JPS60223129A - ３／５族化合物半導体の選択エツチング方法 - Google Patents
３／５族化合物半導体の選択エツチング方法Info
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- JPS60223129A JPS60223129A JP7894884A JP7894884A JPS60223129A JP S60223129 A JPS60223129 A JP S60223129A JP 7894884 A JP7894884 A JP 7894884A JP 7894884 A JP7894884 A JP 7894884A JP S60223129 A JPS60223129 A JP S60223129A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、Ｉ／Ｖ族化合物半導体の選択エツチング方法
に関する。
に関する。
（従来技術とその問題点）
１／Ｖ族化合物半導体、たとえばＩｎＰ、ＧａＡｓ進み
、その集積化へと応用が開始されている。光デバイス、
電子デバイスの形成、さらにはデバイス集積化するのに
必要不可欠な技術として選択エツチング技術がある。
、その集積化へと応用が開始されている。光デバイス、
電子デバイスの形成、さらにはデバイス集積化するのに
必要不可欠な技術として選択エツチング技術がある。
従来性なわれた選択エツチング方法はエツチング液を用
いる化学エツチング法や反応性ガス例えばＨＣＩ、Ｃ／
、 、ＣＦ、等の化合物半導体に対し反応性の高いガス
を用いるガスエツチング法がある。
いる化学エツチング法や反応性ガス例えばＨＣＩ、Ｃ／
、 、ＣＦ、等の化合物半導体に対し反応性の高いガス
を用いるガスエツチング法がある。
第１図は従来の選択エツチング法を説明するための断面
模式図であす１．保護膜１２を施した化合物半導体結晶
１１をエツチング液に浸すか或込は反応性ガス又はその
ラジカル分子（原子）やイオン分子（原子）Ｋさらすこ
とにより、エツチングされ選択エツチング部１３が得ら
れる、従来の選択エツチング方法でけ、基板１１の表面
に対して垂直方向にエツチングすることが極めて困難で
あり、又エツチングが進むにつれ保護膜下部も侵食され
てしまい深いエツチングを得るのが困難であった。さら
罠エツチング面は鏡面が得られにくいという欠点があっ
た。これは、化合物半導体の結晶構造の結晶面方位によ
り原子間の結合力が弱い面方位があり、弱い結合面方位
が強い結合面方位に対して先にエツチングされるため、
垂直方向にエツチングされないと考えられる。又錆面が
得られにくいのは、エツチング反応の不均一性によるも
のと考えられる。
模式図であす１．保護膜１２を施した化合物半導体結晶
１１をエツチング液に浸すか或込は反応性ガス又はその
ラジカル分子（原子）やイオン分子（原子）Ｋさらすこ
とにより、エツチングされ選択エツチング部１３が得ら
れる、従来の選択エツチング方法でけ、基板１１の表面
に対して垂直方向にエツチングすることが極めて困難で
あり、又エツチングが進むにつれ保護膜下部も侵食され
てしまい深いエツチングを得るのが困難であった。さら
罠エツチング面は鏡面が得られにくいという欠点があっ
た。これは、化合物半導体の結晶構造の結晶面方位によ
り原子間の結合力が弱い面方位があり、弱い結合面方位
が強い結合面方位に対して先にエツチングされるため、
垂直方向にエツチングされないと考えられる。又錆面が
得られにくいのは、エツチング反応の不均一性によるも
のと考えられる。
（発明の目的）
本発明の目的は、保設膜下の結晶を侵食することなく、
結晶基板表面に垂直方向に深くエツチングでき、得られ
たエツチング面が鏡面である胃、／Ｖ族化合物半導体の
選択エツチング方法を提供することにある。
結晶基板表面に垂直方向に深くエツチングでき、得られ
たエツチング面が鏡面である胃、／Ｖ族化合物半導体の
選択エツチング方法を提供することにある。
（発明の構成）
本発明によればＩ ／ Ｖ族化合物半導体の表面のエツ
チング部以外に保詐膜（マスク）を施した結晶の選択エ
ツチング方法において、前記結晶を気相反応管内に設置
し昇温した後、ＨＣ／ガスおよび前記結晶のｌ族元素か
らなる塩化ｌ族分子ガスと■族元素からなる水素化Ｖ族
分子ガスを用いることを特徴とするＩｆ／Ｖ族化合物半
導体の選択エツチング方法が得られる。
チング部以外に保詐膜（マスク）を施した結晶の選択エ
ツチング方法において、前記結晶を気相反応管内に設置
し昇温した後、ＨＣ／ガスおよび前記結晶のｌ族元素か
らなる塩化ｌ族分子ガスと■族元素からなる水素化Ｖ族
分子ガスを用いることを特徴とするＩｆ／Ｖ族化合物半
導体の選択エツチング方法が得られる。
（実施例）
次に本発明を一実施例により詳細に説明する。
第２図は、本発明の一実施例を説明するための半導体結
晶の断面模式図である。本実施例において試みられた条
件は半導体結晶１１にＩｎＰ、選択エツチング表面を（
１００）面とし保護膜１２にｓｉｏ。
晶の断面模式図である。本実施例において試みられた条
件は半導体結晶１１にＩｎＰ、選択エツチング表面を（
１００）面とし保護膜１２にｓｉｏ。
＼
を用い被覆した。結晶１１を気相反応室に設置し、結晶
１１を約５００℃に昇温した。 気相反応室中へＩｎと
ＨＣ７ガスを反応させたＩｎ（ＪガスとＰＨ。
１１を約５００℃に昇温した。 気相反応室中へＩｎと
ＨＣ７ガスを反応させたＩｎ（ＪガスとＰＨ。
ｉスｆ−’ｃれぞれ５ｒｒｔｌｌ／ｒｎｉｎ、ＨＣｌガ
ス０１ｍ、ｌＪ／ｍｉｎ、キャリアガスとしてＨ，ガス
２ ｌ／ｍｍ 流した。
ス０１ｍ、ｌＪ／ｍｉｎ、キャリアガスとしてＨ，ガス
２ ｌ／ｍｍ 流した。
この条件のもとて１０分間エッヂングしたところ、深さ
約２０μｍの選択エツチング部１３が得られた。
約２０μｍの選択エツチング部１３が得られた。
との試料での選択エツチング部を走査型電子顕微鏡で観
察したところ、エツチング面は結晶表面に垂直である（
１１０）面が得られ鏡面であることが確認され、本発明
の効果が充分に確認された。
察したところ、エツチング面は結晶表面に垂直である（
１１０）面が得られ鏡面であることが確認され、本発明
の効果が充分に確認された。
結晶表面に垂直で鏡面が得られる理由としては、塩化１
族分子ガスと水素化■族分子ガスが弱い結合面方位のエ
ツチングを防げ結晶表面に垂直方向へのみエツチングが
進行するためと考えられる。
族分子ガスと水素化■族分子ガスが弱い結合面方位のエ
ツチングを防げ結晶表面に垂直方向へのみエツチングが
進行するためと考えられる。
（発明の効果）
従来半導体レーザーの共振器面を選択エツチングで作る
のが困難であったのに対し本方法を用いると、選択エツ
チング面が鏡面であることから、半導体レーザの共振器
面の作成や光−電子デバイス集積化が可能となる。
のが困難であったのに対し本方法を用いると、選択エツ
チング面が鏡面であることから、半導体レーザの共振器
面の作成や光−電子デバイス集積化が可能となる。
前記実施例においては、半導体結晶をＩｎＰ としたが
、前期結晶に限定されず、ＧａＡｓ等Ｃの場合において
は、塩化ｌ族分子ガスとしてＧａＣＡ！、水素化Ｖ族水
素ガスとしてＡｓＨ−等を用いる）さらには多層にエピ
タキシャル成長された半導体結晶でも良い。
、前期結晶に限定されず、ＧａＡｓ等Ｃの場合において
は、塩化ｌ族分子ガスとしてＧａＣＡ！、水素化Ｖ族水
素ガスとしてＡｓＨ−等を用いる）さらには多層にエピ
タキシャル成長された半導体結晶でも良い。
前記実施例においては選択エツチング表面を（１００）
面としたがこの面に限定されず（１１１，）面、（１１
５）面等でも良い。
面としたがこの面に限定されず（１１１，）面、（１１
５）面等でも良い。
第１図は従来の選択エツチングを説明するための断面模
式図、第２図は本発明の一実施例を説明するための断面
模式図である。 １１・・・・・半導体結晶、 １２・・・・・・保護膜
、 １３・・・・選択エツチング部。
式図、第２図は本発明の一実施例を説明するための断面
模式図である。 １１・・・・・半導体結晶、 １２・・・・・・保護膜
、 １３・・・・選択エツチング部。
Claims (1)
- １／Ｖ族化合物半導体の表面のエツチング部以外に保護
膜（マスク）を施した結晶の選択エツチング方法におい
て、前記結晶を気相反応管内に設置し昇温した後、ＨＣ
Ｉガスおよび前記結晶の１族元素からなる塩化■族分子
ガスとＶ族元素からなる水素化Ｖ族分子ガスを用いるこ
とを特徴とするｌ／Ｖ族化合物半導体の選択エツチング
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7894884A JPS60223129A (ja) | 1984-04-19 | 1984-04-19 | ３／５族化合物半導体の選択エツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7894884A JPS60223129A (ja) | 1984-04-19 | 1984-04-19 | ３／５族化合物半導体の選択エツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60223129A true JPS60223129A (ja) | 1985-11-07 |
Family
ID=13676108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7894884A Pending JPS60223129A (ja) | 1984-04-19 | 1984-04-19 | ３／５族化合物半導体の選択エツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60223129A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62153375A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-08 | F S K Kk | ウエハダイシング用粘着シート |
-
1984
- 1984-04-19 JP JP7894884A patent/JPS60223129A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62153375A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-08 | F S K Kk | ウエハダイシング用粘着シート |
| JPH0215594B2 (ja) * | 1985-12-27 | 1990-04-12 | Fsk Kk |
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