KR20110099106A - 전자 부품의 제조 방법 - Google Patents

전자 부품의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20110099106A
KR20110099106A KR1020117013718A KR20117013718A KR20110099106A KR 20110099106 A KR20110099106 A KR 20110099106A KR 1020117013718 A KR1020117013718 A KR 1020117013718A KR 20117013718 A KR20117013718 A KR 20117013718A KR 20110099106 A KR20110099106 A KR 20110099106A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
adhesive
ultraviolet
dicing
semi
meth
Prior art date
Application number
KR1020117013718A
Other languages
English (en)
Inventor
다케시 사이토
도모미치 다카츠
Original Assignee
덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤 filed Critical 덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤
Publication of KR20110099106A publication Critical patent/KR20110099106A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B25/00—Layered products comprising a layer of natural or synthetic rubber
    • B32B25/12—Layered products comprising a layer of natural or synthetic rubber comprising natural rubber
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B25/00—Layered products comprising a layer of natural or synthetic rubber
    • B32B25/14—Layered products comprising a layer of natural or synthetic rubber comprising synthetic rubber copolymers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/06—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B27/08—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/16—Layered products comprising a layer of synthetic resin specially treated, e.g. irradiated
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/18—Layered products comprising a layer of synthetic resin characterised by the use of special additives
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/28—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42
    • B32B27/281—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42 comprising polyimides
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/28—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42
    • B32B27/283—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42 comprising polysiloxanes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/30—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/30—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers
    • B32B27/308—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers comprising acrylic (co)polymers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/32—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyolefins
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/36—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyesters
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/38—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising epoxy resins
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/40—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyurethanes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04—Interconnection of layers
    • B32B7/12—Interconnection of layers using interposed adhesives or interposed materials with bonding properties
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2270/00—Resin or rubber layer containing a blend of at least two different polymers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2274/00—Thermoplastic elastomer material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/20—Properties of the layers or laminate having particular electrical or magnetic properties, e.g. piezoelectric
    • B32B2307/21—Anti-static
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/14—Semiconductor wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27—Manufacturing methods
    • H01L2224/274—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83855—Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • H01L2224/83856—Pre-cured adhesive, i.e. B-stage adhesive
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01011—Sodium [Na]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01025—Manganese [Mn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0103—Zinc [Zn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01058—Cerium [Ce]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01075—Rhenium [Re]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/0665—Epoxy resin

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

본 발명은 자외선 경화형 점착제의 점착력을 미리 저하시키는 한편 응집력을 향상시킴으로써, 다이싱 후에 접착제 반경화층이 부착된 칩을 픽업할 때 픽업 불량을 억제하는 것을 목적으로 한다. 반도체 웨이퍼의 이면에 페이스트상 접착제를 도포하고, 이 페이스트상 접착제를 가열 또는 자외선 조사에 의해 시트상으로 반경화시켜 접착제 반경화층을 형성하는 공정과, 기재 필름에 자외선 경화형 점착제를 적층한 점착 시트를 이 접착제 반경화층에 첩부하는 첩합 공정과, 상기 자외선 경화형 점착제에 자외선 조사를 실시하는 자외선 조사 공정과, 상기 점착 시트에 첩부된 이 접착제 반경화층과 이 반도체 웨이퍼를 다이싱하는 다이싱 공정을 가지는 접착제 반경화층 부착 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법이 제공된다.

Description

전자 부품의 제조 방법{ELECTRONIC COMPONENT MANUFACTURING METHOD}
본 발명은 접착제 반경화층이 부착된 반도체 웨이퍼를 칩 위에 다이싱할 때의 전자 부품의 제조 방법에 관한 것이다.
전자 부품의 제조 방법의 하나로, 웨이퍼나 절연 기판 상에 복수의 회로 패턴이 형성된 전자 부품 집합체를 점착 시트에 첩부하는 첩합 공정과, 첩부된 웨이퍼나 전자 부품 집합체를 개개로 절단해 칩화하는 절단·분리 공정(다이싱 공정)과, 점착 시트 측으로부터 자외선을 조사해 점착제층의 점착력을 저감시키는 자외선 조사 공정과, 절단된 칩을 점착 시트로부터 픽업하는 픽업 공정과, 픽업된 칩의 바닥면에 접착제를 도포한 후에 이 접착제로 칩을 리드 프레임 등에 고정하는 고정 공정을 가지는 제조 방법이 알려져 있다.
절단 공정에 있어서는 웨이퍼나 전자 부품 집합체를 점착 시트에 첩부하고, 추가로 점착 시트를 링 프레임에 고정하고 나서 개개의 칩으로 절단해 분리(다이싱)하는 방법이 알려져 있다.
이 제조 방법에서 이용되는 점착 시트에 다이아 터치 필름을 적층함으로써, 다이싱용 점착 시트의 기능과 칩을 리드 프레임 등에 고정하는 접착제의 기능을 겸비한 점착 시트(다이아 터치 필름 일체형 시트)를 이용하는 방법이 제안되고 있다(특허문헌 1, 특허문헌 2 참조). 다이아 터치 필름 일체형 시트를 전자 부품의 제조에 이용함으로써, 다이싱 후의 접착제의 도포 공정을 생략할 수 있다. 다이아 터치 필름 일체형 시트는 칩과 리드 프레임의 접착에 접착제를 이용하는 방법에 비해, 접착제 부분의 두께 제어나 접착제의 비어져 나옴 억제가 뛰어나다. 다이아 터치 필름 일체형 시트는 칩 사이즈 패키지, 스택 패키지 및 시스템 인 패키지 등의 전자 부품의 제조에 이용되고 있다.
미리, 반도체 웨이퍼 상에 페이스트상 접착제를 도포하고, 가열 또는 자외선 조사에 의해 시트상으로 반경화시켜 접착제 반경화층을 형성함으로써, 다이싱 후의 접착제의 도포 공정을 생략할 수 있는 제조 방법이 있다.
그렇지만, 반도체 부품의 고집적화에 수반해 칩 사이즈는 크고 얇아지고 있어 다이싱 후의 칩의 픽업 작업이 곤란해지는 경우가 증가하고 있었다. 또한, 다이싱시에는 반도체 웨이퍼 뿐만 아니라, 접착제 반경화층 및 점착 시트의 점착제층까지도 다이싱하기 위한 다이싱 라인은 접착제 반경화층과 점착제층의 혼재가 생겨, 다이싱 후에 자외선의 조사를 실시해 점착력의 저감이 충분히 도모된 경우에도 픽업시의 박리 용이성이 뒤떨어져 픽업 불량을 일으키는 경우가 있었다.
일본국 특개 2006-049509호 공보 일본국 특개 2007-246633호 공보
본 발명은 상기 사정을 감안해 이루어진 것으로, 픽업시에 있어서의 점착 시트와 접착제 반경화층 사이의 박리가 용이하고, 이렇게 하여 다이싱 후의 칩의 픽업 작업을 용이하게 실시할 수 있는 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법이 제공된다.
본 발명에 의하면, 반도체 웨이퍼의 이면에 페이스트상 접착제를 도포하고, 이 페이스트상 접착제를 가열 또는 자외선 조사에 의해 시트상으로 반경화시켜 접착제 반경화층을 형성하는 공정과, 기재 필름에 자외선 경화형 점착제를 적층한 점착 시트를 이 접착제 반경화층에 첩부하는 첩합 공정과, 상기 자외선 경화형 점착제에 자외선 조사를 실시하는 자외선 조사 공정과, 상기 점착 시트에 첩부된 이 접착제 반경화층과 이 반도체 웨이퍼를 다이싱하는 다이싱 공정을 가지는 접착제 반경화층 부착 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법이 제공된다.
본 발명의 일 태양에 의하면, 상기 자외선 경화형 점착제가 (메타)아크릴산 에스테르 중합체와 비닐기를 4개 이상 가지는 우레탄 아크릴레이트 올리고머와 자외선 중합 개시제와 실리콘 그라프트 중합체를 적어도 함유한다. 또, 본 발명의 일 태양에 의하면, 상기 접착제 반경화층이 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 아크릴 수지, 실리콘 수지를 적어도 갖고, 또한 상기 접착제 반경화층의 두께가 10㎛ 이상이다.
이 다이싱 방법에 의해, 자외선 경화형 점착제의 점착력을 미리 저하시키는 한편 응집력을 향상시켜 다이싱 후에 접착제 반경화층이 부착된 칩을 픽업할 때에 접착제 반경화층과 점착 시트의 자외선 경화형 점착제층의 다이싱 라인에 대한 혼재를 저감할 수 있다. 이 때문에, 픽업 불량을 억제할 수 있다.
또한, 다이싱 공정 후에도 종래 방법과 마찬가지로 재차의 자외선 조사 공정을 마련해도 되는 것은 물론이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해서 설명한다.
본 명세서에 있어서 단량체란, 이른바 단량체 그 자체, 또는 단량체에 유래하는 구조를 의미한다. 본 명세서의 부 및 %는 특별히 기재가 없는 한 중량 기준으로 한다.
또, 본 명세서에 있어서 (메타)아크릴로일기란 아크릴로일기 및 메타아크리로일기의 총칭이다. (메타)아크릴산 등의 (메타)를 포함하는 화합물들도 마찬가지로 명칭 중에 「메타」를 가지는 화합물과 「메타」를 갖지 않는 화합물의 총칭이다. 자외선 중합성 화합물인 우레탄아크릴레이트 올리고머의 관능기 수란 우레탄 아크릴레이트 올리고머 분자 1개당 비닐기수를 말한다.
<자외선 조사 공정>
자외선의 광원은 특별히 한정되지 않고, 공지의 것을 사용할 수 있다. 자외선원으로서 블랙 라이트, 저압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 메탈 할라이드 램프, 엑시머 램프 등을 들 수 있다.
자외선의 조사광 양은 특별히 한정되지 않고, 자외선 경화형 점착제의 설계에 의해 적절히 선택할 수 있지만, 일반적으로는 5mJ/㎠ 이상 1000mJ/㎠ 미만이 바람직하다. 조사광 양이 적으면 자외선 경화형 점착제의 경화가 불충분하게 되어 픽업성이 뒤떨어지는 경향이 있고, 조사광 양이 많으면 UV 조사 시간의 장기화에 의해 작업성이 저하되기 때문이다.
<자외선 경화형 점착제층>
자외선 경화형 점착제는 종래 공지의 것을 채용할 수 있다. 자외선 경화형 점착제의 성분 및 자외선 조사되었을 때의 작용은 주제인 베이스 폴리머로 점착력을 발휘시키고, 자외선을 받은 자외선 중합 개시제로 불포화 결합을 가지는 자외선 중합성 화합물을 삼차원 그물코 모양 구조가 되게 하여 경화시키는(점착력을 저하시킴) 것이다. 픽업성을 향상시키기 위해, 상기 베이스 폴리머로는 (메타)아크릴산 에스테르 중합체, 상기 자외선 중합성 화합물로는 비닐기를 4개 이상 가지는 우레탄 아크릴레이트 올리고머가 바람직하고, 추가로 자외선 중합 개시제와 실리콘 그라프트 중합체를 함유하는 것이 바람직하다.
상기 베이스 폴리머로는 일반적으로 알려져 있는 (메타)아크릴산 에스테르 중합체, 고무계 점착제 등을 이용할 수 있다.
(메타)아크릴산 에스테르 중합체는 (메타)아크릴산 에스테르 단량체를 중합한 중합체이다. 또, (메타)아크릴산 에스테르 중합체는 (메타)아크릴산 에스테르 단량체 이외의 비닐 화합물 단량체를 포함해도 된다.
(메타)아크릴산 에스테르의 단량체로는 예를 들면, 부틸 (메타)아크릴레이트, 2-부틸 (메타)아크릴레이트, t-부틸 (메타)아크릴레이트, 펜틸 (메타)아크릴레이트, 옥틸 (메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실 (메타)아크릴레이트, 노닐 (메타)아크릴레이트, 데실 (메타)아크릴레이트, 라우릴 (메타)아크릴레이트, 메틸 (메타)아크릴레이트, 에틸 (메타)아크릴레이트, 이소프로필 (메타)아크릴레이트, 트리데실 (메타)아크릴레이트, 미리스틸 (메타)아크릴레이트, 세틸 (메타)아크릴레이트, 스테아릴 (메타)아크릴레이트, 시클로헥실 (메타)아크릴레이트, 이소보닐 (메타)아크릴레이트, 디시클로펜타닐 (메타)아크릴레이트, 벤질 (메타)아크릴레이트, 메톡시에틸 (메타)아크릴레이트, 에톡시에틸 (메타)아크릴레이트, 부톡시메틸 (메타)아크릴레이트 및 에톡시-n-프로필 (메타)아크릴레이트, 2-히드록시에틸 (메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필 (메타)아크릴레이트 및 2-히드록시부틸 (메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
비닐 화합물 단량체로는 히드록실기, 카르복실기, 에폭시기, 아미드기, 아미노기, 메틸올기, 설폰산기, 설파민산기 및 (아)인산 에스테르기로 이루어진 관능기 군의 1종 이상을 가지는 것을 바람직하게 이용할 수 있다.
히드록실기를 가지는 비닐 화합물 단량체로는 예를 들면, 비닐 알코올 등을 들 수 있다.
카르복실기를 가지는 비닐 화합물 단량체로는 예를 들면, (메타)아크릴산, 크로톤산, 말레산, 무수 말레산, 이타콘산, 푸말산, 아크릴아미드 N-글리콜산 및 숙신산 등을 들 수 있다.
에폭시기를 가지는 비닐 화합물 단량체로는 예를 들면, 알릴글리시딜 에테르 및 (메타)아크릴산 글리시딜 에테르 등을 들 수 있다.
아미드기를 가지는 비닐 화합물 단량체로는 예를 들면, (메타)아크릴아미드 등을 들 수 있다.
아미노기를 가지는 비닐 화합물 단량체로는 예를 들면, N,N-디메틸아미노에틸 (메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
메틸올기를 가지는 비닐 화합물 단량체로는 예를 들면, N-메틸올 아크릴아미드 등을 들 수 있다.
(메타)아크릴산 에스테르 중합체의 제조 방법은 유화 중합, 용액 중합 등을 사용할 수 있다. 픽업성을 고려했을 경우, 유화 중합에 의해 제조할 수 있는 아크릴 고무가 바람직하다.
고무계 점착제로는 예를 들면, 천연 고무, 합성 이소프렌 고무, 스티렌 부타디엔 고무, 스티렌·부타디엔 블록 공중합체, 스티렌·이소프렌 블록 공중합체, 부틸 고무, 폴리이소부틸렌, 폴리부타디엔, 폴리비닐에테르, 실리콘 고무, 폴리비닐이소부틸에테르, 클로로프렌 고무, 니트닐 고무, 크라프트 고무, 재생 고무, 스티렌·에틸렌·부틸렌·블록 코폴리머, 스티렌·프로필렌·부틸렌·블록 코폴리머, 스티렌·이소프렌·블록 폴리머, 폴리이소부틸렌·에틸렌·프로필렌 공중합체, 에틸렌아세트산 비닐 공중합체, 폴리이소부틸렌·실리콘 고무, 폴리비닐이소부틸 에테르·클로로프렌 등이 있고, 이들 단독물 뿐만 아니라 혼합물이어도 된다.
상기 자외선 중합성 화합물이란 자외선 조사에 의해서 삼차원 망상화할 수 있는 분자 내에 광중합성 탄소-탄소 이중 결합을 적어도 2개 이상 가지는 저분자량 화합물을 말하고 예를 들면, 아크릴레이트 화합물, 우레탄아크릴레이트 올리고머가 있다. 아크릴레이트 화합물로서 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트, 테트라메틸올메탄 테트라아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 모노히드록시 펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜 디아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 디아크릴레이트, 시아눌산 트리에틸 아크릴레이트, 시판되는 올리고에스테르 아크릴레이트가 있다.
우레탄 아크릴레이트 올리고머로는 폴리에스테르형 또는 폴리에테르형 등의 폴리올 화합물과 다가 이소시아네이트 화합물 예를 들면, 2,4-트릴렌 디이소시아네이트, 2,6-트릴렌 디이소시아네이트, 1,3-크실렌 디이소시아네이트, 1,4-크실렌 디이소시아네이트, 디페닐메탄 4,4-디이소시아네이트, 트리메틸헥사메틸렌 디이소시아네이트, 헥사메틸렌 디이소시아네이트, 이소포론 디이소시아네이트 등을 반응시켜 얻어지는 말단 이소시아네이트 우레탄 프리폴리머에 히드록시기를 가지는 (메타)아크릴레이트 예를 들면, 2-히드록시에틸 (메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필 (메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리아크릴레이트, 글리시돌 디(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 모노히드록시 펜타아크릴레이트 등을 반응시켜 얻어진다. 자외선 및/또는 방사선 중합성 화합물로는 비닐기를 4개 이상 가지는 우레탄 아크릴레이트 올리고머가 바람직하다.
자외선 중합성 화합물의 배합량은 특별히 한정되지 않지만, 베이스 폴리머 100중량부에 대해서 20중량부 이상 200중량부 이하로 하는 것이 바람직하다. 자외선 중합성 화합물의 배합량이 20중량부보다 적으면 자외선 조사 후의 자외선 경화형 점착제의 경화가 불충분하여 점착 시트와 접착제 반경화층이 용이하게 박리하지 않아 픽업성에 문제가 발생하는 경우가 있다. 또, 200중량부보다 과잉으로 배합하면 자외선 조사 후의 자외선 경화형 점착제의 경화가 진행되어 다이싱시에 칩이 비산하는 경우가 있는 동시에 반응 잔사에 의한 미소한 접착제 잔류가 생겨 접착제 반경화층이 부착된 다이 칩을 리드 프레임 상에 탑재했을 때의 가온시에 접착 불량이 발생하는 경우가 있다.
상기 자외선 중합 개시제로는 구체적으로는 예를 들면, 4-페녹시디클로로아세토페논, 4-t-부틸디클로로아세토페논, 디에톡시아세토페논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 1-(4-이소프로필페닐)-2-히드록시-2-메틸프로판-1-온, 1-(4-도데실페닐)-2-히드록시-2-메틸프로판-1-온, 4-(2-히드록시에톡시)페닐(2-히드록시-2-프로필)케톤, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판-1 등의 아세토페논계 자외선 중합 개시제, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논 등의 벤조인계 자외선 중합 개시제, 벤조페논, 벤조일벤조산, 벤조일벤조산메틸, 4-페닐벤조페논, 히드록시벤조페논, 4-벤조일-4'-메틸디페닐설파이드, 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논 등의 벤조페논계 자외선 중합 개시제, 티옥산톤, 2-클로로티옥산톤, 2-메틸티옥산톤, 2,4-디메틸티옥산톤, 이소프로필티옥산톤, 2,4-디클로로티옥산톤, 2,4-디에틸티옥산톤, 2,4-디이소프로필티옥산톤 등의 티옥산톤계 자외선 중합 개시제, α-아실옥심 에스테르, 아실포스핀 옥사이드, 메틸페닐 글리옥실레이트, 벤질, 캠퍼퀴논, 디벤조수베론, 2-에틸안트라퀴논, 4',4"-디에틸이소프탈로페논 등의 특수 자외선 중합 개시제 등을 들 수 있다.
자외선 중합 개시제의 배합량은 특별히 한정되지 않지만, 자외선 중합성 화합물 100중량부에 대해서 0.1~15중량부가 바람직하다. 너무나 적으면 자외선 조사에 있어서의 경화 작용이 부족해져 점착력의 저하가 불충분해지는 경향이 있고, 너무나 많으면 과잉이 되어 열 혹은 형광등 하에서의 안정성이 나빠지는 경향이 있다.
자외선 경화형 점착제에는 픽업성을 향상시키기 위해서 필요에 따라 실리콘 그라프트 중합체를 배합할 수도 있다. 이 실리콘 그라프트 중합체의 채용에 의해 접착제 반경화층과 자외선 경화형 점착제 계면의 밀착성을 저하시킬 수 있다.
실리콘 그라프트 중합체는 실리콘 분자쇄의 말단에 비닐기를 가지는 단량체(이하,「실리콘 매크로모노머」라고 함)를 중합한 것인 점 이외에는 특별히 한정되지 않고 예를 들면, 실리콘 매크로모노머의 호모폴리머나 실리콘 매크로모노머와 다른 비닐 화합물의 코폴리머를 들 수 있다. 실리콘 매크로모노머는 실리콘 분자쇄의 말단이 (메타)아크릴로일기 또는 스티릴기 등의 비닐기로 되어 있는 화합물이 바람직하게 이용된다.
다른 비닐 화합물로는 점착제에 배합되는 다른 중합체와의 상용성이 높은 (메타)아크릴 단량체가 바람직하다. 상용성이 높은 것을 이용하면, 점착제 전체가 균질이 되기 때문이다.
실리콘 그라프트 중합체의 배합량은 특별히 한정되지 않지만, 베이스 폴리머 100중량부에 대해서 0.1중량부 이상 10중량부 이하로 하는 것이 바람직하다. 실리콘 그라프트 중합체의 배합량이 0.1중량부보다 적으면 점착 시트와 접착제 반경화층이 용이하게 박리하지 않아 다이 칩의 픽업성에 문제가 발생하는 경우가 있다. 또, 10중량부보다 과잉으로 배합하면, 초기의 점착력이 저하해 다이싱시에 링 프레임으로부터 박리하는 경우가 있다.
자외선 경화형 점착제에는 초기 점착력을 임의로 설정하기 위해서, 필요에 따라 경화제를 배합할 수도 있다. 이 경화제의 채용에 의해, 점착제로서 응집력을 높여 자외선 조사 전(미조사) 상태에서도 첩합시의 오염이 생기지 않아 재박리성을 얻을 수 있다.
경화제로는 이소시아네이트계, 에폭시계, 아지리딘계 등의 것이 있고, 이들 단독물 뿐만 아니라 혼합물이어도 된다. 상기 이소시아네이트로는 다가 이소시아네이트 화합물 예를 들면, 2,4-트릴렌 디이소시아네이트, 2,6-트릴렌 디이소시아네이트, 1,3-크실렌 디이소시아네이트, 1,4-크실렌 디이소시아네이트, 디페닐메탄-4,4'-디이소시아네이트, 디페닐메탄-2,4'-디이소시아네이트, 3-메틸디페닐메탄 디이소시아네이트, 헥사메틸렌 디이소시아네이트, 이소포론 디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄-4,4'-디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄-2,4'-디이소시아네이트, 리진 이소시아네이트, 페닐렌 디이소시아네이트, 트릴렌 디이소시아네이트, 디페닐메탄 디이소시아네이트, 시클로헥산 디이소시아네이트 등이 있다.
자외선 조사형 점착제는 일반적으로 5~70㎛의 두께로 형성된다. 이것은 너무나 두꺼우면 자외선 조사에 의한 경화가 늦어지고, 너무나 얇으면 점착력을 높게 설정할 수 없기 때문이다. 이 점착제에는 종래 공지의 점착 부여 수지, 충전제, 노화 방지제, 연화제, 안정제 혹은 착색제 등을 적절히 선택해 첨가할 수 있다.
<점착 시트>
점착 시트는 자외선 조사형 점착제를 기재 필름 상에 도포함으로써 제조되고, 기재 필름과 그 기재 필름 상에 적층되어서 이루어지는 자외선 조사형 점착제층으로 이루어진다. 기재 필름의 두께는 30㎛ 이상으로 하는 것이 바람직하고, 60㎛ 이상으로 하는 것이 더욱 바람직하다. 또, 기재 필름 두께는 300㎛ 이하로 하는 것이 바람직하고, 200㎛ 이하로 하는 것이 더욱 바람직하다.
기재 필름의 소재는 예를 들면, 폴리염화비닐, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산-아크릴산 에스테르 필름, 에틸렌-에틸아크릴레이트 공중합체, 열가소성 올레핀계 엘라스토머, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리프로필렌계 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체 및 에틸렌-(메타)아크릴산 공중합체나 에틸렌-(메타)아크릴산-(메타)아크릴산 에스테르 공중합체 등을 금속 이온으로 가교해서 이루어지는 아이오노머(ionomer) 수지가 있다. 기재 필름에는 이들 수지의 혼합물, 공중합체 및 다층 필름 등을 사용할 수 있다.
기재 필름의 소재는 상술한 소재 중에서 아이오노머 수지를 이용하는 것이 바람직하다. 아이오노머 수지에서도 에틸렌 단위, (메타)아크릴산 단위 및 (메타)아크릴산 알킬에스테르 단위를 가지는 공중합체를 Na+, K+, Zn2 + 등의 금속 이온으로 가교한 아이오노머 수지가 수염 모양의 절삭 부스러기 발생 억제의 효과를 가지기 때문에 바람직하다.
기재 필름의 성형 방법은 예를 들면, 캘린더 성형법, T 다이 압출법, 인플레이션법 및 캐스팅법 등이 있다.
기재 필름 상에 자외선 조사형 점착제층을 형성해 점착 시트로 하는 방법은 예를 들면, 그라비아 코터, 콤마 코터, 바 코터, 나이프 코터 또는 롤 코터 등의 코터로 기재 필름 상에 점착제를 직접 도포하는 방법이 있다. 볼록판 인쇄, 오목판 인쇄, 평판 인쇄, 플렉소 인쇄, 오프셋 인쇄 또는 스크린 인쇄 등으로 기재 필름 상에 점착제를 인쇄해도 된다.
<접착제 반경화층>
접착제 반경화층은 반도체 웨이퍼의 이면, 즉 리드 프레임 또는 회로 기판과 접착시키기 위한 회로 비(非)형성면에 페이스트상 접착제를 전면 도포하고, 이것을 가열 또는 자외선 조사해 시트상으로 반경화시켜 접착제 반경화층을 형성한다.
접착제 반경화층의 재질은 일반적으로 사용되는 점착제나 접착제의 성분으로 무방하다. 점착제로는 예를 들면, 에폭시, 폴리아미드, 아크릴 및 폴리이미드 등이 있다. 접착제로는 예를 들면, 아크릴, 아세트산비닐, 에틸렌·아세트산비닐 공중합체, 에틸렌·아크릴산 에스테르 공중합체, 폴리아미드, 폴리에틸렌, 폴리술폰, 에폭시, 폴리이미드, 폴리아미드산, 실리콘, 페놀, 고무 폴리머, 불소 고무 폴리머 및 불소 수지 등이 있고, 폴리이미드가 바람직하다.
접착제 반경화층에는 이들 점착제나 접착제 성분의 혼합물, 공중합체 및 적층체를 이용할 수 있다. 접착제 반경화층에는 필요에 따라 예를 들면, 경화제, 자외선 중합 개시제, 대전 방지제, 경화 촉진제 등의 첨가물을 혼합해도 된다.
실시예
<실험 재료의 조제>
실시예와 관련된 각종 실험 재료는 하기의 처방으로 제조했다.
점착 시트의 재료로서 이하의 것을 준비했다.
베이스 폴리머: 에틸 아크릴레이트 54%, 부틸 아크릴레이트 22%, 메톡시에틸 아크릴레이트 24%의 공중합체에 있어서 현탁 중합에 의해 얻어진 (메타)아크릴산 에스테르 중합체(당사 중합품)
자외선 중합성 화합물 A: 폴리(프로필렌옥사이드)디올의 말단에 헥사메틸렌 디이소시아네이트(지방족 디이소시아네이트)의 3량체를 반응시켜서 이루어지는 말단 이소시아네이트 올리고머에 추가로 디펜타에리트리톨 펜타아크릴레이트를 반응시켜서 이루어지는 말단 아크릴레이트 올리고머. 수 평균 분자량(Mn)이 3,700이고, 아크릴레이트 관능기 수 15개(15관능)의 우레탄아크릴레이트 올리고머(당사 중합품)
자외선 중합성 화합물 B: 펜타에리트리톨 펜타아크릴레이트(신나카무라 화학사제 NK 에스테르 A-TMM-3L)
자외선 중합 개시제: 벤질디메틸케탈(치바·재팬사제 이르가큐아 651(등록상표))
실리콘 그라프트 중합체: 실리콘 그라프트 올리고머 30중량부, 부틸 아크릴레이트 20중량부, 메틸 메타아크릴레이트 30중량부 및 2-히드록시메틸 아크릴레이트 20중량부를 중합해서 이루어지는 실리콘 그라프트 중합체(당사 중합품)
실리콘 그라프트 올리고머: 실리콘 분자쇄의 말단에 메타아크릴로일기를 가지는 실리콘 그라프트 올리고머(당사 중합품)
경화제: 1,6-헥사메틸렌 디이소시아네이트의 트리메틸올프로판 부가체(일본 폴리우레탄사제 콜로네이트 HL(등록상표))
각 실험 번호에 대응하는 점착제의 주된 성분과 그 배합량은 표 1에 나타내는 바와 같으며, 각 점착제의 조제에 있어서는 이들 표에 나타낸 성분에 더해 경화제를 3중량부 배합했다.
Figure pct00001
다음에, 점착제를 PET 세퍼레이터 필름 상에 도포하여 건조 후의 점착제층의 두께가 10㎛가 되도록 도공하고, 기재 필름에 적층해 점착 시트를 얻었다. 기재 필름으로는 에틸렌-메타아크릴산-메타아크릴산 에스테르 공중합체의 Zn염을 주체로 하는 아이오노머 수지로 이루어지고, 멜트 플로우 레이트(MFR)가 1.5g/10분(JIS K7210, 210℃), 융점이 96℃, Zn2 + 이온을 함유하는 필름(미츠이·듀퐁 폴리케미컬사제 하이밀란 1650(등록상표))을 이용했다.
접착제 반경화층으로서 이하의 것을 준비했다.
접착제 반경화층 A: 페이스트상 접착제로서 에폭시계 접착제를 이용해 직경 8인치×두께 0.1㎜의 반도체 웨이퍼의 이면에 전면 도포하고, 110℃에서 3분간 가열한 두께 30㎛의 시트.
접착제 반경화층 B: 페이스트상 접착제로서 아크릴 수지 및 에폭시 수지를 포함하는 접착제를 이용해 직경 8인치×두께 0.1㎜의 반도체 웨이퍼의 이면에 전면 도포하고, 질소 분위기 하에서 고압 수은등으로 자외선을 1000mJ/㎠ 조사한 두께 30㎛의 시트.
<첩합 공정>
테크노비젼제 FM-3343을 사용해 반도체 웨이퍼의 이면에 형성된 접착제 반경화층에 점착 시트를 첩부했다.
<자외선 조사 공정>
상기 첩합 공정의 시료의 점착 시트측으로부터 고압 수은등으로 자외선을 150mJ/㎠ 조사했다.
<다이싱 공정>
점착 시트에 대한 절단 양은 25㎛로 했다. 다이싱은 10㎜×10㎜의 칩 사이즈로 실시했다. 다이싱 장치는 DISCO사제 DAD341를 이용했다. 다이싱 블레이드는 DISCO사제 NBC-ZH205O-27HEEE를 이용했다.
다이싱 블레이드 형상: 외경 55.56㎜, 블레이드 폭 35㎛, 내경 19.05㎜
다이싱 블레이드 회전수: 40,000rpm
다이싱 블레이드 전송 속도: 50㎜/초
절삭수(cutting water) 온도: 25℃
절삭수 양: 1.0L/분
<픽업 공정>
픽업 장치는 캐논 머시너리사 CAP-300II를 이용했다.
니들 핀의 수: 5
니들 핀의 높이: 0.3㎜
확장량: 4㎜
<실험 결과의 평가>
칩 보유성: 반도체 웨이퍼를 상기 조건으로 다이싱 했을 때에, 접착제 반경화층이 부착된 칩이 점착 시트에 보유되고 있는 수를 평가했다.
◎(우수): 점착 시트에 보유되고 있는 칩이 95% 이상
○(양호): 점착 시트에 보유되고 있는 칩이 90% 이상 95% 미만
×(불가): 점착 시트에 보유되고 있는 칩이 90% 미만
픽업성: 반도체 웨이퍼를 상기 조건으로 다이싱 한 후, 접착제 반경화층이 부착된 상태로 칩을 픽업할 수 있던 수를 평가했다.
◎(우수): 95% 이상의 칩을 픽업할 수 있었음
○(양호): 80% 이상 95% 미만의 칩을 픽업할 수 있었음
×(불가): 80% 미만의 칩을 픽업할 수 있었음
다이싱성: 접착제 반경화층이 부착된 상태로 칩을 픽업한 후, 점착 시트의 다이싱 라인 20라인을 현미경의 배율 300배로 관찰해, 점착 시트에 대한 접착제 반경화층의 잔사물 유무를 평가했다.
◎(우수): 접착제 반경화층의 잔사물 없음
○(양호): 다이싱 라인 10% 이상에 접착제 반경화층의 잔사물 있음
×(불가): 다이싱 라인 50% 이상에 접착제 반경화층의 잔사물 있음
표 1의 결과로부터 알 수 있듯이, 비교예 6과 관련된 실험에서는 자외선의 조사를 실시하지 않기 때문에, 픽업성이나 다이싱성이 나쁘다. 이와는 대조적으로 본 발명의 구성을 가지는 실시예에 있어서는 다이싱시의 각 특성 평가에서 양호한 결과가 되고 있다.
본 발명의 다이싱 방법에 의해, 자외선 경화형 점착제의 점착력을 미리 저하시키는 한편 응집력을 향상시킴으로써, 다이싱 후에 접착제 반경화층이 부착된 칩을 픽업할 때 픽업 불량을 억제할 수 있다.

Claims (3)

  1. 반도체 웨이퍼의 이면에 페이스트상 접착제를 도포하고, 이 페이스트상 접착제를 가열 또는 자외선 조사에 의해 시트상으로 반경화시켜 접착제 반경화층을 형성하는 공정과,
    기재 필름에 자외선 경화형 점착제를 적층한 점착 시트를 이 접착제 반경화층에 첩부하는 첩합 공정과,
    상기 자외선 경화형 점착제에 자외선 조사를 실시하는 자외선 조사 공정과,
    상기 점착 시트에 첩부된 이 접착제 반경화층과 이 반도체 웨이퍼를 다이싱하는 다이싱 공정을 가지는 접착제 반경화층 부착 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 자외선 경화형 점착제가 (메타)아크릴산 에스테르 중합체와 비닐기를 4개 이상 가지는 우레탄 아크릴레이트 올리고머와 자외선 중합 개시제와 실리콘 그라프트 중합체를 적어도 함유하는 다이싱 방법.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 접착제 반경화층이 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 아크릴 수지, 실리콘 수지를 적어도 갖고, 또한 상기 접착제 반경화층의 두께가 10㎛ 이상인 다이싱 방법.
KR1020117013718A 2008-11-19 2009-11-11 전자 부품의 제조 방법 KR20110099106A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008295633 2008-11-19
JPJP-P-2008-295633 2008-11-19

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20110099106A true KR20110099106A (ko) 2011-09-06

Family

ID=42198167

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020117013718A KR20110099106A (ko) 2008-11-19 2009-11-11 전자 부품의 제조 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8399338B2 (ko)
JP (1) JPWO2010058727A1 (ko)
KR (1) KR20110099106A (ko)
CN (1) CN102217040B (ko)
TW (1) TWI495703B (ko)
WO (1) WO2010058727A1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012100328A1 (de) 2011-09-29 2013-04-04 Hyundai Motor Co. Nockenscheibenrad eines Fahrzeuges
KR20130104221A (ko) * 2012-03-13 2013-09-25 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 접착제 공급 장치 및 접착제 공급 방법
WO2013154314A1 (ko) * 2012-04-10 2013-10-17 (주)엘지하우시스 반경화 감압 점착필름

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012015231A (ja) * 2010-06-30 2012-01-19 Disco Abrasive Syst Ltd テープ貼着方法
JP5161283B2 (ja) 2010-10-14 2013-03-13 電気化学工業株式会社 電子部品の製造方法
WO2013142054A1 (en) * 2012-03-20 2013-09-26 3M Innovative Properties Company Laminate body, method, and materials for temporary substrate support and support separation
CN109841557A (zh) * 2017-11-29 2019-06-04 东莞新科技术研究开发有限公司 半导体的加工方法
SG11201911458PA (en) * 2017-12-27 2020-01-30 Furukawa Electric Co Ltd Radiation-curable tacky adhesive tape for dicing
TWI765762B (zh) * 2020-12-25 2022-05-21 梭特科技股份有限公司 角落或側邊接觸的無衝擊力固晶方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2678655B2 (ja) 1989-03-20 1997-11-17 日東電工株式会社 半導体チップ固着キャリヤの製造方法及びウエハ固定部材
JP3280876B2 (ja) * 1996-01-22 2002-05-13 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 ウェハダイシング・接着用シートおよび半導体装置の製造方法
MY118036A (en) * 1996-01-22 2004-08-30 Lintec Corp Wafer dicing/bonding sheet and process for producing semiconductor device
JP2003142505A (ja) * 2001-10-31 2003-05-16 Lintec Corp ウエハダイシング・接着用シートおよび半導体装置の製造方法
JP4645004B2 (ja) * 2003-02-05 2011-03-09 日立化成工業株式会社 接着シートならびに半導体装置およびその製造方法
JP2005005355A (ja) 2003-06-10 2005-01-06 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4776189B2 (ja) 2004-08-03 2011-09-21 古河電気工業株式会社 ウエハ加工用テープ
JP4421422B2 (ja) * 2004-08-20 2010-02-24 信越化学工業株式会社 ダイアタッチ可能な半導体チップの製造方法
JP2006310846A (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Ls Cable Ltd 半導体用ダイシングダイ接着フィルム
JP4891603B2 (ja) * 2005-12-07 2012-03-07 電気化学工業株式会社 粘着シート及びそれを用いた電子部品製造方法。
JP5089895B2 (ja) 2006-03-15 2012-12-05 電気化学工業株式会社 多層粘着シート、多層粘着シート用の粘着シート、及び多層粘着シートを用いた電子部品の製造方法。
JP4874011B2 (ja) * 2006-06-23 2012-02-08 電気化学工業株式会社 粘着剤、粘着剤を用いた粘着シート、粘着シートを用いた多層粘着シート、及び多層粘着シートを用いた電子部品の製造方法。
CN101641773B (zh) * 2007-04-10 2011-08-17 住友电木株式会社 用于半导体的粘合膜和使用该粘合膜的半导体器件
JP5032231B2 (ja) * 2007-07-23 2012-09-26 リンテック株式会社 半導体装置の製造方法
US20110018127A1 (en) * 2008-03-31 2011-01-27 Byoungchul Lee Multilayer UV-Curable Adhesive Film
US8592260B2 (en) * 2009-06-26 2013-11-26 Nitto Denko Corporation Process for producing a semiconductor device
JP2011174042A (ja) * 2010-02-01 2011-09-08 Nitto Denko Corp 半導体装置製造用フィルム及び半導体装置の製造方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012100328A1 (de) 2011-09-29 2013-04-04 Hyundai Motor Co. Nockenscheibenrad eines Fahrzeuges
KR20130104221A (ko) * 2012-03-13 2013-09-25 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 접착제 공급 장치 및 접착제 공급 방법
WO2013154314A1 (ko) * 2012-04-10 2013-10-17 (주)엘지하우시스 반경화 감압 점착필름
CN104220547A (zh) * 2012-04-10 2014-12-17 乐金华奥斯有限公司 半固化减压粘结膜
CN104220547B (zh) * 2012-04-10 2016-09-07 乐金华奥斯有限公司 半固化减压粘结膜
US10961416B2 (en) 2012-04-10 2021-03-30 Lg Chem, Ltd. Semi-hardened pressure-sensitive adhesive film
US11453803B2 (en) 2012-04-10 2022-09-27 Lg Chem, Ltd. Semi-hardened pressure-sensitive adhesive film

Also Published As

Publication number Publication date
US20110223743A1 (en) 2011-09-15
CN102217040B (zh) 2013-10-23
TWI495703B (zh) 2015-08-11
JPWO2010058727A1 (ja) 2012-04-19
US8399338B2 (en) 2013-03-19
TW201026814A (en) 2010-07-16
CN102217040A (zh) 2011-10-12
WO2010058727A1 (ja) 2010-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101359748B1 (ko) 점착제, 점착 시트, 다층 점착 시트 및 전자 부품의 제조 방법
KR20110099106A (ko) 전자 부품의 제조 방법
KR101297315B1 (ko) 점착제, 점착 시트 및 전자부품의 제조 방법
KR101559190B1 (ko) 다이싱 방법
TWI414578B (zh) 半導體基板加工用黏著片材
JP5161283B2 (ja) 電子部品の製造方法
JP2008001817A (ja) 粘着剤、粘着剤を用いた粘着シート、粘着シートを用いた多層粘着シート、及び多層粘着シートを用いた電子部品の製造方法。
JP6833083B2 (ja) フィルム状接着剤、接着シートおよび半導体装置の製造方法
WO2011077835A1 (ja) 粘着シート及び電子部品の製造方法
JP2010163518A (ja) 粘着剤、粘着剤を用いた粘着シート、粘着シートを用いたガラス部品の製造方法
JP4518535B2 (ja) ダイシング用粘着シート用粘着剤、ダイシング用粘着シート、半導体素子の製造方法、半導体素子
JP5210346B2 (ja) 粘着シート及び電子部品の製造方法
TW200927875A (en) Multilayer adhered sheet and method for producing electric member by using multilayer adhered sheet
WO2013015012A1 (ja) 半導体加工シート用基材フィルム、半導体加工シート及び半導体装置の製造方法
JP2004119780A (ja) 半導体ウエハの加工方法
JP2023013022A (ja) 電子部品用粘着テープ
TW202204549A (zh) 切割膠帶用之基材薄膜及切割膠帶
CN115572552A (zh) 半导体晶片加工用压敏粘合片

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application