JPH0156112B2 - - Google Patents
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- JPH0156112B2 JPH0156112B2 JP29518985A JP29518985A JPH0156112B2 JP H0156112 B2 JPH0156112 B2 JP H0156112B2 JP 29518985 A JP29518985 A JP 29518985A JP 29518985 A JP29518985 A JP 29518985A JP H0156112 B2 JPH0156112 B2 JP H0156112B2
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Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明はウエハダイシング用粘着シートに関
し、さらに詳しくは、半導体ウエハを小片に切断
分離する際に特に好ましくは用いられるウエハダ
イシング用粘着シートに関する。
し、さらに詳しくは、半導体ウエハを小片に切断
分離する際に特に好ましくは用いられるウエハダ
イシング用粘着シートに関する。
発明の技術的背景ならびにその問題点
シリコン、ガリウムヒ素などの半導体ウエハは
大径の状態で製造され、このウエハは素子小片に
切断分離(ダイシング)された後に次に工程であ
るマウント工程に移されている。この際、半導体
ウエハは予じめ粘着シートに貼着された状態でダ
イシング、洗浄、乾燥、エキキスパンデイング、
ピツクアツプ、マウンテイングの各工程が加えら
れている。
大径の状態で製造され、このウエハは素子小片に
切断分離(ダイシング)された後に次に工程であ
るマウント工程に移されている。この際、半導体
ウエハは予じめ粘着シートに貼着された状態でダ
イシング、洗浄、乾燥、エキキスパンデイング、
ピツクアツプ、マウンテイングの各工程が加えら
れている。
このような半導体ウエハのダイシング工程で用
いられている粘着シートとしては、従来、、ポリ
塩化ビニル、ポリプロピレンなどの基材面上にア
クリル系などの粘着剤層が設けられたものが用い
られてきた。ところがこのようなアクリル系の粘
着剤層を有する粘着シートでは、ダイシングされ
た半導体ウエハの各チツプをピツクアツプする際
にチツプ表面に粘着剤が残存してチツプが汚染さ
れてしまうという問題点があつた。
いられている粘着シートとしては、従来、、ポリ
塩化ビニル、ポリプロピレンなどの基材面上にア
クリル系などの粘着剤層が設けられたものが用い
られてきた。ところがこのようなアクリル系の粘
着剤層を有する粘着シートでは、ダイシングされ
た半導体ウエハの各チツプをピツクアツプする際
にチツプ表面に粘着剤が残存してチツプが汚染さ
れてしまうという問題点があつた。
このような問題点を解決するため、従来、基材
面へ粘着剤を全面的に塗布するのではなく部分的
に塗布して粘着剤の量を少なくする方法が提案さ
れている。この方法によれば、全体のチツプ数に
対する粘着剤量は減少してチツプ面の粘着剤によ
る汚染はある程度減少させることはできるが、ウ
エハチツプと粘着シートとの接着力は減少するた
め、ダイシング工程に引続いて行なわれる洗浄、
乾燥、エキスパンデイングの各工程中にウエハチ
ツプが粘着シートから脱離してしまうという新た
な問題点が生じている。
面へ粘着剤を全面的に塗布するのではなく部分的
に塗布して粘着剤の量を少なくする方法が提案さ
れている。この方法によれば、全体のチツプ数に
対する粘着剤量は減少してチツプ面の粘着剤によ
る汚染はある程度減少させることはできるが、ウ
エハチツプと粘着シートとの接着力は減少するた
め、ダイシング工程に引続いて行なわれる洗浄、
乾燥、エキスパンデイングの各工程中にウエハチ
ツプが粘着シートから脱離してしまうという新た
な問題点が生じている。
このような半導体ウエハのダイシング工程から
ピツクアツプ工程に至る工程で用いられる粘着シ
ートとしては、ダイシング工程からエキスパンデ
イング工程までではウエハチツプに対して充分な
接着力を有しており、ピツクアツプ工程ではウエ
ハチツプに粘着剤が付着しない程度の接着力を有
しているものが望まれている。
ピツクアツプ工程に至る工程で用いられる粘着シ
ートとしては、ダイシング工程からエキスパンデ
イング工程までではウエハチツプに対して充分な
接着力を有しており、ピツクアツプ工程ではウエ
ハチツプに粘着剤が付着しない程度の接着力を有
しているものが望まれている。
このような粘着シートとしては、特開昭60―
196956号公報および特開昭60―223139号公報に、
基材面に、光照射によつて三次元網状化しうる分
子内に光重合性炭素―炭素二重結合を少なくとも
2個以上有する低分子量化合物からなる粘着剤を
塗布した粘着シートが提案されている。そして該
公報では、分子内に光重合性炭素―炭素二重結合
を少なくとも2個以上有する低分子量化合物とし
ては、トリメチロールプロパントリアクリレー
ト、テトラメチロールメタンテトラアクリレー
ト、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペ
ンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペン
タエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレ
ート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレー
トあるいは1,4―ブチレングリコールジアクリ
レート、1,6―ヘキサンジオールジアクリレー
ト、ポリエチレングリコールジアクリレート、市
販のオリゴエステルアクリレートなどが例示され
ている。
196956号公報および特開昭60―223139号公報に、
基材面に、光照射によつて三次元網状化しうる分
子内に光重合性炭素―炭素二重結合を少なくとも
2個以上有する低分子量化合物からなる粘着剤を
塗布した粘着シートが提案されている。そして該
公報では、分子内に光重合性炭素―炭素二重結合
を少なくとも2個以上有する低分子量化合物とし
ては、トリメチロールプロパントリアクリレー
ト、テトラメチロールメタンテトラアクリレー
ト、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペ
ンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペン
タエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレ
ート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレー
トあるいは1,4―ブチレングリコールジアクリ
レート、1,6―ヘキサンジオールジアクリレー
ト、ポリエチレングリコールジアクリレート、市
販のオリゴエステルアクリレートなどが例示され
ている。
上記に例示されたような分子内に光重合性炭素
―炭素二重結合を少なくとも2個以上有する低分
子量化合物からなる粘着剤層を塗布した粘着シー
トは、次のような問題点があることが本発明者ら
によつて見出された。すなわち、上記のような粘
着シートは半導体ウエハ表面が鏡面のように細か
く平滑な場合にはある程度優れた性能を示しうる
が、ウエハ表面が粗い場合には半導体ウエハチツ
プのピツクアツプ工程で該粘着シートに紫外線な
どの放射線を照射してもその接着力が充分には低
下せず、したがつてチツプ表面に粘着剤が付着し
てしまうという問題点があることが本発明者らに
よつて見出された。また上記のような粘着シート
では、紫外線を照射した場合に一応粘着力は低下
するが最適値までは粘着力が低下せず、大チツプ
になるほどピツクアツプできないという問題点が
あることが本発明者らによつて見出された。
―炭素二重結合を少なくとも2個以上有する低分
子量化合物からなる粘着剤層を塗布した粘着シー
トは、次のような問題点があることが本発明者ら
によつて見出された。すなわち、上記のような粘
着シートは半導体ウエハ表面が鏡面のように細か
く平滑な場合にはある程度優れた性能を示しうる
が、ウエハ表面が粗い場合には半導体ウエハチツ
プのピツクアツプ工程で該粘着シートに紫外線な
どの放射線を照射してもその接着力が充分には低
下せず、したがつてチツプ表面に粘着剤が付着し
てしまうという問題点があることが本発明者らに
よつて見出された。また上記のような粘着シート
では、紫外線を照射した場合に一応粘着力は低下
するが最適値までは粘着力が低下せず、大チツプ
になるほどピツクアツプできないという問題点が
あることが本発明者らによつて見出された。
本発明者らは、このような従来技術に伴なう問
題点を解決すべく鋭意検討したところ、特定の分
子量を有するウレタンアクリレート系オリゴマー
と粘着剤とを組合せてなる粘着剤を用いれば、上
記の問題点が一挙に解決されることを見出して本
発明を完成するに至つた。
題点を解決すべく鋭意検討したところ、特定の分
子量を有するウレタンアクリレート系オリゴマー
と粘着剤とを組合せてなる粘着剤を用いれば、上
記の問題点が一挙に解決されることを見出して本
発明を完成するに至つた。
発明の目的
本発明は、上記のような従来技術に伴なう問題
点を一挙に解決しよとするものであつて、ウエハ
面が粗くても、半導体ウエハチツプのピツクアツ
プ工程でウエハダイシング用粘着シートに紫外線
などの放射線を照射した際にウエハダイシング用
粘着シートの接着力が充分に低下し、したがつて
ウエハチツプ表面に粘着剤が付着してしまうこと
がなく、しかも放射線の照射前には充分な接着力
を有する、半導体ウエハをダイシング工程に付す
る際に特に好ましく用いられるウエハダイシング
用粘着シートを提供することを目的としている。
点を一挙に解決しよとするものであつて、ウエハ
面が粗くても、半導体ウエハチツプのピツクアツ
プ工程でウエハダイシング用粘着シートに紫外線
などの放射線を照射した際にウエハダイシング用
粘着シートの接着力が充分に低下し、したがつて
ウエハチツプ表面に粘着剤が付着してしまうこと
がなく、しかも放射線の照射前には充分な接着力
を有する、半導体ウエハをダイシング工程に付す
る際に特に好ましく用いられるウエハダイシング
用粘着シートを提供することを目的としている。
発明の概要
本発明に係るウエハダイシング用粘着シート
は、基材面上に粘着剤と放射線重合性化合物とか
らなる粘着剤層を塗布してなるウエハダイシング
用粘着シートであつて、放射線重合性化合物が
3000〜10000好ましくは4000〜8000の分子量を有
するウレタンアクリレート系オリゴマーであるこ
とを特徴としている。
は、基材面上に粘着剤と放射線重合性化合物とか
らなる粘着剤層を塗布してなるウエハダイシング
用粘着シートであつて、放射線重合性化合物が
3000〜10000好ましくは4000〜8000の分子量を有
するウレタンアクリレート系オリゴマーであるこ
とを特徴としている。
本発明に係るウエハダイシング用粘着シートで
は、粘着剤層として粘着剤に加えて分子量3000〜
10000好ましくは4000〜8000であるウレタンアク
リレート系オリゴマーが用いられているため、放
射線照射前にはウエハチツプは基材表面上に充分
な接着力を有して接着されており、放射線照射後
にはウエハチツプとウエハダイシング用粘着シー
トとの接着力は最適値まで低下させることがで
き、したがつてウエハチツプ表面に粘着剤が付着
することなく容易にウエハチツプをピツクアツプ
することができる。特に半導体ウエハの表面が多
少粗くても放射線照射後にはウエハチツプに粘着
剤が付着することなくウエハチツプをピツクアツ
プすることができる。
は、粘着剤層として粘着剤に加えて分子量3000〜
10000好ましくは4000〜8000であるウレタンアク
リレート系オリゴマーが用いられているため、放
射線照射前にはウエハチツプは基材表面上に充分
な接着力を有して接着されており、放射線照射後
にはウエハチツプとウエハダイシング用粘着シー
トとの接着力は最適値まで低下させることがで
き、したがつてウエハチツプ表面に粘着剤が付着
することなく容易にウエハチツプをピツクアツプ
することができる。特に半導体ウエハの表面が多
少粗くても放射線照射後にはウエハチツプに粘着
剤が付着することなくウエハチツプをピツクアツ
プすることができる。
発明の具体的説明
以下本発明に係るウエハダイシング用粘着シー
トを具体的に説明する。
トを具体的に説明する。
本発明に係るウエハダイシング用粘着シート1
は、その断面図が第1図に示されるように、基材
2とこの表面に塗着された粘着剤層3とからなつ
ており、使用前にはこの粘着剤層3を保護するた
め、第2図に示すように粘着剤3の上面に剥離性
シート4を仮粘着しておくことが好ましい。
は、その断面図が第1図に示されるように、基材
2とこの表面に塗着された粘着剤層3とからなつ
ており、使用前にはこの粘着剤層3を保護するた
め、第2図に示すように粘着剤3の上面に剥離性
シート4を仮粘着しておくことが好ましい。
本発明に係るウエハダイシング用粘着シートの
形状は、テープ状、ラベル状などあらゆる形状を
とりうる。基材2としては、耐水性および耐熱性
に優れているものが適し、特に合成樹脂フイルム
が適する。本発明のウエハダイシング用粘着シー
トでは、後記するように、その使用に当り、EB
やUVなどの放射線照射が行なわれているので、
EB照射の場合は、該基材2は透明である必要は
ないが、UV照射をして用いる場合は、透明な材
料である必要がある。
形状は、テープ状、ラベル状などあらゆる形状を
とりうる。基材2としては、耐水性および耐熱性
に優れているものが適し、特に合成樹脂フイルム
が適する。本発明のウエハダイシング用粘着シー
トでは、後記するように、その使用に当り、EB
やUVなどの放射線照射が行なわれているので、
EB照射の場合は、該基材2は透明である必要は
ないが、UV照射をして用いる場合は、透明な材
料である必要がある。
このような基材2としては、具体的に、ポリエ
チレンフイルム、ポリプロピレンフイルム、ポリ
塩化ビニルフイルム、ポリエチレンテレフタレー
トフイルム、ポリブチレンテレフタレートフイル
ム、ポリブテンフイルム、ポリブタジエンフイル
ム、ポリウレタンフイルム、ポリメチルペンテン
フイルム、エチレン酢ビフイルムなどが用いられ
る。
チレンフイルム、ポリプロピレンフイルム、ポリ
塩化ビニルフイルム、ポリエチレンテレフタレー
トフイルム、ポリブチレンテレフタレートフイル
ム、ポリブテンフイルム、ポリブタジエンフイル
ム、ポリウレタンフイルム、ポリメチルペンテン
フイルム、エチレン酢ビフイルムなどが用いられ
る。
半導体ウエハのダイシング後にエキスパンデイ
ング処理をする必要がある場合には、従来と同様
にポリ塩化ビニル、ポリエチレンなどの長さ方向
および幅方向に延伸性をもつ合成樹脂フイルムを
基材として用いることが好ましい。
ング処理をする必要がある場合には、従来と同様
にポリ塩化ビニル、ポリエチレンなどの長さ方向
および幅方向に延伸性をもつ合成樹脂フイルムを
基材として用いることが好ましい。
本発明では、上記のような基材2上に設けられ
る粘着剤層3は、粘着剤と放射線重合性化合物と
を含んで形成されている。
る粘着剤層3は、粘着剤と放射線重合性化合物と
を含んで形成されている。
粘着剤としては従来公知のものが広く用いられ
うるが、アクリル系粘着剤が好ましく、具体的に
は、アクリル系エステルを主たる構成単量体単位
とする単独重合体および共重合体から選ばれたア
クリル系重合体その他の官能性単量体との共重合
体およびこれら重合体の混合物である。たとえ
ば、モノマーのアクリル酸エステルとして、メタ
アクリル酸エチル、メタアクリル酸ブチル、メタ
アクリル酸―2―エチルヘキシル、メタアクリル
酸グリシジル、メタアクリル酸―2―ヒドロキシ
エチルなど、また上記のメタアクリル酸をたとえ
ばアクリル酸に代えたものなども好ましく使用で
きる。
うるが、アクリル系粘着剤が好ましく、具体的に
は、アクリル系エステルを主たる構成単量体単位
とする単独重合体および共重合体から選ばれたア
クリル系重合体その他の官能性単量体との共重合
体およびこれら重合体の混合物である。たとえ
ば、モノマーのアクリル酸エステルとして、メタ
アクリル酸エチル、メタアクリル酸ブチル、メタ
アクリル酸―2―エチルヘキシル、メタアクリル
酸グリシジル、メタアクリル酸―2―ヒドロキシ
エチルなど、また上記のメタアクリル酸をたとえ
ばアクリル酸に代えたものなども好ましく使用で
きる。
さらに後述するオリゴマーとの相溶性を高める
ため、(メタ)アクリル酸、アクリロニトリル、
酢酸ビニルなどのモノマーを共重合させてもよ
い。これらのモノマーから重合して得られるアク
リル系重合体の分子量は、2.0x105〜10.0x105で
あり好ましくは、4.0x105〜8.0x105である。
ため、(メタ)アクリル酸、アクリロニトリル、
酢酸ビニルなどのモノマーを共重合させてもよ
い。これらのモノマーから重合して得られるアク
リル系重合体の分子量は、2.0x105〜10.0x105で
あり好ましくは、4.0x105〜8.0x105である。
本発明では放射線重合性化合物として、分子量
3000〜10000好ましくは4000〜8000のウレタンア
クリレート系オリゴマーが用いられる。なお分子
量は、ゲルパーミエーシヨンクロマトグラフイー
(GPC)によりポリスチレン換算の平均分子量と
して測定した値である。
3000〜10000好ましくは4000〜8000のウレタンア
クリレート系オリゴマーが用いられる。なお分子
量は、ゲルパーミエーシヨンクロマトグラフイー
(GPC)によりポリスチレン換算の平均分子量と
して測定した値である。
このウレタンアクリレート系オリゴマーは、ポ
リエステル型またはポリエーテル型などのポリオ
ール化合物と、多価イソシアナート化合物たとえ
ば2,4―トリレンジイソシアナート、2,6―
トリレンジイソシアナート、1,3―キシリレン
ジイソシアナート、1,4―キシリレンジイソシ
アナート、ジフエニルメタン4,4′―ジイソシア
ナートなどとを反応させて得られる末端イソシア
ナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基
を有する(メタ)アクリレートたとえば2―ヒド
ロキシエチル(メタ)アクリレート、2―ヒドロ
キシプロピル(メタ)アクリレート、ポリエチレ
ングリコール(メタ)アクリレートなどを反応さ
せて得られる。このウレタンアクリレート系オリ
ゴマーは、炭素―炭素二重結合を少なくとも1個
以上有する放射線重合性化合物である。
リエステル型またはポリエーテル型などのポリオ
ール化合物と、多価イソシアナート化合物たとえ
ば2,4―トリレンジイソシアナート、2,6―
トリレンジイソシアナート、1,3―キシリレン
ジイソシアナート、1,4―キシリレンジイソシ
アナート、ジフエニルメタン4,4′―ジイソシア
ナートなどとを反応させて得られる末端イソシア
ナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基
を有する(メタ)アクリレートたとえば2―ヒド
ロキシエチル(メタ)アクリレート、2―ヒドロ
キシプロピル(メタ)アクリレート、ポリエチレ
ングリコール(メタ)アクリレートなどを反応さ
せて得られる。このウレタンアクリレート系オリ
ゴマーは、炭素―炭素二重結合を少なくとも1個
以上有する放射線重合性化合物である。
このウレタンアクリレート系オリゴマーの分子
量が3000未満では、半導体ウエハの表面が細かい
場合には大きな問題とはならないが、該ウエハの
表面が粗い場合には、放射線を照射してもウエハ
ダイシング用粘着シートとウエハチツプとの接着
力が充分には低下せず、ウエハチツプのピツクア
ツプ時にチツプ表面に粘着剤が付着することがあ
るため好ましくない。分子量3000未満のウレタン
アクリレート系オリゴマーを用いるとウエハ表面
が粗い場合にチツプ表面に粘着剤が付着するの
は、次のような理由であろうと考えられる。すな
わち、ウエハ表面が粗いということは、ウエハ表
面に細かい凹溝が多数存在していることを意味す
るが、ウレタンアクリレート系オリゴマーがウエ
ハ表面と接触すると、ウレタンアクリレート系オ
リゴマーの分子量が小さい場合には該オリゴマー
がこの凹溝に入りこんでしまう。このため、後に
放射線を照射してウレタンアクリレート系オリゴ
マーを充分に硬化させても粘着剤のアンカー効果
により接着力は高く維持され、したがつてウエハ
チツプをピツクアツプする際にチツプ表面に粘着
剤が付着してしまうのであろうと考えられる。
量が3000未満では、半導体ウエハの表面が細かい
場合には大きな問題とはならないが、該ウエハの
表面が粗い場合には、放射線を照射してもウエハ
ダイシング用粘着シートとウエハチツプとの接着
力が充分には低下せず、ウエハチツプのピツクア
ツプ時にチツプ表面に粘着剤が付着することがあ
るため好ましくない。分子量3000未満のウレタン
アクリレート系オリゴマーを用いるとウエハ表面
が粗い場合にチツプ表面に粘着剤が付着するの
は、次のような理由であろうと考えられる。すな
わち、ウエハ表面が粗いということは、ウエハ表
面に細かい凹溝が多数存在していることを意味す
るが、ウレタンアクリレート系オリゴマーがウエ
ハ表面と接触すると、ウレタンアクリレート系オ
リゴマーの分子量が小さい場合には該オリゴマー
がこの凹溝に入りこんでしまう。このため、後に
放射線を照射してウレタンアクリレート系オリゴ
マーを充分に硬化させても粘着剤のアンカー効果
により接着力は高く維持され、したがつてウエハ
チツプをピツクアツプする際にチツプ表面に粘着
剤が付着してしまうのであろうと考えられる。
このことは本発明者らによつて始めて見出され
たのであつて、たとえば前記した特開昭60―
196956号あるいは特開昭60―223139号公報で用い
られている分子内に光重合性炭素―炭素二重結合
を少なくとも2個以上有する低分子量化合物とし
て具体的に開示されている化合物は、いずれも分
子量は約1500程度以下である。このように分子量
が小さい化合物が用いられてきたのは、もし該低
分子量化合物の分子量が大きくなると粘着剤の粘
度が大きくなりすぎて塗布性が悪くなつたり、あ
るいは表面の光沢が低下するためであろうと考え
られる。
たのであつて、たとえば前記した特開昭60―
196956号あるいは特開昭60―223139号公報で用い
られている分子内に光重合性炭素―炭素二重結合
を少なくとも2個以上有する低分子量化合物とし
て具体的に開示されている化合物は、いずれも分
子量は約1500程度以下である。このように分子量
が小さい化合物が用いられてきたのは、もし該低
分子量化合物の分子量が大きくなると粘着剤の粘
度が大きくなりすぎて塗布性が悪くなつたり、あ
るいは表面の光沢が低下するためであろうと考え
られる。
また本発明ではウレタンアクリレート系オリゴ
マーを用いているが、このオリゴマーは特開昭60
―196956号および特開昭60―223139号公報に具体
的に開示されている分子内に光重合性炭素―炭素
二重結合を少なくとも2個以上有する低分子量化
合物と比較して、著しく優れた顕著な特性を有し
ている。たとえば、本発明に係るウレタンアクリ
レート系オリゴマーを用いてウエハダイシング用
粘着シートを形成すると、放射線照射前には充分
な接着力を有し、放射線照射後にはウエハ表面に
粘着剤が付着せずに簡単にウエハチツプをピツク
アツプすることができる程度の接着力に低下す
る。ところが特開昭60―196956号公報に開示され
た実施例で用いられたジペンタエリスリトールモ
ノヒドロキシペンタアクリレートを用いてウエハ
ダイシング用粘着シートを形成すると、このウエ
ハダイシング用粘着シートは放射線照射前には充
分な接着性を示すが、放射線照射後にも接着力が
充分には低下せずウエハチツプをピツクアツプす
る際にウエハ表面に粘着剤が付着してしまう。
マーを用いているが、このオリゴマーは特開昭60
―196956号および特開昭60―223139号公報に具体
的に開示されている分子内に光重合性炭素―炭素
二重結合を少なくとも2個以上有する低分子量化
合物と比較して、著しく優れた顕著な特性を有し
ている。たとえば、本発明に係るウレタンアクリ
レート系オリゴマーを用いてウエハダイシング用
粘着シートを形成すると、放射線照射前には充分
な接着力を有し、放射線照射後にはウエハ表面に
粘着剤が付着せずに簡単にウエハチツプをピツク
アツプすることができる程度の接着力に低下す
る。ところが特開昭60―196956号公報に開示され
た実施例で用いられたジペンタエリスリトールモ
ノヒドロキシペンタアクリレートを用いてウエハ
ダイシング用粘着シートを形成すると、このウエ
ハダイシング用粘着シートは放射線照射前には充
分な接着性を示すが、放射線照射後にも接着力が
充分には低下せずウエハチツプをピツクアツプす
る際にウエハ表面に粘着剤が付着してしまう。
本発明における粘着剤中のアクリル系粘着剤と
ウレタンアクリレート系オリゴマーの配合比は、
アクリル系粘着剤10〜90重量部に対してウレタン
アクリレート系オリゴマーは90〜10重量部の範囲
の量で用いられることが好ましい。この場合に
は、得られるウエハダイシング用粘着シートは初
期の接着力が大きくしかも放射線照射後には粘着
力は大きく低下し、容易にウエハチツプを該粘着
シートからピツクアツプすることができる。
ウレタンアクリレート系オリゴマーの配合比は、
アクリル系粘着剤10〜90重量部に対してウレタン
アクリレート系オリゴマーは90〜10重量部の範囲
の量で用いられることが好ましい。この場合に
は、得られるウエハダイシング用粘着シートは初
期の接着力が大きくしかも放射線照射後には粘着
力は大きく低下し、容易にウエハチツプを該粘着
シートからピツクアツプすることができる。
また上記の粘着剤中に、イソシアネート系硬化
剤を混合することにより、初期の接着力を任意の
値に設定することができる。このような硬化剤と
しては、具体的には多価イソシアナート化合物、
たとえば2,4―トリレンジイソシアナート、
2,6―トリレンジイソシアナート、1,3―キ
シリレンジイソシアナート、1,4―キシレンジ
イソシアナート、ジフエニルメタン―4,4′―ジ
イソシアナート、ジフエニルメタン―2,4′―ジ
イソシアナート、3―メチルジフエニルメタンジ
イソシアナート、ヘキサメチレンジイソシアナー
ト、イソホロンジイソシアナート、ジシクロヘキ
シルメタン―4,4′―ジイソシアナート、ジシク
ロヘキシルメタン―2,4′―ジイソシアナート、
リジンイソシアナートなどが用いられる。
剤を混合することにより、初期の接着力を任意の
値に設定することができる。このような硬化剤と
しては、具体的には多価イソシアナート化合物、
たとえば2,4―トリレンジイソシアナート、
2,6―トリレンジイソシアナート、1,3―キ
シリレンジイソシアナート、1,4―キシレンジ
イソシアナート、ジフエニルメタン―4,4′―ジ
イソシアナート、ジフエニルメタン―2,4′―ジ
イソシアナート、3―メチルジフエニルメタンジ
イソシアナート、ヘキサメチレンジイソシアナー
ト、イソホロンジイソシアナート、ジシクロヘキ
シルメタン―4,4′―ジイソシアナート、ジシク
ロヘキシルメタン―2,4′―ジイソシアナート、
リジンイソシアナートなどが用いられる。
さらに上記の粘着剤中に、UV照射の場合に
は、UV開始剤の添加量を調整することにより、
UV照射による重合硬化時間ならびにUV照射量
を少なくすることができる。
は、UV開始剤の添加量を調整することにより、
UV照射による重合硬化時間ならびにUV照射量
を少なくすることができる。
このようなUV開始剤としては、具体的には、
ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾ
インエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエ
ーテル、ベンジルジフエニルサルフアイド、テト
ラメチルチウラムモノサルフアイド、アゾビスイ
ソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β
―クロールアンスラキノンなどが挙げられる。
ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾ
インエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエ
ーテル、ベンジルジフエニルサルフアイド、テト
ラメチルチウラムモノサルフアイド、アゾビスイ
ソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β
―クロールアンスラキノンなどが挙げられる。
以下本発明に係るウエハダイシング用粘着シー
トの使用方法について説明する。
トの使用方法について説明する。
本発明に係るウエハダイシング用粘着シート1
の上面に剥離性シート4が設けられている場合に
は、該シート4を除去し、次いでウエハダイシン
グ用粘着シート1の粘着剤層3を上向きにして載
置し、この粘着剤層3の上面にダイシング加工す
べき半導体ウエハAを粘着する。この粘着状態で
ウエハAにダイシング、洗浄、乾燥、エキスパン
デイングの諸工程が加えられる。この際、粘着剤
層3によりウエハチツプはウエハダイシング用粘
着シートに充分に接着保持されているので、上記
各工程の間にウエハチツプが脱落することはな
い。
の上面に剥離性シート4が設けられている場合に
は、該シート4を除去し、次いでウエハダイシン
グ用粘着シート1の粘着剤層3を上向きにして載
置し、この粘着剤層3の上面にダイシング加工す
べき半導体ウエハAを粘着する。この粘着状態で
ウエハAにダイシング、洗浄、乾燥、エキスパン
デイングの諸工程が加えられる。この際、粘着剤
層3によりウエハチツプはウエハダイシング用粘
着シートに充分に接着保持されているので、上記
各工程の間にウエハチツプが脱落することはな
い。
次に、各ウエハチツプをウエハダイシング用粘
着シートからピツクアツプして所定の基台上にマ
ウンテイングするが、この際、ピツクアツプに先
立つてあるいはピツクアツプ時に、紫外線
(UV)あるいは電子線(EB)などの放射線Bを
ウエハダイシング用粘着シート1の粘着剤層3に
照射し、粘着剤層3中に含まれる放射線重合性化
合物を重合硬化せしめる。このように粘着剤層3
に放射線を照射して放射線重合性化合物を重合硬
化せしめると、粘着剤の有する接着力は大きく低
下し、わずかの接着力が残存するのみとなる。
着シートからピツクアツプして所定の基台上にマ
ウンテイングするが、この際、ピツクアツプに先
立つてあるいはピツクアツプ時に、紫外線
(UV)あるいは電子線(EB)などの放射線Bを
ウエハダイシング用粘着シート1の粘着剤層3に
照射し、粘着剤層3中に含まれる放射線重合性化
合物を重合硬化せしめる。このように粘着剤層3
に放射線を照射して放射線重合性化合物を重合硬
化せしめると、粘着剤の有する接着力は大きく低
下し、わずかの接着力が残存するのみとなる。
ウエハダイシング用粘着シート1への放射線照
射は、基材2の粘着剤層3が設けられていない面
から行なうことが好ましい。したがつて前述のよ
うに、放射線としてUVを用いる場合には基材2
は光透過性であることが必要であるが、放射線と
してEBを用いる場合には基材2は必ずしも光透
過性である必要はない。
射は、基材2の粘着剤層3が設けられていない面
から行なうことが好ましい。したがつて前述のよ
うに、放射線としてUVを用いる場合には基材2
は光透過性であることが必要であるが、放射線と
してEBを用いる場合には基材2は必ずしも光透
過性である必要はない。
このようにウエハチツプA1,A2……が設けら
れた部分の粘着剤層3に放射線を照射して、粘着
剤層3の接着力を低下せしめた後、このウエハダ
イシング用粘着シート1をピツクアツプステーシ
ヨン(図示せず)に移送し、ここで常法に従つて
基材2の下面から突き上げ針杆5によりピツクア
ツプすべきチツプA1……を突き上げ、このチツ
プA1……をたとえばエアピンセツト6によりピ
ツクアツプし、これを所定の基台上にマウンテイ
ングする。このようにしてウエハチツプA1,A2
……のピツクアツプを行なうと、ウエハチツプ面
上には粘着剤が全く付着せずに簡単にピツクアツ
プすることができ、汚染のない良好な品質のチツ
プが得られる。なお放射線照射は、ピツクアツプ
ステーシヨンにおいて行なうこともできる。
れた部分の粘着剤層3に放射線を照射して、粘着
剤層3の接着力を低下せしめた後、このウエハダ
イシング用粘着シート1をピツクアツプステーシ
ヨン(図示せず)に移送し、ここで常法に従つて
基材2の下面から突き上げ針杆5によりピツクア
ツプすべきチツプA1……を突き上げ、このチツ
プA1……をたとえばエアピンセツト6によりピ
ツクアツプし、これを所定の基台上にマウンテイ
ングする。このようにしてウエハチツプA1,A2
……のピツクアツプを行なうと、ウエハチツプ面
上には粘着剤が全く付着せずに簡単にピツクアツ
プすることができ、汚染のない良好な品質のチツ
プが得られる。なお放射線照射は、ピツクアツプ
ステーシヨンにおいて行なうこともできる。
放射線照射は、ウエハAの貼着面の全面にわた
つて1度に照射する必要は必ずしもなく、部分的
に何回にも分けて照射するようにしてもよく、た
とえば、ピツクアツプすべきウエハチツプA1,
A2……の1個ごとに、これに対応する裏面にの
み照射する放射線照射管により照射しその部分の
粘着剤のみの接着力を低下させた後、突き上げ針
扞5によりウエハチツプA1,A2……を突き上げ
て順次ピツクアツプを行なうこともできる。第6
図には、上記の放射線照射方法の変形例を示す
が、この場合には、突き上げ針扞5の内部を中空
としし、その中空部に放射線発生源7を設けて放
射線照射とピツクアツプとを同時に行なえるよう
にしており、このようにすると装置を簡単化でき
ると同時にピツクアツプ操作時間を短縮すること
ができる。
つて1度に照射する必要は必ずしもなく、部分的
に何回にも分けて照射するようにしてもよく、た
とえば、ピツクアツプすべきウエハチツプA1,
A2……の1個ごとに、これに対応する裏面にの
み照射する放射線照射管により照射しその部分の
粘着剤のみの接着力を低下させた後、突き上げ針
扞5によりウエハチツプA1,A2……を突き上げ
て順次ピツクアツプを行なうこともできる。第6
図には、上記の放射線照射方法の変形例を示す
が、この場合には、突き上げ針扞5の内部を中空
としし、その中空部に放射線発生源7を設けて放
射線照射とピツクアツプとを同時に行なえるよう
にしており、このようにすると装置を簡単化でき
ると同時にピツクアツプ操作時間を短縮すること
ができる。
なお上記の半導体ウエハの処理において、エキ
スパンデイング工程を行なわず、ダイシング、洗
浄、乾燥後直ちにウエハチツプA1,A2……のピ
ツクアツプ処理を行なうこともできる。
スパンデイング工程を行なわず、ダイシング、洗
浄、乾燥後直ちにウエハチツプA1,A2……のピ
ツクアツプ処理を行なうこともできる。
発明の効果
本発明に係るウエハダイシング用粘着シートで
は、粘着剤として粘着剤に加えて分子量3000〜
10000好ましくは4000〜8000であるウレタンアク
リルート系オリゴマーが用いられているため、放
射線照射前にはウエハチツプは基材表面上に充分
な接着力を有して接着されており、放射線照射後
にはウエハチツプとウエハダイシング用粘着シー
トとの接着力は最適値まで低下させることがで
き、したがつてウエハチツプ表面に粘着剤が付着
することなく容易にウエハチツプをピツクアツプ
することができる。特に半導体ウエハの表面が多
少粗くても放射線照射後にはウエハチツプに粘着
剤が付着することなくウエハチツプをピツクアツ
プすることができる。
は、粘着剤として粘着剤に加えて分子量3000〜
10000好ましくは4000〜8000であるウレタンアク
リルート系オリゴマーが用いられているため、放
射線照射前にはウエハチツプは基材表面上に充分
な接着力を有して接着されており、放射線照射後
にはウエハチツプとウエハダイシング用粘着シー
トとの接着力は最適値まで低下させることがで
き、したがつてウエハチツプ表面に粘着剤が付着
することなく容易にウエハチツプをピツクアツプ
することができる。特に半導体ウエハの表面が多
少粗くても放射線照射後にはウエハチツプに粘着
剤が付着することなくウエハチツプをピツクアツ
プすることができる。
以下本発明を実施例により説明するが、本発明
はこれら実施例に限定されるものではない。
はこれら実施例に限定されるものではない。
実施例 1
アクリル系粘着剤(n―ブチルアクリレートと
2―エチルヘキシルアクリレートとの共重合体)
100部と、分子量約7000のウレタンアクリレート
系オリゴマー(商品名セイカビーム PU―4大
日精化工業社製)100部と、硬化剤(ジイソシア
ナート系)10部と、UV硬化開始剤(ベンジフエ
ノン系)4部とを混合して、粘着剤層形成用組成
物を調製した。
2―エチルヘキシルアクリレートとの共重合体)
100部と、分子量約7000のウレタンアクリレート
系オリゴマー(商品名セイカビーム PU―4大
日精化工業社製)100部と、硬化剤(ジイソシア
ナート系)10部と、UV硬化開始剤(ベンジフエ
ノン系)4部とを混合して、粘着剤層形成用組成
物を調製した。
この組成物を基材である厚さ80μmのポリプロ
ピレンフイルムの片面に粘着剤層の厚さが10μm
となるように塗布し、100℃で1分間加熱してウ
エハダイシング用粘着シートを形成した。
ピレンフイルムの片面に粘着剤層の厚さが10μm
となるように塗布し、100℃で1分間加熱してウ
エハダイシング用粘着シートを形成した。
得られたウエハダイシング用粘着シート上に、
以下のようにして測定されるRa=0.27のかなり
粗い表面を有するシリコンウエハを貼着して、
JIS―Z―0237(180゜剥離法、剥離速度300mm/分、
試料巾25mm、測定室内23℃、65%RH)によつて
接着力を測定したところ、接着力は410g/25mm
であつた。
以下のようにして測定されるRa=0.27のかなり
粗い表面を有するシリコンウエハを貼着して、
JIS―Z―0237(180゜剥離法、剥離速度300mm/分、
試料巾25mm、測定室内23℃、65%RH)によつて
接着力を測定したところ、接着力は410g/25mm
であつた。
シリコンウエハの表面粗さは、JISBO601―
1976により中心線平均粗さRa(μm)で表わし、
(株)小坂研究所製「万能表面形状測定器」SE―3A
型によつて測定した。
1976により中心線平均粗さRa(μm)で表わし、
(株)小坂研究所製「万能表面形状測定器」SE―3A
型によつて測定した。
次いで、このウエハダイシング用粘着シートの
粘着剤層に紫外線(UV)を空冷式高圧水銀灯
(80W/cm、照射距離10cm)により1秒間照射し
た。紫外線照射後のシリコンウエハと上記シート
との接着力を測定したところ、その接着力は24
g/25mmに低下していた。
粘着剤層に紫外線(UV)を空冷式高圧水銀灯
(80W/cm、照射距離10cm)により1秒間照射し
た。紫外線照射後のシリコンウエハと上記シート
との接着力を測定したところ、その接着力は24
g/25mmに低下していた。
また剥離されたシリコンウエハの表面には目視
したところで粘着剤は全く付着していなかつた。
したところで粘着剤は全く付着していなかつた。
シリコンウエハを5mm角のチツプ状にダイシン
グしてピツクアツプしたところ、100個中100個が
ピツクアツプされた。
グしてピツクアツプしたところ、100個中100個が
ピツクアツプされた。
実施例 2
アクリル系粘着剤(2―エチルヘキシルアクリ
レートとアクリロニトリルとの共重合体)100部
と、分子量約7000のウレタンアクリレート系オリ
ゴマー(商品名セイカビーム PU―4大日精化
工業社製)200部と、硬化剤(ジイソシアナート
系)10部と、UV硬化開始剤(ベンゾフエノン
系)4部とを混合して、粘着剤層形成用組成物を
調製した。
レートとアクリロニトリルとの共重合体)100部
と、分子量約7000のウレタンアクリレート系オリ
ゴマー(商品名セイカビーム PU―4大日精化
工業社製)200部と、硬化剤(ジイソシアナート
系)10部と、UV硬化開始剤(ベンゾフエノン
系)4部とを混合して、粘着剤層形成用組成物を
調製した。
この組成物を基材である厚さ80μmのポリプロ
ピレンフイルムの片面に粘着剤層の厚さが10μm
となるように塗布し、100℃で1時間加熱してウ
エハダイシング用粘着シートを形成した。
ピレンフイルムの片面に粘着剤層の厚さが10μm
となるように塗布し、100℃で1時間加熱してウ
エハダイシング用粘着シートを形成した。
得られたウエハダイシング用粘着シート上に、
実施例1と同様にして、Ra=0.27の粗い表面を
有するシリコンウエハを貼着して、紫外線照射前
後の接着力を測定した。
実施例1と同様にして、Ra=0.27の粗い表面を
有するシリコンウエハを貼着して、紫外線照射前
後の接着力を測定した。
紫外線照射前の接着力は230g/25mmであり、
紫外線照射後の接着力は21g/25mmであつた。
紫外線照射後の接着力は21g/25mmであつた。
また剥離されたシリコンウエハの表面には目視
したところでは粘着剤は全く付着していなかつ
た。
したところでは粘着剤は全く付着していなかつ
た。
シリコンウエハを5mm角のチツプ状にダイシン
グしてピツクアツプしたところ、100個中100個が
ピツクアツプされた。
グしてピツクアツプしたところ、100個中100個が
ピツクアツプされた。
比較例 1
実施例2において、放射線重合性化合物とし
て、ウレタンアクリレート系オリゴマーの代わり
に分子量580程度のペンタエリスリトールトリア
クリレートを100部用いた以外は実施例2と同様
にしてウエハダイシング用粘着シートを製造し、
Ra=0.27のシリコンウエハに対する紫外線照射
前後の接着力を測定した。
て、ウレタンアクリレート系オリゴマーの代わり
に分子量580程度のペンタエリスリトールトリア
クリレートを100部用いた以外は実施例2と同様
にしてウエハダイシング用粘着シートを製造し、
Ra=0.27のシリコンウエハに対する紫外線照射
前後の接着力を測定した。
紫外線照射前の接着力は700g/25mmであり、
紫外線照射後の接着力は100g/25mmであつた またシリコンウエハを5mm角のチツプ状にダイ
シングしてピツクアツプしたところ、100個中1
個もピツクアツプすることができなかつた。
紫外線照射後の接着力は100g/25mmであつた またシリコンウエハを5mm角のチツプ状にダイ
シングしてピツクアツプしたところ、100個中1
個もピツクアツプすることができなかつた。
実施例 3
実施例1おいて、Ra=0.04の細かい平滑な表
面を有するシリコンウエハを用いた以外は実施例
1と同様にして、紫外線照射前後の接着力をそれ
ぞれ測定した。
面を有するシリコンウエハを用いた以外は実施例
1と同様にして、紫外線照射前後の接着力をそれ
ぞれ測定した。
紫外線照射前の接着力は150g/25mmであり、
紫外線照射後の接着力は6g/25mmであつた。
紫外線照射後の接着力は6g/25mmであつた。
実施例 4
実施例1において、Ra=0.04の細かい平滑な
表面を有するシリコンウエハを用いた以外は実施
例1と同様にして、紫外線照射前後の接着力をそ
れぞれ測定した。
表面を有するシリコンウエハを用いた以外は実施
例1と同様にして、紫外線照射前後の接着力をそ
れぞれ測定した。
紫外線照射前の接着力は50g/25mmであり、紫
外線照射後の接着力は4g/25mmであつた。
外線照射後の接着力は4g/25mmであつた。
比較例 2
比較例1において、Ra=0.04の細かい平滑な
表面を有するシリコンウエハを用いた以外は比較
例1と同様にして、紫外線照射前後の接着力をそ
れぞれ測定した。
表面を有するシリコンウエハを用いた以外は比較
例1と同様にして、紫外線照射前後の接着力をそ
れぞれ測定した。
紫外線照射前の接着力は490g/25mmであり、
紫外線照射後の接着力は15g/25mmであつた。
紫外線照射後の接着力は15g/25mmであつた。
剥離されたシリコンウエハの表面には粘着剤が
付着していた。
付着していた。
比較例 3
アクリル系粘着剤(n―ブチルアクリレートと
2―エチルヘキシルアクリレートとの共重合体)
100部と、ゲルパーミエーシヨンクロマトグラフ
イー(GPC)によるポリスチレン換算の平均分
子量が約1100であるウレタンアクリレート系オリ
ゴマー(商品名セイカビーム EX808大日精化工
業社製)100部と、硬化剤(ジイソシアナート系)
10部と、UV硬化開始剤(ベンゾフエノン系)4
部とを混合して、粘着剤層形成用組成物を調製し
た。
2―エチルヘキシルアクリレートとの共重合体)
100部と、ゲルパーミエーシヨンクロマトグラフ
イー(GPC)によるポリスチレン換算の平均分
子量が約1100であるウレタンアクリレート系オリ
ゴマー(商品名セイカビーム EX808大日精化工
業社製)100部と、硬化剤(ジイソシアナート系)
10部と、UV硬化開始剤(ベンゾフエノン系)4
部とを混合して、粘着剤層形成用組成物を調製し
た。
この組成物を用いて実施例1と同様にして、ウ
エハダイシング用粘着シートを形成し、Ra=
0.27のかなり粗い表面を有するシリコンウエハへ
の接着力を紫外線照射前後で測定した。
エハダイシング用粘着シートを形成し、Ra=
0.27のかなり粗い表面を有するシリコンウエハへ
の接着力を紫外線照射前後で測定した。
紫外線照射前の接着力は320g/25mmであり、
紫外線照射後の接着力は75g/25mmであつた。
紫外線照射後の接着力は75g/25mmであつた。
シリコンウエハを5mm角のチツプ状にダイシン
グしてピツクアツプしたところ、100個中30個し
かピツクアツプすることができなかつた。
グしてピツクアツプしたところ、100個中30個し
かピツクアツプすることができなかつた。
第1図および第2図は本発明に係るウエハダイ
シング用粘着シートの断面図であり、第3図〜第
6図は該粘着シートを半導体ウエハのダイシング
工程からピツクアツプ工程までに用いた場合の説
明図である。 1……ウエハダイシング用粘着シート、2……
基材、3……粘着剤層、4……剥離シート、A…
…ウエハ、B……放射線。
シング用粘着シートの断面図であり、第3図〜第
6図は該粘着シートを半導体ウエハのダイシング
工程からピツクアツプ工程までに用いた場合の説
明図である。 1……ウエハダイシング用粘着シート、2……
基材、3……粘着剤層、4……剥離シート、A…
…ウエハ、B……放射線。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 基材面上に粘着剤と放射線重合性化合物とか
らなる粘着剤層を塗布してなるウエハダイシング
用粘着シートであつて、放射線重合性化合物が
3000〜10000の分子量を有するウレタンアクリレ
ート系オリゴマーであることを特徴とするウエハ
ダイシング用粘着シート。 2 ウレタンアクリレート系オリゴマーの分子量
が4000〜8000である特許請求の範囲第1項に記載
のウエハダイシング用粘着シート。
Priority Applications (27)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60295189A JPS62153376A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | ウェハダイシング用粘着シート |
DE19863639266 DE3639266A1 (de) | 1985-12-27 | 1986-11-17 | Haftfolie |
US06/932,210 US4756968A (en) | 1985-12-27 | 1986-11-18 | Adhesive sheets |
PH34523A PH23580A (en) | 1985-12-27 | 1986-11-24 | Adhesive sheet |
MYPI86000164A MY100214A (en) | 1985-12-27 | 1986-12-02 | Adhesive sheet |
KR1019860010787A KR910007086B1 (ko) | 1985-12-27 | 1986-12-15 | 점착시이트 |
NL8603269A NL191241C (nl) | 1985-12-27 | 1986-12-23 | Kleefvel voor halfgeleiders. |
FR8618037A FR2592390B1 (fr) | 1985-12-27 | 1986-12-23 | Feuille adhesive utilisable notamment pour le decoupage de pastilles semiconductrices sous la forme de microplaquettes |
GB8630956A GB2184741B (en) | 1985-12-27 | 1986-12-29 | Adhesive sheet suitable for use in the preparation of semiconductor chips |
US07/111,849 US4965127A (en) | 1985-12-27 | 1987-10-22 | Adhesive sheets |
MYPI89000327A MY104709A (en) | 1985-12-27 | 1989-05-15 | Adhesive sheet. |
GB8916855A GB2221468B (en) | 1985-12-27 | 1989-07-24 | Adhesive sheet suitable for use in dicing semiconductor wafers into chips |
GB8916856A GB2221469B (en) | 1985-12-27 | 1989-07-24 | Adhesive sheet suitable for use in dicing semiconductor wafers into chips |
GB8916857A GB2221470B (en) | 1985-12-27 | 1989-07-24 | Adhesive sheet suitable for semiconductor wafer processing |
US07/549,496 US5187007A (en) | 1985-12-27 | 1990-06-29 | Adhesive sheets |
SG1146/92A SG114692G (en) | 1985-12-27 | 1992-11-02 | Adhesive sheet suitable for use in dicing semiconductor wafers into chips |
SG1145/92A SG114592G (en) | 1985-12-27 | 1992-11-02 | Adhesive sheet suitable for semiconductor wafer processing |
SG1144/92A SG114492G (en) | 1985-12-27 | 1992-11-02 | Adhesive sheet suitable for use in the preparation of semiconductor chips |
SG1143/92A SG114392G (en) | 1985-12-27 | 1992-11-02 | Adhesive sheet suitable for use in dicing semiconductor wafers into chips |
HK1055/92A HK105592A (en) | 1985-12-27 | 1992-12-31 | Adhesive sheet suitable for use in dicing semiconductor wafers into chips |
HK1057/92A HK105792A (en) | 1985-12-27 | 1992-12-31 | Adhesive sheet suitable for use in the preparation of semiconductor chips |
HK1056/92A HK105692A (en) | 1985-12-27 | 1992-12-31 | Adhesive sheet suitable for use in dicing semiconductor wafers into chips |
HK1054/92A HK105492A (en) | 1985-12-27 | 1992-12-31 | Adhesive sheet suitable for semiconductor wafer processing |
NL9302147A NL9302147A (nl) | 1985-12-27 | 1993-12-09 | Kleefvel voor halfgeleiders. |
NL9302150A NL193617C (nl) | 1985-12-27 | 1993-12-09 | Kleefvel voor halfgeleiders. |
NL9302149A NL9302149A (nl) | 1985-12-27 | 1993-12-09 | Kleefvel voor halfgeleiders. |
NL9302148A NL9302148A (nl) | 1985-12-27 | 1993-12-09 | Kleefvel voor halfgeleiders. |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60295189A JPS62153376A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | ウェハダイシング用粘着シート |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62153376A JPS62153376A (ja) | 1987-07-08 |
JPH0156112B2 true JPH0156112B2 (ja) | 1989-11-28 |
Family
ID=17817353
Family Applications (1)
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- 1985-12-27 JP JP60295189A patent/JPS62153376A/ja active Granted
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