NL8603269A - Kleefvel voor halfgeleiders. - Google Patents
Kleefvel voor halfgeleiders. Download PDFInfo
- Publication number
- NL8603269A NL8603269A NL8603269A NL8603269A NL8603269A NL 8603269 A NL8603269 A NL 8603269A NL 8603269 A NL8603269 A NL 8603269A NL 8603269 A NL8603269 A NL 8603269A NL 8603269 A NL8603269 A NL 8603269A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- adhesive
- adhesive sheet
- sheet according
- irradiation
- substrate
- Prior art date
Links
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 title claims description 226
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 title claims description 226
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 43
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 30
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 28
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 20
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 12
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims description 9
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 claims description 9
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 claims description 7
- OAZWDJGLIYNYMU-UHFFFAOYSA-N Leucocrystal Violet Chemical group C1=CC(N(C)C)=CC=C1C(C=1C=CC(=CC=1)N(C)C)C1=CC=C(N(C)C)C=C1 OAZWDJGLIYNYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 3
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 3
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 claims description 2
- 229910000323 aluminium silicate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010445 mica Substances 0.000 claims description 2
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 claims description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920003020 cross-linked polyethylene Polymers 0.000 claims 1
- 239000004703 cross-linked polyethylene Substances 0.000 claims 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 73
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 25
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 25
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 23
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 17
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 14
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 12
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 10
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 7
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 7
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 7
- 125000005442 diisocyanate group Chemical group 0.000 description 7
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 7
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 6
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 6
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 description 5
- GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylhexyl acrylate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C=C GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 4
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 4
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 4
- TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol Chemical compound OCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)CO TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 3
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 3
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 3
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 3
- MYWOJODOMFBVCB-UHFFFAOYSA-N 1,2,6-trimethylphenanthrene Chemical compound CC1=CC=C2C3=CC(C)=CC=C3C=CC2=C1C MYWOJODOMFBVCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GZBSIABKXVPBFY-UHFFFAOYSA-N 2,2-bis(hydroxymethyl)propane-1,3-diol;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OCC(CO)(CO)CO GZBSIABKXVPBFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002126 Acrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 2
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N Butylmethacrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C(C)=C SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N [2-(hydroxymethyl)-3-prop-2-enoyloxy-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CO)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- INXWLSDYDXPENO-UHFFFAOYSA-N [2-(hydroxymethyl)-3-prop-2-enoyloxy-2-[[3-prop-2-enoyloxy-2,2-bis(prop-2-enoyloxymethyl)propoxy]methyl]propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(COC(=O)C=C)(CO)COCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C INXWLSDYDXPENO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 125000000466 oxiranyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- RUELTTOHQODFPA-UHFFFAOYSA-N toluene 2,6-diisocyanate Chemical compound CC1=C(N=C=O)C=CC=C1N=C=O RUELTTOHQODFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- LIZLYZVAYZQVPG-UHFFFAOYSA-N (3-bromo-2-fluorophenyl)methanol Chemical compound OCC1=CC=CC(Br)=C1F LIZLYZVAYZQVPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWUWMCYKGHVNAV-UHFFFAOYSA-N 1,2-dihydrostilbene Chemical group C=1C=CC=CC=1CCC1=CC=CC=C1 QWUWMCYKGHVNAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHLKMGYGBHFODF-UHFFFAOYSA-N 1,4-bis(isocyanatomethyl)benzene Chemical compound O=C=NCC1=CC=C(CN=C=O)C=C1 OHLKMGYGBHFODF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KSYQGOYOIKQFNA-UHFFFAOYSA-N 1-benzyl-3-methylbenzene Chemical compound CC1=CC=CC(CC=2C=CC=CC=2)=C1 KSYQGOYOIKQFNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 10H-phenothiazine Chemical compound C1=CC=C2NC3=CC=CC=C3SC2=C1 WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SYENVBKSVVOOPS-UHFFFAOYSA-N 2,2-bis(hydroxymethyl)butyl prop-2-enoate Chemical compound CCC(CO)(CO)COC(=O)C=C SYENVBKSVVOOPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WDQMWEYDKDCEHT-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C(C)=C WDQMWEYDKDCEHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUZICZZQJDLXJN-UHFFFAOYSA-N 3-azaniumyl-4-hydroxybutanoate Chemical compound OCC(N)CC(O)=O BUZICZZQJDLXJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Diphenylmethane Diisocyanate Chemical compound C1=CC(N=C=O)=CC=C1CC1=CC=C(N=C=O)C=C1 UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical class C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSJXEFYPDANLFS-UHFFFAOYSA-N Diacetyl Chemical group CC(=O)C(C)=O QSJXEFYPDANLFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N Diisopropyl ether Chemical class CC(C)OC(C)C ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005057 Hexamethylene diisocyanate Substances 0.000 description 1
- 208000031361 Hiccup Diseases 0.000 description 1
- WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N Hydroxyethyl methacrylate Chemical group CC(=C)C(=O)OCCO WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005058 Isophorone diisocyanate Substances 0.000 description 1
- KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N Lysine Natural products NCCCCC(N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004472 Lysine Substances 0.000 description 1
- GWGWXYUPRTXVSY-UHFFFAOYSA-N N=C=O.N=C=O.CC1=CC=C(C)C=C1 Chemical compound N=C=O.N=C=O.CC1=CC=C(C)C=C1 GWGWXYUPRTXVSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQBRAHLFLCMLBA-UHFFFAOYSA-N N=C=O.N=C=O.CC1=CC=CC(C)=C1 Chemical compound N=C=O.N=C=O.CC1=CC=CC(C)=C1 UQBRAHLFLCMLBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 1
- DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane triacrylate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CC)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCZFEIZSYJAXKS-UHFFFAOYSA-N [3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound OCC(CO)(CO)COC(=O)C=C ZCZFEIZSYJAXKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005396 acrylic acid ester group Chemical group 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- JPIYZTWMUGTEHX-UHFFFAOYSA-N auramine O free base Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C(=N)C1=CC=C(N(C)C)C=C1 JPIYZTWMUGTEHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical class OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPOZNMOEPOHHSC-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCCCOC(=O)C=C BPOZNMOEPOHHSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- XXKOQQBKBHUATC-UHFFFAOYSA-N cyclohexylmethylcyclohexane Chemical compound C1CCCCC1CC1CCCCC1 XXKOQQBKBHUATC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- KORSJDCBLAPZEQ-UHFFFAOYSA-N dicyclohexylmethane-4,4'-diisocyanate Chemical compound C1CC(N=C=O)CCC1CC1CCC(N=C=O)CC1 KORSJDCBLAPZEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004043 dyeing Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N glycidyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1CO1 VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N hexamethylene diisocyanate Chemical compound O=C=NCCCCCCN=C=O RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNMQRPPRQDGUDR-UHFFFAOYSA-N hexyl prop-2-enoate Chemical compound CCCCCCOC(=O)C=C LNMQRPPRQDGUDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N isophorone diisocyanate Chemical compound CC1(C)CC(N=C=O)CC(C)(CN=C=O)C1 NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- MGNPLIACIXIYJE-UHFFFAOYSA-N n-fluoroaniline Chemical compound FNC1=CC=CC=C1 MGNPLIACIXIYJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002601 oligoester Polymers 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 229950000688 phenothiazine Drugs 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001083 polybutene Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 1
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000010186 staining Methods 0.000 description 1
- DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N toluene 2,4-diisocyanate Chemical compound CC1=CC=C(N=C=O)C=C1N=C=O DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005409 triarylsulfonium group Chemical group 0.000 description 1
- AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N triphenylmethane Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMIOJWCYOHBUJS-HAKPAVFJSA-N vorolanib Chemical compound C1N(C(=O)N(C)C)CC[C@@H]1NC(=O)C1=C(C)NC(\C=C/2C3=CC(F)=CC=C3NC\2=O)=C1C KMIOJWCYOHBUJS-HAKPAVFJSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J4/00—Adhesives based on organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond ; adhesives, based on monomers of macromolecular compounds of groups C09J183/00 - C09J183/16
- C09J4/06—Organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond in combination with a macromolecular compound other than an unsaturated polymer of groups C09J159/00 - C09J187/00
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J175/00—Adhesives based on polyureas or polyurethanes; Adhesives based on derivatives of such polymers
- C09J175/04—Polyurethanes
- C09J175/14—Polyurethanes having carbon-to-carbon unsaturated bonds
- C09J175/16—Polyurethanes having carbon-to-carbon unsaturated bonds having terminal carbon-to-carbon unsaturated bonds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
- C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
- C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L2205/00—Polymer mixtures characterised by other features
- C08L2205/03—Polymer mixtures characterised by other features containing three or more polymers in a blend
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L2666/00—Composition of polymers characterized by a further compound in the blend, being organic macromolecular compounds, natural resins, waxes or and bituminous materials, non-macromolecular organic substances, inorganic substances or characterized by their function in the composition
- C08L2666/02—Organic macromolecular compounds, natural resins, waxes or and bituminous materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L33/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L75/00—Compositions of polyureas or polyurethanes; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L75/04—Polyurethanes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
- C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
- H01L2221/68322—Auxiliary support including means facilitating the selective separation of some of a plurality of devices from the auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/901—Printed circuit
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
- Y10T428/2809—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer including irradiated or wave energy treated component
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Dicing (AREA)
Description
- 1 - ί <ί £
Kleefvel voor halfgeleiders.
Deze uitvinding betreft kleefvellen, en neer in het bijzonder kleefvellen die vooral geschikt zijn voor gebruik bij het opdelen van halfgeleider-wafers tot chips.
Halfgeleider-wafers van silicium, gallium-5 arseen, enz. worden gewoonlijk in betrekkelijk grote afmetingen gemaakt en deze wafers worden dan tot chips opgedeeld, welke daarna in een volgende stap gemonteerd worden. De halfgeleider-wafers ondergaan dit opdelen, spoelen, drogen, uitzetten, opnemen en monteren terwijl zij aan een kleefvel vastzitten.
10 Tot de kleefvellen die tot nog toe gebruikt werden bij het opdelen van halfgeleider-wafers behoren die bestaande uit een substraat van polyvinylchloride of polypropeen met daarop een laag acryl-kleefstof of iets dergelijks. Met een acryl-lijm krijgt men het probleem dat de chips op de achterkant 15 verontreinigd zijn met de kleefstof die daaraan bleef zitten.
Ondat probleem te ondervangen is een werkwijze voorgesteld waarbij men een minimale hoeveelheid kleefstof gebruikt door dat het kleefvel niet helemaal maar slechts gedeeltelijk met kleefstof bedekt wordt. Maar die werkwijze brengt het 20 nieuwe probleem met zich mee dat de wafer-chips door de zwakkere hechting na het opdelen (dus tijdens spoelen, drogen en uitzetten) van het kleefvel loslaten, ook al heeft men gemiddeld minder verontreiniging aan de chips.
Van de kleefvellen die bedoeld zijn voor 25 gébruik bij het verwerken van halfgeleider-wafers (vanaf het opdelen tot aan het oppakken) verlangt men dat ze sterk genoeg kleven om de chips tijdens het gehele verwerken vast te houden (behalve bij het oppakken) en dat de kleefkracht toch zodanig is dat geen kleefstof aan de achterkant van de overgenomen chips 30 blijft zitten.
De Amerikaanse PCT-aanvrage 80.00822 beschrijft een normaliter kleverige en voor druk gevoelige kleefstof 8803269 Ζ· % - 2- die oxiraan-ringen en. een ionogene fotoinitiator bevat, gekenmerkt door een epoxy-equivalentgewicht tussen 400 en 900 en doordat de fotoinitiator gekozen wordt onder de voor straling gevoelige aromatische oniumzouten van groepen Va en Vla, de onium-katalysa-5 toren van groepen Va, VI en Vila, de diarylhalonium-zouten in combinatie met hexafluoriden van metalen uit de groep Va en de complexe triarylsulfonium-zouten, waarvan er genoeg moet zijn om de polymerisatie van de oxiraan-ringen te bevorderen, waardoor die kleefstof bij belichting met actinische straling gemakkelijk 10 zijn kleverigheid verliest.
Verder gaan de ter inzage gelegde Japanse octrooipublikaties no.'s 196956/1985 en 223139/1985 over kleef-vellen die gezegd.worden aan de bovengenoemde eisen te voldoen, welke kleefvellen op een oppervlak een kleefstof dragen die in 15 wezen een laagmoleculaire verbinding is met per molecuul ten minste twee fotopolymeriseerbare dubbele koolstof-koolstof-bindingen welke bij belichting een driedimensioneel netwerk kan geven. Voorbeelden van de laagmoleculaire verbindingen met per molecuul ten minste twee fotopolymeriseerbare dubbele koolstof-20 koolstof-bindingen zijn trimethylolpropaantriacrylaat, tetramethylolmethaantetraacrylaat, pentaerythritoltriacrylaat, pentaerythritoltetraacrylaat, dipentaerythritolmonohydroxy-pentaacrylaat, dipentaerythritolhexaacrylaat, 1,4-butyleendi-acrylaat, 1,6-hexyleendiacrylaat, polyethyleenglycoldiacry-25 laat en commercieel verkrijgbare oligoëster-acrylaten.
Gevonden werd dat kleefvellen die bestaan uit een substraat met daarop een laag kleefstof,die in wezen een dergelijke laagmoleculaire verbinding met per molecuul ten minste twee fotopolymeriseerbare dubbele koolstof-koolstof-bindingen is, 30 de volgende problemen met zich mee brengen: (1) Een dergelijk kleefvel kan het tot op zekere hoogte uitstekend doen als de daarop te kleven halfgeleider-wafer een spiegelglad oppervlak heeft. Als het oppervlak van de wafer ruw is krijgt men echter het probleem dat zelfs bij be-35 lichting met ultraviolet de kleefkracht tussen chips en kleefvel onvoldoende omlaag gaat en dat de kleefstof toch op de achterkan- 8603269 - 3 -
Sr ί ten van de chips blijft zitten.
(2) Bij het van het kleef vel afhalen van de chips wordt de plaats van de chip met een fotosensor gevonden.
Met het genoemde kleefvel heeft men echter het probleem dat die 5 de tastende straal ook terugkaatst zodat het lokaliseren van de chip niet nauwkeurig genoeg kan gebeuren en soms faalt.
(3) Als het wafer-oppervlak dat aan het kleefvel zit om een of andere reden grijzig of zwart is krijgt men het probleem dat zelfs bij belichting van het kleefvel met ultra- 10 violet de kleefkracht in die gedeelten van de laag kleefstof die overeenkomen met de grijze of zwarte gedeelten van de wafers onvoldoende omlaag gaat en kleefstof daar dus op de achterkanten van de chips blijft zitten.
(4) In het bovengenoemde kleefvel ziet men het 15 probleem dat de kleefkracht inderdaad omlaag gaat, maar niet tot de meest geschikte waarde, en hoe groter de chip is hoe moeilijker het er van af halen wordt.
(5) Bij het opbrengen van de wafers en bij het opdelen daarvan tot chips treden trekkrachten op, en met de boven- 20 genoemde kleefvellen waarvan de basis een vel polymeer voor algemene toepassing is treden dan in het basisvel verlengingen en verbuigingen op waardoor het vel niet meer voor de wafer-box aanvaardbaar is of de ontvangen wafers in de wafer-box met elkaar in contact komen. Verder ziet men dan ook het probleem dat als 25 de kleefvellen na voltooiing van het opdelen der wafers belicht worden verlengingen en verbuigingen van de belichte kleefvellen optreedt (als dat nog niet bij het opbrengen of het opdelen gebeurde) zodat die belichte kleefvellen dan niet door de wafer-box aangenomen worden of de wel ontvangen wafers in de box met 30 elkaar contact maken.
Deze uitvinding geeft nu een oplossing voor de bovengenoemde problemen.
Een eerste aspect van deze uitvinding betreft bij voorkeur te gebruiken kleefvellen, vooral voor half-35 geleider-wafers die opgedeeld moeten worden, welke vellen zodanig zijn dat zelfs als het op te plakken wafer-oppervlak ruw is de 8603269 ΐ ΐ - 4 - kleefkracht van de kleefstof voldoende omlaag gaat wanneer die kleefvellen bij het eraf halen belicht worden en er dus geen kleefstof op de achterkanten van de chips blijft zitten.
Een tweede aspect van deze uitvinding betreft 5 bij voorkeur te gebruiken kleefvellen, vooral voor het vasthouden van op te delen halfgeleider-wafers, welke kleefvellen zodanig zijn dat bij het er af halen van de chips het lokaliseren van de chips met een fotosensor voldoende nauwkeurig kan gebeuren en het lokaliseren dus nooit faalt, en dat de kleefkracht voor het bestralen 10 met ultraviolet hoog genoeg is maar na belichting zo laag dat geen kleefstof aan de achterkant van de wafer blijft zitten, en zodanig dat iemand die het opdelen controleert gemakkelijk kan vaststellen of het kleefvel nu belicht is of niet, waardoor hikken in de bewerking worden voorkomen.
15 Een derde aspect van deze uitvinding betreft bij voorkeur voor het vasthouden van op te delen halfgeleider-wafers te gebruiken kleefvellen, welke zodanig zijn dat zelfs als het op te plakken wafer-oppervlak om de een of andere reden grijzig of zwart is, de kleefkracht daar ter plaatse bij belichting 20 voldoende omlaag gaat en er dus geen. kleefstof op de achterkant van de chip blijft zitten terwijl de kleefkracht voor de belichting toch voldoende is.
Een vierde aspect van de uitvinding betreft kleefvellen die zodanig zijn dat bij het opdelen der wafers geen 25 verlenging of verbuiging van het basisvel optreedt, en evenmin bij het belichten en zodanig dat zelfs als er bij het opdelen een kleine verbuiging optreedt deze bij de belichting van die kleefvellen weer verdwijnt zodat ze nauwkeurig door een ontvangende box aangenomen kunnen worden.
30 Een bijzonderheid van de kleefvellen volgens de uitvinding is dat de bij belichting polymeriseerbare verbinding een urethaan-acrylaat-oligomeer met een molecuulgewicht tussen 3000 en 10.000, bij voorkeur tussen 4000 en 8000 is.
Een tweede bijzonderheid van de kleefvellen 35 volgens de uitvinding is dat er in de bij belichting polymeriseer-bare kleurstof een verbinding zit waaruit bij belichting een kleurstof ontstaat.
8603269 i· * - 5 -
Een andere bijzonderheid van de kleef vellen volgens de uitvinding is dat er in de bij belichting polymeriseer-bare kleurstof een licht verstrooiende anorganische verbinding zit.
5 Nog een andere bijzonderheid van de kleef- vellen volgens de uitvinding is dat het substraat (de basis) van het kleefvel een verknoopte foelie is.
Bij deze beschrijving behoren zeven tekeningen, waarvan figuren 1 en 2 dwarsdoorsneden van kleef vellen 10 volgens de uitvinding zijn, figuren 3 t/m 6 toelichtingen zijn van het gebruik van deze kleefvellen bij het opdelen van half-geleider-wafers tot en met het er afhalen van de chips, en waarvan figuur 7 het gebruik van zo’n kleefvel bij het maskeren van beklede produkten toelicht.
15 De kleefvellen volgens deze uitvinding wor den nu aan de hand van deze figuren nader beschreven.
Zoals men uit de dwarsdoorsnede van figuur 1 ziet bestaat het kleefvel uit een substraat of basis 2 en een kleeflaag 3. Voor gebruik van dit kleefvel is het bij voorkeur 20 afgedekt met een losneembaar schutvel 4. .
Deze kleefvellen kunnen alle mogelijke vormen hebben, zoals linten, labels en andere. Voor het substraat 2 zijn materialen met lage elektrische geleidbaarheid en goede bestendigheid tegen water en warmte geschikt, en met het oog daar-25 op zijn vooral kunstharsfoelies bijzonder nuttig. Zoals nog toegelicht zal worden worden deze kleefvellen met EB of met UV belicht, en dus hoeft substraat 2 niet doorzichtig voor EB te zijn maar wel voor UV.
Praktisch gesproken zijn als substraat 2 30 foelies van kunstharsen zoals polyetheen, polypropeen, polyvinylchloride, polyetheentereftalaat, polybutyleentereftalaat, poly-buteen, polybutadieen, polyurethaan, poly(methylpenteen) en etheen-vinylacetaat-copolymeren geschikt.
Daar de vellen volgens deze uitvinding na 35 het opdelen der halfgeleider-wafers een uitzetting moeten ondergaan verdient het de voorkeur als substraat een foelie van kunst- 8603269 - 6 - hars zoals polyvinylchloride, polypropeen e.d. te gebruiken dat op gewone manier in de lengte en de breedte uitgerekt kan worden. Maar substraten die dat niet kunnen zijn ook bruikbaar bij het verwerken van halfgeleiders en bij het maskeren van automobiel-5 vormen en dergelijke, waar geen uitzetting nodig is.
Het gebruik van verknoopte foelies als substraat 2 geeft grote voordelen namelijk dat er bij het opdelen van de wafers geen verlenging of verbuiging optreedt en ook niet bij het belichten van het kleefvel, en mocht er toch een 10 kleine verbuiging optreden dan vermindert die bij het belichten van het substraat en kan het kleefvel met de opgedeelde wafers toch zonder bezwaar in een ontvangende box zonder dat men contact tussen de verschillende kleefvellen ziet optreden. Bovendien laat het vel zich na die belichting gemakkelijk uitzetten zodat 15 de chips er nauwkeurig van afgehaald kunnen worden.
De verknoopte foelies die bij voorkeur als substraat gebruikt worden zijn die verkregen door het bestralen van· kunsthars-foelies met verknoopbare plaatsen· of met verkno-pingsinitiatoren. Als de hierboven genoemde verknoopte foelies 20 zijn bruikbaar de verknoopte polyolefinen, verknoopte· poly- diënen, verknoopte etheen-vinylacetaat-copolymeren en verknoopte olefien-dieen-copolymeren.
Dergelijke bij deze uitvinding als substraten gebruikte verknoopte foelies ondergaan na het opdelen van de wafers 25 tot chips een uitzetting, en de foelies moeten dus voldoende vergrootbaar zijn om er na die behandeling de chips nauwkeurig van af te kunnen pakken.
Verder gaat er voor de substraten 2 voorkeur uit naar kunsthars-foelies met carboxyl-groepen. Voorbeelden 30 van dergelijke kunstharsen met carboxylgroepen zijn etheen-(meth)-acrylzuur- en etheen-vinylacetaat-(meth)acrylzuur-copolymeren.
Ook kan men laminaten gebruiken waarvan de ene laag een kunsthars met carboxyl-groepen en de andere een "algemeen” kunsthars zoals polyetheen, etheen-vinylacetaat-copolymeer, polypropeen, poly-35 buteen, polybutadieen, polyvinylchloride, polyurethaan of poly-(methylpenteen) is.
6603269 - 7 -
Op het beschreven substraat 2 wordt een kleeflaag 3 gebracht die uit een kleefstof en een bij bestraling polymeriseerbare verbinding bestaat.
Volgens de uitvinding gebruikt men als 5 kleefstoffen bij voorkeur acryl-kleefstoffen, hoewel een grote verscheidenheid van bekende kleefstoffen bruikbaar is. Praktisch gesproken kan men als hoofdbestanddelen homo- en copolymeren gebruiken die als voornaamste bestanddeel een acrylzuur-ester bevatten en ook mengsels daarvan. Geschikte monomeren zijn ethyl-10 methacrylaat, butylmethacrylaat, 2-ethylhexylmethacrylaat, glycidylmethacrylaat, 2-hydroxyeth.ylmethacrylaat, enz. alsmede de hiermee overeenkomstige acrylzuur-esters.
Verder kunnen de bovengenoemde polymeren, voor een betere mengbaarheid met de nog te bespreken oligomeren, 15 bovendien monomeren zoals (meth)acrylzuur, acrylonitril en vinylacetaat bevatten. De bovengenoemde als kleefstoffen te gebruiken polymeren hebben molecuulgewichten tussen 2 en 10 x 10 , bij voorkeur tussen 4 en 8 x 10^.
Volgens deze uitvinding worden als bij be-20 straling polymeriseerbare verbindingen urethaan-acrylaat- oligomeren gebruikt. De molecuulgewichten daarvan liggen tussen 3000 en 10.000, bij voorkeur tussen 4000 en 8000. Al deze molecuulgewichten zijn gemiddelde waarden, bepaald door gelpermeatie-chromatografie (GPC) met een bekend polystyreen als standaard.
25 De urethaan-acrylaat-oligomeren worden ver kregen door urethaan-voorpolymeren met isocyanaat-eindgroepen, verkregen door reactie van polyester- of polyether-polyolen met meerwaardige isocyanaten, bijvoorbeeld uit (meth)acrylaten met hydroxy-groepen zoals 2-hydroxyethylmethacrylaat, 2-hydroxy-30 propy lmethacry laat en polyethyleenmethacrylaat met 2,4- en/of 2,6-tolueendiisocyanaat, 1,4-xylyleendiisocyanaat en difenyl-methaan-4,41-diisocyanaat. De aldus verkregen urethaan-acrylaat-oligomeren hebben per molecuul ten minste één dubele koolstof-koolstof-binding en kunnen bij bestraling polymeriseren.
35 Het verdient de voorkeur geen urethaan- acrylaat-oligomeren met een molecuulgewicht beneden 3000 te ge- 8603269 - 8 - bruiken. Hoewel dat geen probleem geeft als de halfgeleider-wafers een fijn of glad oppervlak hebben gaat de hechtsterkte tussen de chips en het. kleefvel dan niet genoeg omlaag wanneer het kleefvel bestraald wordt en dan kan er kleefstof op de achterkant van de 5 chips blijven zitten als ze er afgehaald worden. Dat de kleefstof aan de achterkant van de chips blijft plakken als die een ruw oppervlak heeft wordt aan de volgende oorzaak toegechreven:
Een ruw oppervlak betekent dat er veel fijne krasjes in zitten en als het urethaan-acrylaat-oligomeer met zo'n ruw oppervlak in 10 contact gebracht wordt dringt zo'n oligomeer in· deze fijne groefjes als dat oligomeer een laag molecuulgewicht heeft. Om die reden meent men dat zelfs als zo'n oligomeer na bestraling voldoende uitgehard is de hechtsterkte hoog blijft door de verankering van de kleefstof waardoor die kleefstof hier en daar op de 15 achterkant van de chip blijft zitten.
Zo werd voor het eerst het verband tussen het molecuulgewicht van de urethaan-acrylaat-oligomeren en dit probleem gevonden, en het is bijna triviaal op te merken dat alle verbindingen die tot nog toe concreet genoemd zijn, bijvoorbeeld 20 in de bovengenoemde Japanse octrooipublikaties no.'s 196956/1985 en 223139/1985, molecuulgewichten beneden ongeveer 1500 vertonen. Dat deze verbindingen met lage molecuulgewichten tot nog toe gebruikt werden wordt toegeschreven aan de slechte toepasbaarheid van stoffen met overmatig hoge molecuulgewichten en/of aan de 25 achteruitgang van de oppervlakteglans van bekledingen uit zulke hoog moleculaire stoffen.
In dit verband: de volgens deze uitvinding te gebruiken urethaan-acrylaat-oligomeren hebben verrassend uitstekende eigenschappen, vergeleken met de laagmoleculaire ver-30 bindingen die ook ten minste twee fotopolymeriseerbare dubbele koolstof-koolstof-bindingen hebben, zoals beschreven in de Japanse octrooipublikaties no.'s 196956/1985 en 223139/1985. Bijvoorbeeld hebben kleefvellen gemaakt uit de nu aangewezen urethaan-acrylaat-oligomeren voor bestraling voldoende kleefkracht maar na bestra-35 ling zo veel minder kleefkracht dat de chips niet meer vastzitten en eenvoudig, opgenomen kunnen worden. In tegenstelling hiermee 8603269 - 9 - vertonen de met behulp van dipentaerythritolmonohydroxypenta-acrylaat gemaakte kleef vellen, beschreven in de voorbeelden van de Japanse octrooipublikatie no. 196956/1985, voor bestraling voldoende kleefkracht maar na bestraling nog steeds te veel, zo-5 dat er kleefstof op de achterkanten van de chips blijft zitten als de chips opgepakt worden.
In de laag kleefstof volgens deze uitvinding worden de acryl-kleefstof en het urethaanacrylaat-oligomeer bij voorkeur gebruikt in een gewichtsverhouding tussen 100:50 10 en 100:900. Daarmee krijgt men een kleef vel waarvan de kleefkracht aanvankelijk hoog maar na bestraling laag is.
Bij een andere uitvoeringsvorm van het kleefvel volgens deze uitvinding bevat de kleeflaag 3 ook nog een verbinding waaruit bij belichting een kleurstof ontstaat, of 15 is de basis 2 van het kleefvel aan ten minste één kant bekleed met een door belichting ontwikkelbare laag waarin bij bestraling een kleurstof ontstaat. Onder bepaalde gevallen kan die bij belichting kleurende stof in basis of substraat 2 zitten.
Bij deze uitvoeringsvorm kunnen als foto-20 polymeriseerbare stof behalve de urethaan-acrylaat-oligomeren ook de gebruikelijke, bekende bij bestraling polymeriseerbare stoffen gebruikt worden. Daartoe behoren dus (naast de urethaan-acrylaat-oligomeren) trimethylolpropaanacrylaat, tetramethylol-methaantetraacrylaat, pentaerythritoltriacrylaat, pentaery-25 thritoltetraacrylaat, dipentaerythritolmonohydroxypenta- acrylaat, dipentaerythritolhexaacrylaat, 1,4-butyleendiacrylaat, 1,6-hexyleendiacrylaat, polyethyleenglycoldiacrylaat en in de handel verkrijgbare oligoëster-acrylaten.
De door belichting ontwikkelbare laag met 30 daarin een stof waaruit een kleurstof kan ontstaan kan aan beide kanten van substraat 2 zitten, zowel aan dè kant met de kleeflaag als aan de andere kant.
De bij deze uitvinding te gebruiken stoffen waaruit een kleurstof kan ontstaan zijn voor belichting 35 kleurloos of bleek, maar geven bij bestraling een kleur, en be-voorkeurde voorbeelden van dergelijke verbindingen zijn de 8603269 '«· -10- leuco-kleurstoffen. Geschikte voorbeelden daarvan zijn de trifenylmethaan-, fluoran-, fenothiazine-, Auramine-, en spiro-pyraan-kleurstoffen. Hiertoe behoren bijv. 3-/ N-(p-tolyl-amino) 7-7-anilinofluoran, 3-/ N-(p-tolyl)-N-methylamino_7-7-5 anilinofluoran, 3-/"N-(p-tolyl)-N-ethylamino_7-7-anilinofluoran, 3-diethylamino-6-methyl-7-anilinofluoran, kristalviolet-lacton, 4,41,4 "-trisdimethylaminotrifenylmethanol, 4,41,4 "-trisdimethyl-aminotrifenylmethaan, enz.
Bij voorkeur in combinatie met de bovenge-10 noemde leuco-kleurstoffen te gebruiken ontwikkelaars zijn.al bekend, daartoe behoren de beginnende polycondensatieprodukten van fenol-formaldehyd-harsen, aromatische carbonzuur-derivaten en elektronenaccaptoren zoals geactiveerde klei, en verder, als het de bedoeling is dat de kleur na. ontwikkelen in toon varieert, 15 diverse bekende kleurvormers. in combinatie daarmee.
De bij belichting kleurende laag met daarin een in kleurstof overgaande verbinding kan op ten minste één kant van substraat 2 gebracht worden doordat substraat aan ten minste één kant te bekleden met een oplossing van die stof in een orga-20 nisch oplosmiddel.
De bij belichting kleurende laag kan gevormd worden: door de leuco-kleurstof op te nemen in een sub- ‘ preparaat en daarmee dan ten minste één kant van substraat 2 te bekleden. Hoewel het preparaat voor de sub-laag natuurlijk mee 25 bepaald wordt door de aard van substraat 2 zal dat als regel een vinylacetaat-vinylchloride-copolymeer, een polyurethaan, een polyester, een polyamide of een epoxyhars zijn.
Bij een andere uitvoeringsvorm kan deze oplossing van bij belichting kleurende stof in organisch oplosmid-30 del in substraat opgenomen worden ten tijde van de vorming van het materiaal van substraat 2 tot een vel. Onder bepaalde omstandigheden kan de tot kleurstof ontwikkelbare verbinding ook in de vorm van een fijn poeder in substraat 2 opgenomen worden.
Dankzij het opnemen van een bij belichting 35 kleurende verbinding in kleeflaag 3, het bekleden van substraat 2 aan ten minste één kant met die verbinding of door het opnemen van 8603269 - 11 - die verbinding in substraat 2 wordt het kleef vel 1 bij belichting voldoende gekleurd, waardoor het vinden van de chips met een foto-sensor nauwkeuriger wordt en het missen van één of meer chips bij het verzamelen daarvan voorkomen wordt.
5 Door de basis of substraat aan ten minste één kant met een bij belichting kleurende verbinding te bekleden krijgt men ook het voordeel dat er, vergeleken met het opnemen van zo'n verbinding in de kleeflaag 3, weinig kans op ongunstige effecten op de vermindering van de kleefkracht van laag 3 bij 10 belichting is.
Bij een andere uitvoeringsvorm van het kleefvel volgens de uitvinding zit er in de kleeflaag 3 naast de kleefstof en de bij belichting polymeriseerbare verbinding een lichtverstrooiende anorganische verbinding. Dan zijn naast de urethaan-15 acrylaat-oligomeren eerder bekende bij belichting polymeriseerbare stoffen ook bruikbaar.
De genoemde lichtverstrooiende anorganische stoffen zijn materialen die ultraviolette of elektronen-straling onregelmatig kunnen verstrooien; hiertoe behoren bijvoorbeeld 20 kwarts, aluminiumoxyde, aluminosilicaat en mica. Deze anorganische stoffen verstrooien bij voorkeur het licht volledig, maar natuurlijk zijn stoffen die de straling een beetje absorberen ook bruikbaar.
Bij voorkeur verkeren de lichtverstrooiende 25 anorganische stoffen in de vorm van een poeder met een doorsnede tussen 1 en 100 ^im, bij voorkeur tussen 1 en 20 jw. Daarvan bevat de kleeflaag bij voorkeur 0,1 tot 10 gew.%, nog beter 1 tot 4 gew.%. Toepassing van meer dan 10 gew.% lichtverstrooier verdient geen aanbeveling daar dit soms de kleefkracht verlaagt, en 30 aan de andere kant is minder dan 1 gew.% ook niet aan te raden daar er dan in de gedeelten die overeenkomen met de grijze of zwarte gedeelten van de wafer-oppervlakken dan onvoldoende verlaging van de kleefkracht kan optreden, zodat dan toch nog kleefstof op de achterkanten der chips zou kunnen achterblijven.
35 Zelfs als het oppervlak van een halfgeleider- wafer om de één of andere reden wat grijs of zwart is gaat zijn 8803260 $ -<ί - 12 - hechting, als er in de kleef laag zo'n lichtverstrooiende stof zit en hij belicht wordt, voldoende omlaag, ook in die gedeelten die overeenkomen met de grijze of zwarte gedeelten van het wafer-oppervlak, en een verklaring daarvan is wellicht het volgende: 5 De grijze en zwarte gebieden van het wafer-oppervlak absorberen de invallende straling, die daardoor zijn uithardende werking onvoldoende kan uitoefenen. Maar als er lichtverstrooiend poeder in de kleeflaag zit komt er ook zijdelings straling bij die gedeelten die overeenkomen met zwarte en grijze stukken wafer-oppervlak, 10 en in dat geval zal de uitharding ook daar niet onvoldoende zijn en de kleefkracht ook daar voldoende afnemen.
Verder kan de aanvankelijke kleefkracht van de kleeflaag op elk gewenst peil gebracht worden door er een uit-harder van het isocyanaat-type in op te nemen. Ms uitharders van 15 het isocyanaat-type zijn meerwaardige isocyanaten mogelijk, bijvoorbeeld 2,4-tolueendiisocyanaat, 2,6-tolueendiisocyanaat, 1,3-xyleendiisocyanaat, 1,4-xyleendiisocyanaat, difënylmethaan-4,4' -diisocyanaat, difenylmethaan-2.,-4' -diisocyanaat, 3-methyl-difenylmethaandiisocyanaat, hexamethyleendiisocyanaat, isoforon-20 diisocyanaat, dicyclohexyl-methaan-4,4'-diisocyanaat, dicyclo-hexylmethaan-2,4'-diisocyanaat en lysine-isocyanaat.
Verder kan· er in deze kleeflaag een UV-hardingsinitiator opgenomen worden, waardoor bij. bestraling met UV de polymerisatietijd korter en de benodigde hoeveelheid straling 25 kleiner wordt,. Concrete voorbeelden van, dergelijke hardings- initiatoren zijn benzolen en de methyl-, ethyl- en isopropylethers daarvan, benzyldifenylsulfide, tetramethylthiurammonosulfide, azob'isisobutyronitril, dibenzyl, diacetyl, β-chlooranthrachinon, enz.
30 De toepassing van het kleefvel volgens de uitvinding gebeurt op deze wijze:
Als er een aftrekbaar schutvel 4 op het kleefvel 1 zit wordt dat schutvel 4 eerst verwijderd en wordt het kleefvel 1 neergelegd met de kleeflaag 3 naar boven. Hierop komt 35 dan de halfgeleider-wafer A die opgedeeld moet worden. De wafer A ondergaat nu het opdelen, afspoelen, drogen en uitzetten, voor zo- 8603269 ··"* 'S.
- 13 - ver nodig. De ontstaande chips vallen er niet vanaf omdat de kleefkracht van laag 3 dan nog groot genoeg is.
Vervolgens worden de chips van het kleef-vel 1 afgenomen en op een geschikte drager gemonteerd. Daartoe 5 wordt eerst de kleeflaag 3 van kleefvel 1 bestraald met elek-trodissociërende straling B van ultraviolet of een elektronen-straal; hierdoor hardt de bij belichting polymeriseerbare verbinding in kleeflaag 3 uit. Door dit uitharden neemt de kleefkracht van laag 3 sterk af en blijft er slechts weinig kleef-10 kracht over. De bestraling van kleefvel 1 gebeurt bij voorkeur van die kant waarop geen kleeflaag 3 zit. Substraat of basis 2 moet dan ook voor straling doorzichtig zijn indien UV toegepast wordt, maar bij gebruik van elektronenstralen is dat niet beslist nodig.
15 Op de beschreven wijze worden gedeelten van de kleeflaag 3 waarop chips A^, ......zitten bestraald waar door de kleefkracht van kleeflaag omlaag gaat. Daarna gaat het kleefvel naar een (niet afgebeeld) overnamestation waar chip A^......op de gebruikelijke wijze van onderen door een duw- 20 staaf 5 opgetild wordt, en de opgeduwde chips A^, A2·*.... worden opgenomen, bijvoorbeeld met behulp van een luchtpincet, en worden dan op een bepaald substraat gemonteerd. Dankzij de uitvinding kunnen alle chips A^, A2-........op die manier opgenomen worden zonder dat er enige kleefstof op hun achterkanten achter-25 blijft. Verder kan het bestralen even goed in het overname-station gebeuren.
Het is niet nodig dat het hele oppervlak van kleefvel met chips in één keer bestraald wordt, dit kan in meerdere keren in gedeelten gebeuren; bijvoorbeeld kan slechts een 30 klein deel van substraat 2 van onderen af bestraald worden waardoor één of enkele chips Α^, A2·. .......zich onder opduwen van onderen af laten wegnemen.
Figuur 6 toont een modificatie van de be-stralingsopstelling, waarbij de duwstaaf 5 hol is en de stralings-35 bron 7 binnen in die duwstaaf 5 zit, zodat bestralen en opduwen tegelijkertijd kunnen gebeuren, de inrichting eenvoudiger wordt 8603269 V X.
- 14 - en tevens de tijd voor het overnemen bekort kan worden.
Dit overnemen van de chips , Aj ♦.....kan direct na opdelen, afspoelen en drogen gebeuren, ook zonder dat het dragende kleefvel uitgezet wordt.
5 Hoewel het opwerken van halfgeleider-wafers de eerste toepassing is die voor onderhavige kleefvellen in gedachten komt kunnen die ook gebruikt worden voor het maskeren van een te bekleden voorwerp. Zoals in figuur 7 getoond is kan men op een gedeelte 9 van een te bekleden voorwerp (bijvoorbeeld een 10 onderdeel van een automobiel) dat niet bekleed moet worden een kleefvel 1 volgens deze uitvinding aanbrengen, en vervolgens bekleding 10 over het geheel heen. Daarna wordt kleefvel 1 van bovenaf bestraald, waardoor de kleefkracht van dat kleefvel 1 omlaag gaat en kan dat kleefvel met de ongewenste bekleding 8 15 weggenomen worden. Op die wijze krijgt men een uitstekend effect en blijft er geen kleefstof op het oppervlak van het te bekleden voorwerp 8 zitten.
Deze uitvinding wordt nu door de volgende voorbeelden toegelicht, welke geenszins beperkend opgevat mogen 20 worden.
In deze voorbeelden werd de kleefkracht steeds bepaald volgens JIS-Z0237; daartoe wordt een 25 mm breed monster in een kamer van 23° en 65 % relatieve vochtigheid met een snelheid van 300 mm/min. over een hoek van 180° afgetrokken. De 25 oppervlakte-ruwheid in thermen van gemiddelde centerlijn-ruwheid Ra (in^im) werd steeds bepaald volgens JIS B0601-1976 met behulp van een Universal Surface Profile Tester Model SE-3A van de firma Kosaka Seisakusho K.K.
Voorbeeld 1 30 Een preparaat voor een kleeflaag werd aan gemaakt uit 100 dln copolymeer van n-butylacrylaat en 2-ethyl-hexylacrylaat, 100 dln urethaan-acrylaat-oligomeer met een molecuulgewicht van ongeveer 7000 (een produkt van Daiïchi Seika Kogyo K.K., verkocht onder de handelsnaam "Seikabeam PU-4"), 35 10 dln uitharder (van het diisocyanaat-type) en 4 dln UV-hardings- initiator (van het benzofenon-type). Een polyprope e nf o e1ie van 8603269 - IS - 80 ji dikte werd tot een dikte van 10 ^im met dit preparaat bekleed, en het geheel werd 1 minuut op 100°C verhit, waarmee men een kleef vel had.
Op de klevende kant van dit vel werd een 5 siliciumwafer met een betrekkelijk ruw oppervlak (Ra = 0,27) aangebracht, en de kleefkracht van de wafer aan het vel bleek 410 g per 25 mm te zijn.
Daarna werd het kleefvel met de wafer 1 sec. bestraald met UV uit een met lucht gekoelde hogedrukkwiklamp 10 (80 w/cm, op een afstand van 10 cm). Na deze bestraling was de kleefkracht tussen vel en wafer nog maar 24 g per 25 mm. Voor zover het met het blote oog te beoordelen was zat er helemaal geen kleefstof meer aan de achterkant van de losgepelde siliciumwafer.
15 Een zelfde siliciumwafer op het kleefvel van dit voorbeeld werd opgedeeld tot chips van 5 mm2, en· na bestraling met UV werden de chips opgenomen, waarbij 100 van de 100 chips overgingen.
Voorbeeld 2 20 Een preparaat voor een kleeflaag werd aan gemaakt uit 100 dln copolymeer van 2-ethylhexylacrylaat en acrylonitril, 200 dln urêthaan-acrylaat-oligomeer met een mole-cuulgewicht van ongeveer 7000 (produkt van Daiichi Seika Kogyo K.K. onder de handelsnaam "Seikabeam PU-4”), 10 dln uitharder 25 (van het diisocyanaat-type) en 4 dln UV-hardingsinitiator (van het benzofenon-type). Het aldus gemaakte preparaat werd tot een dikte van 10 ^im gestreken op een polypropeenfoelie van 80 ^im dikte, en het geheel werd 1 minuut op 100°C verhit, waarmee men een kleefvel had.
30 Op dit kleefvel werd een siliciumwafer met een oppervlakteruwheid van Ra = 0,27 gebracht, en de hechtsterkte tussen wafer en kleefvel werd voor en na bestraling met UV bepaald; voor de bestraling was het 230 g per 25 mm en na bestraling 21 g per 25 mm.
35 Voor zover het met het oog te beoordelen was zat er helemaal geen kleefstof meer op de achterkant van de 8603269 .4* *·- - 16 - losgepelde wafer.
Een zelfde siliciumwafer op een zelfde kleef-vel werd na bestraling met uv opgedeeld tot chips van 5 mm2, en deze werden met een rendement van 100 uit 100 overgenomen.
5 Vergelijkend voorbeeld 1
Op een zelfde wijze als in voorbeeld 2 werd een preparaat voor een kleef laag aangemaakt', behalve dat in plaats van het urethaan-acrylaat-oligomeer 100 dln pentaerythritol-acrylaat met een molecuulgewicht van ongeveer 580 gebruikt werd; 10 de ruwheid van de siliciumwafer was hier ook Ra = 0,27.
Voor en na bestraling met UV werd de kleef-sterkte bepaald; deze was resp’. 700 g en 100 g per 25 mm.
De siliciumwafer op het kleefvel werd na de bestraling met UV tot chips van 5 mm2 opgedeeld, en deze werden 15 toen overgedragen; bij één uit de 100 chips mislukte dat.
Voorbeeld 3
Voorbeeld l werd herhaald, behalve dat nu een siliciumwafer met een fijn oppervlak werd gebruikt, Ra = 0,04. Voor en na bestraling met UV werd de hechtsterkte tussen wafer 20 en kleefvel bepaald, men vond resp. 150 g en 6 g per' 25 mm. Voorbeeld 4
Voorbeeld 2 werd herhaald, behalve dat nu een siliciumwafer met glad oppervlak, Ra = 0.,04, gebruikt werd.
De hechtsterkte tussen wafer en kleefvel. voor en na UV bestraling 25 was resp. 50 g en 4 g per 25 mm.
Vergelijkend voorbeeld 2
Vergelijkend voorbeeld 1 werd herhaald, behalve dat nu een siliciumwafer met een fijn oppervlak, Ra = 0,04, gebruikt, werd. De kleefsterkte tussen wafer en kleefvel was voor 30 en na UV bestraling resp. 490 g en 15 g per 25 mm. Aan de achterkant van de wafer zat, na het lospellen van het kleefvel, echter nog wel wat kleefstof.
Vergelijkend voorbeeld 3
Een preparaat voor een kleeflaag werd aan-35 gemaakt uit 100 dln copolymeer van n-butylacrylaat. en 2-ethylhexyl-acrylaat, 100 dln urethaan-acrylaat-oligomeer (een produkt van 8503269 > .¾ - 17 -
Daiichi Seika Kogyo K.K., verkocht onder de handelsnaam "EX 808") met gemiddeld molecuulgewicht van ongeveer 1100 (bepaald door gel-permeatie-chromatografie met polystyreen van bekend molecuulgewicht als standaard), 10 din uitharder (van het dilsocyanaat-5 type) en 4 din UV-hardingsinitiator (van het benzofenon-type).
Overeenkomstig voorbeeld 1 werd er een kleef-vel van gemaakt en hierop werd een siliciumwafer.met betrekkelijk ruw oppervlak. Ra = 0,27, geplakt. Voor. en na bestraling met UV was de hechtsterkte resp. 320 g en 75 g per 25 mm.
10 Een zelfde siliciumwafer op een zelfde kleef- laag werd tot chips van 5 mm* opgedeeld en na bestraling met üV werden de chips overgedragen, dit gebeurde echter met slechts 30 van de 100 chips.
Voorbeeld 5 15 Een preparaat voor een kleeflaag werd aan gemaakt uit 100 din copolymeer van n-butylacrylaat en acrylzuur, 100 dln urethaan-acrylaat-oligomeer (een produkt van Daiïchi Seika Kogyo K.K., verkocht onder de handelsnaam "Seikabeam EX 808"), 25 dln uitharder (van het diisocyanaat-type), 10 dln UV-hardings-20 initiator (van het benzofenon-type) en ook nog 5 dln tris(4-di-methylaminofenyl)methaan of leuco-kleurstof. Dit preparaat werd tot een dikte van 10 ^ua gebracht op een polyetheenfoelie van 80 jxm. dikte, en het geheel werd 1 minuut op 100eC verhit, wat een kleef-vel gaf.
25 De kleeflaag van dit kleefvel werd 2 seconden bestraald met UV uit een met lucht gekoelde hogedrukkwiklamp (80 W/cm, op 10 cm afstand). Door deze UV-bestraling kreeg het aanvankelijk doorzichtige kleefvel een blauw purperen kleur. Voor en na de UV-bestraling werd met een SM-kleurcomputer (gemaakt en 30 verkocht, door Suka Testers K.K.) het kleurverschil E (L* a* B* ) gemeten; gevonden werd een kleurverschil van 26.8.
Een op deze kleeflaag geplakte siliciumwafer werd tot chips opgedeeld en met UV bestraald, onder de eerder beschreven omstandigheden waarbij men met een fotosensor de chips 35 kan lokaliseren (de sensor was een SX-23R van Thanks K.K.) en hiermee konden de chips gemakkelijk gevonden worden en er werd bij 8603269 - 18 - het oppakken geen vergissing gemaakt.
Vergelijkend voorbeeld 4
Overeenkomstig voorbeeld 5 werd een kleef-vel aangemaakt, behalve dat nu geen bij belichting kleurvormende 5 verbinding gebruikt werd, en bij het meten van het kleurverschil voor en na UV-bestraling werd een kleurverschil E (L+ a* b*) van minder dan 2,0 gevonden; m.a.w. er was geen kleurverschil.
Op het klevende oppervlak van dit kleefvel werd een siliciumwafer aangebracht, deze werd tot chips opge-10 deeld en daarna werd met UV bestraald. Maar de chips waren niet allemaal goed te vinden en bij het oppakken werd een aantal vergissingen gemaakt.
Voorbeeld 6
Op de wijze van voorbeeld 5 werd een kleef-15 vel gemaakt, behalve dat in plaats van het urethaan-acrylaat- oligomeer oentaerythritolacrylaat met een molecuulgewicht van ongeveer 580 gebruikt werd. Bij het meten van het kleurverschil voor en na bestraling met UV werd een kleurverschil van 25,0 gevonden.
Op de klevende kant van dit kleefvel werd 20 een siliciumwafer aangebracht. Na opdelen van de wafer tot chips werd het geheel met UV bestraald onder omstandigheden waarbij men de chips met een fotosensor kon lokaliseren. De chips lieten zich zonder mankeren vinden en bij het oppakken werd er geen enkele vergissing gemaakt.
25 Voorbeeld 7
Aan 100 gew.dln preparaat voor tussenlaag, dat hoofdzakelijk uit een vinylacetaat-vinylchloride-copolymeer bestond, werden 5 gew.dln tris(p-dimethylaminofenyl)methaan als leuco-kleurstof toegevoegd. Op een polyethyleentereftalaatfoelie 30 van 50 ^un dikte werd dit preparaat aangebracht, zodanig dat er na drogen een bekleding van 1-2 ^um was.
Op deze basis met tussenlaag werd een mengsel aangebracht van 100 gew.dln acryl-kleurstof (een copolymeer van n-butylacrylaat en acrylzuur), 100 gew.dln urethaan-acrylaat-35 oligomeer met een molecuulgewicht van 3000-10.000, 25 gew.dln van een uitharder (van het diisocyanaat-type) en 10 gew.dln UV-har- 8603269 - 19 - ^ *β dingsinitiator (van het benzofenon-type), en wel zodanig dat er na drogen een bekleding ter dikte van 10 ^un was. Het geheel werd 1 minuut op 100°C verhit, wat een kleefvel volgens de uitvinding gaf.
5 De klevende kant van het aldus gemaakte vel werd 2 seconden bestraald met ultraviolet uit een met lucht gekoelde hogedrukkwiklamp (80 W/cm, op 10 cm afstand). Hierdoor werd het aanvankelijk doorzichtige vel blauw purper. Een kleurverschil E (Ir* a* b*) voor en na UV-bestraling werd met de eerder 10 genoemde SM kleurcomputer (van de firma Suga Testers K.K.) gemeten en bleek 21,6 te bedragen.
Toen een siliciumwafer op dit kleefvel gebracht en vervolgens tot chips opgedeeld werd kon men bij UV-bestraling onder de bovengenoemde omstandigheden de chips gemakke-15 lijk met een fotosensor vinden, en bij het overbrengen werd er geen enkele vergissing gemaakt.
Vergelijkend voorbeeld 5
Op dezelfde wijze als bij voorbeeld 7, behalve dat de onderlaag nu geen verbinding bevatte die bij UV-20 bestraling een kleurstof vormt. Het kleurverschil voor en na UV-bestraling werd gemeten en bleek minder dan 2,0 te zijn; er was dus geen kleurvorming.
Verder werd een siliciumwafer op de kleef-laag gehecht en daar tot chips opgedeeld. Vervolgens werd met UV 25 bestraald terwijl de chips met een fotosensor gelokaliseerd werden; in sommige gevallen lukte dit echter onvoldoende. Bij het overbrengen onder begeleiding van de fotosensor werd er dan ook in een aantal gevallen misgegrepen.
Voorbeeld 8 30 Een preparaat voor een kleeflaag werd aan
gemaakt uit 100 din copolymeer van n-butylacrylaat en 2-ethyl-hexylacrylaat, 100 dln urethaan-acrylaat-oligomeer met een mole-cuulgewicht van ongeveer 7000 (het produkt "Seikabeam PU-4" van Daiichi Seika Kogyo K.K.), 1 gew.dl diisocyanaat uitharder 35 en 3 dln UV-hardingsinitiator (van het benzofenon-type). In dit mengsel werden ook nog 2,5 gew.dln fijn kwarts opgenomen ("0K-412U
8803269 * ·*.
- 20 - van de firma Degussa).
Eén kant van een polypropeenfoelie van 80 ^im dikte werd zodanig met dit preparaat bestreken dat er na drogen een bekleding van 10 ^im was. Het geheel werd 1 minuut 5 op 100°C verhit, waarmee men een kleefvel had.
Op de klevende kant van dit vel werd. als denkbeeldige siliciumwafer een zwarte plaat melamine van ongeveer dezelfde afmetingen als een siliciumwafer gebracht, en de kleef-sterkte tussen melamineplaat en kleefvel werd bepaald op 1500 10 g per 25 mm.
Vervolgens werd de klevende kant van dit kleefvel 1 seconde belicht met uv-straling uit een met lucht gekoelde hogedrukkwiklamp (80 W/cm, op 10 cm afstand). Daarna werd de kleefkracht tussen melamineplaat en kleefvel opnieuw gemeten, 15 nu werd 15-20 g per 25 mm gevonden.
Toen de achterkant van de afgepelde melamineplaat goed bekeken werd kon men daarop helemaal geen achtergelaten kleefstof vinden.
Vergelijkend voorbeeld 6 2Ó Op de wijze van voorbeeld 8 werd een kleef vel gemaakt, behalve dat er geen fijn kiezelzuur in opgenomen werd. De kleefkracht tussen zwarte plaat, melamine en kleefvel was voor en na bestraling met UV resp. 1700 g en 500-1000 g per 25 mm.
De achterkant van de zwarte plaat melamine 25 bevatte, nadat het kleefvel er af gepeld was, nog duidelijk resten kleefstof.
Voorbeeld 9
Op de wijze van voorbeeld 8 werd een kleefvel gemaakt, behalve dat in plaats van het urethaan-acrylaat-30 oligomeer dipentaerythritolmonohydroxypentaacrylaat met molecuul-gewicht 700 gebruikt werd. Voor en na bestraling met ÜV werd de kleefkracht gemeten; gevonden werd resp. 1400 g en 80 g per .25 mm. Op de achterkant van de zwarte plaat melamine werden, nadat het kleefvel er af gepeld was, geen resten kleefstof gevonden.
35 Voorbeeld 10
Voorbedd 8 werd herhaald, behalve dat als 8803269 - 21 - denkbeeldige siliciumwafer een witte plaat melamine gebruikt werd. Op de bekende wijze werden weer de kleefsterkten voor en na bestraling met UV bepaald; gevonden werden resp. 1700 g en 6 g per 25 mm.
5 Bij inspectie met het oog werden op de ach terkant van de witte plaat melamine, na het afpellen van het kleef-vel, geen resten kleefstof gevonden.
Voorbeeld 11
Voorbeeld 9 werd herhaald, behalve dat als 10 denkbeeldige siliciumwafer een witte plaat melamine gebruikt werd. Op de bekende wijze werd weer de kleefkracht voor en na UV-bestra-ling bepaald? men vond resp. 1400 g en 30 g per 25 mm. Bij het bekijken van de achterkant van de witte plaat melamine vond men geen resten kleefstof terug.
15 Vergelijkend voorbeeld 7
Vergelijkend voorbeeld 6 werd herhaald, behalve dat als denkbeeldige siliciumwafer nu een witte plaat melamine gebruikt werd. Op de bekende wijze werd de kleefkracht voor en na bestraling met üV bepaald; men vond resp. 1700 g en 9 g per 20 25 mm.
Voorbeeld 12
Een preparaat voor een kleeflaag werd aangemaakt uit 100 gew.dln n-butylacrylaat-acrylzuur-copolymeer, 100 gew.dln urethaan-acrylaat-oligomeer met een molecuulgewicht 25 van 3000-10.000, 25 gew.dln uitharder (van het diisocyanaat- type) en 10 gew.dln üV-hardingsinitiator (van het benzofenon-type). Hiermee werd een 50 jm dik foelie van polyethyleentereftalaat bekleed, zodanig dat de bekleding na drogen 10 ƒιm dik was. Het geheel werd 1 minuut op 100°C verhit, waardoor men een kleefvel had.
30 Op de klevende kant van het aldus gemaakte vel werd een siliciumwafer aangebracht en opgedeeld, en daarna werd de toestand van het kleefvel op het oog beoordeeld; enige afwijking of afbuiging werd werd waargenomen. Alle op deze wijze gemaakte kleefvellen konden gemakkelijk in een daarvoor bestemde 35 box. Daarna kon men tussen de vellen geen contact vaststellen.
Zelfs na bestraling met UV werd in de vellen geen afwijking, 8603259 -22- uitbuiging of iets dergelijks waargenomen, en de vellen konden zonder bezwaar boven op elkaar liggen. Verder ondergingen de vellen bij het oppakken van de chips gemakkelijk uitzetting, waardoor het met een sensor begeleide oppakken vlot en nauwkeurig verliep.
5 Vergelijkend voorbeeld- 8
Op de wijze van voorbeeld 12 werd een kleef-vel aangemaakt, behalve dat het als substraat gebruikte poly-etheen niet door elektronenbestraling verknoopt was. Op de klevende kant van het kleefvel werd een siliciumwafer aangebracht en tot 10 chips opgedeeld, en daarna werd met uv bestraald. Na elke bewerking stelde men verbuigingen van het vel vast en door het wederzijdse contact tussen de kleefvellen in een box had men problemen. Verder stelde men bij het oppakken van de chips vergissingen vast, welke te wijten waren aan de verbuigingen van het substraat.
15 20 8603269
Claims (28)
1. Kleefvel bestaande uit een substraat met op één kant een bekleding die een kleefstof en een bij bestraling 5 polymeriseerbare stof bevat, met het kenmerk, dat de bij bestraling polymeriseerbare stof een urethaan-acrylaat-oligomeer met een molecuulgewicht tussen 3000 en 1000 is.
2. Kleefvel volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat het urethaan-acrylaat-oligomeer een molecuulgewicht 10 tussen 4000 en 8000 heeft.
3. Kleefvel bestaande uit een substraat met daarop een bekleding die een kleefstof en een bij bestraling polymeriseerbare stof bevat, met het kenmerk, dat er in de kleeflaag een verbinding zit waaruit zich bij bestraling een kleurstof 15 vormt.
4. Kleefvel volgens conclusie 3, met het kenmerk, dat de stof waaruit zich bij bestraling een kleurstof vormt een leuco-kleurstof is.
5. Kleefvel volgens conclusie 4, met het 20 kenmerk, dat de leuco-kleurstof tris(4-dimethylaminofenyl)methaan is.
6. Kleefvel volgens conclusie 3, met het kenmerk, dat de bij bestraling polymeriseerbare stof een urethaan-acrylaat-oligomeer is.
7. Kleefvel volgens conclusie 6, met het kenmerk, dat de bij bestraling polymeriseerbare stof een urethaan-acrylaat-oligomeer met een molecuulgewicht tussen 3000 en 10.000 is.
8. Kleefvel bestaande uit een substraat met daarop een kleeflaag die een kleefstof en een bij bestraling poly- 30 meriseerbare stof bevat, met het kenmerk, dat ten minste één kant van het substraat bekleed is met een stof waaruit zich bij belichting een kleurstof vormt.
9. Kleefvel volgens conclusie 8, met het kenmerk, dat de stof waaruit zich bij belichting een kleurstof 35 vormt een leuco-kleurstof is.
10. Kleefvel volgens conclusie 9, met het 8503269 : -2^- > ** kenmerk, dat de leuco-kleurstof tris(4-dimethylaminofenyl)methaan is.
11. Kleefvel volgens conclusie 8, met het kenmerk, dat de bij bestraling polymeriseerbare stof een urethaan- 5 acrylaat-oligomeer is.
12. Kleefvel volgens conclusie 11, met het kenmerk, dat de bij bestraling polymeriseerbare stof een urethaan-acrylaat-oligomeer met een molecuulgewicht tussen 3000 en 10.000 is.
13. Kleefvel bestaande uit een substraat met daarop een kleeflaag die een kleefstof en een bij bestraling polymeriseerbare stof bevat, met het kenmerk, dat in het substraat een stof opgenomen is waaruit zich bij belichting een kleurstof vormt.
14. Kleefvel volgens conclusie 13, met het kenmerk, dat de stof waaruit zich bij belichting een kleurstof vormt een leuco-kleurstof is.
15. Kleefvel volgens conclusie 14, met het kenmerk, dat de leuco-kleurstof tris(4-dimethylaminofenyl)methaan 20 is..
16. Kleefvel-volgens conclusie 13, met het kenmerk, dat de bij bestraling polymeriseerbare stof een urethaan-acrylaat-oligomeer is.
17. Kleefvel volgens conclusie 16, met het 25 kenmerk, dat de bij bestraling polymeriseerbare stof een urethaan- acrylaat-oligomeer met een molecuulgewicht tussen 3000 en 10.000 is.
18. Kleefvel bestaande uit een substraat met daarop een kleeflaag die een kleefstof en een bij bestraling 30 polymeriseerbare stof bevat, met het kenmerk, dat in de kleeflaag een licht verstrooiend anorganisch poeder opgenomen is.
19. Kleefvel volgens conclusie 18, met het kenmerk, dat het licht verstrooiende anorganische poeder kwarts, aluminiumoxyde, aluminosilicaat of mica is.
20. Kleefvel volgens conclusie 18, met het kenmerk, dat de bij bestraling polymeriseerbare stof een urethaan- 8093260 - 25*- acrylaat-oligomeer is.
21. Kleefvel volgens conclusie 20, met het kenmerk, dat de bij bestraling polymeriseerbare stof een urethaan-acrylaat-oligomeer met een molecuulgewicht tussen 3000 en 10.000 5 is.
22. Kleefvel voor wafers, bestaande uit een substraat met daarop een kleeflaag die een kleefstof en een bij bestraling polymeriseerbare stof bevat, met bet kenmerk, dat het substraat een verknoopte foelie is.
23. Kleefvel volgens conclusie 22, met het kenmerk, dat de verknoopte foelie een foelie van verknoopt poly-olefien is.
24. Kleefvel volgens conclusie 23, met het kenmerk, dat het verknoopte polyolefien verknoopt polyetheen is.
25. Kleefvel volgens conclusie 24, met het kenmerk, dat de bij bestraling polymeriseerbare stof een urethaan-acrylaat-oligomeer met een molecuulgewicht tussen 3000 en 10.000 is.
26. Kleefvel voor wafers, bestaande uit een 20 substraat met daarop een kleeflaag die een kleefstof en een bij bestraling polymeriseerbare stof bevat, met het kenmerk, dat het substraat een foelie van een kunststof is waarvoor een monomeer met een carboxyl-groep de voornaamste bouwsteen was.
27. Kleefvel volgens conclusie 26, met het 25 kenmerk, dat het kunsthars van de foelie een copolymeer van etheen met (meth)acrylzuur is.
28. Kleefvel volgens conclusie 26 of 27, met het kenmerk, dat de bij bestraling polymeriseerbare stof een urethaan-acrylaat-oligomeer met een molecuulgewicht tussen 3000 30 en 10.000 is. -o—o—o-o— §303269
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL9302150A NL193617C (nl) | 1985-12-27 | 1993-12-09 | Kleefvel voor halfgeleiders. |
Applications Claiming Priority (12)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29519085 | 1985-12-27 | ||
JP29518885 | 1985-12-27 | ||
JP29518985 | 1985-12-27 | ||
JP60295189A JPS62153376A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | ウェハダイシング用粘着シート |
JP60295190A JPS62153377A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | ウェハダイシング用粘着シート |
JP60295188A JPS62153375A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | ウエハダイシング用粘着シート |
JP61045786A JPS62205180A (ja) | 1986-03-03 | 1986-03-03 | 粘着シ−ト |
JP4578586 | 1986-03-03 | ||
JP4578686 | 1986-03-03 | ||
JP61045785A JPS62205179A (ja) | 1986-03-03 | 1986-03-03 | ウエハ貼着用粘着シ−ト |
JP61161680A JPS6317980A (ja) | 1986-07-09 | 1986-07-09 | ウエハ貼着用粘着シ−ト |
JP16168086 | 1986-07-09 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL8603269A true NL8603269A (nl) | 1987-07-16 |
NL191241B NL191241B (nl) | 1994-11-01 |
NL191241C NL191241C (nl) | 1995-04-03 |
Family
ID=27550204
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL8603269A NL191241C (nl) | 1985-12-27 | 1986-12-23 | Kleefvel voor halfgeleiders. |
NL9302148A NL9302148A (nl) | 1985-12-27 | 1993-12-09 | Kleefvel voor halfgeleiders. |
NL9302149A NL9302149A (nl) | 1985-12-27 | 1993-12-09 | Kleefvel voor halfgeleiders. |
NL9302147A NL9302147A (nl) | 1985-12-27 | 1993-12-09 | Kleefvel voor halfgeleiders. |
Family Applications After (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL9302148A NL9302148A (nl) | 1985-12-27 | 1993-12-09 | Kleefvel voor halfgeleiders. |
NL9302149A NL9302149A (nl) | 1985-12-27 | 1993-12-09 | Kleefvel voor halfgeleiders. |
NL9302147A NL9302147A (nl) | 1985-12-27 | 1993-12-09 | Kleefvel voor halfgeleiders. |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US4756968A (nl) |
KR (1) | KR910007086B1 (nl) |
DE (1) | DE3639266A1 (nl) |
FR (1) | FR2592390B1 (nl) |
GB (1) | GB2184741B (nl) |
HK (4) | HK105792A (nl) |
MY (2) | MY100214A (nl) |
NL (4) | NL191241C (nl) |
PH (1) | PH23580A (nl) |
SG (1) | SG114492G (nl) |
Families Citing this family (68)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3581514D1 (de) * | 1984-05-29 | 1991-02-28 | Mitsui Toatsu Chemicals | Film zur behandlung von halbleiterwaffeln. |
US5187007A (en) * | 1985-12-27 | 1993-02-16 | Lintec Corporation | Adhesive sheets |
DE3639266A1 (de) * | 1985-12-27 | 1987-07-02 | Fsk K K | Haftfolie |
EP0298448B1 (en) * | 1987-07-08 | 1994-06-29 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Radiation-curable adhesive tape |
US5149586A (en) * | 1987-07-08 | 1992-09-22 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Radiation-curable adhesive tape |
US5281473A (en) * | 1987-07-08 | 1994-01-25 | Furakawa Electric Co., Ltd. | Radiation-curable adhesive tape |
US5326605A (en) * | 1987-10-22 | 1994-07-05 | Nichiban Company, Limited | Reactive pressure sensitive adhesive composition, sealer tape, sheet or molding by use thereof |
JPH0715893B2 (ja) * | 1988-07-14 | 1995-02-22 | 株式会社東芝 | ドーパントフイルムおよび半導体基板の不純物拡散方法 |
US5024867A (en) * | 1987-10-28 | 1991-06-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Dopant film and methods of diffusing impurity into and manufacturing a semiconductor wafer |
JPH0715087B2 (ja) * | 1988-07-21 | 1995-02-22 | リンテック株式会社 | 粘接着テープおよびその使用方法 |
KR920702018A (ko) * | 1989-08-01 | 1992-08-12 | 미시마 마사요시 | 웨이퍼 가공용 필름 |
US4985293A (en) * | 1989-08-14 | 1991-01-15 | Eastman Kodak Company | Polymer blend for molded circuit boards and other selectively conductive molded devices |
JP2683435B2 (ja) * | 1989-12-14 | 1997-11-26 | キヤノン株式会社 | インクジェットノズル製造用接着剤 |
KR910015403A (ko) * | 1990-02-14 | 1991-09-30 | 사와무라 하루오 | 웨이퍼 가공용 필름 |
US5051870A (en) * | 1990-06-11 | 1991-09-24 | Companion John A | Electronic socket attachment method and identification system |
DE4025405A1 (de) * | 1990-08-10 | 1992-02-13 | Schreiner Etiketten | Traegerbahn |
JP2922036B2 (ja) * | 1991-10-31 | 1999-07-19 | 日東電工株式会社 | 耐熱性にすぐれた感圧性接着剤およびその接着シート類の製造方法 |
JPH05179211A (ja) * | 1991-12-30 | 1993-07-20 | Nitto Denko Corp | ダイシング・ダイボンドフイルム |
JP3382638B2 (ja) * | 1992-07-17 | 2003-03-04 | コニシ株式会社 | 粘着テープ |
DE4230784A1 (de) * | 1992-09-15 | 1994-03-17 | Beiersdorf Ag | Durch Strahlung partiell entklebendes Selbstklebeband (Dicing Tape) |
JPH082106A (ja) * | 1994-06-24 | 1996-01-09 | Nippon Kayaku Co Ltd | マーキング用組成物及びレーザーマーキング方法 |
JP3410202B2 (ja) * | 1993-04-28 | 2003-05-26 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | ウェハ貼着用粘着シートおよびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
JP2991593B2 (ja) * | 1993-08-19 | 1999-12-20 | 株式会社東京精密 | ダイシング装置の半導体ウェハ形状認識装置 |
JPH08267668A (ja) * | 1995-03-29 | 1996-10-15 | Nitta Ind Corp | 研磨用ウエハ保持部材及びそのウエハ保持部材の研磨機定盤への脱着方法 |
US5670260A (en) * | 1995-04-21 | 1997-09-23 | Adhesives Research, Inc. | Radiation-cured adhesive film having differential surface adhesion |
DE19520238C2 (de) * | 1995-06-02 | 1998-01-15 | Beiersdorf Ag | Selbstklebeband |
JPH0917752A (ja) * | 1995-06-28 | 1997-01-17 | Sony Corp | 偏平な被切削物の切断方法及びその装置 |
US5667889A (en) * | 1995-11-21 | 1997-09-16 | Imperial Chemical Industries Plc | Polymeric film |
US5955188A (en) * | 1996-03-04 | 1999-09-21 | Outlast Technologies, Inc. | Skived foam article containing energy absorbing phase change material |
US5677048A (en) * | 1996-03-04 | 1997-10-14 | Gateway Technologies, Inc. | Coated skived foam and fabric article containing energy absorbing phase change material |
GB2320615B (en) * | 1996-12-19 | 2001-06-20 | Lintec Corp | Process for producing a chip and pressure sensitive adhesive sheet for said process |
US6312800B1 (en) | 1997-02-10 | 2001-11-06 | Lintec Corporation | Pressure sensitive adhesive sheet for producing a chip |
JP4072927B2 (ja) * | 1997-08-28 | 2008-04-09 | リンテック株式会社 | エネルギー線硬化型親水性粘着剤組成物およびその利用方法 |
US6235387B1 (en) | 1998-03-30 | 2001-05-22 | 3M Innovative Properties Company | Semiconductor wafer processing tapes |
JP3739570B2 (ja) | 1998-06-02 | 2006-01-25 | リンテック株式会社 | 粘着シートおよびその利用方法 |
JP3410371B2 (ja) | 1998-08-18 | 2003-05-26 | リンテック株式会社 | ウエハ裏面研削時の表面保護シートおよびその利用方法 |
JP3784202B2 (ja) * | 1998-08-26 | 2006-06-07 | リンテック株式会社 | 両面粘着シートおよびその使用方法 |
US7105226B2 (en) * | 1998-08-26 | 2006-09-12 | Lintec Corporation | Pressure sensitive adhesive double coated sheet and method of use thereof |
DE19850873A1 (de) * | 1998-11-05 | 2000-05-11 | Philips Corp Intellectual Pty | Verfahren zum Bearbeiten eines Erzeugnisses der Halbleitertechnik |
US6184064B1 (en) | 2000-01-12 | 2001-02-06 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor die back side surface and method of fabrication |
US6472065B1 (en) * | 2000-07-13 | 2002-10-29 | 3M Innovative Properties Company | Clear adhesive sheet |
US6759121B2 (en) | 2000-07-13 | 2004-07-06 | 3M Innovative Properties Company | Clear adhesive sheet |
KR100412020B1 (ko) * | 2001-03-12 | 2003-12-24 | 박광민 | 반도체 웨이퍼용 점착테이프 |
JP3544362B2 (ja) * | 2001-03-21 | 2004-07-21 | リンテック株式会社 | 半導体チップの製造方法 |
JP4115711B2 (ja) * | 2002-02-14 | 2008-07-09 | 日東電工株式会社 | フレキシブルプリント配線板固定用接着シート及びフレキシブルプリント配線板への電子部品の実装方法 |
KR20050037561A (ko) * | 2002-07-24 | 2005-04-22 | 어드헤시브즈 리서치, 인코포레이티드 | 가변형성 감압 접착 테이프 및 디스플레이 스크린에서의그 용도 |
KR101016081B1 (ko) * | 2002-07-26 | 2011-02-17 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 점착 시트와 그의 제조방법, 상기 점착 시트의 사용방법,및 상기 점착 시트에 사용되는 다층 시트와 그의 제조방법 |
US6969914B2 (en) * | 2002-08-29 | 2005-11-29 | Micron Technology, Inc. | Electronic device package |
US20040122408A1 (en) * | 2002-12-24 | 2004-06-24 | Potnis Prasad S. | Dry-blend elastomer for elastic laminates |
US6879050B2 (en) * | 2003-02-11 | 2005-04-12 | Micron Technology, Inc. | Packaged microelectronic devices and methods for packaging microelectronic devices |
US20050244631A1 (en) * | 2004-04-28 | 2005-11-03 | Mitsui Chemicals, Inc. | Surface protecting film for semiconductor wafer and method of protecting semiconductor wafer using the same |
US7368171B2 (en) * | 2004-09-03 | 2008-05-06 | H.B. Fuller Licensing & Financing, Inc. | Laminating adhesive, laminate including the same, and method of making a laminate |
DE102005055769A1 (de) * | 2005-11-21 | 2007-05-24 | Tesa Ag | Verfahren zur temporären Fixierung eines polymeren Schichtmaterials auf rauen Oberflächen |
JP5057697B2 (ja) * | 2006-05-12 | 2012-10-24 | 日東電工株式会社 | 半導体ウエハ又は半導体基板加工用粘着シート |
JP4620028B2 (ja) * | 2006-10-19 | 2011-01-26 | 日東電工株式会社 | 基板加工用粘着シート |
JP5101111B2 (ja) * | 2007-01-05 | 2012-12-19 | 日東電工株式会社 | 半導体基板加工用粘着シート |
KR101158962B1 (ko) * | 2007-10-10 | 2012-06-21 | 우시오덴키 가부시키가이샤 | 엑시머 램프 |
JP2010053192A (ja) * | 2008-08-27 | 2010-03-11 | Nitto Denko Corp | 粘着テープ又はシート |
EP2368955A1 (de) | 2010-03-26 | 2011-09-28 | Sika Technology AG | Formgedächtnis-Material auf Basis eines Strukturklebstoffs |
GB201012595D0 (en) | 2010-07-27 | 2010-09-08 | Zephyros Inc | Oriented structural adhesives |
WO2013042698A1 (ja) * | 2011-09-20 | 2013-03-28 | 日東電工株式会社 | 電子部品切断用加熱剥離型粘着シート及び電子部品切断方法 |
US9056438B2 (en) | 2012-05-02 | 2015-06-16 | 3M Innovative Properties Company | Curable composition, articles comprising the curable composition, and method of making the same |
US10577523B2 (en) | 2013-07-26 | 2020-03-03 | Zephyros, Inc. | Relating to thermosetting adhesive films |
US10526511B2 (en) | 2016-12-22 | 2020-01-07 | Avery Dennison Corporation | Convertible pressure sensitive adhesives comprising urethane (meth)acrylate oligomers |
CN109825215A (zh) * | 2017-11-23 | 2019-05-31 | 上海海优威新材料股份有限公司 | 用于晶圆研磨的多层复合膜及其制备方法 |
JP2021001311A (ja) * | 2019-06-21 | 2021-01-07 | 日東電工株式会社 | 粘着シート、中間積層体、中間積層体の製造方法および製品積層体の製造方法 |
WO2020262048A1 (ja) * | 2019-06-27 | 2020-12-30 | 日東電工株式会社 | 粘着シート、および粘着シート貼付品の製造方法 |
JP2023001915A (ja) | 2021-06-21 | 2023-01-06 | 日東電工株式会社 | 半導体ウエハ加工用粘着シート |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE545403A (nl) * | 1955-02-21 | |||
FR1572362A (nl) * | 1968-04-12 | 1969-06-27 | ||
US4243500A (en) * | 1978-12-04 | 1981-01-06 | International Coatings, Co., Inc. | Pressure sensitive adhesives |
US4421822A (en) * | 1979-08-20 | 1983-12-20 | Minnesota Mining And Manufacturing Co. | Ultraviolet polymerization of acrylate monomers using oxidizable tin compounds |
EP0099856B1 (de) * | 1982-06-24 | 1987-11-11 | Ciba-Geigy Ag | Photopolymerisierbares Beschichtungsmittel, photopolymerisierbares Material und seine Verwendung |
JPS6057111A (ja) * | 1983-09-05 | 1985-04-02 | Sharp Corp | 気化式石油燃焼器の気化装置 |
JPS6057340A (ja) * | 1983-09-08 | 1985-04-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | 焼出し性組成物 |
JPH0616524B2 (ja) * | 1984-03-12 | 1994-03-02 | 日東電工株式会社 | 半導体ウエハ固定用接着薄板 |
JPS61148566A (ja) * | 1984-12-23 | 1986-07-07 | Kyodo Kumiai Yonago Computer Syst | 医療事務計算用入力装置 |
JPS61158680A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-18 | 株式会社山武 | 中間接続コネクタ |
EP0194706B1 (en) * | 1985-02-14 | 1989-08-23 | Bando Chemical Industries, Ltd. | A pressure sensitive adhesive and a pressure sensitive adhesive film having thereon a layer of the same |
JPS61194441A (ja) * | 1985-02-19 | 1986-08-28 | ウセベ ソシエテ アノニム | 接着材樹脂組成物 |
DE3639266A1 (de) * | 1985-12-27 | 1987-07-02 | Fsk K K | Haftfolie |
JPS6428572A (en) * | 1987-07-24 | 1989-01-31 | Hitachi Ltd | Burn-in board |
JPH09179674A (ja) * | 1995-12-25 | 1997-07-11 | Kenwood Corp | 設定データ変更装置 |
-
1986
- 1986-11-17 DE DE19863639266 patent/DE3639266A1/de active Granted
- 1986-11-18 US US06/932,210 patent/US4756968A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-11-24 PH PH34523A patent/PH23580A/en unknown
- 1986-12-02 MY MYPI86000164A patent/MY100214A/en unknown
- 1986-12-15 KR KR1019860010787A patent/KR910007086B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1986-12-23 FR FR8618037A patent/FR2592390B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1986-12-23 NL NL8603269A patent/NL191241C/nl not_active IP Right Cessation
- 1986-12-29 GB GB8630956A patent/GB2184741B/en not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-10-22 US US07/111,849 patent/US4965127A/en not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-05-15 MY MYPI89000327A patent/MY104709A/en unknown
-
1992
- 1992-11-02 SG SG1144/92A patent/SG114492G/en unknown
- 1992-12-31 HK HK1057/92A patent/HK105792A/xx not_active IP Right Cessation
- 1992-12-31 HK HK1056/92A patent/HK105692A/xx not_active IP Right Cessation
- 1992-12-31 HK HK1054/92A patent/HK105492A/xx not_active IP Right Cessation
- 1992-12-31 HK HK1055/92A patent/HK105592A/xx not_active IP Right Cessation
-
1993
- 1993-12-09 NL NL9302148A patent/NL9302148A/nl not_active Application Discontinuation
- 1993-12-09 NL NL9302149A patent/NL9302149A/nl not_active Application Discontinuation
- 1993-12-09 NL NL9302147A patent/NL9302147A/nl not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
HK105492A (en) | 1993-01-08 |
GB2184741B (en) | 1990-09-05 |
GB8630956D0 (en) | 1987-02-04 |
FR2592390A1 (fr) | 1987-07-03 |
SG114492G (en) | 1992-12-24 |
US4756968A (en) | 1988-07-12 |
HK105792A (en) | 1993-01-08 |
NL9302147A (nl) | 1994-04-05 |
KR910007086B1 (ko) | 1991-09-16 |
GB2184741A (en) | 1987-07-01 |
NL191241C (nl) | 1995-04-03 |
NL9302149A (nl) | 1994-04-05 |
HK105592A (en) | 1993-01-08 |
MY100214A (en) | 1990-05-29 |
KR870006156A (ko) | 1987-07-09 |
NL191241B (nl) | 1994-11-01 |
DE3639266C2 (nl) | 1990-02-08 |
MY104709A (en) | 1994-05-31 |
US4965127A (en) | 1990-10-23 |
PH23580A (en) | 1989-09-11 |
NL9302148A (nl) | 1994-04-05 |
FR2592390B1 (fr) | 1993-03-12 |
HK105692A (en) | 1993-01-08 |
DE3639266A1 (de) | 1987-07-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL8603269A (nl) | Kleefvel voor halfgeleiders. | |
US5187007A (en) | Adhesive sheets | |
US4968559A (en) | Pressure sensitive adhesive film with barrier layer | |
US8388798B2 (en) | Pressure-sensitive adhesive for applying optically functional film, optically functional film and production process for the same | |
US8993649B2 (en) | Pressure-sensitive adhesive for polarizing plates, pressure-sensitive adhesive sheet, polarizing plate with pressure-sensitive adhesive and production process for the same and optical film and production process for the same | |
JPH0532946A (ja) | 再剥離型粘着性ポリマー | |
US20070148485A1 (en) | Pressure-sensitive adhesive for polarizing plates, polarizing plate with pressure-sensitive adhesive and production process for the same | |
JP4350906B2 (ja) | アズラクトン共重合体をベースとする光硬化性および光パターナブルヒドロゲルマトリックス | |
JPS6317981A (ja) | 粘着シ−ト | |
NL8002256A (nl) | Door bestraling met elektronenbundels hardbare, drukgevoelige hete smeltkleefstof, alsmede werkwijze ter bereiding daarvan. | |
JPS62153376A (ja) | ウェハダイシング用粘着シート | |
JPS62153377A (ja) | ウェハダイシング用粘着シート | |
GB2221469A (en) | Adhesive sheet suitable for use in dicing semiconductor wafers into chips | |
JPH0786212A (ja) | ウェハ貼着用粘着シート | |
JPS6317980A (ja) | ウエハ貼着用粘着シ−ト | |
JPH0214384B2 (nl) | ||
JPS63299246A (ja) | ウェハ貼着用粘着シ−ト | |
JP2001240775A (ja) | 剥離剤形成用重合性組成物、剥離剤物品及び剥離剤物品の製造方法 | |
JPH10310748A (ja) | 半導体ウエハ加工用粘着シート | |
JPH04233249A (ja) | ウェハ貼着用粘着シート | |
JPH057168B2 (nl) | ||
JPH1053746A (ja) | 保護フィルム剥離方法 | |
NL193617C (nl) | Kleefvel voor halfgeleiders. | |
JPS63193981A (ja) | ウエハ貼着用粘着シ−ト | |
JPS63310132A (ja) | ウエハ貼着用粘着シ−ト |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
BA | A request for search or an international-type search has been filed | ||
BB | A search report has been drawn up | ||
BC | A request for examination has been filed | ||
DNT | Communications of changes of names of applicants whose applications have been laid open to public inspection |
Free format text: LINTEC CORPORATION |
|
V4 | Discontinued because of reaching the maximum lifetime of a patent |
Effective date: 20061223 |