JP2824784B2 - 半導体ウェハ加工用シート - Google Patents
半導体ウェハ加工用シートInfo
- Publication number
- JP2824784B2 JP2824784B2 JP11612589A JP11612589A JP2824784B2 JP 2824784 B2 JP2824784 B2 JP 2824784B2 JP 11612589 A JP11612589 A JP 11612589A JP 11612589 A JP11612589 A JP 11612589A JP 2824784 B2 JP2824784 B2 JP 2824784B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- adhesive layer
- pressure
- sensitive adhesive
- radiation
- Prior art date
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- Adhesive Tapes (AREA)
- Dicing (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は、基材と、粘着剤層とを備える半導体ウェハ
加工用シートに関する。
加工用シートに関する。
＜従来の技術＞ 従来、半導体ウェハを、貼着し、ダイシング、エキス
パンディング等を行い、次いで該半導体ウェハをピック
アップすると同時にマウントする際に用いる半導体ウェ
ハ加工用シートは、光又は放射線透過性を有する基材上
に、光又は放射線により硬化する粘着剤層が塗布されて
いる。具体的には例えば、特開昭60−196956号公報又は
特開昭60−223139号公報には、粘着剤層を構成する光重
合性化合物として、トリメチロールプロパントリアクリ
レート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ポリ
エチレングリコールジアクリレート、オリゴエステルア
クリレート等の分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を
少なくとも２個以上有するアクリル樹脂系化合物を用い
ることが提案されており、また特開昭62−153376号公報
には、分子量3000〜10000のウレタンアクリレート系オ
リゴマーを用いることが開示されている。
パンディング等を行い、次いで該半導体ウェハをピック
アップすると同時にマウントする際に用いる半導体ウェ
ハ加工用シートは、光又は放射線透過性を有する基材上
に、光又は放射線により硬化する粘着剤層が塗布されて
いる。具体的には例えば、特開昭60−196956号公報又は
特開昭60−223139号公報には、粘着剤層を構成する光重
合性化合物として、トリメチロールプロパントリアクリ
レート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ポリ
エチレングリコールジアクリレート、オリゴエステルア
クリレート等の分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を
少なくとも２個以上有するアクリル樹脂系化合物を用い
ることが提案されており、また特開昭62−153376号公報
には、分子量3000〜10000のウレタンアクリレート系オ
リゴマーを用いることが開示されている。
しかしながら、前記各々の化合物を用いた粘着剤層で
は、特定の半導体ウェハに対して、所望の効果を期待す
ることはできるが、現在半導体業界で使用されている多
種多様の半導体ウェハ全てに対して同様な効果が得られ
るとは限らないのが実状である。特に回路の裏面への蒸
着に使用される金属が異なれば、粘着剤層の剥離が安定
に行なわれず、半導体ウェハをピックアップするのが困
難であるという欠点が生じる。更に、予め粘着剤層に粘
着した半導体ウェハは、直ちにダイシングを行うとは限
らず、例えばダイシングを行う迄に蛍光灯等の光源に曝
露されると、光又は放射線照射後粘着力の低下が十分で
なく、半導体ウェハのピックアップが安定的にできない
という欠点がある。
は、特定の半導体ウェハに対して、所望の効果を期待す
ることはできるが、現在半導体業界で使用されている多
種多様の半導体ウェハ全てに対して同様な効果が得られ
るとは限らないのが実状である。特に回路の裏面への蒸
着に使用される金属が異なれば、粘着剤層の剥離が安定
に行なわれず、半導体ウェハをピックアップするのが困
難であるという欠点が生じる。更に、予め粘着剤層に粘
着した半導体ウェハは、直ちにダイシングを行うとは限
らず、例えばダイシングを行う迄に蛍光灯等の光源に曝
露されると、光又は放射線照射後粘着力の低下が十分で
なく、半導体ウェハのピックアップが安定的にできない
という欠点がある。
＜発明が解決しようとする課題＞ 本発明の目的は、多種多様の半導体ウェハに対して、
優れた接着力を有し、且つ、放射線及び／又は紫外線を
照射後、接着力が低下するので剥離が容易であり、しか
も粘着剤層が基材上に残存することが少ない半導体ウェ
ハ加工用シートを提供することにある。
優れた接着力を有し、且つ、放射線及び／又は紫外線を
照射後、接着力が低下するので剥離が容易であり、しか
も粘着剤層が基材上に残存することが少ない半導体ウェ
ハ加工用シートを提供することにある。
＜課題を解決するための手段＞ 本発明によれば紫外線及び／又は放射線に対し透過性
を有する基材と、紫外線及び／又は放射線により重合硬
化反応する粘着剤層とを備えるシートであって、該粘着
剤層がベースポリマーと、分子内にアクリロイル基を有
さないポリエン及び多価チオールとの混合物からなるポ
リエンポリチオール系オリゴマーとを含有することを特
徴とする半導体ウェハ加工用シートが提供される。
を有する基材と、紫外線及び／又は放射線により重合硬
化反応する粘着剤層とを備えるシートであって、該粘着
剤層がベースポリマーと、分子内にアクリロイル基を有
さないポリエン及び多価チオールとの混合物からなるポ
リエンポリチオール系オリゴマーとを含有することを特
徴とする半導体ウェハ加工用シートが提供される。
以下本発明を更に詳細に説明する。
本発明の半導体ウェハ加工用シートは、特定の基材と
粘着剤層とを備え、該粘着剤層がベースポリマーとポリ
エンポリチオール系オリゴマーとを含有することを特徴
とする。
粘着剤層とを備え、該粘着剤層がベースポリマーとポリ
エンポリチオール系オリゴマーとを含有することを特徴
とする。
本発明において用いる基材は、紫外線及び／又は放射
線に対し透過性を有しておれば特に限定されるものでは
なく、例えばポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレ
ート、ポリエチレン、ポリプロピレン、EVAフィルム等
のプラスチックフィルム等を挙げることができる。該基
材の厚さは、通常25〜200μｍ程度が好ましいが特に該
範囲に限定されるものではない。
線に対し透過性を有しておれば特に限定されるものでは
なく、例えばポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレ
ート、ポリエチレン、ポリプロピレン、EVAフィルム等
のプラスチックフィルム等を挙げることができる。該基
材の厚さは、通常25〜200μｍ程度が好ましいが特に該
範囲に限定されるものではない。
本発明において、前記基材上に設けられる粘着剤層
は、紫外線及び／又は放射線により重合硬化反応を起こ
し、且つベースポリマーとポリエンポリチオール系オリ
ゴマーとを含有しておれば良い。該粘着剤層は、半導体
ウェハを接着後、紫外線又は放射線を照射することによ
り重合反応して、硬化し、塑性流動性が低下するので、
剥離が容易となると思われる。
は、紫外線及び／又は放射線により重合硬化反応を起こ
し、且つベースポリマーとポリエンポリチオール系オリ
ゴマーとを含有しておれば良い。該粘着剤層は、半導体
ウェハを接着後、紫外線又は放射線を照射することによ
り重合反応して、硬化し、塑性流動性が低下するので、
剥離が容易となると思われる。
前記ベースポリマーとしては、例えば天然又は合成ゴ
ム等のポリマー或いは（メタ）アクリル酸又はそのエス
テル、（メタ）アクリル酸又はそのエステルと共重合可
能な不飽和単量体等を重合させてなるアクリル系ポリマ
ー等を好ましく挙げることができる。また前記ポリエン
ポリチオール系オリゴマーは、ポリエンと、多価チオー
ルとを含み、分子内にアクリロイル基を有さず、硬化反
応する際に酸素障害が殆どなく、しかも硬化物自身が耐
汚染性に優れ、一般的に接着性に劣るオリゴマーであ
る。具体的には、ポリエンとしては例えばジアクロレイ
ンペンタエリスリトール、トリレンジイソシアネートの
トリメチロールプロパンジアリルエーテル付加物、不飽
和アリルウレタンオリゴマー等を挙げることができ、ま
た多価チオールとしては、ペンタエリスリトールのメル
カプトプロピオン酸又はメルカプト酢酸のエステル等を
好ましく挙げることができる他、市販のポリエンポリチ
オール系オリゴマーを用いることもできる。前記ポリチ
オール系オリゴマーを調製するには、前記ポリエンと多
価チオールとを混合すればよい。ポリエンポリチオール
系オリゴマーの分子量は、前記基材上に設置でき、且
つ、紫外線及び／又は放射線により硬化した際に、接着
力が低下し、半導体ウェハのピックアップを容易に行う
ことができれば良く、好ましくは分子量30000未満であ
る。分子量が30000以上の場合には、粘度が高くなり、
作業性が劣り、硬化させた際の接着力の低下が十分でな
いので好ましくない。
ム等のポリマー或いは（メタ）アクリル酸又はそのエス
テル、（メタ）アクリル酸又はそのエステルと共重合可
能な不飽和単量体等を重合させてなるアクリル系ポリマ
ー等を好ましく挙げることができる。また前記ポリエン
ポリチオール系オリゴマーは、ポリエンと、多価チオー
ルとを含み、分子内にアクリロイル基を有さず、硬化反
応する際に酸素障害が殆どなく、しかも硬化物自身が耐
汚染性に優れ、一般的に接着性に劣るオリゴマーであ
る。具体的には、ポリエンとしては例えばジアクロレイ
ンペンタエリスリトール、トリレンジイソシアネートの
トリメチロールプロパンジアリルエーテル付加物、不飽
和アリルウレタンオリゴマー等を挙げることができ、ま
た多価チオールとしては、ペンタエリスリトールのメル
カプトプロピオン酸又はメルカプト酢酸のエステル等を
好ましく挙げることができる他、市販のポリエンポリチ
オール系オリゴマーを用いることもできる。前記ポリチ
オール系オリゴマーを調製するには、前記ポリエンと多
価チオールとを混合すればよい。ポリエンポリチオール
系オリゴマーの分子量は、前記基材上に設置でき、且
つ、紫外線及び／又は放射線により硬化した際に、接着
力が低下し、半導体ウェハのピックアップを容易に行う
ことができれば良く、好ましくは分子量30000未満であ
る。分子量が30000以上の場合には、粘度が高くなり、
作業性が劣り、硬化させた際の接着力の低下が十分でな
いので好ましくない。
前記ポリエンポリチオール系オリゴマーと、ベースポ
リマーとの配合割合は、ポリエンポリチオール系オリゴ
マーを５〜95重量％、特に20〜80重量％、ベースポリマ
ーを95〜５重量％、特に80〜20重量％の範囲であるのが
好ましい。この際ポリエンポリチオール系オリゴマーの
配合割合が５重量％未満の場合には、紫外線及び／又は
放射線照射後の接着力の低下が不十分であり、95重量％
を超える場合には、紫外線及び／又は放射線照射前の粘
着力が低下し、粘着剤層とならないので好ましくない。
また前記粘着剤層の厚さは、特に限定されるものではな
いが、５〜35μｍ程度であるのが好ましい。
リマーとの配合割合は、ポリエンポリチオール系オリゴ
マーを５〜95重量％、特に20〜80重量％、ベースポリマ
ーを95〜５重量％、特に80〜20重量％の範囲であるのが
好ましい。この際ポリエンポリチオール系オリゴマーの
配合割合が５重量％未満の場合には、紫外線及び／又は
放射線照射後の接着力の低下が不十分であり、95重量％
を超える場合には、紫外線及び／又は放射線照射前の粘
着力が低下し、粘着剤層とならないので好ましくない。
また前記粘着剤層の厚さは、特に限定されるものではな
いが、５〜35μｍ程度であるのが好ましい。
本発明では、特に半導体ウェハに本発明の半導体ウェ
ハ加工用シートを貼着後、直ちにダイシング処理等を行
なわない場合、蛍光灯等の光源に曝露されても、紫外線
及び／又は放射線照射後、十分な接着力の低下を得るた
めに、前記基材及び／又は粘着剤層に紫外線吸収剤を含
有させることもできる。該紫外線吸収剤としては、例え
ばレゾルシールモノベンゾエート、２−ヒドロキシ−４
−メトキシベンゾフェノン、ビス（ジ−ｎ−ブチルジチ
オカルバメート）等を好ましく挙げることができ、使用
に際しては、単独若しくは混合物として用いることがで
きる。紫外線吸収剤を使用する場合の含有割合は、ベー
スポリマー又は基材100重量部に対して、0.0001〜５重
量部の範囲が好ましい。前記含有割合が0.0001重量部未
満の場合には、蛍光灯等の光源による紫外線を防ぐこと
ができず、また５重量部を超える場合には、紫外線又は
放射線を照射した際の接着力の低下率が劣るので好まし
くない。この際紫外線吸収剤を基材に含有させるには、
例えば基材を成形する前の溶融した基材成分に練り込み
Ｔダイス等を用いてフィルム化する方法等により行うこ
とができ、また粘着剤層に含有させるには、前記ベース
ポリマー及びポリエンポリチオール系オリゴマーを含む
成分中に混合撹拌すれば良い。
ハ加工用シートを貼着後、直ちにダイシング処理等を行
なわない場合、蛍光灯等の光源に曝露されても、紫外線
及び／又は放射線照射後、十分な接着力の低下を得るた
めに、前記基材及び／又は粘着剤層に紫外線吸収剤を含
有させることもできる。該紫外線吸収剤としては、例え
ばレゾルシールモノベンゾエート、２−ヒドロキシ−４
−メトキシベンゾフェノン、ビス（ジ−ｎ−ブチルジチ
オカルバメート）等を好ましく挙げることができ、使用
に際しては、単独若しくは混合物として用いることがで
きる。紫外線吸収剤を使用する場合の含有割合は、ベー
スポリマー又は基材100重量部に対して、0.0001〜５重
量部の範囲が好ましい。前記含有割合が0.0001重量部未
満の場合には、蛍光灯等の光源による紫外線を防ぐこと
ができず、また５重量部を超える場合には、紫外線又は
放射線を照射した際の接着力の低下率が劣るので好まし
くない。この際紫外線吸収剤を基材に含有させるには、
例えば基材を成形する前の溶融した基材成分に練り込み
Ｔダイス等を用いてフィルム化する方法等により行うこ
とができ、また粘着剤層に含有させるには、前記ベース
ポリマー及びポリエンポリチオール系オリゴマーを含む
成分中に混合撹拌すれば良い。
本発明において、前記粘着剤層を、前記基材上に形成
し、半導体ウェハ加工用シートを製造するには、粘着剤
層を構成する成分を塗布又は散布等により基材上に布着
させ、例えば80〜100℃、１〜10分間程度加熱処理等を
行って乾燥させることによって得ることができる。
し、半導体ウェハ加工用シートを製造するには、粘着剤
層を構成する成分を塗布又は散布等により基材上に布着
させ、例えば80〜100℃、１〜10分間程度加熱処理等を
行って乾燥させることによって得ることができる。
本発明の半導体ウェハ加工用シートを使用するには、
公知の方法で用いることができ、例えば半導体ウェハ加
工用シートに半導体ウェハを貼り付けて固定した後、回
転丸刃で半導体ウェハを素子小片に切断する。その後、
前記加工用シートの基材側から紫外線及び／又は放射線
を照射し、次いで素子小片をニードル等で突き上げると
共にエアピンセット等で吸着する方法等によりピックア
ップすると同時にマウントすれば良い。
公知の方法で用いることができ、例えば半導体ウェハ加
工用シートに半導体ウェハを貼り付けて固定した後、回
転丸刃で半導体ウェハを素子小片に切断する。その後、
前記加工用シートの基材側から紫外線及び／又は放射線
を照射し、次いで素子小片をニードル等で突き上げると
共にエアピンセット等で吸着する方法等によりピックア
ップすると同時にマウントすれば良い。
＜発明の効果＞ 本発明の半導体ウェハ加工用シートは粘着剤層にポリ
エンポリチオール系オリゴマーを含有するので、多種多
様の半導体ウェハに対して十分な接着力を有し、紫外線
及び／又は放射線照射後に、ピックアップ等を行う際の
最適値まで接着力を低下させることができ、しかも基材
面上に、ほとんど粘着剤層を残すことなくピックアップ
することができる。また本発明では、紫外線吸収剤を用
いることによって、蛍光灯等の光源に曝露されても、紫
外線及び／又は放射線照射後の接着力の低下を十分に得
ることができる。
エンポリチオール系オリゴマーを含有するので、多種多
様の半導体ウェハに対して十分な接着力を有し、紫外線
及び／又は放射線照射後に、ピックアップ等を行う際の
最適値まで接着力を低下させることができ、しかも基材
面上に、ほとんど粘着剤層を残すことなくピックアップ
することができる。また本発明では、紫外線吸収剤を用
いることによって、蛍光灯等の光源に曝露されても、紫
外線及び／又は放射線照射後の接着力の低下を十分に得
ることができる。
＜実施例＞ 以下本発明を実施例及び比較例により、更に詳細に説
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
実施例１ アクリル酸ブチル100重量部及びアクリル酸５重量部
を共重合して得られる重量平均分子量50万の共重合体10
0重量部と、ポリエンポリチオールオリゴマー（旭電化
製：商品名「アデカオプトマーBY−300B」）50重量部と
を配合した粘着剤層となる樹脂を、剥離処理した厚さ38
μのポリエステルフィルムに、15μの厚さになるように
コーティングし、90℃３分間乾燥した。その後基材とな
る80μのポリエチレンフィルムでラミネートし、半導体
加工用シートを作製した。
を共重合して得られる重量平均分子量50万の共重合体10
0重量部と、ポリエンポリチオールオリゴマー（旭電化
製：商品名「アデカオプトマーBY−300B」）50重量部と
を配合した粘着剤層となる樹脂を、剥離処理した厚さ38
μのポリエステルフィルムに、15μの厚さになるように
コーティングし、90℃３分間乾燥した。その後基材とな
る80μのポリエチレンフィルムでラミネートし、半導体
加工用シートを作製した。
得られたシートを、裏面の蒸着金属表面が化学的に経
時変化のない通常のシリコンウェハと、経時変化したシ
リコンウェハとのそれぞれに粘着して、回転丸刃を用い
て切断する半導体ウェハと、JIS Z−0237に準じて粘着
力を測定するためのサンプルとを作製した。切断加工し
た半導体ウェハ及び粘着力測定用サンプルそれぞれに基
材面より15cmの距離から80W/cmの高圧水銀ランプを用い
て30秒間照射を行い、粘着剤層を硬化させた。その後室
温まで冷却し切断加工した半導体ウェハは、チップをニ
ードルで１個ずつ突き上げエアピンセットで吸着する方
式でピックアップ適正を確認し、また粘着力はJIS Z 02
37に準じて測定した。以上の結果を表１に示す。
時変化のない通常のシリコンウェハと、経時変化したシ
リコンウェハとのそれぞれに粘着して、回転丸刃を用い
て切断する半導体ウェハと、JIS Z−0237に準じて粘着
力を測定するためのサンプルとを作製した。切断加工し
た半導体ウェハ及び粘着力測定用サンプルそれぞれに基
材面より15cmの距離から80W/cmの高圧水銀ランプを用い
て30秒間照射を行い、粘着剤層を硬化させた。その後室
温まで冷却し切断加工した半導体ウェハは、チップをニ
ードルで１個ずつ突き上げエアピンセットで吸着する方
式でピックアップ適正を確認し、また粘着力はJIS Z 02
37に準じて測定した。以上の結果を表１に示す。
比較例１ 実施例１で用いたポリエンポリチオールオリゴマーの
代わりにトリメチロールプロパントリアクリレート（日
本化薬製，商品名：「カラヤドTMPTA」）50部及び光開
始剤としてベンゾフェノン２部を用いた以外は実施例１
と同様の方法で半導体ウェハとサンプルとを作製し各測
定を行った。その結果を表１に示す。また得られた半導
体ウェハを40W蛍光灯２灯により300ルクスの照度を基材
側から、連続240時間照射した後、JIS Z−0237に準じて
照射前後の粘着力を測定した。その結果を表２に示す。
代わりにトリメチロールプロパントリアクリレート（日
本化薬製，商品名：「カラヤドTMPTA」）50部及び光開
始剤としてベンゾフェノン２部を用いた以外は実施例１
と同様の方法で半導体ウェハとサンプルとを作製し各測
定を行った。その結果を表１に示す。また得られた半導
体ウェハを40W蛍光灯２灯により300ルクスの照度を基材
側から、連続240時間照射した後、JIS Z−0237に準じて
照射前後の粘着力を測定した。その結果を表２に示す。
実施例２ 実施例１の粘着剤層となる樹脂に、ベンゾトリアゾー
ル系紫外線吸収剤（チバ・ガイギー社製、商品名「チヌ
ビンＰ」）１重量部を添加する以外は、実施例１と同様
にサンプルを作製し、比較例１と同様の蛍光灯曝露条件
下に置き、その後JIS Z−0237に準じて紫外線照射前後
の粘着力を測定した。その結果を表２に示す。
ル系紫外線吸収剤（チバ・ガイギー社製、商品名「チヌ
ビンＰ」）１重量部を添加する以外は、実施例１と同様
にサンプルを作製し、比較例１と同様の蛍光灯曝露条件
下に置き、その後JIS Z−0237に準じて紫外線照射前後
の粘着力を測定した。その結果を表２に示す。
実施例３ 実施例１において基材となるポリエチレンフィルム
に、ポリエチレン樹脂100重量部に対し、紫外線吸収剤
（チバガイギー（株）、商品名「チヌビンＤ」）0.2重
量部を配合した以外は、実施例１と同様にサンプルを
得、比較例１と同様の蛍光灯曝露下に置き、その後紫外
線照射前後の粘着力を測定した。その結果を表２に示
す。
に、ポリエチレン樹脂100重量部に対し、紫外線吸収剤
（チバガイギー（株）、商品名「チヌビンＤ」）0.2重
量部を配合した以外は、実施例１と同様にサンプルを
得、比較例１と同様の蛍光灯曝露下に置き、その後紫外
線照射前後の粘着力を測定した。その結果を表２に示
す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C09J 7/00 - 7/04 H01L 21/68
Claims (2)
- 【請求項１】紫外線及び／又は放射線に対して透過性を
有する基材と、紫外線及び／又は放射線により重合硬化
反応する粘着剤層とを備えるシートであって、該粘着剤
層がベースポリマーと、分子内にアクリロイル基を有さ
ないポリエン及び多価チオールとの混合物からなるポリ
エンポリチオール系オリゴマーとを含有することを特徴
とする半導体ウェハ加工用シート。 - 【請求項２】前記基材及び／又は粘着剤層が、紫外線吸
収剤を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体ウェ
ハ加工用シート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11612589A JP2824784B2 (ja) | 1989-05-11 | 1989-05-11 | 半導体ウェハ加工用シート |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11612589A JP2824784B2 (ja) | 1989-05-11 | 1989-05-11 | 半導体ウェハ加工用シート |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02296350A JPH02296350A (ja) | 1990-12-06 |
| JP2824784B2 true JP2824784B2 (ja) | 1998-11-18 |
Family
ID=14679325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11612589A Expired - Lifetime JP2824784B2 (ja) | 1989-05-11 | 1989-05-11 | 半導体ウェハ加工用シート |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2824784B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI502024B (zh) * | 2009-09-24 | 2015-10-01 | Lintec Corp | Sheet and adhesive sheet |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5503357B2 (ja) * | 2009-03-23 | 2014-05-28 | 古河電気工業株式会社 | ダイシングテープ、ダイシングテープの硬化阻害防止方法及び一括封止された半導体基板のダイシング方法 |
| EP2781535A4 (en) | 2011-11-17 | 2015-07-29 | Three Bond Fine Chemical Co Ltd | ACRYLIC RESIN COMPOSITION |
| JP5686481B2 (ja) * | 2012-08-15 | 2015-03-18 | リンテック株式会社 | シートおよび粘着シート |
-
1989
- 1989-05-11 JP JP11612589A patent/JP2824784B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI502024B (zh) * | 2009-09-24 | 2015-10-01 | Lintec Corp | Sheet and adhesive sheet |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02296350A (ja) | 1990-12-06 |
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