JPS6048104B2 - 半導体ウエハの分割方法 - Google Patents
半導体ウエハの分割方法Info
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- JPS6048104B2 JPS6048104B2 JP55010791A JP1079180A JPS6048104B2 JP S6048104 B2 JPS6048104 B2 JP S6048104B2 JP 55010791 A JP55010791 A JP 55010791A JP 1079180 A JP1079180 A JP 1079180A JP S6048104 B2 JPS6048104 B2 JP S6048104B2
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
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-
- H—ELECTRICITY
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は工程が簡素で自動化に適した半導体ウェハの
分割方法に関する。
分割方法に関する。
従来、半導体ウェハの分割においては、検査工程、分
割工程、分割後のエッチング工程、分割された素子の取
り出し工程の４つの工程が必要である。
割工程、分割後のエッチング工程、分割された素子の取
り出し工程の４つの工程が必要である。
これらの工程のうち分割する事によつて生じた機械的あ
るいは電気的な歪と切りくすとを除去するために行なう
分割後のエッチング工程は、分割された後の半導体素子
がバラバラに離れていたのでは処理しにくい。このため
特公昭５２−２６１１５号公報では半導体ウェハの下面
に耐酸性薄帯を貼付し、この耐酸性薄帯を引張つて（エ
キスパンドという事もある）半導体素子を分離形成し、
その後にそのまま切開面をエッチングするとよい事が示
されている。しカル乍ら、この方法によれば耐酸性薄帯
が半導体と強く接着しているためにエッチング終了後に
トリクレンとかトルエンなどの特別な溶剤を用いなけれ
ば半導体素子が取り出せない。 本発明は半導体素子を
エッチングするに際してシートに付着している貼着剤の
貼着力を弱め、エッチング後に特別の溶剤を用いる事な
く半導体素子の取り出しを可能にするものである。
るいは電気的な歪と切りくすとを除去するために行なう
分割後のエッチング工程は、分割された後の半導体素子
がバラバラに離れていたのでは処理しにくい。このため
特公昭５２−２６１１５号公報では半導体ウェハの下面
に耐酸性薄帯を貼付し、この耐酸性薄帯を引張つて（エ
キスパンドという事もある）半導体素子を分離形成し、
その後にそのまま切開面をエッチングするとよい事が示
されている。しカル乍ら、この方法によれば耐酸性薄帯
が半導体と強く接着しているためにエッチング終了後に
トリクレンとかトルエンなどの特別な溶剤を用いなけれ
ば半導体素子が取り出せない。 本発明は半導体素子を
エッチングするに際してシートに付着している貼着剤の
貼着力を弱め、エッチング後に特別の溶剤を用いる事な
く半導体素子の取り出しを可能にするものである。
本発明ならびに本発明に至るに必要とした実験を詳細
に説明する。
に説明する。
ます各実験に共通する条件（工程）を述べる。半導体ウ
ェハとしてはガリウム燐（ＧａＰ）発光ダイオードを用
いた。これは他の半導体（例えばシリコン）に比べても
ろく、又切り出す素子の大きさが一般に小さい、さらに
結晶のへき開方向とＰＮ接合の成長方向が一致しないの
で、スクライブ後の切断分割に際して斜めに割れ、いわ
ゆるバリが生じる等の理由から、エッチング液には強酸
が必要であり、シートの貼着剤の貼着力（ＪＩＳ−Ｚ−
１５２９）は強くなくてはならない等最もきびしい条件
が与えられるからである。またシートはあらかじめ貼着
剤が付着しているものを対象とした。 以下、図に従つ
て工程を説明する。
ェハとしてはガリウム燐（ＧａＰ）発光ダイオードを用
いた。これは他の半導体（例えばシリコン）に比べても
ろく、又切り出す素子の大きさが一般に小さい、さらに
結晶のへき開方向とＰＮ接合の成長方向が一致しないの
で、スクライブ後の切断分割に際して斜めに割れ、いわ
ゆるバリが生じる等の理由から、エッチング液には強酸
が必要であり、シートの貼着剤の貼着力（ＪＩＳ−Ｚ−
１５２９）は強くなくてはならない等最もきびしい条件
が与えられるからである。またシートはあらかじめ貼着
剤が付着しているものを対象とした。 以下、図に従つ
て工程を説明する。
まずａに示す如く、ＰＮ接合１と電極２、３、３・・・
・・・・・・・・・・・・を有したガリウム燐のウェハ
４を一面に貼着剤５を付着してなるシート６に貼着固定
する。次にｂに示す如く回転刃やワイヤリングカッタ等
によりスクライブ溝（図示せず）又はダイシング溝７，
７・・・ ・・・・を入れ、ウェハ４を複数の素子に
切断分解しやすくする。次にこのウェハ４の上に保護シ
ートをかぶせるとかあるいはシート６を裏返す等して、
上からローラ等で適当に加圧しｃに示す如く各素子４１
，４１・ ・・・・に分離する。前述した如く、ガ
リウム燐においてはこの工程で割れた所にはバリ８，８
・・・ ・・・・が生じる。次にシート６を機械的に
四方又は全周方向に引張る（必要とあれば専用の治具が
市販されているからそれを利用すればよいが円形の台座
を用いると容易に行なえる）と、ｄに示す如シート６が
のび、素子４１，４１・ ・・・はお互いに離れる
。このままエッチング液に浸漬し、特に工程ｂで生じた
機械的あるいは電気的な歪（いずれも洩れ電流の成因と
なるので発光効率が低下する）や切りくずの除去しきれ
なかつたもの、および工程ｃで生じたバリ８，８・・・
・・・・を溶解除去させる。エッチング液はよく知
られているように種類によつて、半導体結晶の成長方位
により蝕刻速度が異なる上、特に突出部や何らかの歪を
有する所は速く蝕刻されるので、エッチング液の薬剤を
半導体結晶の材質と成長方位にあわせてうまく選べは表
面に被覆を設けなくとも切断面のみをエッチングする事
ができる。エッチング条件は素子のエッチングが終了す
るための温度及び時間を基準とする。ｅはエッチング終
了後の状態をあられす図で、左半分は本発明にとつて最
も好ましいもの、右半分一は好ましくないものを図示し
た。左半分では、エッチングにより貼着剤５の貼着力が
弱められており素子４１，４１・ ・・・はまだ
シート６に貼着しているが、ピンセットやコレットで容
易に離脱できる状態にある。この時露出した貼着剤はお
．おむね溶解している。一方右半分ては貼着剤５は変質
したりあるいは素子４「が既にシート６から離脱してお
り、最も好ましくないのは図示していないが、貼着剤５
の貼着力が全く衰えない状態にある。上記の工程におい
て、ウェハ４の一方の電極２がウェハ全面でつながつて
いると、ａの工程でウェハ４をシート６に貼着する時、
ウェハ４の周縁の一部に導電性接着剤等を塗布しておく
事により、下側となつている電極の端子出しができる。
・・・・・・・・・・・・を有したガリウム燐のウェハ
４を一面に貼着剤５を付着してなるシート６に貼着固定
する。次にｂに示す如く回転刃やワイヤリングカッタ等
によりスクライブ溝（図示せず）又はダイシング溝７，
７・・・ ・・・・を入れ、ウェハ４を複数の素子に
切断分解しやすくする。次にこのウェハ４の上に保護シ
ートをかぶせるとかあるいはシート６を裏返す等して、
上からローラ等で適当に加圧しｃに示す如く各素子４１
，４１・ ・・・・に分離する。前述した如く、ガ
リウム燐においてはこの工程で割れた所にはバリ８，８
・・・ ・・・・が生じる。次にシート６を機械的に
四方又は全周方向に引張る（必要とあれば専用の治具が
市販されているからそれを利用すればよいが円形の台座
を用いると容易に行なえる）と、ｄに示す如シート６が
のび、素子４１，４１・ ・・・はお互いに離れる
。このままエッチング液に浸漬し、特に工程ｂで生じた
機械的あるいは電気的な歪（いずれも洩れ電流の成因と
なるので発光効率が低下する）や切りくずの除去しきれ
なかつたもの、および工程ｃで生じたバリ８，８・・・
・・・・を溶解除去させる。エッチング液はよく知
られているように種類によつて、半導体結晶の成長方位
により蝕刻速度が異なる上、特に突出部や何らかの歪を
有する所は速く蝕刻されるので、エッチング液の薬剤を
半導体結晶の材質と成長方位にあわせてうまく選べは表
面に被覆を設けなくとも切断面のみをエッチングする事
ができる。エッチング条件は素子のエッチングが終了す
るための温度及び時間を基準とする。ｅはエッチング終
了後の状態をあられす図で、左半分は本発明にとつて最
も好ましいもの、右半分一は好ましくないものを図示し
た。左半分では、エッチングにより貼着剤５の貼着力が
弱められており素子４１，４１・ ・・・はまだ
シート６に貼着しているが、ピンセットやコレットで容
易に離脱できる状態にある。この時露出した貼着剤はお
．おむね溶解している。一方右半分ては貼着剤５は変質
したりあるいは素子４「が既にシート６から離脱してお
り、最も好ましくないのは図示していないが、貼着剤５
の貼着力が全く衰えない状態にある。上記の工程におい
て、ウェハ４の一方の電極２がウェハ全面でつながつて
いると、ａの工程でウェハ４をシート６に貼着する時、
ウェハ４の周縁の一部に導電性接着剤等を塗布しておく
事により、下側となつている電極の端子出しができる。
従つてｂの工程で各素子が独立した時にプローバー等に
より全数検査を行なう事もできる。この時にはダイシン
グ溝７，７・・・ ・・・はＰＮ接合１より深けれ
ばよいから、持ち運びや検査器のセットに不便を生ずる
事があれば一度は浅く切り検査後深く切るという２段階
にしてもよい。ウェハ４は直径５０Ｔｒ＄Ｌ厚さ４００
Ｐ７Ｔ１．のものを用い、素子４１，４１・・・ ・
・・・は一辺が３００μｍｌになるように切断分離した
。
より全数検査を行なう事もできる。この時にはダイシン
グ溝７，７・・・ ・・・はＰＮ接合１より深けれ
ばよいから、持ち運びや検査器のセットに不便を生ずる
事があれば一度は浅く切り検査後深く切るという２段階
にしてもよい。ウェハ４は直径５０Ｔｒ＄Ｌ厚さ４００
Ｐ７Ｔ１．のものを用い、素子４１，４１・・・ ・
・・・は一辺が３００μｍｌになるように切断分離した
。
又、エッチング液はガリウム燐用エッチング液（Ｈ２Ｓ
Ｏ４＋Ｈ２Ｏ＋Ｈ２Ｏ２）と過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）
の２種類を用い、それぞれ常温および加熱又は煮沸の条
件を与えた。実験第１群従来例の確認として一般に半導
体エキスパンド用として市販されているシート（例えは
ＴＲ−Ｊ，．ＴＲ−１０−Ｂ．．ＴＲ−Ｋ（いずれも商
品名）で上記実験を行なつた。
Ｏ４＋Ｈ２Ｏ＋Ｈ２Ｏ２）と過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）
の２種類を用い、それぞれ常温および加熱又は煮沸の条
件を与えた。実験第１群従来例の確認として一般に半導
体エキスパンド用として市販されているシート（例えは
ＴＲ−Ｊ，．ＴＲ−１０−Ｂ．．ＴＲ−Ｋ（いずれも商
品名）で上記実験を行なつた。
これらのシートでは貼着力゛は１乃至５ｋ９／２５萌と
強く、いずれもエッチングあるいは煮沸エッチング程度
では貼着剤がやや白濁するのみで強い貼着力を維持し続
けた。従つてエッチング終了後素子を取ろうとすると極
めて困難で、強い力を加えると素子が欠けたりシートが
破けたりしたので本発明には利用できない。実験第２群
耐酸性物質をシート材料に用いたポリエステルテープ、
ダンプロンテープ、ポリオレフィン系テープを用いて実
験したところ、ポリエステルテープは高温エッチングで
貼着剤が脆質化し、ダンプロンテープは乾燥中に貼着剤
や時にはシートにもひび割れが生じ、さらにポリオレフ
ィン系テープではエッチング中に素子がシートから離脱
をはじめた。
強く、いずれもエッチングあるいは煮沸エッチング程度
では貼着剤がやや白濁するのみで強い貼着力を維持し続
けた。従つてエッチング終了後素子を取ろうとすると極
めて困難で、強い力を加えると素子が欠けたりシートが
破けたりしたので本発明には利用できない。実験第２群
耐酸性物質をシート材料に用いたポリエステルテープ、
ダンプロンテープ、ポリオレフィン系テープを用いて実
験したところ、ポリエステルテープは高温エッチングで
貼着剤が脆質化し、ダンプロンテープは乾燥中に貼着剤
や時にはシートにもひび割れが生じ、さらにポリオレフ
ィン系テープではエッチング中に素子がシートから離脱
をはじめた。
従つていずれも好ましいものではない。実験第３群金属
の表面保護用シートであるＳＰＶ−２２４（商標、日東
電工）を用いた所煮沸エッチングで貼着剤がやや白濁し
たが異常はなく、エッチング後は真空コレットで容易に
素子を取り上げる事ができた。
の表面保護用シートであるＳＰＶ−２２４（商標、日東
電工）を用いた所煮沸エッチングで貼着剤がやや白濁し
たが異常はなく、エッチング後は真空コレットで容易に
素子を取り上げる事ができた。
これと同様の効果を求めてＴＨ−２５（商標一ツカサ商
会）で実験したがＨ２Ｏ２煮沸エッチングで貼着剤が白
濁し粘着力はそれほど低下していなかつた。これらの実
験をもとにシートを検討した結果次のような傾向が分か
つた。
会）で実験したがＨ２Ｏ２煮沸エッチングで貼着剤が白
濁し粘着力はそれほど低下していなかつた。これらの実
験をもとにシートを検討した結果次のような傾向が分か
つた。
シート材質は塩化ビニルでもポリエステルでもよいが、
シート材質と貼着剤の材質との相互関係が大きく影響す
るので塩化ビニルをシート材質としアクリル系接着剤を
貼着剤を選ぶのがよい。但し、アクリル系感圧接着剤は
好ましくないものが多い。伸び率（破断時）は塩化ビニ
ルをシート材質に選べば概ね２００％あるので充分であ
る。貼着力は１５０乃至６００ｙ／２５７７ｒＩｎ程度
で弱耐酸性のものが好ましい。尚、切断の時（図のｂの
工程）で刃の厚みが厚く、ダイシング溝７，７・・・・
・・の広さが充分なとき（例えばシリコン半導体
等の場合）はシート６を引張る（図のｄの工程）のは不
要てあるから伸び率は小さくてよい。以上の如く本発明
は、半導体ウェハをシート上に貼着し、その後半導体ウ
ェハを複数の半導体素子に切断分割し、そのままあるい
はシートを引張つてのばしてからエッチング液に浸漬し
て半導体素子の切断面をエッチングすると共に、シート
に付着している貼着剤の貼着力を弱め、エッチング終了
後はシートに貼着している半導体素子をシートから離脱
しやすいようにならしめたものであるから、エッチング
後の溶剤が不要で工程が簡素となり、検査工程やダイレ
クトマウント法等の自動化が行ないやすい半導体ウェハ
の分割方法が提供できる。
シート材質と貼着剤の材質との相互関係が大きく影響す
るので塩化ビニルをシート材質としアクリル系接着剤を
貼着剤を選ぶのがよい。但し、アクリル系感圧接着剤は
好ましくないものが多い。伸び率（破断時）は塩化ビニ
ルをシート材質に選べば概ね２００％あるので充分であ
る。貼着力は１５０乃至６００ｙ／２５７７ｒＩｎ程度
で弱耐酸性のものが好ましい。尚、切断の時（図のｂの
工程）で刃の厚みが厚く、ダイシング溝７，７・・・・
・・の広さが充分なとき（例えばシリコン半導体
等の場合）はシート６を引張る（図のｄの工程）のは不
要てあるから伸び率は小さくてよい。以上の如く本発明
は、半導体ウェハをシート上に貼着し、その後半導体ウ
ェハを複数の半導体素子に切断分割し、そのままあるい
はシートを引張つてのばしてからエッチング液に浸漬し
て半導体素子の切断面をエッチングすると共に、シート
に付着している貼着剤の貼着力を弱め、エッチング終了
後はシートに貼着している半導体素子をシートから離脱
しやすいようにならしめたものであるから、エッチング
後の溶剤が不要で工程が簡素となり、検査工程やダイレ
クトマウント法等の自動化が行ないやすい半導体ウェハ
の分割方法が提供できる。
図は本発明の実験に用いた半導体ウェハの分割方法の各
工程を示す説明図である。 ４・・・・・・ウェハ、５・・・・・・貼着剤、６・・
・・・・シート、７・・・・・・ダイシング溝、４１，
４１・ ・・，４１″・・・・素子。
工程を示す説明図である。 ４・・・・・・ウェハ、５・・・・・・貼着剤、６・・
・・・・シート、７・・・・・・ダイシング溝、４１，
４１・ ・・，４１″・・・・素子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体ウェハを弱耐酸性貼着剤を有するシート上に
貼着し、その後半導体ウェハを複数の半導体素子に切断
分割し、そのままあるいはシートを引張つてのばしてか
ら半導体を蝕刻しかつシートの貼着剤に作用するエッチ
ング液に浸漬して、半導体素子の切断面のエッチングす
ると共にシートに付着している貼着剤の貼着力を弱め、
エッチング終了後はシートに貼着している半導体素子を
シートから離脱しやすいようにならしめた事を特徴とす
る半導体ウェハの分割方法。 ２ 前記シートはアクリル系接着剤を有する塩化ビニル
系のものからなる事を特徴とする前記特許請求の範囲第
１項記載の半導体ウェハの分割方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55010791A JPS6048104B2 (ja) | 1980-01-30 | 1980-01-30 | 半導体ウエハの分割方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55010791A JPS6048104B2 (ja) | 1980-01-30 | 1980-01-30 | 半導体ウエハの分割方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56107563A JPS56107563A (en) | 1981-08-26 |
| JPS6048104B2 true JPS6048104B2 (ja) | 1985-10-25 |
Family
ID=11760156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55010791A Expired JPS6048104B2 (ja) | 1980-01-30 | 1980-01-30 | 半導体ウエハの分割方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6048104B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IE55238B1 (en) * | 1983-08-03 | 1990-07-04 | Nat Starch Chem Corp | Carrier film with conductive adhesive for dicing of semiconductor wafers |
| JPH0616524B2 (ja) * | 1984-03-12 | 1994-03-02 | 日東電工株式会社 | 半導体ウエハ固定用接着薄板 |
| US5179035A (en) * | 1989-09-15 | 1993-01-12 | U.S. Philips Corporation | Method of fabricating two-terminal non-linear devices |
| US5762744A (en) * | 1991-12-27 | 1998-06-09 | Rohm Co., Ltd. | Method of producing a semiconductor device using an expand tape |
| US5413659A (en) * | 1993-09-30 | 1995-05-09 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Array of conductive pathways |
| US5545291A (en) * | 1993-12-17 | 1996-08-13 | The Regents Of The University Of California | Method for fabricating self-assembling microstructures |
-
1980
- 1980-01-30 JP JP55010791A patent/JPS6048104B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56107563A (en) | 1981-08-26 |
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