NL9302147A - Kleefvel voor halfgeleiders. - Google Patents

Kleefvel voor halfgeleiders. Download PDF

Info

Publication number
NL9302147A
NL9302147A NL9302147A NL9302147A NL9302147A NL 9302147 A NL9302147 A NL 9302147A NL 9302147 A NL9302147 A NL 9302147A NL 9302147 A NL9302147 A NL 9302147A NL 9302147 A NL9302147 A NL 9302147A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
adhesive sheet
adhesive
sheet according
irradiation
substrate
Prior art date
Application number
NL9302147A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Lintec Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP60295189A external-priority patent/JPS62153376A/ja
Priority claimed from JP60295190A external-priority patent/JPS62153377A/ja
Priority claimed from JP60295188A external-priority patent/JPS62153375A/ja
Priority claimed from JP61045785A external-priority patent/JPS62205179A/ja
Priority claimed from JP61045786A external-priority patent/JPS62205180A/ja
Priority claimed from JP61161680A external-priority patent/JPS6317980A/ja
Application filed by Lintec Corp filed Critical Lintec Corp
Publication of NL9302147A publication Critical patent/NL9302147A/nl

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J4/00—Adhesives based on organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond ; adhesives, based on monomers of macromolecular compounds of groups C09J183/00 - C09J183/16
    • C09J4/06—Organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond in combination with a macromolecular compound other than an unsaturated polymer of groups C09J159/00 - C09J187/00
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J175/00—Adhesives based on polyureas or polyurethanes; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J175/04—Polyurethanes
    • C09J175/14—Polyurethanes having carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C09J175/16—Polyurethanes having carbon-to-carbon unsaturated bonds having terminal carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2205/00—Polymer mixtures characterised by other features
    • C08L2205/03—Polymer mixtures characterised by other features containing three or more polymers in a blend
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2666/00—Composition of polymers characterized by a further compound in the blend, being organic macromolecular compounds, natural resins, waxes or and bituminous materials, non-macromolecular organic substances, inorganic substances or characterized by their function in the composition
    • C08L2666/02—Organic macromolecular compounds, natural resins, waxes or and bituminous materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L33/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L75/00—Compositions of polyureas or polyurethanes; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L75/04—Polyurethanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
    • H01L2221/68322—Auxiliary support including means facilitating the selective separation of some of a plurality of devices from the auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/901—Printed circuit
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2809—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer including irradiated or wave energy treated component

Description

Kleefvel voor halfgeleiders
De onderhavige aanvrage heeft betrekking op een kleefvel bestaande uit een substraat met daarop een bekleding die een kleefstof en een bij bestraling polymeriseer-bare stof bevat.
Een dergelijk kleefvel is bekend uit het JP-A-61.28572. Het in het Japanse octrooischrift genoemde kleefvel wordt onder andere gebruikt bij de fabricage van halfgeleiders en chips om deze tijdens de verschillende processtappen vast te houden, of om grotere oppervlakken te bedekken wanneer deze behandelingen ondergaan, zoals auto's die worden gespoten.
Voor de productie van chips en halfgeleiders moet het kleefvel een aantal eigenschappen bezitten. De kleefstof moet voldoende hechting geven, zodat de chips tijdens de processtappen niet loslaten. Daarentegen moet bij het afnemen de kleefkracht zo laag zijn dat er geen lijmresten op de achterkant van de chips blijft zitten. Deze eigenschappen worden door de bekende kleefvellen grotendeels gegeven. Daarnaast zijn er meer eigenschappen welke een kleefvel ,moet hebben. Het positioneren van het oppakmecha-nisme voor de chips moet voldoende nauwkeurig geschieden, zodat de chips goed van het kleefvel worden genomen. Ook geldt dat wanneer het chip-oppervlak dat aan het kleefvel is gehecht een grijzig of zwart oppervlak heeft, bij belichting met U.V of E.B. op die plaats de hechting onvoldoende omlaag gaat, waardoor het afnemen problemen kan geven. Vooral bij grotere chips geeft dit problemen.
Verder treden er bij het opbrengen van de wafels (de siliciumplakken waar de chips van worden gemaakt) en bij het opdelen (tot chips) daarvan trekkrachten op, waarbij bij de bovengenoemde kleefvellen, die als substraat een vel polymeer voor algemene toepassing hebben, verlen gingen en verbuigingen op waardoor het vel niet meer aanvaardbaar is voor de wafelbox, of waardoor de ontvangen wafels in de box met elkaar in kontakt komen. Ook treden vervormingen op bij de belichte vellen waardoor dezelfde problemen optreden.
Overeenkomstig de uitvinding wordt nu een oplossing voor deze problemen gegeven, welke wordt gekenmerkt doordat het kleefvel een stof bevat waaruit zich bij bestraling een kleurstof vormt, met het voorbehoud dat de bij bestraling polymeriseerbare stof geen urethaan-acry-laatoligomeer met een molecuulgewicht tussen 3000 en 10.000 is.
Bij deze beschrijving behoren zeven tekeningen, waarvan figuren 1 en 2 dwarsdoorsneden van kleefvellen volgens de uitvinding zijn, figuren 3 t/m 6 toelichtingen zijn van het gebruik van deze kleefvellen bij het opdelen van halfgeleider-wafels tot en met het er afhalen van de chips, en waarvan figuur 7 het gebruik van zo'n kleefvel bij het maskeren van beklede producten toelicht.
De kleefvellen volgens deze uitvinding worden nu aan de hand van deze figuren nader beschreven.
Zoals men uit de dwarsdoorsnede van figuur 1 ziet bestaat het kleefvel uit een substraat of basis 2 en een kleef laag 3. Voor gebruik van dit kleefvel is het bij voorkeur afgedekt met een losneembaar schutvel 4.
Deze kleefvellen kunnen alle mogelijke vormen hebben, zoals linten, labels en andere. Voor het substraat 2 zijn materialen met lage electrische geleidbaarheid en goede bestendigheid tegen water en warmte geschikt, en met het oog daarop zijn vooral kunstharsfolies bijzonder nuttig. Zoals nog toegelicht zal worden, worden deze kleefvellen met EB of met UV belicht, en dus hoeft substraat 2 niet doorzichtig voor EB te zijn maar wel voor UV.
Praktisch gesproken zijn als substraat 2 folies van kunstharsen zoals polyetheen, polypropeen, polyvinylchloride, polyetheentereftalaat, polybutyleentereftalaat, polybuteen, verknoopt polybutadieen, polyurethaan, poly(me- thylpenteen) en etheen-vinylacetaatcopolymeren geschikt.
Daar de vellen volgens deze uitvinding na het opdelen der halfgeleider-wafels een uitzetting moeten ondergaan verdient het de voorkeur als substraat een folie van kunsthars zoals polyvinylchloride, polypropeen e.d. te gebruiken dat op gewone manier in de lengte en de breedte uitgerekt kan worden. Maar substraten die dat niet kunnen, zijn ook bruikbaar bij het verwerken van halfgeleiders en bij het maskeren van automobielvormen en dergelijke, waar geen uitzetting nodig is.
Het gebruik van verknoopte folies als substraat 2 geeft grote voordelen namelijk dat er bij het opdelen van wafels geen verlenging of verbuiging optreedt en ook niet bij het belichten van het kleef vel, en mocht er toch een kleine verbuiging optreden dan vermindert die bij het belichten van het substraat en kan het kleefvel met de opgedeelde wafels toch zonder bezwaar in een ontvangende box zonder dat men contact tussen de verschillende kleef-vellen ziet optreden. Bovendien laat het vel zich na die belichting gemakkelijk uitzetten zodat de chips er nauwkeurig van afgehaald kunnen worden.
De verknoopte folies die bij voorkeur als substraat gebruikt worden, zijn die verkregen door het bestralen van kunsthars-folies met verknoopbare plaatsen of met verknopingsinitiatoren. Als de hierboven genoemde verknoopte folies zijn bruikbaar de verknoopte polyalkenen, verknoopte polydiënen, verknoopte etheen-vinylacetaatcopolymeren en verknoopte alkadieencopolymeren.
Dergelijke bij deze uitvinding als substraten gebruikte verknoopte folies ondergaan na het opdelen van de wafels tot chips een uitzetting, en de folies moeten dus voldoende vergrootbaar zijn om er na die behandeling de chips nauwkeurig van af te kunnen pakken.
Verder gaat er voor de substraten 2 voorkeur uit naar kunstharsfolies met carboxylgroepen. Voorbeelden van dergelijke kunstharsen met carboxylgroepen zijn etheen-(meth)acrylzuur- en etheenvinylacetaat(meth)acrylzuurco- polymeren. Ook kan men laminaten gebruiken waarvan de ene laag een kunsthars met carboxylgroepen en de andere een "algemeen" kunsthars zoals polyetheen, etheenvinylacetaat-copolymeer, polypropeen, polybuteen, polybutadieen, polyvinylchloride, polyurethaan of poly(methylpenteen) is.
Op het beschreven substraat 2 wordt een kleeflaag 3 gebracht die uit een kleefstof en een bij bestraling polymeriseerbare verbinding bestaat.
Volgens de uitvinding gebruikt men als kleefstoffen bij voorkeur acryl-kleefstoffen, hoewel een grote verscheidenheid van bekende kleefstoffen bruikbaar is. Praktisch gesproken kan men als hoofdbestanddelen homo- en copolymeren gebruiken die als voornaamste bestanddeel een acrylzuur-ester bevatten en ook mengsels daarvan. Geschikte monomeren zijn ethylmethacrylaat, butylmethacrylaat, 2-ethylhexylmethacrylaat, glycidylmethacrylaat, 2-hydroxy-ethylmethacrylaat, enz. alsmede de hiermee overeenkomstige acrylzuur-esters.
Verder kunnen de bovengenoemde polymeren, voor een betere mengbaarheid met de nog te bespreken oligomeren, bovendien monomeren zoals (meth)acrylzuur, acrylonitril en vinylacetaat bevatten. De bovengenoemde als kleefstoffen te gebruiken polymeren hebben molecuulgewichten tussen 2 en 10 x 105, bij voorkeur tussen 4 en 8 x 105.
Al deze molecuulgewichten zijn gemiddelde waarden, bepaald door gelpermeatiechromatografie (GPC) met een bekend polystyreen als standaard.
De urethaan-acrylaatoligomeren worden verkregen door urethaan-voorpolymeren met isocyanaat-eindgroepen, verkregen door reactie van polyester- of polyether-polyolen met meerwaardige isocyanaten, bijvoorbeeld uit (meth)acry-laten met hydroxy-groepen zoals 2-hydroxyethylmethacrylaat, 2-hydroxypropylmethacrylaat en polyethyleenmethacrylaat met 2,4- en/of 2,6-tolueendiïsocyanaat, 1,4-xylyleendiïsocya-naat en difenylmethaan-4,4'-diïsocyanaat. De aldus verkregen urethaan-acrylaatoligomeren hebben per molecuul tenminste één dubbele koolstof-koolstofbinding en kunnen bij bestraling polymeriseren.
In dit verband hebben de volgens deze uitvinding te gebruiken urethaan-acrylaatoligomeren verrassenderwijs uitstekende eigenschappen, vergeleken met de laagmolecu-laire verbindingen die ook tenminste twee fotopolymeriseer-bare dubbele koolstof-koolstofbindingen hebben, zoals beschreven in de Japanse octrooipublicaties no.'s 196956/-1985 en 223139-1985. Bijvoorbeeld hebben kleefvellen gemaakt uit de nu aangewezen urethaan-acrylaatoligomeren voor bestraling voldoende kleefkracht maar na bestraling zo veel minder kleefkracht dat de chips niet meer vastzitten en eenvoudig opgenomen kunnen worden. In tegenstelling hiermee vertonen de met behulp van dipentaerythritolmonohy-droxypentaacrylaat gemaakte kleefvellen, beschreven in de voorbeelden van de Japanse octrooipublicatie no. 196956/-1985, voor bestraling voldoende kleefkracht maar na bestraling nog steeds te veel, zodat er kleefstof op de achterkanten van de chips blijft zitten als de chips opgepakt worden.
In de laag kleefstof volgens deze uitvinding worden de acryl-kleefstof en het urethaan-acrylaatoligomeer bij voorkeur gebruikt in een gewichtsverhouding tussen 100:50 en 10:900. Daarmee krijgt men een kleefvel waarvan de kleefkracht aanvankelijk hoog maar na bestraling laag is.
Bij een andere uitvoeringsvorm van het kleefvel volgens deze uitvinding bevat de kleeflaag 3 ook nog een verbinding waaruit bij belichting een kleurstof ontstaat, of is de basis 2 van het kleefvel aan tenminste één kant bekleed met een door belichting ontwikkelbare laag waarin bij bestraling een kleurstof ontstaat. Onder bepaalde gevallen kan die bij belichting kleurende stof in basis of substraat 2 zitten.
Bij deze uitvoeringsvorm kunnen als fotopolymeri-seerbare stof behalve de urethaan-acrylaatoligomeren ook de gebruikelijke, bekende bij bestraling polymeriseerbare stoffen gebruikt worden. Daartoe behoren dus (naast de urethaan-acrylaatoligomeren) trimethylolpropaanacrylaat, tetramethylolmethaantetraacrylaat, pentaerythritoltriacry-laat, pentaerythritoltetraacrylaat, dipentaerythritolmono-hydroxypentaacrylaat, dipentaerythritolmonohydroxypenta-acrylaat, dipentaerythritolhexaacrylaat, 1,4-butyleendi-acrylaat, 1,6-hexyleendiacrylaat, polyethyleenglycoldiacry-laat en in de handel verkrijgbaar oligoësteracrylaten.
De door belichting ontwikkelbare laag met daarin een stof waaruit een kleurstof kan ontstaan kan aan beide kanten van substraat 2 zitten, zowel aan de kant met de kleeflaag als aan de andere kant.
De bij deze uitvinding te gebruiken stoffen waaruit een kleurstof kan ontstaan zijn voor belichting kleurloos of bleek, maar geven bij bestraling een kleur, en bevoorkeurde voorbeelden van dergelijke verbindingen zijn de leuco-kleurstoffen. Geschikte voorbeelden daarvan zijn de trifenylmethaan-, fluoran-, fenothiazine-, auramine-, en spiropyraan-kleurstoffen. Hiertoe behoren bijv. 3-[N-(p-tolylamino)]-7-anilinofluoran, 3-[N-(p-tolyl)-N-methylami-no]-7-anilinofluoran, 3-[N-(p-tolyl)-N-ethylamino]-7-anilinofluoran, 3-diethylamino-6-methyl-7-anilinofluoran, kristalvioletlacton, 4,4',4"-trisdimethylaminotrifenylme-thanol, 4,4', 4,,-trisdimethylaminotrifenylmethaan, enz.
Bij voorkeur in combinatie met de bovengenoemde leuco-kleurstoffen te gebruiken ontwikkelaars zijn al bekend, daartoe behoren de beginnende polycondensatiepro-ducten van fenol-formaldehydharsen, aromatische carbonzuur-derivaten en electronenacceptoren zoals geactiveerde klei, en verder, als het de bedoeling is dat de kleur na ontwikkelen in toon varieert, diverse bekende kleurvormers in combinatie daarmee.
De bij belichting kleurende laag met daarin een in kleurstof overgaande verbinding kan op tenminste één kant van substraat 2 gebracht worden door dat substraat aan tenminste één kant te bekleden met een oplossing van die stof in een organisch oplosmiddel.
De bij belichting kleurende laag kan gevormd worden door de leuco-kleurstof op te nemen in een subprepa-raat en daarmee dan tenminste één kant van substraat 2 te bekleden. Hoewel het preparaat voor de sub-laag natuurlijk mede bepaald wordt door de aard van substraat 2, zal dat als regel een vinylacetaat-vinylchloridecopolymeer, een polyurethaan, een polyester, een polyamide of een epoxyhars zijn.
Bij een andere uitvoeringsvorm kan deze oplossing van bij belichting kleurende stof in organisch oplosmiddel in substraat 2 opgenomen worden ten tijde van de vorming van het materiaal van substraat 2 tot een vel. Onder bepaalde omstandigheden kan de tot kleurstof ontwikkelbare verbinding ook in de vorm van een fijn poeder in substraat 2 opgenomen worden.
Dankzij het opnemen van een bij belichting kleurende verbinding in kleeflaag 3, het bekleden van substraat 2 aan tenminste één kant met die verbinding of door het opnemen van die verbinding in substraat 2 wordt het kleef-vel 1 bij belichting voldoende gekleurd, waardoor het vinden van de chips met een fotosensor nauwkeuriger wordt en het missen van een of meer chips bij het verzamelen daarvan voorkomen wordt.
Door de basis of substraat aan tenminste één kant met een bij belichting kleurende verbinding te bekleden krijgt men ook het voordeel dat er, vergeleken met het opnemen van zo'n verbinding in de kleeflaag 3, weinig kans op ongunstige effecten op de vermindering van de kleef-kracht van laag 3 bij belichting is.
Bij een andere uitvoeringsvorm van het kleefstof volgens de uitvinding zit er in de kleef laag 3 naast de kleefstof en de bij belichting polymeriseerbare verbinding een lichtverstrooiende anorganische verbinding. Dan zijn naast de urethaan-acrylaatoligomeren eerder bekende bij belichting polymeriseerbare stoffen ook bruikbaar.
De genoemde lichtverstrooiende anorganische stoffen zijn materialen die ultraviolette of electronen-straling onregelmatig kunnen verstrooien; hiertoe behoren bijvoorbeeld kwarts, aluminiumoxyde, aluminosilicaat en mica. Deze anorganische stoffen verstrooien bij voorkeur het licht volledig, maar natuurlijk zijn stoffen die de straling een beetje absorberen ook bruikbaar.
Bij voorkeur verkeren de lichtverstrooiende anorganische stoffen in de vorm van een poeder met een doorsnede tussen 1 en 100 μπι, bij voorkeur tussen 1 en 20 μη. Daarvan bevat de kleef laag bij voorkeur 0,1 tot 10 gew.%, nog beter 1 tot 4 gew.%. Toepassing van meer dan 10 gew.% lichtverstrooier verdient geen aanbeveling daar dit soms de kleefkracht verlaagt, aan de andere kant is minder dan 1 gew.% ook niet aan te raden daar er dan in de gedeelten die overeenkomen met de grijze of zwarte gedeelten van de wafeloppervlakken dan onvoldoende verlaging van de kleefkracht kan optreden, zodat dan toch nog kleefstof op de achterkanten der chips zou kunnen achterblijven.
Zelfs als het oppervlak van een halfgeleiderwafel om de een of andere reden wat grijs of zwart is, gaat zijn hechting, als er in de kleeflaag zo'n lichtverstrooiende stof zit en hij belicht wordt, voldoende omlaag, ook in die gedeelten die overeenkomen met de grijze of zwarte gedeelten van het wafel-oppervlak, en een verklaring daarvan is wellicht het volgende:
De grijze en zwarte gebieden van het wafel-oppervlak absorberen de invallende straling, die daardoor zijn uithardende werking onvoldoende kan uitoefenen. Maar als er lichtverstrooiend poeder in de kleeflaag zit, komt er ook zijdelings straling bij die gedeelten die overeenkomen met zwarte en grijze stukken wafel-oppervlak, en in dat geval zal de uitharding ook daar niet onvoldoende zijn en de kleefkracht ook daar voldoende afnemen.
Verder kan de aanvankelijke kleefkracht van de kleeflaag op elk gewenst peil gebracht worden door er een uitharder van het isocyanaat-type in op te nemen. Als uitharders van het isocyanaat-type zijn meerwaardige isocyanaten mogelijk, bijvoorbeeld 2,4-tolueendiïsocyanaat, 2,6-tolueendiïsocyanaat, 1,3-xyleendiïsocyanaat, 1,4-xy- leendiïsocyanaat, difenylmethaan-4,4'-diïsocyanaat, di- fenylmethaan-2,4'-diïsocyanaat, 3-methyldifenylmethaandi-ïsocyanaat, hexamethyleendiïsocyanaat, isoforondiïsocya- naat, dicyclohexylmethaan-4,41-diïsocyanaat, dicyclohexyl-methaan-2,41-diïsocyanaat en lysineïsocyanaat.
Verder kan er in deze kleeflaag een UV-hardings-initiator opgenomen worden, waardoor bij bestraling met UV de polymerisatietijd korter en de benodigde hoeveelheid straling kleiner wordt. Concrete voorbeelden van dergelijke hardingsinitiatoren zijn benzoïden en de methyl-, ethyl- en isopropylethers daarvan, benzyldifenylsulfide, tetramethyl-thiurammonosulfide, azobisisobutyronitril, dibenzyl, diacetyl, β-chlooranthrachinon, enz.
De toepassing van het kleefvel volgens de uitvinding gebeurt op deze wijze:
Als er een aftrekbaar schutvel 4 op het kleefvel 1 zit, wordt dat schutvel 4 eerst verwijderd en wordt het kleefvel 1 neergelegd met de kleeflaag 3 naar boven. Hierop komt dan de halfgeleider-wafel A die opgedeeld moet worden. De wafel A ondergaat nu het opdelen, afspoelen, drogen en uitzetten, voor zover nodig. De verkregen chips vallen er niet vanaf omdat de kleefkracht van laag 3 dan nog groot genoeg is.
Vervolgens worden de chips van het kleefvel 1 afgenomen en op een geschikte drager gemonteerd. Daartoe wordt eerst de kleeflaag 3 van kleefvel 1 bestraald met electrodissociërende straling B van ultraviolet of een electronenstraal; hierdoor hardt de bij belichting polyme-riseerbare verbinding in kleeflaag 3 uit. Door dit uitharden neemt de kleefkracht van laag 3 sterk af en blijft er slechts weinig kleefkracht over. De bestraling van kleefvel 1 gebeurt bij voorkeur van die kant waarop geen kleeflaag 3 zit. Substraat of basis 2 moet dan ook voor straling doorzichtig zijn, indien UV toegepast wordt, maar bij gebruik van electronenstralen is dat niet beslist nodig.
Op de beschreven wijze worden gedeelten van de kleeflaag 3 waarop chips Alf A2 ..... zitten bestraald waardoor de kleefkracht van kleeflaag omlaag gaat. Daarna gaat het kleefvel naar een (niet afgeheeld) overnamestation waar chip A1# A2 ..... op de gebruikelijke wijze van onde ren door een duwstaaf 5 opgetild wordt, en de opgeduwde chips Alf A2 ..... worden opgenomen, bijvoorbeeld met behulp van ene luchtpincet, en worden dan op een bepaald substraat gemonteerd. Dankzij de uitvinding kunnen alle chips Alf A2 ..... op die manier opgenomen worden zonder dat er enige kleefstof op hun achterkanten achterblijft. Verder kan het bestralen even goed in het overnamestation gebeuren.
Het is niet nodig dat het hele oppervlak van kleefvel met chips in één keer bestraald wordt, dit kan in meerdere keren in gedeelten gebeuren; bijvoorbeeld kan slechts een klein deel van substraat 2 van ondere af bestraald worden waardoor een of enkele chips A1# A2 .....
zich onder opduwen van onderen af laten wegnemen.
Fig. 6 toont een modificatie van de bestralingsop-stelling, waarbij de duwstaaf 5 hol is en de stralingsbron 7 binnen in die duwstaaf 5 zit, zodat bestralen en opduwen tegelijkertijd kunnen gebeuren, de inrichting eenvoudiger wordt en tevens de tijd voor het o ver nemen bekort kan worden.
Dit overnemen van de chips A1# A2 ..... kan direct na opdelen, afspoelen en drogen gebeuren, ook zonder dat het dragende kleefvel uitzet.
Hoewel het opwerken van halfgeleider-wafels de eerste toepassing is die voor onderhavige kleefvellen in gedachten komt, kunnen die ook gebruikt worden voor het maskeren van een te bekleden voorwerp. Zoals in fig. 7 getoond is, kan men op een gedeelte 9 van een te bekleden voorwerp (bijvoorbeeld een onderdeel van een automobiel) dat niet bekleed moet worden een kleefvel 1 volgens deze uitvinding aanbrengen, en vervolgens bekleding 10 over het geheel heen. Daarna wordt kleefvel 1 van bovenaf bestraald, waardoor de kleefkracht van dat kleefvel 1 omlaag gaat en kan dat kleefvel met de ongewenste bekleding 8 weggenomen worden. Op die wijze krijgt men een uitstekend effect en blijft er geen kleefstof op het oppervlak van het te bekleden voorwerp 8 zitten.
Deze uitvinding wordt nu door de volgende voorbeelden toegelicht, welke geenszins beperkend opgevat mogen worden.
In deze voorbeelden werd de kleefkracht steeds bepaald volgens JIS-Z0237; daartoe wordt een 25 mm breed monster in een kamer van 23° en 65% relatieve vochtigheid met een snelheid van 300 mm/min. over een hoek van 180° afgetrokken. De oppervlakte-ruwheid in termen van gemiddelde centerlijn-ruwheid Ra (in jum) werd steeds bepaald volgens Jis B0601-1976 met behulp van een Universal Surface Profile Tester Model SE-3A van de firma Kosaka Seisakusho K.K.
Vergelijkend voorbeeld 1
Een preparaat voor een kleeflaag werd aangemaakt uit 100 din copolymeer van 2-ethylhexylacrylaat en acrylo-nitril, 200 din pentaerythritolacrylaat met een molecuulge-wicht van ongeveer 580, 10 din uitharder (van het diïsocy-anaat-type) en 4 din UV-hardingsinitiator (van het benzofe-non-type). Het aldus gemaakte preparaat werd tot een dikte van 10 μπι gestreken op een polypropeenfolie van 80 /xm dikte, en het geheel werd 1 minuut op 100°C verhit, waarmee men een kleefvel had.
Op dit kleefvel werd een siliciumwafel met een oppervlakteruwheid van Ra = 0,27 gebracht.
Voor en na bestraling met UV werd de kleefsterkte bepaald; deze was resp. 700 g en 100 g per 25 mm.
De siliciumwafel op het kleefvel werd na de bestraling met UV tot chips van 5 mm2 opgedeeld, en deze werden toen overgedragen; bij één uit de 100 chips mislukte dat.
Vergelijkend voorbeeld 2
Vergelijkend voorbeeld 1 werd herhaald, behalve dat nu een siliciumwafel met een fijn oppervlak , Ra = 0,04, gebruikt werd. De kleefsterkte tussen wafel en kleefvel was voor en na UV bestraling resp. 490 g en 15 g per 25 mm. Aan de achterkant van de wafel zat, na het lospellen van het kleefvel, echter nog wel wat kleefstof. Vergelijkend voorbeeld 3
Een preparaat voor een kleeflaag werd aangemaakt uit 100 din copolymeer van n-butylacrylaat en 2-ethylhexyl-acrylaat, 100 dln urethaan-acrylaatoligomeer (een product van Daiïchi Seika Kogyo K.K., verkocht onder de handelsnaam "EX 808") met gemiddeld molecuulgewicht van ongeveer 1100 (bepaald door gelpermeatie-chromatografie met polystyreen van bekend molecuulgewicht als standaard), 10 dln uitharder (van het diïsocyanaattype) en 4 dln UV-hardingsinitiator (van het benzofenon-type).
Overeenkomstig Vergelijkend voorbeeld 1 werd er een kleefvel van gemaakt en hierop werd een siliciumwafel met betrekkelijk ruw oppervlak, Ra = 0,27, geplakt. Voor en na bestraling met UV was de hechtsterkte resp. 320 g en 75 g per 25 mm.
Eenzelfde siliciumwafel op eenzelfde kleeflaag werd tot chips van 5 mm2 opgedeeld en na bestraling met UV werden de chips overgedragen, dit gebeurde echter met slechts 30 van de 100 chips.
Voorbeeld 1
Een preparaat voor een kleeflaag werd aangemaakt uit 100 dln copolymeer van n-butylacrylaat en acrylzuur, 100 dln urethaan-acrylaatoligomeer (een product van Daiïchi Seika Kogyo K.K., verkocht onder de handelsnaam "Seikabeam EX 808"), 25 dln uitharder (van het diïsocyanaat-type), 10 dln UV-hardingsinitiator (van het benzofenon-type) en ook nog 5 dln tris(4-dimethylaminofenyl)methaan of leuco-kleurstof. Dit preparaat werd tot een dikte van 10 μιη gebracht op een polyetheenfolie van 80 μιη dikte, en het geheel werd 1 minuut op 100°C verhit, wat een kleefvel gaf.
De kleeflaag van dit kleefvel werd 2 seconden bestraald met UV uit een met lucht gekoelde hogedrukkwik-lamp (80 W/cm, op 10 cm afstand) . Door deze UV-bestraling kreeg het aanvankelijk doorzichtige kleefvel een blauw purperen kleur. Voor en na de UV-bestraling werd met een SM-k1eurcomputer (gemaakt en verkocht door Suka Testers K.K.) het kleurverschil E (L* a* B*) gemeten; gevonden werd een kleurverschil van 26.8.
Een op deze kleeflaag geplakte siliciumwafel werd tot chips opgedeeld en met UV bestraald, onder de eerder beschreven omstandigheden waarbij men met een fotosensor de chips kan lokaliseren (de sensor was een SX-23R van Thanks K.K.) en hiermee konden de chips gemakkelijk gevonden worden en er werd bij het oppakken geen vergissing gemaakt. Vergelijkend voorbeeld 4
Overeenkomstig voorbeeld 5 werd een kleefvel aangemaakt, behalve dat nu geen bij belichting kleurvormen-de verbinding gebruikt werd, en bij het meten van het kleurverschil voor en na UV-bestraling werd een kleurverschil E (L+ a* b*) van minder dan 2,0 gevonden; m.a.w. er was geen kleurverschil.
Op het klevende oppervlak van dit kleefvel werd een siliciumwafel aangebracht, deze werd tot chips opgedeeld en daarna werd met UV bestraald. Maar de chips waren niet allemaal goed te vinden en bij het oppakken werd een aantal vergissingen gemaakt.
Voorbeeld 2
Op de wijze van voorbeeld 1 werd een kleefvel gemaakt, behalve dat in plaats van het urethaan-acrylaat-oligomeer pentaerythritolacrylaat met een molecuulgewicht van ongeveer 580 gebruikt werd. Bij het meten van het kleurverschil voor en na bestraling met UV werd een kleurverschil van 25,0 gevonden.
Op de klevende kant van dit kleefvel werd een siliciumwafel aangebracht. Na opdelen van de wafel tot chips werd het geheel met UV bestraald onder omstandigheden waarbij men de chips met een fotosensor kon lokaliseren. De chips lieten zich zonder mankeren vinden en bij het oppakken werd er geen enkele vergissing gemaakt.

Claims (13)

1. Kleefvel bestaande uit een substraat met daarop een bekleding die een kleefstof en een bij bestraling polymer iseerbare stof bevat, met het kenmerk, dat het kleefvel een stof bevat waaruit zich bij bestraling een kleurstof vormt, met het voorbehoud dat de bij bestraling polymeriseerbare stof geen urethaan-acrylaatoligomeer met een molecuulgewicht tussen 3000 en 10.000 is.
2. Kleefvel volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de verbinding waaruit zich bij bestraling een kleurstof vormt aanwezig is in het substraat.
3. Kleefvel volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat tenminste één kant van het substraat bekleed is met een stof waaruit zich bij bestraling een kleurstof vormt.
4. Kleefvel volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de stof waaruit zich bij bestraling een kleurstof vormt aanwezig is in de kleeflaag.
5. Kleefvel volgens één der voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat de stof waaruit zich bij bestraling een kleurstof vormt een leuko-kleurstof is.
6. Kleefvel volgens conclusie 5, met het kenmerk, dat de leuko-kleurstof tris(4-dimethylaminofenyl)methaan is.
7. Kleefvel volgens één der voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat de bij bestraling polymeriseerbare stof een urethaan-acrylaatoligomeer is.
8. Kleefvel volgens één der voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat in de kleeflaag een licht-verstrooiend anorganisch poeder is opgenomen.
9. Kleefvel volgens conclusie 8, met het kenmerk, dat het licht-verstrooiende anorganische poeder kwarts, aluminiumoxyde, aluminosilicaat of mica is.
10. Kleefvel volgens één der voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat het substraat een verknoopte folie is.
11. Kleefvel volgens conclusie 10, met het kenmerk, dat de verknoopte folie een verknoopt polyolefinefo-lie is.
13. Kleefvel volgens één der voorgaande conclusies 1-9, met het kenmerk, dat het substraat een folie is waarvoor een monomeer met een carbonzuurgroep de voornaamste bouwsteen was.
14. Kleefvel volgens conclusie 13, met het kenmerk, dat de folie gemaakt wordt uit een copolymeer van etheen met (meth)acrylzuur.
NL9302147A 1985-12-27 1993-12-09 Kleefvel voor halfgeleiders. NL9302147A (nl)

Applications Claiming Priority (12)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29519085 1985-12-27
JP60295189A JPS62153376A (ja) 1985-12-27 1985-12-27 ウェハダイシング用粘着シート
JP60295190A JPS62153377A (ja) 1985-12-27 1985-12-27 ウェハダイシング用粘着シート
JP29518985 1985-12-27
JP29518885 1985-12-27
JP60295188A JPS62153375A (ja) 1985-12-27 1985-12-27 ウエハダイシング用粘着シート
JP4578686 1986-03-03
JP61045785A JPS62205179A (ja) 1986-03-03 1986-03-03 ウエハ貼着用粘着シ−ト
JP61045786A JPS62205180A (ja) 1986-03-03 1986-03-03 粘着シ−ト
JP4578586 1986-03-03
JP16168086 1986-07-09
JP61161680A JPS6317980A (ja) 1986-07-09 1986-07-09 ウエハ貼着用粘着シ−ト

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL9302147A true NL9302147A (nl) 1994-04-05

Family

ID=27550204

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8603269A NL191241C (nl) 1985-12-27 1986-12-23 Kleefvel voor halfgeleiders.
NL9302149A NL9302149A (nl) 1985-12-27 1993-12-09 Kleefvel voor halfgeleiders.
NL9302147A NL9302147A (nl) 1985-12-27 1993-12-09 Kleefvel voor halfgeleiders.
NL9302148A NL9302148A (nl) 1985-12-27 1993-12-09 Kleefvel voor halfgeleiders.

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8603269A NL191241C (nl) 1985-12-27 1986-12-23 Kleefvel voor halfgeleiders.
NL9302149A NL9302149A (nl) 1985-12-27 1993-12-09 Kleefvel voor halfgeleiders.

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL9302148A NL9302148A (nl) 1985-12-27 1993-12-09 Kleefvel voor halfgeleiders.

Country Status (10)

Country Link
US (2) US4756968A (nl)
KR (1) KR910007086B1 (nl)
DE (1) DE3639266A1 (nl)
FR (1) FR2592390B1 (nl)
GB (1) GB2184741B (nl)
HK (4) HK105492A (nl)
MY (2) MY100214A (nl)
NL (4) NL191241C (nl)
PH (1) PH23580A (nl)
SG (1) SG114492G (nl)

Families Citing this family (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3581514D1 (de) * 1984-05-29 1991-02-28 Mitsui Toatsu Chemicals Film zur behandlung von halbleiterwaffeln.
US5187007A (en) * 1985-12-27 1993-02-16 Lintec Corporation Adhesive sheets
DE3639266A1 (de) * 1985-12-27 1987-07-02 Fsk K K Haftfolie
US5281473A (en) * 1987-07-08 1994-01-25 Furakawa Electric Co., Ltd. Radiation-curable adhesive tape
DE3850451T2 (de) * 1987-07-08 1995-03-09 Furukawa Electric Co Ltd Strahlungsvernetzbare Klebestreifen.
US5149586A (en) * 1987-07-08 1992-09-22 Furukawa Electric Co., Ltd. Radiation-curable adhesive tape
US5326605A (en) * 1987-10-22 1994-07-05 Nichiban Company, Limited Reactive pressure sensitive adhesive composition, sealer tape, sheet or molding by use thereof
US5024867A (en) * 1987-10-28 1991-06-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Dopant film and methods of diffusing impurity into and manufacturing a semiconductor wafer
JPH0715893B2 (ja) * 1988-07-14 1995-02-22 株式会社東芝 ドーパントフイルムおよび半導体基板の不純物拡散方法
JPH0715087B2 (ja) * 1988-07-21 1995-02-22 リンテック株式会社 粘接着テープおよびその使用方法
US5183699A (en) * 1989-08-01 1993-02-02 Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. Wafer processing films
US4985293A (en) * 1989-08-14 1991-01-15 Eastman Kodak Company Polymer blend for molded circuit boards and other selectively conductive molded devices
JP2683435B2 (ja) * 1989-12-14 1997-11-26 キヤノン株式会社 インクジェットノズル製造用接着剤
KR910015403A (ko) * 1990-02-14 1991-09-30 사와무라 하루오 웨이퍼 가공용 필름
US5051870A (en) * 1990-06-11 1991-09-24 Companion John A Electronic socket attachment method and identification system
DE4025405A1 (de) * 1990-08-10 1992-02-13 Schreiner Etiketten Traegerbahn
JP2922036B2 (ja) * 1991-10-31 1999-07-19 日東電工株式会社 耐熱性にすぐれた感圧性接着剤およびその接着シート類の製造方法
JPH05179211A (ja) * 1991-12-30 1993-07-20 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフイルム
JP3382638B2 (ja) * 1992-07-17 2003-03-04 コニシ株式会社 粘着テープ
DE4230784A1 (de) * 1992-09-15 1994-03-17 Beiersdorf Ag Durch Strahlung partiell entklebendes Selbstklebeband (Dicing Tape)
JPH082106A (ja) * 1994-06-24 1996-01-09 Nippon Kayaku Co Ltd マーキング用組成物及びレーザーマーキング方法
JP3410202B2 (ja) * 1993-04-28 2003-05-26 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 ウェハ貼着用粘着シートおよびこれを用いた半導体装置の製造方法
JP2991593B2 (ja) * 1993-08-19 1999-12-20 株式会社東京精密 ダイシング装置の半導体ウェハ形状認識装置
JPH08267668A (ja) * 1995-03-29 1996-10-15 Nitta Ind Corp 研磨用ウエハ保持部材及びそのウエハ保持部材の研磨機定盤への脱着方法
US5670260A (en) * 1995-04-21 1997-09-23 Adhesives Research, Inc. Radiation-cured adhesive film having differential surface adhesion
DE19520238C2 (de) * 1995-06-02 1998-01-15 Beiersdorf Ag Selbstklebeband
JPH0917752A (ja) * 1995-06-28 1997-01-17 Sony Corp 偏平な被切削物の切断方法及びその装置
GB9523764D0 (en) * 1995-11-21 1996-01-24 Ici Plc Polymeric film
US5677048A (en) * 1996-03-04 1997-10-14 Gateway Technologies, Inc. Coated skived foam and fabric article containing energy absorbing phase change material
US5955188A (en) * 1996-03-04 1999-09-21 Outlast Technologies, Inc. Skived foam article containing energy absorbing phase change material
GB2320615B (en) * 1996-12-19 2001-06-20 Lintec Corp Process for producing a chip and pressure sensitive adhesive sheet for said process
US6312800B1 (en) 1997-02-10 2001-11-06 Lintec Corporation Pressure sensitive adhesive sheet for producing a chip
JP4072927B2 (ja) * 1997-08-28 2008-04-09 リンテック株式会社 エネルギー線硬化型親水性粘着剤組成物およびその利用方法
US6235387B1 (en) 1998-03-30 2001-05-22 3M Innovative Properties Company Semiconductor wafer processing tapes
JP3739570B2 (ja) 1998-06-02 2006-01-25 リンテック株式会社 粘着シートおよびその利用方法
JP3410371B2 (ja) 1998-08-18 2003-05-26 リンテック株式会社 ウエハ裏面研削時の表面保護シートおよびその利用方法
JP3784202B2 (ja) * 1998-08-26 2006-06-07 リンテック株式会社 両面粘着シートおよびその使用方法
US7105226B2 (en) * 1998-08-26 2006-09-12 Lintec Corporation Pressure sensitive adhesive double coated sheet and method of use thereof
DE19850873A1 (de) * 1998-11-05 2000-05-11 Philips Corp Intellectual Pty Verfahren zum Bearbeiten eines Erzeugnisses der Halbleitertechnik
US6184064B1 (en) 2000-01-12 2001-02-06 Micron Technology, Inc. Semiconductor die back side surface and method of fabrication
US6472065B1 (en) * 2000-07-13 2002-10-29 3M Innovative Properties Company Clear adhesive sheet
US6759121B2 (en) 2000-07-13 2004-07-06 3M Innovative Properties Company Clear adhesive sheet
KR100412020B1 (ko) * 2001-03-12 2003-12-24 박광민 반도체 웨이퍼용 점착테이프
JP3544362B2 (ja) * 2001-03-21 2004-07-21 リンテック株式会社 半導体チップの製造方法
JP4115711B2 (ja) * 2002-02-14 2008-07-09 日東電工株式会社 フレキシブルプリント配線板固定用接着シート及びフレキシブルプリント配線板への電子部品の実装方法
CN1678639A (zh) * 2002-07-24 2005-10-05 粘合剂研究公司 可转换的压敏粘合剂胶带及其在显示屏上的用途
KR101016081B1 (ko) * 2002-07-26 2011-02-17 닛토덴코 가부시키가이샤 점착 시트와 그의 제조방법, 상기 점착 시트의 사용방법,및 상기 점착 시트에 사용되는 다층 시트와 그의 제조방법
US6969914B2 (en) * 2002-08-29 2005-11-29 Micron Technology, Inc. Electronic device package
US20040122408A1 (en) * 2002-12-24 2004-06-24 Potnis Prasad S. Dry-blend elastomer for elastic laminates
US6879050B2 (en) * 2003-02-11 2005-04-12 Micron Technology, Inc. Packaged microelectronic devices and methods for packaging microelectronic devices
US20050244631A1 (en) * 2004-04-28 2005-11-03 Mitsui Chemicals, Inc. Surface protecting film for semiconductor wafer and method of protecting semiconductor wafer using the same
US7368171B2 (en) * 2004-09-03 2008-05-06 H.B. Fuller Licensing & Financing, Inc. Laminating adhesive, laminate including the same, and method of making a laminate
DE102005055769A1 (de) * 2005-11-21 2007-05-24 Tesa Ag Verfahren zur temporären Fixierung eines polymeren Schichtmaterials auf rauen Oberflächen
JP5057697B2 (ja) * 2006-05-12 2012-10-24 日東電工株式会社 半導体ウエハ又は半導体基板加工用粘着シート
JP4620028B2 (ja) * 2006-10-19 2011-01-26 日東電工株式会社 基板加工用粘着シート
JP5101111B2 (ja) * 2007-01-05 2012-12-19 日東電工株式会社 半導体基板加工用粘着シート
KR101158962B1 (ko) * 2007-10-10 2012-06-21 우시오덴키 가부시키가이샤 엑시머 램프
JP2010053192A (ja) * 2008-08-27 2010-03-11 Nitto Denko Corp 粘着テープ又はシート
EP2368955A1 (de) 2010-03-26 2011-09-28 Sika Technology AG Formgedächtnis-Material auf Basis eines Strukturklebstoffs
GB201012595D0 (en) 2010-07-27 2010-09-08 Zephyros Inc Oriented structural adhesives
CN103827241A (zh) * 2011-09-20 2014-05-28 日东电工株式会社 电子部件切断用加热剥离型粘合片及电子部件切断方法
US9056438B2 (en) 2012-05-02 2015-06-16 3M Innovative Properties Company Curable composition, articles comprising the curable composition, and method of making the same
US10577523B2 (en) 2013-07-26 2020-03-03 Zephyros, Inc. Relating to thermosetting adhesive films
US10526511B2 (en) 2016-12-22 2020-01-07 Avery Dennison Corporation Convertible pressure sensitive adhesives comprising urethane (meth)acrylate oligomers
CN109825215A (zh) * 2017-11-23 2019-05-31 上海海优威新材料股份有限公司 用于晶圆研磨的多层复合膜及其制备方法
JP2021001311A (ja) * 2019-06-21 2021-01-07 日東電工株式会社 粘着シート、中間積層体、中間積層体の製造方法および製品積層体の製造方法
CN114026192A (zh) * 2019-06-27 2022-02-08 日东电工株式会社 粘合片、及粘合片贴附品的制造方法
CN115572552A (zh) 2021-06-21 2023-01-06 日东电工株式会社 半导体晶片加工用压敏粘合片

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60196956A (ja) * 1984-03-12 1985-10-05 Nitto Electric Ind Co Ltd 半導体ウエハ固定用接着薄板

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE545403A (nl) * 1955-02-21
FR1572362A (nl) * 1968-04-12 1969-06-27
US4243500A (en) * 1978-12-04 1981-01-06 International Coatings, Co., Inc. Pressure sensitive adhesives
US4421822A (en) * 1979-08-20 1983-12-20 Minnesota Mining And Manufacturing Co. Ultraviolet polymerization of acrylate monomers using oxidizable tin compounds
EP0099856B1 (de) * 1982-06-24 1987-11-11 Ciba-Geigy Ag Photopolymerisierbares Beschichtungsmittel, photopolymerisierbares Material und seine Verwendung
JPS6057111A (ja) * 1983-09-05 1985-04-02 Sharp Corp 気化式石油燃焼器の気化装置
JPS6057340A (ja) * 1983-09-08 1985-04-03 Fuji Photo Film Co Ltd 焼出し性組成物
JPS61148566A (ja) * 1984-12-23 1986-07-07 Kyodo Kumiai Yonago Computer Syst 医療事務計算用入力装置
JPS61158680A (ja) * 1984-12-28 1986-07-18 株式会社山武 中間接続コネクタ
DE3665191D1 (en) * 1985-02-14 1989-09-28 Bando Chemical Ind A pressure sensitive adhesive and a pressure sensitive adhesive film having thereon a layer of the same
ATE85138T1 (de) * 1985-02-19 1993-02-15 Ucb Sa Zusammensetzung und verfahren zur herstellung eines musters von klebemitteln.
DE3639266A1 (de) * 1985-12-27 1987-07-02 Fsk K K Haftfolie
JPS6428572A (en) * 1987-07-24 1989-01-31 Hitachi Ltd Burn-in board
JPH09179674A (ja) * 1995-12-25 1997-07-11 Kenwood Corp 設定データ変更装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60196956A (ja) * 1984-03-12 1985-10-05 Nitto Electric Ind Co Ltd 半導体ウエハ固定用接着薄板
EP0157508A2 (en) * 1984-03-12 1985-10-09 Nitto Denko Corporation Thin adhesive sheet for use in working semiconductor wafers

Also Published As

Publication number Publication date
NL8603269A (nl) 1987-07-16
GB2184741A (en) 1987-07-01
FR2592390A1 (fr) 1987-07-03
HK105692A (en) 1993-01-08
NL191241B (nl) 1994-11-01
NL9302149A (nl) 1994-04-05
DE3639266A1 (de) 1987-07-02
SG114492G (en) 1992-12-24
HK105492A (en) 1993-01-08
PH23580A (en) 1989-09-11
KR870006156A (ko) 1987-07-09
DE3639266C2 (nl) 1990-02-08
FR2592390B1 (fr) 1993-03-12
US4965127A (en) 1990-10-23
KR910007086B1 (ko) 1991-09-16
NL191241C (nl) 1995-04-03
GB8630956D0 (en) 1987-02-04
HK105592A (en) 1993-01-08
NL9302148A (nl) 1994-04-05
MY100214A (en) 1990-05-29
HK105792A (en) 1993-01-08
MY104709A (en) 1994-05-31
GB2184741B (en) 1990-09-05
US4756968A (en) 1988-07-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL9302147A (nl) Kleefvel voor halfgeleiders.
US5187007A (en) Adhesive sheets
US4968559A (en) Pressure sensitive adhesive film with barrier layer
US8568873B2 (en) Pressure-sensitive adhesive for polarizing plates, polarizing plate with pressure-sensitive adhesive and production process for the same
JPH0532946A (ja) 再剥離型粘着性ポリマー
JP2726350B2 (ja) ウェハ貼着用粘着シート
JPS6317981A (ja) 粘着シ−ト
JPS62153376A (ja) ウェハダイシング用粘着シート
JPS62153377A (ja) ウェハダイシング用粘着シート
GB2221469A (en) Adhesive sheet suitable for use in dicing semiconductor wafers into chips
JP7072412B2 (ja) 粘着剤の硬化方法、及び粘着剤の硬化装置
JPS6317980A (ja) ウエハ貼着用粘着シ−ト
JP3073239B2 (ja) ウェハ貼着用粘着シート
JPH10310748A (ja) 半導体ウエハ加工用粘着シート
JPH1161065A (ja) 半導体ウエハ加工用粘着シート
JPS63299246A (ja) ウェハ貼着用粘着シ−ト
JPH0214384B2 (nl)
JP2000281993A (ja) 半導体ウエハ加工用粘着シート
NL193617C (nl) Kleefvel voor halfgeleiders.
JPH1053746A (ja) 保護フィルム剥離方法
JPS63193981A (ja) ウエハ貼着用粘着シ−ト
JPH057168B2 (nl)
JPS62153375A (ja) ウエハダイシング用粘着シート
JPS63310132A (ja) ウエハ貼着用粘着シ−ト
JPS6254937A (ja) 半導体ウエハ−のダイシング方法

Legal Events

Date Code Title Description
A1A A request for search or an international-type search has been filed
BB A search report has been drawn up
BC A request for examination has been filed
BV The patent application has lapsed