TW202313888A - 半導體晶圓加工用黏著片材 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題在於提供一種半導體晶圓加工用黏著片材，其與半導體晶圓之密接性優異，並且為輕剝離性而抑制了糊劑殘留。 本發明之實施方式之半導體晶圓加工用黏著片材依序具備：基材、中間層、及紫外線硬化型黏著劑層，該中間層之室溫下之儲存彈性模數G'1 RT為300 kPa～2000 kPa，並且80℃下之儲存彈性模數G'1 80為10 kPa～500 kPa，該紫外線硬化型黏著劑層之室溫下之儲存彈性模數G'2 RT為100 kPa～1000 kPa，並且80℃下之儲存彈性模數G'2 80為10 kPa～1000 kPa，並且G'1 RT/G'2 RT為1以上。

Description

半導體晶圓加工用黏著片材
本發明係關於一種半導體晶圓加工用黏著片材。
半導體晶圓用於個人電腦、智慧型手機、汽車等各種用途。在半導體晶圓之加工步驟中，黏著片材用於在加工時保護表面。近年來，大規模積體電路(LSI)之微細化及高功能化正在發展，晶圓之表面結構變得複雜。在具有凸塊(bump)等凹凸結構之半導體晶圓之加工中，有時使用在基材與黏著劑層之間具有中間層之黏著片材，以提高與半導體晶圓之密接性(凹凸填埋性)。然而，具有中間層之黏著片材有難以切斷片材之情形，或有與半導體晶圓之密接性隨著時間降低之情形。又，有在保管時中間層從黏著片材伸出，從而降低操作性之情形。
近年來，隨著各種製品之小型化及薄型化，正在進行半導體晶圓之薄型化。在加工成薄型之晶圓中，當黏著片材之黏著力過高之情形時，有剝離黏著片材時，晶圓本身破損之情形。為了防止半導體晶圓上之糊劑殘留及剝離時晶圓之破損，提出了一種使用紫外線硬化型黏著劑之黏著片材(專利文獻1及2)。然而，與半導體晶圓之密接性優異之黏著片材即使在使用紫外線硬化型黏著劑之情形時，亦有產生糊劑殘留之情形。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開平6-49420號公報 [專利文獻2]日本專利特開昭62-153376號公報
[發明所欲解決之問題]
本發明係為了解決上述先前之課題而完成者，提供一種半導體晶圓加工用黏著片材，其與半導體晶圓之密接性優異，並且為輕剝離性而抑制了糊劑殘留。 [解決問題之技術手段]
本發明之實施方式之半導體晶圓加工用黏著片材依序具備：基材、中間層、及紫外線硬化型黏著劑層。該中間層之室溫下之儲存彈性模數G'1 RT為300 kPa～2000 kPa，並且80℃下之儲存彈性模數G'1 80為10 kPa～500 kPa，該紫外線硬化型黏著劑層之室溫下之儲存彈性模數G'2 RT為100 kPa～1000 kPa，並且80℃下之儲存彈性模數G'2 80為10 kPa～1000 kPa，並且G'1 RT/G'2 RT為1以上。 在一個實施方式中，上述中間層及上述紫外線硬化型黏著劑層包含丙烯酸系樹脂。 在一個實施方式中，上述紫外線硬化型黏著劑層包含在側鏈導入有聚合性碳-碳雙鍵之聚合物。 在一個實施方式中，上述中間層包含光聚合起始劑並且不含紫外線硬化性成分。 在一個實施方式中，上述中間層所包含之丙烯酸系樹脂為藉由乳液聚合或溶液聚合而獲得之聚合物。 在一個實施方式中，本發明之實施方式之半導體晶圓加工用黏著片材係用作背面研磨帶。 在一個實施方式中，本發明之實施方式之半導體晶圓加工用黏著片材係貼附於具有凹凸之半導體晶圓使用。 [發明之效果]
根據本發明之實施方式，提供一種半導體晶圓加工用黏著片材，其與半導體晶圓之密接性優異，並且為輕剝離性而抑制了糊劑殘留。本發明之實施方式之半導體晶圓加工用黏著片材即便於半導體晶圓在表面具有凹凸之情形時，凹凸填埋性亦優異，能夠保持充分地密接之狀態。本發明之實施方式之半導體晶圓加工用黏著片材由於切斷性優異，故而能夠抑制切割器上之糊劑殘留，亦防止加工裝置之污染。又，亦能夠防止保管時中間層自黏著片材伸出而導致之操作性之降低。
A.半導體晶圓加工用黏著片材之概要 圖1為本發明之一個實施方式之半導體晶圓加工用黏著片材之概略剖視圖。圖示例之半導體晶圓加工用黏著片材100依序具備：基材30、中間層20、及紫外線硬化型黏著劑層10。中間層20之室溫下之儲存彈性模數G'1 RT為300 kPa～2000 kPa，並且80℃下之儲存彈性模數G'1 80為10 kPa～500 kPa。紫外線硬化型黏著劑層10之初始儲存彈性模數G'2 RT為100 kPa～1000 kPa，並且80℃下之儲存彈性模數G'2 80為10 kPa～1000 kPa。在本發明之實施方式之半導體晶圓加工用黏著片材中，G'1 RT/G'2 RT為1以上。因此，與半導體晶圓之密接性優異，並且為輕剝離性而能夠抑制半導體晶圓上之糊劑殘留。進而，本發明之實施方式之半導體晶圓加工用黏著片材能夠抑制切割器上之糊劑殘留，防止加工裝置之污染。又，亦能夠提高半導體晶圓加工用黏著片材之切斷性。進而，能夠防止中間層在保管時伸出而操作性之降低。本發明之實施方式之半導體晶圓加工用黏著片材即使當半導體晶圓在表面具有凹凸之情形時，對凹凸之追隨性亦優異，能夠保持與半導體晶圓之密接性。本發明之實施方式之半導體晶圓加工用黏著片材在剝離黏著片材時，能夠藉由照射紫外線而使黏著劑層硬化，發揮輕剝離性，亦能夠防止半導體晶圓上之糊劑殘留。在一個實施方式中，本發明之實施方式之半導體晶圓加工用黏著片材係一面加熱一面貼附於半導體晶圓。因此，在貼附時對半導體晶圓之密接性能夠進一步提高，並且當半導體晶圓在表面具有凹凸時，凹凸填埋性能夠進一步提高。又，在背面研磨帶貼附步驟中之一般條件(例如，工作台溫度為80℃、切割器溫度為180℃)下，中間層具有適度之彈性，能夠抑制黏著片材切斷時切割器上之糊劑殘留。進而，在背面研磨步驟及施加高溫及高壓之研磨步驟(例如，為了賦予高抗彎折強度及去疵效果而用Gettering DP(DISCO股份有限公司)進行之研磨步驟)等之加工時，能夠密接於半導體晶圓適當地保持，穩定地進行加工。在本說明書中，室溫下之儲存彈性模數係指在23℃下之儲存彈性模數。
中間層20之室溫下之儲存彈性模數G'1 RT為300 kPa～2000 kPa，並且80℃下之儲存彈性模數G'1 80為10 kPa～500 kPa。G'1 RT較佳為400 kPa～1,500 kPa、更佳為500 kPa～1000 kPa、進而較佳為600 kPa～950 kPa。G'1 80較佳為20 kPa～300 kPa、更佳為40 kPa～200 kPa、進而較佳為50 kPa～100 kPa。藉由使G'1 RT及G'1 80為上述範圍內，能夠提高對半導體晶圓之密接性。
紫外線硬化型黏著劑層之室溫下之儲存彈性模數G'2 RT為100 kPa～1000 kPa，並且80℃下之儲存彈性模數G'2 80為10 kPa～1000 kPa。G'2 RT較佳為120 kPa～800 kPa、更佳為130 kPa～600 kPa、進而較佳為150 kPa～400 kPa。G'2 80較佳為30 kPa～800 kPa、更佳為50 kPa～500 kPa、進而較佳為70 kPa～300 kPa。
在本發明之實施方式中，G'1 RT/G'2 RT為1以上。藉由使G'1 RT/G'2 RT為1以上，能夠提供與半導體晶圓之密接性優異，並且為輕剝離性而抑制了糊劑殘留之半導體晶圓加工用黏著片材。進而，亦能夠抑制切斷黏著片材時切割器上之糊劑殘留。又，在背面研磨步驟及施加高溫及高壓之研磨步驟等之加工時，能夠密接於半導體晶圓適當地保持，穩定地進行加工。G'1 RT/G'2 RT較佳為1.2以上、更佳為1.3以上、進而較佳為1.4以上。G'1 RT/G'2 RT例如為5.0以下。
在一個實施方式中，中間層20包含光聚合起始劑並且不含紫外線硬化性成分。因此，即便照射紫外線，中間層亦不會硬化，能夠維持柔軟性。又，能夠防止由於紫外線硬化型黏著劑層所包含之光聚合起始劑向中間層遷移，而使紫外線硬化型黏著劑層中所含之光聚合起始劑之含量隨著時間降低。因此，紫外線硬化型黏著劑層能夠藉由紫外線照射而適當地硬化，發揮輕剝離性。其結果，能夠防止半導體晶圓上之糊劑殘留及薄型化之晶圓之破損。
在一個實施方式中，紫外線硬化型黏著劑層與中間層包含等量之光聚合起始劑。藉由使紫外線硬化型黏著劑層與中間層包含等量之光聚合起始劑，紫外線硬化型黏著劑層所包含之光聚合起始劑之含量能夠隨時間穩定地維持，發揮輕剝離性。在本說明書中，等量意指紫外線硬化型黏著劑層中之光聚合起始劑之含量(濃度)與中間層中之光聚合起始劑之含量(濃度)相等。具體地，意指形成黏著劑層之組合物中之光聚合起始劑之含量與形成中間層之組合物中之光聚合起始劑之含量相同。
黏著片材之厚度能夠設定為任意合適之範圍。較佳為10 μm～1000 μm、更佳為50 μm～300 μm、進而較佳為100 μm～300 μm。
B.基材 基材可包含任意合適之樹脂。作為構成基材之樹脂之具體例，可例舉：聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)、聚萘二甲酸丁二酯(PBN)等聚酯系樹脂、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物、聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物等聚烯烴系樹脂、聚乙烯醇、聚偏二氯乙烯、聚氯乙烯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚乙酸乙烯酯、聚醯胺、聚醯亞胺、纖維素類、氟系樹脂、聚醚、聚苯乙烯等聚苯乙烯系樹脂、聚碳酸酯、聚醚碸等。較佳為使用聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、及聚萘二甲酸丁二酯。藉由使用該等樹脂，能夠進一步防止發生半導體晶圓之翹曲。
在無損本發明之效果之範圍內，基材可進而包括其他成分。作為其他成分，例如可例舉：抗氧化劑、紫外線吸收劑、光穩定劑、耐熱穩定劑等。關於其他成分之種類及使用量，能夠根據目的以任意合適之量使用。
在一個實施方式中，基材較佳為具有抗靜電功能。藉由使基材具有抗靜電功能，能夠抑制剝離膠帶時之靜電之產生，防止由於靜電引起之迴路之破壞及異物之附著。基材可藉由由包含抗靜電劑之樹脂形成而具有抗靜電功能，亦可藉由將包含導電性聚合物、有機或無機導電性物質、及抗靜電劑等抗靜電成分之組合物塗佈於任意合適之膜，形成抗靜電層而具有抗靜電功能。當基材具有抗靜電層之情形時，較佳為中間層積層在形成有抗靜電層之面。
當基材具有抗靜電功能之情形時，基材之表面電阻值例如為1.0×10 2Ω/□～1.0×10 13Ω/□，較佳為1.0×10 6Ω/□～1.0×10 12Ω/□、更佳為1.0×10 7Ω/□～1.0×10 11Ω/□。藉由使表面電阻值為上述範圍內，能夠抑制剝離黏著片材時之靜電之產生，防止由於靜電引起之迴路之破壞及異物之附著。當將具有抗靜電功能之基材用作基材之情形時，獲得之黏著片材之表面電阻值例如可為1.0×10 6Ω/□～1.0×10 12Ω/□。
基材之厚度可設定為任意合適之值。基材之厚度較佳為10 μm～200 μm、更佳為20 μm～150 μm。
基材之拉伸彈性模數可設定為任意合適之值。基材之拉伸彈性模數較佳為50 MPa～6000 MPa、更佳為70 MPa～5000 MPa。藉由使拉伸彈性模數為上述範圍內，即使於半導體晶圓表面具有凹凸之情形時，亦能獲得能夠適度地追隨凹凸之黏著片材。
C.紫外線硬化型黏著劑層 紫外線硬化型黏著劑層只要滿足上述G'2 RT及G'2 80即可，係使用形成黏著劑層之任意合適之組合物(黏著劑層形成組合物)形成。黏著劑層形成組合物(結果形成之紫外線硬化型黏著劑層)通常包含紫外線硬化型黏著劑及光聚合起始劑。藉由包含紫外線硬化型黏著劑，能夠提供在紫外線照射前具有對半導體晶圓之優異之黏著力並且在紫外線照射後具有優異之剝離性之黏著片材。
C-1.紫外線硬化型黏著劑 作為紫外線硬化型黏著劑，可使用任意合適之黏著劑。例如，可為將紫外線硬化性單體及/或低聚物添加至丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑、聚矽氧系黏著劑、聚乙烯醚系黏著劑等任意合適之黏著劑而獲得之黏著劑，亦可為使用在側鏈及/或末端導入有聚合性碳-碳雙鍵之聚合物作為基礎聚合物之黏著劑。較佳為採用使用在側鏈及/或末端導入有聚合性碳-碳雙鍵之聚合物作為基礎聚合物之黏著劑，更佳為採用使用在側鏈導入有聚合性碳-碳雙鍵之聚合物之黏著劑。
當採用使用在側鏈及/或末端導入有聚合性碳-碳雙鍵之聚合物之黏著劑之情形時，使用在側鏈及/或末端導入有聚合性碳-碳雙鍵並且具有黏著性之聚合物作為基礎聚合物。作為此種聚合物，例如可例舉：將聚合性碳-碳雙鍵導入至丙烯酸系樹脂、乙烯基烷基醚系樹脂、聚矽氧系樹脂、聚酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、苯乙烯-二烯嵌段共聚物等樹脂而獲得之聚合物。較佳為使用將聚合性碳-碳雙鍵導入至丙烯酸系樹脂而獲得之丙烯酸系樹脂。藉由使用丙烯酸系聚合物，能夠獲得容易調整紫外線硬化型黏著劑層之儲存彈性模數及拉伸彈性模數，並且黏著力與剝離性之平衡優異之黏著片材。進而，能夠減少源自黏著劑之成分對半導體晶圓之污染。
作為丙烯酸系樹脂，可使用任意合適之丙烯酸系樹脂。作為丙烯酸系樹脂，例如可例舉使包含一種或兩種以上之具有直鏈或支鏈烷基之丙烯酸或甲基丙烯酸之酯之單體組合物聚合而獲得之聚合物。
直鏈或支鏈烷基較佳為碳原子數為30個以下之烷基、更佳為碳原子數為1～20個之烷基、進而較佳為碳原子數為4～18個之烷基。作為烷基，具體而言，可例舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、環己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基、十二烷基。
單體組合物可包含任意合適之其他單體。作為其他單體，例如可例舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、伊康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸等含羧基之單體；馬來酸酐、伊康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯、丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯、2-羥基乙基乙烯基醚、4-羥基丁基乙烯基醚、二乙二醇單乙烯基醚等含羥基之單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等含磺酸基之單體；丙烯醯基磷酸2-羥基乙酯等含磷酸基之單體等含官能基之單體。藉由包含含官能基之單體，能夠獲得容易導入聚合性碳-碳雙鍵之丙烯酸系樹脂。相對於單體組合物之全部單體成分100重量份，含官能基之單體之含有比率較佳為4重量份～30重量份、更佳為6重量份～20重量份。再者，「(甲基)丙烯酸」係指丙烯酸及/或甲基丙烯酸。
作為其他單體，可使用多官能單體。藉由使用多官能單體，能夠提高黏著劑之凝集力、耐熱性、接著性等。又，紫外線硬化型黏著劑層中之低分子量成分之量會減少，因此能夠獲得難以污染半導體晶圓之黏著片材。作為多官能單體，例如可例舉：己二醇(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。相對於單體組合物之全部單體成分100重量份，多官能單體之含有比率較佳為1重量份～100重量份、更佳為5重量份～50重量份。
丙烯酸系樹脂之重量平均分子量較佳為30萬以上、更佳為50萬以上、進而較佳為80萬～300萬。藉由為此種範圍內，能夠防止低分子量成分之滲出(bleed)，獲得低污染性之半導體晶圓加工用黏著片材。(甲基)丙烯酸系樹脂之分子量分佈(重量平均分子量/數量平均分子量)較佳為1～20、更佳為3～10。藉由使用分子量分佈較窄之(甲基)丙烯酸系樹脂，能夠防止低分子量成分之滲出，獲得低污染性之黏著片材。再者，重量平均分子量及數量平均分子量可藉由凝膠滲透層析測定(溶劑：四氫呋喃，聚苯乙烯換算)而求出。
在側鏈及/或末端導入有聚合性碳-碳雙鍵之聚合物可藉由任意合適之方法獲得。例如可藉由使利用任意合適之聚合方法獲得之樹脂與具有聚合性碳-碳雙鍵之化合物進行反應(例如，縮合反應、加成反應)而獲得。具體地，當使用丙烯酸系樹脂之情形時，藉由使具備源自具有任意合適之官能基之單體之結構單元的丙烯酸系樹脂(共聚物)在任意合適之溶劑中進行聚合，然後使該丙烯酸系樹脂之官能基與具有能夠與該官能基反應之聚合性碳-碳雙鍵之化合物進行反應，能夠獲得導入有聚合性碳-碳雙鍵之丙烯酸系樹脂。相對於100重量份之上述樹脂，進行反應之具有聚合性碳-碳雙鍵之化合物之量較佳為4重量份～30重量份、更佳為4重量份～20重量份。作為溶劑，可使用任意合適之溶劑，例如可例舉乙酸乙酯、甲基乙基酮、甲苯等各種有機溶劑。
當如上所述使樹脂與具有聚合性碳-碳雙鍵之化合物進行反應之情形時，樹脂及具有聚合性碳-碳雙鍵之化合物較佳為分別具有能夠彼此反應之官能基。作為官能基之組合，例如可例舉：羧基/環氧基、羧基/氮丙啶基、羥基/異氰酸酯基等。在該等官能基之組合中，從反應追蹤之容易性之觀點而言，較佳為羥基與異氰酸酯基之組合。
作為具有聚合性碳-碳雙鍵之化合物，例如可例舉：甲基丙烯酸2-異氰酸基乙酯、甲基丙烯醯基異氰酸酯、異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯(甲基丙烯酸2-異氰酸基乙酯)、間異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯等。
當使用添加有紫外線硬化性單體及/或低聚物之黏著劑之情形時，作為紫外線硬化性單體及低聚物，可使用任意合適之單體或低聚物。作為紫外線硬化性單體，例如可例舉：胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。作為紫外線硬化性低聚物，例如可例舉：胺基甲酸酯系低聚物、聚醚系低聚物、聚酯系低聚物、聚碳酸酯系低聚物、聚丁二烯系低聚物。作為低聚物，較佳為使用分子量為100～30000左右者。單體及低聚物可僅使用1種，亦可組合2種以上使用。
單體及/或低聚物可根據使用之黏著劑之種類以任意合適之量使用。例如，相對於構成黏著劑之基礎聚合物100重量份，較佳為使用5重量份～500重量份、更佳為使用40重量份～150重量份。
C-2.光聚合起始劑 作為光聚合起始劑，可使用任意合適之起始劑。作為光聚合起始劑，例如可例舉：2,4,6-三甲基苄基苯基次膦酸乙酯、(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基氧化膦等醯基氧化膦系光起始劑；4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α,α'-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環己基苯基酮等α-酮醇系化合物；甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-嗎啉基丙烷-1等苯乙酮系化合物；安息香乙醚、安息香異丙醚、大茴香偶姻甲醚等安息香醚系化合物；苯偶醯二甲基縮酮等縮酮系化合物；2-萘磺醯氯等芳香族磺醯氯系化合物；1-苯酮-1,1-丙二酮-2-(O-乙氧基羰基)-肟等光活性肟系化合物；二苯甲酮、苯甲醯基苯甲酸、3,3'-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮系化合物；9-氧硫𠮿
Figure 111123103-001
、2-氯9-氧硫𠮿
Figure 111123103-001
、2-甲基9-氧硫𠮿
Figure 111123103-001
、2,4-二甲基9-氧硫𠮿
Figure 111123103-001
、異丙基9-氧硫𠮿
Figure 111123103-001
、2,4-二氯9-氧硫𠮿
Figure 111123103-001
、2,4-二乙基9-氧硫𠮿
Figure 111123103-001
、2,4-二異丙基9-氧硫𠮿
Figure 111123103-001
等9-氧硫𠮿
Figure 111123103-001
系化合物；樟腦醌；鹵代酮；醯基膦酸酯、2-羥基-1-(4-(4-(2-羥基-2-甲基丙醯基)苄基)苯基-2-甲基丙烷-1等α-羥基苯乙酮等。較佳可使用2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2-羥基-1-(4-(4-(2-羥基-2-甲基丙醯基)苄基)苯基-2-甲基丙烷-1。光聚合起始劑可僅使用1種，亦可組合2種以上使用。
作為光聚合起始劑，亦可使用市售品。例如可例舉IGM Resins公司製造之商品名：Omnirad 127及Omnirad 651。
光聚合起始劑係以任意合適之量使用。相對於100重量份之上述紫外線硬化型黏著劑，光聚合起始劑之含量較佳為0.5重量份～20重量份、更佳為0.5重量份～10重量份。當光聚合起始劑之含量未達0.5重量份之情形時，有在紫外線照射時不會充分硬化之虞。當光聚合起始劑之含量超過10重量份時，有黏著劑之保存穩定性會降低之虞。
C-3.添加劑 上述黏著劑層形成組合物可根據需要包含任意合適之添加劑。作為該添加劑，例如可例舉：交聯劑、觸媒(例如，鉑觸媒)、黏著賦予劑、塑化劑、顏料、染料、填充劑、防老化劑、導電材料、紫外線吸收劑、光穩定劑、剝離調整劑、軟化劑、界面活性劑、阻燃劑、溶劑等。
在一個實施方式中，黏著劑層形成組合物進而包含交聯劑。作為交聯劑，例如可例舉：異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、螯合物系交聯劑。相對於紫外線硬化型黏著劑中包含之基礎聚合物100重量份，交聯劑之含有比率較佳為0.01重量份～10重量份、更佳為0.02重量份～5重量份、進而較佳為0.025重量份～0.5重量份。能夠藉由交聯劑之含有比率控制黏著劑層之柔軟性。當交聯劑之含量未達0.01重量份之情形時，有黏著劑成為溶膠狀而無法形成黏著劑層之虞。當交聯劑之含量超過10重量份之情形時，有對半導體晶圓之密接性降低而無法充分地保護半導體晶圓之虞。
在一個實施方式中，較佳為使用異氰酸酯系交聯劑。異氰酸酯系交聯劑就能夠與多種官能基反應之方面而言較佳。特佳為使用具有3個以上之異氰酸酯基之交聯劑。藉由將異氰酸酯系交聯劑用作交聯劑並且將交聯劑之含有比率設為上述範圍內，能夠形成即使在加熱後剝離性亦優異而糊劑殘留量顯著較少之黏著劑層。
紫外線硬化型黏著劑層之厚度可設定為任意合適之值。黏著劑層之厚度較佳為1 μm～15 μm、更佳為1 μm～10 μm、進而較佳為1 μm～6 μm。藉由使黏著劑層之厚度為上述範圍內，能夠對半導體晶圓發揮充分之黏著力。
黏著劑層之紫外線照射前之彈性模數(楊氏模數)較佳為0.05 MPa～2.0 MPa、更佳為0.075 MPa～1.5 MPa、進而較佳為0.3 MPa～1.5 MPa、特佳為0.4 MPa以上且未達1.5 MPa。若為此種範圍內，則能夠獲得具有足以保持半導體晶圓之黏著力之黏著片材。在本說明書中，黏著劑層之彈性模數係指藉由以下方法測定之彈性模數(楊氏模數)。 將黏著劑層形成組合物以5 μm之塗佈厚度塗佈至隔離件，並且在130℃下乾燥2分鐘。其次，僅將塗佈乾燥後之黏著劑層從邊緣捲起而製作棒狀試樣，並且測量其厚度(截面積)。在夾頭間距離為10 mm、拉伸速度為50 mm/分鐘、室溫之條件下，用拉伸試驗機(Shimadzu公司製造，商品名「AG-IS」)對所得試樣進行拉伸，將此時之最初始斜率(楊氏模數)設為彈性模數。
黏著劑層之紫外線照射後之彈性模數較佳為1 MPa以上、更佳為5 MPa以上、進而較佳為10 MPa以上。若為此種範圍內，則能夠獲得在特定步驟(例如，背面研磨步驟)後之剝離性優異之黏著片材。黏著劑層之紫外線照射後之彈性模數例如為1000 MPa以下，較佳為500 MPa以下、更佳為400 MPa以下。
黏著劑層可為1層，亦可為2層以上。當黏著劑層為2層以上之情形時，只要包括至少1層使用上述包含光聚合起始劑之黏著劑層形成組合物而形成之黏著劑層即可。當黏著劑層為2層以上之情形時，較佳為在黏著片材之與半導體晶圓接觸之面形成使用包含光聚合起始劑之黏著劑層形成組合物而形成之黏著劑層。不由上述黏著劑層形成組合物形成之黏著劑層可由任意合適之黏著劑組合物形成。該黏著劑組合物可為紫外線硬化型黏著劑，亦可為感壓性黏著劑。
D.中間層 中間層只要滿足G'1 RT及G'1 80即可，可由任意合適之材料形成。中間層例如可由丙烯酸系樹脂、聚乙烯系樹脂、乙烯-乙烯醇共聚物、乙烯乙酸乙烯酯系樹脂、及乙烯甲基丙烯酸甲酯樹脂等樹脂或黏著劑形成。中間層較佳為包含丙烯酸系樹脂。在一個實施方式中，上述紫外線硬化型黏著劑層及中間層包含丙烯酸系樹脂。藉由使紫外線硬化型黏著劑層及中間層包含丙烯酸系樹脂，能夠獲得與半導體晶圓之密接性優異，並且為輕剝離性而抑制了糊劑殘留之半導體晶圓加工用黏著片材。進而，丙烯酸系樹脂之透明性及耐熱性亦優異，因此，能夠在其後之紫外線照射步驟中對黏著劑層照射充足之紫外線，進而，即使在研磨步驟等要求耐熱性之步驟中，亦能夠穩定地進行加工。又，當半導體晶圓在表面具有凹凸之情形時，能夠獲得對凹凸之追隨性優異之半導體晶圓加工用黏著片材。
中間層所使用之丙烯酸系樹脂係藉由使包含任意合適之丙烯酸系單體之單體組合物聚合而獲得。作為丙烯酸系單體(主要單體)，例如可例舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸異戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等(甲基)丙烯酸C 1-C 20烷基酯。丙烯酸系單體可僅使用1種，亦可組合2種以上使用。
主要單體之含有比率較佳為全部單體成分之40重量%～99重量%、更佳為45重量%～95重量%、進而較佳為50重量%～90重量%。
在本發明之實施方式中，單體組合物較佳為包含玻璃轉移溫度(Tg)較高之丙烯酸系單體(高Tg丙烯酸系單體)。藉由使中間層包含玻璃轉移溫度較高之丙烯酸系單體，能夠提供與半導體晶圓之密接性優異，並且為輕剝離性而抑制了糊劑殘留的半導體晶圓加工用黏著片材。進而，半導體晶圓加工用黏著片材之切斷性亦優異，亦能夠抑制切割器上之糊劑殘留，亦防止加工裝置之污染。又，亦能夠防止由於中間層在保管時從黏著片材伸出而導致之操作性之降低。在本說明書中，高Tg丙烯酸系單體係指均聚物之玻璃轉移溫度較高之單體。高Tg丙烯酸系單體之均聚物之玻璃轉移溫度例如為40℃以上，較佳為50℃以上、進而較佳為60℃以上。
作為高Tg丙烯酸系單體，可使用任意合適之丙烯酸系單體。例如可例舉：甲基丙烯酸二環戊酯(Tg：175℃)、丙烯酸二環戊酯(Tg：120℃)、甲基丙烯酸異𦯉酯(Tg：173℃)、丙烯酸異𦯉酯(Tg：97℃)、甲基丙烯酸甲酯(Tg：105℃)、甲基丙烯酸1-金剛烷酯(Tg：250℃)、丙烯酸1-金剛烷酯(Tg：153℃)等(甲基)丙烯酸酯；丙烯醯嗎啉(Tg：145℃)、二甲基丙烯醯胺(Tg：119℃)、二乙基丙烯醯胺(Tg：81℃)、二甲胺基丙基丙烯醯胺(Tg：134℃)、異丙基丙烯醯胺(Tg：134℃)、羥乙基丙烯醯胺(Tg：98℃)等含醯胺基之乙烯基單體；甲基丙烯酸(Tg：228℃)、丙烯酸(Tg：106℃)；甲基丙烯酸甲酯(Tg：105℃)、甲基丙烯酸第三丁酯(Tg：107℃)等甲基丙烯酸酯；N-乙烯基吡咯啶酮(Tg：54℃)等。高Tg丙烯酸系單體可僅使用1種，亦可組合2種以上使用。
高Tg丙烯酸系單體之含有比率例如可以基於單體成分之組成藉由Fox之式求出之丙烯酸系樹脂之玻璃轉移溫度成為-30℃以上之方式設定。如下所示，Fox之式為共聚物之Tg與藉由使構成該共聚物之各個單體均聚而獲得之均聚物之玻璃轉移溫度Tgi之關係式。 1/Tg＝Σ(Wi/Tgi) 在上述Fox之式中，Tg表示共聚物之玻璃轉移溫度(單位：K)，Wi表示該共聚物中單體i之重量分率(重量基準之共聚比率)，Tgi表示單體i之均聚物之玻璃轉移溫度(單位：K)。
用於計算Tg之均聚物之玻璃轉移溫度可使用公知之值。具體而言，於「聚合物手冊」(第3版，John Wiley & Sons, Inc.，1989)中記載了玻璃轉移溫度。在本說明書中，聚合物手冊中記載有複數個值之單體係將最高值設為單體之玻璃轉移溫度。未在聚合物手冊中記載之單體之均聚物之玻璃轉移溫度可使用藉由日本專利特開2007-51271號公報中記載之測定方法獲得之值。
高Tg丙烯酸系單體之含有比率較佳為全部單體成分之1重量%～50重量%、更佳為3重量%～40重量%。藉由使高Tg丙烯酸系單體之含有比率為上述範圍內，從而提供與半導體晶圓之密接性優異，並且為輕剝離性而抑制了糊劑殘留的半導體晶圓加工用黏著片材。本發明之實施方式之半導體晶圓加工用黏著片材之切斷性亦優異，因此亦能夠抑制切割器上之糊劑殘留，亦防止加工裝置之污染。又，亦能夠防止由於中間層在保管時從黏著片材伸出而導致之操作性之降低。
除了主要單體及高Tg丙烯酸系單體以外，單體組合物可包含能夠與主要單體共聚之任意合適之單體(共聚單體)。作為共聚單體，可使用在上述C-1項中作為其他單體所例示者。作為共聚單體，較佳為可使用具有羥基及羧基等極性基之單體，更佳為使用具有羥基之單體。藉由使用具有極性基之單體，能夠提高凝集力、耐熱性、交聯性等。共聚單體可僅使用1種,亦可組合2種以上使用。
共聚單體之含有比率較佳為全部單體成分之0.01重量%～30重量%、更佳為0.1重量%～20重量%、進而較佳為1重量%～10重量%。藉由使共聚單體之含有比率為上述範圍內，能夠提高凝集力、耐熱性、交聯性等。
用於中間層之丙烯酸系樹脂係藉由使包含上述單體成分之單體組合物聚合而獲得。聚合方法可使用任意合適之方法。例如可例舉：乳液聚合、溶液聚合、塊狀聚合、懸浮聚合。丙烯酸系樹脂較佳為藉由乳液聚合或溶液聚合獲得之聚合物。藉由使用該等聚合方法，能夠使用各種添加劑，能夠製備各種丙烯酸系樹脂。
作為乳液聚合中使用之乳化劑，可使用任意合適之乳化劑。例如可例舉：烷基硫酸酯類、烷基苯磺酸鹽類、烷基磺基琥珀酸鹽類、聚氧乙烯烷基硫酸鹽類、聚氧乙烯烷基磷酸酯類等陰離子系乳化劑；聚氧乙烯烷基醚類、聚氧乙烯烷基苯基醚類、聚氧乙烯-聚氧丙烯嵌段聚合物類、山梨醇酐脂肪酸酯類、聚氧乙烯脂肪酸酯類等非離子系乳化劑等。水之含有比率能夠調整至任意合適之量，例如能夠以在乳液聚合之後丙烯酸系聚合物之固形物成分濃度成為30重量%～75重量%、較佳為35重量%～70重量%之方式進行調整。作為聚合起始劑，可使用任意合適之起始劑，例如可使用偶氮系起始劑及過氧化物系起始劑。亦可使用鏈轉移劑以調整分子量。
作為溶液聚合之溶劑，可使用乙酸乙酯、甲苯等。溶液濃度例如為20重量%～80重量%左右。作為聚合起始劑，可使用任意合適之起始劑，例如可使用偶氮系起始劑及過氧化物系起始劑。亦可使用鏈轉移劑以調整分子量。反應溫度通常為50℃～80℃，反應時間通常為1小時～8小時。
丙烯酸系樹脂之重量平均分子量較佳為20萬～1500萬、更佳為30萬～1000萬。重量平均分子量可藉由GPC(溶劑：THF)測定。
丙烯酸系樹脂之玻璃轉移溫度較佳為-50℃～30℃、更佳為-40℃～20℃。若為此種範圍內，則能夠獲得耐熱性優異而能夠適用於加熱步驟之黏著片材。
在本發明之實施方式中，較佳為中間層包含光聚合起始劑並且不含紫外線硬化性成分。即，雖然中間層包含光聚合起始劑，但是中間層本身不會藉由紫外線照射而硬化。因此，中間層能夠在紫外線照射前後維持柔軟性。又，藉由使中間層包含光聚合起始劑，能夠抑制紫外線硬化型黏著劑層所包含之光聚合起始劑向中間層遷移，結果黏著劑層所包含之光聚合起始劑之含量隨時間降低。因此，在紫外線照射後，黏著片材能夠發揮優異之輕剝離性。在本說明書中，紫外線硬化性成分係指能夠藉由紫外線照射而交聯從而硬化收縮之成分。具體而言，可例舉上述C項中例示之紫外線硬化性單體及低聚物、在側鏈及/或末端導入有聚合性碳-碳雙鍵之聚合物等。
光聚合起始劑可與紫外線硬化型黏著劑層中包含之光聚合起始劑相同，亦可不同。中間層較佳為包含與上述黏著劑層相同之光聚合起始劑。藉由使中間層與黏著劑層包含相同之光聚合起始劑，能夠進一步抑制光聚合起始劑從黏著劑層向中間層之遷移。作為光聚合起始劑，可使用上述C項所例示之光聚合起始劑。光聚合起始劑可僅使用1種，亦可組合2種以上使用。
相對於形成中間層之組合物(以下有時稱為中間層形成用組合物)中之丙烯酸系樹脂100重量份，中間層中之光聚合起始劑之含量較佳為0.1重量份～10重量份、更佳為0.5重量份～8重量份。藉由使中間層所含之光聚合起始劑之含量為上述範圍內，能夠獲得在紫外線照射後具有優異之輕剝離性之黏著片材。在一個實施方式中，以與形成上述紫外線硬化型黏著劑層之組合物中包含之光聚合起始劑等量之方式使用光聚合起始劑。
在一個實施方式中，中間層形成組合物進而包含交聯劑。作為交聯劑，例如可例舉：異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、㗁唑啉系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、三聚氰胺系交聯劑、過氧化物系交聯劑、脲系交聯劑、金屬醇鹽系交聯劑、金屬螯合物系交聯劑、金屬鹽系交聯劑、碳二醯亞胺系交聯劑、胺系交聯劑。
當中間層形成組合物包含交聯劑之情形時，相對於中間層形成組合物中之丙烯酸系樹脂100重量份，交聯劑之含有比率較佳為0.5重量份～10重量份、更佳為1重量份～8重量份。
中間層形成組合物可根據需要進而包含任意合適之添加劑。作為添加劑，例如可例舉：活性能量線聚合促進劑、自由基捕捉劑、黏著賦予劑、塑化劑(例如，偏苯三甲酸酯系塑化劑、均苯四甲酸酯系塑化劑等)、顏料、染料、填充劑、防老化劑、導電材料、抗靜電劑、紫外線吸收劑、光穩定劑、剝離調整劑、軟化劑、界面活性劑、阻燃劑、抗氧化劑等。
中間層之厚度可設定為任意合適之厚度。例如，當半導體晶圓在表面具有凹凸之情形時，較佳為使中間層之厚度厚於凸部之高度。中間層之厚度較佳為10 μm～300 μm、更佳為20 μm～200 μm、進而較佳為30 μm～150 μm、特佳為50 μm～150 μm。藉由使中間層之厚度為上述範圍內，當半導體晶圓在表面具有凹凸之情形時，能夠獲得凹凸填埋性優異之黏著片材。
中間層之紫外線照射前之彈性模數(楊氏模數)較佳為0.01 MPa～10.0 MPa、更佳為0.01 MPa～5.0 MPa、進而較佳為0.01 MPa～3.0 MPa。若為此種範圍內，則當半導體晶圓在表面具有凹凸之情形時，能夠獲得凹凸填埋性優異之黏著片材。又，能夠提高黏著片材之半導體晶圓保持力。中間層之彈性模數可藉由以下方法測定。 將中間層形成組合物以5 μm之塗佈厚度塗佈至隔離件，並且在130℃下乾燥2分鐘。繼而，僅將塗佈乾燥後之黏著劑層從邊緣捲起而製作棒狀試樣，並且測量厚度(截面積)。在夾頭間距離為10 mm、拉伸速度為50 mm/分鐘、室溫之條件下，用拉伸試驗機(Shimadzu公司製造，商品名「AG-IS」)對所得試樣進行拉伸，將此時之最初始斜率(楊氏模數)設為彈性模數。
E.半導體晶圓加工用黏著片材之製造方法 本發明之實施方式之半導體晶圓加工用黏著片材可藉由任意合適之方法製造。黏著片材例如可藉由在基材上形成中間層，然後在該中間層上形成黏著劑層而製作。黏著劑層及中間層可藉由將形成上述黏著劑層之組合物及形成上述中間層之組合物塗佈至基材或中間層而形成各層，亦可在任意合適之隔離件上形成各層後進行轉印。作為塗佈方法，可採用棒塗機塗佈、氣刀塗佈、凹版塗佈、凹版逆向塗佈、逆向輥塗、模唇塗佈、模塗、浸塗、膠版印刷、柔版印刷、絲網印刷等各種方法。又，亦可採用在隔離件上另外形成黏著劑層，然後將其貼附於基材及中間層之積層體的方法等。
F.半導體晶圓加工用黏著片材之用途 本發明之實施方式之半導體晶圓加工用黏著片材適用於半導體晶圓加工步驟。半導體晶圓加工用黏著片材在紫外線照射前具有對半導體晶圓之優異之黏著力，在紫外線照射後具有優異之剝離性。因此，即使在薄型晶圓之加工中，黏著片材亦能夠用更小之力剝離而不會使晶圓破損。又，上述黏著片材由於具有中間層，因此，即使當半導體晶圓在表面具有凹凸之情形時，亦能夠良好地追隨凹凸。因此，能夠在加工時保持半導體晶圓，並且在加工後從半導體晶圓剝離而無糊劑殘留等不良情況。進而，本發明之實施方式之半導體晶圓加工用黏著片材之切斷性亦優異，因此亦能夠抑制切割器上之糊劑殘留，亦防止加工裝置之污染。
本發明之實施方式之半導體晶圓加工用黏著片材係在任意合適之貼附溫度下貼附於半導體晶圓。例如，在室溫(例如，23℃)～100℃之溫度下貼附於半導體晶圓。在本發明之實施方式之半導體晶圓加工用黏著片材中，G'1 RT為300 kPa～2000 kPa並且G'1 80為10 kPa～500 kPa，G'2 RT為100 kPa～1000 kPa並且G'2 80為10 kPa～1000 kPa，並且G'1 RT/G'2 RT為1以上。因此，在貼附時能夠充分地密接至半導體晶圓，並且在貼附後能夠發揮對半導體晶圓之優異之保持力。
在一個實施方式中，本發明之實施方式之半導體晶圓加工用黏著片材係一面加熱一面貼附於半導體晶圓。因此，在貼附時，中間層變成低彈性，當半導體晶圓在表面具有凹凸之情形時，能夠進而提高對凹凸之追隨性，從而進而提高凹凸填埋性。另一方面，在室溫(例如，23℃)下，中間層變成高彈性，因此能夠保持與凹凸密接之狀態。進而，能夠抑制切斷黏著片材時切割器上之糊劑殘留。進而，在背面研磨步驟等之加工時，能夠適當地保持半導體晶圓，防止晶圓之翹曲。
在一個實施方式中，本發明之實施方式之半導體晶圓加工用黏著片材係貼附於具有凹凸之半導體晶圓使用。如上所述，本發明之實施方式之半導體晶圓加工用黏著片材在貼附時能夠充分地密接至半導體晶圓，並且即使當半導體晶圓在表面具有凹凸之情形時，對凹凸之填埋性亦優異。進而，在貼附後，黏著片材能夠保持密接之狀態而不會從凹凸隆起。因此，能夠在各步驟中充分地支持半導體晶圓。
在一個實施方式中，本發明之實施方式之半導體晶圓加工用黏著片材能夠良好地用作背面研磨帶。上述黏著片材能夠在紫外線照射前充分地密接至半導體晶圓，並且在紫外線照射後發揮優異之輕剝離性。因此，即使當半導體晶圓表面之結構複雜之情形時，亦能夠防止半導體晶圓表面上之糊劑殘留。因此，能夠在背面研磨步驟時適當地保持半導體晶圓，並且在完成背面研磨步驟後容易地從半導體晶圓剝離，亦能夠防止半導體晶圓上之糊劑殘留。 [實施例]
以下，藉由實施例具體地說明本發明，但本發明不受該等實施例限定。實施例中之試驗及評價方法如下所述。又，除非另有說明，否則「份」及「%」為重量基準。
[實施例1] 製備中間層形成組合物(固形物成分濃度：23重量%)，其包含100重量份之丙烯酸系樹脂1(使58.4 mol之丙烯酸丁酯(BA)、38.6 mol之甲基丙烯酸甲酯(MMA)及3 mol之丙烯酸2-羥基乙酯(HEA)進行乳液聚合而獲得之Mw為33萬之聚合物)、0.1重量份之交聯劑(多異氰酸酯化合物，商品名「CORONATE L」， Tosoh股份有限公司製造)、1重量份之光聚合起始劑(IGM Resins公司製造，商品名：Omnirad 127D)、0.1重量份之聚合抑制劑(BASF公司製造，商品名：Irganox 1010)、及乙酸乙酯。繼而，將所得中間層形成組合物塗佈至厚度為38 μm之聚酯系隔離件(三菱樹脂股份有限公司製造，商品名：MRF)之實施了聚矽氧處理之面，然後在120℃下加熱120秒進行脫溶劑，形成了厚度為150 μm之中間層。 繼而，將在隔離件上形成之中間層貼附於厚度為50 μm之抗靜電性PET膜之抗靜電處理(ESAS)面。 製備黏著劑層形成用組合物(固形物成分濃度：15重量%)，其包含100重量份之丙烯酸系樹脂2(使18 mol之甲基丙烯酸2-異氰酸基乙酯(昭和電工公司製造，商品名「Karenz MOI」)加成至將75 mol之BA、25 mol之MMA、及20 mol之HEA進行溶液聚合而獲得之聚合物而獲得之丙烯酸系樹脂)、1重量份之交聯劑(多異氰酸酯化合物，商品名「CORONATE L」，Tosoh股份有限公司製造)、1重量份之光聚合起始劑(IGM Resins公司製造，商品名：Omnirad 127D)、0.1重量份之聚合抑制劑(BASF公司製造，商品名：Irganox 1010)、及乙酸乙酯。繼而，將所得黏著劑層形成用組合物塗佈至厚度為75 μm之聚酯系隔離件之實施了聚矽氧處理之面，然後在120℃下加熱120秒而脫溶劑，形成厚度為6 μm之黏著劑層。 繼而，將隔離件從上述抗靜電性PET膜與中間層之積層體剝離，並且將上述黏著劑層轉印至中間層之已經剝離了隔離件之面，在50℃下保存72小時，從而獲得黏著片材(基材(50 μm)/中間層(150 μm)/紫外線硬化型黏著劑層(6 μm))。將中間層形成組合物之組成及黏著劑層形成組合物之組成示於表1。
[表1]
  
      實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 實施例6 比較例1 比較例2 比較例3 比較例4
中間層 聚合物 名稱 丙烯酸系樹脂 1 丙烯酸系樹脂 1 丙烯酸系樹脂 1 丙烯酸系樹脂 1 丙烯酸系樹脂 1 丙烯酸系樹脂 4 丙烯酸系樹脂 5 ← 丙烯酸系樹脂 7 ←
單體比(莫耳比) 單體種類 Tg(℃)                              
BA -55 58.4 ← ← ← ← 58.4 75 ← 50 ←
EA -20                         50 ←
AA 106                         3 ←
MMA 105 (高Tg) 38.6 ← ← ← ← 38.6 25 ←      
HEA -15 3 ← ← ← ← 3 5 ←      
聚合方法 乳液聚合 ← ← ← ← 溶液聚合 (乙酸 乙酯) 溶液聚合 (乙酸 乙酯) ←      
組成(相對於100份之聚合物) 交聯劑 CORONATE L 0.1份 ← ← ← ← ← ← ← 1 ←
光聚合起始劑 Omnirad 127D 1份 ← ← ← ← ← ← ← 3 ←
聚合抑制劑 Irganox 1010 0.1份 ← ← ← ← ← ← ←      
光硬化型黏著劑層 聚合物 名稱 丙烯酸系樹脂 2 ← ← ← 丙烯酸系樹脂 3 ← 丙烯酸系樹脂 3 丙烯酸系樹脂 6 丙烯酸系樹脂 3 丙烯酸系樹脂 8
單體比 (莫耳比) 單體 Tg(℃)                              
BA -55 75 ← ← ←                  
EA -20             75 ← 75    75 75
LMA -65                              
MMA 105 25 ← ← ←                  
ACMO 145             25 ← 25    25 25
HEA -15 20 ← ← ← 22 ← 22    22 22
HEMA                                 
Karenz MOI (導入有雙鍵) - 18 ← ← ← 18 ← 18    18 11
組成(相對於 100份之聚合物) 交聯劑 CORONATE L 1 ← 4 4 5 ← 5 1 5 5
光聚合起始劑 Omnirad 127D 1 ← 1 1 1 ← 1 1 1 1
聚合抑制劑 Irganox 1010 0.1 ← 0.1 0.1 0.1 ← 0.1 0.1 0.1 0.1
[實施例2] 除了將中間層之厚度變更為100 μm以外，以與實施例1相同之方式獲得黏著片材。
[實施例3] 在黏著劑層形成組合物中使用4重量份之交聯劑，以及將紫外線硬化型黏著劑層之厚度變更為10 μm，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得黏著片材。
[實施例4] 除了將中間層之厚度變更為100 μm以外，以與實施例3相同之方式獲得黏著片材。
[實施例5] 在黏著劑層形成組合物中使用100重量份之丙烯酸系樹脂3(使18 mol之甲基丙烯酸2-異氰酸基乙酯(昭和電工公司製造，商品名「Karenz MOI」)加成至將75 mol之丙烯酸乙酯(EA)、25 mol之丙烯醯嗎啉(ACMO)、及22 mol之HEA進行溶液聚合而獲得之聚合物而獲得之丙烯酸系樹脂)代替丙烯酸系樹脂2，以及使用5重量份之交聯劑，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得黏著片材。
[實施例6] 除了在中間層形成組合物中使用丙烯酸系樹脂4(使58.4 mol之BA、38.6 mol之MMA及3 mol之HEA在乙酸乙酯中進行溶液聚合而獲得之聚合物)代替丙烯酸系樹脂1以外，以與實施例5相同之方式獲得黏著片材。
(比較例1) 除了在中間層形成組合物中使用100重量份之丙烯酸系樹脂5(使75 mol之BA、25 mol之MMA及5 mol之HEA在乙酸乙酯中進行溶液聚合而獲得之聚合物)代替丙烯酸系樹脂1以外，以與實施例6相同之方式獲得黏著片材。
(比較例2) 在黏著劑層形成組合物中使用100重量份之丙烯酸系樹脂6(使100 mol之丙烯酸2-乙基己酯(2HEA)、20 mol之HEA、及16 mol之甲基丙烯酸2-異氰酸基乙酯(昭和電工公司製造，商品名「Karenz MOI」)聚合而獲得之樹脂)代替丙烯酸系樹脂2，以及使用1重量份之交聯劑，除此以外，以與比較例1相同之方式獲得黏著片材。
(比較例3) 在中間層形成組合物中使用100重量份之丙烯酸系樹脂7(使50 mol之BA、50 mol之EA、及3 mol之丙烯酸(AA)在甲苯中進行溶液聚合而獲得之聚合物)代替丙烯酸系樹脂1，將交聯劑之含量變更為1重量份且將光聚合起始劑之含量變更為3重量份，以及在黏著劑層形成組合物中將交聯劑之含量變更為1.5重量份，除此以外，以與比較例1相同之方式獲得黏著片材。
(比較例4) 在中間層形成組合物中使用丙烯酸系樹脂7代替丙烯酸系樹脂5，以及在黏著劑層形成組合物中使用100重量份之丙烯酸系樹脂8(使11 mol之甲基丙烯酸2-異氰酸基乙酯(昭和電工公司製造，商品名「Karenz MOI」)加成至將75 mol之丙烯酸乙酯(EA)、25 mol之丙烯醯嗎啉(ACMO)、及22 mol之HEA在甲苯中進行溶液聚合而獲得之聚合物而獲得之丙烯酸系樹脂)代替丙烯酸系樹脂2，除此以外，以與比較例1相同之方式獲得黏著片材。
使用實施例及比較例中獲得之黏著片材進行以下評價。將結果示於表2。 (1)初始填埋性 使用膠帶貼附裝置(日東精機公司製造，製品名：DR-3000III)將實施例及比較例中獲得之黏著片材(230 cm×400 cm)貼附於晶圓(8英吋，凸塊高度：75 μm，直徑：90 μm，間距：200 μm)。在以下條件下進行貼附。 輥壓力：0.40 MPa 輥速度：5 mm/秒 工作台溫度：80℃ 在貼附後，用雷射顯微鏡(倍率：100倍)觀察黏著片材及晶圓之貼附狀態。又，在使黏著片材朝上之狀態下，從黏著片材側對黏著片材及晶圓進行拍攝，並且使用圖像分析軟體(Image J(免費軟體))對圖像進行二值化(8位灰度，亮度：0～255，閾值：114)。任意選擇五個凸塊，並且對用於顯示一個凸塊之點數進行計數。僅有未貼附膠帶之狀態之凸塊之圖像為220個點。當存在膠帶時，點數越接近220表示填埋性越良好。將五個凸塊之平均點數為830以下者設為○，將平均點數超過830者設為×進行評價。
(2)經時填埋性 將進行了初始填埋性評價之黏著片材及晶圓之積層體在室溫下放置1週。之後，以與初始填埋性評價相同之方式，對黏著片材及晶圓進行拍攝，並且對圖像進行二值化。將所得之平均點數與初始填埋性評價之平均點數進行比較，確定平均點數之變化量(|(初始填埋性評價之平均點數)－(經時填埋性評價之平均點數)|)。將平均點數之變化量為15以下者設為○，將平均點數之變化量超過15者設為×進行評價。
(3)糊劑殘留 圖2為示出將半導體晶圓加工用黏著片材貼附於具有階差之被黏著體之狀態之概略剖視圖。將矽鏡面晶圓研削至500 μm，並且將厚度為75 μm之黏著帶貼附於該矽鏡面晶圓之研削面，製作圖2所圖示之具有階差之被黏著體200。被黏著體之階差之高度x為75 μm。將實施例及比較例中獲得之黏著片材(半導體晶圓加工用黏著片材)100以與上述黏著帶正交之方式積層在具有階差之被黏著體200，並且在表2所示之溫度下使用2 kg輥進行貼附。繼而，在60℃之保溫裝置內保管4天。之後，對從保溫裝置中取出之半導體晶圓加工用黏著片材照射紫外線(1000 mJ/cm 2)。繼而，在180°剝離試驗(常溫，剝離速度：300 mm/分鐘)中剝離黏著片材。在剝離後，用雷射顯微鏡(倍率：100倍)觀察矽晶圓表面，若無糊劑殘留則設為○，若有糊劑殘留則設為×進行評價。
(4)黏著片材切割性 使用膠帶貼附裝置(日東精機公司製造，製品名：DR-3000III)，在以下條件下將實施例及比較例中獲得之黏著片材貼附於25片矽鏡面晶圓。貼附係使用未使用過之切割器刀片。在表2中所記載之溫度下進行貼附。 輥速度：100 mm/分鐘 輥壓力：0.4 MPa 切割器速度：300 mm/分鐘 切割器溫度：180℃ 刀片角度：1° 切斷角度：5° 繼而，用顯微鏡對第1片矽鏡面晶圓及第25片矽鏡面晶圓從側面進行觀察。確定是否存在拉絲(是否存在中間層與晶圓側面之接觸)，將無拉絲之情形設為○，將有拉絲之情形設為×進行評價。
(5)側面之黏性 將實施例及比較例中獲得之黏著片材(2 cm寬)捲繞在3英吋之芯直至厚度達到0.5 cm，從而獲得捲筒狀之黏著片材捲繞體。用手將所得捲繞體之側面按壓在丙烯酸系樹脂板(厚度：5 mm)。繼而，用手提起捲繞體，將丙烯酸系樹脂板未與捲繞體一起被提起之情形設為○，並且將丙烯酸板與捲繞體一起被提起之情形設為×進行評價。
[表2]
  
   實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 實施例6 比較例1 比較例2 比較例3 比較例4
構成 構成 基材 厚度[μm] 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50
中間層 厚度[μm] 150 100 150 100 150 150 150 150 150 150
紫外線硬化型黏著劑層 厚度[μm] 6 6 10 10 6 6 6 6 6 6
物性 貼附溫度 80℃ 80℃ 80℃ 80℃ 80℃ 80℃ 80℃ 80℃ RT RT
儲存彈性模數 G'1 RT(23℃) 614,903 614,903 614,903 614,903 614,903 916,535 106,473 614,903 145,124 145,124
80℃ 69,435 69,435 69,435 69,435 69,435 74,605 25,431 69,435 23,086 23,086
G'2 RT(23℃) 177,617 177,617 350,643 350,643 340,632 340,632 340,632 55,287 112,723 340,632
80℃ 95,273 95,273 216,682 216,682 181,720 181,720 181,720 51,627 44,672 181,720
G'1/G'2 RT 3 3.5 1.8 1.8 1.8 2.7 0.3 11.1 1.3 0.4
評價 初始填埋 評價 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
平均點數 540 521 820 800 726 830 828 530 544 820
經時隆起(1週後之評價值) 評價 ○ ○ ○ ○ ○ ○ × ○ ○ ×
平均點數 552 535 834 813 738 845 846 543 559 840
平均點數之變化量 12 14 14 13 12 15 18 13 15 20
糊劑殘留 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ × × ○
切割性 ○ ○ ○ ○ ○ ○ × ○ × ×
側面黏性 ○ ○ ○ ○ ○ ○ × ○ × ×
[產業上之可利用性]
本發明之半導體晶圓加工用黏著片材能夠適用於半導體晶圓加工步驟。
10:黏著劑層 20:中間層 30:基材 100:半導體晶圓加工用黏著片材 200:具有階差之被黏著體 x:被黏著體之階差之高度
圖1係本發明之一個實施方式之半導體晶圓加工用黏著片材之概略剖視圖。 圖2係示出將半導體晶圓加工用黏著片材貼附於具有階差之被黏著體之狀態之概略剖視圖。
10:黏著劑層
20:中間層
30:基材
100:半導體晶圓加工用黏著片材

Claims (7)

  1. 一種半導體晶圓加工用黏著片材，其依序具備：基材、中間層、及紫外線硬化型黏著劑層， 該中間層之室溫下之儲存彈性模數G'1 RT為300 kPa～2000 kPa，並且80℃下之儲存彈性模數G'1 80為10 kPa～500 kPa， 該紫外線硬化型黏著劑層之室溫下之儲存彈性模數G'2 RT為100 kPa～1000 kPa，並且80℃下之儲存彈性模數G'2 80為10 kPa～1000 kPa，並且 G'1 RT/G'2 RT為1以上。
  2. 如請求項1之半導體晶圓加工用黏著片材，其中上述中間層及上述紫外線硬化型黏著劑層包含丙烯酸系樹脂。
  3. 如請求項1或2之半導體晶圓加工用黏著片材，其中上述紫外線硬化型黏著劑層包含在側鏈導入有聚合性碳-碳雙鍵之聚合物。
  4. 如請求項1至3中任一項之半導體晶圓加工用黏著片材，其中上述中間層包含光聚合起始劑並且不含紫外線硬化性成分。
  5. 如請求項2至4中任一項之半導體晶圓加工用黏著片材，其中上述中間層所包含之丙烯酸系樹脂為藉由乳液聚合或溶液聚合而獲得之聚合物。
  6. 如請求項1至5中任一項之半導體晶圓加工用黏著片材，其係用作背面研磨帶。
  7. 如請求項1至5中任一項之半導體晶圓加工用黏著片材，其係貼附於具有凹凸之半導體晶圓而使用。
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