JPH0215594B2 - - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明はウエハダイシング用粘着シートに関
し、さらに詳しくは、半導体ウエハを小片に切断
分離する際に特に好ましく用いられるウエハダイ
シング用粘着シートに関する。
し、さらに詳しくは、半導体ウエハを小片に切断
分離する際に特に好ましく用いられるウエハダイ
シング用粘着シートに関する。
発明の技術的背景ならびにその問題点
シリコン、ガリウムヒ素などの半導体ウエハは
大径の状態で製造され、このウエハは素子小片に
切断分離（ダイシング）された後に次の工程であ
るマウント工程に移されている。この際、半導体
ウエハは予じめ粘着シートに貼着された状態でダ
イシング、洗浄、乾燥、エキスパンデイング、ピ
ツクアツプ、マウンテイングの各工程が加えられ
ている。
大径の状態で製造され、このウエハは素子小片に
切断分離（ダイシング）された後に次の工程であ
るマウント工程に移されている。この際、半導体
ウエハは予じめ粘着シートに貼着された状態でダ
イシング、洗浄、乾燥、エキスパンデイング、ピ
ツクアツプ、マウンテイングの各工程が加えられ
ている。
このような半導体ウエハのダイシング工程で用
いられている粘着シートとしては、従来、ポリ塩
化ビニル、ポリピロピレンなどの基材面上にアク
リル系などの粘着剤層が設けられたものが用いら
れてきた。ところがこのようなアクリル系の粘着
剤層を有する粘着シートでは、ダイシングされた
半導体ウエハの各チツプをピツクアツプする際に
チツプ表面に粘着剤が残存してチツプが汚染され
てしまうという問題点があつた。 このような問
題点を解決するため、従来、基材面への粘着剤を
全面的に塗布するのではなく部分的に塗布して粘
着剤の量を少なくする方法が提案されている。こ
の方法によれば、全体のチツプ数に対する粘着剤
量は減少してチツプ面の粘着剤による汚染はある
程度減少させることはできるが、ウエハチツプと
粘着シートとの接着力は減少するため、ダイシン
グ工程に引続いて行なわれる洗浄、乾燥、エキス
パンデイングの各工程中にウエハチツプが粘着シ
ートから脱離してしまうという新たな問題点が生
じている。
いられている粘着シートとしては、従来、ポリ塩
化ビニル、ポリピロピレンなどの基材面上にアク
リル系などの粘着剤層が設けられたものが用いら
れてきた。ところがこのようなアクリル系の粘着
剤層を有する粘着シートでは、ダイシングされた
半導体ウエハの各チツプをピツクアツプする際に
チツプ表面に粘着剤が残存してチツプが汚染され
てしまうという問題点があつた。 このような問
題点を解決するため、従来、基材面への粘着剤を
全面的に塗布するのではなく部分的に塗布して粘
着剤の量を少なくする方法が提案されている。こ
の方法によれば、全体のチツプ数に対する粘着剤
量は減少してチツプ面の粘着剤による汚染はある
程度減少させることはできるが、ウエハチツプと
粘着シートとの接着力は減少するため、ダイシン
グ工程に引続いて行なわれる洗浄、乾燥、エキス
パンデイングの各工程中にウエハチツプが粘着シ
ートから脱離してしまうという新たな問題点が生
じている。
このような半導体ウエハのダイシング工程から
ピツクアツプ工程に至る工程で用いられる粘着シ
ートとしては、ダイシング工程からエキスパンデ
イング工程までではウエハチツプに対して充分な
接着力を有しており、ピツクアツプ工程ではウエ
ハチツプに粘着が付着しない程度の接着力を有し
ているものが望まれている。
ピツクアツプ工程に至る工程で用いられる粘着シ
ートとしては、ダイシング工程からエキスパンデ
イング工程までではウエハチツプに対して充分な
接着力を有しており、ピツクアツプ工程ではウエ
ハチツプに粘着が付着しない程度の接着力を有し
ているものが望まれている。
このような粘着シートとしては、特開昭60―
196956号公報および特開昭60―223139号公報に、
基材面に、光照射によつて三次元網状化しうる分
子内に光重合性炭素―炭素二重結合を少なくとも
２個以上有する低分子量化合物からなる粘着剤を
塗布した粘着シートが提案されている。そして該
公報では、分子内に光重合性炭素―炭素二重結合
を少なくとも２個以上有する低分子量化合物とし
ては、トリメチロールプロパントリアクリレー
ト、テトラメチロールメタンテトラアクリレー
ト、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペ
ンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペン
タエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレ
ート、ジペンタエリストールヘキサアクリレート
あるいは１，４―ブチレングリコールジアクリレ
ート、１，６―ヘキサンジオールジアクリレー
ト、ポリエチレングリコールジアクリレート、市
販のオリゴエステルアクリレートなどが例示され
ている。
196956号公報および特開昭60―223139号公報に、
基材面に、光照射によつて三次元網状化しうる分
子内に光重合性炭素―炭素二重結合を少なくとも
２個以上有する低分子量化合物からなる粘着剤を
塗布した粘着シートが提案されている。そして該
公報では、分子内に光重合性炭素―炭素二重結合
を少なくとも２個以上有する低分子量化合物とし
ては、トリメチロールプロパントリアクリレー
ト、テトラメチロールメタンテトラアクリレー
ト、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペ
ンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペン
タエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレ
ート、ジペンタエリストールヘキサアクリレート
あるいは１，４―ブチレングリコールジアクリレ
ート、１，６―ヘキサンジオールジアクリレー
ト、ポリエチレングリコールジアクリレート、市
販のオリゴエステルアクリレートなどが例示され
ている。
上記に例示されたような分子内に光重合性炭素
―炭素二重結合を少なくとも２個以上有する低分
子量化合物からなる粘着剤層を塗布した粘着シー
トは、次のような問題点があることが本発明者ら
によつて見出された。すなわち、上記のような従
来公知の粘着シートは、半導体ウエハ表面が鏡面
であつて光反射性に優れている場合にはある程度
優れた性能を示しうるが、ウエハ面が何らかの理
由によつて灰色化あるいは黒色化したような場合
には、半導体ウエハチツプのビツクアツプ工程で
該粘着シートに紫外線などの放射線を照射して
も、上記の灰色化あるいは黒色化した部分ではそ
の接着力が充分には低下せず、したがつてチツプ
表面に粘着剤が付着してしまうという問題点があ
ることが本発明者らによつて見出された。また上
記のような粘着シートでは紫外線を照射した場合
に、一応粘着力は低下するが最適値までは粘着力
が低下せず、大チツプになるほどピツクアツプで
きないという問題点があることが本発明者らによ
つて見出された。
―炭素二重結合を少なくとも２個以上有する低分
子量化合物からなる粘着剤層を塗布した粘着シー
トは、次のような問題点があることが本発明者ら
によつて見出された。すなわち、上記のような従
来公知の粘着シートは、半導体ウエハ表面が鏡面
であつて光反射性に優れている場合にはある程度
優れた性能を示しうるが、ウエハ面が何らかの理
由によつて灰色化あるいは黒色化したような場合
には、半導体ウエハチツプのビツクアツプ工程で
該粘着シートに紫外線などの放射線を照射して
も、上記の灰色化あるいは黒色化した部分ではそ
の接着力が充分には低下せず、したがつてチツプ
表面に粘着剤が付着してしまうという問題点があ
ることが本発明者らによつて見出された。また上
記のような粘着シートでは紫外線を照射した場合
に、一応粘着力は低下するが最適値までは粘着力
が低下せず、大チツプになるほどピツクアツプで
きないという問題点があることが本発明者らによ
つて見出された。
本発明者らは、このような従来技術に伴なう問
題点を解決すべく鋭意検討したところ、粘着剤層
中に光散乱性無機化合物粉末を添加すればよいこ
とを見出して本発明を完成するに至つた。また光
重合性化合物としてウレタンアクリレート系オリ
ゴマーを用いれば、極めて優れた特性を有するウ
エハダイシング用粘着シート得られることを見出
した。
題点を解決すべく鋭意検討したところ、粘着剤層
中に光散乱性無機化合物粉末を添加すればよいこ
とを見出して本発明を完成するに至つた。また光
重合性化合物としてウレタンアクリレート系オリ
ゴマーを用いれば、極めて優れた特性を有するウ
エハダイシング用粘着シート得られることを見出
した。
発明の目的
本発明は、上記のような従来技術に伴なう問題
点を一挙に解決しようとするものであつて、ウエ
ハ面が何らかの理由によつて灰色化あるいは黒色
化しても、半導体ウエハチツプのピツクアツプ工
程でウエハダイシング用粘着シートに紫外線など
の放射線を照射した際に前記灰色化あるいは黒色
化した部分でもその接着力が充分に低下し、した
がつてウエハチツプ表面に粘着剤が付着してしま
うことがなく、しかも放射線の照射前には充分な
接着力を有する、半導体ウエハをタイシング工程
に付する際に特に好ましく用いられるウエハダイ
シング用粘着シートを提供することを目的として
いる。
点を一挙に解決しようとするものであつて、ウエ
ハ面が何らかの理由によつて灰色化あるいは黒色
化しても、半導体ウエハチツプのピツクアツプ工
程でウエハダイシング用粘着シートに紫外線など
の放射線を照射した際に前記灰色化あるいは黒色
化した部分でもその接着力が充分に低下し、した
がつてウエハチツプ表面に粘着剤が付着してしま
うことがなく、しかも放射線の照射前には充分な
接着力を有する、半導体ウエハをタイシング工程
に付する際に特に好ましく用いられるウエハダイ
シング用粘着シートを提供することを目的として
いる。
発明の概要
本発明に係るウエハダイシング用粘着シート
は、基材面上に粘着剤と放射線重合性化合物とか
らなる粘着剤層を塗布してなるウエハダイシング
用粘着シートにおいて、粘着剤層中に光散乱性無
機化合物粉末を添加したことを特徴としている。
は、基材面上に粘着剤と放射線重合性化合物とか
らなる粘着剤層を塗布してなるウエハダイシング
用粘着シートにおいて、粘着剤層中に光散乱性無
機化合物粉末を添加したことを特徴としている。
本発明に係るウエハダイシング用粘着シートで
は、粘着剤層には、粘着剤と放射線重合性化合物
とに加えて、光散乱性無機化合物粉末が添加され
ているため、たとえ半導体ウエハなどの被着物表
面が何らかの理由によつて灰色化あるいは黒色化
しても、該粘着シートに紫外線などの放射線を照
射すると、灰色化あるいは黒色化した部分であつ
てもその接着力が充分に低下し、したがつてウエ
ハチツプのピツクアツプ時にウエハチツプ表面に
粘着剤が付着してしまうことがなく、しかも放射
線の照射前には充分な接着力を示している。
は、粘着剤層には、粘着剤と放射線重合性化合物
とに加えて、光散乱性無機化合物粉末が添加され
ているため、たとえ半導体ウエハなどの被着物表
面が何らかの理由によつて灰色化あるいは黒色化
しても、該粘着シートに紫外線などの放射線を照
射すると、灰色化あるいは黒色化した部分であつ
てもその接着力が充分に低下し、したがつてウエ
ハチツプのピツクアツプ時にウエハチツプ表面に
粘着剤が付着してしまうことがなく、しかも放射
線の照射前には充分な接着力を示している。
発明の具体的説明
以下本発明に係るウエハダイシング用粘着シー
トを具体的に説明する。
トを具体的に説明する。
本発明に係るウエハダイシング用粘着シートを
具体的に説明する。
具体的に説明する。
本発明に係るウエハダイシング用粘着シート１
は、その断面図が第１図に示されるように、基材
２とこの表面に塗着された粘着剤層３とからなつ
ており、使用前にはこの粘着剤層３を保護するた
め、第２図に示すように粘着剤３の上面に剥離性
シート４を仮粘着しておくことが好ましい。
は、その断面図が第１図に示されるように、基材
２とこの表面に塗着された粘着剤層３とからなつ
ており、使用前にはこの粘着剤層３を保護するた
め、第２図に示すように粘着剤３の上面に剥離性
シート４を仮粘着しておくことが好ましい。
本発明に係るウエハダイシング用粘着シートの
形状は、テープ状、ラベル状などあらゆる形状を
とりうる。基材２としては、耐水性および耐熱性
に優れているものが適し、特に合成樹脂フイルム
が適する。本発明のウエハダイシング用粘着シー
トでは、後記するように、その使用に当り、EB
やUVなどの放射線照射が行なわれているので、
EB照射の場合は、該基材２は透明である必要は
ないが、UV照射をして用いる場合は、透明な材
料である必要がある。
形状は、テープ状、ラベル状などあらゆる形状を
とりうる。基材２としては、耐水性および耐熱性
に優れているものが適し、特に合成樹脂フイルム
が適する。本発明のウエハダイシング用粘着シー
トでは、後記するように、その使用に当り、EB
やUVなどの放射線照射が行なわれているので、
EB照射の場合は、該基材２は透明である必要は
ないが、UV照射をして用いる場合は、透明な材
料である必要がある。
このような基材２としては、具体的に、ポリエ
チレンフイルム、ポリプロピレンフイルム、ポリ
塩化ビニルフイルム、ポリエチレンテレフタレー
トフイルム、ポリブチレンテレフタレートフイル
ム、ポリブテンフイルム、ポリブタジエンフイル
ム、ポリウレタンフイルム、ポリメチルペンテン
フイルム、エチレン酢ビフイルムなどが用いられ
る。
チレンフイルム、ポリプロピレンフイルム、ポリ
塩化ビニルフイルム、ポリエチレンテレフタレー
トフイルム、ポリブチレンテレフタレートフイル
ム、ポリブテンフイルム、ポリブタジエンフイル
ム、ポリウレタンフイルム、ポリメチルペンテン
フイルム、エチレン酢ビフイルムなどが用いられ
る。
半導体ウエハのダイシング後にエキスパンデイ
ング処理をする必要がある場合には、従来と同様
にポリ塩化ビニル、ポリエチレンなどの長さ方向
および幅方向に延伸性をもつ合成樹脂フイルムを
基材として用いることが好ましい。
ング処理をする必要がある場合には、従来と同様
にポリ塩化ビニル、ポリエチレンなどの長さ方向
および幅方向に延伸性をもつ合成樹脂フイルムを
基材として用いることが好ましい。
本発明では、上記のような基材２上に設けられ
る粘着剤層３は、粘着剤と、放射線重合性化合物
と、光散乱性無機化合物粉末とを含んで形成され
ている。
る粘着剤層３は、粘着剤と、放射線重合性化合物
と、光散乱性無機化合物粉末とを含んで形成され
ている。
粘着剤としては従来公知のものが広く用いられ
うるが、アクリル系粘着性が好ましく、具体的に
は、アクリル系エステルを主たる構成単量体単位
とする単独重合体および共重合体から選ばれたア
クリル系重合体その他の官能性単量体との共重合
体およびこれら重合体の混合物である。たとえ
ば、モノマーのアクリル酸エステルとして、メタ
アクリル酸エチル、メタアクリル酸ブチル、メタ
アクリル酸―２―エチルヘカシル、メタアクリル
酸グリシジル、メタアクリル酸―２―ヒドロキシ
エチルなど、また上記のメタアクリル酸をたとえ
ばアクリル酸に代えたものなども好ましく使用で
きる。
うるが、アクリル系粘着性が好ましく、具体的に
は、アクリル系エステルを主たる構成単量体単位
とする単独重合体および共重合体から選ばれたア
クリル系重合体その他の官能性単量体との共重合
体およびこれら重合体の混合物である。たとえ
ば、モノマーのアクリル酸エステルとして、メタ
アクリル酸エチル、メタアクリル酸ブチル、メタ
アクリル酸―２―エチルヘカシル、メタアクリル
酸グリシジル、メタアクリル酸―２―ヒドロキシ
エチルなど、また上記のメタアクリル酸をたとえ
ばアクリル酸に代えたものなども好ましく使用で
きる。
さらに後述するオリゴマーとの相溶性を高める
ため、（メタ）アクリル酸、アクリロニトリル、
酢酸ビニルなどのモノマーを共重合させてもよ
い。これらのモノマーから重合して得られるアク
リル系重合体の分子量は、2.0×105〜10.0×105で
あり、好ましくは、4.0×105〜8.0x105である。
ため、（メタ）アクリル酸、アクリロニトリル、
酢酸ビニルなどのモノマーを共重合させてもよ
い。これらのモノマーから重合して得られるアク
リル系重合体の分子量は、2.0×105〜10.0×105で
あり、好ましくは、4.0×105〜8.0x105である。
また放射線重合性化合物としては、たとえば特
開昭60―196956号公報および特開昭60―223139号
公報に開示されているような光照射によつて三次
元網状化しうる分子内に光重合性炭素―炭素二重
結合を少なくとも２個以上有する低分子量化合物
が広く用いられ、具体的には、トリメチロールプ
ロパントリアクリレート、テトラメチロールメタ
ンテトラアクリレート、ペンタエリストールトリ
アクリレート、ペンタエリスリトールテトラアク
リレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキ
シペンタアクリレート、ジペンタエリストリトー
ルヘキサアクリレートあるいは１，４―ブチレン
グリコールジアクリレート、１，６―ヘキサンジ
オールジアクリレート、ポリエチレングリコール
ジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレ
ートなどが用いられる。
開昭60―196956号公報および特開昭60―223139号
公報に開示されているような光照射によつて三次
元網状化しうる分子内に光重合性炭素―炭素二重
結合を少なくとも２個以上有する低分子量化合物
が広く用いられ、具体的には、トリメチロールプ
ロパントリアクリレート、テトラメチロールメタ
ンテトラアクリレート、ペンタエリストールトリ
アクリレート、ペンタエリスリトールテトラアク
リレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキ
シペンタアクリレート、ジペンタエリストリトー
ルヘキサアクリレートあるいは１，４―ブチレン
グリコールジアクリレート、１，６―ヘキサンジ
オールジアクリレート、ポリエチレングリコール
ジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレ
ートなどが用いられる。
さらに放射線重合性化合物として、上記のよう
なアクリレート系化合物のほかに、ウレタンアク
リレート系オリゴマーを用いることもできる。ウ
レタンアクリレート系オリゴマーは、ポリエステ
ル型またはポリエーテル型などのポリオール化合
物と、多価イソシアナート化合物たとえば２，４
―トリレンジイソシアナート、２，６―トリレン
ジイソシアナート、１，３―キシリレンジイソシ
アナート、１，４―キシレンジアソシアナート、
ジフエニルメタン４，４―ジイソシアナートなど
を反応させて得られる末端イソシアナートウレタ
ンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有する（メ
タ）アクリレートたとえば２―ヒドロキシエチル
（メタ）アクリレート、２―ヒドロキシプロピル
（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコール
（メタ）アクリレートなどを反応させて得られる。
このウレタンアクリレート系オリゴマーは、炭素
―炭素二重結合を少なくとも１個以上有する放射
線重合性化合物である。
なアクリレート系化合物のほかに、ウレタンアク
リレート系オリゴマーを用いることもできる。ウ
レタンアクリレート系オリゴマーは、ポリエステ
ル型またはポリエーテル型などのポリオール化合
物と、多価イソシアナート化合物たとえば２，４
―トリレンジイソシアナート、２，６―トリレン
ジイソシアナート、１，３―キシリレンジイソシ
アナート、１，４―キシレンジアソシアナート、
ジフエニルメタン４，４―ジイソシアナートなど
を反応させて得られる末端イソシアナートウレタ
ンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有する（メ
タ）アクリレートたとえば２―ヒドロキシエチル
（メタ）アクリレート、２―ヒドロキシプロピル
（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコール
（メタ）アクリレートなどを反応させて得られる。
このウレタンアクリレート系オリゴマーは、炭素
―炭素二重結合を少なくとも１個以上有する放射
線重合性化合物である。
このようなウレタンアクリレート系オリゴマー
として、特に分子量が3000〜10000好ましくは
4000〜8000であるものを用いると、半導体ウエハ
表面が粗い場合にも、ウエハチツプのピツクアツ
プ時にチツプ表面に粘着剤が付着することがない
ため好ましい。またウレタンアクリレート系オリ
ゴマーを放射線重合性化合物として用いる場合に
は、特開昭60―196956号公報に開示されたような
分子内に光重合性炭素―炭素二重結合を少なくと
も２個以上有する低分子量化合物を用いた場合と
比較して、ウエハダイシング用粘着シートとして
極めて優れたものが得られる。すなわちウエハダ
イシング用粘着シートの放射線照射前の接着力は
充分に大きく、また放射線照射後には接着力が充
分に低下してウエハチツプのピツクアツプ時にチ
ツプ表面に粘着剤が残存することはない。
として、特に分子量が3000〜10000好ましくは
4000〜8000であるものを用いると、半導体ウエハ
表面が粗い場合にも、ウエハチツプのピツクアツ
プ時にチツプ表面に粘着剤が付着することがない
ため好ましい。またウレタンアクリレート系オリ
ゴマーを放射線重合性化合物として用いる場合に
は、特開昭60―196956号公報に開示されたような
分子内に光重合性炭素―炭素二重結合を少なくと
も２個以上有する低分子量化合物を用いた場合と
比較して、ウエハダイシング用粘着シートとして
極めて優れたものが得られる。すなわちウエハダ
イシング用粘着シートの放射線照射前の接着力は
充分に大きく、また放射線照射後には接着力が充
分に低下してウエハチツプのピツクアツプ時にチ
ツプ表面に粘着剤が残存することはない。
本発明における粘着剤中のアクリル系粘着剤と
ウレタンアクリレート系オリゴマーの配合比は、
アクリル系粘着剤10〜90重量部に対してウレタン
アクリレート系オリゴマーは90〜10重量部の範囲
の量で用いられることが好ましい。この場合に
は、得られるウエハダイシング用粘着シートは初
期の接着力が大きくしかも放射線照射後には粘着
力は大きく低下し、容易にウエハチツプを該粘着
シートからピツクアツプすることができる。
ウレタンアクリレート系オリゴマーの配合比は、
アクリル系粘着剤10〜90重量部に対してウレタン
アクリレート系オリゴマーは90〜10重量部の範囲
の量で用いられることが好ましい。この場合に
は、得られるウエハダイシング用粘着シートは初
期の接着力が大きくしかも放射線照射後には粘着
力は大きく低下し、容易にウエハチツプを該粘着
シートからピツクアツプすることができる。
本発明では、粘着剤層３中に上記のような粘着
剤と放射線重合性化合物とに加えて、光散乱性無
機化合物粉末が含まれている。
剤と放射線重合性化合物とに加えて、光散乱性無
機化合物粉末が含まれている。
この光散乱性無機化合物は、紫外線（UV）あ
るいは電子線（EB）などの放射線が照射された
場合に、この放射線を乱反射することができるよ
うな化合物であつて、具体的には、シリカ粉末、
アルミナ粉末、シリカアルミナ粉末、マイカ粉末
などが例示される。この光散乱性無機化合物は、
上記のような放射線をほぼ完全に反射するものが
好ましいが、もちろんある程度放射線を吸収して
しまうものも用いることができる。
るいは電子線（EB）などの放射線が照射された
場合に、この放射線を乱反射することができるよ
うな化合物であつて、具体的には、シリカ粉末、
アルミナ粉末、シリカアルミナ粉末、マイカ粉末
などが例示される。この光散乱性無機化合物は、
上記のような放射線をほぼ完全に反射するものが
好ましいが、もちろんある程度放射線を吸収して
しまうものも用いることができる。
光散乱性無機化合物は粉末状であることが好ま
しく、その粒径は１〜100μm好ましくは１〜
20μm程度であることが望ましい。この光散乱性
無機化合物は、粘着剤層中に0.1〜10重量％好ま
しくは１〜４重量％の量で用いられることが望ま
しい。該化合物を粘着剤層中に10重量％を越えた
量で用いると、粘着剤層の接着力が低下したりす
ることがあるため好ましくなく、一方0.1重量％
未満であると、半導体ウエハ面が灰色化あるいは
黒色化した場合に、その部分に放射線照射して
も、接着力が充分に低下せずピツクアツプ時にウ
エハ表面に粘着剤が残るため好ましくない。
しく、その粒径は１〜100μm好ましくは１〜
20μm程度であることが望ましい。この光散乱性
無機化合物は、粘着剤層中に0.1〜10重量％好ま
しくは１〜４重量％の量で用いられることが望ま
しい。該化合物を粘着剤層中に10重量％を越えた
量で用いると、粘着剤層の接着力が低下したりす
ることがあるため好ましくなく、一方0.1重量％
未満であると、半導体ウエハ面が灰色化あるいは
黒色化した場合に、その部分に放射線照射して
も、接着力が充分に低下せずピツクアツプ時にウ
エハ表面に粘着剤が残るため好ましくない。
粘着剤層中に光散乱性無機化合物粉末を添加す
るとによつて得られるウエハダイシング用粘着シ
ートは、半導体ウエハ面が何らかの理由によつて
灰色化あるいは黒色化したような場合に用いて
も、この灰色化あるいは黒色化した部分に放射線
が照射されると、この部分においてもその接着力
が充分に低下するのは、次のような理由であろう
と考えられる。すなわち、本発明に係るウエハダ
イシング用粘着シート１は粘着剤層３を有してい
るが、この粘着剤層３に放射線を照射すると、粘
着剤層３中に含まれる放射線重合性化合物が硬化
してその接着力が低下することになる。ところが
半導体ウエハ面に何らかの理由によつて灰色化あ
るいは黒色化した部分が生ずることがある。この
ような場合に粘着剤層３に放射線を照射すると、
放射線は粘着剤層３を通過してウエハ面に達する
が、もしウエハ面に灰色化あるいは黒色化した部
分があるとこの部分では放射線が吸収されて、反
射することがなくなつてしまう。このため本来粘
着剤層３の硬化に利用されるべき放射線が、灰色
化あるいは黒色化した部分では吸収されてしまつ
て粘着剤層３の硬化が不充分となり、接着力が充
分には低下しないことになる。したがつてウエハ
チツプのピツクアツプ時にチツプ表面に粘着剤が
付着してしまうのであろうと考えられる。
るとによつて得られるウエハダイシング用粘着シ
ートは、半導体ウエハ面が何らかの理由によつて
灰色化あるいは黒色化したような場合に用いて
も、この灰色化あるいは黒色化した部分に放射線
が照射されると、この部分においてもその接着力
が充分に低下するのは、次のような理由であろう
と考えられる。すなわち、本発明に係るウエハダ
イシング用粘着シート１は粘着剤層３を有してい
るが、この粘着剤層３に放射線を照射すると、粘
着剤層３中に含まれる放射線重合性化合物が硬化
してその接着力が低下することになる。ところが
半導体ウエハ面に何らかの理由によつて灰色化あ
るいは黒色化した部分が生ずることがある。この
ような場合に粘着剤層３に放射線を照射すると、
放射線は粘着剤層３を通過してウエハ面に達する
が、もしウエハ面に灰色化あるいは黒色化した部
分があるとこの部分では放射線が吸収されて、反
射することがなくなつてしまう。このため本来粘
着剤層３の硬化に利用されるべき放射線が、灰色
化あるいは黒色化した部分では吸収されてしまつ
て粘着剤層３の硬化が不充分となり、接着力が充
分には低下しないことになる。したがつてウエハ
チツプのピツクアツプ時にチツプ表面に粘着剤が
付着してしまうのであろうと考えられる。
ところが粘着剤層３中に光散乱性無機化合物粉
末を添加すると、照射された放射線はウエハ面に
達するまでに該化合物と衝突して方向が変えられ
る。このため、たとえエハチツプ表面に灰色化あ
るいは黒色化した部分があつても、この部分の上
方の領域にも乱反射された放射線が充分に入り込
み、したがつてこの灰色化あるいは黒色化した部
分も充分に硬化する。このため、粘着剤層中に光
散乱性無機化合物粉末を添加することによつて、
たとえ半導体ウエハ表面に何らかの理由によつて
灰色化あるいは黒色化した部分があつても、この
部分で粘着着剤層の硬化が不充分になることがな
く、したがつてウエハチツプのピツクアツプ時に
チツプ表面に粘着剤が付着することがなくなる。
末を添加すると、照射された放射線はウエハ面に
達するまでに該化合物と衝突して方向が変えられ
る。このため、たとえエハチツプ表面に灰色化あ
るいは黒色化した部分があつても、この部分の上
方の領域にも乱反射された放射線が充分に入り込
み、したがつてこの灰色化あるいは黒色化した部
分も充分に硬化する。このため、粘着剤層中に光
散乱性無機化合物粉末を添加することによつて、
たとえ半導体ウエハ表面に何らかの理由によつて
灰色化あるいは黒色化した部分があつても、この
部分で粘着着剤層の硬化が不充分になることがな
く、したがつてウエハチツプのピツクアツプ時に
チツプ表面に粘着剤が付着することがなくなる。
また上記の粘着剤中に、イソシアネート系硬化
剤を混合することにより、初期の接着力を任意の
値に設定することができる。このような硬化剤と
しては、具体的には多価イソシアナート化合物、
たとえば２，４―トリレンジイソシアナート、
２，６―トリレンジイソシアナート、１，３―キ
シリレンジイソシアナート、１，４―キシレンジ
イソシアナート、ジフエニルメタン―４，4′―ジ
イソシアナート、ジフエニルメタン―２，4′―ジ
イソシアナート、３―メチルジフエニルメタンジ
イソシアナート、ヘキサメチレンジイソシアナー
ト、イソホロンジイソシアナート、ジシクロヘキ
シルメタン―４，4′―ジイソシアナート、ジシク
ロヘキシルメタン―２，4′―ジイソシアナート、
リジンイソシアナートなどが用いられる。
剤を混合することにより、初期の接着力を任意の
値に設定することができる。このような硬化剤と
しては、具体的には多価イソシアナート化合物、
たとえば２，４―トリレンジイソシアナート、
２，６―トリレンジイソシアナート、１，３―キ
シリレンジイソシアナート、１，４―キシレンジ
イソシアナート、ジフエニルメタン―４，4′―ジ
イソシアナート、ジフエニルメタン―２，4′―ジ
イソシアナート、３―メチルジフエニルメタンジ
イソシアナート、ヘキサメチレンジイソシアナー
ト、イソホロンジイソシアナート、ジシクロヘキ
シルメタン―４，4′―ジイソシアナート、ジシク
ロヘキシルメタン―２，4′―ジイソシアナート、
リジンイソシアナートなどが用いられる。
さらに上記の粘着剤中に、UV照射用の場合に
は、UV開始剤の添加量を調整することにより、
UV照射による重合硬化時間ならびにUV照射量
を少なくすることができる。
は、UV開始剤の添加量を調整することにより、
UV照射による重合硬化時間ならびにUV照射量
を少なくすることができる。
このようなUV開始剤としては、具体的には、
ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾ
インエチルエーテル、ベンゾインソプロピルエー
テル、ベンジルジフエニルサルフアイド、テトラ
メチルチウラムモノサルフアイド、アゾビスイソ
ブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β―
クロールアンスラキノンなどが挙げられる。
ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾ
インエチルエーテル、ベンゾインソプロピルエー
テル、ベンジルジフエニルサルフアイド、テトラ
メチルチウラムモノサルフアイド、アゾビスイソ
ブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β―
クロールアンスラキノンなどが挙げられる。
以下本発明に係るウエハダイシング用粘着シー
トの使用方法について説明する。
トの使用方法について説明する。
本発明に係るウエハダイシング用粘着シート１
の上面に剥離性シート４が設けられている場合に
は、該シート４を除去し、次いでウエハダイシン
グ用粘着シート１の粘着剤層３を上向きにして載
置し、この粘着剤層３の上面にダイシング加工す
べき半導体ウエハＡを貼着する。この貼着状態で
ウエハＡにダイシング、洗浄、乾燥、エキスパン
デイングの諸工程が加えられる。この際、粘着剤
層３によりウエハチツプはウエハダイシング用貼
着シートに充分に接着保持されているので、上記
各工程の間にウエハチツプが脱落することはな
い。
の上面に剥離性シート４が設けられている場合に
は、該シート４を除去し、次いでウエハダイシン
グ用粘着シート１の粘着剤層３を上向きにして載
置し、この粘着剤層３の上面にダイシング加工す
べき半導体ウエハＡを貼着する。この貼着状態で
ウエハＡにダイシング、洗浄、乾燥、エキスパン
デイングの諸工程が加えられる。この際、粘着剤
層３によりウエハチツプはウエハダイシング用貼
着シートに充分に接着保持されているので、上記
各工程の間にウエハチツプが脱落することはな
い。
次に、各ウエハチツプをウエハダイシング用貼
着シートからビツクアツプして所定の基台上にマ
ウテイングするが、この際、ピツクアツプに先立
つてあるいはピツクアツプ時に、紫外線（UV）
あるいは電子線（EB）などの電離性放射線Ｂを
ウエハダイシング用粘着シート１の粘着剤層３に
照射し、粘着剤層３中に含まれる放射線重合性化
合物を重合硬化せしめる。このように粘着剤層３
に放射線を照射して放射線重合硬化せしめると、
粘着剤の有する接着力は大きく低下し、わずかの
接着力が残存するのみとなる。
着シートからビツクアツプして所定の基台上にマ
ウテイングするが、この際、ピツクアツプに先立
つてあるいはピツクアツプ時に、紫外線（UV）
あるいは電子線（EB）などの電離性放射線Ｂを
ウエハダイシング用粘着シート１の粘着剤層３に
照射し、粘着剤層３中に含まれる放射線重合性化
合物を重合硬化せしめる。このように粘着剤層３
に放射線を照射して放射線重合硬化せしめると、
粘着剤の有する接着力は大きく低下し、わずかの
接着力が残存するのみとなる。
ウエハダイシング用粘着シート１への放射線照
射は、基材２の粘着剤層３が設けられていない面
から行なうことが好ましい。したがつて前述のよ
うに、放射線としてUVを用いる場合には基材２
は光透過性であることが必要であるが、放射線と
してEBを用いる場合には基材２は必ずしも光透
過性である必要はない。
射は、基材２の粘着剤層３が設けられていない面
から行なうことが好ましい。したがつて前述のよ
うに、放射線としてUVを用いる場合には基材２
は光透過性であることが必要であるが、放射線と
してEBを用いる場合には基材２は必ずしも光透
過性である必要はない。
このようにウエハチツプA1，A2……が設けら
れた部分の粘着剤層３に放射線を照射して、粘着
剤層３の接着力を低下せしめた後、このウエハダ
イシング用粘着シート１をピツクアツプステーシ
ヨン（図示せず）に移送し、ここで常法に従つて
基材２の下面から突き上げ針扞５によりピツクア
ツプすべきチツプA1……を突き上げ、このチツ
プA1……をたとえばエアピンセツト６によりピ
ツクアツプし、これを所定の基台上にマウンデイ
ングする。このようにしてウエハチツプA1，A2
……のピツクアツプを行なうと、ウエハチツプ面
上には粘着剤が全く付着せずに簡単にピツクアツ
プすることができ、汚染のない良好な品質のチツ
プが得られる。なお放射線照射は、ピツクアツプ
ステーシヨンにおいて行なうこともできる。
れた部分の粘着剤層３に放射線を照射して、粘着
剤層３の接着力を低下せしめた後、このウエハダ
イシング用粘着シート１をピツクアツプステーシ
ヨン（図示せず）に移送し、ここで常法に従つて
基材２の下面から突き上げ針扞５によりピツクア
ツプすべきチツプA1……を突き上げ、このチツ
プA1……をたとえばエアピンセツト６によりピ
ツクアツプし、これを所定の基台上にマウンデイ
ングする。このようにしてウエハチツプA1，A2
……のピツクアツプを行なうと、ウエハチツプ面
上には粘着剤が全く付着せずに簡単にピツクアツ
プすることができ、汚染のない良好な品質のチツ
プが得られる。なお放射線照射は、ピツクアツプ
ステーシヨンにおいて行なうこともできる。
放射線照射は、ウエハＡの貼着面の全面にわた
つて１度に照射する必要は必ずしもなく、部分的
に何回にも分けて照射するようにしてもよく、た
とえば、ピツクアツプすべきウエハチツプA1，
A2……の１個ごとに、これに対応する裏面にの
み照射する放射線照射管により照射しその部分の
粘着剤のみの接着力を低下させた後、突き上げ針
扞５によりウエハチツプA1，A2……を突き上げ
て順次ピツクアツプを行なうこともできる。第６
図には、上記の放射線照射方法の変形例を示す
が、この場合には、突き上げ針扞５の内部を中空
とし、その中空部に放射線発生源７を設けて放射
線照射とピツクアツプとを同時に行なえるように
しており、このようにすると装置を簡単化できる
と同時にピツクアツプ操作時間を短縮することが
できる。
つて１度に照射する必要は必ずしもなく、部分的
に何回にも分けて照射するようにしてもよく、た
とえば、ピツクアツプすべきウエハチツプA1，
A2……の１個ごとに、これに対応する裏面にの
み照射する放射線照射管により照射しその部分の
粘着剤のみの接着力を低下させた後、突き上げ針
扞５によりウエハチツプA1，A2……を突き上げ
て順次ピツクアツプを行なうこともできる。第６
図には、上記の放射線照射方法の変形例を示す
が、この場合には、突き上げ針扞５の内部を中空
とし、その中空部に放射線発生源７を設けて放射
線照射とピツクアツプとを同時に行なえるように
しており、このようにすると装置を簡単化できる
と同時にピツクアツプ操作時間を短縮することが
できる。
なお上記の半導体ウエハの処理において、エキ
スパンデイング工程を行なわず、ダイシング、洗
浄、乾燥後直ちにウエハチツプA1，A2……のピ
ツクアツプ処理を行なうこともできる。
スパンデイング工程を行なわず、ダイシング、洗
浄、乾燥後直ちにウエハチツプA1，A2……のピ
ツクアツプ処理を行なうこともできる。
発明の効果
本発明に係るウエハダイシング用粘着シートで
は、粘着剤層には、粘着剤と放射線重合性化合物
とに加えて、光散乱性無機化合物粉末が添加され
ているため、たとえ半導体ウエハなどの被着物表
面が何らかの理由によつて灰色化あるいは黒色化
しても、該粘着シートに紫外線などの放射線を照
射すると、灰色化あるいは黒色化した部分でもそ
の接着力が充分に低下し、したがつてウエハチツ
プのピツクアツプ時にウエハチツプ表面に粘着剤
が付着してしまうことがなく、しかも放射線の照
射前には充分な接着力をしている。
は、粘着剤層には、粘着剤と放射線重合性化合物
とに加えて、光散乱性無機化合物粉末が添加され
ているため、たとえ半導体ウエハなどの被着物表
面が何らかの理由によつて灰色化あるいは黒色化
しても、該粘着シートに紫外線などの放射線を照
射すると、灰色化あるいは黒色化した部分でもそ
の接着力が充分に低下し、したがつてウエハチツ
プのピツクアツプ時にウエハチツプ表面に粘着剤
が付着してしまうことがなく、しかも放射線の照
射前には充分な接着力をしている。
以下本発明を実施例により説明するが、本発明
はこれら実施例に限定されるものでではない。
はこれら実施例に限定されるものでではない。
実施例 １
アクリル系粘着剤（ｎ―ブチルアクリレートと
２―エチルヘキシルアクリレートとの共重合体）
100部と、分子量約7000のウレタンアクリレート
系オリゴマー（商品名セイカビーム PU―４大
日精化工業社製）100部と、硬化剤（ジイソシア
ナート系）１部と、UV硬化開始剤（ベンゾフエ
ノン系）３部とを混合し、さらにシリカ微粉末
（デグサ社製 Ｋ―412）を2.5部添加して、粘着
剤層形成物を調製した。
２―エチルヘキシルアクリレートとの共重合体）
100部と、分子量約7000のウレタンアクリレート
系オリゴマー（商品名セイカビーム PU―４大
日精化工業社製）100部と、硬化剤（ジイソシア
ナート系）１部と、UV硬化開始剤（ベンゾフエ
ノン系）３部とを混合し、さらにシリカ微粉末
（デグサ社製 Ｋ―412）を2.5部添加して、粘着
剤層形成物を調製した。
この組成物を基材である厚さ80μmのポリプロ
ピレンフイルムの片面に粘着剤層の厚さが10μm
となるように塗布し、100℃で１分間加熱してウ
エハダイシング用粘着シートを形成した。
ピレンフイルムの片面に粘着剤層の厚さが10μm
となるように塗布し、100℃で１分間加熱してウ
エハダイシング用粘着シートを形成した。
得られたウエハイシング用粘着シート上に、仮
想のシリコンウエハとして、シリコンウエハとほ
ぼ同じ径と厚みとを有する黒色メラミン板を貼着
して、JIS―Ｚ―0237（180゜ 剥離法、剥離速度
300mm／分、試料巾25mm、測定室内23℃、65％
RH）によつて接着力を測定したところ、接着力
は1500g／25mmであつた。
想のシリコンウエハとして、シリコンウエハとほ
ぼ同じ径と厚みとを有する黒色メラミン板を貼着
して、JIS―Ｚ―0237（180゜ 剥離法、剥離速度
300mm／分、試料巾25mm、測定室内23℃、65％
RH）によつて接着力を測定したところ、接着力
は1500g／25mmであつた。
次いで、このウエハダイシング用粘着シートの
粘着剤層に紫外線（UV）を空冷式高圧水銀灯
（80W／cm、照射距離10cm）により１秒間照射し
た。紫外線照射後の黒色メラミン板と上記ウエハ
ダイシング用粘着シートとの接着力を測定したと
ころ、その接着力は５〜20g／25mmに低下してい
た。
粘着剤層に紫外線（UV）を空冷式高圧水銀灯
（80W／cm、照射距離10cm）により１秒間照射し
た。紫外線照射後の黒色メラミン板と上記ウエハ
ダイシング用粘着シートとの接着力を測定したと
ころ、その接着力は５〜20g／25mmに低下してい
た。
また剥離されたメラミン板の表面には目視した
ところ粘着剤は全く付着していなかつた。
ところ粘着剤は全く付着していなかつた。
比較例 １
実施例１において、粘着剤層形成用組成物中に
シリカ微粉末を添加しない以外は実施例１と同様
にしてウエハダイシング用粘着シートを形成し、
黒色メラミン板の紫外線照射前の接着力と紫外線
照射後の接着力とを測定した。
シリカ微粉末を添加しない以外は実施例１と同様
にしてウエハダイシング用粘着シートを形成し、
黒色メラミン板の紫外線照射前の接着力と紫外線
照射後の接着力とを測定した。
紫外線照射前の接着力は1700g／25mmであり、
紫外線照射後の接着力は500〜1000g／25mmであ
つた。
紫外線照射後の接着力は500〜1000g／25mmであ
つた。
紫外線照射後に剥離された黒色メラミン板の表
面には粘着剤が多量に付着していた。
面には粘着剤が多量に付着していた。
実施例 ２
実施例１において、放射線重合性化合物として
ウレタンアクリレート系オリゴマーの代わり、分
子量700のジペンタエリストールモノヒドロキシ
ペンタアクリレートを用いた以外は実施例１と同
様にして、黒色メラミン板の紫外線照射前後の接
着力をそれぞれ測定した。
ウレタンアクリレート系オリゴマーの代わり、分
子量700のジペンタエリストールモノヒドロキシ
ペンタアクリレートを用いた以外は実施例１と同
様にして、黒色メラミン板の紫外線照射前後の接
着力をそれぞれ測定した。
紫外線照射前の接着力は1400g／25mmであり、
紫外線照射後の接着力は80g／25mmであつた。
紫外線照射後の接着力は80g／25mmであつた。
紫外線照射後に剥離された黒色メラミン板の表
面には粘着剤は付着していなかつた。
面には粘着剤は付着していなかつた。
実施例 ３
実施例１において、仮想のシリコンウエハとし
て白色メラミン板を用いた実施例１と同様にし
て、白色メラミン板の紫外線照射前後の接着力を
それぞれ測定した。
て白色メラミン板を用いた実施例１と同様にし
て、白色メラミン板の紫外線照射前後の接着力を
それぞれ測定した。
紫外線照射前の接着力は実施例１と同様に
1700g／25mmであり、紫外線照射後の接着力は
6g／25mmであつた。
1700g／25mmであり、紫外線照射後の接着力は
6g／25mmであつた。
剥離されたメラミン板の表面には目視したとこ
ろ粘着剤は全く付着していなかつた。
ろ粘着剤は全く付着していなかつた。
実施例 ４
実施例２において、仮想のシリコンウエハとし
て白色メラミン板を用いた以外は実施例２と同様
にして、白色メラミン板の紫外線照射前後の接着
力をそれぞれ測定した。
て白色メラミン板を用いた以外は実施例２と同様
にして、白色メラミン板の紫外線照射前後の接着
力をそれぞれ測定した。
紫外線照射前の接着力は実施例２と同様に
1400g／25mmであり、紫外線照射後の接着力は
30g／25mmであつた。
1400g／25mmであり、紫外線照射後の接着力は
30g／25mmであつた。
剥離されたメラミン板の表面には目視したとこ
ろ粘着剤は全く付着していなかつた。
ろ粘着剤は全く付着していなかつた。
比較例 ２
比較例１において、仮想のシリコンウエハとし
て白色メラミン板を用いた以外は比較例１と同様
にして白色メラミン板の紫外線照射前後の接着力
をそれぞれ測定した。
て白色メラミン板を用いた以外は比較例１と同様
にして白色メラミン板の紫外線照射前後の接着力
をそれぞれ測定した。
紫外線照射前の接着力は比較例１と同様にして
1700g／25mmであり、紫外線照射後の接着力は
9g／25mmであつた。
1700g／25mmであり、紫外線照射後の接着力は
9g／25mmであつた。
第１図および第２図は本発明に係るウエハダイ
シング用粘着シートの断面図であり、第３図〜第
６図は該粘着シートを半導体ウエハのダイシング
工程からピツクアツプ工程までに用いた場合の説
明図である。 １……ウエハダイシング用粘着シート、２……
基材、３……粘着剤層、４……剥離シート、Ａ…
…ウエハ、Ｂ……放射線。
シング用粘着シートの断面図であり、第３図〜第
６図は該粘着シートを半導体ウエハのダイシング
工程からピツクアツプ工程までに用いた場合の説
明図である。 １……ウエハダイシング用粘着シート、２……
基材、３……粘着剤層、４……剥離シート、Ａ…
…ウエハ、Ｂ……放射線。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基材面上に粘着剤と放射線重合性化合物とか
らなる粘着剤層が設けられており、該粘着剤層中
に光散乱性無機化合物粉末が含まれていることを
特徴とするウエハダイシング用粘着シート。 ２ 光散乱性無機化合物がシリカ粉末、アルミナ
粉末、シリカアルミナ粉末またはマイカ粉末であ
る特許請求の範囲第１項に記載のウエハダイシン
グ用粘着シート。 ３ 放射線重合性化合物がウレタンアクリレート
系オリゴマーである特許請求の範囲第１項に記載
のウエハダイシング用粘着シート。
Priority Applications (27)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60295188A JPS62153375A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | ウエハダイシング用粘着シート |
| DE19863639266 DE3639266A1 (de) | 1985-12-27 | 1986-11-17 | Haftfolie |
| US06/932,210 US4756968A (en) | 1985-12-27 | 1986-11-18 | Adhesive sheets |
| PH34523A PH23580A (en) | 1985-12-27 | 1986-11-24 | Adhesive sheet |
| MYPI86000164A MY100214A (en) | 1985-12-27 | 1986-12-02 | Adhesive sheet |
| KR1019860010787A KR910007086B1 (ko) | 1985-12-27 | 1986-12-15 | 점착시이트 |
| FR8618037A FR2592390B1 (fr) | 1985-12-27 | 1986-12-23 | Feuille adhesive utilisable notamment pour le decoupage de pastilles semiconductrices sous la forme de microplaquettes |
| NL8603269A NL191241C (nl) | 1985-12-27 | 1986-12-23 | Kleefvel voor halfgeleiders. |
| GB8630956A GB2184741B (en) | 1985-12-27 | 1986-12-29 | Adhesive sheet suitable for use in the preparation of semiconductor chips |
| US07/111,849 US4965127A (en) | 1985-12-27 | 1987-10-22 | Adhesive sheets |
| MYPI89000327A MY104709A (en) | 1985-12-27 | 1989-05-15 | Adhesive sheet. |
| GB8916855A GB2221468B (en) | 1985-12-27 | 1989-07-24 | Adhesive sheet suitable for use in dicing semiconductor wafers into chips |
| GB8916856A GB2221469B (en) | 1985-12-27 | 1989-07-24 | Adhesive sheet suitable for use in dicing semiconductor wafers into chips |
| GB8916857A GB2221470B (en) | 1985-12-27 | 1989-07-24 | Adhesive sheet suitable for semiconductor wafer processing |
| US07/549,496 US5187007A (en) | 1985-12-27 | 1990-06-29 | Adhesive sheets |
| SG1143/92A SG114392G (en) | 1985-12-27 | 1992-11-02 | Adhesive sheet suitable for use in dicing semiconductor wafers into chips |
| SG1144/92A SG114492G (en) | 1985-12-27 | 1992-11-02 | Adhesive sheet suitable for use in the preparation of semiconductor chips |
| SG1145/92A SG114592G (en) | 1985-12-27 | 1992-11-02 | Adhesive sheet suitable for semiconductor wafer processing |
| SG1146/92A SG114692G (en) | 1985-12-27 | 1992-11-02 | Adhesive sheet suitable for use in dicing semiconductor wafers into chips |
| HK1055/92A HK105592A (en) | 1985-12-27 | 1992-12-31 | Adhesive sheet suitable for use in dicing semiconductor wafers into chips |
| HK1057/92A HK105792A (en) | 1985-12-27 | 1992-12-31 | Adhesive sheet suitable for use in the preparation of semiconductor chips |
| HK1056/92A HK105692A (en) | 1985-12-27 | 1992-12-31 | Adhesive sheet suitable for use in dicing semiconductor wafers into chips |
| HK1054/92A HK105492A (en) | 1985-12-27 | 1992-12-31 | Adhesive sheet suitable for semiconductor wafer processing |
| NL9302147A NL9302147A (nl) | 1985-12-27 | 1993-12-09 | Kleefvel voor halfgeleiders. |
| NL9302148A NL9302148A (nl) | 1985-12-27 | 1993-12-09 | Kleefvel voor halfgeleiders. |
| NL9302149A NL9302149A (nl) | 1985-12-27 | 1993-12-09 | Kleefvel voor halfgeleiders. |
| NL9302150A NL193617C (nl) | 1985-12-27 | 1993-12-09 | Kleefvel voor halfgeleiders. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60295188A JPS62153375A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | ウエハダイシング用粘着シート |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62153375A JPS62153375A (ja) | 1987-07-08 |
| JPH0215594B2 true JPH0215594B2 (ja) | 1990-04-12 |
Family
ID=17817342
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60295188A Granted JPS62153375A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | ウエハダイシング用粘着シート |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62153375A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6461208A (en) * | 1987-09-01 | 1989-03-08 | Fsk Kk | Cutting method of wafer |
| JP4796273B2 (ja) * | 2003-12-25 | 2011-10-19 | 三菱樹脂株式会社 | 粘着フィルム・シートの製造方法 |
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| JP2013231159A (ja) * | 2012-04-06 | 2013-11-14 | Sekisui Chem Co Ltd | 粘着剤組成物、粘着テープ、及び、ウエハの処理方法 |
Citations (5)
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|---|---|---|---|---|
| JPS5630410A (en) * | 1979-08-20 | 1981-03-27 | Minnesota Mining & Mfg | Photopolymerizable mixture |
| JPS6049598A (ja) * | 1983-08-27 | 1985-03-18 | Toshiba Corp | Ｘ線撮影装置 |
| JPS60173076A (ja) * | 1983-12-27 | 1985-09-06 | チパ−ガイギ− アクチエンゲゼルシヤフト | 熱硬化性接着フイルムの製造方法 |
| JPS60196956A (ja) * | 1984-03-12 | 1985-10-05 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 半導体ウエハ固定用接着薄板 |
| JPS60223129A (ja) * | 1984-04-19 | 1985-11-07 | Nec Corp | ３／５族化合物半導体の選択エツチング方法 |
-
1985
- 1985-12-27 JP JP60295188A patent/JPS62153375A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5630410A (en) * | 1979-08-20 | 1981-03-27 | Minnesota Mining & Mfg | Photopolymerizable mixture |
| JPS6049598A (ja) * | 1983-08-27 | 1985-03-18 | Toshiba Corp | Ｘ線撮影装置 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62153375A (ja) | 1987-07-08 |
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