JPS60196956A - 半導体ウエハ固定用接着薄板 - Google Patents

半導体ウエハ固定用接着薄板

Info

Publication number
JPS60196956A
JPS60196956A JP59047743A JP4774384A JPS60196956A JP S60196956 A JPS60196956 A JP S60196956A JP 59047743 A JP59047743 A JP 59047743A JP 4774384 A JP4774384 A JP 4774384A JP S60196956 A JPS60196956 A JP S60196956A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
adhesive
sensitive adhesive
plate
pressure
fixing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP59047743A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0616524B2 (ja
Inventor
Takemasa Uemura
植村　剛正
Yoshinari Satoda
良成 里田
Eiji Shigemura
重村　栄二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=12783830&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JPS60196956(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Nitto Electric Industrial Co Ltd filed Critical Nitto Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP4774384A priority Critical patent/JPH0616524B2/ja
Priority to EP85301674A priority patent/EP0157508B1/en
Priority to DE8585301674T priority patent/DE3586329T2/de
Publication of JPS60196956A publication Critical patent/JPS60196956A/ja
Priority to US07/817,089 priority patent/US5714029A/en
Priority to US08/195,829 priority patent/US5637395A/en
Publication of JPH0616524B2 publication Critical patent/JPH0616524B2/ja
Priority to US08/934,104 priority patent/US6010782A/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02118—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer carbon based polymeric organic or inorganic material, e.g. polyimides, poly cyclobutene or PVC
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G18/00—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
    • C08G18/06—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
    • C08G18/28—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen characterised by the compounds used containing active hydrogen
    • C08G18/40—High-molecular-weight compounds
    • C08G18/62—Polymers of compounds having carbon-to-carbon double bonds
    • C08G18/6216—Polymers of alpha-beta ethylenically unsaturated carboxylic acids or of derivatives thereof
    • C08G18/625—Polymers of alpha-beta ethylenically unsaturated carboxylic acids; hydrolyzed polymers of esters of these acids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G18/00—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
    • C08G18/06—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
    • C08G18/28—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen characterised by the compounds used containing active hydrogen
    • C08G18/67—Unsaturated compounds having active hydrogen
    • C08G18/671—Unsaturated compounds having only one group containing active hydrogen
    • C08G18/672—Esters of acrylic or alkyl acrylic acid having only one group containing active hydrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G18/00—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
    • C08G18/06—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
    • C08G18/28—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen characterised by the compounds used containing active hydrogen
    • C08G18/67—Unsaturated compounds having active hydrogen
    • C08G18/671—Unsaturated compounds having only one group containing active hydrogen
    • C08G18/672—Esters of acrylic or alkyl acrylic acid having only one group containing active hydrogen
    • C08G18/673—Esters of acrylic or alkyl acrylic acid having only one group containing active hydrogen containing two or more acrylate or alkylacrylate ester groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J175/00—Adhesives based on polyureas or polyurethanes; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J175/04—Polyurethanes
    • C09J175/14—Polyurethanes having carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C09J175/16—Polyurethanes having carbon-to-carbon unsaturated bonds having terminal carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J4/00—Adhesives based on organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond ; adhesives, based on monomers of macromolecular compounds of groups C09J183/00 - C09J183/16
    • C09J4/06—Organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond in combination with a macromolecular compound other than an unsaturated polymer of groups C09J159/00 - C09J187/00
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • C09J7/381—Pressure-sensitive adhesives [PSA] based on macromolecular compounds obtained by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C09J7/385—Acrylic polymers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2170/00—Compositions for adhesives
    • C08G2170/40—Compositions for pressure-sensitive adhesives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L51/00—Compositions of graft polymers in which the grafted component is obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L51/003—Compositions of graft polymers in which the grafted component is obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds; Compositions of derivatives of such polymers grafted on to macromolecular compounds obtained by reactions only involving unsaturated carbon-to-carbon bonds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2423/00—Presence of polyolefin
    • C09J2423/006—Presence of polyolefin in the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2427/00—Presence of halogenated polymer
    • C09J2427/006—Presence of halogenated polymer in the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2433/00—Presence of (meth)acrylic polymer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2467/00—Presence of polyester
    • C09J2467/006—Presence of polyester in the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01061—Promethium [Pm]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、半導体ウェハを素子小片に切断分離する際
にこの？エバを固定するために用いる半導体ウェハ固定
用接着薄板に関する。
当初、半導体ウェハを素子小片に切断分離する際には、
形成すべき素子形状に合わせて半導体ウェハ表面に浅く
楔状溝を入れたのち、外力を加えて分割する方法がとら
れていた。しかし、この方法では分離精度が悪く、しか
も切断分離後、素子小片を次のマウント工程へ移すのに
人手を要して作業性が低かった。
その後、半導体ウェハを予め接着薄板に貼り付けて固定
したのち、このウェハを回転丸刃で素子形状に沿って切
、断し、次いで形成された素子小片を接着薄板からピッ
クアップすると同時にマウントするというダイレクトピ
ックアップ方式がとられるようになった。
上記の方法では、回転丸刃を用いての半導体ウェハの切
断貼に、摩擦熱の除去と切断くずの除去とを目的として
２Ｉ（Ｉ７／ｄ程度の水圧をかけながら水で洗浄する。
このため、上記の接着薄板はこの洗浄水の水圧に耐える
だけの接着力が必要である。
しかし、この接着薄板の接着力が大きすぎると、形成さ
れた素子小片の接着薄板からのピックアップが容易でな
くなる。このため、接着薄板の接着力は、」二重の水圧
に耐えうる大きさでしかもピックアップの作業性が低下
しない程度の大きさとなるように制御されている。
しかしながら、接着薄板の接着力を上記のように制御し
うるのは、形成される素子小片が２０　ｖｒｉ程度まで
の大きさの場合であり、近年の集積度の増大したＬＳＩ
用の素子小片のように５０１ｎｒｌあるいはそれ以上の
大きさのものでは、上記のように接着薄板の接着力を制
御することは困難であり、上記のダイレクトピックアッ
プ方式が適用できないという問題が生じてきている。
そこで、この発明者らは、素子小片の大きさが５０１５
１７以上となる場合にも使用できる接着薄板を提供する
ことを目的として検討した結果、この発明をなすに至っ
た。
すなわち、この発明は、半導体ウェハを素子小片に切断
分離する際の半導体ウェハ固定用の接着薄板であって、
光透過性の支持体とこの支持体上に設けられた光照射に
より硬化し三次元網状化する性質を有する感圧性接着剤
層とからなる半導体ウェハ固定用接着薄板に係るもので
ある。
この発明の半導体ウェハ固定用接着薄板によれば、この
接着薄板の接着力をウェハ切断後のピックアップの作業
性を考慮せずに充分な大きさとすることができるため、
ウェハの切断時にはこの接着薄板は素子小片と強固に接
着して、洗浄水の水圧が加えられても素子小片が脱落す
ることがない。
一方、ウェハ切断後は、接着薄板の支持体側から光照射
し感圧か接着剤層を硬化させて三次元網状化させること
により、この接着剤層は凝集力が上昇しこれにともない
粘着性をほとんど失うため、接着薄板の素子小片に対す
る接着力は大幅に低。
下する。このため、素子小片の大きさにはほとんどかか
わりなく、つまり素子小片の大きさが５０ｍＩｊ以上で
あってもピックアップを容易に行うことができる。
このように、この発明の半導体ウェハ固定用接着薄板を
用いると、素子小片の大きさが５０−以上となる場合に
もダイレクトピックアップ方式を適用できるため生産性
が低下することがない。
この発明の半導体ウェハ固定用接着薄板を構成する光透
過性の支持体としては、ポリ塩化ビニル、ポリエチレン
テレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレンなどの
プラスチックフィルムが挙げられる。このフィルムの厚
みとしては通常１０〜１００声程度とするのがよい。
この光透過性の支持体上に設けられた光照射により硬化
し三次元網状化する性質を有する感圧性接着剤層は、た
とえば通常のゴム系あるいはアクリル系の感圧性接着剤
に分子中に少なくとも２個の光重合性炭素−炭素二重結
合を有する低分子量化合物（以下、光重合性化合物とい
う）および光重合開始剤が配合されてなる感圧性接着剤
組成物を用いて形成される。
上記のゴム系あるいはアクリル系の感圧性接着剤は、天
然ゴム、各種の合成ゴムなどのゴム系ポリマーあるいは
ポリ（メタ）アクリル酸アルキルエ゛ステル、（メタ）
アク゛リル酸アルキルエステルとこれと共重合可能な他
の不飽和単量体との共重合物などのアクリル系ポリマー
をベースポリマーとし、これに必要に応じてポリイソシ
アネート化合物、アルキルエーテル化メラミン化合物の
如キ架橋剤などが配合されたものである。なお、上記の
ベースポリマーが分子内に光重合性炭素−炭素二重結合
を持つものであってもよい。
上記の光重合性化合物は、その分子量が通常１０．００
０以下程度であるのがよく、より好ましくは、光照射に
よる感圧性接着剤層の三次元網状化が効率よ（なさトる
ように、その分子量が５，０００以下でかつ分子内の光
重合性炭素−炭素二重結合の数が２〜６個のものを用い
るのがよい。このようなとくに好ましい光重合性化合物
としては、例えばトリメチロールプロパントリアクリレ
ート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペ
ンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリ
トールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモ
ノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリト
ールへキサアクリレートなどが挙げられる。また、その
他の光重合性化合物としては、１・４−ブチレングリコ
ールジアクリレート、１・６−ヘキサンジオールジアク
リレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、市
販のオリゴエステルアクリレートなどが挙げられる。
光重合性化合物としては、上記の化合物のうちの１種を
単独で用いてもよいし２種以上を併用してもよく、その
使用量は、通常」二重のベースポリマー１００重量部に
対して１〜１００重量部の範囲とするのがよい。この使
用量が少なすぎると、感圧性接着剤層の光照射による三
次元網状化が不充分となり、接着薄板の素子小片に対す
る接着力の低下の程度が小さすぎて好ましくない。また
、この使用量が多すぎると、感圧性接着剤層の可塑化が
著しく半導体ウェハ切断時に必要な接着力が得られない
ため好ましくない。
上記の光重合開始剤としては、例えばイソプロピルベン
ゾインエーテル、インブチルベンゾインエーテル、ベン
ゾフェノン、ミヒラー氏ケトン、クロロチオキサントン
、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、
ジエチルチオキサントン、アセトフェノンジエチルケタ
ール、ベンジルジメチルケタール、α−ヒドロキシシク
ロへキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシメチルフェ
ニルプロパンなどが挙げられ、これらのうちの１種を単
独であるいは２種以上の混合で使用すればよい。
この光重合開始剤の使用量としては、通常上記のベース
ポリマー１００重量部に対して０１１〜５重量部の範囲
とするのがよい。この使用量が少なすぎると、感圧性接
着剤層の光照射による三次元網状化が不充分となり、接
着薄板の素子小片に対する接着力の低下の程度が小さす
ぎて好ましくな。
い。また、この使用量が多すぎるとそれに見合う効果が
得られないばかりか、素子小片の表面にこの光重合開始
剤が残留するため好ましくない。なお、必要に応じてこ
の光重合開始剤とともにトリエチルアミン、テトラエチ
ルペンタアミン、ジメチルアミノエタノールなどのアミ
ン化合物を光重合促進剤として併用してもよい。
上記の各成分が混合されてなる感圧性接着剤組成物を用
いて感圧性接着剤層を形成するには、光透過性の支持体
上にこの組成物を塗布し、必要に応じて加熱すればよい
。このようにして形成される感圧性接着剤層の厚みとし
ては通常５〜４０声であるのがよい。
また、この感圧性接着剤層は、通常１００％モジュラス
（２０°Ｃ）が１０　Ｋｇ／　ｃｒｄ以下であるのがよ
く、また、通常はトルエンに２４時間浸漬してめたゲル
分率が５５重母％未満でゲルの膨潤度が２０倍以上であ
るのがよい。
上記の光透過性の支持体と感圧性接着剤層とからなるこ
の発明の半導体ウニ／１固定用接着薄板を用いて半導体
ウェハを素子小片に切断分離するには、まずこの接着薄
板に半導体ウェハを貼り付けて固定したのち、回転丸刃
でこのウェハを素子小片に切断する。その後、接着薄板
の支持体側から高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプなど
により、１８０〜４６０ｎｍの波長の光を通常１０〜１
８０秒間程度照射し、次いで素子小片をニードルで突き
上げると共にエアピンセットで吸着するなどの方法によ
りピックアップすると同時にマウントすればよい。
上記の接着薄板の半導体ウェハに対する１８０゜剥離接
着力（剥離速度３００ｍｍ７分）は、光照射前には通常
２００〜１，０００　ｙ／２０顧であり、上記の切断時
に加えられる通常２Ｋｆ／ｃｎ程度の水圧によってもこ
の接着薄板から素子小片が剥がれ落ちることはない。
一方、光照射されると上記の接着薄板の感圧性接着剤層
は、光重合、性化合物どうしが重合するとともにベース
ポリマーにもラジカルが発生してこのポリマーと光重合
性化合物とが反応することにより、接着剤層は硬化し三
次元網状化する。
なお、ここでいう三次元網状化とは、通常、接着剤層を
トルエンに２４時間浸漬してめたゲル分率が光照射前の
約１．４倍以上となり、かつこのゲル分率が５５重量％
以上となることを意味する。
また、光照射後の上記の接着剤層は、上記と同様にして
めたゲルの膨潤度が通常１８倍以下となるのがよい。
このように三次元網状化することにより、接着剤層の凝
集力は光照射前に比べて著しく上昇し、通常１００％モ
ジュラス（２０℃）が２０　Ｋｇ／　ｃａ以上となる。
これにともないこの接着剤層の粘着性はほとんど失われ
て、接着薄板の素子小片に対する接着力は大幅に低下し
、このときの１８ぽ剥離接着力（剥離速度３００ｍｍ１
分）は通常１５ＣＮ；’／２０ｍｍ以下となる。このた
め、素子小片の大きさが５０−以上であっても、接着薄
板からの素子小片のピックアップを容易に行うことがで
きる。
以下にこの発明の実施例を記載する。なお、以下におい
て部とあるのは重量部を意味する。
実施例１ アクリル酸ブチル１００部、アクリロニトリル５部およ
びアクリル酸５部からなる配合組成物をトルエン中で共
重合させて、数平均分子！３００゜０００のアクリル系
共重合物を得た。
この共重合物１００部にポリイソシアネート化合物（日
本ポリウレタン社製商品名コロネートし）５部、ジペン
タエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート１
５部およびα−ヒドロキシシクロへキシルフェニルケト
ン１部を添加し混合して感圧性接着剤組成物を調製した
。
この組成物を５０μの厚みのポリエチレンテレフタレー
トフィルムの片面に接着剤層の厚みが１０μとなるよう
に塗工し、１３０℃で３分間加熱してこの発明の半導体
ウェハ固定用接着薄板を得た。
実施例２ アクリル系共重合゛物（実施例１と同じもの）１００部
にポリイソ等シネート化合物（実施例１と同じもの）５
部、ペンタエリスリトールトリアクリレート２０部およ
びインブチルベンゾインエーテル０．５部を添加し混合
して感圧性接着剤組成物を調製した。この組成物を用い
て実施例１と同様にしてこの発明の半導体ウェハ固定用
接着薄板を得た。
実施例３ アクリル系共重合物（実施例１と同じもの）１００部に
ポリイソシアネート化合物（実施例１と同じもの）５部
、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリ
レート１ｏ部、ジメチルチオキサントン１部およびトリ
エチルアミン１部を添加し混合して感圧性接着剤組成物
を調製した。
この組成物を用いて実施例１と同様にしてこの発明の半
導体ウェハ固定用接着薄板を得た。
実施例４ アクリル酸ブチル１００部とアクリル酸７．５部とから
なる配合組成物をトルエン中で共重合させて、数平均分
子量３００，０００のアクリル系共重合物を得た。
共重合物としてこのアクリル系共重合物を用いた以外は
実施例１と同様にしてこの発明の半導体ウェハ固定用接
着薄板を得た。
実施例５ ７；７ご７１５＃Ｏ二：１Ｃ１−“＝、ｏ：：：：７オ
一ルジアクリーレート４０部を用いた以外は実施例１と
同様にしてこの発明の半導体ウェハ固定用接着薄板を得
た。
実施例６ ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレ
ート１５部のかわりに多官能オリゴエステルアクリレー
ト（東亜合成化学工業社製商品名アロエックスＭ−８０
３０）５０部を用いた以外は実施例１と同様にしてこの
発明の半導体ウェハ固定用接着薄板を得た。
比較例 ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレ
ート１５部およびα−ヒドロキシシクロへキシルフェニ
ルケアトン１部を使用しなかった以外は実施例１と同様
にして比較のための半導体ウェハ固定用接着薄板を得た
。
試験例１ 上記の実施例１〜６および比較例で得られた半導体ウェ
ハ固定用接着薄板に直径５インチの大きさの半導体ウェ
ハを貼り付け、回転丸刃を用いて５０−の大きさの素子
小片に切断した。この切断は２　Ｋｇ／　ｃｖｆの水圧
の水で洗浄しながら行ったが、上記のいずれの接着薄板
においても素子小片が剥がれ落ちることはなかった。
この切断後、接着薄板の支持体側から高圧水銀ランプ（
４０Ｗ　１０ｎ　）で１５ｃ＋ｉの距離から２０秒間光
照射したのち、素子小片をニードルで突き上げると共に
エアピンセットで吸着することによりピックアップした
。実施例１〜６の接着薄板を用いていた場合はいずれも
容易にピックアップでき、しかも感圧性接着剤層の素子
小片への移行は全くなかった。これに対して、比較例の
接着薄板を用いていた場合は素子小片がこの薄板に強固
に接着したままでピックアップできなかった。
試験例２ 〈１８♂剥離接着力〉 上記の実施例１〜６および比較例で得られた半導体ウニ
／・固定用接着薄板の半導体ウエノ・に蛤する１８０°
剥離接着力（剥離速度３００ｍｍ１分）を測定した。ま
た、上記の接着薄板を半導体ウエノ１に貼り付けて支持
体側から試験例１と同様の条件で光照射したのちの上記
の接着力を測定した。
〈１００％モジュラス〉 上記の実施例１〜６および比較例で用いた感圧性接着剤
組成物をそれぞれ剥離処理を施した５０μのａみのポリ
エチレンテレフタレートフィルムの表面に厚みが１０／
ｉｎとなるように塗工し、１３０°Ｃで３分間加熱した
のち、５０ｍｍ×５０朋の大、きさに切断し、棒状にま
とめることにより断面積が０．５−の糸状の試験片を得
た。この試験片について２０℃における１００％モジュ
ラスを測定した。
また、この試験片に試験例１と同様の条件で光照射した
のち、同様９１００％モジュラスを測定した。
くゲル分率、ゲルの膨潤度〉 上記の感圧性接着剤組成物をそれぞれ１００％モジュラ
ス用試験片の場合と同様にして塗工、加熱を行ったのち
、５０ｍｍ×５０’Ｏｍｍの大きさに切断したものを試
験片とした。この試験片をトルエンに２４時間浸〆Ｉｉ
シてゲル分率とゲルの膨潤度を調べた。また、この試験
片に試験例１と同様の条件で光照射したのち、これをト
ルエンに２４時間浸漬してゲル分率とゲルの膨潤度を調
べた。
上記の試験結果を下記の表に示した。なお、下記の表に
おいて八個は光照射前の測定値を示し、Ｂ欄は光照射後
の測定値を示す。
上記の結果から明らかなように、この発明の半導体ウェ
ハ固定用接着薄板を用いれば、半導体ウェハの素子小片
への切断時には、上記の接着薄板と素子小片とが強固に
接着しており素子小片が剥がれ落ちることがなく、シか
もウェハ切断後には、上記の接着薄板の支持体側から光
照射することにより素子小片の大きさが５０−以上であ
ってもピックアップを容易に行うことができる。
また、このように素子小片のピックアップを容易に行え
るのは、上記の接着薄板の感圧接着剤層が光照射により
三次元網状化して凝集力が著しく上昇するのにともない
素子小片に対する接着力が大幅に低下するためであるこ
とがわかる。
特許出願人　日東電気工業株式会社 −Ｊ二　；ｆ’ｉ’ｉ、打１１　正　書昭和６０年　４
月２４日 特許庁長官殿 特願昭５９−４７７４３号 ２、発明の名称 半導体ウェハ固定用接着薄板 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 住　所　大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号８　件　（
３９６）日東電気工業株式会社代表者　上方三部 ４、代理人 郵ｌ５Ｉｌ１号　５３０ ７、補正の内容 Ａ、明細書： （１）第７頁第３行目； 「トリメチロールプロパントリアクリレート、」とある
を削除いたします。
（２）第７頁第１０〜１１行目； 「１・４−ブチレングリコールジアクリレート」とある
を「１・４−ブタンジオールジアクリレート」と訂正い
たします。
（３）第１６頁下から第３行目； 「また、この試験片に」とあるを「また、これとは別に
５０ｕ＋Ｘ５０ｍｍの大きさに切断し、」と訂正いたし
ます。
（４）　第１７頁第７行目； 「また、この試験片に」とあるを「また、これとは別に
５０ｍｍＸ５００ｍｍの大きさに切断し、」と訂正いた
します。
特許出願人　日東電気工業株式会社

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ｆｉｌ半導体ウェハを素子小片に切断分離する際の半導
    体ウェハ固定用の接着薄板であって、光透過性の支持体
    とこの支持体上に設けられた光照射により硬化し三次元
    網状化する性質を有する感圧性接着剤層とからなる半導
    体ウェハ固定用接着薄板。 （２）半導体ウェハに対する１８０°剥離接着力（剥離
    速度３００　ｔｎｍ／分）が２０　（１〜ｌ、０００　
    ｙ／　２０ｖｒｍであり、この接着力が光照射により１
    ５０Ｐ／２０ｗｎ以下となる特許請求の範囲第（１）項
    記載の半導体ウェハ固定用接着助板。 （３）感圧性接着剤層がベースポリマー１００重量部、
    分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個
    有する低分子量化合物１〜１００重量部および光重合開
    始剤０．１〜５重量部を必須成分として含む感圧性接着
    剤組成物を支持体上に塗工して設けられた特許請求の範
    囲第（２）項記載の半導体ウェハ固定用接着薄板。 （４）感圧性接着剤層が光照射によりそのゲル分率が５
    ５重量％以上でかつ光照射前のゲル分率の１゜４倍以上
    となる特許請求の範囲第（３）項記載の半導体ウェハ固
    定用接着薄板。
JP4774384A 1984-03-12 1984-03-12 半導体ウエハ固定用接着薄板 Expired - Lifetime JPH0616524B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4774384A JPH0616524B2 (ja) 1984-03-12 1984-03-12 半導体ウエハ固定用接着薄板
EP85301674A EP0157508B1 (en) 1984-03-12 1985-03-11 Thin adhesive sheet for use in working semiconductor wafers
DE8585301674T DE3586329T2 (de) 1984-03-12 1985-03-11 Duenne klebefolie fuer die bearbeitung von halbleiterplaettchen.
US07/817,089 US5714029A (en) 1984-03-12 1992-01-06 Process for working a semiconductor wafer
US08/195,829 US5637395A (en) 1984-03-12 1994-02-14 Thin adhesive sheet for working semiconductor wafers
US08/934,104 US6010782A (en) 1984-03-12 1997-09-19 Thin adhesive sheet for working semiconductor wafers

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4774384A JPH0616524B2 (ja) 1984-03-12 1984-03-12 半導体ウエハ固定用接着薄板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS60196956A true JPS60196956A (ja) 1985-10-05
JPH0616524B2 JPH0616524B2 (ja) 1994-03-02

Family

ID=12783830

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4774384A Expired - Lifetime JPH0616524B2 (ja) 1984-03-12 1984-03-12 半導体ウエハ固定用接着薄板

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP0157508B1 (ja)
JP (1) JPH0616524B2 (ja)
DE (1) DE3586329T2 (ja)

Cited By (98)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60223139A (ja) * 1984-04-18 1985-11-07 Nitto Electric Ind Co Ltd 半導体ウエハ固定用接着薄板
JPS6254778A (ja) * 1985-09-04 1987-03-10 Bando Chem Ind Ltd 感圧接着性シート
JPS62153375A (ja) * 1985-12-27 1987-07-08 F S K Kk ウエハダイシング用粘着シート
JPS6317980A (ja) * 1986-07-09 1988-01-25 F S K Kk ウエハ貼着用粘着シ−ト
JPS6343342A (ja) * 1986-08-08 1988-02-24 Bando Chem Ind Ltd 半導体ウエハ−のダイシング方法
JPS6343987A (ja) * 1986-08-08 1988-02-25 Bando Chem Ind Ltd 感圧接着性シ−ト
JPS6464772A (en) * 1987-09-01 1989-03-10 Fsk Kk Tacky sheet for polishing
US4999242A (en) * 1987-07-08 1991-03-12 Furukawa Electric Co., Ltd. Radiation-curable adhesive tape
JPH03278444A (ja) * 1990-09-07 1991-12-10 Bando Chem Ind Ltd 半導体ウエハーのダイシング方法
US5149586A (en) * 1987-07-08 1992-09-22 Furukawa Electric Co., Ltd. Radiation-curable adhesive tape
JPH0532946A (ja) * 1991-07-31 1993-02-09 Lintec Corp 再剥離型粘着性ポリマー
US5281473A (en) * 1987-07-08 1994-01-25 Furakawa Electric Co., Ltd. Radiation-curable adhesive tape
NL9302149A (nl) * 1985-12-27 1994-04-05 Lintec Corp Kleefvel voor halfgeleiders.
NL9302150A (nl) * 1985-12-27 1994-04-05 Lintec Corp Kleefvel voor halfgeleiders.
US5304418A (en) * 1991-12-30 1994-04-19 Nitto Denko Corporation Dicing-die bonding film
EP0715341A1 (en) 1994-11-29 1996-06-05 LINTEC Corporation Method of preventing a transfer of adhesive substance to a ring frame in a dicing process, pressure-sensitive adhesive sheet and wafer support comprising said pressure-sensitive adhesive sheet
EP0775715A2 (en) 1995-11-22 1997-05-28 LINTEC Corporation Adhesive composition and adhesive sheet
JPH1161065A (ja) * 1997-08-25 1999-03-05 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体ウエハ加工用粘着シート
US5891285A (en) * 1996-05-10 1999-04-06 Tefco International Co., Ltd. Process for manufacturing electroformed patterns
US6040048A (en) * 1997-08-28 2000-03-21 Lintec Corporation Energy beam curable hydrophilic pressure sensitive adhesive composition and use thereof
US6277481B1 (en) 1998-07-06 2001-08-21 Lintec Corporation Adhesive composition and adhesive sheet
JP2001240842A (ja) * 2000-02-28 2001-09-04 Nitto Denko Corp 紫外線硬化型粘着剤組成物とその粘着シ―ト類
US6398892B1 (en) 1998-08-26 2002-06-04 Lintec Corporation Method of using pressure sensitive adhesive double coated sheet
US6403215B1 (en) 1998-05-22 2002-06-11 Lintec Corporation Energy beam curable hydrophilic pressure sensitive adhesive composition and use thereof
US6436795B2 (en) 2000-02-07 2002-08-20 Lintec Corporation Process for producing semiconductor chip
JP2002285134A (ja) * 2001-03-26 2002-10-03 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体加工用粘着シート
US6465330B1 (en) 1998-08-18 2002-10-15 Lintec Corporation Method for grinding a wafer back
JP2002348554A (ja) * 2001-05-24 2002-12-04 Lintec Corp ワーク固定用シートおよびワーク加工方法
US6524700B2 (en) 2000-02-18 2003-02-25 Nec Corporation Pressure sensitive adhesive sheet for wafer sticking
US6524701B1 (en) 1998-11-20 2003-02-25 Lintec Corporation Pressure sensitive adhesive sheet and method of use thereof
US6558975B2 (en) 2000-08-31 2003-05-06 Lintec Corporation Process for producing semiconductor device
US6605345B2 (en) 2000-07-07 2003-08-12 Lintec Corporation Ultraviolet-curable pressure sensitive adhesive composition and ultraviolet-curable pressure sensitive adhesive sheet
US6718223B1 (en) 1999-05-18 2004-04-06 Lintec Corporation Method of processing semiconductor wafer and semiconductor wafer supporting member
US7041190B2 (en) 2002-06-10 2006-05-09 Nitto Denko Corporation Adhesive sheet for dicing glass substrate and method of dicing glass substrate
US7105226B2 (en) 1998-08-26 2006-09-12 Lintec Corporation Pressure sensitive adhesive double coated sheet and method of use thereof
US7135224B2 (en) 2001-08-21 2006-11-14 Lintec Corporation Adhesive tape
JP2007245389A (ja) * 2006-03-14 2007-09-27 Nitto Denko Corp 半導体用粘着シート
WO2007116856A1 (ja) 2006-04-03 2007-10-18 Gunze Limited 半導体ウェハの裏面研削に用いる表面保護テープ及び該表面保護テープ用基材フィルム
US7309925B2 (en) 2003-12-26 2007-12-18 Nitto Denko Corporation Dicing die-bonding film
EP1892276A1 (en) 2006-08-22 2008-02-27 Nitto Denko Corporation Pressure-sensitive adhesive sheet
WO2008032367A1 (fr) 2006-09-12 2008-03-20 Nitto Denko Corporation Feuille de decoupage en puces/fixation de puces
US7351645B2 (en) 2004-06-02 2008-04-01 Lintec Corporation Pressure sensitive adhesive sheet for use in semiconductor working and method for producing semiconductor chip
WO2008044561A1 (fr) * 2006-10-03 2008-04-17 Emulsion Technology Co., Ltd. COMPOSITION ADHéSIVE et feuille ADHéSIVE
EP1970422A2 (en) 2007-03-13 2008-09-17 Toray Saehan Inc. Adhesive film for stacking semiconductor chips
US7449226B2 (en) 2003-05-29 2008-11-11 Nitto Denko Corporation Dicing die-bonding film, method of fixing chipped work and semiconductor device
EP2000325A2 (en) 2007-06-08 2008-12-10 Tefco Aomori Co., Ltd. Minute metallic pattern and manufacturing method therefor
JP2008308522A (ja) * 2007-06-12 2008-12-25 Nitto Denko Corp 鑑識用粘着シートおよびその製造方法
US7508081B2 (en) 2004-03-17 2009-03-24 Nitto Denko Corporation Dicing die-bonding film
WO2009090838A1 (ja) 2008-01-18 2009-07-23 Nitto Denko Corporation ダイシング・ダイボンドフィルム
WO2009090817A1 (ja) 2008-01-18 2009-07-23 Nitto Denko Corporation ダイシング・ダイボンドフィルム
EP2090633A1 (en) 2008-02-18 2009-08-19 Nitto Denko Corporation Dicing Die-Bonding Film
US7646103B2 (en) 2002-10-15 2010-01-12 Nitto Denko Corporation Dicing/die-bonding film, method of fixing chipped work and semiconductor device
DE112008003005T5 (de) 2007-11-08 2010-09-16 Nitto Denko Corp., Ibaraki-shi Klebefolie für das Schneiden von Chips
DE112008003020T5 (de) 2007-11-08 2010-10-07 Nitto Denko Corp., Ibaraki Klebefolie für das Schneiden von Chips
EP2270848A2 (en) 2002-08-28 2011-01-05 Lintec Corporation Multilayer protective sheet for a semiconductor wafer and structure comprising said wafer and sheet, method for protecting semiconductor wafer and method for processing semiconductor wafer
US7906582B2 (en) 2007-02-20 2011-03-15 Fujifilm Corporation Polymerizable composition, tacky material, and adhesive
JP2011162603A (ja) * 2010-02-05 2011-08-25 Lintec Corp 接着剤組成物および接着シート
US8057894B2 (en) 2004-10-22 2011-11-15 Toray Advanced Materials Korea, Inc. Adhesive tape for electronic components
US8114520B2 (en) 2006-12-05 2012-02-14 Lintec Corporation Laser dicing sheet and process for producing chip body
US8174130B2 (en) 2006-12-05 2012-05-08 Lintec Corporation Laser dicing sheet and manufacturing method for chip body
JP2012177084A (ja) * 2011-01-31 2012-09-13 Dainippon Printing Co Ltd 耐熱仮着用の粘着剤組成物及び粘着テープ
EP2518114A1 (en) 2011-04-25 2012-10-31 Toray Advanced Materials Korea Inc. Phenoxy resin composition for transparent plastic substrate and transparent plastic substrate using the same
WO2013011850A1 (ja) 2011-07-15 2013-01-24 日東電工株式会社 電子部品の製造方法および該製造方法に用いる粘着シート
JP2013038097A (ja) * 2011-08-03 2013-02-21 Nitto Denko Corp ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置
US8392011B2 (en) 2005-06-29 2013-03-05 Lintec Corporation Semiconductor wafer processing tape winding body, semiconductor wafer processing tape sticking apparatus and semiconductor wafer processing apparatus that use the semiconductor wafer processing tape winding body
US8524833B2 (en) 2009-05-20 2013-09-03 Toray Advanced Materials Korea Inc. High-efficiency light diffusing polymeric film and manufacturing method thereof
JP2013221073A (ja) * 2012-04-16 2013-10-28 Nitto Denko Corp 粘着シート及び粘着剤組成物
JP2013237732A (ja) * 2012-05-11 2013-11-28 Dainippon Printing Co Ltd エネルギー線易剥離型粘着剤組成物及び粘着テープ
EP2770032A2 (en) 2013-02-20 2014-08-27 Nitto Denko Corporation Film adhesive, dicing tape with film adhesive, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
KR20140123951A (ko) 2012-01-12 2014-10-23 덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤 점착 시트 및 전자 부품의 제조 방법
EP2911189A1 (en) 2001-03-21 2015-08-26 Lintec Corporation Sheet to form a protective film for chips and process for producing semiconductor chips
US9559073B2 (en) 2011-03-22 2017-01-31 Lintec Corporation Base film and pressure-sensitive adhesive sheet provided therewith
US9670382B2 (en) 2011-03-22 2017-06-06 Lintec Corporation Base film and pressure-sensitive adhesive sheet provided therewith
WO2017163503A1 (ja) 2016-03-23 2017-09-28 日東電工株式会社 加熱接合用シート、ダイシングテープ付き加熱接合用シート、及び、接合体の製造方法、パワー半導体装置
WO2017221613A1 (ja) 2016-06-24 2017-12-28 日東電工株式会社 加熱接合用シート及びダイシングテープ付き加熱接合用シート
WO2018055889A1 (ja) 2016-09-21 2018-03-29 日東電工株式会社 加熱接合用シート及びダイシングテープ付き加熱接合用シート
WO2018056298A1 (ja) * 2016-09-26 2018-03-29 東レ・ダウコーニング株式会社 積層体、その製造方法および電子部品の製造方法
JP6350845B1 (ja) * 2018-01-29 2018-07-04 サイデン化学株式会社 粘着剤組成物、粘着シート、及び粘着剤の製造方法
KR20180080708A (ko) 2014-10-15 2018-07-12 후지모리 고교 가부시키가이샤 이방 점착성 시트
WO2018179796A1 (ja) 2017-03-29 2018-10-04 日東電工株式会社 加熱接合用シートおよび加熱接合用シート付きダイシングテープ
US10115707B2 (en) 2014-08-29 2018-10-30 Furukawa Electric Co., Ltd. Adhesive film and semiconductor package using adhesive film
KR20190017158A (ko) 2017-08-10 2019-02-20 애경화학 주식회사 Uv경화 후 내수성 웨이퍼 비점착 특성을 가지는 반도체 웨이퍼 공정용 고분자량 아크릴 점착제 조성물 및 그 제조방법
US10224230B2 (en) 2014-10-23 2019-03-05 Lintec Corporation Surface protective sheet
WO2019092959A1 (ja) 2017-11-13 2019-05-16 日東電工株式会社 焼結接合用組成物、焼結接合用シート、および焼結接合用シート付きダイシングテープ
WO2019092960A1 (ja) 2017-11-13 2019-05-16 日東電工株式会社 焼結接合用組成物、焼結接合用シート、および焼結接合用シート付きダイシングテープ
JP2019077747A (ja) * 2017-10-20 2019-05-23 王子ホールディングス株式会社 粘着シート、積層体の製造方法および積層体
JP2019077748A (ja) * 2017-10-20 2019-05-23 王子ホールディングス株式会社 粘着シート、積層体の製造方法および積層体
US10563096B2 (en) 2014-08-29 2020-02-18 Furukawa Electric Co., Ltd. Conductive adhesive composition
JP2020111753A (ja) * 2020-03-05 2020-07-27 王子ホールディングス株式会社 粘着シート、積層体の製造方法および積層体
EP3819349A1 (en) 2019-11-08 2021-05-12 Nitto Denko Corporation Thermosetting sheet and dicing die bonding film
EP3819348A1 (en) 2019-11-08 2021-05-12 Nitto Denko Corporation Thermosetting sheet and dicing die bonding film
EP3929258A1 (en) 2020-06-24 2021-12-29 Nitto Denko Corporation Thermosetting sheet and dicing die bonding film
US11279827B2 (en) 2016-09-26 2022-03-22 Dow Toray Co., Ltd. Curing reactive silicone gel and use thereof
EP3988626A1 (en) 2020-10-26 2022-04-27 Nitto Denko Corporation Thermosetting sheet, dicing die bonding film, and semiconductor apparatus
US11396616B2 (en) 2017-04-06 2022-07-26 Dow Toray Co., Ltd. Liquid curable silicone adhesive composition, cured product thereof, and use thereof
EP4067450A1 (en) 2021-03-31 2022-10-05 Nitto Denko Corporation Thermosetting sheet and dicing die bonding film
WO2022250129A1 (ja) * 2021-05-28 2022-12-01 三井化学東セロ株式会社 電子装置の製造方法
TWI824484B (zh) * 2022-04-15 2023-12-01 國精化學股份有限公司 液態黏結劑及螢石塊

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2221469B (en) * 1985-12-27 1990-09-05 Fsk Kk Adhesive sheet suitable for use in dicing semiconductor wafers into chips
JPH0715087B2 (ja) * 1988-07-21 1995-02-22 リンテック株式会社 粘接着テープおよびその使用方法
US5284091A (en) * 1990-04-12 1994-02-08 Lintec Corporation Plate roll and an adhesive sheet therefor
EP0571649A1 (en) * 1992-05-26 1993-12-01 Nitto Denko Corporation Dicing-die bonding film and use thereof in a process for producing chips
DE4230784A1 (de) * 1992-09-15 1994-03-17 Beiersdorf Ag Durch Strahlung partiell entklebendes Selbstklebeband (Dicing Tape)
US5268065A (en) * 1992-12-21 1993-12-07 Motorola, Inc. Method for thinning a semiconductor wafer
DE4415132C2 (de) * 1994-04-29 1997-03-20 Siemens Ag Verfahren zur formgebenden Bearbeitung von dünnen Wafern und Solarzellen aus kristallinem Silizium
US5501785A (en) * 1994-07-13 1996-03-26 Tefco International Co., Ltd. Process for manufacturing electroformed patterns
US5648136A (en) * 1995-07-11 1997-07-15 Minnesota Mining And Manufacturing Co. Component carrier tape
TW311927B (ja) * 1995-07-11 1997-08-01 Minnesota Mining & Mfg
JP3388674B2 (ja) * 1996-04-19 2003-03-24 リンテック株式会社 エネルギー線硬化型感圧接着剤組成物およびその利用方法
GB2320615B (en) * 1996-12-19 2001-06-20 Lintec Corp Process for producing a chip and pressure sensitive adhesive sheet for said process
US6312800B1 (en) * 1997-02-10 2001-11-06 Lintec Corporation Pressure sensitive adhesive sheet for producing a chip
JP3955659B2 (ja) * 1997-06-12 2007-08-08 リンテック株式会社 電子部品のダイボンディング方法およびそれに使用されるダイボンディング装置
JP3903447B2 (ja) 1998-01-21 2007-04-11 リンテック株式会社 粘着シート
US6235387B1 (en) 1998-03-30 2001-05-22 3M Innovative Properties Company Semiconductor wafer processing tapes
EP1139415B1 (en) * 2000-03-30 2009-02-25 Nitto Denko Corporation Water-permeable adhesive tape for semiconductor processing
JP2003147300A (ja) * 2001-11-12 2003-05-21 Lintec Corp ウエハ裏面研削時の表面保護シートおよび半導体チップの製造方法
JP2009064975A (ja) * 2007-09-06 2009-03-26 Nitto Denko Corp ダイシング用粘着シート及びダイシング方法
JP2011077235A (ja) 2009-09-30 2011-04-14 Nitto Denko Corp 素子保持用粘着シートおよび素子の製造方法
JP2014189620A (ja) * 2013-03-27 2014-10-06 Nippon Carbide Ind Co Inc 粘着剤組成物、粘着剤付き光学部材、および表示装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5850164A (ja) * 1981-09-19 1983-03-24 Nippon Steel Corp 連続鋳造設備
JPS5921038A (ja) * 1982-07-27 1984-02-02 Nec Home Electronics Ltd ペレツト剥離方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4151057A (en) * 1978-08-14 1979-04-24 Shell Oil Company High temperature adhesive made by exposure to radiation
JPS6048104B2 (ja) * 1980-01-30 1985-10-25 三洋電機株式会社 半導体ウエハの分割方法
GB2102011B (en) * 1981-06-17 1984-12-19 Smith & Nephew Ass Electron beam cured acrylic adhesive layer
DE3271275D1 (en) * 1981-12-09 1986-06-26 Lingner & Fischer Gmbh Curing compositions

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5850164A (ja) * 1981-09-19 1983-03-24 Nippon Steel Corp 連続鋳造設備
JPS5921038A (ja) * 1982-07-27 1984-02-02 Nec Home Electronics Ltd ペレツト剥離方法

Cited By (120)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60223139A (ja) * 1984-04-18 1985-11-07 Nitto Electric Ind Co Ltd 半導体ウエハ固定用接着薄板
JPH0570937B2 (ja) * 1984-04-18 1993-10-06 Nitto Denko Corp
JPH0635569B2 (ja) * 1985-09-04 1994-05-11 バンドー化学株式会社 感圧接着性シート
JPS6254778A (ja) * 1985-09-04 1987-03-10 Bando Chem Ind Ltd 感圧接着性シート
JPS62153375A (ja) * 1985-12-27 1987-07-08 F S K Kk ウエハダイシング用粘着シート
JPH0215594B2 (ja) * 1985-12-27 1990-04-12 Fsk Kk
NL9302147A (nl) * 1985-12-27 1994-04-05 Lintec Corp Kleefvel voor halfgeleiders.
NL9302150A (nl) * 1985-12-27 1994-04-05 Lintec Corp Kleefvel voor halfgeleiders.
NL9302148A (nl) * 1985-12-27 1994-04-05 Lintec Corp Kleefvel voor halfgeleiders.
NL9302149A (nl) * 1985-12-27 1994-04-05 Lintec Corp Kleefvel voor halfgeleiders.
JPS6317980A (ja) * 1986-07-09 1988-01-25 F S K Kk ウエハ貼着用粘着シ−ト
JPH0258306B2 (ja) * 1986-07-09 1990-12-07 Fsk Kk
JPS6343342A (ja) * 1986-08-08 1988-02-24 Bando Chem Ind Ltd 半導体ウエハ−のダイシング方法
JPS6343987A (ja) * 1986-08-08 1988-02-25 Bando Chem Ind Ltd 感圧接着性シ−ト
JPH0613681B2 (ja) * 1986-08-08 1994-02-23 バンドー化学株式会社 感圧接着性シ−ト
US4999242A (en) * 1987-07-08 1991-03-12 Furukawa Electric Co., Ltd. Radiation-curable adhesive tape
US5149586A (en) * 1987-07-08 1992-09-22 Furukawa Electric Co., Ltd. Radiation-curable adhesive tape
US5281473A (en) * 1987-07-08 1994-01-25 Furakawa Electric Co., Ltd. Radiation-curable adhesive tape
JPS6464772A (en) * 1987-09-01 1989-03-10 Fsk Kk Tacky sheet for polishing
JPH0542138B2 (ja) * 1990-09-07 1993-06-25 Bando Chemical Ind
JPH03278444A (ja) * 1990-09-07 1991-12-10 Bando Chem Ind Ltd 半導体ウエハーのダイシング方法
JPH0532946A (ja) * 1991-07-31 1993-02-09 Lintec Corp 再剥離型粘着性ポリマー
US5304418A (en) * 1991-12-30 1994-04-19 Nitto Denko Corporation Dicing-die bonding film
US5476565A (en) * 1991-12-30 1995-12-19 Nitto Denko Corporation Dicing-die bonding film
EP0715341A1 (en) 1994-11-29 1996-06-05 LINTEC Corporation Method of preventing a transfer of adhesive substance to a ring frame in a dicing process, pressure-sensitive adhesive sheet and wafer support comprising said pressure-sensitive adhesive sheet
EP0775715A2 (en) 1995-11-22 1997-05-28 LINTEC Corporation Adhesive composition and adhesive sheet
EP0775715A3 (en) * 1995-11-22 1998-05-20 LINTEC Corporation Adhesive composition and adhesive sheet
US5891285A (en) * 1996-05-10 1999-04-06 Tefco International Co., Ltd. Process for manufacturing electroformed patterns
JPH1161065A (ja) * 1997-08-25 1999-03-05 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体ウエハ加工用粘着シート
US6040048A (en) * 1997-08-28 2000-03-21 Lintec Corporation Energy beam curable hydrophilic pressure sensitive adhesive composition and use thereof
US6403215B1 (en) 1998-05-22 2002-06-11 Lintec Corporation Energy beam curable hydrophilic pressure sensitive adhesive composition and use thereof
US6277481B1 (en) 1998-07-06 2001-08-21 Lintec Corporation Adhesive composition and adhesive sheet
US6465330B1 (en) 1998-08-18 2002-10-15 Lintec Corporation Method for grinding a wafer back
KR100655036B1 (ko) * 1998-08-26 2006-12-07 린텍 가부시키가이샤 양면점착시트 및 그 사용 방법
US6398892B1 (en) 1998-08-26 2002-06-04 Lintec Corporation Method of using pressure sensitive adhesive double coated sheet
US7105226B2 (en) 1998-08-26 2006-09-12 Lintec Corporation Pressure sensitive adhesive double coated sheet and method of use thereof
US6524701B1 (en) 1998-11-20 2003-02-25 Lintec Corporation Pressure sensitive adhesive sheet and method of use thereof
US6718223B1 (en) 1999-05-18 2004-04-06 Lintec Corporation Method of processing semiconductor wafer and semiconductor wafer supporting member
US6436795B2 (en) 2000-02-07 2002-08-20 Lintec Corporation Process for producing semiconductor chip
US6524700B2 (en) 2000-02-18 2003-02-25 Nec Corporation Pressure sensitive adhesive sheet for wafer sticking
JP2001240842A (ja) * 2000-02-28 2001-09-04 Nitto Denko Corp 紫外線硬化型粘着剤組成物とその粘着シ―ト類
US6605345B2 (en) 2000-07-07 2003-08-12 Lintec Corporation Ultraviolet-curable pressure sensitive adhesive composition and ultraviolet-curable pressure sensitive adhesive sheet
US6558975B2 (en) 2000-08-31 2003-05-06 Lintec Corporation Process for producing semiconductor device
EP2911189A1 (en) 2001-03-21 2015-08-26 Lintec Corporation Sheet to form a protective film for chips and process for producing semiconductor chips
JP2002285134A (ja) * 2001-03-26 2002-10-03 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体加工用粘着シート
JP2002348554A (ja) * 2001-05-24 2002-12-04 Lintec Corp ワーク固定用シートおよびワーク加工方法
US7135224B2 (en) 2001-08-21 2006-11-14 Lintec Corporation Adhesive tape
US7041190B2 (en) 2002-06-10 2006-05-09 Nitto Denko Corporation Adhesive sheet for dicing glass substrate and method of dicing glass substrate
EP2270848A2 (en) 2002-08-28 2011-01-05 Lintec Corporation Multilayer protective sheet for a semiconductor wafer and structure comprising said wafer and sheet, method for protecting semiconductor wafer and method for processing semiconductor wafer
US7646103B2 (en) 2002-10-15 2010-01-12 Nitto Denko Corporation Dicing/die-bonding film, method of fixing chipped work and semiconductor device
US8586415B2 (en) 2002-10-15 2013-11-19 Nitto Denko Corporation Dicing/die-bonding film, method of fixing chipped work and semiconductor device
US8178420B2 (en) 2002-10-15 2012-05-15 Nitto Denko Corporation Dicing/die-bonding film, method of fixing chipped work and semiconductor device
US7449226B2 (en) 2003-05-29 2008-11-11 Nitto Denko Corporation Dicing die-bonding film, method of fixing chipped work and semiconductor device
US7780811B2 (en) 2003-05-29 2010-08-24 Nitto Denko Corporation Dicing die-bonding film, method of fixing chipped work and semiconductor device
US7309925B2 (en) 2003-12-26 2007-12-18 Nitto Denko Corporation Dicing die-bonding film
US7429522B2 (en) 2003-12-26 2008-09-30 Nitto Denko Corporation Dicing die-bonding film
US7863182B2 (en) 2004-03-17 2011-01-04 Nitto Denko Corporation Dicing die-bonding film
US8304341B2 (en) 2004-03-17 2012-11-06 Nitto Denko Corporation Dicing die-bonding film
US7508081B2 (en) 2004-03-17 2009-03-24 Nitto Denko Corporation Dicing die-bonding film
US7351645B2 (en) 2004-06-02 2008-04-01 Lintec Corporation Pressure sensitive adhesive sheet for use in semiconductor working and method for producing semiconductor chip
US8057894B2 (en) 2004-10-22 2011-11-15 Toray Advanced Materials Korea, Inc. Adhesive tape for electronic components
US8392011B2 (en) 2005-06-29 2013-03-05 Lintec Corporation Semiconductor wafer processing tape winding body, semiconductor wafer processing tape sticking apparatus and semiconductor wafer processing apparatus that use the semiconductor wafer processing tape winding body
JP2007245389A (ja) * 2006-03-14 2007-09-27 Nitto Denko Corp 半導体用粘着シート
WO2007116856A1 (ja) 2006-04-03 2007-10-18 Gunze Limited 半導体ウェハの裏面研削に用いる表面保護テープ及び該表面保護テープ用基材フィルム
EP1892276A1 (en) 2006-08-22 2008-02-27 Nitto Denko Corporation Pressure-sensitive adhesive sheet
WO2008032367A1 (fr) 2006-09-12 2008-03-20 Nitto Denko Corporation Feuille de decoupage en puces/fixation de puces
JP5244603B2 (ja) * 2006-10-03 2013-07-24 株式会社イーテック 粘着剤組成物及び粘着シート
WO2008044561A1 (fr) * 2006-10-03 2008-04-17 Emulsion Technology Co., Ltd. COMPOSITION ADHéSIVE et feuille ADHéSIVE
US8174130B2 (en) 2006-12-05 2012-05-08 Lintec Corporation Laser dicing sheet and manufacturing method for chip body
US8114520B2 (en) 2006-12-05 2012-02-14 Lintec Corporation Laser dicing sheet and process for producing chip body
US7906582B2 (en) 2007-02-20 2011-03-15 Fujifilm Corporation Polymerizable composition, tacky material, and adhesive
US7960023B2 (en) 2007-03-13 2011-06-14 Toray Advanced Materials Korea Inc. Adhesive film for stacking semiconductor chips
EP1970422A2 (en) 2007-03-13 2008-09-17 Toray Saehan Inc. Adhesive film for stacking semiconductor chips
EP2000325A2 (en) 2007-06-08 2008-12-10 Tefco Aomori Co., Ltd. Minute metallic pattern and manufacturing method therefor
JP2008308522A (ja) * 2007-06-12 2008-12-25 Nitto Denko Corp 鑑識用粘着シートおよびその製造方法
DE112008003020T5 (de) 2007-11-08 2010-10-07 Nitto Denko Corp., Ibaraki Klebefolie für das Schneiden von Chips
DE112008003005T5 (de) 2007-11-08 2010-09-16 Nitto Denko Corp., Ibaraki-shi Klebefolie für das Schneiden von Chips
WO2009090838A1 (ja) 2008-01-18 2009-07-23 Nitto Denko Corporation ダイシング・ダイボンドフィルム
WO2009090817A1 (ja) 2008-01-18 2009-07-23 Nitto Denko Corporation ダイシング・ダイボンドフィルム
EP2090633A1 (en) 2008-02-18 2009-08-19 Nitto Denko Corporation Dicing Die-Bonding Film
US8524833B2 (en) 2009-05-20 2013-09-03 Toray Advanced Materials Korea Inc. High-efficiency light diffusing polymeric film and manufacturing method thereof
JP2011162603A (ja) * 2010-02-05 2011-08-25 Lintec Corp 接着剤組成物および接着シート
JP2012177084A (ja) * 2011-01-31 2012-09-13 Dainippon Printing Co Ltd 耐熱仮着用の粘着剤組成物及び粘着テープ
US9670382B2 (en) 2011-03-22 2017-06-06 Lintec Corporation Base film and pressure-sensitive adhesive sheet provided therewith
US9559073B2 (en) 2011-03-22 2017-01-31 Lintec Corporation Base film and pressure-sensitive adhesive sheet provided therewith
US8945668B2 (en) 2011-04-25 2015-02-03 Toray Advanced Materials Korea Inc. Phenoxy resin composition for transparent plastic substrate and transparent plastic substrate using the same
EP2518114A1 (en) 2011-04-25 2012-10-31 Toray Advanced Materials Korea Inc. Phenoxy resin composition for transparent plastic substrate and transparent plastic substrate using the same
WO2013011850A1 (ja) 2011-07-15 2013-01-24 日東電工株式会社 電子部品の製造方法および該製造方法に用いる粘着シート
JP2013038097A (ja) * 2011-08-03 2013-02-21 Nitto Denko Corp ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置
KR20140123951A (ko) 2012-01-12 2014-10-23 덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤 점착 시트 및 전자 부품의 제조 방법
JP2013221073A (ja) * 2012-04-16 2013-10-28 Nitto Denko Corp 粘着シート及び粘着剤組成物
JP2013237732A (ja) * 2012-05-11 2013-11-28 Dainippon Printing Co Ltd エネルギー線易剥離型粘着剤組成物及び粘着テープ
EP2770032A2 (en) 2013-02-20 2014-08-27 Nitto Denko Corporation Film adhesive, dicing tape with film adhesive, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
US10563096B2 (en) 2014-08-29 2020-02-18 Furukawa Electric Co., Ltd. Conductive adhesive composition
US10115707B2 (en) 2014-08-29 2018-10-30 Furukawa Electric Co., Ltd. Adhesive film and semiconductor package using adhesive film
KR20180080708A (ko) 2014-10-15 2018-07-12 후지모리 고교 가부시키가이샤 이방 점착성 시트
US10224230B2 (en) 2014-10-23 2019-03-05 Lintec Corporation Surface protective sheet
WO2017163503A1 (ja) 2016-03-23 2017-09-28 日東電工株式会社 加熱接合用シート、ダイシングテープ付き加熱接合用シート、及び、接合体の製造方法、パワー半導体装置
WO2017221613A1 (ja) 2016-06-24 2017-12-28 日東電工株式会社 加熱接合用シート及びダイシングテープ付き加熱接合用シート
WO2018055889A1 (ja) 2016-09-21 2018-03-29 日東電工株式会社 加熱接合用シート及びダイシングテープ付き加熱接合用シート
US11279827B2 (en) 2016-09-26 2022-03-22 Dow Toray Co., Ltd. Curing reactive silicone gel and use thereof
WO2018056298A1 (ja) * 2016-09-26 2018-03-29 東レ・ダウコーニング株式会社 積層体、その製造方法および電子部品の製造方法
JPWO2018056298A1 (ja) * 2016-09-26 2019-07-25 東レ・ダウコーニング株式会社 積層体、その製造方法および電子部品の製造方法
WO2018179796A1 (ja) 2017-03-29 2018-10-04 日東電工株式会社 加熱接合用シートおよび加熱接合用シート付きダイシングテープ
US11396616B2 (en) 2017-04-06 2022-07-26 Dow Toray Co., Ltd. Liquid curable silicone adhesive composition, cured product thereof, and use thereof
KR20190017158A (ko) 2017-08-10 2019-02-20 애경화학 주식회사 Uv경화 후 내수성 웨이퍼 비점착 특성을 가지는 반도체 웨이퍼 공정용 고분자량 아크릴 점착제 조성물 및 그 제조방법
JP2019077747A (ja) * 2017-10-20 2019-05-23 王子ホールディングス株式会社 粘着シート、積層体の製造方法および積層体
JP2019077748A (ja) * 2017-10-20 2019-05-23 王子ホールディングス株式会社 粘着シート、積層体の製造方法および積層体
WO2019092959A1 (ja) 2017-11-13 2019-05-16 日東電工株式会社 焼結接合用組成物、焼結接合用シート、および焼結接合用シート付きダイシングテープ
WO2019092960A1 (ja) 2017-11-13 2019-05-16 日東電工株式会社 焼結接合用組成物、焼結接合用シート、および焼結接合用シート付きダイシングテープ
JP6350845B1 (ja) * 2018-01-29 2018-07-04 サイデン化学株式会社 粘着剤組成物、粘着シート、及び粘着剤の製造方法
JP2019131638A (ja) * 2018-01-29 2019-08-08 サイデン化学株式会社 粘着剤組成物、粘着シート、及び粘着剤の製造方法
EP3819349A1 (en) 2019-11-08 2021-05-12 Nitto Denko Corporation Thermosetting sheet and dicing die bonding film
EP3819348A1 (en) 2019-11-08 2021-05-12 Nitto Denko Corporation Thermosetting sheet and dicing die bonding film
JP2020111753A (ja) * 2020-03-05 2020-07-27 王子ホールディングス株式会社 粘着シート、積層体の製造方法および積層体
EP3929258A1 (en) 2020-06-24 2021-12-29 Nitto Denko Corporation Thermosetting sheet and dicing die bonding film
EP3988626A1 (en) 2020-10-26 2022-04-27 Nitto Denko Corporation Thermosetting sheet, dicing die bonding film, and semiconductor apparatus
EP4067450A1 (en) 2021-03-31 2022-10-05 Nitto Denko Corporation Thermosetting sheet and dicing die bonding film
WO2022250129A1 (ja) * 2021-05-28 2022-12-01 三井化学東セロ株式会社 電子装置の製造方法
TWI824484B (zh) * 2022-04-15 2023-12-01 國精化學股份有限公司 液態黏結劑及螢石塊

Also Published As

Publication number Publication date
DE3586329D1 (de) 1992-08-20
JPH0616524B2 (ja) 1994-03-02
EP0157508A3 (en) 1989-04-05
EP0157508A2 (en) 1985-10-09
DE3586329T2 (de) 1992-12-10
EP0157508B1 (en) 1992-07-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS60196956A (ja) 半導体ウエハ固定用接着薄板
JPS60223139A (ja) 半導体ウエハ固定用接着薄板
US6010782A (en) Thin adhesive sheet for working semiconductor wafers
TW200918634A (en) Pressure-sensitive adhesive sheet for dicing and dicing method
CN1912038A (zh) 粘合片及其制造方法、以及制品的加工方法
JPS62153376A (ja) ウェハダイシング用粘着シート
JPH02187478A (ja) 再剥離型粘着剤
JPH08188757A (ja) 半導体ウエハ加工用粘着シート
JP5890405B2 (ja) 粘着シートおよび電子部品の製造方法
JP2003181385A (ja) クリーニングシートおよびこれを用いた基板処理装置のクリーニング方法
JPH0661346A (ja) 半導体ウエハダイシング用粘着シート
JP2012033889A (ja) ウエハ加工用テープおよびそれを用いた半導体加工方法
JPH0630353B2 (ja) 半導体ウエハの保護方法
JP2002285134A (ja) 半導体加工用粘着シート
JPH1161065A (ja) 半導体ウエハ加工用粘着シート
JPS60238497A (ja) 部分メツキなどの部分処理方法
JPS6259684A (ja) 接着フイルム
JP2000281993A (ja) 半導体ウエハ加工用粘着シート
JPH0472386B2 (ja)
JPH10310748A (ja) 半導体ウエハ加工用粘着シート
JP4310932B2 (ja) 半導体基板加工用粘着シート
JP2000328023A (ja) 粘着シート
JP4578600B2 (ja) 光感応性粘着テープ及びその製造方法
JP2824784B2 (ja) 半導体ウェハ加工用シート
JPS60201647A (ja) 半導体ウエハの固定方法

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term