JPH0658907B2 - ガリウムヒ素結晶の気相エツチング方法 - Google Patents

ガリウムヒ素結晶の気相エツチング方法

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JPH0658907B2
JPH0658907B2 JP60130310A JP13031085A JPH0658907B2 JP H0658907 B2 JPH0658907 B2 JP H0658907B2 JP 60130310 A JP60130310 A JP 60130310A JP 13031085 A JP13031085 A JP 13031085A JP H0658907 B2 JPH0658907 B2 JP H0658907B2
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etching
gallium arsenide
arsenide crystal
etching method
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健一 小林
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Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、半導体デバイスを作製する上で重要な技術で
あるガリウムヒ素結晶の気相エツチング方法に関する。
（従来技術とその問題点） エツチング技術を用いてガリウムヒ素結晶の光導波路を
有する光半導体素子を作製する際、そのエツチングされ
た面の滑らかさは光の散乱損失の点から重要な問題であ
る。従来は主に化学エツチングが用いられてきた。化学
エツチングでは第３図に模式的な斜視図で示すようにガ
リウムヒ素結晶１０のエツチング面、特にエツチング側
面２０にエツチングマスクの縁の形状を反映した微細な
凹凸が形成される。このような凹凸が光導波路にある
と、その凹凸面が光に損失を与える。従来のエツチング
方法によりこの微細な凹凸をなくするには非常に難しい
エツチングパターンの形成技術を必要とする。そこで、
従来のエツチング方法では、良好な側面を得る歩留りは
非常に悪い。
そこで、本発明の目的は、上記の問題点を除き、滑らか
なエツチング側面が容易に得られるガリウムヒ素結晶の
エツチング方法を提供することにある。
（問題点を解決するための手段） 前述の問題点を解決するために本発明が提供するガリウ
ムヒ素結晶のエツチング方法は、ガリウムヒ素結晶上に
耐エツチングガス被膜でなるエツチングパターンを形成
し、前記ガリウムヒ素結晶をヒ素蒸気圧を与えながら７
５０℃以上の温度で塩化水素ガスに曝し、前記エツチン
グパターンが形成されていない部分の前記ガリウムヒ素
結晶をエツチングすることを特徴とする。
（発明の効果） 第２図(ａ)，(ｂ)に気相エツチングされたガリウムヒ素
結晶のエツチング側面の形状を示す。第２図(ａ)は７５
０℃以下の温度におけるエツチングによるものであり、
エツチング側面２０には凹凸が存在する。他方、第２図
(ｂ)は７５０℃以上の温度におけるエツチングによるも
のであり、エツチング側面２０は非常に滑らかである。
この際エツチングマスクの形成において特に縁の切り方
に留意してはいない。さらに温度を低くし６５０℃程度
にすると、第３図に示すようにエツチングパターンの縁
の形状を反映した微細な凹凸パターンが形成される。７
５０℃より十分高い温度にエッチング温度を設定するこ
とにより、マスクパターンの縁の形状の影響がない、結
晶面でほぼ制御された非常に滑らかなエッチング側面が
得られる。
（実施例） 以下に実施例を挙げて本発明を一層詳しく説明する。
第１図(ａ)〜(ｃ)は本発明の一実施例の工程を示す図で
ある。本実施例は、本図の(ａ)〜(ｃ)に示す工程の順に
行われる。第１図(ａ)に示すようにガリウムヒ素結晶１
０上に耐エツチング被膜５０として３０００Åの厚さを
もつSiO2を熱分解ＣＶＤにより形成し、通常のホトリソ
グラフイによりストライプパターンを形成した。次に第
２図に図すように反応管３０内のサセプタ４０上に前記
エツチングパターンを有するガリウムヒ素結晶１０を載
せ、ＲＦコイル６０により誘導加熱し８００℃に保ち、
塩化水素ガス（ＨＣｌ）、５sccmとアルシン（AsH3）１
００sccmを水素7850sccmと共に流し５分間エツチングし
た。エツチング雰囲気は７０Torrとした。エツチング速
度は１．２μｍ／min であり、第１図(ｃ)に示す形状を
得た。得られたエツチング側面は第２図(ｂ)に示すよう
に非常に滑らかな面であり、本発明のエツチング方法は
ガリウムヒ素結晶をエツチングする方法として非常に優
れるものである。
【図面の簡単な説明】
第１図(ａ)〜(ｃ)は本発明の一実施例の工程を示す図、
第２図(ａ)は７５０℃以下の温度でエツチングしたガリ
ウムヒ素結晶を示す模式的な斜視図、同図(ｂ)は本発明
の方法によりエツチングしたガリウムヒ素結晶を示す模
式的な斜視図、第３図は従来の方法によりエツチングし
たガリウムヒ素結晶を示す模式的な斜視図である。 １０……ガリウムヒ素結晶、２０……エツチング側面、
３０……反応管、４０……サセプタ、５０……耐エツチ
ング被膜、６０……ＲＦコイル。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】ガリウムヒ素結晶上に耐エツチングガス被
    膜でなるエツチングパターンを形成し、前記ガリウムヒ
    素結晶をヒ素蒸気圧を与えながら、７５０℃以上の温度
    で塩化水素ガスに曝し、前記エツチングパターンが形成
    されていない部分の前記ガリウムヒ素結晶をエツチング
    することを特徴とするガリウムヒ素結晶の気相エツチン
    グ方法。
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