JPS61288429A - ガリウムヒ素結晶の気相エツチング方法 - Google Patents
ガリウムヒ素結晶の気相エツチング方法Info
- Publication number
- JPS61288429A JPS61288429A JP13031085A JP13031085A JPS61288429A JP S61288429 A JPS61288429 A JP S61288429A JP 13031085 A JP13031085 A JP 13031085A JP 13031085 A JP13031085 A JP 13031085A JP S61288429 A JPS61288429 A JP S61288429A
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- Japan
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- etching
- gallium arsenide
- pattern
- arsenide crystal
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体デバイスを作製する上で重要な技術で
あるガリウムヒ素結晶の気相エツチング方法に関する。
あるガリウムヒ素結晶の気相エツチング方法に関する。
（従来技術とその問題点）
エツチング技術を用いてガリウムヒ素結晶の光導波路を
有する光半導体素子を作製する際、そのエツチングされ
た面の滑らかさは光の散乱損失の点から重要な問題であ
る。従来は主に化学エツチングが用いられてきた。化学
エツチングでは第３図に模式的な斜視図で示すようにガ
リウムヒ素結晶１０のエツチング面、特にエツチング側
面２０にエツチングマスクの縁の形状を反映した微細な
凹凸が形成される。このような凹凸が光導波路にあると
、その凹凸面が光に損失を与える。従来のエツチング方
法によりこの微細な凹凸をなくするには非常に峻しいエ
ツチングパターンの形成技術を必要とする。そこで、従
来のエツチング方法では、良好な側面を得る歩留りは非
常に悪い。
有する光半導体素子を作製する際、そのエツチングされ
た面の滑らかさは光の散乱損失の点から重要な問題であ
る。従来は主に化学エツチングが用いられてきた。化学
エツチングでは第３図に模式的な斜視図で示すようにガ
リウムヒ素結晶１０のエツチング面、特にエツチング側
面２０にエツチングマスクの縁の形状を反映した微細な
凹凸が形成される。このような凹凸が光導波路にあると
、その凹凸面が光に損失を与える。従来のエツチング方
法によりこの微細な凹凸をなくするには非常に峻しいエ
ツチングパターンの形成技術を必要とする。そこで、従
来のエツチング方法では、良好な側面を得る歩留りは非
常に悪い。
そこで、本発明の目的は、上記の問題点を除き、滑らか
なエツチング側面が容易に得られるガリウムヒ素結晶の
エツチング方法を提供することＶＣある。
なエツチング側面が容易に得られるガリウムヒ素結晶の
エツチング方法を提供することＶＣある。
（問題点を解決するための手段）
前述の問題点を解決するために本発明が提供するガリウ
ムヒ素結晶のエツチング方法は、ガリウムヒ素結晶上に
耐エツチングガス被膜でなるエツチングパターンを形成
し、前記ガリウムヒ素結晶をヒ素蒸気圧を与えながら７
５０℃以上の温度で塩化水素ガスに曝し、前記エツチン
グパターンが形成されていない部分の前記ガリウムヒ素
結晶をエツチングすることを特徴とする。
ムヒ素結晶のエツチング方法は、ガリウムヒ素結晶上に
耐エツチングガス被膜でなるエツチングパターンを形成
し、前記ガリウムヒ素結晶をヒ素蒸気圧を与えながら７
５０℃以上の温度で塩化水素ガスに曝し、前記エツチン
グパターンが形成されていない部分の前記ガリウムヒ素
結晶をエツチングすることを特徴とする。
（発明の効果）
第２図（ａ）、（ｂ）に気相エツチングされたガリウム
ヒ素結晶のエツチング側面の形状を示す。
ヒ素結晶のエツチング側面の形状を示す。
第２図（ａ）は７５０℃以下の温度におけるエツチング
によるものであり、エツチング側面２０には凹凸が存在
する。他方、第２図（ｂ）は７５０℃以上の温度におけ
るエツチングによるものであり、エツチング側面２０は
非常に滑らかである。
によるものであり、エツチング側面２０には凹凸が存在
する。他方、第２図（ｂ）は７５０℃以上の温度におけ
るエツチングによるものであり、エツチング側面２０は
非常に滑らかである。
この際エツチングマスクの形成において特に縁の切り方
に留意してはいない。さらに温度を低くし６５０℃程度
にすると、第３図に示すようにエツチングパターンの縁
の形状を反映した微細な凹凸パターンが形成される。７
５０℃より十分高い温度では、第２図（ｂ）に示すよう
な良好なエツチング面が歩留り９５−以上で得られる。
に留意してはいない。さらに温度を低くし６５０℃程度
にすると、第３図に示すようにエツチングパターンの縁
の形状を反映した微細な凹凸パターンが形成される。７
５０℃より十分高い温度では、第２図（ｂ）に示すよう
な良好なエツチング面が歩留り９５−以上で得られる。
（実施例）
以下に実施例を挙げて本発明を一層詳しく説明する。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の一実施例の工程を示す
図である。７本実施例は、本図の（５Ｌ）〜（Ｃ）に示
す工程の順に行われる。第１図（ａ）に示すようにガリ
ウムヒ素結晶１０上に耐エツチング被膜５０として３０
００人の厚さをもつ８ｉ０ｔを熱分解ＣＶＤにより形成
し、通常のホトリソグラフィによ）ストライプパターン
を形成した。次に第２図に図すように反応管３０内のサ
セプタ４０上に −前記エツチングパターンを
有するガリウムヒ素結晶１０を載せ、ＲＦコイル６０に
より誘導加熱し８００℃に保ち、塩化水素ガス（ＨＣ７
３）、５ ｓｃｃｍとア、ＩＩ／シン（ＡｓＨ３） １
００ ｓｃｃｍを水素７８５０ｓｃｃｍと共に流し５分
間エツチングした。エツチング雰囲気は７０ Ｔｏｒｒ
とした。エツチング速度は１．２μｍ ／ ｍｉｎ で
ちゃ、第１図（ｃ）に示す形状を得た。得られたエツチ
ング側面は第２図（ｂ）に示すように非常に滑らかな面
であり、本発明のエツチング方法はガリウムヒ素結晶を
エツチングする方法として非常に優れるものである。
図である。７本実施例は、本図の（５Ｌ）〜（Ｃ）に示
す工程の順に行われる。第１図（ａ）に示すようにガリ
ウムヒ素結晶１０上に耐エツチング被膜５０として３０
００人の厚さをもつ８ｉ０ｔを熱分解ＣＶＤにより形成
し、通常のホトリソグラフィによ）ストライプパターン
を形成した。次に第２図に図すように反応管３０内のサ
セプタ４０上に −前記エツチングパターンを
有するガリウムヒ素結晶１０を載せ、ＲＦコイル６０に
より誘導加熱し８００℃に保ち、塩化水素ガス（ＨＣ７
３）、５ ｓｃｃｍとア、ＩＩ／シン（ＡｓＨ３） １
００ ｓｃｃｍを水素７８５０ｓｃｃｍと共に流し５分
間エツチングした。エツチング雰囲気は７０ Ｔｏｒｒ
とした。エツチング速度は１．２μｍ ／ ｍｉｎ で
ちゃ、第１図（ｃ）に示す形状を得た。得られたエツチ
ング側面は第２図（ｂ）に示すように非常に滑らかな面
であり、本発明のエツチング方法はガリウムヒ素結晶を
エツチングする方法として非常に優れるものである。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例の工程を示す
図、第２図（ａ）は７５０℃以下の温度でエツチングし
たガリウムヒ素結晶を示す模式的な斜視図、同図（ｂ）
は本発明の方法によりエツチングしたガリウムヒ素結晶
を示す模式的な斜視図、第３図は従来の方法によりエツ
チングしたガリウムヒ素結晶を示す模式的な斜視図であ
る。 １０・・・ガリウムヒ素結晶、２０・・・エツチング側
面、３０・・・反応管、４０・・・サセプタ、５０・・
・耐エツチング被膜、６０・・・ＲＦコイル。 代理人 弁理士 本 庄 伸 介 第１図 （ｂ） （ｃ ）
図、第２図（ａ）は７５０℃以下の温度でエツチングし
たガリウムヒ素結晶を示す模式的な斜視図、同図（ｂ）
は本発明の方法によりエツチングしたガリウムヒ素結晶
を示す模式的な斜視図、第３図は従来の方法によりエツ
チングしたガリウムヒ素結晶を示す模式的な斜視図であ
る。 １０・・・ガリウムヒ素結晶、２０・・・エツチング側
面、３０・・・反応管、４０・・・サセプタ、５０・・
・耐エツチング被膜、６０・・・ＲＦコイル。 代理人 弁理士 本 庄 伸 介 第１図 （ｂ） （ｃ ）
Claims (1)
- ガリウムヒ素結晶上に耐エッチングガス被膜でなるエッ
チングパターンを形成し、前記ガリウムヒ素結晶をヒ素
蒸気圧を与えながら、７５０℃以上の温度で塩化水素ガ
スに曝し、前記エッチングパターンが形成されていない
部分の前記ガリウムヒ素結晶をエッチングすることを特
徴とするガリウムヒ素結晶の気相エッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60130310A JPH0658907B2 (ja) | 1985-06-16 | 1985-06-16 | ガリウムヒ素結晶の気相エツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60130310A JPH0658907B2 (ja) | 1985-06-16 | 1985-06-16 | ガリウムヒ素結晶の気相エツチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61288429A true JPS61288429A (ja) | 1986-12-18 |
| JPH0658907B2 JPH0658907B2 (ja) | 1994-08-03 |
Family
ID=15031261
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60130310A Expired - Lifetime JPH0658907B2 (ja) | 1985-06-16 | 1985-06-16 | ガリウムヒ素結晶の気相エツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0658907B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63202916A (ja) * | 1987-02-09 | 1988-08-22 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 化合物半導体の形成方法 |
| JPH0323634A (ja) * | 1989-06-06 | 1991-01-31 | American Teleph & Telegr Co <Att> | デバイスの製造方法 |
| WO2002044763A3 (en) * | 2000-11-28 | 2003-04-17 | Lightcross Inc | Formation of a smooth surface on an optical component |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58101429A (ja) * | 1981-12-12 | 1983-06-16 | Semiconductor Res Found | ドライエツチング方法 |
-
1985
- 1985-06-16 JP JP60130310A patent/JPH0658907B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58101429A (ja) * | 1981-12-12 | 1983-06-16 | Semiconductor Res Found | ドライエツチング方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63202916A (ja) * | 1987-02-09 | 1988-08-22 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 化合物半導体の形成方法 |
| JPH0323634A (ja) * | 1989-06-06 | 1991-01-31 | American Teleph & Telegr Co <Att> | デバイスの製造方法 |
| WO2002044763A3 (en) * | 2000-11-28 | 2003-04-17 | Lightcross Inc | Formation of a smooth surface on an optical component |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0658907B2 (ja) | 1994-08-03 |
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