TW202413576A - 半導體加工用黏著片材 - Google Patents

半導體加工用黏著片材 Download PDF

Info

Publication number
TW202413576A
TW202413576A TW112127868A TW112127868A TW202413576A TW 202413576 A TW202413576 A TW 202413576A TW 112127868 A TW112127868 A TW 112127868A TW 112127868 A TW112127868 A TW 112127868A TW 202413576 A TW202413576 A TW 202413576A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
adhesive
semiconductor processing
adhesive sheet
weight
adhesive layer
Prior art date
Application number
TW112127868A
Other languages
English (en)
Inventor
加藤友二
秋山淳
植野大樹
Original Assignee
日商日東電工股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商日東電工股份有限公司 filed Critical 日商日東電工股份有限公司
Publication of TW202413576A publication Critical patent/TW202413576A/zh

Links

Abstract

本發明之課題在於提供一種對具有凹凸之被黏著體之凹凸之追隨性、及錨固性優異之半導體加工用黏著片材。 本發明之實施方式之半導體加工用黏著片材包括：包含紫外線硬化型黏著劑之黏著劑層、及基材。該紫外線硬化型黏著劑包含基礎聚合物、光聚合起始劑、及磷酸酯系界面活性劑。

Description

半導體加工用黏著片材
本發明係關於一種半導體加工用黏著片材。
半導體晶圓用於個人電腦、智慧型手機、汽車等各種用途。在半導體晶圓之加工步驟中，在加工時使用黏著帶以保護表面。近年來，正在進行大規模積體電路(LSI)之微細化及高功能化，晶圓之表面結構變得複雜。具體而言，可例舉：由於焊料凸塊(solder bump)、或電極等，晶圓表面之立體結構複雜化。因此，對半導體加工步驟中使用之黏著帶要求對晶圓表面之凹凸之追隨性。作為具有對凹凸之追隨性之黏著片材之黏著劑層，使用具有柔軟性之黏著劑。此種黏著片材對凹凸之追隨性優異，但是在與基材之錨固力方面存在問題。
近年來，隨著各製品之小型化及薄型化，正在進行半導體晶圓之薄型化。在加工成薄型之晶圓中，當黏著帶之黏著力過高之情形時，有在剝離黏著帶時晶圓破損之情況。因此，為了防止對被黏著體之糊劑殘留及剝離時之晶圓之破損，提出了使用紫外線硬化型黏著劑之黏著帶(例如，專利文獻1及2)。當基材與黏著劑層之錨固力不充分之情形時，存在進行紫外線硬化而將黏著帶剝離時，發生錨固破壞，導致糊劑殘留於被黏著體的問題。針對此種問題，提出在基材形成底塗層，提高黏著劑層對基材之錨固力。然而，黏著片材之製造步驟增加，可能降低良率。又，半導體晶圓之加工步驟中，有包括利用溶劑之洗淨步驟之情況。當包括此種步驟時，有底塗層被溶劑溶解，無法充分獲得對黏著劑層之錨固力提高效果的情況。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2020-017758號公報 [專利文獻2]日本專利特開2013-213075號公報
[發明所欲解決之問題]
本發明旨在解決上述先前之問題，其目的在於提供一種對凹凸之追隨性及錨固性優異之半導體加工用黏著片材。 [解決問題之技術手段]
1. 本發明之實施方式之半導體加工用黏著片材包括：包含紫外線硬化型黏著劑之黏著劑層、及基材。該紫外線硬化型黏著劑包含基礎聚合物、光聚合起始劑、及磷酸酯系界面活性劑。 2. 在上述1.中所記載之半導體加工用黏著片材中，上述磷酸酯系界面活性劑之含量可相對於100重量份之上述基礎聚合物，為0.03重量份以上。 3. 在上述1.或2.中所記載之半導體加工用黏著片材中，上述黏著劑層在紫外線硬化後之錨固力可為1 N/20 mm以上。 4. 在上述1.至3.中任一項中所記載之半導體加工用黏著片材中，上述紫外線硬化型黏著劑可進而包含交聯劑，並且該交聯劑之含量相對於100重量份之上述基礎聚合物，為1重量份以下。 5. 在上述4.中所記載之半導體加工用黏著片材中，上述交聯劑可為異氰酸酯系交聯劑。 6. 在上述1.至5.中任一項中所記載之半導體加工用黏著片材中，上述基礎聚合物可為具有碳-碳雙鍵之聚合物。 7. 在上述1.至6.中任一項中所記載之半導體加工用黏著片材中，上述基材可包含聚烯烴系樹脂。 8. 在上述1.至7.中任一項中所記載之半導體加工用黏著片材中，上述半導體加工用黏著片材可用於包括溶劑洗淨步驟之半導體加工步驟中。 [發明之效果]
根據本發明之實施方式，能夠提供一種對凹凸之追隨性、及錨固性優異之半導體加工用黏著片材。本發明之實施方式之半導體加工用黏著片材即便在藉由紫外線照射而使黏著劑層硬化後，亦能夠維持基材與黏著劑層之錨固力。因此，在將紫外線照射後之半導體加工用黏著片材剝離時，能夠防止對被黏著體(例如，半導體晶圓)之糊劑殘留。又，在用於包括溶劑洗淨步驟之半導體加工步驟中之情形時，亦能夠抑制黏著劑層對基材之錨固力降低。
A.半導體加工用黏著片材之整體構成 圖1係本發明之實施方式之半導體加工用黏著片材之概略剖視圖。在圖示例中，半導體加工用黏著片材100具有基材10及配置在基材之一個面之黏著劑層20。半導體加工用黏著片材可具備任意合適之其他層(未圖示)。例如，可在基材與黏著劑層之間形成有任意合適之層(例如，中間層)。在圖示例中，基材10為單一之層，但亦可為兩層以上之積層體。在半導體加工用黏著片材中，為了保護黏著劑層直到供於使用前，可在黏著劑層之外側設置剝離襯墊。
本發明之實施方式之半導體加工用黏著片材之厚度可設定為任意合適之厚度。半導體加工用黏著片材之厚度例如較佳為10 μm～1000 μm，更佳為50 μm～300 μm，進而較佳為100 μm～300 μm。
B. 基材 基材可包含任意合適之樹脂。作為構成基材之樹脂之具體例，可例舉：聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)、聚萘二甲酸丁二酯(PBN)等聚酯系樹脂、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物、聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物等聚烯烴系樹脂、聚乙烯醇、聚偏二氯乙烯、聚氯乙烯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚乙酸乙烯酯、聚醯胺、聚醯亞胺、纖維素類、氟系樹脂、聚醚、聚苯乙烯等聚苯乙烯系樹脂、聚碳酸酯、聚醚碸等。較佳為使用聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)、聚萘二甲酸丁二酯(PBN)等聚酯系樹脂、以及聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物等聚烯烴系樹脂，更佳為使用聚烯烴系樹脂。藉由使用該等樹脂，對凹凸之追隨性提高，能夠提高對表面具有凹凸之被黏著體之密接性。基材可為單一之層，亦可為兩層以上之積層體。當基材為兩層以上之積層體之情形時，較佳為構成作為積層體之基材之至少與黏著劑層接觸之側之層的樹脂為上述較佳之樹脂。
基材可在無損本發明之效果之範圍內進而包括其他成分。作為其他成分，例如可例舉：抗氧化劑、紫外線吸收劑、光穩定劑、耐熱穩定劑等。關於其他成分之種類及使用量，可根據目的以任意合適之量使用。
基材之厚度較佳為10 μm～200 μm，更佳為20 μm～150 μm。
C. 黏著劑層 黏著劑層包含紫外線硬化型黏著劑。紫外線硬化型黏著劑代表性而言包含基礎聚合物及光聚合起始劑。由紫外線硬化型黏著劑形成之黏著劑層能夠提供在紫外線硬化前具有對被黏著體之優異之黏著力並且在紫外線硬化後具有優異之剝離性的黏著片材。在本發明之實施方式之半導體加工用黏著片材中，構成黏著劑層之紫外線硬化型黏著劑包含磷酸酯系界面活性劑。使用此種黏著劑形成之黏著劑層即使在採用柔軟之(例如，交聯度較低之)黏著劑以提高凹凸追隨性之情形時，對基材之錨固性亦優異。因此，抑制了在紫外線硬化後剝離黏著片材時在基材與黏著劑層之界面處之錨固破壞，能夠抑制對被黏著體之糊劑殘留。又，當使用半導體加工用黏著片材之半導體加工步驟包括溶劑洗淨步驟之情形時，亦抑制黏著劑層被溶劑溶解。因此，亦能夠良好地用於包括溶劑洗淨步驟之半導體加工步驟中。
黏著劑層之紫外線硬化前之彈性模數較佳為0.05 MPa～1.20 MPa，更佳為0.10 MPa～1.00 MPa，進而較佳為0.17 MPa～0.95 MPa。若黏著劑層之紫外線硬化前之彈性模數為上述範圍，則能夠追隨被黏著體之凹凸，能夠提供凹凸填埋性優異之半導體加工用黏著片材。黏著劑層之彈性模數可使用例如奈米壓痕儀測定。
黏著劑層之紫外線硬化後之錨固力較佳為1 N/20 mm以上，更佳為1.5 N/20 mm～10 N/20 mm，進而較佳為2 N/20 mm～8 N/20 mm。若紫外線硬化後之錨固力為上述範圍內，則能夠抑制在基材與黏著劑層之界面處之錨固破壞。本說明書中，錨固力係指藉由以下方法測定之剝離力。(i)將半導體加工用黏著片材切割成20 mm寬×150 mm長，經由規定之雙面膠帶將SUS板貼合至該黏著片材之與黏著劑層相反側之面(例如，在基材/黏著劑層構成之黏著片材之情形時，係基材之未形成黏著劑層之面(外表面))整面。(ii)將尺寸為20 mm寬×150 mm長並且包含聚酯系樹脂之黏著性評價用片材(對聚對苯二甲酸乙二酯具有10 N/20 mm～20 N/20 mm之剝離黏著力之片材，例如日東電工公司之商品名「No.315 Tape」)之黏著面貼附至切出之黏著劑層之外表面(不與基材接觸之面)，作為評價用試樣。(iii)藉由拉伸試驗測定評價用試樣之基材與黏著劑層之間之剝離力。再者，上述(i)～(iii)係在23℃之環境溫度下進行。測定剝離力時之拉伸試驗之條件係剝離速度為50 mm/min、剝離角度為180°。
C-1. 紫外線硬化型黏著劑 作為紫外線硬化型黏著劑，可使用任意合適之黏著劑。例如，可為藉由向丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑、聚矽氧系黏著劑、聚乙烯醚系黏著劑等任意合適之黏著劑添加紫外線硬化性單體及/或低聚物而獲得之黏著劑，亦可為使用具有碳-碳雙鍵之聚合物作為基礎聚合物之黏著劑。較佳為使用將具有碳-碳雙鍵之聚合物作為基礎聚合物之黏著劑。
C-1-1. 基礎聚合物 具有碳-碳雙鍵之基礎聚合物可在主鏈具有碳-碳雙鍵，亦可在側鏈具有碳-碳雙鍵，還可在末端具有碳-碳雙鍵。當使用具有碳-碳雙鍵之基礎聚合物之情形時，使用具有聚合性碳-碳雙鍵並且具有黏著性之聚合物作為基礎聚合物。作為此種聚合物，例如可例舉：將碳-碳雙鍵導入至(甲基)丙烯酸系樹脂、乙烯基烷基醚系樹脂、聚矽氧系樹脂、聚酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、苯乙烯-二烯嵌段共聚物等樹脂而獲得之聚合物。較佳為使用將碳-碳雙鍵導入至(甲基)丙烯酸系樹脂而獲得之(甲基)丙烯酸系聚合物。藉由使用(甲基)丙烯酸系聚合物，能夠獲得容易調整黏著劑層之儲存彈性模數及拉伸彈性模數並且黏著力與剝離性之平衡優異之黏著片材。進而，能夠減少源自黏著劑之成分對被黏著體之污染。再者，「(甲基)丙烯酸」係指丙烯酸及/或甲基丙烯酸。
作為(甲基)丙烯酸系樹脂，可使用任意合適之(甲基)丙烯酸系樹脂。作為(甲基)丙烯酸系樹脂，例如可例舉聚合包含一種或兩種以上之具有直鏈或支鏈烷基之丙烯酸或甲基丙烯酸之酯之單體組合物而獲得的聚合物。
直鏈或支鏈烷基較佳為碳數為30個以下之烷基，更佳為碳數為1個～20個之烷基，進而較佳為碳數為4個～18個之烷基。作為烷基，具體而言，可例舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、環己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基、十二烷基等。
作為具有直鏈或支鏈烷基之丙烯酸或甲基丙烯酸之酯，具體而言，可例舉：(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸異戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯，(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等。
為了對凝集力、耐熱性、交聯性進行改質，單體組合物可根據需要包含能夠與上述(甲基)丙烯酸烷基酯共聚之其他單體。作為此種單體，例如可例舉：丙烯酸、甲基丙烯酸等含羧基之單體；馬來酸酐、伊康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸羥基乙酯、(甲基)丙烯酸羥基丙酯等含羥基之單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸等含磺酸基之單體；(甲基)丙烯醯胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺、丙烯醯嗎啉等含氮單體；(甲基)丙烯酸胺基乙酯等(甲基)丙烯酸胺基烷基酯系單體；(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯等(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯系單體；N-環己基馬來醯亞胺、N-異丙基馬來醯亞胺等馬來醯亞胺系單體；N-甲基伊康醯亞胺、N-乙基伊康醯亞胺等伊康醯亞胺系單體；琥珀醯亞胺系單體；乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、N-乙烯基吡咯啶酮、甲基乙烯基吡咯啶酮等乙烯基系單體；丙烯腈、甲基丙烯腈等氰基丙烯酸酯單體；(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等含環氧基之丙烯酸系單體；聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯等二醇系丙烯酸酯單體；(甲基)丙烯酸四氫糠酯、氟(甲基)丙烯酸酯、聚矽氧(甲基)丙烯酸酯等具有雜環、鹵素原子、矽原子等之丙烯酸酯系單體；異戊二烯、丁二烯、異丁烯等烯烴系單體；乙烯基醚等乙烯基醚系單體等。該等單體成分可僅使用一種，亦可組合兩種以上使用。相對於100重量份之單體組合物之所有單體，較佳為1重量份～30重量份，更佳為3重量份～25重量份。
(甲基)丙烯酸系樹脂之重量平均分子量較佳為30萬以上，更佳為50萬以上，進而較佳為60萬～200萬。若為此種範圍內，則能夠防止低分子量成分之滲出，獲得低污染性之黏著片材。(甲基)丙烯酸系樹脂之分子量分佈(重量平均分子量/數量平均分子量)較佳為1～20，更佳為3～10。藉由使用分子量分佈窄之聚合物，能夠防止低分子量成分之滲出，獲得低污染性之黏著片材。再者，重量平均分子量及數量平均分子量可藉由凝膠滲透層析測定(溶劑：四氫呋喃，聚苯乙烯換算)而求出。
具有碳-碳雙鍵之聚合物可藉由任意合適之方法獲得。例如可藉由使利用任意合適之聚合方法獲得之樹脂與具有聚合性碳-碳雙鍵之化合物進行反應(例如縮合反應、加成反應)來獲得。具體地，當使用(甲基)丙烯酸系樹脂之情形時，可藉由使具有源自具有任意合適之官能基之單體之結構單元的(甲基)丙烯酸系樹脂(共聚物)在任意合適之溶劑中進行聚合，然後使該丙烯酸系樹脂之官能基與具有能夠與該官能基反應之聚合性碳-碳雙鍵之化合物進行反應，從而獲得上述樹脂。進行反應之具有聚合性碳-碳雙鍵之化合物之量相對於100重量份之上述樹脂，較佳為4重量份～30重量份，更佳為4重量份～20重量份。作為溶劑，可使用任意合適之溶劑，例如可例舉：乙酸乙酯、甲基乙基酮、甲苯等各種有機溶劑。
當如上所述使樹脂與具有聚合性碳-碳雙鍵之化合物進行反應時，較佳為樹脂與具有聚合性碳-碳雙鍵之化合物分別具有能夠彼此反應之官能基。作為官能基之組合，例如可例舉：羧基/環氧基、羧基/氮丙啶基、羥基/異氰酸基。在該等官能基之組合中，就易於追蹤反應而言，較佳為羥基與異氰酸基之組合。
作為具有碳-碳雙鍵之化合物，例如可例舉：甲基丙烯酸2-異氰酸基乙酯、甲基丙烯醯異氰酸酯、異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯(甲基丙烯酸2-異氰酸基乙酯)、間異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯等。
當使用添加有紫外線硬化性單體及/或低聚物之黏著劑之情形時時，作為紫外線硬化性單體及低聚物，可使用任意合適之單體或低聚物。作為紫外線硬化性單體，例如可例舉：胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。作為紫外線硬化性低聚物，可例舉：胺基甲酸酯系低聚物、聚醚系低聚物、聚酯系低聚物、聚碳酸酯系低聚物、聚丁二烯系低聚物等。作為低聚物，較佳為使用分子量為100～30000左右者。單體及低聚物可僅使用一種，亦可組合兩種以上使用。
單體及/或低聚物可根據使用之黏著劑之種類以任意合適之量使用。例如，相對於100重量份之構成黏著劑之基礎聚合物，較佳為使用5重量份～500重量份，更佳為使用40重量份～150重量份。
C-2. 光聚合起始劑 作為光聚合起始劑，可使用任意合適之起始劑。作為光聚合起始劑，例如可例舉：2,4,6-三甲基苯偶醯苯基亞膦酸乙酯、(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基氧化膦等醯基氧化膦系光聚合起始劑；4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α,α'-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環己基苯基酮等α-酮醇系化合物；甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-嗎啉基丙烷-1等苯乙酮系化合物；安息香乙醚、安息香異丙醚、大茴香偶姻甲醚等安息香醚系化合物；苯偶醯二甲基縮酮等縮酮系化合物；2-萘磺醯氯等芳香族磺醯氯系化合物；1-苯酮-1,1-丙二酮-2-(o-乙氧基羰基)肟等光活性肟系化合物；二苯甲酮、苯甲醯苯甲酸、3,3'-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮系化合物；9-氧硫𠮿、2-氯9-氧硫𠮿、2-甲基9-氧硫𠮿、2,4-二甲基9-氧硫𠮿、異丙基9-氧硫𠮿、2,4-二氯9-氧硫𠮿、2,4-二乙基9-氧硫𠮿、2,4-二異丙基9-氧硫𠮿等9-氧硫𠮿系化合物；樟腦醌；鹵代酮；醯基膦酸酯、2-羥基-1-(4-(4-(2-羥基-2-甲基丙醯基)苄基)苯基-2-甲基丙烷-1等α-羥基苯乙酮等。較佳為使用苯乙酮系化合物。光聚合起始劑可僅使用一種，亦可組合兩種以上使用。
作為光聚合起始劑，可使用市售品。例如可例舉：IGM Resins公司製造之商品名：Omnirad 127D、Omnirad 379 EG及Omnirad 651。
光聚合起始劑可以任意合適之量使用。光聚合起始劑之含量相對於100重量份之上述紫外線硬化型黏著劑，較佳為0.5重量份～20重量份，更佳為0.5重量份～10重量份。當光聚合起始劑之含量未達0.5重量份之情形時，有在紫外線照射時不會充分硬化之虞。當光聚合起始劑之含量超過10重量份之情形時，有黏著劑之保存穩定性會降低之虞。
C-3. 磷酸酯系界面活性劑 作為磷酸酯系界面活性劑，例如可例舉：聚氧乙烯烷基醚或聚氧乙烯烷基芳基醚之磷酸單酯、聚氧乙烯烷基醚或聚氧乙烯烷基芳基醚之磷酸二酯、聚氧乙烯烷基醚或聚氧乙烯烷基芳基醚之磷酸三酯、烷基磷酸酯、烷基醚磷酸酯及該等之鹽。作為鹽，可例舉鈉鹽、鉀鹽。較佳為可使用聚氧乙烯烷基醚磷酸酯及其鹽、單酯、二酯或該等之混合物。磷酸酯系界面活性劑可僅使用一種，亦可組合兩種以上使用。
聚氧乙烯烷基醚磷酸酯係環氧乙烷與高級醇進行加成聚合而獲得者之磷酸酯。高級醇之碳數較佳為8～22，更佳為10～20，進而較佳為12～18。環氧乙烷之加成莫耳數較佳為1～15，更佳為2～12，進而較佳為2～10。若為此種聚氧乙烯烷基醚磷酸酯，則在製成凹凸追隨性優異之柔軟之黏著劑之情形時，亦能夠獲得可形成與基材之錨固力優異之黏著劑層之黏著劑組合物。其結果，在對黏著劑層進行紫外線硬化之後，亦能夠抑制對被黏著體之糊劑殘留。
磷酸酯系界面活性劑之含量相對於100重量份之上述基礎聚合物，較佳為0.03重量份以上，更佳為0.1重量份～1重量份，進而較佳為0.3重量份～0.5重量份。若磷酸酯系界面活性劑之含量為上述範圍內，則在製成凹凸追隨性優異之柔軟之黏著劑之情形時，亦能夠獲得可形成與基材之錨固力優異之黏著劑層之黏著劑組合物。其結果，在對黏著劑層進行紫外線硬化之後，亦能夠抑制對被黏著體之糊劑殘留。
C-4. 添加劑 上述黏著劑組合物可根據需要包含任意合適之添加劑。作為該添加劑，可例舉交聯劑、觸媒(例如鉑觸媒)、黏著賦予劑、塑化劑、顏料、染料、填充劑、防老化劑、導電材、紫外線吸收劑、光穩定劑、剝離調整劑、軟化劑、磷酸酯系界面活性劑以外之界面活性劑、阻燃劑、溶劑、低聚物等。
在一個實施方式中，上述紫外線硬化型黏著劑進而包含交聯劑。作為交聯劑，例如可例舉：異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、螯合物系交聯劑。相對於紫外線硬化型黏著劑中所含之基礎聚合物100重量份，交聯劑之含有比率較佳為1重量份以下，更佳為0.01重量份～1重量份，進而較佳為0.02重量份～0.6重量份，特佳為0.03重量份～0.5重量份。藉由交聯劑之含有比率，能夠控制黏著劑層之柔軟性。當交聯劑之含量未達0.01重量份之情形時，有黏著劑變成溶膠狀而無法形成黏著劑層之虞。當交聯劑之含量超過1重量份之情形時時，有無法充分地獲得對被黏著體表面之凹凸之追隨性之虞。
在一個實施方式中，可良好地使用異氰酸酯系交聯劑。異氰酸酯系交聯劑就能夠與多種官能基反應之方面而言較佳。特佳為使用具有3個以上之異氰酸基之交聯劑。藉由使用異氰酸酯系交聯劑作為交聯劑並且將交聯劑之含有比率設為上述範圍內，能夠提供對被黏著體表面之凹凸之追隨性及與基材之錨固性優異的紫外線硬化型黏著劑。
黏著劑層之厚度可設定為任意合適之值。黏著劑層之厚度較佳為10 μm～500 μm，更佳為15 μm～300 μm，進而較佳為20 μm～250 μm。藉由使黏著劑層之厚度為上述範圍內，能夠對被黏著體發揮出充分之黏著力。
紫外線硬化型黏著劑之凝膠分率較佳為20%～99%，更佳為50%～97%，進而較佳為70%～95%。凝膠分率可作為對於乙酸乙酯等溶劑之不溶分而求出。具體地，係作為在將紫外線硬化型黏著劑在23℃下在乙酸乙酯中浸漬7天後之不溶分相對於浸漬前之試樣的重量分率(單位：重量%)而求出。通常，聚合物之凝膠分率等於交聯度，聚合物中經交聯之部分越多，則凝膠分率越大。凝膠分率(交聯結構之導入量)可藉由交聯結構之導入方法、或交聯劑之種類及量等調整至期望之範圍。
D. 半導體加工用黏著片材之製造方法 半導體加工用黏著片材可藉由任意合適之方法製造。例如，可藉由將黏著劑溶液(紫外線硬化型黏著劑)塗佈至剝離襯墊並進行乾燥，在剝離襯墊上形成黏著劑層，然後將其貼合至基材的方法而獲得。又，亦可將紫外線硬化型黏著劑塗佈至基材上並乾燥而獲得半導體加工用黏著片材。作為黏著劑組合物之塗佈方法，可採用棒塗機塗佈、氣刀塗佈、凹版塗佈、凹版反轉塗佈、逆轉輥塗佈、模唇塗佈、模塗、浸塗、膠版印刷、軟版印刷、網版印刷等各種方法。作為乾燥方法，可採用任意合適之方法。
E. 半導體加工用黏著片材之用途 半導體加工用黏著片材可良好地用於半導體製造製程中。如上所述，本發明之實施方式之半導體加工用黏著片材即使在與溶劑接觸之情形時，亦能夠抑制基材與黏著劑層之錨固力降低。因此，亦能夠良好地用於包括溶劑洗淨步驟之半導體製造步驟中。作為溶劑洗淨步驟中使用之溶劑，例如可例舉2,2-雙(羥基甲基)丙酸(DBPA)、丙二醇單甲醚(PGME)、丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)、異丙醇(IPA)、N,N-二甲基丙醯胺、N-甲基-2-吡咯啶酮(NMP)、乙酸丁酯等半導體製造方法中通常使用之溶劑。
如上所述，本發明之實施方式之半導體加工用黏著片材對凹凸之追隨性優異。因此，能夠在製造製程中適當地保持表面具有凹凸之半導體晶圓。例如，亦能夠良好地用於製造如積層矽貫通電極(TSV：Through Silicon Via)晶片而獲得之DRAM(Dynamic Random Access Memory，動態隨機存取記憶體)般具有更複雜結構之半導體的製程。本發明之實施方式之半導體加工用黏著片材能夠良好地用作表面具有凹凸結構之半導體晶圓之切晶帶。 [實施例]
以下，藉由實施例具體說明本發明，但是本發明不限於該等實施例。又，於實施例中，除非另有說明，否則「份」及「%」係重量基準。
[製造例1]基礎聚合物1之製備 混合100重量份之甲基丙烯酸十二烷基酯(LMA)、22重量份之甲基丙烯酸己酯(HMA)、0.2重量份之聚合起始劑(偶氮二異丁腈(AIBN))及500重量份之乙酸乙酯而製備組合物。將所得組合物投入至在1升圓底可分離燒瓶中配備可分離蓋、分液漏斗、溫度計、氮氣導入管、李比希冷凝器、真空密封件、攪拌棒、攪拌葉片而成的聚合用實驗裝置，一面攪拌，一面在常溫下進行6小時氮氣置換。之後，在氮氣流入下，一面攪拌，一面在65℃下保持4小時，然後在75℃下保持2小時進行聚合，從而得到基礎聚合物1之樹脂溶液(固形物成分：20%)。
[製造例2]基礎聚合物2之製備 混合75重量份之丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)、25重量份之丙烯醯嗎啉(ACMO)、22重量份之丙烯酸2-羥基乙酯(HEA)、0.2重量份之聚合起始劑(偶氮二異丁腈(AIBN))及500重量份之乙酸乙酯而製備組合物。將所得組合物投入至在1升圓底可分離燒瓶中配備可分離蓋、分液漏斗、溫度計、氮氣導入管、李比希冷凝器、真空密封件、攪拌棒、攪拌葉片而成的聚合用實驗裝置，一面攪拌，一面在常溫下進行6小時氮氣置換。之後，在氮氣流入下，一面攪拌，一面在65℃下保持4小時，然後在75℃下保持2小時進行聚合，從而得到基礎聚合物2之樹脂溶液(固形物成分：20%)。
[製造例3]基礎聚合物3之製備 混合75重量份之丙烯酸2-甲氧基乙酯(MEA)、20重量份之ACMO、20重量份之HEA、0.2重量份之聚合起始劑(偶氮二異丁腈(AIBN))及500重量份之乙酸乙酯而製備組合物。將所得組合物投入至在1升圓底可分離燒瓶中配備可分離蓋、分液漏斗、溫度計、氮氣導入管、李比希冷凝器、真空密封件、攪拌棒、攪拌葉片而成的聚合用實驗裝置，一面攪拌，一面在常溫下進行6小時氮氣置換。之後，在氮氣流入下，一面攪拌，一面在65℃下保持4小時，然後在75℃下保持2小時進行聚合，從而得到基礎聚合物3之樹脂溶液(固形物成分：19%)。
[製造例4]基礎聚合物4之製備 混合50重量份之丙烯酸乙酯(EA)、50重量份之丙烯酸丁酯(BA)、20重量份之HEA、0.2重量份之聚合起始劑(偶氮二異丁腈(AIBN))及500重量份之乙酸乙酯而製備組合物。將所得組合物投入至在1升圓底可分離燒瓶中配備可分離蓋、分液漏斗、溫度計、氮氣導入管、李比希冷凝器、真空密封件、攪拌棒、攪拌葉片而成的聚合用實驗裝置，一面攪拌，一面在常溫下進行6小時氮氣置換。之後，在氮氣流入下，一面攪拌，一面在65℃下保持4小時，然後在75℃下保持2小時進行聚合，從而得到基礎聚合物4之樹脂溶液(固形物成分：20%)。
[實施例1] 1. 紫外線硬化型黏著劑組合物之製備 相對於製造例1中得到之基礎聚合物1之樹脂溶液之固形物成分100重量份，添加0.5重量份之多異氰酸酯交聯劑1(Nippon Polyurethane Industry公司製造，商品名「CORONATE L」)、0.3重量份之磷酸酯系界面活性劑1(東邦化學工業公司製造，商品名「PHOSPHANOL RL-210」)、及3重量份之光聚合起始劑(IGM Resins B.V.公司製造，商品名「Omnirad 127D」)，並加以混合。繼而，使用乙酸乙酯作為稀釋溶劑來調整黏度，得到紫外線硬化型黏著劑1。
2. 半導體加工用黏著片材之製作 使用具有聚丙烯(PP)/乙烯乙酸乙烯酯(EVA)/聚丙烯(PP)三層結構之膜(Kurabo Industries公司製造，厚度：80 μm)作為基材。將上述獲得之紫外線硬化型黏著劑組合物1塗佈至基材之一個面，並加以乾燥而形成厚度為20 μm之黏著劑層，製作半導體加工用黏著片材。
[實施例2] 除了使用磷酸酯系界面活性劑2(東邦化學工業公司製造，商品名「PHOSPHANOL ML-220」)代替磷酸酯系界面活性劑1之外，以與實施例1相同之方式製備紫外線硬化型黏著劑組合物2。除了使用該紫外線硬化型黏著劑組合物2形成黏著劑層之外，以與實施例1相同之方式製作半導體加工用黏著片材。
[實施例3] 除了使用磷酸酯系界面活性劑3(東邦化學工業公司製造，商品名「PHOSPHANOL RL-310」)代替磷酸酯系界面活性劑1之外，以與實施例1相同之方式製備紫外線硬化型黏著劑組合物3。除了使用該紫外線硬化型黏著劑組合物3形成黏著劑層之外，以與實施例1相同之方式製作半導體加工用黏著片材。
[實施例4] 除了使用磷酸酯系界面活性劑4(東邦化學工業公司製造，商品名「PHOSPHANOL RS-410」)代替磷酸酯系界面活性劑1之外，以與實施例1相同之方式製備紫外線硬化型黏著劑組合物4。除了使用該紫外線硬化型黏著劑組合物4形成黏著劑層之外，以與實施例1相同之方式製作半導體加工用黏著片材。
[實施例5] 除了使用磷酸酯系界面活性劑5(東邦化學工業公司製造，商品名「PHOSPHANOL RS-710」)代替磷酸酯系界面活性劑1之外，以與實施例1相同之方式製備紫外線硬化型黏著劑組合物5。除了使用該紫外線硬化型黏著劑組合物5形成黏著劑層之外，以與實施例1相同之方式製作半導體加工用黏著片材。
[實施例6] 除了將磷酸酯系界面活性劑1之添加量設為0.03重量份之外，以與實施例1相同之方式製備紫外線硬化型黏著劑組合物6。除了使用該紫外線硬化型黏著劑組合物6形成黏著劑層之外，以與實施例1相同之方式製作半導體加工用黏著片材。
[實施例7] 除了將磷酸酯系界面活性劑1之添加量設為0.1重量份之外，以與實施例1相同之方式製備紫外線硬化型黏著劑組合物7。除了使用該紫外線硬化型黏著劑組合物7形成黏著劑層之外，以與實施例1相同之方式製作半導體加工用黏著片材。
[實施例8] 除了將磷酸酯系界面活性劑1之添加量設為0.6重量份之外，以與實施例1相同之方式製備紫外線硬化型黏著劑組合物8。除了使用該紫外線硬化型黏著劑組合物8形成黏著劑層之外，以與實施例1相同之方式製作半導體加工用黏著片材。
[實施例9] 除了將磷酸酯系界面活性劑1之添加量設為1重量份之外，以與實施例1相同之方式製備紫外線硬化型黏著劑組合物9。除了使用該紫外線硬化型黏著劑組合物9形成黏著劑層之外，以與實施例1相同之方式製作半導體加工用黏著片材。
[實施例10] 使用基礎聚合物2代替基礎聚合物1，使用0.1重量份之交聯劑2(三井化學公司製造，商品名「TAKENATE D-101A」)代替交聯劑1，並且將磷酸酯系界面活性劑1之添加量設為0.5重量份，除此以外，以與實施例1相同之方式製備紫外線硬化型黏著劑組合物10。除了使用該紫外線硬化型黏著劑組合物10形成黏著劑層之外，以與實施例1相同之方式製作半導體加工用黏著片材。
[實施例11] 除了將交聯劑2之添加量設為0.3重量份之外，以與實施例10相同之方式製備紫外線硬化型黏著劑組合物11。除了使用該紫外線硬化型黏著劑組合物11形成黏著劑層之外，以與實施例1相同之方式製作半導體加工用黏著片材。
[實施例12] 除了將交聯劑2之添加量設為0.5重量份之外，以與實施例10相同之方式製備紫外線硬化型黏著劑組合物12。除了使用該紫外線硬化型黏著劑組合物12形成黏著劑層之外，以與實施例1相同之方式製作半導體加工用黏著片材。
[實施例13] 除了將交聯劑2之添加量設為1重量份之外，以與實施例10相同之方式製備紫外線硬化型黏著劑組合物13。除了使用該紫外線硬化型黏著劑組合物13形成黏著劑層之外，以與實施例1相同之方式製作半導體加工用黏著片材。
[實施例14] 除了使用基礎聚合物3代替基礎聚合物2之外，以與實施例12相同之方式製備紫外線硬化型黏著劑組合物14。除了使用該紫外線硬化型黏著劑組合物14形成黏著劑層之外，以與實施例1相同之方式製作半導體加工用黏著片材。
[實施例15] 除了使用基礎聚合物4代替基礎聚合物2之外，以與實施例12相同之方式製備紫外線硬化型黏著劑組合物15。除了使用該紫外線硬化型黏著劑組合物15形成黏著劑層之外，以與實施例1相同之方式製作半導體加工用黏著片材。
[實施例16] 除了使用聚乙烯(PE)之單層膜(大倉工業公司製造，商品名「NSO FILM」)作為基材之外，以與實施例12相同之方式製作半導體加工用黏著片材。
[實施例17] 除了使用聚對苯二甲酸乙二酯(PET)之單層膜(Toray Industries公司製造，商品名「Lumirror#50 S105」)作為基材之外，以與實施例12相同之方式製作半導體加工用黏著片材。
[實施例18] 使用基礎聚合物1代替基礎聚合物2、並且進而添加3重量份之輕剝離劑(聚丙二醇)及5重量份之多官能低聚物(胺基甲酸酯丙烯酸酯，日本合成化學公司製造，商品名「UV-3000TL」)，除此以外，以與實施例12相同之方式製備紫外線硬化型黏著劑組合物18。除了使用該紫外線硬化型黏著劑組合物18形成黏著劑層之外，以與實施例1相同之方式製作半導體加工用黏著片材。
(比較例1) 除了不添加磷酸酯系界面活性劑1之外，以與實施例1相同之方式製備紫外線硬化型黏著劑組合物C1。除了使用該紫外線硬化型黏著劑組合物C1形成黏著劑層之外，以與實施例1相同之方式製作半導體加工用黏著片材。
(比較例2) 除了添加0.3重量份之烷基硫酸鹽型界面活性劑1(東邦化學工業公司製造，商品名「ALSCOAP NS-230」)代替磷酸酯系界面活性劑1之外，以與實施例1相同之方式製備紫外線硬化型黏著劑組合物C2。除了使用該紫外線硬化型黏著劑組合物C2形成黏著劑層之外，以與實施例1相同之方式製作半導體加工用黏著片材。
(比較例3) 除了添加0.3重量份之烷基硫酸鹽型界面活性劑2(東邦化學工業公司製造，商品名「ALSCOAP TH-330K」)代替磷酸酯系界面活性劑1之外，以與實施例1相同之方式製備紫外線硬化型黏著劑組合物C3。除了使用該紫外線硬化型黏著劑組合物C3形成黏著劑層之外，以與實施例1相同之方式製作半導體加工用黏著片材。
(比較例4) 除了添加0.3重量份之磺酸型界面活性劑(東邦化學工業公司製造，商品名「LUNOX S-40TD」)代替磷酸酯系界面活性劑1之外，以與實施例1相同之方式製備紫外線硬化型黏著劑組合物C4。除了使用該紫外線硬化型黏著劑組合物C4形成黏著劑層之外，以與實施例1相同之方式製作半導體加工用黏著片材。
(比較例5) 除了添加0.3重量份之聚氧乙烯烷基醚型界面活性劑(東邦化學工業公司製造，商品名「PEGNOL S-4DV」)代替磷酸酯系界面活性劑1之外，以與實施例1相同之方式製備紫外線硬化型黏著劑組合物C5。除了使用該紫外線硬化型黏著劑組合物C5形成黏著劑層之外，以與實施例1相同之方式製作半導體加工用黏著片材。
(比較例6) 除了將交聯劑2之添加量設為0.01重量份之外，以與實施例10相同之方式製備紫外線硬化型黏著劑組合物C6。除了使用該紫外線硬化型黏著劑組合物C6形成黏著劑層之外，以與實施例1相同之方式製作半導體加工用黏著片材。
(比較例7) 除了不添加磷酸酯系界面活性劑之外，以與實施例12相同之方式製備紫外線硬化型黏著劑組合物C7。除了使用該紫外線硬化型黏著劑組合物C7形成黏著劑層之外，以與實施例1相同之方式製作半導體加工用黏著片材。
(比較例8) 不添加磷酸酯系界面活性劑，並且將交聯劑2之添加量設為3重量份，除此以外，以與實施例12相同之方式製備紫外線硬化型黏著劑組合物C8。除了使用該紫外線硬化型黏著劑組合物C8形成黏著劑層之外，以與實施例1相同之方式製作半導體加工用黏著片材。
(比較例9) 不添加磷酸酯系界面活性劑，並且將交聯劑2之添加量設為5重量份，除此以外，以與實施例12相同之方式製備紫外線硬化型黏著劑組合物C9。除了使用該紫外線硬化型黏著劑組合物C9形成黏著劑層之外，以與實施例1相同之方式製作半導體加工用黏著片材。
(比較例10) 除了不添加磷酸酯系界面活性劑之外，以與實施例16相同之方式製備紫外線硬化型黏著劑組合物C10。除了使用該紫外線硬化型黏著劑組合物C10形成黏著劑層之外，以與實施例17相同之方式製作半導體加工用黏著片材。
(比較例11) 除了不添加磷酸酯系界面活性劑之外，以與實施例17相同之方式製備紫外線硬化型黏著劑組合物C11。除了使用該紫外線硬化型黏著劑組合物C11形成黏著劑層之外，以與實施例18相同之方式製作半導體加工用黏著片材。
(比較例12) 除了不添加磷酸酯系界面活性劑之外，以與實施例18相同之方式製備紫外線硬化型黏著劑組合物C12。除了使用該紫外線硬化型黏著劑組合物C12形成黏著劑層之外，以與實施例18相同之方式製作半導體加工用黏著片材。
＜評價＞ 使用實施例及比較例中獲得之黏著片材進行以下評價。結果示於表1及表2。 1. 黏著劑層之彈性模數 使用奈米壓痕儀(Hysitron, Inc.公司製造，商品名「TriboIndenter」)測定實施例或比較例中獲得之黏著片材之黏著劑層之彈性模數。壓頭係使用圓錐形(球形；半徑：10 μm)，進行單次壓入測定。以測定溫度25℃、壓入深度2,000 nm、壓入速度及拉離速度1000 nm/s，在遮光環境下進行測定。藉由JKR法分析所得之荷重(μN)及位移(nm)，藉由下式計算彈性模數。 [數1] E r：彈性模數 R：壓頭半徑 h：位移 P：荷重
2. 剝離強度 (1) 紫外線照射前(UV前)黏著力 將實施例或比較例中獲得之黏著片材切割成150 mm長×20 mm寬之短條狀。在23℃下，使2 kg之輥往復一次，將黏著片材之黏著劑層貼附至經鏡面處理之矽晶圓(信越半導體公司製造，商品名「CZN＜100＞2.5-3.5」，直徑：4英吋)。將貼附部分設為80 mm長×20 mm寬。然後，在23℃之氣氛下無荷重靜置30分鐘。繼而，依據JIS Z 0237在以下條件下進行90度剝離試驗來測定黏著片材之黏著力。 ＜90°剝離試驗＞ 重複試驗數：3次 溫度：23℃ 剝離角度：90度 拉伸速度：300 mm/min 初始長度(卡盤間距)：150 mm
(2) 紫外線照射後(UV後)黏著力 將實施例或比較例中獲得之黏著片材切割成150 mm長×20 mm寬之短條狀。在23℃下，使2 kg之輥往復一次，將剝離了隔離膜之上述黏著片材貼附至經鏡面處理之矽晶圓(信越半導體公司製造，商品名「CZN＜100＞2.5-3.5」，直徑：4英吋)。貼附部分設為80 mm長×20 mm寬。然後，在23℃之氣氛下無荷重靜置30分鐘。在靜置30分鐘後，在以下UV照射條件下，從帶之基材背面側照射UV。之後，靜置30分鐘，並且依據JIS Z 0237以與上述(1)之評價相同之方式進行90度剝離試驗。 ＜紫外線照射條件＞ 紫外線照射裝置：日東精機公司製造，商品名：UM810 光源：高壓汞燈 照射強度：46 mW/cm 2(測定裝置：牛尾公司製造之「紫外線照度計UT-101」) 照射時間：10秒 累積光量：460 mJ
3. 錨固力 (1) 紫外線照射前(UV前)錨固力 將實施例或比較例中獲得之半導體加工用黏著片材切割成20 mm寬×150 mm長。將SUS板經由雙面膠帶(日東電工公司製造，商品名「No.5000NS」)貼合至切出之黏著片材之基材之背面(未形成黏著劑層之面)整面。繼而，將20 mm寬×150 mm長之黏著帶(日東電工公司製造，商品名「No. 315 Tape」(BT-315))之黏著面貼附至黏著片材之黏著劑層(不與基材接觸之面)，作為評價用試樣。繼而，藉由拉伸試驗測定評價用試樣之基材與黏著劑層之間之剝離力。再者，評價用試樣之製作及拉伸試驗均係在23℃之環境溫度下進行。測定剝離力時之拉伸試驗係在拉伸速度為300 mm/min、剝離角度為180°之條件下進行。 (2) 紫外線照射後(UV後)錨固力 將實施例或比較例中獲得之半導體加工用黏著片材切割成20 mm寬×150 mm長。將SUS板經由雙面膠帶(日東電工公司製造，商品名「No.5000NS」)貼合至切出之黏著片材之基材之背面(未形成黏著劑層之面)整面。繼而，將20 mm寬×150 mm長之黏著帶(日東電工公司製造，商品名「No. 315 Tape」(BT-315))之黏著面貼附至黏著片材之黏著劑層(不與基材接觸之面)，作為評價用試樣。繼而，在以下UV照射條件下，從黏著帶側照射UV。然後，靜置30分鐘，藉由拉伸試驗測定評價用試樣之基材與黏著劑層之間之剝離力。再者，評價用試樣之製作及拉伸試驗均係在23℃之環境溫度下進行。測定剝離力時之拉伸試驗係在拉伸速度為300 mm/min、剝離角度為180°之條件下進行。又，目視觀察剝離後之黏著片材之破壞模式，在實施例或比較例中獲得之半導體加工用黏著片材與貼合至黏著劑層之黏著帶之間之界面處發生剝離之情形時(發生界面破壞之情形時)，評價為「界面」，在實施例或比較例中獲得之半導體加工用黏著片材與黏著劑層附著於貼合至黏著劑層之黏著帶之黏著劑層側之情形時(發生錨固破壞之情形時)，評價為「錨固」。 ＜紫外線照射條件＞ 紫外線照射裝置：日東精機公司製造，商品名：UM810 光源：高壓汞燈 照射強度：46 mW/cm 2(測定裝置：牛尾公司製造，商品名「紫外線照度計UT-101」) 照射時間：10秒 累積光量：460 mJ
4. 填埋基材 使用顯微鏡(Keyence公司製造，商品名：VK-X200，10×物鏡)從實施例或比較例中獲得之半導體加工用黏著片材之基材側觀察基材與黏著劑層之層間有無空隙。
5. 填埋被黏著體 用真空貼片機(日東精機公司製造，商品名「MSA-840V3」)將實施例或比較例中獲得之黏著片材安裝在TSV晶圓(柱：5 μmt，20 μm )。繼而，用顯微鏡(Keyence公司製造，商品名「VK-X200」，10×物鏡)從黏著片材之基材背面確認黏著劑層與柱之間有無空隙。
6. 拾取(糊劑殘留) 用真空貼片機(日東精機公司製造，商品名「MSA-840V3」)將黏著帶安裝在TSV晶圓(柱：5 μmt，20 μm )。繼而，用切割機(DISCO公司製造，商品名「DFD6450」)對TSV晶圓進行切割，將晶圓切割成10 mm×10 mm之小片。繼而，用晶片分選機(Canon Machinery公司製造，商品名「BESTEM-S500」)實施已經切割成小片之晶圓之拾取。用顯微鏡(Keyence公司製造，商品名「VK-X200」，10×物鏡)觀察拾取之晶片背面(與黏著帶之黏著劑層接觸之面)，確認晶片上有無糊劑殘留。
[表1]
黏著片材    實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 實施例6 實施例7 實施例8 實施例9
黏著劑層 聚合物 聚合物1 聚合物1 聚合物1 聚合物1 聚合物1 聚合物1 聚合物1 聚合物1 聚合物1
份數 100 100 100 100 100 100 100 100 100
交聯劑 C/L C/L C/L C/L C/L C/L C/L C/L C/L
份數 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5
界面活性劑(磷酸酯) RL-210 ML-220 RL-310 RS-410 RS-710 RL-210 RL-210 RL-210 RL-210
份數 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.03 0.1 0.6 1
光聚合起始劑 Omn 127D Omn 127D Omn 127D Omn 127D Omn 127D Omn 127D Omn 127D Omn 127D Omn 127D
份數 3 3 3 3 3 3 3 3 3
添加劑1 - - - - - - - - -
份數 - - - - - - - - -
添加劑2 - - - - - - - - -
份數 - - - - - - - - -
基材 *PP *PP *PP *PP *PP *PP *PP *PP *PP
評價 黏著劑層SS UV前彈性模數(MPa) 0.234 0.247 0.245 0.213 0.212 0.319 0.267 0.195 0.167
對於Si (90°剝離) UV前 2.397 2.098 2.666 2.400 2.386 2.885 2.547 1.335 1.057
UV後(460 mJ) 0.019 0.018 0.021 0.023 0.027 0.020 0.016 0.006 0.005
錨固力(使用BT-315) UV前 4.5 7.8 8.3 7.9 8.1 7.3 7.8 3.2 2.8
UV後(460 mJ) 6.4 6.8 6.0 6.6 6.4 2.2 6.8 3.2 2.8
UV後錨固力下之破壞模式 界面 界面 界面 界面 界面 錨固 界面 界面 界面
填埋基材 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
填埋被黏著體 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
拾取(糊劑殘留) ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
  
黏著片材    實施例10 實施例11 實施例12 實施例13 實施例14 實施例15 實施例16 實施例17 實施例18
黏著劑層 聚合物 聚合物2 聚合物2 聚合物2 聚合物2 聚合物3 聚合物4 聚合物2 聚合物2 聚合物1
份數 100 100 100 100 100 100 100 100 100
交聯劑 TAKENATE TAKENATE TAKENATE TAKENATE TAKENATE TAKENATE TAKENATE TAKENATE TAKENATE
份數 0.1 0.3 0.5 1 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5
界面活性劑(磷酸酯) RL-210 RL-210 RL-210 RL-210 RL-210 RL-210 RL-210 RL-210 RL-210
份數 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5
光聚合起始劑 Omn 127D Omn 127D Omn 127D Omn 127D Omn 127D Omn 127D Omn 127D Omn 127D Omn 127D
份數 3 3 3 3 3 3 3 3 3
添加劑1 - - - - - - - - PPG
份數 - - - - - - - - 3
添加劑2 - - - - - - - - 3000TL
份數 - - - - - - - - 5
基材 *PP *PP *PP *PP *PP *PP PE PET *PP
評價 黏著劑層 SS UV前彈性模數(MPa) 0.362 0.425 0.579 0.948 0.282 0.468 0.366 0.366 0.197
對於Si (90°剝離) UV前 2.779 2.605 2.500 2.443 3.372 3.078 2.548 2.944 3.12
UV後(460 mJ) 0.05 0.055 0.052 0.058 0.037 0.048 0.048 0.075 0.02
錨固力(使用BT-315) UV前 7.1 7.7 6.6 6.2 6.7 5.1 6.8 7.1 5.7
UV後(460 mJ) 2.2 5.0 5.1 3.1 4.2 5.4 5.6 5.4 5.1
UV後錨固力下之破壞模式 錨固 界面 界面 界面 界面 界面 界面 界面 界面
填埋基材 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
填埋被黏著體 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
拾取(糊劑殘留) ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
* PP/EVA/PP之三層結構
[表2]
黏著片材    比較例1 比較例2 比較例3 比較例4 比較例5 比較例6 比較例7 比較例8 比較例9 比較例10 比較例11 比較例12
黏著劑層 聚合物 聚合物1 聚合物1 聚合物1 聚合物1 聚合物1 聚合物2 聚合物2 聚合物2 聚合物2 聚合物2 聚合物2 聚合物1
份數 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100
交聯劑 C/L C/L C/L C/L C/L TAKENATE TAKENATE TAKENATE TAKENATE TAKENATE TAKENATE TAKENATE
份數 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.01 0.5 3 5 0.5 0.5 0.5
界面活性劑(磷酸酯) 無 NS230 TH330K S-40TD S-4DV RL-210 無 無 無 無 無 無
份數 0 0.3 0.3 0.3 0.3 0.5 0 0 0 0 0 0
光聚合起始劑 Omn 127D Omn 127D Omn 127D Omn 127D Omn 127D Omn 127D Omn 127D Omn 127D Omn 127D Omn 127D Omn 127D Omn 127D
份數 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3
添加劑1 - - - - - - - - - - - PPG
份數 - - - - - - - - - - - 3
添加劑2 - - - - - - - - - - - 3000TL
份數 - - - - - - - - - - - 5
基材 *PP *PP *PP *PP *PP *PP *PP *PP *PP PE PET *PP
評價 黏著劑層SS UV前彈性模數(MPa) 0.345 0.247 0.260 0.232 0.256 0.267 0.666 1.388 1.949 0.666 0.666 0.336
對於Si (90°剝離) UV前 3.376 2.872 2.854 2.605 1.850 3.088 4.685 4.225 4.002 4.782 4.372 3.88
UV後(460 mJ) 0.032 0.030 0.025 0.029 0.021 0.045 0.062 0.058 0.055 0.066 0.066 0.042
錨固力(使用BT-315) UV前 6.7 6.7 6.7 7.0 6.7 8.0 10.0 9.2 9.8 8.9 8.2 6.3
UV後(460 mJ) 0.2 0.15 0.2 0.2 0.35 0.5 0.7 3.2 4 0.2 0.15 0.2
UV後錨固力下之破壞模式 錨固 錨固 錨固 錨固 錨固 錨固 錨固 界面 界面 錨固 錨固 錨固
填埋基材 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ × × ○ ○ ○
填埋被黏著體 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ × × ○ ○ ○
拾取(糊劑殘留) × × × × × × × ○ ○ × × ×
* PP/EVA/PP之三層結構 [產業上之可利用性]
本發明之半導體加工用黏著片材對凹凸之追隨性及錨固性優異。因此，能夠良好地用於表面具有凹凸之半導體之加工步驟中。又，抑制了由溶劑導致之錨固力之降低，能夠良好地用於包括溶劑洗淨步驟之半導體製造步驟中。
10:基材 20:黏著劑層 100:半導體加工用黏著片材
圖1係本發明之一個實施方式之半導體加工用黏著片材之概略剖視圖。
10:基材
20:黏著劑層
100:半導體加工用黏著片材

Claims (8)

  1. 一種半導體加工用黏著片材，其包括：包含紫外線硬化型黏著劑之黏著劑層、及基材，且 該紫外線硬化型黏著劑包含基礎聚合物、光聚合起始劑、及磷酸酯系界面活性劑。
  2. 如請求項1之半導體加工用黏著片材，其中上述磷酸酯系界面活性劑之含量相對於100重量份之上述基礎聚合物，為0.03重量份以上。
  3. 如請求項1之半導體加工用黏著片材，其中上述黏著劑層在紫外線硬化後之錨固力為1 N/20 mm以上。
  4. 如請求項1之半導體加工用黏著片材，其中上述紫外線硬化型黏著劑進而包含交聯劑，且該交聯劑之含量相對於100重量份之上述基礎聚合物，為1重量份以下。
  5. 如請求項4之半導體加工用黏著片材，其中上述交聯劑為異氰酸酯系交聯劑。
  6. 如請求項1之半導體加工用黏著片材，其中上述基礎聚合物為具有碳-碳雙鍵之聚合物。
  7. 如請求項1之半導體加工用黏著片材，其中上述基材包含聚烯烴系樹脂。
  8. 如請求項1至7中任一項之半導體加工用黏著片材，其用於包括溶劑洗淨步驟之半導體加工步驟中。
TW112127868A 2022-07-26 2023-07-26 半導體加工用黏著片材 TW202413576A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022-119113 2022-07-26

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202413576A true TW202413576A (zh) 2024-04-01

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100940421B1 (ko) 다이싱·다이 본드 필름
KR101708909B1 (ko) 점착시트 및 반도체 웨이퍼의 가공방법, 반도체 칩의 제조방법
TW201442113A (zh) 保護膜形成用膜
TWI740984B (zh) 加熱接合用片材，以及附切晶帶之加熱接合用片材
TW200949922A (en) Dicing method
TWI791485B (zh) 隱形切割用黏著片及半導體裝置的製造方法
TW202017028A (zh) 背面研磨帶
TW202132515A (zh) 黏著劑組合物及使用該黏著劑組合物之黏著片材
JP7381448B2 (ja) 粘着テープおよび半導体装置の製造方法
JP2004119780A (ja) 半導体ウエハの加工方法
TW202018035A (zh) 背面研磨帶
TW202413576A (zh) 半導體加工用黏著片材
KR20210149599A (ko) 반도체 가공용 점착 시트
JP2024016762A (ja) 半導体加工用粘着シート
TWI763973B (zh) 切晶帶
TWI791484B (zh) 隱形切割用黏著片及半導體裝置的製造方法
TW202137306A (zh) 半導體加工用保護片及半導體裝置的製造方法
JP7426260B2 (ja) 粘着テープ
US20230108829A1 (en) Pressure-sensitive adhesive composition to be used in pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing and pressure-sensitive adhesive tape using the pressure-sensitive adhesive composition
TW202413575A (zh) 半導體加工用黏著片材
US20230107095A1 (en) Backgrinding tape
TWI762576B (zh) 隱形切割用黏著片及半導體裝置的製造方法
WO2022270008A1 (ja) 半導体素子加工用粘着シート
TW202132386A (zh) 紫外線硬化型黏著片材
TW202313888A (zh) 半導體晶圓加工用黏著片材