JP2001044188A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 液晶表示パネル等の大面積の基板であって
も、処理時間が短く、かつ膜質または膜厚の均一な膜を
形成することができるプラズマ処理装置を提供する。 【解決手段】 プラズマチャンバ内には、プラズマ生成
用ガス導入口７から酸素とヘリウムガスとを供給し、レ
ゾネータ６に高周波電力を供給してプラズマを生成す
る。そこへプロセスガスとして、ヘリウムで希釈したモ
ノシランをプロセスガス導入口８から供給し、図１の奥
行き方向に延びたライン状に反応種（酸素ラジカルおよ
びモノシラン）を接触させ、ステージ２を図１の右方向
に搬送する（往路）ことにより基板９全面に成膜を行
う。つまり、基板９の搬送方向に交わるようにライン状
に反応種を接触させ、基板９を搬送することにより基板
９全面に成膜を行うのである。復路についても往路と同
様に処理を行う。
も、処理時間が短く、かつ膜質または膜厚の均一な膜を
形成することができるプラズマ処理装置を提供する。 【解決手段】 プラズマチャンバ内には、プラズマ生成
用ガス導入口７から酸素とヘリウムガスとを供給し、レ
ゾネータ６に高周波電力を供給してプラズマを生成す
る。そこへプロセスガスとして、ヘリウムで希釈したモ
ノシランをプロセスガス導入口８から供給し、図１の奥
行き方向に延びたライン状に反応種（酸素ラジカルおよ
びモノシラン）を接触させ、ステージ２を図１の右方向
に搬送する（往路）ことにより基板９全面に成膜を行
う。つまり、基板９の搬送方向に交わるようにライン状
に反応種を接触させ、基板９を搬送することにより基板
９全面に成膜を行うのである。復路についても往路と同
様に処理を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマ化学気相
堆積（以下、ＣＶＤと記載する）またはプラズマエッチ
ング等のプラズマ処理に用いるプラズマ処理装置に関す
るもので、特に半導体または液晶表示パネル等の製造に
用いる大面積のプラズマ処理を行うプラズマ処理装置に
関するものである。
堆積（以下、ＣＶＤと記載する）またはプラズマエッチ
ング等のプラズマ処理に用いるプラズマ処理装置に関す
るもので、特に半導体または液晶表示パネル等の製造に
用いる大面積のプラズマ処理を行うプラズマ処理装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＣＶＤまたはエッチングといったプラズ
マを用いた処理を行う際、プラズマによる基板へのダメ
ージを低減するため、プラズマ生成部と基板処理部とを
分離することにより、プラズマを直接基板に曝すことな
く処理を行うリモートプラズマ法が知られている。
マを用いた処理を行う際、プラズマによる基板へのダメ
ージを低減するため、プラズマ生成部と基板処理部とを
分離することにより、プラズマを直接基板に曝すことな
く処理を行うリモートプラズマ法が知られている。
【０００３】リモートプラズマ法では、プラズマ生成部
と基板処理部とを分離するため、プラズマ生成部から基
板処理部への活性種の流れが処理の均一性に大きな影響
を与える。そのため、液晶表示パネル等の大型基板の処
理においては面内を一括処理せず、ガス流の制御しやす
い線形のプラズマ源を用いて、基板を搬送しながらプラ
ズマ処理する方法がある。
と基板処理部とを分離するため、プラズマ生成部から基
板処理部への活性種の流れが処理の均一性に大きな影響
を与える。そのため、液晶表示パネル等の大型基板の処
理においては面内を一括処理せず、ガス流の制御しやす
い線形のプラズマ源を用いて、基板を搬送しながらプラ
ズマ処理する方法がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】線形のプラズマ源を用
いることで、基板面内を一括にプラズマ処理する場合よ
りも均一なプラズマ処理が可能になるが、処理時間が長
くなるという問題点が生じる。
いることで、基板面内を一括にプラズマ処理する場合よ
りも均一なプラズマ処理が可能になるが、処理時間が長
くなるという問題点が生じる。
【０００５】また、液晶表示パネル等の基板またはＳｉ
ウェハを複数枚載せる基板ホルダー等の大面積のものに
対しては、線形のプラズマ源を用いても、線形のプラズ
マ源の長手方向において均一なガス流の制御が難しく、
膜質または膜厚の均一な膜を形成するのは困難である。
ウェハを複数枚載せる基板ホルダー等の大面積のものに
対しては、線形のプラズマ源を用いても、線形のプラズ
マ源の長手方向において均一なガス流の制御が難しく、
膜質または膜厚の均一な膜を形成するのは困難である。
【０００６】本発明は、以上のような従来の問題点に鑑
みなされたものであって、液晶表示パネル等の大面積の
基板であっても、処理時間が短く、かつ膜質または膜厚
の均一な膜を形成することができるプラズマ処理装置を
提供することを目的としている。
みなされたものであって、液晶表示パネル等の大面積の
基板であっても、処理時間が短く、かつ膜質または膜厚
の均一な膜を形成することができるプラズマ処理装置を
提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ために、本発明のプラズマ処理装置は、基板を搬送しな
がら基板の搬送方向に交わるように延びた線形の反応種
によって基板に各種のプラズマ処理を行う線形処理部を
備えたプラズマ処理装置において、前記線形処理部の基
板の搬送方向における前方に第１の排気口を有し、後方
に第２の排気口を有することを特徴としている。
ために、本発明のプラズマ処理装置は、基板を搬送しな
がら基板の搬送方向に交わるように延びた線形の反応種
によって基板に各種のプラズマ処理を行う線形処理部を
備えたプラズマ処理装置において、前記線形処理部の基
板の搬送方向における前方に第１の排気口を有し、後方
に第２の排気口を有することを特徴としている。
【０００８】さらに、前記第１の排気口と前記第２の排
気口とは、前記線形処理部を軸として非対称に設置され
ていることを特徴としている。
気口とは、前記線形処理部を軸として非対称に設置され
ていることを特徴としている。
【０００９】さらに、反応種を生成するためのプラズマ
生成用ガス導入口とプロセスガス導入口とが、それぞれ
２つ以上設けられていることを特徴としている。
生成用ガス導入口とプロセスガス導入口とが、それぞれ
２つ以上設けられていることを特徴としている。
【００１０】また、本発明のプラズマ処理装置は、基板
を搬送しながら基板の搬送方向に交わるように延びた線
形の反応種によって基板に各種のプラズマ処理を行うプ
ラズマ処理装置において、基板を搬送する往路と復路と
でそれぞれプラズマ処理が可能なことを特徴としてい
る。
を搬送しながら基板の搬送方向に交わるように延びた線
形の反応種によって基板に各種のプラズマ処理を行うプ
ラズマ処理装置において、基板を搬送する往路と復路と
でそれぞれプラズマ処理が可能なことを特徴としてい
る。
【００１１】さらに、前記往路と前記復路とで異なった
プラズマ処理を行うことを特徴としている。
プラズマ処理を行うことを特徴としている。
【００１２】さらに、前記往路のプラズマ処理が成膜で
あり、前記復路のプラズマ処理がエッチングであること
を特徴としている。
あり、前記復路のプラズマ処理がエッチングであること
を特徴としている。
【００１３】さらに、前記エッチングは、成膜された膜
の膜厚を均一にするための処理であることを特徴として
いる。
の膜厚を均一にするための処理であることを特徴として
いる。
【００１４】さらに、前記エッチングは、装置内部をク
リーニングするための処理であることを特徴としてい
る。
リーニングするための処理であることを特徴としてい
る。
【００１５】本発明のプラズマ処理装置によれば、線形
処理部の基板の搬送方向における前方に第１の排気口を
有し、後方に第２の排気口を有することにより、基板搬
送の往路と復路とでそれぞれプラズマ処理を行うことが
でき、処理時間を短くすることができる。例えば、往路
と復路とで成膜を行えば成膜時間を短縮することができ
る。往路のみで成膜を行う場合、基板が取り出し口に戻
るまでの時間が必要となるが、往路と復路とで成膜を行
えばこの時間を短縮することができる。
処理部の基板の搬送方向における前方に第１の排気口を
有し、後方に第２の排気口を有することにより、基板搬
送の往路と復路とでそれぞれプラズマ処理を行うことが
でき、処理時間を短くすることができる。例えば、往路
と復路とで成膜を行えば成膜時間を短縮することができ
る。往路のみで成膜を行う場合、基板が取り出し口に戻
るまでの時間が必要となるが、往路と復路とで成膜を行
えばこの時間を短縮することができる。
【００１６】さらに、第１の排気口と第２の排気口とが
線形処理部を軸として非対称に設置されていることによ
り、基板搬送の往路と復路とで異なるプラズマ処理を行
うことができ、膜質の異なる２層を１回の真空引きで短
時間に成膜することができる。例えば、往路と復路と
で、成膜領域の長さを変えることによって成膜時間を変
え、膜質の異なる２層の膜を形成することができる。
線形処理部を軸として非対称に設置されていることによ
り、基板搬送の往路と復路とで異なるプラズマ処理を行
うことができ、膜質の異なる２層を１回の真空引きで短
時間に成膜することができる。例えば、往路と復路と
で、成膜領域の長さを変えることによって成膜時間を変
え、膜質の異なる２層の膜を形成することができる。
【００１７】さらに、反応種を生成するためのプラズマ
生成用ガス導入口とプロセスガス導入口とが、それぞれ
２つ以上設けられていることにより、基板搬送の往路と
復路とで異なるプラズマ処理を行うことができ、異なる
２層の成膜、異なる２層のエッチング、または成膜とエ
ッチングとを１回の真空引きで短時間に行うことができ
る。例えば、ＣＶＤであれば、プロセスガスをシランと
し、往路でプラズマ生成用ガスを酸素とヘリウムとの混
合ガスとし、復路でプラズマ生成用ガスをアルゴンにす
ることで、往路でのシリコン酸化膜と復路でのアモルフ
ァスシリコンという異なる２層を形成することができ
る。また、エッチングであれば、プロセスガスをＣＨＦ
3またはＣＦ4とし、往路でプラズマ生成用ガスを酸素と
アルゴンとの混合ガスとし、復路でプラズマ生成用ガス
をアルゴンのみにすることで、アモルファスシリコンと
シリコン酸化膜との異なる２層を順にエッチングするこ
とができる。また、往路で成膜を行い、復路でエッチン
グを行うこともできる。
生成用ガス導入口とプロセスガス導入口とが、それぞれ
２つ以上設けられていることにより、基板搬送の往路と
復路とで異なるプラズマ処理を行うことができ、異なる
２層の成膜、異なる２層のエッチング、または成膜とエ
ッチングとを１回の真空引きで短時間に行うことができ
る。例えば、ＣＶＤであれば、プロセスガスをシランと
し、往路でプラズマ生成用ガスを酸素とヘリウムとの混
合ガスとし、復路でプラズマ生成用ガスをアルゴンにす
ることで、往路でのシリコン酸化膜と復路でのアモルフ
ァスシリコンという異なる２層を形成することができ
る。また、エッチングであれば、プロセスガスをＣＨＦ
3またはＣＦ4とし、往路でプラズマ生成用ガスを酸素と
アルゴンとの混合ガスとし、復路でプラズマ生成用ガス
をアルゴンのみにすることで、アモルファスシリコンと
シリコン酸化膜との異なる２層を順にエッチングするこ
とができる。また、往路で成膜を行い、復路でエッチン
グを行うこともできる。
【００１８】また、本発明のプラズマ処理装置によれ
ば、基板を搬送する往路と復路とでそれぞれプラズマ処
理が可能なことにより、処理時間を短くすることができ
る。例えば、往路と復路とで成膜を行えば成膜時間を短
縮することができる。往路のみで成膜を行う場合、基板
が取り出し口に戻るまでの時間が必要となるが、往路と
復路とで成膜を行えばこの時間を短縮することができ
る。
ば、基板を搬送する往路と復路とでそれぞれプラズマ処
理が可能なことにより、処理時間を短くすることができ
る。例えば、往路と復路とで成膜を行えば成膜時間を短
縮することができる。往路のみで成膜を行う場合、基板
が取り出し口に戻るまでの時間が必要となるが、往路と
復路とで成膜を行えばこの時間を短縮することができ
る。
【００１９】さらに、往路と復路とで異なったプラズマ
処理を行うことにより、膜質の異なる２層または異なる
２層を１回の真空引きで短時間に成膜したり、異なる２
層のエッチングを１回の真空引きで短時間に行うことが
できる。例えば、往路と復路とで、成膜領域の長さを変
えることによって成膜時間を変え、膜質の異なる２層の
膜を形成することができる。また、例えば、プロセスガ
スをシランとし、往路でプラズマ生成用ガスを酸素とヘ
リウムとの混合ガスとし、復路でプラズマ生成用ガスを
アルゴンにすることで、往路でのシリコン酸化膜と復路
でのアモルファスシリコンという異なる２層を形成する
ことができる。また、例えば、プロセスガスをＣＨＦ3
またはＣＦ4とし、往路でプラズマ生成用ガスを酸素と
アルゴンとの混合ガスとし、復路でプラズマ生成用ガス
をアルゴンのみにすることで、アモルファスシリコンと
シリコン酸化膜との異なる２層を順にエッチングするこ
とができる。
処理を行うことにより、膜質の異なる２層または異なる
２層を１回の真空引きで短時間に成膜したり、異なる２
層のエッチングを１回の真空引きで短時間に行うことが
できる。例えば、往路と復路とで、成膜領域の長さを変
えることによって成膜時間を変え、膜質の異なる２層の
膜を形成することができる。また、例えば、プロセスガ
スをシランとし、往路でプラズマ生成用ガスを酸素とヘ
リウムとの混合ガスとし、復路でプラズマ生成用ガスを
アルゴンにすることで、往路でのシリコン酸化膜と復路
でのアモルファスシリコンという異なる２層を形成する
ことができる。また、例えば、プロセスガスをＣＨＦ3
またはＣＦ4とし、往路でプラズマ生成用ガスを酸素と
アルゴンとの混合ガスとし、復路でプラズマ生成用ガス
をアルゴンのみにすることで、アモルファスシリコンと
シリコン酸化膜との異なる２層を順にエッチングするこ
とができる。
【００２０】さらに、往路のプラズマ処理が成膜であ
り、復路のプラズマ処理がエッチングであることによ
り、成膜とエッチングとを１回の真空引きで短時間に行
うことができる。エッチングが成膜された膜の膜厚を均
一にするための処理であれば、ＣＶＤ等の成膜では得る
ことのできない膜厚の均一性を得ることができる。ま
た、エッチングが装置内部をクリーニングするための処
理であれば、装置のメンテナンスを要するまでの成膜回
数を増やすことができ、生産効率を高めることができ
る。
り、復路のプラズマ処理がエッチングであることによ
り、成膜とエッチングとを１回の真空引きで短時間に行
うことができる。エッチングが成膜された膜の膜厚を均
一にするための処理であれば、ＣＶＤ等の成膜では得る
ことのできない膜厚の均一性を得ることができる。ま
た、エッチングが装置内部をクリーニングするための処
理であれば、装置のメンテナンスを要するまでの成膜回
数を増やすことができ、生産効率を高めることができ
る。
【００２１】
【発明の実施の形態】図１乃至図４を用いて本発明の実
施の形態について説明する。図１は本発明に係る第１の
プラズマ処理装置のプロセスチャンバの断面図、図２は
本発明に係る第２のプラズマ処理装置のプロセスチャン
バの断面図、図３は本発明に係る第３のプラズマ処理装
置のプロセスチャンバの断面図、図４は図３におけるプ
ロセスガス導入口付近を下方から見た断面図である。
施の形態について説明する。図１は本発明に係る第１の
プラズマ処理装置のプロセスチャンバの断面図、図２は
本発明に係る第２のプラズマ処理装置のプロセスチャン
バの断面図、図３は本発明に係る第３のプラズマ処理装
置のプロセスチャンバの断面図、図４は図３におけるプ
ロセスガス導入口付近を下方から見た断面図である。
【００２２】（実施の形態１）本実施の形態ではプラズ
マＣＶＤ装置について説明する。その概略構造は、内部
が真空状態に保持されるロードロックチャンバと、基板
予備加熱チャンバと、基板移載用チャンバと、図１に示
すようなプラズマ生成部とプラズマ処理部とからなるプ
ロセスチャンバと、から構成されている。
マＣＶＤ装置について説明する。その概略構造は、内部
が真空状態に保持されるロードロックチャンバと、基板
予備加熱チャンバと、基板移載用チャンバと、図１に示
すようなプラズマ生成部とプラズマ処理部とからなるプ
ロセスチャンバと、から構成されている。
【００２３】ロードロックチャンバはアルミ製であり、
チャンバ内を真空にするための排気口が設けられ、排気
口にはチャンバ内を真空にするためのポンプが接続され
ている。
チャンバ内を真空にするための排気口が設けられ、排気
口にはチャンバ内を真空にするためのポンプが接続され
ている。
【００２４】基板予備加熱チャンバは、例えば１０枚の
基板を予備加熱として４５０℃程度まで加熱することが
できる。
基板を予備加熱として４５０℃程度まで加熱することが
できる。
【００２５】基板移載用チャンバは、ロードロックチャ
ンバ、基板予備加熱チャンバおよびプロセスチャンバの
全てに隣接する位置にあり、基板移載用のフォークを備
えている。
ンバ、基板予備加熱チャンバおよびプロセスチャンバの
全てに隣接する位置にあり、基板移載用のフォークを備
えている。
【００２６】プラズマ処理部はアルミ製であり、図１に
示すように、プロセスチャンバ内の下部には、プラズマ
処理前および処理中に基板９を加熱するためのヒータ１
と、基板９を搬送するためのステージ２と、第１の排気
口３ａおよび第２の排気口３ｂとが設けられ、２つの排
気口３ａおよび３ｂは、ステージ２の往路と復路とでそ
れぞれ同等の処理が行えるように、共有する１つの空間
４を介して排気系１３に接続されている。
示すように、プロセスチャンバ内の下部には、プラズマ
処理前および処理中に基板９を加熱するためのヒータ１
と、基板９を搬送するためのステージ２と、第１の排気
口３ａおよび第２の排気口３ｂとが設けられ、２つの排
気口３ａおよび３ｂは、ステージ２の往路と復路とでそ
れぞれ同等の処理が行えるように、共有する１つの空間
４を介して排気系１３に接続されている。
【００２７】プラズマ生成部としてのプラズマチャンバ
はアルミ製であり、プラズマ生成用の高周波電力を導入
するための石英ガラス製の窓５が設けられ、窓５の外部
には高周波電力をプラズマと結合するためのレゾネータ
６が設けられる。また、プラズマ生成用ガス導入口７お
よびプロセスガス導入口８がそれぞれ設けられ、プラズ
マ生成用ガス導入口７よりガスを導入し、レゾネータ６
に高周波電力を供給することでプラズマが生成される。
はアルミ製であり、プラズマ生成用の高周波電力を導入
するための石英ガラス製の窓５が設けられ、窓５の外部
には高周波電力をプラズマと結合するためのレゾネータ
６が設けられる。また、プラズマ生成用ガス導入口７お
よびプロセスガス導入口８がそれぞれ設けられ、プラズ
マ生成用ガス導入口７よりガスを導入し、レゾネータ６
に高周波電力を供給することでプラズマが生成される。
【００２８】成膜は、基板９（石英製基板ホルダーにＳ
ｉウェハを載せたものまたはガラス基板）をロードロッ
クチャンバにセットした後、ロードロックチャンバを真
空引きし、基板９を基板予備加熱チャンバに移載する。
基板９の加熱完了後、プロセスチャンバに基板９を移載
する。
ｉウェハを載せたものまたはガラス基板）をロードロッ
クチャンバにセットした後、ロードロックチャンバを真
空引きし、基板９を基板予備加熱チャンバに移載する。
基板９の加熱完了後、プロセスチャンバに基板９を移載
する。
【００２９】プラズマチャンバ内には、プラズマ生成用
ガス導入口７から酸素とヘリウムガスとを供給し、レゾ
ネータ６に高周波電力を供給してプラズマを生成する。
プラズマ中のラジカル種は、イオン種に比べその寿命が
長いため、プロセスチャンバに移載された基板９上に到
達する。
ガス導入口７から酸素とヘリウムガスとを供給し、レゾ
ネータ６に高周波電力を供給してプラズマを生成する。
プラズマ中のラジカル種は、イオン種に比べその寿命が
長いため、プロセスチャンバに移載された基板９上に到
達する。
【００３０】そこへプロセスガスとして、ヘリウムで希
釈したモノシランをプロセスガス導入口８から供給し、
図１の奥行き方向に延びたライン状に反応種（酸素ラジ
カルおよびモノシラン）を接触させ、ステージ２を図１
の右方向に搬送する（往路）ことにより基板９全面に成
膜を行う。つまり、基板９の搬送方向に交わるようにラ
イン状に反応種を接触させ、基板９を搬送することによ
り基板９全面に成膜を行うのである。復路についても往
路と同様に処理を行う。
釈したモノシランをプロセスガス導入口８から供給し、
図１の奥行き方向に延びたライン状に反応種（酸素ラジ
カルおよびモノシラン）を接触させ、ステージ２を図１
の右方向に搬送する（往路）ことにより基板９全面に成
膜を行う。つまり、基板９の搬送方向に交わるようにラ
イン状に反応種を接触させ、基板９を搬送することによ
り基板９全面に成膜を行うのである。復路についても往
路と同様に処理を行う。
【００３１】ステージ２の往路（ステージ２が図１の右
方向へ移動）と復路（ステージ２が図１の左方向へ移
動）とでそれぞれ同等の処理を行う場合、ステージ２の
搬送開始は基板９の進行方向先頭端面が第２の排気口３
ｂの最外部１０の地点とし、折り返しは基板９の戻り方
向先頭端面が第１の排気口３ａの最外部１１の地点とす
ることで、往路および復路で同等の処理を最短時間で行
うことができる。
方向へ移動）と復路（ステージ２が図１の左方向へ移
動）とでそれぞれ同等の処理を行う場合、ステージ２の
搬送開始は基板９の進行方向先頭端面が第２の排気口３
ｂの最外部１０の地点とし、折り返しは基板９の戻り方
向先頭端面が第１の排気口３ａの最外部１１の地点とす
ることで、往路および復路で同等の処理を最短時間で行
うことができる。
【００３２】本実施の形態のように、ステージ２の往路
と復路とで成膜を行えば、例えば厚さ１００ｎｍのＳｉ
Ｏ2を成膜するのに要する時間を従来の２４０秒から９
５秒に短縮することができる。往路のみで成膜を行う場
合、基板９が取り出し口に戻るまでの時間が必要となる
が、往路と復路とで成膜を行えばこの時間を短縮するこ
とができる。
と復路とで成膜を行えば、例えば厚さ１００ｎｍのＳｉ
Ｏ2を成膜するのに要する時間を従来の２４０秒から９
５秒に短縮することができる。往路のみで成膜を行う場
合、基板９が取り出し口に戻るまでの時間が必要となる
が、往路と復路とで成膜を行えばこの時間を短縮するこ
とができる。
【００３３】（実施の形態２）本実施の形態のプラズマ
処理装置の概略構造は、内部が真空状態に保持されるロ
ードロックチャンバと、基板予備加熱チャンバと、基板
移載用チャンバと、図２に示すようなプラズマ生成部と
プラズマ処理部とからなるプロセスチャンバと、から構
成されている。
処理装置の概略構造は、内部が真空状態に保持されるロ
ードロックチャンバと、基板予備加熱チャンバと、基板
移載用チャンバと、図２に示すようなプラズマ生成部と
プラズマ処理部とからなるプロセスチャンバと、から構
成されている。
【００３４】ロードロックチャンバはアルミ製であり、
チャンバ内を真空にするための排気口が設けられ、排気
口にはチャンバ内を真空にするためのポンプが接続され
ている。
チャンバ内を真空にするための排気口が設けられ、排気
口にはチャンバ内を真空にするためのポンプが接続され
ている。
【００３５】基板予備加熱チャンバは、例えば１０枚の
基板を予備加熱として４５０℃程度まで加熱することが
できる。
基板を予備加熱として４５０℃程度まで加熱することが
できる。
【００３６】基板移載用チャンバは、ロードロックチャ
ンバ、基板予備加熱チャンバおよびプロセスチャンバの
全てに隣接する位置にあり、基板移載用のフォークを備
えている。
ンバ、基板予備加熱チャンバおよびプロセスチャンバの
全てに隣接する位置にあり、基板移載用のフォークを備
えている。
【００３７】プラズマ処理部はアルミ製であり、図２に
示すように、プロセスチャンバ内の下部には、プラズマ
処理前および処理中に基板９を加熱するためのヒータ１
と、基板９を搬送するためのステージ２と、第１の排気
口３ａおよび第２の排気口３ｂとが設けられ、２つの排
気口３ａおよび３ｂは、ステージ２の往路と復路とでそ
れぞれ異なった処理が行えるように、それぞれ独立した
第１のスリットバルブ１２ａおよび第２のスリットバル
ブ１２ｂを設け、それぞれ独立した第１の空間４ａおよ
び第２の空間４ｂを介してそれぞれ独立した第１の排気
系１３ａおよび第２の排気系１３ｂに接続されている。
示すように、プロセスチャンバ内の下部には、プラズマ
処理前および処理中に基板９を加熱するためのヒータ１
と、基板９を搬送するためのステージ２と、第１の排気
口３ａおよび第２の排気口３ｂとが設けられ、２つの排
気口３ａおよび３ｂは、ステージ２の往路と復路とでそ
れぞれ異なった処理が行えるように、それぞれ独立した
第１のスリットバルブ１２ａおよび第２のスリットバル
ブ１２ｂを設け、それぞれ独立した第１の空間４ａおよ
び第２の空間４ｂを介してそれぞれ独立した第１の排気
系１３ａおよび第２の排気系１３ｂに接続されている。
【００３８】プラズマ生成部としてのプラズマチャンバ
はアルミ製であり、プラズマ生成用の高周波電力を導入
するための石英ガラス製の窓５が設けられ、窓５の外部
には高周波電力をプラズマと結合するためのレゾネータ
６が設けられる。また、プラズマ生成用ガス導入口７お
よびプロセスガス導入口８がそれぞれ設けられ、プラズ
マ生成用ガス導入口７よりガスを導入し、レゾネータ６
に高周波電力を供給することでプラズマが生成される。
はアルミ製であり、プラズマ生成用の高周波電力を導入
するための石英ガラス製の窓５が設けられ、窓５の外部
には高周波電力をプラズマと結合するためのレゾネータ
６が設けられる。また、プラズマ生成用ガス導入口７お
よびプロセスガス導入口８がそれぞれ設けられ、プラズ
マ生成用ガス導入口７よりガスを導入し、レゾネータ６
に高周波電力を供給することでプラズマが生成される。
【００３９】成膜は、基板９（石英製基板ホルダーにＳ
ｉウェハを載せたものまたはガラス基板）をロードロッ
クチャンバにセットした後、ロードロックチャンバを真
空引きし、基板９を基板予備加熱チャンバに移載する。
基板９の加熱完了後、プロセスチャンバに基板９を移載
する。
ｉウェハを載せたものまたはガラス基板）をロードロッ
クチャンバにセットした後、ロードロックチャンバを真
空引きし、基板９を基板予備加熱チャンバに移載する。
基板９の加熱完了後、プロセスチャンバに基板９を移載
する。
【００４０】プラズマチャンバ内には、プラズマ生成用
ガス導入口７から酸素とヘリウムガスとを供給し、レゾ
ネータ６に高周波電力を供給してプラズマを生成する。
プラズマ中のラジカル種は、イオン種に比べその寿命が
長いため、プロセスチャンバに移載された基板９上に到
達する。このとき、第１の排気口３ａは開放し、第２の
排気口３ｂは閉鎖している。
ガス導入口７から酸素とヘリウムガスとを供給し、レゾ
ネータ６に高周波電力を供給してプラズマを生成する。
プラズマ中のラジカル種は、イオン種に比べその寿命が
長いため、プロセスチャンバに移載された基板９上に到
達する。このとき、第１の排気口３ａは開放し、第２の
排気口３ｂは閉鎖している。
【００４１】そこへプロセスガスとして、ヘリウムで希
釈したモノシランをプロセスガス導入口８から供給し、
図２の奥行き方向に延びたライン状に反応種（酸素ラジ
カルおよびモノシラン）を接触させ、ステージ２を図２
の右方向に搬送することにより基板９全面に成膜を行
う。つまり、基板９の搬送方向に交わるようにライン状
に反応種を接触させ、基板９を搬送することにより基板
９全面に成膜を行うのである。
釈したモノシランをプロセスガス導入口８から供給し、
図２の奥行き方向に延びたライン状に反応種（酸素ラジ
カルおよびモノシラン）を接触させ、ステージ２を図２
の右方向に搬送することにより基板９全面に成膜を行
う。つまり、基板９の搬送方向に交わるようにライン状
に反応種を接触させ、基板９を搬送することにより基板
９全面に成膜を行うのである。
【００４２】往路での成膜が完了すれば、第１の排気口
３ａを閉鎖した後、第２の排気口３ｂを開放し、ステー
ジ２を図２の左方向に搬送することにより基板９全面に
成膜を行う。
３ａを閉鎖した後、第２の排気口３ｂを開放し、ステー
ジ２を図２の左方向に搬送することにより基板９全面に
成膜を行う。
【００４３】このように、往路と復路とで、成膜領域の
長さを変えることによって成膜時間を変えることがで
き、膜質の異なる２層の膜を形成することができる。例
えば、下層に不純物の少ない膜を形成し、上層に緻密な
膜、つまりエッチレートが低い膜を形成することができ
る。尚、用途によって上層と下層の膜質を逆にすること
ができるのは言うまでもない。
長さを変えることによって成膜時間を変えることがで
き、膜質の異なる２層の膜を形成することができる。例
えば、下層に不純物の少ない膜を形成し、上層に緻密な
膜、つまりエッチレートが低い膜を形成することができ
る。尚、用途によって上層と下層の膜質を逆にすること
ができるのは言うまでもない。
【００４４】（実施の形態３）本実施の形態のプラズマ
処理装置の概略構造は、内部が真空状態に保持されるロ
ードロックチャンバと、基板予備加熱チャンバと、基板
移載用チャンバと、図３に示すようなプラズマ生成部と
プラズマ処理部とからなるプロセスチャンバと、から構
成されている。
処理装置の概略構造は、内部が真空状態に保持されるロ
ードロックチャンバと、基板予備加熱チャンバと、基板
移載用チャンバと、図３に示すようなプラズマ生成部と
プラズマ処理部とからなるプロセスチャンバと、から構
成されている。
【００４５】ロードロックチャンバはアルミ製であり、
チャンバ内を真空にするための排気口が設けられ、排気
口にはチャンバ内を真空にするためのポンプが接続され
ている。
チャンバ内を真空にするための排気口が設けられ、排気
口にはチャンバ内を真空にするためのポンプが接続され
ている。
【００４６】基板予備加熱チャンバは、例えば１０枚の
基板を予備加熱として４５０℃程度まで加熱することが
できる。
基板を予備加熱として４５０℃程度まで加熱することが
できる。
【００４７】基板移載用チャンバは、ロードロックチャ
ンバ、基板予備加熱チャンバおよびプロセスチャンバの
全てに隣接する位置にあり、基板移載用のフォークを備
えている。
ンバ、基板予備加熱チャンバおよびプロセスチャンバの
全てに隣接する位置にあり、基板移載用のフォークを備
えている。
【００４８】プラズマ処理部はアルミ製であり、図３に
示すように、プロセスチャンバ内の下部には、プラズマ
処理前および処理中に基板９を加熱するためのヒータ１
と、基板９を搬送するためのステージ２と、第１の排気
口３ａおよび第２の排気口３ｂとが設けられ、２つの排
気口３ａおよび３ｂは、ステージ２の往路と復路とでそ
れぞれ異なった処理が行えるように、それぞれ独立した
第１のスリットバルブ１２ａおよび第２のスリットバル
ブ１２ｂを設け、それぞれ独立した第１の空間４ａおよ
び第２の空間４ｂを介してそれぞれ独立した第１の排気
系１３ａおよび第２の排気系１３ｂに接続されている。
示すように、プロセスチャンバ内の下部には、プラズマ
処理前および処理中に基板９を加熱するためのヒータ１
と、基板９を搬送するためのステージ２と、第１の排気
口３ａおよび第２の排気口３ｂとが設けられ、２つの排
気口３ａおよび３ｂは、ステージ２の往路と復路とでそ
れぞれ異なった処理が行えるように、それぞれ独立した
第１のスリットバルブ１２ａおよび第２のスリットバル
ブ１２ｂを設け、それぞれ独立した第１の空間４ａおよ
び第２の空間４ｂを介してそれぞれ独立した第１の排気
系１３ａおよび第２の排気系１３ｂに接続されている。
【００４９】本実施の形態のプラズマ処理装置では、後
述するが、成膜とエッチングとを行う。往路（ステージ
２が図３の右方向へ移動）、つまり成膜では、プラズマ
処理部の領域が狭い方が成膜される膜の厚み方向の膜質
が均一になるため、第１の排気口３ａはプラズマチャン
バに近い位置に設け、復路（ステージ２が図３の左方向
へ移動）、つまりエッチングでは、プラズマ処理部の領
域を拡げることで処理速度を上げることができるため、
第２の排気口３ｂはプラズマチャンバから遠い位置に設
ける。
述するが、成膜とエッチングとを行う。往路（ステージ
２が図３の右方向へ移動）、つまり成膜では、プラズマ
処理部の領域が狭い方が成膜される膜の厚み方向の膜質
が均一になるため、第１の排気口３ａはプラズマチャン
バに近い位置に設け、復路（ステージ２が図３の左方向
へ移動）、つまりエッチングでは、プラズマ処理部の領
域を拡げることで処理速度を上げることができるため、
第２の排気口３ｂはプラズマチャンバから遠い位置に設
ける。
【００５０】プラズマ生成部としてのプラズマチャンバ
はアルミ製であり、プラズマ生成用の高周波電力を導入
するための石英ガラス製の窓５が設けられ、窓５の外部
には高周波電力をプラズマと結合するためのレゾネータ
６が設けられる。また、プラズマチャンバには、２種類
のプラズマが生成できるように、第１のプラズマ生成用
ガス導入口７ａおよび第２のプラズマ生成用ガス導入口
７ｂをそれぞれ独立して設ける。２つのプラズマ生成用
ガス導入口７ａまたは７ｂよりガスを導入し、レゾネー
タ６に高周波電力を供給することで２種類のプラズマを
生成することができる。
はアルミ製であり、プラズマ生成用の高周波電力を導入
するための石英ガラス製の窓５が設けられ、窓５の外部
には高周波電力をプラズマと結合するためのレゾネータ
６が設けられる。また、プラズマチャンバには、２種類
のプラズマが生成できるように、第１のプラズマ生成用
ガス導入口７ａおよび第２のプラズマ生成用ガス導入口
７ｂをそれぞれ独立して設ける。２つのプラズマ生成用
ガス導入口７ａまたは７ｂよりガスを導入し、レゾネー
タ６に高周波電力を供給することで２種類のプラズマを
生成することができる。
【００５１】また、２種類のプラズマ処理が行えるよう
に、第１のプロセスガス導入口８ａおよび第２のプロセ
スガス導入口８ｂをそれぞれ独立して設ける。
に、第１のプロセスガス導入口８ａおよび第２のプロセ
スガス導入口８ｂをそれぞれ独立して設ける。
【００５２】第２のプロセスガス導入口８ｂは、図４に
示すように、５つのガスライン１４ａ、１４ｂ、１４
ｃ、１４ｄおよび１４ｅから構成されている。そして、
それぞれのガスライン１４ａ〜１４ｅにマスフローコン
トローラ１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄおよび１５ｅ
が設けられ、線形の処理部の長手方向でプロセスガスの
量を調整することができる。ガスラインの数は５つに限
られるものではなく、できるだけ多いほどプロセスガス
の量を細かく調整することができる。
示すように、５つのガスライン１４ａ、１４ｂ、１４
ｃ、１４ｄおよび１４ｅから構成されている。そして、
それぞれのガスライン１４ａ〜１４ｅにマスフローコン
トローラ１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄおよび１５ｅ
が設けられ、線形の処理部の長手方向でプロセスガスの
量を調整することができる。ガスラインの数は５つに限
られるものではなく、できるだけ多いほどプロセスガス
の量を細かく調整することができる。
【００５３】一方、第１のプロセスガス導入口８ａは、
５つのガスラインから構成され、すべてのガスラインが
１つのマスフローコントローラ１５に接続されている。
尚、第１のプロセスガス導入口８ａについても第２のプ
ロセスガス導入口８ｂと同様に、それぞれのガスライン
に対してマスフローコントローラを設けてもかまわな
い。
５つのガスラインから構成され、すべてのガスラインが
１つのマスフローコントローラ１５に接続されている。
尚、第１のプロセスガス導入口８ａについても第２のプ
ロセスガス導入口８ｂと同様に、それぞれのガスライン
に対してマスフローコントローラを設けてもかまわな
い。
【００５４】成膜は、基板９（石英製基板ホルダーにＳ
ｉウェハを載せたものまたはガラス基板）をロードロッ
クチャンバにセットした後、ロードロックチャンバを真
空引きし、基板９を基板予備加熱チャンバに移載する。
基板９の加熱完了後、プロセスチャンバに基板９を移載
する。
ｉウェハを載せたものまたはガラス基板）をロードロッ
クチャンバにセットした後、ロードロックチャンバを真
空引きし、基板９を基板予備加熱チャンバに移載する。
基板９の加熱完了後、プロセスチャンバに基板９を移載
する。
【００５５】プラズマチャンバ内には、第１のプラズマ
生成用ガス導入口７ａから酸素とヘリウムガスとを供給
し、レゾネータ６に高周波電力を供給してプラズマを生
成する。プラズマ中のラジカル種は、イオン種に比べそ
の寿命が長いため、プロセスチャンバに移載された基板
９上に到達する。このとき、第１の排気口３ａは開放
し、第２の排気口３ｂは閉鎖している。
生成用ガス導入口７ａから酸素とヘリウムガスとを供給
し、レゾネータ６に高周波電力を供給してプラズマを生
成する。プラズマ中のラジカル種は、イオン種に比べそ
の寿命が長いため、プロセスチャンバに移載された基板
９上に到達する。このとき、第１の排気口３ａは開放
し、第２の排気口３ｂは閉鎖している。
【００５６】そこへプロセスガスとして、ヘリウムで希
釈したモノシランを第１のプロセスガス導入口８ａから
供給し、図３の奥行き方向に延びたライン状に反応種
（酸素ラジカルおよびモノシラン）を接触させ、ステー
ジ２を図３の右方向に搬送することにより往路で基板９
全面に成膜を行う。つまり、基板９の搬送方向に交わる
ようにライン状に反応種を接触させ、基板９を搬送する
ことにより基板９全面に成膜を行うのである。
釈したモノシランを第１のプロセスガス導入口８ａから
供給し、図３の奥行き方向に延びたライン状に反応種
（酸素ラジカルおよびモノシラン）を接触させ、ステー
ジ２を図３の右方向に搬送することにより往路で基板９
全面に成膜を行う。つまり、基板９の搬送方向に交わる
ようにライン状に反応種を接触させ、基板９を搬送する
ことにより基板９全面に成膜を行うのである。
【００５７】成膜が完了すれば、プロセスガスの供給、
高周波電力およびプラズマ生成用ガスの供給を順次停止
する。そして、第１の排気口３ａを閉鎖した後、第２の
排気口３ｂを開放し、プラズマチャンバ内に第２のプラ
ズマ生成用ガス導入口７ｂからアルゴンを供給し、レゾ
ネータ６に高周波電力を供給してプラズマを生成する。
高周波電力およびプラズマ生成用ガスの供給を順次停止
する。そして、第１の排気口３ａを閉鎖した後、第２の
排気口３ｂを開放し、プラズマチャンバ内に第２のプラ
ズマ生成用ガス導入口７ｂからアルゴンを供給し、レゾ
ネータ６に高周波電力を供給してプラズマを生成する。
【００５８】そこへプロセスガスとして、ＣＨＦ3また
はＣＦ4を第２のプロセスガス導入口８ｂから供給し、
図３の奥行き方向に延びたライン状に反応種を接触さ
せ、ステージ２を図３の左方向に搬送することにより復
路でエッチングを行う。つまり、基板９の搬送方向に交
わるようにライン状に反応種を接触させ、基板９を搬送
することによりエッチングを行うのである。
はＣＦ4を第２のプロセスガス導入口８ｂから供給し、
図３の奥行き方向に延びたライン状に反応種を接触さ
せ、ステージ２を図３の左方向に搬送することにより復
路でエッチングを行う。つまり、基板９の搬送方向に交
わるようにライン状に反応種を接触させ、基板９を搬送
することによりエッチングを行うのである。
【００５９】このとき、５つのガスライン１４ａ〜１４
ｅから流すプロセスガスの量をマスフローコントローラ
１５ａ〜１５ｅで調整し、線形の処理部の長手方向の中
央付近に多くのプロセスガスを流すことで、基板９の線
形の処理部の長手方向の中央部付近を主にエッチングす
る。このエッチングにより、往路で成膜した例えばＳｉ
Ｏ2等の膜を平坦化するとともに、プロセスチャンバの
チャンバ壁１６に生成したＳｉＯ2等のクリーニングを
行うことができる。
ｅから流すプロセスガスの量をマスフローコントローラ
１５ａ〜１５ｅで調整し、線形の処理部の長手方向の中
央付近に多くのプロセスガスを流すことで、基板９の線
形の処理部の長手方向の中央部付近を主にエッチングす
る。このエッチングにより、往路で成膜した例えばＳｉ
Ｏ2等の膜を平坦化するとともに、プロセスチャンバの
チャンバ壁１６に生成したＳｉＯ2等のクリーニングを
行うことができる。
【００６０】本実施の形態によれば、１回の真空引きで
異なる２つのプラズマ処理を行うことができる。例え
ば、ＣＶＤであれば、プロセスガスをシランとし、往路
でプラズマ生成用ガスを酸素とヘリウムとの混合ガスと
し、復路でプラズマ生成用ガスをアルゴンにすること
で、往路でのシリコン酸化膜と復路でのアモルファスシ
リコンという異なる２層を形成することができる。
異なる２つのプラズマ処理を行うことができる。例え
ば、ＣＶＤであれば、プロセスガスをシランとし、往路
でプラズマ生成用ガスを酸素とヘリウムとの混合ガスと
し、復路でプラズマ生成用ガスをアルゴンにすること
で、往路でのシリコン酸化膜と復路でのアモルファスシ
リコンという異なる２層を形成することができる。
【００６１】また、エッチングであれば、プロセスガス
をＣＨＦ3またはＣＦ4とし、往路でプラズマ生成用ガス
を酸素とアルゴンとの混合ガスとし、復路でプラズマ生
成用ガスをアルゴンのみにすることで、アモルファスシ
リコンとシリコン酸化膜との異なる２層を順にエッチン
グすることができる。
をＣＨＦ3またはＣＦ4とし、往路でプラズマ生成用ガス
を酸素とアルゴンとの混合ガスとし、復路でプラズマ生
成用ガスをアルゴンのみにすることで、アモルファスシ
リコンとシリコン酸化膜との異なる２層を順にエッチン
グすることができる。
【００６２】尚、導入するガスの種類または順序を変え
れば、処理の種類または順序を変えることができるのは
言うまでもない。
れば、処理の種類または順序を変えることができるのは
言うまでもない。
【００６３】また、線形の処理部の長手方向のガス流を
制御することにより、線形の処理部の長手方向の処理均
一性を高めることができる。例えば、成膜であれば膜厚
分布、つまり線形の処理部の長手方向の成膜レートを揃
えることができ、エッチングであれば線形の処理部の長
手方向のエッチレートを揃えることができる。この方法
によれば、線形の処理部の長手方向が５００ｍｍ幅の均
一な膜質のＳｉＯ2を成膜したときの線形の処理部の長
手方向のばらつきを７％から５％まで減少させることが
できる。
制御することにより、線形の処理部の長手方向の処理均
一性を高めることができる。例えば、成膜であれば膜厚
分布、つまり線形の処理部の長手方向の成膜レートを揃
えることができ、エッチングであれば線形の処理部の長
手方向のエッチレートを揃えることができる。この方法
によれば、線形の処理部の長手方向が５００ｍｍ幅の均
一な膜質のＳｉＯ2を成膜したときの線形の処理部の長
手方向のばらつきを７％から５％まで減少させることが
できる。
【００６４】また、往路で成膜し復路でエッチングする
ことを利用すれば、線形の処理部の長手方向のガス流を
制御することによって均一な膜厚に成膜したものをさら
に均一な膜厚とすることができる。具体的には、往路で
成膜時の膜厚分布を考慮せず均一な膜質の膜を形成した
後に、復路でエッチングによって膜厚を揃えることで、
均一な膜質の膜を均一な厚みに形成することができる。
例えば、この方法によれば、線形の処理部の長手方向が
５００ｍｍ幅の均一な膜質のＳｉＯ2を成膜したときの
線形の処理部の長手方向のばらつきを７％から３％まで
減少させることができる。
ことを利用すれば、線形の処理部の長手方向のガス流を
制御することによって均一な膜厚に成膜したものをさら
に均一な膜厚とすることができる。具体的には、往路で
成膜時の膜厚分布を考慮せず均一な膜質の膜を形成した
後に、復路でエッチングによって膜厚を揃えることで、
均一な膜質の膜を均一な厚みに形成することができる。
例えば、この方法によれば、線形の処理部の長手方向が
５００ｍｍ幅の均一な膜質のＳｉＯ2を成膜したときの
線形の処理部の長手方向のばらつきを７％から３％まで
減少させることができる。
【００６５】さらに、往路で成膜し復路でエッチングす
ることにより、装置内に生成したデポダストを同時にク
リーニングすることができるため、装置メンテナンスを
要するまでの成膜回数を増やすことができる。
ることにより、装置内に生成したデポダストを同時にク
リーニングすることができるため、装置メンテナンスを
要するまでの成膜回数を増やすことができる。
【００６６】さらに、リモートプラズマ法では、プロセ
スガス導入口でのデポダストが多くなるため、成膜用と
エッチング用のプロセスガス導入口が対向していること
により、クリーニングに大きな効果をもたらす。
スガス導入口でのデポダストが多くなるため、成膜用と
エッチング用のプロセスガス導入口が対向していること
により、クリーニングに大きな効果をもたらす。
【００６７】
【発明の効果】以上の説明のように、本発明のプラズマ
処理装置によれば、線形処理部の基板の搬送方向におけ
る前方に第１の排気口を有し、後方に第２の排気口を有
することにより、基板搬送の往路と復路とでそれぞれプ
ラズマ処理を行うことができ、処理時間を短くすること
ができる。
処理装置によれば、線形処理部の基板の搬送方向におけ
る前方に第１の排気口を有し、後方に第２の排気口を有
することにより、基板搬送の往路と復路とでそれぞれプ
ラズマ処理を行うことができ、処理時間を短くすること
ができる。
【００６８】さらに、第１の排気口と第２の排気口とが
線形処理部を軸として非対称に設置されていることによ
り、基板搬送の往路と復路とで異なるプラズマ処理を行
うことができ、膜質の異なる２層を１回の真空引きで短
時間に成膜することができる。
線形処理部を軸として非対称に設置されていることによ
り、基板搬送の往路と復路とで異なるプラズマ処理を行
うことができ、膜質の異なる２層を１回の真空引きで短
時間に成膜することができる。
【００６９】さらに、反応種を生成するためのプラズマ
生成用ガス導入口とプロセスガス導入口とが、それぞれ
２つ以上設けられていることにより、基板搬送の往路と
復路とで異なるプラズマ処理を行うことができ、異なる
２層の成膜、異なる２層のエッチング、または成膜とエ
ッチングとを１回の真空引きで短時間に行うことができ
る。
生成用ガス導入口とプロセスガス導入口とが、それぞれ
２つ以上設けられていることにより、基板搬送の往路と
復路とで異なるプラズマ処理を行うことができ、異なる
２層の成膜、異なる２層のエッチング、または成膜とエ
ッチングとを１回の真空引きで短時間に行うことができ
る。
【００７０】また、本発明のプラズマ処理装置によれ
ば、基板を搬送する往路と復路とでそれぞれプラズマ処
理が可能なことにより、処理時間を短くすることができ
る。
ば、基板を搬送する往路と復路とでそれぞれプラズマ処
理が可能なことにより、処理時間を短くすることができ
る。
【００７１】さらに、往路と復路とで異なったプラズマ
処理を行うことにより、膜質の異なる２層または異なる
２層を１回の真空引きで短時間に成膜したり、異なる２
層のエッチングを１回の真空引きで短時間に行うことが
できる。
処理を行うことにより、膜質の異なる２層または異なる
２層を１回の真空引きで短時間に成膜したり、異なる２
層のエッチングを１回の真空引きで短時間に行うことが
できる。
【００７２】さらに、往路のプラズマ処理が成膜であ
り、復路のプラズマ処理がエッチングであることによ
り、成膜とエッチングとを１回の真空引きで短時間に行
うことができる。
り、復路のプラズマ処理がエッチングであることによ
り、成膜とエッチングとを１回の真空引きで短時間に行
うことができる。
【００７３】さらに、エッチングが成膜された膜の膜厚
を均一にするための処理であることにより、ＣＶＤ等の
成膜では得ることのできない膜厚の均一性を得ることが
できる。
を均一にするための処理であることにより、ＣＶＤ等の
成膜では得ることのできない膜厚の均一性を得ることが
できる。
【００７４】さらに、エッチングが装置内部をクリーニ
ングするための処理であることにより、装置のメンテナ
ンスを要するまでの成膜回数を増やすことができ、生産
効率を高めることができる。
ングするための処理であることにより、装置のメンテナ
ンスを要するまでの成膜回数を増やすことができ、生産
効率を高めることができる。
【図１】本発明に係る第１のプラズマ処理装置のプロセ
スチャンバの断面図である。
スチャンバの断面図である。
【図２】本発明に係る第２のプラズマ処理装置のプロセ
スチャンバの断面図である。
スチャンバの断面図である。
【図３】本発明に係る第３のプラズマ処理装置のプロセ
スチャンバの断面図である。
スチャンバの断面図である。
【図４】図３におけるプロセスガス導入口付近を下方か
ら見た断面図である。
ら見た断面図である。
１ ヒータ ２ ステージ ３ａ 第１の排気口 ３ｂ 第２の排気口 ４ 空間 ４ａ 第１の空間 ４ｂ 第２の空間 ５ 窓 ６ レゾネータ ７ プラズマ生成用ガス導入口 ７ａ 第１のプラズマ生成用ガス導入口 ７ｂ 第２のプラズマ生成用ガス導入口 ８ プロセスガス導入口 ８ａ 第１のプロセスガス導入口 ８ｂ 第２のプロセスガス導入口 ９ 基板 １０ 第２の排気口の最外部 １１ 第１の排気口の最外部 １２ａ 第１のスリットバルブ １２ｂ 第２のスリットバルブ １３ 排気系 １３ａ 第１の排気系 １３ｂ 第２の排気系 １４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ、１４ｅ ガスライン １５、１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄ、１５ｅ マス
フローコントローラ １６ チャンバ壁
フローコントローラ １６ チャンバ壁
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０５Ｈ 1/46 Ａ Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ Ｆターム(参考） 4K030 AA06 AA14 CA04 CA12 DA06 DA08 EA03 EA11 FA01 GA12 KA08 4K057 DC01 DD01 DE14 DG07 DM28 DM36 DN01 5F004 AA01 BA20 BB13 BC03 BC06 DA23 DB01 DB03 FA08 5F045 AA08 AB02 AB32 AC01 AC11 AC17 DP01 EB06 EF01 EF20 EH01 EN05 HA13 HA22
Claims (8)
- 【請求項１】 基板を搬送しながら基板の搬送方向に交
わるように延びた線形の反応種によって基板に各種のプ
ラズマ処理を行う線形処理部を備えたプラズマ処理装置
において、 前記線形処理部の基板の搬送方向における前方に第１の
排気口を有し、後方に第２の排気口を有することを特徴
とするプラズマ処理装置。 - 【請求項２】 前記第１の排気口と前記第２の排気口と
は、前記線形処理部を軸として非対称に設置されている
ことを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項３】 反応種を生成するためのプラズマ生成用
ガス導入口とプロセスガス導入口とが、それぞれ２つ以
上設けられていることを特徴とする請求項１または請求
項２記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項４】 基板を搬送しながら基板の搬送方向に交
わるように延びた線形の反応種によって基板に各種のプ
ラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、 基板を搬送する往路と復路とでそれぞれプラズマ処理が
可能なことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項５】 前記往路と前記復路とで異なったプラズ
マ処理を行うことを特徴とする請求項４記載のプラズマ
処理装置。 - 【請求項６】 前記往路のプラズマ処理が成膜であり、
前記復路のプラズマ処理がエッチングであることを特徴
とする請求項５記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項７】 前記エッチングは、成膜された膜の膜厚
を均一にするための処理であることを特徴とする請求項
６記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項８】 前記エッチングは、装置内部をクリーニ
ングするための処理であることを特徴とする請求項６ま
たは請求項７記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11218293A JP2001044188A (ja) | 1999-08-02 | 1999-08-02 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11218293A JP2001044188A (ja) | 1999-08-02 | 1999-08-02 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001044188A true JP2001044188A (ja) | 2001-02-16 |
Family
ID=16717574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11218293A Pending JP2001044188A (ja) | 1999-08-02 | 1999-08-02 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001044188A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102421938A (zh) * | 2009-05-15 | 2012-04-18 | 株式会社岛津制作所 | 表面波等离子体cvd设备以及成膜方法 |
| US8776334B2 (en) | 2004-12-24 | 2014-07-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric thin film resonator and manufacturing method thereof |
-
1999
- 1999-08-02 JP JP11218293A patent/JP2001044188A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8776334B2 (en) | 2004-12-24 | 2014-07-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric thin film resonator and manufacturing method thereof |
| CN102421938A (zh) * | 2009-05-15 | 2012-04-18 | 株式会社岛津制作所 | 表面波等离子体cvd设备以及成膜方法 |
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