이퍼를 오염시키는 중간층으로부터 유출되는 것을 방지해 주며, 이에 의하여 점착테이프의 연신시 반도체 웨이퍼가 점착제의 박리에 의해 오염되는 것을 방지해 준다.

본 발명에서 사용되는 이동방지 층용 수지로서는, 예컨대, 종래의 공지된 수지, 예컨대, 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌, 에틸렌/비닐아세테이트 공중합체, 에틸렌/메틸 메타크릴레이트 공중합체, 에틸렌/에틸 메타크릴레이트 공중합체, 에틸렌/메타크릴산 공중합체, 및 에틸렌/아크릴산 공중합체, 및 이들의 혼합물을 포함하는 에틸렌 수지류가 바람직하다.

이 이동방지층(transfer-preventing layer)은, 점착테이프의 유연성을 유지해 주고, 지지필름이 블록화되는 것을 방지하며, 롤(roll) 상태에서 점착테이프 또는 지지필름의 저장중에, 점착체 코팅층 또는 방사선 경화성 점착제층으로 이동하는 중심층으로 부터 유출하는 것을 방지해 주며, 궁극적으로 이동으로 인하여 반도체 웨이퍼를 오염시키게 된다.

점착테이프의 연신시에 장착테이블과 점착테이프 사이의 마찰을 줄이고, 넥킹의 문제로부터 지지필름을 방지하기 위하여, 이동방지층은, 저밀도 폴리에틸렌이나 에틸렌/비닐아세테이트 공중합체로 이루어지며, 에틸렌/비닐아세테이트 공중합체는 5wt%이하의 비닐아세테이트 함유량을 가진다.

점착 코팅층 또는 이동방지층과 중간층을 결합하기 위한 결합제로서는 에틸렌/비틸아세테이트 공중합체, 말레인산 변성 에틸렌/비닐아세테이트 공중합체, 말레인산 변성에틸렌/α-올레핀 공중합체, 및 공중합체 폴리에스테르 수지 및 이들의 혼합물과 같은 종래 공지된 결합화합물로 이루어진 것을 사용할 수 있다.

결합제로서 사용되는 에틸렌/비닐아세테이트 공중합체 및 말레인산 변성 에틸렌/비닐아세테이트 공중합체는 20% 이상의 비닐아세테이트 함유량을 가지는 것이 바람직하며, 점착력이 높고, 박리(주름분리)가 거의 생기지 않는다.

적층필름의 제조방법으로서, 공압출법 및 적층법 등의 공지된 방법을 사용한다.

바람직한 강도/신도 특성 및 방사선 투과성의 면에서 지지필름의 두께는 통상 30 내지 300μm가 적당하다.

중간층의 두께비는 지지필름에 필요한 성질에 따라 임의로 설정되지만, 중간층의 두께비는 통상 지지필름의 전체 두께에 대하여 30%이상, 보다 바람직하게는 50 내지 90wt%가 좋다.

점착 코팅층과 이동방지층이 마련되면, 지지필름의 구조가 대칭이 되며, 따라서 지지필름의 끝단이 물결치지 않고, 취급면에서 바람직하다.

방사선경화성 점착제가 사용된 면과 대향하는 지지필름의 면은, 블록화를 방지하고 점차테이프의 연신시 정착테이블과 점착테이프 사이의 마찰을 줄이고, 이에 의하여 지지필름의 넥킹을 방지할 수 있기 때문에 엠보싱하거나 윤활제로 코팅하는 것이 바람직하다.

방사선 경화성 점착제로서 예컨대 종래 공지된 점착제를 사용할 수 있다.

아크릴 점착제 100 중량부, 탄소-탄소 이중결합을 갖는 이소시아누레이트 화합물 및 시아누레이트 화합물로 구성되는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 화합물 10 내지 200 중량부, 및 2개의 탄소-탄소 이중결합을 갖는 폴리올 우레탄 아크릴레이트 또는 직쇄상 폴리에스테르 5 내지 100 중량부를 함유하는 점착제를 사용하는 것이 바람직하다.

상기 점착제는 방사선 조사후 점착제층의 고무와 같은 탄성을 유지할 수 있어, 방사선 조사후 점착 테이프 내의 고무와 같은 탄성(유연성)을 유지하는 효과가 특히 높다.

본 발명의 반도체 웨이퍼 고정용 점착테이프를 자외선의 조사에 의하여 경화시킬 때, 이소프로필벤조인 에테르, 이소부틸 벤조인 에테르, 벤조페는, 미클러 케톤(Michler's Ketone), 클로로 티옥산톤(Chloro-thioxanthone), 도데실티옥산톤, 디메틸티옥산톤, 디에틸티옥산톤, 벤질 디메틸케탈,α-히드록시시클로헥실 페닐케톤, 및 2-히드록시메틸페닐프로판 등과 같은 광중합 개시제를 첨가하면, 경화 반응시간이 짧고 자외선의 조사량이 작더라도, 경화 반응을 효율적으로 진행하여 칩 고정용 점착력을 저하시킬 수 있다.

필요에 따라서, 방사선 조사후 칩 고정용 점착력을 바람직하게 낮추기 위하여, 방사선 경화 실리콘 아크릴레이트 또는 실리콘 메타크릴레이트를 첨가할 수 있으며, 예컨대, 금속이온 봉쇄제(sequestering agent), 점착성 부여제, 점착성 조절제(adhesion adjuster), 계면활성제, 다른 개질제, 및 종래의 성분이 반도체 웨이퍼의 표면상에 금속물질로 코팅되는 특정의 처리면에 유사하게 첨가될 수 있으며, 예컨대 칩고정용 점착력을 저하시키기 위하여, 금속물질을 점착한다.

이 방사선 경화성 점착제 층의 두께는 통상 2내지 50㎛이다.

본 반도체 고정용 점착테이프가 반도체 웨이퍼 등을 절단하는데 사용될 때, 점착테이프는, 회전식 원형 칼날에 의해 웨이퍼가 칩으로 절단되면 칩이 떨어지거나 제거되지 않고 칩을 고정할 정도로 충분한 칩고정 점착력을 가지며, 더욱이 방사선 조사후, 지지필름이 방사선의 투과가 우수하기 때문에, 점착제는 3차원 구조를 가지며, 칩을 픽업할 때 칩고정 점착력을 저하시킬 수 있다. 또한, 점착테이프는 유연성을 유지하고, 방사선 조사후 연신성이 우수하기 때문에 칩사이의 간격을 이 테이프는 충분하고 균일하게 확대하게 해 준다.

따라서, 손상없이 용이하게 칩을 픽업할 수 있는 우수한 효과가 있다.

지지필름은, 반도체 웨이퍼를 오염시키며, 반도체 웨이퍼, 금속화합물계 안정제, 및 가소제에 해로운 영향을 줄 수 있는 염소함유 화합물을 함유하지 않기 대문에, 반도체 칩이 방사선 경화성 점착제으로 오염되지 않고, 칩의 수율을 증가하는 우수한 효과를 나타낸다.

또한, 다이싱시에 섬유지스러기가 생기지 않고, 점차적은 반도체 웨이퍼를 고정할 정도로 충분하고 유연성을 유지하면서, 방사선 조사후 저하된다는 우수한 효과를 달성할 수 있다.

더 나아가서, 픽업시의 열로 인한 필름의 끊어짐과, 부분적인 주름분리를 방지하고, 결과적으로 손상없이 용이하게 칩을 픽업하기 때문에 칩의 픽업실패를 줄일 수 있는 다른 효과를 달성할 수 있다.

이하, 본 발명을 실시예를 참고하여 설명하지만, 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.

실시예에서는 다음과 같은 특성을 시험, 평가하였다.

(1) 점착력(g/25㎜)

점착력은 조사 전,후의 칩을 고정하기 위한 점착력의 크기를 체크하는 지표이다.

5인치의 직경을 갖는 Si웨이퍼를, 제조된 방사선 경화성 점착테이프에 점착하고, 자외선의 조사 전,후의 점착력을 일본 공업 규격 JIS Z-0237(박리 peeling); 99℃, 박리강도;50㎜/min)에 의거하여 측정하였다.

점착테이프에 점착된 웨이퍼의 표면은 2개의 상태, 즉, 여기서, 연마처리된 #600면(표면이 US 메시 #600에 상응하는 매우 정밀한 그레인을 가짐)과 광택면의 상태로 이루어진다.

점착력은 다음과 같이 평가하였다.

(2) 칩의 간격(㎛)

칩의 간격은 점착테이프의 연신시에 세로/가로방향으로 칩사이의 간격의 크기 및 균일성을 체크하는 지표이다.

테이프를 자외선으로 경화하고, 웨이퍼 연신장치(공기압 : 2.0Kg/cm₂)에 의해 연신하며 세로/가로방향으로 칩사이의 간격의 양을 측정한 후, 웨이퍼를 크기 3㎜X3㎜의 칩으로 완전히 절단하고, 칩사이의 간격의 크기 및 균일성을 발견하였다.

칩사이의 간격의 양은 다이싱에 사용된 칼날의 두께인 40㎛를 포함한다.

칩사이의 간격의 크기(스캔$) :

$≥200㎛ : 칩의 상을 잘 인식할 수 있음.

200$≥100㎛ : 칩의 상을 인식할 수 있음.

100$≥80㎛ : 칩의 상을 인식하기 곤란함.

$80μm : 칩의 상을 인식할 수 없음.

균일성 :

세로/가로방향 ≤ 1.5 : 양호

세로/가로방향 1.5 : 불량

(3) Si 웨이퍼의 오염

Si 웨이퍼의 오염은, 방사선 경화성 점착제로 반도체 웨이퍼의 오염 정도(지지필름과 방사선 경화성 점착제 사이의 점착)을 체크하는 지표이며, 또한 반도체 웨이퍼를 해롭게 영향을 미치거나 오염시키는 화합물의 존재량을 체크하는 지표이다.

웨이퍼에 대한 초기점착강도가 25mm의 300 내지 350g/폭이고, 웨이퍼에 대한 경화된 점착강도가 25mm의 10내지 15g/폭인 아크릴 점착제를 사용하고, 40℃에서 로울 및 저장한 지지필름에 Si 웨이퍼를 고정하고, Si 웨이퍼의 오염을 다음 기준에 의거하여 평가하였다.

다만, Si 웨이퍼의 오염 ≥4W은 허용함.

≥4W : 4주 후도 오염되지 않음

3 W : 3주동안 오염되지 않음.

2W : 2주동안 오염되지 않음.

1W : 1주동안 오염되지 않음.

≥1W : 1주전에 오염됨.

(4) 30mm 스트로크에서 점착테이프를 연신하였을 때의 상태

O : 끊어지지 않음

X : 끊어짐.

[실시예 1 내지 7 및 비교예 1 내지 3]

표1에 나타낸 층 구성을 갖는 지지필름은 압출기를 통하여 단일 수지나 반죽된 혼합 조성물을 공압출합으로써 제조하였다.

모두 지지필름의 두께는 100μm 이었다.

점착제 도포가 적용된 연상에 얻은 지지필름의 각 표면을 코로나 처리를 행하고, 점착제를 그 위에 도포하여 건조후 점착테이프의 두께는 10μm 이었으며, 이에 의하여 방사선 경화서 점착테이프가 각각 제조되었다.

점착테이프의 물리적 특성을 상기 기술한 바와 같이 시험을 하였으며, 그 결과를 표1에 나타내었다.

실시예 및 비교예에서 사용되는 화합물을 다음과 같다. 점착테이프의 중간층에 사용되는 물질은 분자량 90,000 이상을 가지고, 단독 사용하였더니, 이들은 필름으로 형성될 수 없어 평가할 수 없었다.

물질 A (SEBS) :

Shell Chemical사 제품의 SEBS 블록계 공중합체인 KRATON G-1650.

스티렌 : 29% : 분자량 : 70,000

물질 B (SEBS) :

Shell Chemical사 제품의 SEBS 블록계 공중합체인 KRATON G-1650.

스티렌 : 13% : 분자량 : 80,000

물질 C (말레인산 변성 SEBS) :

Asahi Chemical사 제품의 TUFTEC M 1943

스티렌 : 20% : 분자량 : 50,000

물질 D (SEBS) :

Asahi Chemical사 제품의 SEBS 블록계 공중합체인, TUFTEC H 1041

스티렌 : 30% : 분자량 : 50,000

물질 E (SEBS) :

Asahi Chemical사 제품의 SEBS 블록계 공중합체인, TUFTEC H 1031

스티렌 : 20% : 분자량 : 30,000

물질 F (SEBS) :

Asahi Chemical사 제품의 SEBS 블록계 공중합체인, TUFTEC H 1051

스티렌 : 40% : 분자량 : 50,000

물질 G (EPDM과 30%의 스티렌 함유량, 및 분자량 10,000 이상을 갖는 SEBS 블록계 공중하체의 혼합물);

'Mitsubishi Petrochemical사 제품의 RABALON ME 5302C

점착제 A :

점착제 B :

점착제 C :

EVA-15(비닐함유량 10%를 갖는 에틸렌/비닐아세테이트 공중합체) ;

Sumitomo chemical사 제품의 EVATATE H 2021 F

EVA-3 (비닐함유량 3%를 갖는 에틸렌/비닐아세테이트 공중합체) ;

Mitsubishi Petrochemical사 제품의 MITSUBISHI POLYETHY-EVA V 113 K

본 발명의 실시예, 표 1의 결과로 부터 명백한 바와 같이, 방사선의 조사 전,후에 점착력이 양호하고, 충분한 크기로 연신을 한후 칩의 간격이 양호하며 점착제에 의한 웨이퍼의 오염은 허용할 수 있을 만큼 적다.

이와 반대로, 비교예에서는, 필름의 끊어짐을 발견하였으며(비교예1), 방사선의 조사후 점착력이 충분히 저하되지 않았고, 점착제에 의한 오염도 및 칩의 간격이 적었으며, (비교예 2), 점착제에 의한 오염도 및 분사결과의 점착력이 적었다(비교예 3).

[실시예 8 및 비교예 4와 5]

표 2에 나타낸 층 구성을 갖는 지지필름을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로 하여 방사선 경화성 테이프를 제조하였다. 실시예 1과 동일한 방법으로 하여 상기 각 테이프의 물리적 특성을 시험하였으며, 그 결과를 표 2에 나타내었다.

실시예 및 비교예에서 사용되는 화합물은 다음과 같았다.

물질 H :

Kuraray사 제품의 SEPS 블록계 공중합체인 SEPTON 2043.

스티렌 : 13%, 분자량 : 약 200,000

물질 I(SEPS) :

Kuraray사 제품의 SEPS 블록계 공중합체인, SEPTON 2063.

물질 J(SEPS) :

Kuraray사 제품의 SEPS 블록계 공중합체인, SEPTON 2103.

스티렌 : 50%, 분자량 : 약 200,000

점착제 A :

EVA-10(비닐아세테이트 함유량 10%를 갖는 에틸렌/비닐아세테이트 공중합체) :

Sumitomo Chemical사 제품의 EVATATE H 2021 F.

EVA-3(비닐아세테이트 함유량 3%를 갖는 에틸렌/비닐아세테이트 공중합체):

Mitsubishi Petrochemical사 제품의 MITSUBISHI POLYETHY-EVA V 113 K.

표 2의 결과로부터 명백한 바와 같이, 본 발명의 실시예 8의 반도체 웨이퍼 고정용 점착테이프는 표 1에서 실시예 1내지 7에서와 같이 우수한 특성을 나타내고 있으나, 비교예 4 및 5에서는 필름이 끊어지고, 점착제에 의한 오염 및 칩의 간격이 저하된다.

[실시예 9 내지 13 및 비교예 6 내지 8]

표 3에서 나타낸 바와 같은 층 구성을 갖는 지지필름을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로 하여 방사선 경화성 점착테이프를 제조하였다.

픽업의 강도, 주름분리, 및 픽업의 실패율을 시험하였으며 그 결과를 표 3에 나타내었다.

실시예 및 비교예에서 사용되는 화합물은 다음과 같다.

수지 I(SEBS) :

Shell Chemical사 제품의 SEBS 블록계 공중합체인, KRATON G-1675X

스티렌 : 13% : 분자량 : 80,000

수지 II(스티렌/에틸 아크릴레이트 공중합체)

Dow chemicals사 제품의 PRIMACOL 5980.

수지 III(폴리아미드/폴리에테르 공중합체)

EMS JAPAN CORPORATION사 제품의 ELY 2742.

EVA-10 : 실시예 8의 EVA-10 과 동일.

EVA-3 : 실시예 1의 EVA-3 과 동일

실시예에서는 특성을 다음과 같이 시험, 평가하였다.

(1) 점착력(g/25㎜)

실시예 1에서와 동일한 시험 및 평가를 실시하였다.

(2) 칩사이의 간격(㎛) :

실시예 1에서와 동일한 시험 및 평가를 실시하였다.

(3) 30㎜의 스트로크에서 점착테이프를 연신하였을 때의 상태 :

실시예 1에서와 동일한 시험 및 평가를 실시하였다.

(4) 칩의 불량율(Si 웨이퍼의 오염도) :

길이 100㎛이상의 지스러기가 부착된 칩의 수를 기록하였다. 픽업시 10,000 칩중에서 5미만의 수는 허용함.

(5) 칩을 픽업하였을 때의 상태 ; 3

O : 끊어지지 않음.

X : 끊어짐.

(6) 주름분리 :

O : 분리되지 않음.

X : 분리됨.

(7) 픽업의 실패율

픽업실패의 수를 기록하였다. 5인치의 5 웨이퍼(10,000칩) 당 5미만의 수는 허용한다. 이 비율은 칩의 작은 간격으로 인하여 상(象) 동일함이 어려울 때 또는 주름분리로 인하여 칩이 지지필름으로부터 떼어지지 않을 때 켜지게 된다.

본 발명의 실시예, 표 3의 결과로부터 명백한 바와 같이, 방사선의 조사 전,후의 점착력이 양호하며, 연신후의 칩사이의 간격이 충분히 크고, 칩의 연신 및 픽업시의 필름 강도와 층간 강도가 모두 양호하며 (끊어짐이 없고 주름분리가 없음), 픽업의 실패율 및 칩의 불량율이 허용할 정도로 작은 반도체 웨이퍼 고정용 점착테이프를 얻었다.

이와 반대로, 비교예에서는 필름의 끊어짐과 칩사이의 간격의 확대 부족을 발견하였으며, 픽업의 실패율 및 칩의 불량율이 양호하지 못하였다.

[실시예 14 내지 18 및 비교예 9 내지 12]

표 4에 나타낸 바와 같은 층 구성을 갖는 지지필름을 사용한 것 이외에는, 실시예 9와 동일한 방법으로 하여 방사선 경화성 점착테이프를 제조하였다.

실시예 9에서와 같은 방법으로 하여 각 테이프의 물리적 특성을 시험하였으며 그 결과를 표 4에 나타내었다.

실시예 및 비교예에서 사용되는 화합물은, 다음과 같이 수지 II를 바꾼 것 이외에는, 실시예 9의 것과 동일하다.

수지 II(무정형 폴리 α-올레핀) :

UB-LEXENE사의 제품인 APAO RT 2780

표 4의 결과로부터 명백한 바와 같이, 본 발명의 실시예의 반도체 웨이퍼 고정용 점착테이프는 우수한 특성을 나타내었지만, 비교예에서는, 필름의 끊어짐과 부분적인 주름 분리를 발견하였다.

[실시예 19 내지 21]

표 5에 나타낸 바와 같은 층 구성을 갖는 지지필름을 사용한 것 이외에는, 실시예 9와 동일한 방법으로 하여 방사선 경화성 점착테이프를 제조하였다.

실시예 9와 동일한 방법으로 하여, 각 테이프의 물리적 특성을 시험하였으며 그 결과를 표 5에 나타내었다.

본 발명의 실시예, 표 5의 결과로부터 명백한 바와 같이 우수한 특성을 갖는 반도체 웨이퍼 고정용 점착테이프를 얻었다.

이상에서는, 본 발명을 바람직한 실시예를 참조하여 기술하였으나, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 명세의 전체의 요지와 특허청구의 범위를 벗어나지 않는 범위내에서 많은 변형이 행하여 질 수 있다는 것을 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의하여 용이하게 이해되어 질 수 있다.

Claims

지지필름의 한쪽 표면상에 방사선 경화성 점착제 층을 가지며, 상기 지지필름은, 중간층으로서, 스티렌 중합체 블록 성분(A)와, 에틸렌/부텐 공중합체 블록 성분(B) 또는 에틸렌/펜텐 공중합체 블록 성분(C)으로 구성되는 군중에서 선택된 하나의 성분을 가지되, 상기 A+B 블록 공중합체의 경우, 상기 성분(A)는 상기 성분(A)+성분(B)의 10 내지 30wt%이고, 중량 평균 분자량이 35,000 내지 90,000인 스티렌/에틸렌/부텐/스티렌 블록계 공중합체를 포함하여 구성된 필름을 가지고 이루어진 적층 필름으로 구성되며; 상기 A+C 블록 공중합체의 경우, 상기 성분(A)는 상기 성분(A) + 성분(C)의 10내지 30wt%이고, 중량 평균 분자량이 150,000 내지 500,000인 스티렌/에틸렌/펜텐/스티렌 블록계 공중합체를 포함하여 구성된 필름을 가지고 이루어진 적층 필름으로 구성되며; 상기 방사선 경화성 점착제층이 마련되는 측면의 중간층의 한쪽 표면상에, 결합층을 통하여 혹은 직접, 마련되는 점착제 코팅층을 가지며, 중간층의 다른쪽 표면상에 마련되는 이동 방지층을 갖는 것인 반도체 웨이퍼 고정용 점착테이프.