JPH076959A - ウェーハ支持具 - Google Patents
ウェーハ支持具Info
- Publication number
- JPH076959A JPH076959A JP14247193A JP14247193A JPH076959A JP H076959 A JPH076959 A JP H076959A JP 14247193 A JP14247193 A JP 14247193A JP 14247193 A JP14247193 A JP 14247193A JP H076959 A JPH076959 A JP H076959A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- quartz glass
- wafer support
- thin film
- film
- wafer
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- Packaging For Recording Disks (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ウェーハ支持具の表面に推積した薄膜をエッチ
ングする場合、材質である石英が同時にエッチングされ
るのを防ぐ。 【構成】ウェーハ支持具の材質である石英ガラス表面
に、弗化水素酸におけるエッチレートが、石英ガラスよ
りも低い膜を被覆する。これにより、ウェーハ支持具の
表面に推積した薄膜のみがエッチングされ、材質である
石英ガラスはエッチングされにくい。従ってウェーハ支
持具の消耗を防ぐことができ、かつ寿命が延びる。
ングする場合、材質である石英が同時にエッチングされ
るのを防ぐ。 【構成】ウェーハ支持具の材質である石英ガラス表面
に、弗化水素酸におけるエッチレートが、石英ガラスよ
りも低い膜を被覆する。これにより、ウェーハ支持具の
表面に推積した薄膜のみがエッチングされ、材質である
石英ガラスはエッチングされにくい。従ってウェーハ支
持具の消耗を防ぐことができ、かつ寿命が延びる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はウェーハ支持具に関し、
特にＬＳＩの製造工程において、減圧ＣＶＤ装置に用い
られる石英ガラス製ウェーハ支持具の改善と製造技術に
関するものである。
特にＬＳＩの製造工程において、減圧ＣＶＤ装置に用い
られる石英ガラス製ウェーハ支持具の改善と製造技術に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来この種のウェーハ支持具は、図４
（ａ）に示すようにほぼ平行に設置した石英ガラス板１
ａ，１ｂの間に、ほぼ同じ長さである２本以上の棒状石
英ガラス２を前記石英ガラス板１ａ，１ｂにほぼ直角に
溶接する。そして部分拡大図図４（ｂ）に示すように、
前記棒状石英ガラス２に１枚以上のウェーハ３を石英ガ
ラス板１ａ，１ｂにほぼ平行に積載するための溝４を１
ヶ以上刻み、ウェーハ支持具を構成している。例えば、
前記ウェーハ支持具を用いてウェーハ３上に、シリコン
酸化膜による薄膜成長を行うとする。ウェーハ３上に成
長されなかった膜は、ウェーハ支持具及び石英ガラス菅
（図示略）の表面へ推積する。前記ウェーハ支持具の表
面に推積された膜は、薄膜成長のたびに厚くなる。また
ウェーハ３の移載は常温部、ウェーハ３への薄膜成長は
高温部で行われる為、ウェーハ支持具は、常温と高温に
繰り返しさらされ、表面に推積した膜は剥がれてしま
う。この剥がれた膜は、パーティクルの原因になるの
で、定期的にウェーハ支持具を取り外し、弗化水素酸に
てウェットエッチングを行っているのが一般的である。
（ａ）に示すようにほぼ平行に設置した石英ガラス板１
ａ，１ｂの間に、ほぼ同じ長さである２本以上の棒状石
英ガラス２を前記石英ガラス板１ａ，１ｂにほぼ直角に
溶接する。そして部分拡大図図４（ｂ）に示すように、
前記棒状石英ガラス２に１枚以上のウェーハ３を石英ガ
ラス板１ａ，１ｂにほぼ平行に積載するための溝４を１
ヶ以上刻み、ウェーハ支持具を構成している。例えば、
前記ウェーハ支持具を用いてウェーハ３上に、シリコン
酸化膜による薄膜成長を行うとする。ウェーハ３上に成
長されなかった膜は、ウェーハ支持具及び石英ガラス菅
（図示略）の表面へ推積する。前記ウェーハ支持具の表
面に推積された膜は、薄膜成長のたびに厚くなる。また
ウェーハ３の移載は常温部、ウェーハ３への薄膜成長は
高温部で行われる為、ウェーハ支持具は、常温と高温に
繰り返しさらされ、表面に推積した膜は剥がれてしま
う。この剥がれた膜は、パーティクルの原因になるの
で、定期的にウェーハ支持具を取り外し、弗化水素酸に
てウェットエッチングを行っているのが一般的である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ウェーハ支持具の表面
に推積した薄膜成長による膜のみをエッチングするよう
工夫しても、膜の推積分布が一様でないため、膜を完全
に剥離できない。従ってエッチング不足で膜が残ってし
まうか、ウェーハ支持具の材質である石英ガラスをエッ
チングしてしまうのかのいずれかとなる。そこで一般的
には、石英ガラス部分もエッチングされるような時間設
定で、推積した膜を剥離させている。その結果、ウェー
ハ支持具の材質である石英ガラスを消耗させ、棒状石英
ガラス上に刻まれた溝も寸法精度を維持出来なくなる。
これはウェーハの移載ミス等のトラブルを招くことにな
り、ウェーハ支持具としての寿命を短期化させている。
また消耗する度に新品のウェーハ支持具に交換せねばな
らず、購入費が膨大になるといった問題点があった。
に推積した薄膜成長による膜のみをエッチングするよう
工夫しても、膜の推積分布が一様でないため、膜を完全
に剥離できない。従ってエッチング不足で膜が残ってし
まうか、ウェーハ支持具の材質である石英ガラスをエッ
チングしてしまうのかのいずれかとなる。そこで一般的
には、石英ガラス部分もエッチングされるような時間設
定で、推積した膜を剥離させている。その結果、ウェー
ハ支持具の材質である石英ガラスを消耗させ、棒状石英
ガラス上に刻まれた溝も寸法精度を維持出来なくなる。
これはウェーハの移載ミス等のトラブルを招くことにな
り、ウェーハ支持具としての寿命を短期化させている。
また消耗する度に新品のウェーハ支持具に交換せねばな
らず、購入費が膨大になるといった問題点があった。
【０００４】本発明の目的は、ウェーハ支持具の表面に
推積した薄膜をエッチングする場合材質である石英が同
時にエッチングされるのを防ぎ、寸法精度を維持し、長
寿命化させたウェーハ支持具を提供することにある。
推積した薄膜をエッチングする場合材質である石英が同
時にエッチングされるのを防ぎ、寸法精度を維持し、長
寿命化させたウェーハ支持具を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のウェーハ支持具
は、ほぼ平行に設置した石英ガラス板２枚の間に、ほぼ
同じ長さである２本以上の棒状石英ガラスを前記石英ガ
ラス板にほぼ直角に溶接する。そして前記棒状石英ガラ
スに１枚以上のウェーハを前記石英ガラス板に、ほぼ平
行に積載するための溝を１ヶ以上刻み、ウェーハ支持具
を構成する。そして前記石英ガラス板および前記棒状石
英ガラス表面に弗化水素酸におけるエッチレートが、前
記石英ガラス板および前記棒状石英ガラスよりも低い膜
を被覆するといった手段を有している。
は、ほぼ平行に設置した石英ガラス板２枚の間に、ほぼ
同じ長さである２本以上の棒状石英ガラスを前記石英ガ
ラス板にほぼ直角に溶接する。そして前記棒状石英ガラ
スに１枚以上のウェーハを前記石英ガラス板に、ほぼ平
行に積載するための溝を１ヶ以上刻み、ウェーハ支持具
を構成する。そして前記石英ガラス板および前記棒状石
英ガラス表面に弗化水素酸におけるエッチレートが、前
記石英ガラス板および前記棒状石英ガラスよりも低い膜
を被覆するといった手段を有している。
【０００６】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例の正面図、及びその一部を
拡大した断面図である。
る。図１は本発明の一実施例の正面図、及びその一部を
拡大した断面図である。
【０００７】まず図１（ａ）に示すように、ほぼ平行に
設置した石英ガラス板１ａ，１ｂの間に、ほぼ同じ長さ
である２本以上の棒状石英ガラス板１ａ，１ｂにほぼ直
角に溶接する。そして棒状石英ガラス２に１枚以上のウ
ェーハ３を石英ガラス板１ａ，１ｂに、ほぼ平行に積載
するための溝４を１ヶ以上刻み、ウェーハ支持具を構成
している。そしてウェーハ支持具の石英ガラス板１ａ，
１ｂおよび棒状石英ガラス２表面に弗化水素酸における
エッチレートが、石英ガラス板１ａ，１ｂおよび棒状石
英ガラス２よりも低い薄膜５を被覆する。薄膜５の例と
しては、ＬＳＩ製造工程中に一般的に使用される膜が、
汚染・安全性の面からも有望であるが、石英ガラスのＨ
Ｆに対するエッチレートに対し、小さなエッチレートを
実現させている薄膜として、多結晶シリコンを挙げるこ
とが出来る。多結晶シリコンは、シランガスの熱分解に
より、容易に石英ガラスの上に推積可能であることは周
知の事実である。石英ガラスの弗化水素酸におけるエッ
チングレートは、約１７４０ｎｍ／ｍｉｎ、多結晶シリ
コンの弗化水素酸におけるエッチングレートは０．２ｎ
ｍ／ｍｉｎである。弗化水素酸でエッチングを実施して
も、表面の多結晶シリコンがマスク材となり、石英ガラ
スのエッチングを防ぐ働きを持つ。以上の薄膜５を被覆
したウェーハ支持具を用いてウェーハ３上に薄膜成長を
行う場合、ウェーハ３上に成長されなかった膜は、ウェ
ーハ支持具及び石英ガラス菅（図示略）へ推積する。ウ
ェーハ支持具の表面に推積された膜は、薄膜成長のたび
に厚くなる。またウェーハ３の移載は常温部、ウェーハ
３への薄膜成長は高温部で行われる為、ウェーハ支持具
の表面に推積した膜は、常温と高温の繰り返しにて剥が
れてしまう。この剥がれた膜はパーティクルの原因とな
るので、定期的にウェーハ支持具を取り外し、弗化水素
酸にてウェットエッチングを行う必要があることは、従
来のウェーハ支持具と同様である。
設置した石英ガラス板１ａ，１ｂの間に、ほぼ同じ長さ
である２本以上の棒状石英ガラス板１ａ，１ｂにほぼ直
角に溶接する。そして棒状石英ガラス２に１枚以上のウ
ェーハ３を石英ガラス板１ａ，１ｂに、ほぼ平行に積載
するための溝４を１ヶ以上刻み、ウェーハ支持具を構成
している。そしてウェーハ支持具の石英ガラス板１ａ，
１ｂおよび棒状石英ガラス２表面に弗化水素酸における
エッチレートが、石英ガラス板１ａ，１ｂおよび棒状石
英ガラス２よりも低い薄膜５を被覆する。薄膜５の例と
しては、ＬＳＩ製造工程中に一般的に使用される膜が、
汚染・安全性の面からも有望であるが、石英ガラスのＨ
Ｆに対するエッチレートに対し、小さなエッチレートを
実現させている薄膜として、多結晶シリコンを挙げるこ
とが出来る。多結晶シリコンは、シランガスの熱分解に
より、容易に石英ガラスの上に推積可能であることは周
知の事実である。石英ガラスの弗化水素酸におけるエッ
チングレートは、約１７４０ｎｍ／ｍｉｎ、多結晶シリ
コンの弗化水素酸におけるエッチングレートは０．２ｎ
ｍ／ｍｉｎである。弗化水素酸でエッチングを実施して
も、表面の多結晶シリコンがマスク材となり、石英ガラ
スのエッチングを防ぐ働きを持つ。以上の薄膜５を被覆
したウェーハ支持具を用いてウェーハ３上に薄膜成長を
行う場合、ウェーハ３上に成長されなかった膜は、ウェ
ーハ支持具及び石英ガラス菅（図示略）へ推積する。ウ
ェーハ支持具の表面に推積された膜は、薄膜成長のたび
に厚くなる。またウェーハ３の移載は常温部、ウェーハ
３への薄膜成長は高温部で行われる為、ウェーハ支持具
の表面に推積した膜は、常温と高温の繰り返しにて剥が
れてしまう。この剥がれた膜はパーティクルの原因とな
るので、定期的にウェーハ支持具を取り外し、弗化水素
酸にてウェットエッチングを行う必要があることは、従
来のウェーハ支持具と同様である。
【０００８】図２は本発明の他の実施例を説明するため
のウェーハ支持具の要部断面図及びその一部拡大断面図
である。図２に示すように、石英ガラス板１ａ，１ｂお
よび棒状石英ガラス２の上に最初に酸化膜７を被覆し、
遷移領域層８を経て、最後に多結晶シリコン９を被覆す
るものである。Ｎ2 Ｏガスとシランガスの比率を徐々に
変化させ、酸化膜７から遷移領域層８を経て、徐々に単
結晶シリコン９に変化した薄膜６を生成させる時のガス
タイムチャートを図３に示す。
のウェーハ支持具の要部断面図及びその一部拡大断面図
である。図２に示すように、石英ガラス板１ａ，１ｂお
よび棒状石英ガラス２の上に最初に酸化膜７を被覆し、
遷移領域層８を経て、最後に多結晶シリコン９を被覆す
るものである。Ｎ2 Ｏガスとシランガスの比率を徐々に
変化させ、酸化膜７から遷移領域層８を経て、徐々に単
結晶シリコン９に変化した薄膜６を生成させる時のガス
タイムチャートを図３に示す。
【０００９】初めは、Ｎ2 Ｏ＋ＳｉＨ4 の熱ＣＶＤ法に
より、十分な酸化膜が生成される濃度のＮ2 Ｏを供給
し、ウェーハ支持具表面に酸化膜７を形成する。次にＮ
2 Ｏの流量を除々に減少させ、酸化膜７から遷移領域層
８を経て、多結晶シリコン９へと推移させる。Ｎ2 Ｏの
流量制御法において、一般に販売されているマスフロー
コントローラのランピング制御法にて、上述の流量制御
が可能なことは、周知の事実である。Ｎ2 Ｏの流量がゼ
ロになった後、一定時間で多結晶シリコン９を形成し、
被覆処理を終了する。以上の方法により、ウェーハ支持
具の表面に被覆された多結晶シリコン９が、より強固と
なり剥がれにくくなることを特徴としている。
より、十分な酸化膜が生成される濃度のＮ2 Ｏを供給
し、ウェーハ支持具表面に酸化膜７を形成する。次にＮ
2 Ｏの流量を除々に減少させ、酸化膜７から遷移領域層
８を経て、多結晶シリコン９へと推移させる。Ｎ2 Ｏの
流量制御法において、一般に販売されているマスフロー
コントローラのランピング制御法にて、上述の流量制御
が可能なことは、周知の事実である。Ｎ2 Ｏの流量がゼ
ロになった後、一定時間で多結晶シリコン９を形成し、
被覆処理を終了する。以上の方法により、ウェーハ支持
具の表面に被覆された多結晶シリコン９が、より強固と
なり剥がれにくくなることを特徴としている。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ウ
ェーハ支持具の石英ガラス板および棒状石英ガラス表面
に、弗化水素酸におけるエッチレートが石英ガラスより
も低い薄膜を被覆している。従ってウェーハ支持具上に
付着した薄膜成長による膜を完全に剥離するように従来
と同じウェットエッチングを行っても、ウェーハ支持具
の材質である石英ガラスはエッチングされにくい。これ
にはウェーハ支持具の材質である石英ガラスの消耗を最
小限にし、溝の寸法精度を維持出来るといった効果があ
る。そしてウェーハの移載ミス等のトラブルも発生せ
ず、かつウェーハ支持具としての寿命を従来の数倍に延
長することが可能となる。また長寿命化により、購入費
低減の効果を合わせ持ったウェーハ支持具を提供するこ
とが出来る。
ェーハ支持具の石英ガラス板および棒状石英ガラス表面
に、弗化水素酸におけるエッチレートが石英ガラスより
も低い薄膜を被覆している。従ってウェーハ支持具上に
付着した薄膜成長による膜を完全に剥離するように従来
と同じウェットエッチングを行っても、ウェーハ支持具
の材質である石英ガラスはエッチングされにくい。これ
にはウェーハ支持具の材質である石英ガラスの消耗を最
小限にし、溝の寸法精度を維持出来るといった効果があ
る。そしてウェーハの移載ミス等のトラブルも発生せ
ず、かつウェーハ支持具としての寿命を従来の数倍に延
長することが可能となる。また長寿命化により、購入費
低減の効果を合わせ持ったウェーハ支持具を提供するこ
とが出来る。
【図１】本発明の一実施例の正面図及びその一部の拡大
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明の他の実施例の要部断面図及びその一部
の拡大断面図である。
の拡大断面図である。
【図３】本発明の第２の実施例における被覆過程を示す
タイムチャートである。
タイムチャートである。
【図４】従来のウェーハ支持具の正面図及びその一部分
の拡大正面図である。
の拡大正面図である。
１ａ，１ｂ 石英ガラス板 ２ 棒状石英ガラス ３ ウェーハ ４ 溝 ５ 薄膜 ６ 酸化膜から多結晶シリコンに遷移した薄膜 ７ 酸化膜 ８ 遷移領域層 ９ 多結晶シリコン
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体処理用ウェーハ支持具において、
前記ウェーハ支持具の材質と異なる膜を表面に被覆した
ことを特徴とするウェーハ支持具。 - 【請求項２】 ウェーハ支持具の材質が石英ガラスであ
り、石英ガラスに被覆する膜が、多結晶シリコンである
ことを特徴とする請求項１記載のウェーハ支持具。 - 【請求項３】 多結晶シリコンを成長させる過程が、成
膜条件を変化させることにより、酸化膜から遷移領域層
を経て多結晶シリコンとなるもので、２層以上の被覆で
覆われたことを特長とする請求項１及び請求項２記載の
ウェーハ支持具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14247193A JPH076959A (ja) | 1993-06-15 | 1993-06-15 | ウェーハ支持具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14247193A JPH076959A (ja) | 1993-06-15 | 1993-06-15 | ウェーハ支持具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH076959A true JPH076959A (ja) | 1995-01-10 |
Family
ID=15316096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14247193A Withdrawn JPH076959A (ja) | 1993-06-15 | 1993-06-15 | ウェーハ支持具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH076959A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09159655A (ja) * | 1995-12-12 | 1997-06-20 | Kinki Nippon Tetsudo Kk | 携帯型レール探傷装置 |
| JP2006522482A (ja) * | 2003-03-31 | 2006-09-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理部材上に隣接するコーティングを接合する方法。 |
| JP2015536048A (ja) * | 2012-09-28 | 2015-12-17 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 改善されたエッジリングリップ |
-
1993
- 1993-06-15 JP JP14247193A patent/JPH076959A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09159655A (ja) * | 1995-12-12 | 1997-06-20 | Kinki Nippon Tetsudo Kk | 携帯型レール探傷装置 |
| JP2006522482A (ja) * | 2003-03-31 | 2006-09-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理部材上に隣接するコーティングを接合する方法。 |
| JP2015536048A (ja) * | 2012-09-28 | 2015-12-17 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 改善されたエッジリングリップ |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000905 |