CN115572552A - 半导体晶片加工用压敏粘合片 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及半导体晶片加工用压敏粘合片。提供一种半导体晶片加工用压敏粘合片，其与半导体晶片的密合性优异，并且其具有轻剥离性并且可以抑制残胶。根据本发明的至少一个实施方案的半导体晶片加工用压敏粘合片依次包括：基材；中间层；和紫外线固化型压敏粘合剂层，其中所述中间层的室温下的储能弹性模量G′1RT为300kPa～2,000kPa，并且80℃下的储能弹性模量G′180为10kPa～500kPa，其中所述紫外线固化型压敏粘合剂层的室温下的储能弹性模量G′2RT为100kPa～1,000kPa，并且80℃下的储能弹性模量G′280为10kPa～1,000kPa，并且其中G′1RT/G′2RT为1以上。

Description

半导体晶片加工用压敏粘合片
技术领域
本发明涉及半导体晶片加工用压敏粘合片。
背景技术
半导体晶片用于如个人计算机、智能手机、和汽车等各种用途。在半导体晶片的加工工序中，压敏粘合片用于在加工期间保护其表面。近年来，大规模集成电路(LSI)微细化及高功能化已经得到发展，并且因此晶片的表面结构已经变得复杂。在具有如凸块(bump)等凹凸结构的半导体晶片的加工中，有时使用在基材与压敏粘合剂层之间具有中间层的压敏粘合片，以改善与半导体晶片的密合性(凹凸嵌入性(unevenness-embeddingproperty))。然而，具有中间层的压敏粘合片有时使其难以切割该片，并且有时与半导体晶片的密合性随着时间降低。另外，在储存期间，中间层有时从压敏粘合片伸出，从而降低其操作性。
近年来，随着各种产品的小型化和薄型化，半导体晶片的薄型化已经得到发展。在已经加工成薄型的晶片的情况下，当压敏粘合片具有过高的压敏粘合力时，在剥离压敏粘合片时，晶片本身有时会破损。为了防止半导体晶片上的残胶和剥离时晶片的破损，已经提出了使用紫外线固化型压敏粘合剂的压敏粘合片(日本专利申请特开No.Hei 6-49420和日本专利申请特开No.Sho 62-153376)。然而，即使在使用紫外线固化型压敏粘合剂时，与半导体晶片的密合性优异的压敏粘合片有时也会产生残胶。
发明内容
做出本发明来解决相关技术的问题，并且提供一种半导体晶片加工用压敏粘合片，其与半导体晶片的密合性优异，并且其具有轻剥离性并且可以抑制残胶。
根据本发明的至少一个实施方案，提供一种半导体晶片加工用压敏粘合片，其依次包括：基材；中间层；和紫外线固化型压敏粘合剂层，其中所述中间层的室温下的储能弹性模量G′1RT为300kPa～2,000kPa，并且80℃下的储能弹性模量G′180为10kPa～500kPa，其中所述紫外线固化型压敏粘合剂层的室温下的储能弹性模量G′2RT为100kPa～1,000kPa，并且80℃下的储能弹性模量G′280为10kPa～1,000kPa，并且其中G′1RT/G′2RT为1以上。
在本发明的至少一个实施方案中，所述中间层和所述紫外线固化型压敏粘合剂层各自包含丙烯酸系树脂。
在本发明的至少一个实施方案中，所述紫外线固化型压敏粘合剂层包含在其侧链上引入了聚合性碳-碳双键的聚合物。
在本发明的至少一个实施方案中，所述中间层包含光聚合引发剂并且不含任何紫外线固化性组分。
在本发明的至少一个实施方案中，所述中间层中包含的丙烯酸系树脂为通过乳液聚合或溶液聚合而获得的聚合物。
在本发明的至少一个实施方案中，根据本发明的至少一个实施方案的半导体晶片加工用压敏粘合片用作背面研磨带。
在本发明的至少一个实施方案中，根据本发明的至少一个实施方案的半导体晶片加工用压敏粘合片通过粘贴到具有凹凸的半导体晶片上来使用。
附图说明
图1为根据本发明的至少一个实施方案的半导体晶片加工用压敏粘合片的示意性截面图。
图2为示出其中将半导体晶片加工用压敏粘合片粘贴到具有落差的被粘物上的状态的示意性截面图。
具体实施方式
A.半导体晶片加工用压敏粘合片的概要
图1为根据本发明的至少一个实施方案的半导体晶片加工用压敏粘合片的示意性截面图。图示实例的半导体晶片加工用压敏粘合片100依次包括：基材30；中间层20；和紫外线固化型压敏粘合剂层10。中间层20的室温下的储能弹性模量G′1RT为300kPa～2,000kPa，并且80℃下的储能弹性模量G′180为10kPa～500kPa。紫外线固化型压敏粘合剂层10的初始储能弹性模量G′2RT为100kPa～1,000kPa，并且80℃下的储能弹性模量G′280为10kPa～1,000kPa。在根据本发明的至少一个实施方案的半导体晶片加工用压敏粘合片中，G′1RT/G′2RT为1以上。因此，压敏粘合片与半导体晶片的密合性优异，具有轻剥离性，并且可以抑制半导体晶片上的残胶。进一步，根据本发明的至少一个实施方案的半导体晶片加工用压敏粘合片可以抑制切割器上的残胶并且防止加工装置的污染。另外，还可以改善半导体晶片加工用压敏粘合片的切割性。进一步，可以防止由于中间层在储存期间伸出而导致的操作性的降低。根据本发明的至少一个实施方案的半导体晶片加工用压敏粘合片的凹凸追随性优异，并且因此即使当半导体晶片在其表面上具有凹凸时，也可以保持其与半导体晶片的密合性。当剥离根据本发明的至少一个实施方案的半导体晶片加工用压敏粘合片时，压敏粘合片可以通过用紫外线照射使压敏粘合剂层固化而表现出轻剥离性，并且还可以防止半导体晶片上的残胶。在本发明的至少一个实施方案中，根据该实施方案的半导体晶片加工用压敏粘合片在加热的同时粘贴到半导体晶片上。因此，进一步改善压敏粘合片在粘贴时对半导体晶片的密合性，并且当半导体晶片在其表面上具有凹凸时，可以进一步改善凹凸嵌入性。另外，在背面研磨带粘贴工序中的一般条件下(例如，工作台温度为80℃、切割器温度为180℃)，中间层具有合适的弹性，并且可以抑制切割压敏粘合片时切割器上的残胶。进一步，在如背面研磨工序和其中施加高温和高压的抛光工序(例如，为了赋予高的挠曲强度和吸气效果而用Gettering DP(DISCO Corporation)进行的抛光工序)等的加工期间，压敏粘合片可以粘附到半导体晶片上并且适当地保持半导体晶片，并且因此可以稳定地进行加工。在此，室温下的储能弹性模量是指在23℃下的储能弹性模量。
中间层20的室温下的储能弹性模量G′1RT为300kPa～2,000kPa，并且80℃下的储能弹性模量G′180为10kPa～500kPa。G′1RT优选为400kPa～1,500kPa、更优选500kPa～1,000kPa、还更优选600kPa～950kPa。G′180优选为20kPa～300kPa、更优选40kPa～200kPa、还更优选50kPa～100kPa。当G′1RT和G′180落入所述范围内时，可以改善对半导体晶片的密合性。
紫外线固化型压敏粘合剂层的室温下的储能弹性模量G′2RT为100kPa～1,000kPa，并且80℃下的储能弹性模量G′280为10kPa～1,000kPa。G′2RT优选为120kPa～800kPa、更优选130kPa～600kPa、还更优选150kPa～400kPa。G′280优选为30kPa～800kPa、更优选50kPa～500kPa、还更优选70kPa～300kPa。
在本发明的至少一个实施方案中，G′1RT/G′2RT为1以上。当G′1RT/G′2RT为1以上时，可以提供一种半导体晶片加工用压敏粘合片，其与半导体晶片的密合性优异，并且其具有轻剥离性并且抑制了残胶。进一步，还可以抑制切割压敏粘合片时切割器上的残胶。另外，在如背面研磨工序和其中施加高温和高压的抛光工序等的加工期间，压敏粘合片可以粘附到半导体晶片上并且适当地保持半导体晶片，并且因此可以稳定地进行加工。G′1RT/G′2RT优选为1.2以上、更优选1.3以上、还更优选1.4以上。G′1RT/G′2RT例如为5.0以下。
在本发明的至少一个实施方案中，中间层20包含光聚合引发剂并且不含任何紫外线固化性组分。因此，当用紫外线照射时，中间层不固化，并且因此可以保持其柔软性。另外，可以防止紫外线固化型压敏粘合剂层中包含的光聚合引发剂向中间层迁移，从而防止紫外线固化型压敏粘合剂层中的光聚合引发剂的含量随着时间降低。因此，紫外线固化型压敏粘合剂层可以适当地通过紫外线照射来固化从而表现出轻剥离性。结果，可以防止半导体晶片上的残胶和薄型化的晶片的破损。
在本发明的至少一个实施方案中，紫外线固化型压敏粘合剂层和中间层包含等量的光聚合引发剂。当紫外线固化型压敏粘合剂层和中间层包含等量的光聚合引发剂时，紫外线固化型压敏粘合剂层中的光聚合引发剂的含量可以随时间稳定地保持，从而表现出轻剥离性。在本说明书中，术语“等量”意指紫外线固化型压敏粘合剂层中的光聚合引发剂的含量(浓度)和中间层中的光聚合引发剂的含量(浓度)彼此相等。具体地，术语“等量”意指压敏粘合剂层形成用组合物中的光聚合引发剂的含量和中间层形成用组合物中的光聚合引发剂的含量彼此相同。
压敏粘合片的厚度可以设定为任意合适的范围。厚度优选为10μm～1,000μm、更优选50μm～300μm、还更优选100μm～300μm。
B.基材
基材可以由任意合适的树脂形成。形成基材的树脂的具体实例包括如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)和聚萘二甲酸丁二醇酯(PBN)等聚酯系树脂、如乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物、聚乙烯、聚丙烯和乙烯-丙烯共聚物等聚烯烃系树脂、聚乙烯醇、聚偏二氯乙烯、聚氯乙烯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚乙酸乙烯酯、聚酰胺、聚酰亚胺、纤维素类、氟系树脂、聚醚、如聚苯乙烯等聚苯乙烯系树脂、聚碳酸酯、和聚醚砜。其中，优选使用聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、和聚萘二甲酸丁二醇酯。当使用任意这种树脂时，可以进一步防止发生半导体晶片的翘曲。
在不抑制本发明的效果的范围内，基材可以进一步包括其它组分。其它组分的实例包括抗氧化剂、紫外线吸收剂、光稳定剂和热稳定剂。关于其它组分的种类和使用量，其它组分可以根据目的以任意合适的量使用。
在本发明的至少一个实施方案中，基材优选具有抗静电功能。当基材具有抗静电功能时，抑制剥离压敏粘合片时的静电的产生，并且因此可以防止由于静电引起的回路的破坏和异物的粘附。基材可以通过由包含抗静电剂的树脂形成而具有抗静电功能，或者可以通过具有抗静电层而具有抗静电功能，所述抗静电层通过将包含如导电性聚合物、有机或无机导电性物质、和抗静电剂等抗静电组分的组合物施加到任意合适的膜上而形成。当基材具有抗静电层时，中间层优选层叠在其上形成有抗静电层的表面上。
当基材具有抗静电功能时，基材的表面电阻值例如为1.0×102Ω/□～1.0×1013Ω/□，优选为1.0×106Ω/□～1.0×1012Ω/□、更优选1.0×107Ω/□～1.0×1011Ω/□。当表面电阻值落入所述范围内时，抑制剥离压敏粘合片时的静电的产生，并且因此可以防止由于静电引起的回路的破坏和异物的粘附。当具有抗静电功能的基材用作基材时，获得的压敏粘合片的表面电阻值可以例如为1.0×106Ω/□～1.0×1012Ω/□。
基材的厚度可以设定为任意合适的值。基材的厚度优选为10μm～200μm、更优选20μm～150μm。
基材的拉伸弹性模量可以设定为任意合适的值。基材的拉伸弹性模量优选为50MPa～6,000MPa、更优选70MPa～5,000MPa。当拉伸弹性模量落入所述范围内时，即使在其中半导体晶片在其表面上具有凹凸的情况下，也可获得能够适当地追随凹凸的压敏粘合片。
C.紫外线固化型压敏粘合剂层
紫外线固化型压敏粘合剂层仅需要满足G′2RT和G′280，并且使用任意合适的压敏粘合剂层形成用组合物(压敏粘合剂层形成组合物)来形成。压敏粘合剂层形成组合物(由此形成紫外线固化型压敏粘合剂层)通常包含紫外线固化型压敏粘合剂和光聚合引发剂。当引入紫外线固化型压敏粘合剂时，可以提供在紫外线照射前对半导体晶片具有优异的压敏粘合力并且在紫外线照射后具有优异的剥离性的压敏粘合片。
C-1.紫外线固化型压敏粘合剂
任意合适的压敏粘合剂可以用作紫外线固化型压敏粘合剂。例如，可以采用通过将紫外线固化性单体和/或低聚物添加至任意合适的压敏粘合剂如丙烯酸系压敏粘合剂、橡胶系压敏粘合剂、有机硅系压敏粘合剂、和聚乙烯醚系压敏粘合剂而获得的压敏粘合剂，或可以采用使用在其侧链中和/或在其末端引入了聚合性碳-碳双键的聚合物作为基础聚合物的压敏粘合剂。其中，优选采用使用在其侧链中和/或在其末端引入了聚合性碳-碳双键的聚合物作为基础聚合物的压敏粘合剂，并且更优选采用使用在其侧链中引入了聚合性碳-碳双键的聚合物的压敏粘合剂。
当采用使用在其侧链中和/或在其末端引入了聚合性碳-碳双键的聚合物的压敏粘合剂时，使用在其侧链中和/或在其末端引入了聚合性碳-碳双键并且具有压敏粘合性的聚合物作为基础聚合物。这种聚合物的实例包括各自通过将聚合性碳-碳双键引入树脂如丙烯酸系树脂、乙烯基烷基醚系树脂、有机硅系树脂、聚酯系树脂、聚酰胺系树脂、聚氨酯系树脂、和苯乙烯-二烯嵌段共聚物而获得的聚合物。其中，优选使用通过将聚合性碳-碳双键引入丙烯酸系树脂而获得的丙烯酸系树脂。当使用丙烯酸系聚合物时，可以获得其中紫外线固化型压敏粘合剂层的储能弹性模量和拉伸弹性模量容易调节，并且压敏粘合力和剥离性之间的平衡优异的压敏粘合片。进一步，可以减少源自压敏粘合剂的组分对半导体晶片的污染。
任意合适的丙烯酸系树脂可以用作丙烯酸系树脂。丙烯酸系树脂的实例为通过使包含一种或两种以上的各自具有直链或支链烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯的单体组合物聚合而获得的聚合物。
直链或支链烷基优选为具有30个以下的碳原子的烷基、更优选具有1～20个碳原子的烷基、还更优选具有4～18个碳原子的烷基。烷基的具体实例包括甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、环己基、2-乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基和十二烷基。
单体组合物可以包含任意合适的其它单体。其它单体的实例包括含官能团的单体，其包括：含羧基的单体，如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸和巴豆酸；酸酐单体，如马来酸酐和衣康酸酐；含羟基的单体，如(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟基月桂酯、丙烯酸(4-羟甲基环己基)甲酯、2-羟乙基乙烯基醚、4-羟丁基乙烯基醚和二甘醇单乙烯基醚；含磺酸基的单体，如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯和(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸；和含磷酸基的单体，如2-羟乙基丙烯酰基磷酸酯。含官能团的单体的引入可以提供其中容易引入聚合性碳-碳双键的丙烯酸系树脂。相对于单体组合物的全部单体组分100重量份，含官能团的单体的含量比例优选为4重量份～30重量份、更优选6重量份～20重量份。“(甲基)丙烯酸”是指丙烯酸和/或甲基丙烯酸。
作为其它单体，可以使用多官能单体。当使用多官能单体时，例如，可以改善压敏粘合剂的内聚力、耐热性、或粘合性。另外，紫外线固化型压敏粘合剂层中的低分子量组分的量减少，并且因此可以获得难以污染半导体晶片的压敏粘合片。多官能单体的实例包括(甲基)丙烯酸己二醇酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、和聚氨酯(甲基)丙烯酸酯。相对于单体组合物的全部单体组分100重量份，多官能单体的含量比例优选为1重量份～100重量份、更优选为5重量份～50重量份。
丙烯酸系树脂的重均分子量优选为300,000以上、更优选500,000以上、还更优选800,000～3,000,000。当重均分子量落入该范围内时，可以防止低分子量组分的渗出(bleed)，并且因此可以获得具有低污染性的半导体晶片加工用压敏粘合片。(甲基)丙烯酸系树脂的分子量分布(重均分子量/数均分子量)优选为1～20、更优选3～10。当使用具有窄分子量分布的(甲基)丙烯酸系树脂时，可以防止低分子量组分的渗出，并且因此可以获得具有低污染性的压敏粘合片。重均分子量和数均分子量可以通过凝胶渗透色谱测量(溶剂：四氢呋喃，聚苯乙烯换算)来确定。
在其侧链中和/或在其末端引入了聚合性碳-碳双键的聚合物可以通过任意合适的方法获得。该聚合物可以通过例如使通过任意合适的聚合方法获得的树脂与具有聚合性碳-碳双键的化合物进行反应(例如，缩合反应或加成反应)来获得。具体地，当使用丙烯酸系树脂时，其中引入了聚合性碳-碳双键的丙烯酸系树脂可以通过使具有源自具有任意合适的官能团的单体的结构单元的丙烯酸系树脂(共聚物)在任意合适的溶剂中进行聚合，然后使所得物进行在丙烯酸系树脂的官能团和具有与该官能团可反应的聚合性碳-碳双键的化合物之间的反应来获得。相对于100重量份的上述树脂，要进行反应的具有聚合性碳-碳双键的化合物的量优选为4重量份～30重量份、更优选4重量份～20重量份。作为溶剂，可以使用任意合适的溶剂。其实例包括各种有机溶剂，如乙酸乙酯、甲基乙基酮和甲苯。
当树脂和具有聚合性碳-碳双键的化合物如上所述彼此进行反应时，树脂和具有聚合性碳-碳双键的化合物优选具有可以彼此反应的官能团。官能团的组合例如为羧基/环氧基，羧基/氮杂环丙烷基、或羟基/异氰酸酯基。在这些官能团的组合中，从反应跟踪的容易性的观点，羟基和异氰酸酯基的组合为优选的。
具有聚合性碳-碳双键的化合物的实例包括甲基丙烯酸2-异氰酸基乙酯、甲基丙烯酰基异氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(甲基丙烯酸2-异氰酸乙酯)、和间异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯。
当使用通过添加紫外线固化性单体和/或低聚物而获得的压敏粘合剂时，任意合适的单体或低聚物可以用作各自的紫外线固化性单体和低聚物。紫外线固化性单体的实例包括聚氨酯(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯和1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯。紫外线固化性低聚物的实例包括聚氨酯系低聚物、聚醚系低聚物、聚酯系低聚物、聚碳酸酯系低聚物、和聚丁二烯系低聚物。分子量为约100～约30,000的低聚物优选用作低聚物。单体和低聚物可以单独使用或以其组合使用。
单体和/或低聚物可以根据要使用的压敏粘合剂的种类以任意合适的量使用。相对于压敏粘合剂形成用基础聚合物100重量份，单体和/或低聚物的使用量例如优选为5重量份～500重量份、更优选40重量份～150重量份。
C-2.光聚合引发剂
任意合适的引发剂可以用作光聚合引发剂。光聚合引发剂的实例包括：酰基氧化膦系光引发剂，如2,4,6-三甲基苄基苯基次膦酸乙酯和(2,4,6-三甲基苯甲酰基)-苯基氧化膦；α-酮醇系化合物，如4-(2-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮、α-羟基-α,α′-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羟基苯丙酮和1-羟基环己基苯基酮；苯乙酮系化合物，如甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、和2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-吗啉基丙烷-1；苯偶姻醚系化合物，如苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、和安息香甲醚；缩酮系化合物，如苄基二甲基缩酮；芳香族磺酰氯系化合物，如2-萘磺酰氯；光活性肟系化合物，如1-苯酮-1,1-丙二酮-2-(邻乙氧基羰基)-肟；二苯甲酮系化合物，如二苯甲酮、苯甲酰基苯甲酸、和3,3'-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮；噻吨酮系化合物，如噻吨酮、2-氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2,4-二甲基噻吨酮、异丙基噻吨酮、2,4-二氯噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮、和2,4-二异丙基噻吨酮；樟脑醌；卤代酮；以及酰基膦酸酯，和α-羟基苯乙酮，如2-羟基-1-(4-(4-(2-羟基-2-甲基丙酰基)苄基)苯基-2-甲基丙烷-1。其中，可以优选使用2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮和2-羟基-1-(4-(4-(2-羟基-2-甲基丙酰基)苄基)苯基-2-甲基丙烷-1。这些光聚合引发剂可以单独使用或以其组合使用。
作为光聚合引发剂，也可以使用市售品。其实例包括来自IGM Resins B.V.的在商品名Omnirad 127和Omnirad 651下可得的产品。
光聚合引发剂以任意合适的量使用。相对于100重量份的上述紫外线固化型压敏粘合剂，光聚合引发剂的含量优选为0.5重量份～20重量份、更优选0.5重量份～10重量份。当光聚合引发剂的含量小于0.5重量份时，紫外线固化型压敏粘合剂在紫外线照射时不会充分固化。当光聚合引发剂的含量大于10重量份时，压敏粘合剂的储存稳定性会降低。
C-3.添加剂
压敏粘合剂层形成组合物可以根据需要包含任意合适的添加剂。添加剂的实例包括交联剂、催化剂(例如，铂催化剂)、增粘剂、增塑剂、颜料、染料、填料、防老剂、导电材料、紫外线吸收剂、光稳定剂、剥离改性剂(peeling modifier)、软化剂、表面活性剂、阻燃剂和溶剂。
在本发明的至少一个实施方案中，压敏粘合剂层形成组合物进一步包含交联剂。交联剂的实例包括异氰酸酯系交联剂、环氧系交联剂、氮杂环丙烷系交联剂和螯合物系交联剂。相对于紫外线固化型压敏粘合剂中包含的基础聚合物100重量份，交联剂的含量比例优选为0.01重量份～10重量份、更优选0.02重量份～5重量份、还更优选0.025重量份～0.5重量份。压敏粘合剂层的柔软性可以通过交联剂的含量比例来控制。当交联剂的含量小于0.01重量份时，压敏粘合剂变为溶胶状，并且因此不会形成压敏粘合剂层。当交联剂的含量大于10重量份时，对半导体晶片的密合性会降低，并且半导体晶片会得不到充分保护。
在本发明的至少一个实施方案中，优选使用异氰酸酯系交联剂。异氰酸酯系交联剂为优选的，这是因为该交联剂可以与各种官能团反应。特别优选使用具有3个以上的异氰酸酯基的交联剂。当异氰酸酯系交联剂用作交联剂并且交联剂的含量比例落入所述范围内时，可以形成即使在加热后剥离性也优异并且导致残胶量显著减少的压敏粘合剂层。
紫外线固化型压敏粘合剂层的厚度可以设定为任意合适的值。压敏粘合剂层的厚度优选为1μm～15μm、更优选1μm～10μm、还更优选1μm～6μm。当压敏粘合剂层的厚度落入所述范围内时，该层可以展现出对半导体晶片充分的压敏粘合力。
压敏粘合剂层的紫外线照射前的弹性模量(杨氏模量)优选为0.05MPa～2.0MPa、更优选0.075MPa～1.5MPa、还更优选0.3MPa～1.5MPa、特别优选0.4MPa以上且小于1.5MPa。当紫外线照射前的弹性模量落入该范围内时，可以获得具有足以保持半导体晶片的压敏粘合力的压敏粘合片。在本说明书中，压敏粘合剂层的弹性模量是指通过以下方法测量的弹性模量(杨氏模量)。
将压敏粘合剂层形成组合物以5μm的涂布厚度涂布到隔离体上，并且在130℃下干燥2分钟。接下来，仅将涂布和干燥后的压敏粘合剂层从其边缘卷起以制造棒状样品，并且测量其厚度(截面积)。在夹具到夹具(chuck-to-chuck)的距离为10mm、拉伸速度为50mm/分钟、和室温的条件下，用拉伸试验机(由Shimadzu Corporation制造，商品名：“AG-IS”)对所得样品进行拉伸，并且将该情况下的初始斜率(杨氏模量)定义为弹性模量。
压敏粘合剂层的紫外线照射后的弹性模量优选为1MPa以上、更优选5MPa以上、还更优选10MPa以上。当紫外线照射后的弹性模量落入该范围内时，可以获得在预定工序(例如，背面研磨工序)之后剥离性优异的压敏粘合片。压敏粘合剂层的紫外线照射后的弹性模量例如为1,000MPa以下，优选为500MPa以下、更优选400MPa以下。
压敏粘合剂层可以由一层或两层以上形成。当压敏粘合剂层由两层以上形成时，压敏粘合剂层仅需要包括至少一层通过使用包含光聚合引发剂的压敏粘合剂层形成组合物而形成的压敏粘合剂层。当压敏粘合剂层由两层以上形成时，通过使用包含光聚合引发剂的压敏粘合剂层形成组合物而形成的压敏粘合剂层优选形成在压敏粘合片的与半导体晶片接触的表面上。不是由压敏粘合剂层形成组合物形成的压敏粘合剂层可以由任意合适的压敏粘合剂组合物形成。压敏粘合剂组合物可以为紫外线固化型压敏粘合剂或压力敏感性粘合剂(pressure-sensitive adhesive)。
D.中间层
中间层仅需要满足G′1RT和G′180，并且可以由任意合适的材料形成。中间层可以例如由如丙烯酸系树脂、聚乙烯系树脂、乙烯-乙烯醇共聚物、乙烯乙酸乙烯酯系树脂、和乙烯甲基丙烯酸甲酯树脂等树脂或压敏粘合剂形成。中间层优选包含丙烯酸系树脂。在本发明的至少一个实施方案中，紫外线固化型压敏粘合剂层和中间层各自包含丙烯酸系树脂。当紫外线固化型压敏粘合剂层和中间层各自包含丙烯酸系树脂时，可以获得一种半导体晶片加工用压敏粘合片，其与半导体晶片的密合性优异，并且其具有轻剥离性并且抑制了残胶。进一步，丙烯酸系树脂的透明性和耐热性也优异。因此，压敏粘合剂层可以在随后的紫外线照射工序中用充足的紫外线照射，并且此外，即使在需要耐热性的工序如抛光工序中，也可以稳定地进行加工。另外，当半导体晶片在其表面上具有凹凸时，可以获得凹凸追随性优异的半导体晶片加工用压敏粘合片。
用于中间层的丙烯酸系树脂通过使包含任意合适的丙烯酸系单体的单体组合物聚合来获得。丙烯酸系单体(主要单体)的实例包括(甲基)丙烯酸C1-C20烷基酯，如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸异戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸异癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯和(甲基)丙烯酸二十烷基酯。这些丙烯酸系单体可以单独使用或以其组合使用。
主要单体的含量比例优选为全部单体组分的40wt％～99wt％、更优选45wt％～95wt％、还更优选50wt％～90wt％。
在本发明的至少一个实施方案中，单体组合物优选包含具有高的玻璃化转变温度(Tg)的丙烯酸系单体(高Tg丙烯酸系单体)。当中间层包含具有高的玻璃化转变温度的丙烯酸系单体时，可以提供一种半导体晶片加工用压敏粘合片，其与半导体晶片的密合性优异，并且其具有轻剥离性并且抑制了残胶。进一步，半导体晶片加工用压敏粘合片的切割性也优异，并且因此还可以抑制切割器上的残胶，并且防止加工装置的污染。另外，还可以防止由于中间层在储存期间从压敏粘合片中伸出而导致的操作性的降低。在本说明书中，“高Tg丙烯酸系单体”是指其均聚物具有高的玻璃化转变温度的单体。高Tg丙烯酸系单体的均聚物的玻璃化转变温度例如为40℃以上，优选为50℃以上、更优选60℃以上。
任意合适的丙烯酸系单体可以用作高Tg丙烯酸系单体。其实例包括：(甲基)丙烯酸酯，如甲基丙烯酸二环戊酯(Tg：175℃)、丙烯酸二环戊酯(Tg：120℃)、甲基丙烯酸异冰片酯(Tg：173℃)、丙烯酸异冰片酯(Tg：97℃)、甲基丙烯酸甲酯(Tg：105℃)、甲基丙烯酸1-金刚烷酯(Tg：250℃)、和丙烯酸1-金刚烷酯(Tg：153℃)；含酰胺基的乙烯基单体，如丙烯酰吗啉(Tg：145℃)、二甲基丙烯酰胺(Tg：119℃)、二乙基丙烯酰胺(Tg：81℃)、二甲基氨基丙基丙烯酰胺(Tg：134℃)、异丙基丙烯酰胺(Tg：134℃)、和羟乙基丙烯酰胺(Tg：98℃)；酸单体，如甲基丙烯酸(Tg：228℃)和丙烯酸(Tg：106℃)；甲基丙烯酸酯，如甲基丙烯酸甲酯(Tg：105℃)和甲基丙烯酸叔丁酯(Tg：107℃)；和N-乙烯基吡咯烷酮(Tg：54℃)。这些高Tg丙烯酸系单体可以单独使用或以其组合使用。
高Tg丙烯酸系单体的含量比例可以设定为例如使得基于单体组分的组成通过Fox方程确定的丙烯酸系树脂的玻璃化转变温度可以为-30℃以上。如下所示，“Fox方程”为共聚物的Tg与通过使共聚物的各个构成单体均聚而获得的均聚物的玻璃化转变温度Tgi之间的关系式。
1/Tg＝Σ(Wi/Tgi)
在Fox方程中，Tg表示共聚物的玻璃化转变温度(单位：K)，Wi表示共聚物中单体“i”的重量分数(基于重量的共聚比例)，并且Tgi表示单体“i”的均聚物的玻璃化转变温度(单位：K)。
可以使用已知的值作为用于计算Tg的均聚物的玻璃化转变温度。具体为“聚合物手册”(第3版，John Wiley&Sons,Inc.，1989)中提及了玻璃化转变温度。在此，当单体具有聚合物手册中提及的多个值时，采用最大值作为单体的玻璃化转变温度。通过日本专利申请特开No.2007-51271中所述的测量方法获得的值可以用作未在聚合物手册中描述的单体的均聚物的玻璃化转变温度。
高Tg丙烯酸系单体的含量比例优选为全部单体组分的1wt％～50wt％、更优选3wt％～40wt％。当高Tg丙烯酸系单体的含量比例落入所述范围内时，提供一种半导体晶片加工用压敏粘合片，其与半导体晶片的密合性优异，并且其具有轻剥离性并且抑制了残胶。根据本发明的至少一个实施方案的半导体晶片加工用压敏粘合片的切割性也优异，并且因此还可以抑制切割器上的残胶，并且防止加工装置的污染。另外，还可以防止由于中间层在储存期间从压敏粘合片中伸出而导致的操作性的降低。
除了主要单体和高Tg丙烯酸系单体以外，单体组合物可以包含任意合适的可与主要单体共聚的单体(共聚单体)。作为共聚单体，使用在C-1部分中作为其它单体的实例给出的那些。作为共聚单体，可以优选使用具有如羟基和羧基等极性基团的单体，并且更优选使用具有羟基的单体。当使用具有极性基团的单体时，可以改善内聚力、耐热性、和交联性等。共聚单体可以单独使用或以其组合使用。
共聚单体的含量比例优选为全部单体组分的0.01wt％～30wt％、更优选0.1wt％～20wt％、还更优选1wt％～10wt％。当共聚单体的含量比例落入所述范围内时，可以改善内聚力、耐热性、和交联性等。
用于中间层的丙烯酸系树脂通过使包含上述单体组分的单体组合物聚合来获得。任意合适的方法可以用作聚合方法。其实例包括乳液聚合、溶液聚合、本体聚合、和悬浮聚合。丙烯酸系树脂优选为通过乳液聚合或溶液聚合获得的聚合物。当使用任何这样的聚合方法时，可以使用各种添加剂，因此可以制备各种丙烯酸系树脂。
任意合适的乳化剂可以用作在乳液聚合中使用的乳化剂。其实例包括：阴离子系乳化剂，如烷基硫酸酯类、烷基苯磺酸盐类、烷基磺基琥珀酸盐类、聚氧乙烯烷基硫酸盐类、和聚氧乙烯烷基磷酸酯类；以及非离子系乳化剂，如聚氧乙烯烷基醚类、聚氧乙烯烷基苯基醚类、聚氧乙烯-聚氧丙烯嵌段聚合物类、脱水山梨糖醇脂肪酸酯类、和聚氧化乙烯脂肪酸酯类。水的含量比例可以调节至任意合适的量，并且例如可以调节使得在乳液聚合之后丙烯酸系聚合物的固成分浓度可以为30wt％～75wt％，优选为35wt％～70wt％。任意合适的引发剂可以用作聚合引发剂，并且例如使用偶氮系引发剂和过氧化物系引发剂。可以使用链转移剂以调节分子量。
在溶液聚合中，使用乙酸乙酯或甲苯等作为溶剂。溶液浓度例如为约20wt％～约80wt％。任意合适的引发剂可以用作聚合引发剂，并且例如使用偶氮系引发剂和过氧化物系引发剂。可以使用链转移剂以调节分子量。反应温度通常为50℃～80℃，并且反应时间通常为1小时～8小时。
丙烯酸系树脂的重均分子量优选为200,000～15,000,000、更优选300,000～10,000,000。重均分子量可以通过GPC(溶剂：THF)来测量。
丙烯酸系树脂的玻璃化转变温度优选为-50℃～30℃、更优选-40℃～20℃。当玻璃化转变温度落入该范围内时，可以获得耐热性优异的压敏粘合片，并且因此可以适用于加热工序。
在本发明的至少一个实施方案中，优选的是，中间层包含光聚合引发剂并且不含任何紫外线固化性组分。即，虽然中间层包含光聚合引发剂，但是中间层本身不通过紫外线照射而固化。因此，中间层可以在紫外线照射前后保持其柔软性。另外，当中间层包含光聚合引发剂时，可以抑制紫外线固化型压敏粘合剂层中包含的光聚合引发剂向中间层迁移，结果这可以抑制压敏粘合剂层中的光聚合引发剂的含量随时间的降低。因此，在紫外线照射后，压敏粘合片可以表现出轻剥离性。在本说明书中，“紫外线固化性组分”是指能够通过紫外线照射而交联从而经历固化收缩的组分。其具体实例包括在部分C中作为实例给出的这些紫外线固化性单体和低聚物，以及各自在其侧链和/或在其末端引入了聚合性碳-碳双键的聚合物。
光聚合引发剂可以与紫外线固化型压敏粘合剂层中包含的光聚合引发剂相同或不同。中间层优选包含与压敏粘合剂层相同的光聚合引发剂。当中间层和压敏粘合剂层包含彼此相同的光聚合引发剂时，可以进一步抑制光聚合引发剂从压敏粘合剂层向中间层的迁移。作为光聚合引发剂，可以各自使用在部分C中作为实例给出的光聚合引发剂。光聚合引发剂可以单独使用或以其组合使用。
相对于中间层形成用组合物(以下有时称为“中间层形成组合物”)中的丙烯酸系树脂100重量份，中间层中的光聚合引发剂的含量优选为0.1重量份～10重量份、更优选0.5重量份～8重量份。当中间层中的光聚合引发剂的含量落入所述范围内时，可以获得在紫外线照射后具有优异的轻剥离性的压敏粘合片。在本发明的至少一个实施方案中，光聚合引发剂的用量等于紫外线固化型压敏粘合剂层形成用组合物中包含的光聚合引发剂的量。
在本发明的至少一个实施方案中，中间层形成组合物进一步包含交联剂。交联剂的实例包括异氰酸酯系交联剂、环氧系交联剂、噁唑啉系交联剂、氮杂环丙烷系交联剂、三聚氰胺系交联剂、过氧化物系交联剂、尿素系交联剂、金属醇盐系交联剂、金属螯合物系交联剂、金属盐系交联剂、碳化二亚胺系交联剂、和胺系交联剂。
当中间层形成组合物包含交联剂时，相对于中间层形成组合物中的丙烯酸系树脂100重量份，交联剂的含量比例优选为0.5重量份～10重量份、更优选1重量份～8重量份。
中间层形成组合物可以根据需要进一步包含任意合适的添加剂。添加剂的实例包括活性能量射线聚合促进剂、自由基清除剂、增粘剂、增塑剂(例如，偏苯三酸酯系增塑剂或均苯四酸酯系增塑剂)、颜料、染料、填料、防老剂、导电材料、抗静电剂、紫外线吸收剂、光稳定剂、剥离改性剂、软化剂、表面活性剂、阻燃剂、和抗氧化剂。
中间层的厚度可以设定为任意合适的厚度。例如，当半导体晶片在其表面上具有凹凸时，中间层的厚度优选设定为大于半导体晶片的凸部的高度。中间层的厚度优选为10μm～300μm、更优选20μm～200μm、还更优选30μm～150μm、特别优选50μm～150μm。当中间层的厚度落入所述范围内时，在其中半导体晶片在其表面上具有凹凸的情况下，可以获得凹凸嵌入性优异的压敏粘合片。
中间层的紫外线照射前的弹性模量(杨氏模量)优选为0.01MPa～10.0MPa、更优选0.01MPa～5.0MPa、还更优选0.01MPa～3.0MPa。当紫外线照射前的弹性模量落入该范围内时，在其中半导体晶片在其表面上具有凹凸的情况下，可以获得凹凸嵌入性优异的压敏粘合片。另外，可以改善压敏粘合片的半导体晶片保持力(semiconductor wafer-holdingforce)。中间层的弹性模量可以通过以下方法来测量。
将中间层形成组合物以5μm的涂布厚度涂布到隔离体上，并且在130℃下干燥2分钟。接下来，仅将涂布和干燥后的压敏粘合剂层从其边缘卷起以制造棒状样品，并且测量其厚度(截面积)。在夹具到夹具(chuck-to-chuck)的距离为10mm、拉伸速度为50mm/分钟、和室温的条件下，用拉伸试验机(由Shimadzu Corporation制造，商品名：“AG-IS”)对所得样品进行拉伸，并且将该情况下的初始斜率(杨氏模量)定义为弹性模量。
E.半导体晶片加工用压敏粘合片的制造方法
根据本发明的至少一个实施方案的半导体晶片加工用压敏粘合片可以通过任意合适的方法来制造。压敏粘合片可以通过例如在基材上形成中间层，然后在中间层上形成压敏粘合剂层来制造。压敏粘合剂层和中间层可以通过将压敏粘合剂层形成用组合物和中间层形成用组合物分别涂布到基材和中间层上而形成，或者可以在任意合适的隔离体上形成各层后进行转移。如棒涂机涂布、气刀涂布、凹版涂布、凹版逆向涂布、逆向辊涂、唇式涂布、模涂、浸涂、胶版印刷、柔版印刷、和丝网印刷等各种方法可以各自用作涂布方法。另外，例如，可以采用涉及在隔离体上单独形成压敏粘合剂层，然后将所得物粘贴到基材和中间层的层叠体上的方法。
F.半导体晶片加工用压敏粘合片的用途
根据本发明的至少一个实施方案的半导体晶片加工用压敏粘合片适用于半导体晶片加工工序。半导体晶片加工用压敏粘合片在紫外线照射前对半导体晶片的压敏粘合力优异，并且在紫外线照射后的剥离性优异。因此，即使在薄型晶片的加工中，压敏粘合片也可以用更小的力剥离而不会破坏晶片。另外，压敏粘合片包括中间层，并且因此，即使当半导体晶片在其表面上具有凹凸时，也可以令人满意地跟随凹凸。因此，压敏粘合片可以在加工期间保持半导体晶片，并且可以在加工后从半导体晶片剥离，而不会引起如残胶等问题。进一步，根据本发明的至少一个实施方案的半导体晶片加工用压敏粘合片的切割性也优异，并且因此还可以抑制切割器上的残胶，并且防止加工装置的污染。
将根据本发明的至少一个实施方案的半导体晶片加工用压敏粘合片在任意合适的粘贴温度下粘贴到半导体晶片上。例如，在室温(例如，23℃)至100℃的温度下将压敏粘合片粘贴到半导体晶片上。在根据本发明的至少一个实施方案的半导体晶片加工用压敏粘合片中，G′1RT为300kPa～2,000kPa并且G′180为10kPa～500kPa，G′2RT为100kPa～1,000kPa并且G′280为10kPa～1,000kPa，并且G′1RT/G′2RT为1以上。因此，压敏粘合片在粘贴时可以充分地密合到半导体晶片上，并且在粘贴后可以表现出优异的对半导体晶片的保持力。
在本发明的至少一个实施方案中，将根据该实施方案的半导体晶片加工用压敏粘合片在加热的同时粘贴到半导体晶片上。因此，在粘贴时，中间层具有低的弹性，并且当半导体晶片在其表面上具有凹凸时，可以进一步改善凹凸追随性，从而进一步改善凹凸嵌入性。另一方面，在室温(例如，23℃)下，中间层具有高的弹性，并且因此可以保持密合至凹凸的状态。进一步，可以抑制切割压敏粘合片时切割器上的残胶。进一步，在如背面研磨工序等的加工期间，压敏粘合片可以适当地保持半导体晶片以防止晶片的翘曲。
在本发明的至少一个实施方案中，根据该实施方案的半导体晶片加工用压敏粘合片通过粘贴到具有凹凸的半导体晶片上来使用。如上所述，根据本发明的至少一个实施方案的半导体晶片加工用压敏粘合片在粘贴时可以充分地密合到半导体晶片上，并且即使当半导体晶片在其表面上具有凹凸时，凹凸嵌入性也优异。进一步，在粘贴后，压敏粘合片可以保持密合状态而不会从凹凸浮起(floating off)。因此，可以在各种工序中充分地支承半导体晶片。
在本发明的至少一个实施方案中，根据该实施方案的半导体晶片加工用压敏粘合片可以适当地用作背面研磨带。压敏粘合片在紫外线照射前可以充分地密合到半导体晶片上，并且在紫外线照射后可以表现出优异的轻剥离性。因此，即使当半导体晶片的表面的结构复杂时，也可以防止半导体晶片的表面上的残胶。因此，压敏粘合片可以在背面研磨工序期间适当地保持半导体晶片，并且在完成背面研磨工序后可以容易地从半导体晶片剥离，并且还可以防止半导体晶片上的残胶。
实施例
现在，通过实施例具体地描述本发明，但本发明不限于这些实施例。实施例中的试验和评价方法如下所述。另外，除非另有说明，“份”和“％”都是以重量计。
[实施例1]
制备中间层形成组合物(固成分浓度：23wt％)，其包含100重量份的丙烯酸系树脂1(通过将58.4mol的丙烯酸丁酯(BA)、38.6mol的甲基丙烯酸甲酯(MMA)和3mol的丙烯酸-2-羟乙酯(HEA)进行乳液聚合而获得的Mw为330,000的聚合物)、0.1重量份的交联剂(多异氰酸酯化合物，商品名：“CORONATE L”，由Tosoh Corporation制造)、1重量份的光聚合引发剂(由IGM Resins B.V.制造，商品名：Omnirad 127D)、0.1重量份的阻聚剂(由BASF制造，商品名：Irganox 1010)、和乙酸乙酯。接下来，将所得中间层形成组合物涂布到厚度为38μm的聚酯系隔离体(由Mitsubishi Plastics,Inc.制造，商品名：“MRF”)的有机硅处理表面，然后在120℃下加热120秒来去除溶剂。因此，形成厚度为150μm的中间层。
接下来，将在隔离体上形成的中间层粘贴到厚度为50μm的抗静电PET膜的抗静电处理(ESAS)表面。
制备压敏粘合剂层形成用组合物(固成分浓度：15wt％)，其包含100重量份的丙烯酸系树脂2(通过将18mol的甲基丙烯酸2-异氰酸乙酯(由Showa Denko K.K.制造，商品名：“Karenz MOI”)添加到通过将75mol的BA、25mol的MMA、和20mol的HEA进行溶液聚合而获得的聚合物中而获得的丙烯酸系树脂)、1重量份的交联剂(多异氰酸酯化合物，商品名：“CORONATE L”，由Tosoh Corporation制造)、1重量份的光聚合引发剂(由IGM Resins B.V.制造，商品名：Omnirad 127D)、0.1重量份的阻聚剂(由BASF制造，商品名：Irganox1010)、和乙酸乙酯。接下来，将所得压敏粘合剂层形成用组合物涂布到厚度为75μm的聚酯系隔离体的有机硅处理表面，然后在120℃下加热120秒来去除溶剂。因此，形成厚度为6μm的压敏粘合剂层。
接下来，将隔离体从抗静电PET膜和中间层的层叠体剥离，并且将压敏粘合剂层转印到已经剥离了隔离体的中间层的表面上。将所得物在50℃下储存72小时，从而提供压敏粘合片(基材(50μm)/中间层(150μm)/紫外线固化型压敏粘合剂层(6μm))。中间层形成组合物的组成和压敏粘合剂层形成组合物的组成示于表1。
Figure BDA0003705690260000221
[实施例2]
除了将中间层的厚度改变为100μm以外，以与实施例1相同的方式获得压敏粘合片。
[实施例3]
除了：在压敏粘合剂层形成组合物中使用4重量份的交联剂；以及将紫外线固化型压敏粘合剂层的厚度改变为10μm以外，以与实施例1相同的方式获得压敏粘合片。
[实施例4]
除了将中间层的厚度改变为100μm以外，以与实施例3相同的方式获得压敏粘合片。
[实施例5]
除了：在压敏粘合剂层形成组合物中使用100重量份的丙烯酸系树脂3(通过将18mol的甲基丙烯酸2-异氰酸乙酯(由Showa Denko K.K.制造，商品名：“Karenz MOI”)添加到通过将75mol的丙烯酸乙酯(EA)、25mol的丙烯酰吗啉(ACMO)、和22mol的HEA进行溶液聚合而获得的聚合物中而获得的丙烯酸系树脂)代替丙烯酸系树脂2；以及使用5重量份的交联剂以外，以与实施例1相同的方式获得压敏粘合片。
[实施例6]
除了在中间层形成组合物中使用丙烯酸系树脂4(通过将58.4mol的BA、38.6mol的MMA和3mol的HEA在乙酸乙酯中进行溶液聚合而获得的聚合物)代替丙烯酸系树脂1以外，以与实施例5相同的方式获得压敏粘合片。
(比较例1)
除了在中间层形成组合物中使用100重量份的丙烯酸系树脂5(通过将75mol的BA、25mol的MMA和5mol的HEA在乙酸乙酯中进行溶液聚合而获得的聚合物)代替丙烯酸系树脂1以外，以与实施例6相同的方式获得压敏粘合片。
(比较例2)
除了在压敏粘合剂层形成组合物中使用100重量份的丙烯酸系树脂6(通过使100mol的丙烯酸2-乙基己酯(2HEA)、20mol的HEA、和16mol的甲基丙烯酸2-异氰酸乙酯(由Showa Denko K.K.制造，商品名：“Karenz MOI”)聚合而获得的树脂)代替丙烯酸系树脂2；以及使用1重量份的交联剂以外，以与比较例1相同的方式获得压敏粘合片。
(比较例3)
除了：在中间层形成组合物中使用100重量份的丙烯酸系树脂7(通过使50mol的BA、50mol的EA、和3mol的丙烯酸(AA)在甲苯中进行溶液聚合而获得的聚合物)代替丙烯酸系树脂1；将交联剂的含量和光聚合引发剂的含量分别改变为1重量份和3重量份；以及在压敏粘合剂层形成组合物中将交联剂的含量改变为1.5重量份以外，以与比较例1相同的方式获得压敏粘合片。
(比较例4)
除了：在中间层形成组合物中使用丙烯酸系树脂7代替丙烯酸系树脂5；以及在压敏粘合剂层形成组合物中使用100重量份的丙烯酸系树脂8(通过将11mol的甲基丙烯酸2-异氰酸乙酯(由Showa Denko K.K.制造，商品名：“Karenz MOI”)添加到通过将75mol的丙烯酸乙酯(EA)、25mol的丙烯酰吗啉(ACMO)、和22mol的HEA在甲苯中进行溶液聚合而获得的聚合物中而获得的丙烯酸系树脂)代替丙烯酸系树脂2以外，以与比较例1相同的方式获得压敏粘合片。
通过使用实施例和比较例中获得的压敏粘合片进行以下评价。结果示于表2。
(1)初始嵌入性
通过使用带粘贴装置(由Nitto Seiki Co.,Ltd.制造，商品名：DR-3000III)将各实施例和比较例中获得的压敏粘合片(230cm×400cm)粘贴到晶片(8英寸，凸块高度：75μm，直径：90μm，间距：200μm)上。在以下条件下进行粘贴。
辊压力：0.40MPa
辊速度：5mm/秒
工作台温度：80℃
在粘贴后，用激光显微镜(倍率：100倍)观察压敏粘合片和晶片的粘贴状态。另外，在其中压敏粘合片面向上的状态下，从压敏粘合片侧对压敏粘合片和晶片进行成像，并且通过使用图像分析软件(Image J(免费软件))对图像进行二值化(8位灰度，亮度：0～255，阈值：114)。随机选择五个凸块，并且对用于显示一个凸块的点数进行计数。仅在没有胶带粘贴到其上的状态下的凸块的图像具有220个点。当存在胶带时，接近220的点数表示更令人满意的嵌入性。通过用符号“○”标记五个凸块的平均点数为830以下的情况，并且用符号“×”标记平均点数超过830的情况来进行评价。
(2)经时嵌入性
将进行了初始嵌入性评价的压敏粘合片和晶片的层叠体在室温下放置1周。之后，以与初始嵌入性评价相同的方式，对压敏粘合片和晶片进行成像，并且对图像进行二值化。将所得的平均点数与初始嵌入性评价中的平均点数进行比较，以确定平均点数的变化量(|(初始嵌入性评价中的平均点数)-(经时嵌入性评价中的平均点数)|)。通过用符号“○”标记平均点数的变化量为15以下的情况，并且用符号“×”标记平均点数的变化量大于15的情况来进行评价。
(3)残胶
图2为示出其中将半导体晶片加工用压敏粘合片粘贴到具有落差的被粘物上的状态的示意性截面图。将硅镜面晶片研磨至500μm，并且将厚度为75μm的压敏粘合带粘贴到硅镜面晶片的研磨表面，以制造图2所示的具有落差的被粘物200。被粘物的落差的高度“x”为75μm。将在各实施例和比较例中获得的压敏粘合片(半导体晶片加工用压敏粘合片)100层叠在具有落差的被粘物200上，以与压敏粘合带正交，并且在表2所示的温度下通过使用2kg辊粘贴到其上。接下来，将所得物在60℃的恒温器中储存4天。之后，将已从恒温器中取出的半导体晶片加工用压敏粘合片用紫外线(1,000mJ/cm2)照射。接下来，在180°剥离试验(常温，剥离速度：300mm/分钟)中剥离压敏粘合片。在剥离后，用激光显微镜(倍率：100倍)观察硅晶片的表面，通过用符号“○”标记未发现残胶的情况，并且用符号“×”标记发现残胶的情况来进行评价。
(4)压敏粘合片的切割性
通过使用带粘贴装置(由Nitto Seiki Co.,Ltd.制造，商品名：DR-3000III)，在以下条件下将各实施例和比较例中获得的压敏粘合片粘贴到25个硅镜面晶片上。未使用的切割器刀片用于粘贴。在表2中所示的温度下进行粘贴。
辊速度：100mm/分钟
辊压力：0.4MPa
切割器速度：300mm/分钟
切割器温度：180℃
刀片角度：1°
切割角度：5°
接下来，第1个硅镜面晶片和第25个硅镜面晶片各自用显微镜从其侧面观察。确定是否存在拉丝(是否存在中间层与晶片侧面的接触)，并且通过用符号“○”标记没有拉丝的情况，并且用符号“×”标记观察到拉丝的情况来进行评价。
(5)侧面粘性
将在各实施例和比较例中获得的压敏粘合片(2cm宽)卷绕在3英寸的芯上直到达到0.5cm的厚度，从而提供具有卷筒状的压敏粘合片的卷绕体。用手将所得卷绕体的侧面按压在丙烯酸板(厚度：5mm)上。接下来，用手提起卷绕体，并且通过用符号“○”标记丙烯酸板未与卷绕体一起被提起的情况，并且用符号“×”标记丙烯酸板与卷绕体一起被提起的情况来进行评价。
Figure BDA0003705690260000271
根据本发明的至少一个实施方案的半导体晶片加工用压敏粘合片可以适用于半导体晶片加工工序。
根据本发明的至少一个实施方案，可以提供一种半导体晶片加工用压敏粘合片，其与半导体晶片的密合性优异，并且其具有轻剥离性并且抑制了残胶。根据本发明的至少一个实施方案的半导体晶片加工用压敏粘合片的凹凸嵌入性优异，并且因此即使当半导体晶片在其表面上具有凹凸时，也可以保持充分的密合状态。根据本发明的至少一个实施方案的半导体晶片加工用压敏粘合片的切割性优异，并且因此可以抑制切割器上的残胶，并且还可以防止加工装置的污染。另外，还可以防止由于中间层在储存期间从压敏粘合片中伸出而导致的操作性的降低。

Claims (7)

1.一种半导体晶片加工用压敏粘合片，其依次包括：
基材；
中间层；和
紫外线固化型压敏粘合剂层，
其中所述中间层的室温下的储能弹性模量G′1RT为300kPa～2,000kPa，并且80℃下的储能弹性模量G′180为10kPa～500kPa，
其中所述紫外线固化型压敏粘合剂层的室温下的储能弹性模量G′2RT为100kPa～1,000kPa，并且80℃下的储能弹性模量G′280为10kPa～1,000kPa，并且
其中G′1RT/G′2RT为1以上。
2.根据权利要求1所述的半导体晶片加工用压敏粘合片，其中所述中间层和所述紫外线固化型压敏粘合剂层各自包含丙烯酸系树脂。
3.根据权利要求1或2所述的半导体晶片加工用压敏粘合片，其中所述紫外线固化型压敏粘合剂层包含在其侧链上引入了聚合性碳-碳双键的聚合物。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体晶片加工用压敏粘合片，其中所述中间层包含光聚合引发剂并且不含任何紫外线固化性组分。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的半导体晶片加工用压敏粘合片，其中所述中间层中包含的丙烯酸系树脂为通过乳液聚合或溶液聚合而获得的聚合物。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体晶片加工用压敏粘合片，其中所述半导体晶片加工用压敏粘合片用作背面研磨带。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体晶片加工用压敏粘合片，其中所述半导体晶片加工用压敏粘合片通过粘贴到具有凹凸的半导体晶片上来使用。
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