JPS62153376A - ウェハダイシング用粘着シート - Google Patents
ウェハダイシング用粘着シートInfo
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- JPS62153376A JPS62153376A JP60295189A JP29518985A JPS62153376A JP S62153376 A JPS62153376 A JP S62153376A JP 60295189 A JP60295189 A JP 60295189A JP 29518985 A JP29518985 A JP 29518985A JP S62153376 A JPS62153376 A JP S62153376A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
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- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
- C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
-
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- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は粘着シー１〜に関し、さらに詳しくは、半シ９
休ウェハを小片に切断分離する際に特に好ましく用いら
れる粘着シートに関する。
休ウェハを小片に切断分離する際に特に好ましく用いら
れる粘着シートに関する。
発明の技術的背景ならびにその問題点
シリコン、カリウムヒ索などの半導体ウェハは大径の状
態で製造され、このウェハは素子小片に切断分離（ダイ
シング）された後に次の工程であるマウント工程に移さ
れている。この際、半導体ウェハは予じめ粘着シートに
貼着された状態でダイシング、洗浄、乾燥、エキスパン
ディング、ピックアップ、マウンティングの各工程が加
えられている。
態で製造され、このウェハは素子小片に切断分離（ダイ
シング）された後に次の工程であるマウント工程に移さ
れている。この際、半導体ウェハは予じめ粘着シートに
貼着された状態でダイシング、洗浄、乾燥、エキスパン
ディング、ピックアップ、マウンティングの各工程が加
えられている。
このような半導体ウェハのダイシング工程で用いられて
いる粘着シー１へとしては、従来、塩化ビニル、ポリプ
ロピレンなどの基材面上にアクリル系などの粘着剤層が
設【プられたものが用いられてきた。ところがこのよう
なアクリル系の粘着剤層を有する粘着シートでは、ダイ
シングされた半導体ウェハの各チップをピックアップす
る際にチップ表面に粘着剤が残存してチップが汚染され
てしまうという問題点があった。
いる粘着シー１へとしては、従来、塩化ビニル、ポリプ
ロピレンなどの基材面上にアクリル系などの粘着剤層が
設【プられたものが用いられてきた。ところがこのよう
なアクリル系の粘着剤層を有する粘着シートでは、ダイ
シングされた半導体ウェハの各チップをピックアップす
る際にチップ表面に粘着剤が残存してチップが汚染され
てしまうという問題点があった。
このような問題点を解決するため、従来、基材面へ粘着
剤を全面的に塗布するのではなく部分的に塗布して粘着
剤の伍を少なくする方法が捉案されている。この方法に
よれば、全体のチップ故に対する粘着剤量は減少してチ
ップ面の粘着剤による汚染はある程度減少させることは
できるが、ウェハデツプと粘着シー１〜との接着力は減
少するため、ダイシング工程に引続いて行なわれる洗浄
、乾燥、エキスパンディングの各工程中にウェハチップ
が粘着シートから脱離してしまうという新たな問題点か
生じている。
剤を全面的に塗布するのではなく部分的に塗布して粘着
剤の伍を少なくする方法が捉案されている。この方法に
よれば、全体のチップ故に対する粘着剤量は減少してチ
ップ面の粘着剤による汚染はある程度減少させることは
できるが、ウェハデツプと粘着シー１〜との接着力は減
少するため、ダイシング工程に引続いて行なわれる洗浄
、乾燥、エキスパンディングの各工程中にウェハチップ
が粘着シートから脱離してしまうという新たな問題点か
生じている。
このような半導体「クエハのダイシング工程からピック
アップ工程に至る工程で用いられる粘着シートとしては
、ダイシング工程からエキスパンディング工程まででは
ウェハチップに対して充分な接着力を有しており、ピッ
クアップ工程ではウェハデツプに粘着剤が付着しない程
度の接着力を有しているものが望まれている。
アップ工程に至る工程で用いられる粘着シートとしては
、ダイシング工程からエキスパンディング工程まででは
ウェハチップに対して充分な接着力を有しており、ピッ
クアップ工程ではウェハデツプに粘着剤が付着しない程
度の接着力を有しているものが望まれている。
このような粘着シー１〜としては、特開昭６０−１９６
．９５６号公報および特開昭６０−２２３゜１３９号公
報に、基材面に、光照射によって三次元網状化しうる分
子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個以
上有する低分子量化合物からなる粘着剤を塗イ［シた粘
着シートが提案されている。そして該公報では、分子内
に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個以上有
する低分子量化合物としては、トリメチロールプロパン
アクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレ
ート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタ
エリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリ
トールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエ
リスリトールへキリアクリレートあるいは１，４−ブチ
レングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオ
ールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリ
レート、市販のオリゴエステルアクリレートなどが例示
されている。
．９５６号公報および特開昭６０−２２３゜１３９号公
報に、基材面に、光照射によって三次元網状化しうる分
子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個以
上有する低分子量化合物からなる粘着剤を塗イ［シた粘
着シートが提案されている。そして該公報では、分子内
に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個以上有
する低分子量化合物としては、トリメチロールプロパン
アクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレ
ート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタ
エリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリ
トールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエ
リスリトールへキリアクリレートあるいは１，４−ブチ
レングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオ
ールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリ
レート、市販のオリゴエステルアクリレートなどが例示
されている。
上記に例示されたような分子内に光重合性炭素−炭素二
重結合を少なくとも２個以上有する低分子ω化合物から
なる粘着剤層を塗布した粘着シートは、次のような問題
点があることが本発明者らによって見出された。すなわ
ら、上記のような粘着シートは半導体ウェハ表面が鏡面
のように細かく平滑な場合にはある程度優れた性能を示
しうるが、ウェハ表面が粗い場合には半導体ウェハチッ
プのピックアップ工程で該粘着シートに紫外線などの放
射線を照射してもその接着力が充分には低下せず、した
がってチップ表面に粘着剤が何着してしまうという問題
点があることが本発明者らによって見出された。また上
記のような粘着シートでは、紫外線を照射した場合に一
応粘着力は低下するが最適値までは粘着力が低下せず、
大チップになるほどピックアップできないという問題点
があることが本発明者らによって見出された。
重結合を少なくとも２個以上有する低分子ω化合物から
なる粘着剤層を塗布した粘着シートは、次のような問題
点があることが本発明者らによって見出された。すなわ
ら、上記のような粘着シートは半導体ウェハ表面が鏡面
のように細かく平滑な場合にはある程度優れた性能を示
しうるが、ウェハ表面が粗い場合には半導体ウェハチッ
プのピックアップ工程で該粘着シートに紫外線などの放
射線を照射してもその接着力が充分には低下せず、した
がってチップ表面に粘着剤が何着してしまうという問題
点があることが本発明者らによって見出された。また上
記のような粘着シートでは、紫外線を照射した場合に一
応粘着力は低下するが最適値までは粘着力が低下せず、
大チップになるほどピックアップできないという問題点
があることが本発明者らによって見出された。
本発明者らは、このような従来技術に伴なう問題点を解
決すべく鋭意検討したところ、特定の分子量を有するウ
レタンアクレート系オリゴマーと粘着剤とを組合せてな
る粘着剤を用いれば、上記の問題点か一挙に解決される
ことを見出して本発明を完成するに至った。
決すべく鋭意検討したところ、特定の分子量を有するウ
レタンアクレート系オリゴマーと粘着剤とを組合せてな
る粘着剤を用いれば、上記の問題点か一挙に解決される
ことを見出して本発明を完成するに至った。
発明の目的
本発明は、上記のような従来技術に伴なう問題点を一挙
に解決しようとするものであって、ウェハ面が粗くても
、半導体ウェハチップのピックアップ工程で粘着シート
に紫外線などの放射線を照射した際に粘着シートの接着
力が充分に低下し、したがってウェハチップ表面に粘着
剤が付着してしまうことがなく、しかも放射線の照射前
には充分な接着力を有する、半導体ウェハをダイシング
工程に付する際に特に好ましく用いられる粘着シートを
提供することを目的としている。・発明の概要 本発明に係る粘着シートは、基材面上に粘着剤と放射線
重合性化合物とからなる粘着剤層を塗イ５してなる粘着
シートで必って、放射線重合性化合物が３０００〜ｉ
ｏｏｏｏ好ましくは４０００〜８０００の分子量を有す
るウレタンアクリレート系オリゴマーであることを特徴
としている。
に解決しようとするものであって、ウェハ面が粗くても
、半導体ウェハチップのピックアップ工程で粘着シート
に紫外線などの放射線を照射した際に粘着シートの接着
力が充分に低下し、したがってウェハチップ表面に粘着
剤が付着してしまうことがなく、しかも放射線の照射前
には充分な接着力を有する、半導体ウェハをダイシング
工程に付する際に特に好ましく用いられる粘着シートを
提供することを目的としている。・発明の概要 本発明に係る粘着シートは、基材面上に粘着剤と放射線
重合性化合物とからなる粘着剤層を塗イ５してなる粘着
シートで必って、放射線重合性化合物が３０００〜ｉ
ｏｏｏｏ好ましくは４０００〜８０００の分子量を有す
るウレタンアクリレート系オリゴマーであることを特徴
としている。
本発明に係る粘着シー１〜では、粘着剤層として粘着剤
に加えて分子ｆｆ１３０００〜１００００好ましくは４
０００〜５ｏｏｏて必るウレタンアクリレート系オリゴ
マーが用いられているため、放射線照射前にはウェハチ
ップは基材表面上に充分な接着力を有して接着されてお
り、放射線照射後にはウェハチップと粘着シートとの接
着力は最適値まで低下させることができ、したがってウ
ェハチップ表面に粘着剤が付着することなく容易にウェ
ハチップをピックアップすることができる。特に半導体
ウェハの表面が多少粗くても放射線照射後にはウェハチ
ップに粘着剤が付着することなくウェハチップをピック
アップすることができる。
に加えて分子ｆｆ１３０００〜１００００好ましくは４
０００〜５ｏｏｏて必るウレタンアクリレート系オリゴ
マーが用いられているため、放射線照射前にはウェハチ
ップは基材表面上に充分な接着力を有して接着されてお
り、放射線照射後にはウェハチップと粘着シートとの接
着力は最適値まで低下させることができ、したがってウ
ェハチップ表面に粘着剤が付着することなく容易にウェ
ハチップをピックアップすることができる。特に半導体
ウェハの表面が多少粗くても放射線照射後にはウェハチ
ップに粘着剤が付着することなくウェハチップをピック
アップすることができる。
発明の詳細な説明
以下本発明に係る粘着シートを具体的に説明する。
本発明に係る粘着シート１は、その断面図が第１図に示
されるように、基材２とこの表面に塗着された粘着剤層
３とからなっており、使用前にはこの粘着剤層３を保護
するため、第２図に示すように粘着剤３の上面に剥離性
シート４を仮粘着しておくことが好ましい。
されるように、基材２とこの表面に塗着された粘着剤層
３とからなっており、使用前にはこの粘着剤層３を保護
するため、第２図に示すように粘着剤３の上面に剥離性
シート４を仮粘着しておくことが好ましい。
本発明に係る粘着シートの形状は、テープ状、ラベル状
などあらゆる形状をとりうる。基材２としては、導電率
が低く、耐水性および耐熱性に優れているものが適し、
特に合成樹脂フィルムが逸する。本発明の粘着シートで
は、後記づるように、その使用に当り、Ｅ、Ｂ、やＵ、
Ｖ、などの放射線照射が行なわれているので、「、Ｂ、
照Ｑ」の場合は、該基材２は透明である必要はないが、
Ｕ。
などあらゆる形状をとりうる。基材２としては、導電率
が低く、耐水性および耐熱性に優れているものが適し、
特に合成樹脂フィルムが逸する。本発明の粘着シートで
は、後記づるように、その使用に当り、Ｅ、Ｂ、やＵ、
Ｖ、などの放射線照射が行なわれているので、「、Ｂ、
照Ｑ」の場合は、該基材２は透明である必要はないが、
Ｕ。
■、前照射して用いる場合は、透明な材料でおる必要が
ある。
ある。
このような１２としては、具体的に、ポリエチレンフィ
ルム、ポリプロピレンフィルム、ポリ塩化ビニルフィル
ム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリブチレ
ンテレフタレートフィルム、ポリブテンフィルム、ポリ
ブタジェンフィルム、ポリウレタンフィルム、ポリメチ
ルペンテンフィルム、エチレン酢ビフィルムなどが用い
られる。
ルム、ポリプロピレンフィルム、ポリ塩化ビニルフィル
ム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリブチレ
ンテレフタレートフィルム、ポリブテンフィルム、ポリ
ブタジェンフィルム、ポリウレタンフィルム、ポリメチ
ルペンテンフィルム、エチレン酢ビフィルムなどが用い
られる。
半導体ウェハのダイシング後にエキスパディング処理を
する必要がある場合には、従来と同様にポリ塩化ビニル
、ポリプロピレンなどの艮ざ方向および幅方向に延伸性
をもつ合成樹脂フィルムを基材として用いることが好ま
しいが、かかるエキスパンディング処理を必要としない
半導体加工処理や自動車などのマスキング用などに本発
明に係る粘着シートを用いる場合には、伸張性のない任
意の基材も使用できる。
する必要がある場合には、従来と同様にポリ塩化ビニル
、ポリプロピレンなどの艮ざ方向および幅方向に延伸性
をもつ合成樹脂フィルムを基材として用いることが好ま
しいが、かかるエキスパンディング処理を必要としない
半導体加工処理や自動車などのマスキング用などに本発
明に係る粘着シートを用いる場合には、伸張性のない任
意の基材も使用できる。
本発明では、上記のような基材２上に設けられる粘着剤
層３は、粘着剤と放射線重合性化合物とを含んで形成さ
れている。
層３は、粘着剤と放射線重合性化合物とを含んで形成さ
れている。
粘着剤としては従来公知のものが広く用いられうるが、
アクリル系粘着剤が好ましく、具体的には、アクリル系
エステルを主たる構成単♀体単位とする単独重合体およ
び共重合体から選ばれたアクリル系重合体その他の官能
性単量体との共重合体およびこれら重合体の混合物であ
る。たとえば、七ツマ−のアクリル酸エステルとして、
メタアクリル酸エチル、メタアクリル酸ブチル、メタア
クリル酸−２−エチルヘキシル、メタアクリル酸グリシ
ジル、メタアクリル酸−２−ヒドロキシエチルなど、ま
た上記のメタアクリル酸をたとえばアクリル酸に代えた
ものなども好ましく使用できる。
アクリル系粘着剤が好ましく、具体的には、アクリル系
エステルを主たる構成単♀体単位とする単独重合体およ
び共重合体から選ばれたアクリル系重合体その他の官能
性単量体との共重合体およびこれら重合体の混合物であ
る。たとえば、七ツマ−のアクリル酸エステルとして、
メタアクリル酸エチル、メタアクリル酸ブチル、メタア
クリル酸−２−エチルヘキシル、メタアクリル酸グリシ
ジル、メタアクリル酸−２−ヒドロキシエチルなど、ま
た上記のメタアクリル酸をたとえばアクリル酸に代えた
ものなども好ましく使用できる。
ざらに後述するオリゴマーとの相溶性を高めるため、（
メタ）アクリル酸、アクリロニトリル、酢酸ビニルなど
のモノマーを共重合させてもよい。
メタ）アクリル酸、アクリロニトリル、酢酸ビニルなど
のモノマーを共重合させてもよい。
これらの七ツマ−から重合して得られるアクリル系重合
体の分子量は、２．０ｘ１０５〜１０．０×１０５であ
り好ましくは、４．０Ｘ １０５〜８．０×１０５である。
体の分子量は、２．０ｘ１０５〜１０．０×１０５であ
り好ましくは、４．０Ｘ １０５〜８．０×１０５である。
本発明では放射線重合性化合物として、分子量３０００
〜１００００好ましくは４０００〜８０００のウレタン
アクリレート系オリゴマーが用いられる。なお分子量は
、ゲルパーミェーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）
によりポリスチレン換算の平均分子量として測定した値
でおる。
〜１００００好ましくは４０００〜８０００のウレタン
アクリレート系オリゴマーが用いられる。なお分子量は
、ゲルパーミェーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）
によりポリスチレン換算の平均分子量として測定した値
でおる。
このウレタンアクリレート系オリゴマーは、ポリエステ
ル型またはポリエーテル型などのポリオール化合物と、
多価イソシアナート化合物たとえば２．４−トリレンジ
イソシアナート、２．６−ｌ〜リレンジイソシアナート
、１，３−キシリレンジイソシアナート、１，４−キシ
リレンジイソシアナート、ジフェニルメタン４，４゛−
ジイソシアナートなどとを反応させて得られる末端イソ
シアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を
有する（メタ）アクリレートたとえば２−ヒドロキシエ
チル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（
メタ）アクリレート、ポリエチレングリコール（メタ）
アクリレートなどを反応させて得られる。このウレタン
アクリレート系オリゴマーは、炭素−炭素二重結合を少
なくとも１個以上有する放射線重合性化合物である。
ル型またはポリエーテル型などのポリオール化合物と、
多価イソシアナート化合物たとえば２．４−トリレンジ
イソシアナート、２．６−ｌ〜リレンジイソシアナート
、１，３−キシリレンジイソシアナート、１，４−キシ
リレンジイソシアナート、ジフェニルメタン４，４゛−
ジイソシアナートなどとを反応させて得られる末端イソ
シアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を
有する（メタ）アクリレートたとえば２−ヒドロキシエ
チル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（
メタ）アクリレート、ポリエチレングリコール（メタ）
アクリレートなどを反応させて得られる。このウレタン
アクリレート系オリゴマーは、炭素−炭素二重結合を少
なくとも１個以上有する放射線重合性化合物である。
このウレタンアクリレート系オリゴマーの分子量が３０
００未満では、半導体ウェハの表面が細かい場合には大
ぎな問題とはならないが、該ウェハの表面が粗い場合に
は、放射線を照射しても粘着シートとウェハチップとの
接着力が充分には低下せず、ウェハチップのピックアッ
プ時にチップ表面に粘着剤が付着することがあるため好
ましくない。分子ｆｆ１３０００未満のウレタンアクリ
レート系オリゴマーを用いるとウェハ表面が粗い場合に
チップ表面に粘着剤が付着づるのは、次のような理由で
あろうと考えられる。すなわち、ウェハ表面が粗いとい
うことは、ウェハ表面に細かい凹溝が多数存在している
ことを意味するが、ウレタンアクリレート系オリゴマー
かウェハ表面と接触すると、ウレタンアクリレート系オ
リゴマーの分子量が小さい場合には該オリゴマーがこの
凹溝に入りこんでしまう。このため、後に放射線を照射
してウレタンアクリレート系オリゴマーを充分に硬化さ
せても粘着剤のアンカー効果により接着力は高く維持さ
れ、したがってウェハチップをピックアップする際にチ
ップ表面に粘着剤が（＝Ｊ着してしまうのでおろうと考
えられる。
００未満では、半導体ウェハの表面が細かい場合には大
ぎな問題とはならないが、該ウェハの表面が粗い場合に
は、放射線を照射しても粘着シートとウェハチップとの
接着力が充分には低下せず、ウェハチップのピックアッ
プ時にチップ表面に粘着剤が付着することがあるため好
ましくない。分子ｆｆ１３０００未満のウレタンアクリ
レート系オリゴマーを用いるとウェハ表面が粗い場合に
チップ表面に粘着剤が付着づるのは、次のような理由で
あろうと考えられる。すなわち、ウェハ表面が粗いとい
うことは、ウェハ表面に細かい凹溝が多数存在している
ことを意味するが、ウレタンアクリレート系オリゴマー
かウェハ表面と接触すると、ウレタンアクリレート系オ
リゴマーの分子量が小さい場合には該オリゴマーがこの
凹溝に入りこんでしまう。このため、後に放射線を照射
してウレタンアクリレート系オリゴマーを充分に硬化さ
せても粘着剤のアンカー効果により接着力は高く維持さ
れ、したがってウェハチップをピックアップする際にチ
ップ表面に粘着剤が（＝Ｊ着してしまうのでおろうと考
えられる。
このことは本発明者らによって始めて見出されたのであ
って、たとえば前記した特開昭６０−１９６．９５６＠
あるいは特開昭６０−２２３，１３９号公報で用いられ
ている分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくと
も２個以上有する低分子量化合物として具体的に開示さ
れている化合物は、いずれもその分子♀は約１５００程
度以下である。このように分子量が小さい化合物が用い
られてきたのは、もし該低分子量化合物の分子■が大き
くなると粘着剤の粘度が大きくなりり−ぎて塗布性が悪
くなったり、あるいは表面の光沢が低下するためであろ
うと考えられる。
って、たとえば前記した特開昭６０−１９６．９５６＠
あるいは特開昭６０−２２３，１３９号公報で用いられ
ている分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくと
も２個以上有する低分子量化合物として具体的に開示さ
れている化合物は、いずれもその分子♀は約１５００程
度以下である。このように分子量が小さい化合物が用い
られてきたのは、もし該低分子量化合物の分子■が大き
くなると粘着剤の粘度が大きくなりり−ぎて塗布性が悪
くなったり、あるいは表面の光沢が低下するためであろ
うと考えられる。
また本発明ではウレタンアクリレート系オリゴマーを用
いているが、このオリゴマーは特開昭６０−１９６，９
５６号および特開昭６０−２２３゜１３９号公報に具体
的に開示されている分子内に光重合性炭素−炭素二重性
結合を少なくとも２個以上有する低分子量化合物と比較
して、著しく優れた顕著な特性を有している。たとえば
、本発明に係るウレタンアクリレート系オリゴマーを用
いて粘着シートを形成すると、放射線照射前には充分な
接着力を有し、放射線照射後にはウェハ表面に粘着剤か
付着せずに簡単にウェハチップをピックアップすること
ができる程度の接着力に低下する。ところか特開昭６０
−１９６，９５６号公報に開示された実施例で用いられ
たジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリ
レ−１〜を用いて粘着シートを形成すると、この粘着シ
ートは放射線照射前には充分な接着性を示すか、放射線
照射後にも接着力が充分には低下せずウェハデツプをピ
ックアップする際にウェハ表面に粘着剤が付着してしま
う。
いているが、このオリゴマーは特開昭６０−１９６，９
５６号および特開昭６０−２２３゜１３９号公報に具体
的に開示されている分子内に光重合性炭素−炭素二重性
結合を少なくとも２個以上有する低分子量化合物と比較
して、著しく優れた顕著な特性を有している。たとえば
、本発明に係るウレタンアクリレート系オリゴマーを用
いて粘着シートを形成すると、放射線照射前には充分な
接着力を有し、放射線照射後にはウェハ表面に粘着剤か
付着せずに簡単にウェハチップをピックアップすること
ができる程度の接着力に低下する。ところか特開昭６０
−１９６，９５６号公報に開示された実施例で用いられ
たジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリ
レ−１〜を用いて粘着シートを形成すると、この粘着シ
ートは放射線照射前には充分な接着性を示すか、放射線
照射後にも接着力が充分には低下せずウェハデツプをピ
ックアップする際にウェハ表面に粘着剤が付着してしま
う。
本発明におＣプる粘着剤中のアクリル系粘着剤とウレタ
ンアクリレート系オリゴマーの配合比は、アクリル系粘
着剤１０〜９０重量部に対してウレタンアクリレート系
オリゴマーは９０〜１０重二部の範囲の量で用いられる
ことが好ましい。この場合には、得られる粘着シートは
初期の接着力が大きくしかもｔ／ｉ射線照射後には粘着
力は大きく低下し、容易にウェハチップを該粘着シート
からピックアップすることができる。
ンアクリレート系オリゴマーの配合比は、アクリル系粘
着剤１０〜９０重量部に対してウレタンアクリレート系
オリゴマーは９０〜１０重二部の範囲の量で用いられる
ことが好ましい。この場合には、得られる粘着シートは
初期の接着力が大きくしかもｔ／ｉ射線照射後には粘着
力は大きく低下し、容易にウェハチップを該粘着シート
からピックアップすることができる。
また上記の粘着剤中に、イソシアネート系硬化剤を混合
することにより、初期の接着力を任意の値に設定するこ
とかできる。このような硬化剤としては、具体的には多
価イワシアナ−１〜化合物、たとえば２．４−トリレン
ジイソシアナー１〜．２，６−ドリレンジイソシアナー
１へ、１，３−ギシリレンジイソシアナート、１，４−
キシレンジイソシアナ−１へ、ジフェニルメタン−４，
４゛−ジイソシアナート、ジフェニルメタン−２，４−
シイソシアナー１〜．３−メチルジフェニルメタンジイ
ソシアナ−１−、ヘキサメチレンジイソシアナート、イ
ソホロンジイソシアナート、ジシクロキシシルメタン−
４，４゛−ジイソシアナート、ジシクロヘキシルメタン
−２，４°−ジイソシアナート、リジンイソシアナート
などが用いられる。
することにより、初期の接着力を任意の値に設定するこ
とかできる。このような硬化剤としては、具体的には多
価イワシアナ−１〜化合物、たとえば２．４−トリレン
ジイソシアナー１〜．２，６−ドリレンジイソシアナー
１へ、１，３−ギシリレンジイソシアナート、１，４−
キシレンジイソシアナ−１へ、ジフェニルメタン−４，
４゛−ジイソシアナート、ジフェニルメタン−２，４−
シイソシアナー１〜．３−メチルジフェニルメタンジイ
ソシアナ−１−、ヘキサメチレンジイソシアナート、イ
ソホロンジイソシアナート、ジシクロキシシルメタン−
４，４゛−ジイソシアナート、ジシクロヘキシルメタン
−２，４°−ジイソシアナート、リジンイソシアナート
などが用いられる。
ざらに上記の粘着剤中に、Ｕ、Ｖ、照射用の場合には、
Ｕ、Ｖ、開始剤を混入することにより、Ｕ、Ｖ、照射に
よる重合硬化時間ならびにＵ、Ｖ。
Ｕ、Ｖ、開始剤を混入することにより、Ｕ、Ｖ、照射に
よる重合硬化時間ならびにＵ、Ｖ。
照射を少なくなることができる。
このようなＵ、Ｖ、開始剤としては、具体的には、ベン
ゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチル
エーテル、ヘンジインイソプロピルエーテル、ペンシル
ジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサ
ルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル
、ジアセチル、β−クロールアンスラキノンなどが挙げ
られる。
ゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチル
エーテル、ヘンジインイソプロピルエーテル、ペンシル
ジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサ
ルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル
、ジアセチル、β−クロールアンスラキノンなどが挙げ
られる。
以下本発明に係る粘着シートの使用方法について説明す
る。
る。
本発明に係る粘着シート１の上面に剥離性シート４が設
けられている場合には、該シート４を除去し、次いで粘
着シート１の粘着剤層３を上向きにして載置し、この粘
着剤層３の上面にダイシング加工すべき半導体ウェハＡ
を貼着する。この貼着状態でウェハ△にダイシング、洗
浄、乾燥、エキスパンディングの諸工程が加えられる。
けられている場合には、該シート４を除去し、次いで粘
着シート１の粘着剤層３を上向きにして載置し、この粘
着剤層３の上面にダイシング加工すべき半導体ウェハＡ
を貼着する。この貼着状態でウェハ△にダイシング、洗
浄、乾燥、エキスパンディングの諸工程が加えられる。
この際、粘着剤層３によりウェハチップは粘着シートに
充分に接着保持されているので、上記各工程の間にウェ
ハチップが脱落することはない。
充分に接着保持されているので、上記各工程の間にウェ
ハチップが脱落することはない。
次に、各ウェハチップを粘着シートからピックアップし
て所定の基台上にマウンティングするが、この際、ピッ
クアップに先立っておるいはピックアップ時に、紫外線
（Ｕ、Ｖ、＞ｉるいは電子線（Ｅ、Ｂ、）なとの放射線
Ｂを粘着シート１の粘着剤層３に照射し、粘着剤層３中
に含まれるｆｉ！ｉ射線重合性化合物を重合硬化せしめ
る。このように粘着剤層３に放ｍ線を照射して放射線重
合性化合物を重合硬化せしめると、粘着剤の有する接着
力は大きく低下し、わずかの接着力が残存するのみとな
る。
て所定の基台上にマウンティングするが、この際、ピッ
クアップに先立っておるいはピックアップ時に、紫外線
（Ｕ、Ｖ、＞ｉるいは電子線（Ｅ、Ｂ、）なとの放射線
Ｂを粘着シート１の粘着剤層３に照射し、粘着剤層３中
に含まれるｆｉ！ｉ射線重合性化合物を重合硬化せしめ
る。このように粘着剤層３に放ｍ線を照射して放射線重
合性化合物を重合硬化せしめると、粘着剤の有する接着
力は大きく低下し、わずかの接着力が残存するのみとな
る。
粘着シート１への放射線照射は、基材２の粘着剤層３が
設けられていない面から行なうことが好ましい。したが
って前述のように、放射線としてＵ、Ｖ、を用いる場合
には基材２は光透過性であることが必要であるが、放射
線としてＥ、Ｂ、を用いる場合には基材２は必ずしも光
透過性である必要はない。
設けられていない面から行なうことが好ましい。したが
って前述のように、放射線としてＵ、Ｖ、を用いる場合
には基材２は光透過性であることが必要であるが、放射
線としてＥ、Ｂ、を用いる場合には基材２は必ずしも光
透過性である必要はない。
このようにウェハチップＡ１．Ａ２・・・・・・が設け
られた部分の粘着剤層３に放射線を照射して、粘着剤層
３の接着力を低下せしめた後、この粘着シート１をピッ
クアップステーション（図示せず）に移送し、ここで常
法に従って基材２の下面から突き上げ針杆５によりピッ
クアップずべぎデツプＡ１・・・・・・を突き上げ、こ
のチップＡ１・・・・・・をたとえばエアピンセット６
によりピックアップし、これを所定の基台上にマウンテ
ィングする。このようにしてウェハチップＡ１．Ａ２・
・・・・・のピックアップを行なうと、ウェハチップ面
上には粘着剤が全く付着せずに簡単にピックアップする
ことができ、汚染のない良好な品質のチップが得られる
。
られた部分の粘着剤層３に放射線を照射して、粘着剤層
３の接着力を低下せしめた後、この粘着シート１をピッ
クアップステーション（図示せず）に移送し、ここで常
法に従って基材２の下面から突き上げ針杆５によりピッ
クアップずべぎデツプＡ１・・・・・・を突き上げ、こ
のチップＡ１・・・・・・をたとえばエアピンセット６
によりピックアップし、これを所定の基台上にマウンテ
ィングする。このようにしてウェハチップＡ１．Ａ２・
・・・・・のピックアップを行なうと、ウェハチップ面
上には粘着剤が全く付着せずに簡単にピックアップする
ことができ、汚染のない良好な品質のチップが得られる
。
なお放射線照射は、ピックアップステーションにおいて
行なうこともできる。
行なうこともできる。
放射線照射は、ウェハＡの貼着面の全面にわたって１度
に照射する必要は必ずしもなく、部分的に何回にも分け
て照射するようにしてもよく、たとえば、ピックアップ
すべきウェハチップＡ１゜Ａ２・・・・・・の１個ごと
に、これに対応する裏面にのみ照射する放射線照射管に
より照射しその部分の粘着剤のみの接着力を低下させた
後、突き上げ針杆５によりウェハチップＡ１．Ａ２・・
・・・・を突ぎ上げて順次ピックアップを行なうことも
できる。第６図には、上記の放射線照射方法の変形例を
示すが、この場合には、突き上げ針杆５の内部を中空と
しし、その中空部に放射線発生源７を設けて放射線照射
とピックアップとを同時に行なえるようにしており、こ
のようにすると装置を簡単化できると同時にピッアップ
操作時間を短縮することができる。
に照射する必要は必ずしもなく、部分的に何回にも分け
て照射するようにしてもよく、たとえば、ピックアップ
すべきウェハチップＡ１゜Ａ２・・・・・・の１個ごと
に、これに対応する裏面にのみ照射する放射線照射管に
より照射しその部分の粘着剤のみの接着力を低下させた
後、突き上げ針杆５によりウェハチップＡ１．Ａ２・・
・・・・を突ぎ上げて順次ピックアップを行なうことも
できる。第６図には、上記の放射線照射方法の変形例を
示すが、この場合には、突き上げ針杆５の内部を中空と
しし、その中空部に放射線発生源７を設けて放射線照射
とピックアップとを同時に行なえるようにしており、こ
のようにすると装置を簡単化できると同時にピッアップ
操作時間を短縮することができる。
なお上記の半導体ウェハの処理において、エキスパンデ
ィング工程を行なわず、ダイシング、洗浄、乾燥後直ち
にウェハチップＡ１．Ａ２・・・・・・のピックアップ
処理を行なうこともできる。
ィング工程を行なわず、ダイシング、洗浄、乾燥後直ち
にウェハチップＡ１．Ａ２・・・・・・のピックアップ
処理を行なうこともできる。
本発明に係る粘着シート１は、上記のように半導体ウェ
ハにダイシング工程からピックアップ工程を施こす際に
好ましくは用いられるが、この粘着シート１はまた被塗
装物をマスキングする際に用いることもできる。たとえ
ば第７図に示すように、自動車のボディなどの被塗装物
８の非塗装面９上に本発明に係る粘着シート１を被着さ
ぜ、次いでこの状態で被塗装物８上に塗膜１０を形成し
た後、放射線を粘着シート１上に照射して該シート１の
接着力を低下させてから該シーｌ〜１を被塗装物から剥
離する。このようにすれば、被塗装物８の表面に粘着剤
が残存することがないという優れた効果が得られる。
ハにダイシング工程からピックアップ工程を施こす際に
好ましくは用いられるが、この粘着シート１はまた被塗
装物をマスキングする際に用いることもできる。たとえ
ば第７図に示すように、自動車のボディなどの被塗装物
８の非塗装面９上に本発明に係る粘着シート１を被着さ
ぜ、次いでこの状態で被塗装物８上に塗膜１０を形成し
た後、放射線を粘着シート１上に照射して該シート１の
接着力を低下させてから該シーｌ〜１を被塗装物から剥
離する。このようにすれば、被塗装物８の表面に粘着剤
が残存することがないという優れた効果が得られる。
発明の効果
本発明に係る粘着シートでは、粘着剤として粘着剤に加
えて分子ｆｆ１３０００〜１００００好ましくは４００
０〜ａｏｏｏであるウレタンアクリレート系オリゴマー
が用いられているため、放射線照射前にはウェハチップ
は基梢表面上に充分な接着力を有して接着されており、
放射線照射後にはウェハチップと粘着シートとの接着力
は最適値まで低下させることかてさ、したがってウェハ
チップ表面に粘着剤が付着することなく容易にウェハチ
ップをピックアップづ゛ることかできる。特に半導体ウ
ェハの表面が多少粗くても放射線照射後にはウェハチッ
プに粘着剤が付着することなくウェハチップをピックア
ップすることができる。
えて分子ｆｆ１３０００〜１００００好ましくは４００
０〜ａｏｏｏであるウレタンアクリレート系オリゴマー
が用いられているため、放射線照射前にはウェハチップ
は基梢表面上に充分な接着力を有して接着されており、
放射線照射後にはウェハチップと粘着シートとの接着力
は最適値まで低下させることかてさ、したがってウェハ
チップ表面に粘着剤が付着することなく容易にウェハチ
ップをピックアップづ゛ることかできる。特に半導体ウ
ェハの表面が多少粗くても放射線照射後にはウェハチッ
プに粘着剤が付着することなくウェハチップをピックア
ップすることができる。
以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら
実施例に限定されるものではない。
実施例に限定されるものではない。
実施例 １
アクリル系粘着剤（ｎ−ブチルアクリレートと２＝エチ
ルへキシルアクリレートとの共重合体＞１００部と、分
子量約７０００のウレタンアクリレート系オリゴマー（
商品名セイ力ビーム ＰＵ−４人日精化工業社Ｉｇｌｏ
ｏ部と、硬化剤（ジイソシアナート系）１０部と、ＬＪ
Ｖ硬化開始剤（ベンゾフェノン系）４部とを混合して
、粘着剤層形成用組成物を調製した。
ルへキシルアクリレートとの共重合体＞１００部と、分
子量約７０００のウレタンアクリレート系オリゴマー（
商品名セイ力ビーム ＰＵ−４人日精化工業社Ｉｇｌｏ
ｏ部と、硬化剤（ジイソシアナート系）１０部と、ＬＪ
Ｖ硬化開始剤（ベンゾフェノン系）４部とを混合して
、粘着剤層形成用組成物を調製した。
この組成物を基材である厚さ８０μｍのポリプロピレン
フィルムの片面に粘着剤層の厚さが１０μｍとなるよう
に塗布し、１００’Ｃで１分間加熱して粘着シートを形
成した。
フィルムの片面に粘着剤層の厚さが１０μｍとなるよう
に塗布し、１００’Ｃで１分間加熱して粘着シートを形
成した。
得られた粘着シート上に、以下のようにして測定される
Ｒａ＝０．２７のかなり粗い表面を有するシリコンエバ
を貼着して、ＪＩＳ−Ｚ−０２３７（’１８０’剥離法
、剥離速度３００ｍｍ／分、試料中２５ｍｍ、測定室内
２３°Ｃ１６５％Ｒ１−１）ニにつて接着力を測定した
ところ、接着力は４１０ｇ／２５ｍｍであった。
Ｒａ＝０．２７のかなり粗い表面を有するシリコンエバ
を貼着して、ＪＩＳ−Ｚ−０２３７（’１８０’剥離法
、剥離速度３００ｍｍ／分、試料中２５ｍｍ、測定室内
２３°Ｃ１６５％Ｒ１−１）ニにつて接着力を測定した
ところ、接着力は４１０ｇ／２５ｍｍであった。
シリコンウェハの表面粗さは、ＪＩＳＢＯ６０１−１９
７６により中心線平均粗さＲａ（μｍ）で表わし、（株
）手放研究所製［万能表面形状測定器Ｊ ５Ｅ−３Ａ型
によって測定した。
７６により中心線平均粗さＲａ（μｍ）で表わし、（株
）手放研究所製［万能表面形状測定器Ｊ ５Ｅ−３Ａ型
によって測定した。
次いで、この粘着シートの粘着剤層に紫外線（ＵＶ）を
空冷式高圧水銀灯（８０Ｗ／ｃｍ、照射距離１０Ｃｍ）
により１秒間照射した。紫外線照射後のシリコンウェハ
と上記シートとの接着力を測定したところ、その接着力
は２４ｇ／２５ｍｍに低剤は全く付着していなかった。
空冷式高圧水銀灯（８０Ｗ／ｃｍ、照射距離１０Ｃｍ）
により１秒間照射した。紫外線照射後のシリコンウェハ
と上記シートとの接着力を測定したところ、その接着力
は２４ｇ／２５ｍｍに低剤は全く付着していなかった。
シリコンウェハを５ｍｍ角のチップ状にダイシングして
ピックアップしたところ、１００個中１Ｏ０個がピック
アップされた。
ピックアップしたところ、１００個中１Ｏ０個がピック
アップされた。
実施例 ２
アクリル系粘着剤（２−エチルへキシルアクリレートと
アクリロニトリルとの共重合体）１．００部と、分子量
約７０００のウレタンアクリレート系オリゴマー（商品
名セイカビーム ＰＵ−４大日精化工業社製＞２００部
と、硬化剤（ジイソシアナート系＞１０部と、ＵＶ硬化
開始剤（ベンゾフェノン系）４部とを混合して、粘着剤
層形成用組成物を調製した。
アクリロニトリルとの共重合体）１．００部と、分子量
約７０００のウレタンアクリレート系オリゴマー（商品
名セイカビーム ＰＵ−４大日精化工業社製＞２００部
と、硬化剤（ジイソシアナート系＞１０部と、ＵＶ硬化
開始剤（ベンゾフェノン系）４部とを混合して、粘着剤
層形成用組成物を調製した。
この組成物を基材でおる厚さ８０μｍのポリプロピレン
フィルムの片面に粘着剤層の厚さか１０μｍとなるよう
に塗布し、１００’Ｃて１分間加熱して粘着シートを形
成した。
フィルムの片面に粘着剤層の厚さか１０μｍとなるよう
に塗布し、１００’Ｃて１分間加熱して粘着シートを形
成した。
得られた粘着シート上に、実施例１と同様にして、Ｒａ
＝０．２７の粗い表面を有するシリコンエバを貼着して
、紫外線照ｑ」前後の接着力を測定した。
＝０．２７の粗い表面を有するシリコンエバを貼着して
、紫外線照ｑ」前後の接着力を測定した。
紫外線照射前の接着力は２３０ｑ／２５ｍｍで必剤は全
く付着していなかった。
く付着していなかった。
シリコンウェハを５ｍｍ角のチップ状にダイシングして
ピックアップしたところ、１００個中１Ｏ０個かピック
アップされた。
ピックアップしたところ、１００個中１Ｏ０個かピック
アップされた。
比較例 １
実施例２にｃＢいて、放射線重合性化合物として、ウレ
タンアクリレート系オリゴマーの代わりに分子Ｎ ５８
０程度のペンタエリスリトールトリアクリレートを１０
０部用いた以外は実施例２と同様にして粘着シートを製
造し、Ｒａ＝０．２７のシリコンウェハに対づる紫外線
照射前後の接着力を測定した。
タンアクリレート系オリゴマーの代わりに分子Ｎ ５８
０程度のペンタエリスリトールトリアクリレートを１０
０部用いた以外は実施例２と同様にして粘着シートを製
造し、Ｒａ＝０．２７のシリコンウェハに対づる紫外線
照射前後の接着力を測定した。
紫外線照射前の接着力は７００ｑ／２５ｍｍであり、紫
外線照射後の接着力は１００Ｃ１／２５ｍｍであった。
外線照射後の接着力は１００Ｃ１／２５ｍｍであった。
またシリコンウェハを５ｍｍ角のチップ状にダイシング
してピックアップしたところ、１００個中１個もピック
アップすることができなかった。
してピックアップしたところ、１００個中１個もピック
アップすることができなかった。
実施例 ３
実施例１において、Ｒａ＝０．０４の細かい平滑な表面
を有するシリコンウェハを用いた以外は実施例１と同様
にして、紫外線照射前後の接着力をそれぞれ測定した。
を有するシリコンウェハを用いた以外は実施例１と同様
にして、紫外線照射前後の接着力をそれぞれ測定した。
紫外線照射前の接着力は１５０Ｑ／２５ｍｍであり、紫
外線照射後の接着力は６ｇ／２５ｍｍであった。
外線照射後の接着力は６ｇ／２５ｍｍであった。
実施例 ４
実施例１において、Ｒａ＝０．０４の細かい平滑な表面
を有するシリコンウェハを用いた以外は実施例１と同様
にして、紫外線照射前後の接着力をそれぞれ測定した。
を有するシリコンウェハを用いた以外は実施例１と同様
にして、紫外線照射前後の接着力をそれぞれ測定した。
紫外線照射前の接着力は５０Ｑ／２５ｍｍであり、紫外
線照射後の接着力は４ｑ／２５ｍｍであった。
線照射後の接着力は４ｑ／２５ｍｍであった。
比較例 ２
比較例１において、Ｒａ＝０．０４の細かい平滑な表面
を有するシリコンウェハを用いた以外は比較例１と同様
にして、紫外線照射前後の接着力をそれぞれ測定した。
を有するシリコンウェハを用いた以外は比較例１と同様
にして、紫外線照射前後の接着力をそれぞれ測定した。
紫外線照射前の接着力は４９０ｑ／２５ｍｍであり、紫
外線照射後の接着力は１５ｑ／２５ｍｍであった。
外線照射後の接着力は１５ｑ／２５ｍｍであった。
剥離されたシリコンウェハの表面には粘着剤が付着して
た。
た。
比較例 ３
アクリル系粘着剤（ｎ−ブチルアクリレートと２−エヂ
ルヘキシルアクリレートとの共重合体＞１００部と、ゲ
ルパーミェーションクロマトグラフィー （ＧＰＣ）に
よるポリスチレン挟締の平均分子量が約１１００でおる
ウレタンアクリレート系オリゴマー（商品名セイ力ビー
ム ＥＸ８０８大日精化工業社Ｍ）１００部と、硬化剤
（ジイソシアナート系＞１０部と、ＵＶ硬化開始剤（ベ
ンツ°フェノン系）４部とを混合して、粘着剤層形成用
組成物を調製した。
ルヘキシルアクリレートとの共重合体＞１００部と、ゲ
ルパーミェーションクロマトグラフィー （ＧＰＣ）に
よるポリスチレン挟締の平均分子量が約１１００でおる
ウレタンアクリレート系オリゴマー（商品名セイ力ビー
ム ＥＸ８０８大日精化工業社Ｍ）１００部と、硬化剤
（ジイソシアナート系＞１０部と、ＵＶ硬化開始剤（ベ
ンツ°フェノン系）４部とを混合して、粘着剤層形成用
組成物を調製した。
この組成物を用いて実施例１とｌＴｉ１様にして、粘着
シートを形成し、Ｒａ＝０．２７のかなり粗い表面を有
するシリコンウェハへの接着力を紫外線照射前後で測定
した。
シートを形成し、Ｒａ＝０．２７のかなり粗い表面を有
するシリコンウェハへの接着力を紫外線照射前後で測定
した。
紫外線照射前の接着力は３２０Ｇ／２５ｍｍであり、紫
外線照射後の接着力は７５ｇ／２５ｍｍであった。
外線照射後の接着力は７５ｇ／２５ｍｍであった。
シリコンウェハを５ｍｍ角のチップ状にダイシングして
ピックアップしたところ、１００個中３０個しかピック
アップすることかできなかった。
ピックアップしたところ、１００個中３０個しかピック
アップすることかできなかった。
第１図および第２図は本発明に係る粘着シートの断面図
であり、第３図〜第６図は該粘着シートを半導体ウェハ
のダイシング工程からピックアップ工程までに用いた場
合の説明図であり、第７図は本発明に係る粘着シートを
被塗装物のマスキングに用いた場合の説明図である。 １・・・粘着シート、２・・・長材、３・・・粘着剤層
、４・・・剥離シート、Ａ・・・ウェハ、Ｂ・・・放射
線。
であり、第３図〜第６図は該粘着シートを半導体ウェハ
のダイシング工程からピックアップ工程までに用いた場
合の説明図であり、第７図は本発明に係る粘着シートを
被塗装物のマスキングに用いた場合の説明図である。 １・・・粘着シート、２・・・長材、３・・・粘着剤層
、４・・・剥離シート、Ａ・・・ウェハ、Ｂ・・・放射
線。
Claims (2)
- （１）基材面上に粘着剤と放射線重合性化合物とからな
る粘着剤層を塗布してなる粘着シートであつて、放射線
重合性化合物が３０００〜１００００の分子量を有する
ウレタンアクリレート系オリゴマーであることを特徴と
する粘着シート。 - （２）ウレタンアクリレート系オリゴマーの分子量が４
０００〜８０００である特許請求の範囲第１項に記載の
粘着シート。
Priority Applications (27)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60295189A JPS62153376A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | ウェハダイシング用粘着シート |
| DE19863639266 DE3639266A1 (de) | 1985-12-27 | 1986-11-17 | Haftfolie |
| US06/932,210 US4756968A (en) | 1985-12-27 | 1986-11-18 | Adhesive sheets |
| PH34523A PH23580A (en) | 1985-12-27 | 1986-11-24 | Adhesive sheet |
| MYPI86000164A MY100214A (en) | 1985-12-27 | 1986-12-02 | Adhesive sheet |
| KR1019860010787A KR910007086B1 (ko) | 1985-12-27 | 1986-12-15 | 점착시이트 |
| FR8618037A FR2592390B1 (fr) | 1985-12-27 | 1986-12-23 | Feuille adhesive utilisable notamment pour le decoupage de pastilles semiconductrices sous la forme de microplaquettes |
| NL8603269A NL191241C (nl) | 1985-12-27 | 1986-12-23 | Kleefvel voor halfgeleiders. |
| GB8630956A GB2184741B (en) | 1985-12-27 | 1986-12-29 | Adhesive sheet suitable for use in the preparation of semiconductor chips |
| US07/111,849 US4965127A (en) | 1985-12-27 | 1987-10-22 | Adhesive sheets |
| MYPI89000327A MY104709A (en) | 1985-12-27 | 1989-05-15 | Adhesive sheet. |
| GB8916856A GB2221469B (en) | 1985-12-27 | 1989-07-24 | Adhesive sheet suitable for use in dicing semiconductor wafers into chips |
| GB8916857A GB2221470B (en) | 1985-12-27 | 1989-07-24 | Adhesive sheet suitable for semiconductor wafer processing |
| GB8916855A GB2221468B (en) | 1985-12-27 | 1989-07-24 | Adhesive sheet suitable for use in dicing semiconductor wafers into chips |
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