JPS59177919A - 薄膜の選択成長法 - Google Patents
薄膜の選択成長法Info
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- JPS59177919A JPS59177919A JP5046883A JP5046883A JPS59177919A JP S59177919 A JPS59177919 A JP S59177919A JP 5046883 A JP5046883 A JP 5046883A JP 5046883 A JP5046883 A JP 5046883A JP S59177919 A JPS59177919 A JP S59177919A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
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- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は集積回路製造工程において基板表面上の薄膜材
質の違いによシ薄膜を所定の部分に選択的に成長させる
方法に関するものである。
質の違いによシ薄膜を所定の部分に選択的に成長させる
方法に関するものである。
（従来技術）
薄膜を試料基板表面上の特定の部分のみに成長させる方
法として従来までに以下に述べる方法が報告されている
。
法として従来までに以下に述べる方法が報告されている
。
（１）、Ｓ１単結晶基板表面上の二酸化シリコン又は窒
化シリコン薄膜を開孔し、熱分解によるＯＶＤ法、又は
分子線によるＰＶＤ法によシ単結晶シリコンの露出した
部分のみに単結晶シリコンを成長させる選択エピタキシ
ャル法。
化シリコン薄膜を開孔し、熱分解によるＯＶＤ法、又は
分子線によるＰＶＤ法によシ単結晶シリコンの露出した
部分のみに単結晶シリコンを成長させる選択エピタキシ
ャル法。
（２）、加熱されたテフロン上には金属が蒸着されにく
いことを利用した選択蒸着。
いことを利用した選択蒸着。
（３）、シリコン単結晶表面上に金、シリコン等の合金
液滴を作シ、シリコンの気相から液滴の下部にのみＳ１
単結晶を成長させるＶＬＳ （Ｖａｐｏｒ −Ｌｉｑｕ
ｉｄ −５ｏｌｉｄ ）法。
液滴を作シ、シリコンの気相から液滴の下部にのみＳ１
単結晶を成長させるＶＬＳ （Ｖａｐｏｒ −Ｌｉｑｕ
ｉｄ −５ｏｌｉｄ ）法。
（４）、電気化学的方法で導体上のみに金属を選択的に
メッキする方法。
メッキする方法。
等が提案されている。これらはすべて単結晶又は多結晶
の金属又は半導体の薄膜の選択成長である。
の金属又は半導体の薄膜の選択成長である。
又今日までの非晶質または多結晶の無機絶縁薄膜の堆積
は基板表面上の材質にかかわらず全面に堆積させるもの
で、基板表面材質の差によって特定の材料の上にのみ選
択的に絶縁薄膜を成長させた例は提案されていない。
は基板表面上の材質にかかわらず全面に堆積させるもの
で、基板表面材質の差によって特定の材料の上にのみ選
択的に絶縁薄膜を成長させた例は提案されていない。
（発明の目的）
本発明は上記の欠点を改善するために提案されたもので
、試料基板上の材質の異なる場所で、それぞれ異なる表
面反応を同時におこさせ、特定の材質上では薄膜の堆積
、他の材質上では薄膜の堆積が起きないか、又はエツチ
ングを起こすことを特徴とする薄膜の選択成長方法であ
シ、半導体集積回路製造プロセスの大幅な簡略化と新デ
バイスの開発に利用することを目的とする。
、試料基板上の材質の異なる場所で、それぞれ異なる表
面反応を同時におこさせ、特定の材質上では薄膜の堆積
、他の材質上では薄膜の堆積が起きないか、又はエツチ
ングを起こすことを特徴とする薄膜の選択成長方法であ
シ、半導体集積回路製造プロセスの大幅な簡略化と新デ
バイスの開発に利用することを目的とする。
（発明の構成）
上記の目的を達成するため、本発明は半導体基板の表面
の一部に前記半導体基板と材質の異なる第１の膜が形成
されている試料をプラズマ励起装置の反応室内で加熱し
、前記半導体基板ないしは前記第１の膜のいずれか一方
を選択的にエツチングするプラズマ成分と、第２の膜の
構成元素のプラズマ成分とを励起して、前記半導体基板
ないしは前記第１の膜のいずれか一方の表面に第２の膜
を選択的に成長させることを特徴とする薄膜の選択成長
方法を発明の要旨とするものである。
の一部に前記半導体基板と材質の異なる第１の膜が形成
されている試料をプラズマ励起装置の反応室内で加熱し
、前記半導体基板ないしは前記第１の膜のいずれか一方
を選択的にエツチングするプラズマ成分と、第２の膜の
構成元素のプラズマ成分とを励起して、前記半導体基板
ないしは前記第１の膜のいずれか一方の表面に第２の膜
を選択的に成長させることを特徴とする薄膜の選択成長
方法を発明の要旨とするものである。
さらに本発明は半導体基板上に少くとも２種類の膜が形
成されている試料をプラズマ励起装置の（５） 反応室内で加熱し、前記の２種類の膜のいずれか一方を
選択的にエツチングするプラズマ成分と、前記の２種類
の膜の中の他方の構成元素のプラズマ成分とを励起して
、前記の膜のいずれか一方の表面に、前記の半導体基板
上に形成されている一方の膜と同じ材質の薄膜又は異な
る材質の薄膜を選択的に成長させることを特徴とする薄
膜の選択成長法を発明の要旨とするものである。
成されている試料をプラズマ励起装置の（５） 反応室内で加熱し、前記の２種類の膜のいずれか一方を
選択的にエツチングするプラズマ成分と、前記の２種類
の膜の中の他方の構成元素のプラズマ成分とを励起して
、前記の膜のいずれか一方の表面に、前記の半導体基板
上に形成されている一方の膜と同じ材質の薄膜又は異な
る材質の薄膜を選択的に成長させることを特徴とする薄
膜の選択成長法を発明の要旨とするものである。
さらに本発明は半導体基板の表面の一部に前記半導体基
板と材質の異なる第１の膜が形成されている試料を反応
室内に置き、前記半導体基板ないしは前記第１の膜のい
ずれか一方を選択的にエツチングする第１のガスと、第
２の膜を成長させるのに必要となる元素を含んだ第２の
ガスとを前記反応室に導入し、前記第１及び第２のガス
の分解反応及び電子的励起を生じさせる光照射ないしは
光照射と加熱をおこなって前記半導体基板ないしは前記
第１の膜のいずれか一方の表面に第２の膜を選択的に成
長させることを特徴とする薄膜の選択成長方法を発明の
要旨とするものである。
板と材質の異なる第１の膜が形成されている試料を反応
室内に置き、前記半導体基板ないしは前記第１の膜のい
ずれか一方を選択的にエツチングする第１のガスと、第
２の膜を成長させるのに必要となる元素を含んだ第２の
ガスとを前記反応室に導入し、前記第１及び第２のガス
の分解反応及び電子的励起を生じさせる光照射ないしは
光照射と加熱をおこなって前記半導体基板ないしは前記
第１の膜のいずれか一方の表面に第２の膜を選択的に成
長させることを特徴とする薄膜の選択成長方法を発明の
要旨とするものである。
（６）
次に本発明の実施例を添附図面について説明する。なお
実施例は一つの例示であって、本発明の精神を逸脱しな
い範囲で、種々の変更あるいは改良を行いうろことは云
うまでもない。
実施例は一つの例示であって、本発明の精神を逸脱しな
い範囲で、種々の変更あるいは改良を行いうろことは云
うまでもない。
本発明の実施例として酸化膜の選択堆積を容量結合型プ
ラズマ励起と試料基板加熱によシ行う装置を第１図（ａ
ｌ ｌ （ｂｌ Ｉ （Ｑ）に示す。第１図（１）は基
板加熱を抵抗加熱によって行う装置、（ｂ）はランプ加
熱、（Ｑ）は反応管の周囲に巻いたコイルによる高周波
誘導加熱、又はカンタルヒータによる加熱である。
ラズマ励起と試料基板加熱によシ行う装置を第１図（ａ
ｌ ｌ （ｂｌ Ｉ （Ｑ）に示す。第１図（１）は基
板加熱を抵抗加熱によって行う装置、（ｂ）はランプ加
熱、（Ｑ）は反応管の周囲に巻いたコイルによる高周波
誘導加熱、又はカンタルヒータによる加熱である。
図において１はＲＦ電源、２はカソード、３は、５ｉｎ
２ターゲツト、４はガス導入管、５はエツチング及び堆
積用ガス、６は試料加熱用の基板、７は試料、８はアノ
ード、９は加熱用ランプ、１０は高周波誘導加熱コイル
又はカンタルヒータを示す。
２ターゲツト、４はガス導入管、５はエツチング及び堆
積用ガス、６は試料加熱用の基板、７は試料、８はアノ
ード、９は加熱用ランプ、１０は高周波誘導加熱コイル
又はカンタルヒータを示す。
しかして、容量結合型プラズマ励起装置のカソード側に
８１０２ターゲツトを置きアノード側に試料を置く。使
用する試料としては例えば第２図（ａ）に示したように
８１単結晶を熱酸化又はＯＶＤ ５ｉｎ２膜を形成し、
その後酸化膜の一部をエツチングによシとシさったもの
を用いる（第２図（ｂ）参照）。図において、１１は酸
化膜、１２はＳ１単結晶、１３は選択堆積された薄膜を
示す。
８１０２ターゲツトを置きアノード側に試料を置く。使
用する試料としては例えば第２図（ａ）に示したように
８１単結晶を熱酸化又はＯＶＤ ５ｉｎ２膜を形成し、
その後酸化膜の一部をエツチングによシとシさったもの
を用いる（第２図（ｂ）参照）。図において、１１は酸
化膜、１２はＳ１単結晶、１３は選択堆積された薄膜を
示す。
薄膜の形成及び基板のエツチングを行うガスとして例え
ば５１ｃｉ４及びＡｒを導入し、圧力をそれぞれＩＰａ
、９Ｐａにした後高周波を印加すると、カソード側５１
０２は公知の反応性スパッタエツチングによシ分解され
、酸素及び５１１１子が反応室中に供給される。基板温
度が５０°Ｃでは下地材料にかかわらず酸化膜が堆積さ
れる。基板をＺｏｏ力〜３００゜Ｃ程度に加熱すると、
５１０２上では酸化膜の堆積が見られるのに対し、Ｓｉ
上では酸化膜の堆積は見られずエツチングが起きる。第
２図（ｂ）に選択堆積後の試料断面図を示し、第３図に
選択堆積の基板温度依存性の一例を示す。試料温度が２
５０℃の時、試料表面の５１０２上では約ｔｏＸ／、、
で酸化膜の堆積が起こり、一方Ｓｉ上では約１ ＯＡ／
ｍでエツチングが起きていることがわかる。又１５０
°Ｃ以下では全面堆積が起きる。上記の方法は酸化膜形
成に必要な酸素供給はカソード側５１０２のスパッタに
よシ得られたが、外部から酸素を導入する方法もある。
ば５１ｃｉ４及びＡｒを導入し、圧力をそれぞれＩＰａ
、９Ｐａにした後高周波を印加すると、カソード側５１
０２は公知の反応性スパッタエツチングによシ分解され
、酸素及び５１１１子が反応室中に供給される。基板温
度が５０°Ｃでは下地材料にかかわらず酸化膜が堆積さ
れる。基板をＺｏｏ力〜３００゜Ｃ程度に加熱すると、
５１０２上では酸化膜の堆積が見られるのに対し、Ｓｉ
上では酸化膜の堆積は見られずエツチングが起きる。第
２図（ｂ）に選択堆積後の試料断面図を示し、第３図に
選択堆積の基板温度依存性の一例を示す。試料温度が２
５０℃の時、試料表面の５１０２上では約ｔｏＸ／、、
で酸化膜の堆積が起こり、一方Ｓｉ上では約１ ＯＡ／
ｍでエツチングが起きていることがわかる。又１５０
°Ｃ以下では全面堆積が起きる。上記の方法は酸化膜形
成に必要な酸素供給はカソード側５１０２のスパッタに
よシ得られたが、外部から酸素を導入する方法もある。
外部から酸素ガスを導入した場合の堆積速度及びエツチ
ング速度の一例を第４図に示す。外部から酸素を導入す
ることによシ選択堆積速度の剤犬及び選択エツチング速
度の減少を図ることができる。
ング速度の一例を第４図に示す。外部から酸素を導入す
ることによシ選択堆積速度の剤犬及び選択エツチング速
度の減少を図ることができる。
以上述べた選択堆積の実験結果を整理すると次のように
なる。試料表面の特定の材料をエツチングするガス及び
他の特定の材料の表面上では膜の堆積が起こるガスを反
応装置へ導入し、減圧下でこれらのガスを励起すること
によシ薄膜の選択成長を行うことが出来る。従って本原
理を使うことによｐ ｓｔｏ□膜以外の薄膜の選択成長
を行うことが可能となる。これよシ反応ガスとして例え
ばＳｉＨ４とｃｔ、と０２を導入した場合も酸化股上で
は酸化膜の堆積、Ｓｉ上においてはエツチングの反応を
起こし、選択堆積を行うことができる。
なる。試料表面の特定の材料をエツチングするガス及び
他の特定の材料の表面上では膜の堆積が起こるガスを反
応装置へ導入し、減圧下でこれらのガスを励起すること
によシ薄膜の選択成長を行うことが出来る。従って本原
理を使うことによｐ ｓｔｏ□膜以外の薄膜の選択成長
を行うことが可能となる。これよシ反応ガスとして例え
ばＳｉＨ４とｃｔ、と０２を導入した場合も酸化股上で
は酸化膜の堆積、Ｓｉ上においてはエツチングの反応を
起こし、選択堆積を行うことができる。
次に高周波誘導型でプラズマを発生させる方法により同
様の反応が起きる誘導型の励起を用いた装置を第５図（
ａ） ＋ （ｂ） ＋ （ｃ）に示す。基板の加熱法に
関して（ａ） ｒ （ｂ） ＋ ｆＣｌはそれぞれ抵抗
加熱、ランプ加（９） 熱、および高周波加熱による装置を示す。図において２
１はガス吹き出し管、２２はＲＦコイル、２３は試料、
２４は試料加熱用基板、２５はエツチング及び薄膜堆積
用ガス、２６は加熱用ランプ、２７は試料基板を示す。
様の反応が起きる誘導型の励起を用いた装置を第５図（
ａ） ＋ （ｂ） ＋ （ｃ）に示す。基板の加熱法に
関して（ａ） ｒ （ｂ） ＋ ｆＣｌはそれぞれ抵抗
加熱、ランプ加（９） 熱、および高周波加熱による装置を示す。図において２
１はガス吹き出し管、２２はＲＦコイル、２３は試料、
２４は試料加熱用基板、２５はエツチング及び薄膜堆積
用ガス、２６は加熱用ランプ、２７は試料基板を示す。
上で述べたように高周波プラズマによるガスの分解、励
起及び試料表面上の材質の違いによる励起ガスとの反応
の速度差を基板加熱によって顕著にすることによシ選択
堆積を行うことができる。以下に各種薄膜の選択堆積の
一例を示す。Ｓｉ３Ｎ４膜の選択堆積を行う時には第１
図（ａ）のＥｌｉＯ□ターゲットのかわ）にＳｉ３Ｎ４
ターゲットを使用し、外部から５ｔｃｚ、 、 ＯＪ−
□ガスを導入し、試料基板として、薄膜の堆積される表
面は５１０２又は”’３Ｎ４ ＊エツチングされる表面
としてＳｌを用いる。ＡＪ、Ｏ，、Ａｌ−Ｈの選択堆積
を行う場合には第１図のＳｉＯ□ターゲットをそれぞれ
ＡＪ２０３． ＡＪＮに変えると共に試料基板上エツチ
ングされる表面としてＡ１薄膜の堆積される表面として
ＳｉＯ□＋ ””２０、 、 ＡＪＮのいずれかを用い
る。更に導入ガスとして）Ｊ、ＣＪ、を用いる。ＥＩｉ
Ｏの場合には５ＩＣＪ−４ガスを（１０） 反応室に導入するとともにカーボンターゲット又はＳｉ
Ｃターゲットを用い試料基板上エツチングされる表面と
して８１又ＳｉＯ薄膜の堆積される表面としてｓｉｃま
たはＳｉ３Ｎ４を用いる。
起及び試料表面上の材質の違いによる励起ガスとの反応
の速度差を基板加熱によって顕著にすることによシ選択
堆積を行うことができる。以下に各種薄膜の選択堆積の
一例を示す。Ｓｉ３Ｎ４膜の選択堆積を行う時には第１
図（ａ）のＥｌｉＯ□ターゲットのかわ）にＳｉ３Ｎ４
ターゲットを使用し、外部から５ｔｃｚ、 、 ＯＪ−
□ガスを導入し、試料基板として、薄膜の堆積される表
面は５１０２又は”’３Ｎ４ ＊エツチングされる表面
としてＳｌを用いる。ＡＪ、Ｏ，、Ａｌ−Ｈの選択堆積
を行う場合には第１図のＳｉＯ□ターゲットをそれぞれ
ＡＪ２０３． ＡＪＮに変えると共に試料基板上エツチ
ングされる表面としてＡ１薄膜の堆積される表面として
ＳｉＯ□＋ ””２０、 、 ＡＪＮのいずれかを用い
る。更に導入ガスとして）Ｊ、ＣＪ、を用いる。ＥＩｉ
Ｏの場合には５ＩＣＪ−４ガスを（１０） 反応室に導入するとともにカーボンターゲット又はＳｉ
Ｃターゲットを用い試料基板上エツチングされる表面と
して８１又ＳｉＯ薄膜の堆積される表面としてｓｉｃま
たはＳｉ３Ｎ４を用いる。
次に高周波誘導型でプラズマを発生させる方法によシ同
様の反応が起きる誘導型の励起を用いた装置を第５図（
ａ） Ｉ （ｂ） ｌ （０）に示す。基板の加熱法に
関して第５図ｋ） ｔ （ｂ） ｒ （ｃ）はそれぞれ
抵抗加熱、ランプ加熱、および高周波加熱による方法で
ある。
様の反応が起きる誘導型の励起を用いた装置を第５図（
ａ） Ｉ （ｂ） ｌ （０）に示す。基板の加熱法に
関して第５図ｋ） ｔ （ｂ） ｒ （ｃ）はそれぞれ
抵抗加熱、ランプ加熱、および高周波加熱による方法で
ある。
第６図に本発明の他の実施例を示す。
図において３１はシリコン基板で、３２は該シリコン基
板に設けられた溝で、この溝の内側にはＳｉ、Ｎ４３３
が形成されておシ、この溝の部分を除いてシリコン基板
の表面にはＳｉＯ□３４．ポリシリコン３５が形成され
ている。さてこの試料をターゲットとして５１０２を用
い、さらに５ｉＯＪ４及びＯ３を含むガスを用いてプラ
ズマ励起装置内で、前述と同様に処理することによりポ
リシリコンは僅かにエツチングされ、溝３２の内部にの
みＳｉｎ、３６を堆積することができる。なお場合によ
ってはターゲットを使用しないでもよい。又５ｉ３Ｎ４
３３の代シに５１０２を用いることもできる。
板に設けられた溝で、この溝の内側にはＳｉ、Ｎ４３３
が形成されておシ、この溝の部分を除いてシリコン基板
の表面にはＳｉＯ□３４．ポリシリコン３５が形成され
ている。さてこの試料をターゲットとして５１０２を用
い、さらに５ｉＯＪ４及びＯ３を含むガスを用いてプラ
ズマ励起装置内で、前述と同様に処理することによりポ
リシリコンは僅かにエツチングされ、溝３２の内部にの
みＳｉｎ、３６を堆積することができる。なお場合によ
ってはターゲットを使用しないでもよい。又５ｉ３Ｎ４
３３の代シに５１０２を用いることもできる。
第７図に本発明の他の実施例を示す。
いままで説明してきた実施例では、選択成長させる薄膜
として絶縁性薄膜を成長させる場合について説明したが
、薄膜としては金属性薄膜例えばＡＪ 、 Ｗ 、 Ｍ
Ｏなどを選択成長せしめることも可能である。図におい
て４１はシリコン基板であシ、該シリコン基板上にＥＩ
ｉ０２４３ 、ポリシリコン４２を形成せしめた試料を
用い、ターゲットとしてＷを用い、さらにＷＦ６又はｗ
ａ４６のガスを用いて前述と同じように操作することに
より、ＳｉＯ□４３上にタングステンの薄膜４４を堆積
せしめることができる。
として絶縁性薄膜を成長させる場合について説明したが
、薄膜としては金属性薄膜例えばＡＪ 、 Ｗ 、 Ｍ
Ｏなどを選択成長せしめることも可能である。図におい
て４１はシリコン基板であシ、該シリコン基板上にＥＩ
ｉ０２４３ 、ポリシリコン４２を形成せしめた試料を
用い、ターゲットとしてＷを用い、さらにＷＦ６又はｗ
ａ４６のガスを用いて前述と同じように操作することに
より、ＳｉＯ□４３上にタングステンの薄膜４４を堆積
せしめることができる。
なお高周波プラズマによるガスの分解反応のかわりに光
照射によるガスの分解反応を用いること、及び試料加熱
のかわシに上記の光照射または別種の光源による光照射
によシ試料表面の電子的励起を行ない、試料表面の材質
の違いＫよる励起ガスとの反応速度の差を顕著にするこ
とができる。従つて光とプラズマ、光と熱、光とプラズ
マと熱、光のみ、または二種以上の光を励起源とした選
択堆積もできる。具体的にはガスの分解反応の一例とし
てジシラン及び塩素ガスを水銀ランプによって分解する
ことがあげられる。また試料表面の電子的励起の一例と
して日１表面へのＨｅ放電光の照射があげられる。
照射によるガスの分解反応を用いること、及び試料加熱
のかわシに上記の光照射または別種の光源による光照射
によシ試料表面の電子的励起を行ない、試料表面の材質
の違いＫよる励起ガスとの反応速度の差を顕著にするこ
とができる。従つて光とプラズマ、光と熱、光とプラズ
マと熱、光のみ、または二種以上の光を励起源とした選
択堆積もできる。具体的にはガスの分解反応の一例とし
てジシラン及び塩素ガスを水銀ランプによって分解する
ことがあげられる。また試料表面の電子的励起の一例と
して日１表面へのＨｅ放電光の照射があげられる。
（発明の効果）
以上説明したように本発明によれば薄膜を所定の材質上
のみに選択的に成長させることができるため、集積回路
製造技術において従来基板全面に薄膜を堆積した後に加
工を行っていた工程を大幅に簡略化することが可能であ
υ、素子分離、層間絶縁用薄膜形成法として広く応用で
きる利点がある。
のみに選択的に成長させることができるため、集積回路
製造技術において従来基板全面に薄膜を堆積した後に加
工を行っていた工程を大幅に簡略化することが可能であ
υ、素子分離、層間絶縁用薄膜形成法として広く応用で
きる利点がある。
第１図は容量結合型の選択堆積装置、第２図は本発明に
用いられる試料、第３図は選択堆積の場合の温度依存性
、第４図は選択堆積の外部から導入された０２量に対す
る依存性、第５図は誘導型の（１３） 選択堆積装置、第６図及び第７図は本発明の他の実施例
を示す。 １・・・ＲＦ［源、２・・・カソード、３・・・５ｉｎ
２ターゲツト、４・・・ガス導入管、５・・・エツチン
グ及び堆積用ガス、６・・・試料加熱基板、７・・・試
料、８・・・アノード、９・・・加熱用ランプ、１０・
・・高周波誘導用加熱コイル又はカンタルヒーター、工
１・・・酸化膜、１２・・・Ｓ１単結晶、１３・・・選
択堆積された薄膜、２１・・・ガス吹出し管、２２・・
・ＲＦコイル、２３・・・試料、２４・・・試料加熱用
基板、２５・・・エツチング及び薄膜堆積用ガス、２６
・・・加熱用ランプ、２７・・・試料基板、３１・・・
シリコン基板、３２・・・溝、３３・・・Ｓｉ、Ｎ、、
３４・・・Ｓｉｏ□、４１・・・シリコン基板、４２・
・・ポリシリコン、４３・・・ＳｉＯ□、４４・・・タ
ングステンの薄膜、３５・・・ポリシリコン 特許出願人 （１４） 遥、ｉ（’Ｃ） ”＠ ”ｓｒ−ｎ１１Ｗ／ｒｍ’ 顔１ハ合割８ （ｃｃ／ｍｉｎ） 第６図 第７図 ｔ
用いられる試料、第３図は選択堆積の場合の温度依存性
、第４図は選択堆積の外部から導入された０２量に対す
る依存性、第５図は誘導型の（１３） 選択堆積装置、第６図及び第７図は本発明の他の実施例
を示す。 １・・・ＲＦ［源、２・・・カソード、３・・・５ｉｎ
２ターゲツト、４・・・ガス導入管、５・・・エツチン
グ及び堆積用ガス、６・・・試料加熱基板、７・・・試
料、８・・・アノード、９・・・加熱用ランプ、１０・
・・高周波誘導用加熱コイル又はカンタルヒーター、工
１・・・酸化膜、１２・・・Ｓ１単結晶、１３・・・選
択堆積された薄膜、２１・・・ガス吹出し管、２２・・
・ＲＦコイル、２３・・・試料、２４・・・試料加熱用
基板、２５・・・エツチング及び薄膜堆積用ガス、２６
・・・加熱用ランプ、２７・・・試料基板、３１・・・
シリコン基板、３２・・・溝、３３・・・Ｓｉ、Ｎ、、
３４・・・Ｓｉｏ□、４１・・・シリコン基板、４２・
・・ポリシリコン、４３・・・ＳｉＯ□、４４・・・タ
ングステンの薄膜、３５・・・ポリシリコン 特許出願人 （１４） 遥、ｉ（’Ｃ） ”＠ ”ｓｒ−ｎ１１Ｗ／ｒｍ’ 顔１ハ合割８ （ｃｃ／ｍｉｎ） 第６図 第７図 ｔ
Claims (6)
- （１）半導体基板の表面の一部に前記半導体基板と材質
の異なる第１の膜が形成されている試料をプラズマ励起
装置の反応室内で加熱し、前記半導体基板ないしは前記
第１の膜のいずれか一方を選択的にエツチングするプラ
ズマ成分と、第２の膜の構成元素のプラズマ成分とを励
起して、前記半導体基板ないしは前記第１の膜のいずれ
か一方の表面に第２の膜を選択的に成長させることを特
徴とする薄膜の選択成長す法。 - （２） 前記エツチングするプラズマ成分と前記第２の
膜の構成元素のプラズマ成分とは前記プラズマ励起装置
の外部から導入するガスをプラズマ化して生成すること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜の選択成
長轡法。 - （３）前記プラズマ励起装置としては、容量結合型プラ
ズマ励起装置を用い、前記第２の膜の構成元素の少なく
とも一部の元素を含む材質でなるスパッタ用ターゲット
をカソード側に置いて、前記第２の膜の構成元素の少な
くとも一部の元素のプラズマ成分を前記スパッタ用ター
ゲットをスパッタすることで生成することを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の薄膜の選択成長秀法。 - （４）前記プラズマ励起装置の反応室に光を照射しなが
ら第２の膜を成長させることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の薄膜の選択成長方法。 - （５）半導体基板上に少なくとも２種類の膜が形成され
ている試料をプラズマ励起装置樅の反応室内で加熱し、
前記の２種類の膜のいずれか一方を選択的にエツチング
するプラズマ成分と、前記の２種類の膜の中の他方の構
成元素のプラズマ成分とを励起して、前記の膜のいずれ
か一方の表面に、前記の半導体基板上に形成されている
一方の膜と同じ材質の薄膜又は異なる材質の薄膜を選択
的に成長させることを特徴とする薄膜の選択成長法。 - （６）半導体基板の表面の一部に前記半導体基板と材質
の異なる第１の膜が形成されている試料を反応室内に置
き、前記半導体基板ないしは前記第１の膜のいずれか一
方を選択的にエツチングする第１のガスと、第２の膜を
成長させるのに必要となる元素を富んだ第２のガスとを
前記反応室に導入し、前記第１及び第２のガスの分解反
応及び電子的励起を生じさせる光照射ないしは光照射と
加熱をおこなって前記半導体基板ないしは前記第１の膜
のいずれか一方の表面に第２の膜を選択的に成長させる
ことを特徴とする渦膜の選択成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5046883A JPS59177919A (ja) | 1983-03-28 | 1983-03-28 | 薄膜の選択成長法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5046883A JPS59177919A (ja) | 1983-03-28 | 1983-03-28 | 薄膜の選択成長法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59177919A true JPS59177919A (ja) | 1984-10-08 |
Family
ID=12859714
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5046883A Pending JPS59177919A (ja) | 1983-03-28 | 1983-03-28 | 薄膜の選択成長法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59177919A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6190421A (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-08 | Canon Inc | 堆積膜形成方法 |
| JPS61248525A (ja) * | 1985-04-26 | 1986-11-05 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS61265819A (ja) * | 1985-05-17 | 1986-11-25 | 日本真空技術株式会社 | 基板乾処理の方法および装置 |
| US6872289B2 (en) * | 1999-03-12 | 2005-03-29 | Anelva Corporation | Thin film fabrication method and thin film fabrication apparatus |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5381095A (en) * | 1976-12-27 | 1978-07-18 | Toshiba Corp | Thin film formation method of semiconductor integrated circuit |
| JPS56124229A (en) * | 1980-03-05 | 1981-09-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of thin film |
| JPS5823434A (ja) * | 1981-08-04 | 1983-02-12 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | アモルフアスシリコン系半導体 |
-
1983
- 1983-03-28 JP JP5046883A patent/JPS59177919A/ja active Pending
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