JPS5823434A - アモルフアスシリコン系半導体 - Google Patents
アモルフアスシリコン系半導体Info
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
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-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はアモルファスシリコン系の半導体、殊に光起電
力素子に関する。
力素子に関する。
シラン（８１Ｈ４）の４プラズマ分解法で得られるアモ
ルファスシリコンは、Ｗ，Ｅ，Ｓｐｅａｒ等によって、
ＰＨ，やＢ，Ｈ，でドープする事によシ、その伝纒度を
大きく変える事ができることが発艶され（１９７６年）
、ＤＪ．Ｃａｒｌｓｏｎ等［よってアモルファスシリマ
ンを用いた太ｌｉ＃ｊ竃．池が賦作（１９７６年）され
て以米注目を集め、アモルファスシリコン薄展太ｌｌｉ
！１を池の効率を数置する研究が活発に行なわれている
。
ルファスシリコンは、Ｗ，Ｅ，Ｓｐｅａｒ等によって、
ＰＨ，やＢ，Ｈ，でドープする事によシ、その伝纒度を
大きく変える事ができることが発艶され（１９７６年）
、ＤＪ．Ｃａｒｌｓｏｎ等［よってアモルファスシリマ
ンを用いた太ｌｉ＃ｊ竃．池が賦作（１９７６年）され
て以米注目を集め、アモルファスシリコン薄展太ｌｌｉ
！１を池の効率を数置する研究が活発に行なわれている
。
これまでの研究によシ、アモルファスシリコン＃膜光電
素子の構造としてはショットキーバリヤー型、ｐｉｎ型
、Ｍ工８型、ヘテロ接合型があシ、そのうち罰三省が高
効率太ｌＩＩ！１電池として有望視されている。すなわ
ちショットキーバリヤー型で５．５−％（Ｄ、１．カー
ルソン＆１９７７年）、ＭＩＢ屋で４．８チ（Ｊ、工、
Ｂ、ウィルソン他、１９７ｇ）、ｐｉｎ型で４．５ ％
（浜用圭弘 １９７ｇ）の変換効率が達成されているＯ ところが、このような索子の製膜において、特に１層の
成長速度が１〜２ム／秒と遅く、この成長速度の遅いこ
とが安価な素子を製造するという点では大きな阻害要因
となっていた。このような欠点を改良する為に反応条件
を変更しようとする種々の試みが゛なされてきた。例え
ば、グルー放１Ｍ、におけるパワーを増大せしめて成長
速度を上けようとする試みがそれである０しかし、パワ
ーを上げればプラズｉによるボンバードメントの影響が
太きくなシ、膜質が悪く力ってしまうのが塊状である（
、Ｔ、 ａ、 Ｋｎｉｇｈｔｓ ：ムｐｐｍ、 Ｐｈ
ｙｓ、 Ｌｅｔｔ、 、 ３５１３１２４４（１９７９
））。また、動作圧力を！１１］整したり、基板温度を
変更したシすることによって、成長速度を上げようとす
る試みもなされたが、いずれ４膜實（特に電気特性）の
低下を招いてしまうという欠点を有していた。
素子の構造としてはショットキーバリヤー型、ｐｉｎ型
、Ｍ工８型、ヘテロ接合型があシ、そのうち罰三省が高
効率太ｌＩＩ！１電池として有望視されている。すなわ
ちショットキーバリヤー型で５．５−％（Ｄ、１．カー
ルソン＆１９７７年）、ＭＩＢ屋で４．８チ（Ｊ、工、
Ｂ、ウィルソン他、１９７ｇ）、ｐｉｎ型で４．５ ％
（浜用圭弘 １９７ｇ）の変換効率が達成されているＯ ところが、このような索子の製膜において、特に１層の
成長速度が１〜２ム／秒と遅く、この成長速度の遅いこ
とが安価な素子を製造するという点では大きな阻害要因
となっていた。このような欠点を改良する為に反応条件
を変更しようとする種々の試みが゛なされてきた。例え
ば、グルー放１Ｍ、におけるパワーを増大せしめて成長
速度を上けようとする試みがそれである０しかし、パワ
ーを上げればプラズｉによるボンバードメントの影響が
太きくなシ、膜質が悪く力ってしまうのが塊状である（
、Ｔ、 ａ、 Ｋｎｉｇｈｔｓ ：ムｐｐｍ、 Ｐｈ
ｙｓ、 Ｌｅｔｔ、 、 ３５１３１２４４（１９７９
））。また、動作圧力を！１１］整したり、基板温度を
変更したシすることによって、成長速度を上げようとす
る試みもなされたが、いずれ４膜實（特に電気特性）の
低下を招いてしまうという欠点を有していた。
本発明者らは膜質の低下をきたさないで薄膜の成長速度
を増大させることを主眼にして鋭意研究努力した結果、
グロー放電分解に際して、好ましくは５０００ム以下の
波長を有する光による光分解反応を補助的に用いること
によシ、実用的な成長速度で、電気的に本光学的にも良
質の薄膜が得られることを見い出した０ しかも、驚くべきことに、ｐ型又はｎ型のアモルファス
シリコン半導体の製膜においては、上記の光を照射する
ことＫよ）ドーピング効率をかなシの程度まで改善でき
ることをも見い出し、本発明を完成するに至った。
を増大させることを主眼にして鋭意研究努力した結果、
グロー放電分解に際して、好ましくは５０００ム以下の
波長を有する光による光分解反応を補助的に用いること
によシ、実用的な成長速度で、電気的に本光学的にも良
質の薄膜が得られることを見い出した０ しかも、驚くべきことに、ｐ型又はｎ型のアモルファス
シリコン半導体の製膜においては、上記の光を照射する
ことＫよ）ドーピング効率をかなシの程度まで改善でき
ることをも見い出し、本発明を完成するに至った。
以下にその詳細を説明する０
不発明のアモルファスシリコン系半導体は、シリコン化
合物又は希釈用ガスと混合されたシリコン化合物の気体
を、容量結合法又は誘導結合法による高周波グロー放電
分解又は直流グロー放電分解するに際して、補助的に後
述の如き光分解反応を用いることにより得られる０シリ
コン化合物としてはシラン（８１Ｈ，）又はその誘導体
、フッ化シラン（５ｉＦ４）又はその誘導体、或いはこ
れらの混合物が主に使用される。シリコン化合物と混合
する希釈用ガスとしては、水素、アルゴン、ヘリウム、
又は炭素の水素若しくは窒素若しくはフッ素化合物、窒
素の水素若しくはフッ素化合物、或はこれらの混合物が
使用される０混合ガス中のシリコン化合物の濃度は、通
常０．５−以上である。勿論、希釈用ガスを使用しなく
ても差支え表い。
合物又は希釈用ガスと混合されたシリコン化合物の気体
を、容量結合法又は誘導結合法による高周波グロー放電
分解又は直流グロー放電分解するに際して、補助的に後
述の如き光分解反応を用いることにより得られる０シリ
コン化合物としてはシラン（８１Ｈ，）又はその誘導体
、フッ化シラン（５ｉＦ４）又はその誘導体、或いはこ
れらの混合物が主に使用される。シリコン化合物と混合
する希釈用ガスとしては、水素、アルゴン、ヘリウム、
又は炭素の水素若しくは窒素若しくはフッ素化合物、窒
素の水素若しくはフッ素化合物、或はこれらの混合物が
使用される０混合ガス中のシリコン化合物の濃度は、通
常０．５−以上である。勿論、希釈用ガスを使用しなく
ても差支え表い。
グロー放電分解の条件は一般に採用されているのと同様
の条件でよく、例えば特開昭５２−１２２４７１号公報
、特開昭５５−６８６８１号公報等に記載されているも
のが採用できる０ グロー放電分解によシアモルファスジリコン、アモルフ
ァスシリコンカーバイド、アモルファスシリコンナイト
ライド又祉これらの混合物から成る半導体（以下、これ
らをすべて含めてアモルファスシリコン系半導体という
）を製造できる訳であるが、周期律表■族の元素でドー
ピングすることによりｐ型のアモルファスシリコン系半
導体を、ま九周期律表マ族の元素でドーピングすること
によ）ｎ型のアモルファスシリコン系半導体を得ること
ができる。
の条件でよく、例えば特開昭５２−１２２４７１号公報
、特開昭５５−６８６８１号公報等に記載されているも
のが採用できる０ グロー放電分解によシアモルファスジリコン、アモルフ
ァスシリコンカーバイド、アモルファスシリコンナイト
ライド又祉これらの混合物から成る半導体（以下、これ
らをすべて含めてアモルファスシリコン系半導体という
）を製造できる訳であるが、周期律表■族の元素でドー
ピングすることによりｐ型のアモルファスシリコン系半
導体を、ま九周期律表マ族の元素でドーピングすること
によ）ｎ型のアモルファスシリコン系半導体を得ること
ができる。
本発明ではｐ層、１層、又はｎ層のうちの少なくとも一
つの層の成長時において、グロー放電とともにシリコン
化合物等を分解し得る光（通常５０００ム以下好ましく
は４２００ム以下の波長で、２０ｍＷ ／ｅＩＩＸ以上
好ましくは５０ｍＷ ／ａｔｅ”以上の強度を有する光
）を照射し、該層、の膜の成長速度を大幅に増大させる
ものである０また、グロー放電を実施する反応器の直前
に前室を設け、これに上記の先を照射するようにしても
よい。
つの層の成長時において、グロー放電とともにシリコン
化合物等を分解し得る光（通常５０００ム以下好ましく
は４２００ム以下の波長で、２０ｍＷ ／ｅＩＩＸ以上
好ましくは５０ｍＷ ／ａｔｅ”以上の強度を有する光
）を照射し、該層、の膜の成長速度を大幅に増大させる
ものである０また、グロー放電を実施する反応器の直前
に前室を設け、これに上記の先を照射するようにしても
よい。
照射する光の波長に関しては５０００ム以下又、その強
度に関しては２０ｍＷ／♂以上であるならば、特に制限
はないが、エネルギーコスト等の経済性並びに光を投入
する窓材料の問題等から、波長に関して＃１７００ム以
上、強度に関しては１０００ Ｗ／ｃｔｎ”以下が好ま
しい。
度に関しては２０ｍＷ／♂以上であるならば、特に制限
はないが、エネルギーコスト等の経済性並びに光を投入
する窓材料の問題等から、波長に関して＃１７００ム以
上、強度に関しては１０００ Ｗ／ｃｔｎ”以下が好ま
しい。
本発明の効果は、電気的特性に代表される膜質を損うこ
となく成長速度を著しく増大できることであシ、更にド
ーピング効率をも改善できるということである。
となく成長速度を著しく増大できることであシ、更にド
ーピング効率をも改善できるということである。
本発明のアモルファスシリコン系半導体は通常のアモル
ファスシリコン系半導体と同様に、太陽電池、光スィッ
チ、光検出器又は感光体材料等に適用できる。このうち
、光起電力素子である太陽電池に適用した場合を例にと
って、本発明の詳細な説明する。
ファスシリコン系半導体と同様に、太陽電池、光スィッ
チ、光検出器又は感光体材料等に適用できる。このうち
、光起電力素子である太陽電池に適用した場合を例にと
って、本発明の詳細な説明する。
本発明の適用が可能な太陽電池は、ｐ層側から太陽光を
照射するタイプ、例えばガラス／透明電極／ｐ−１−ｎ
アモルファスシリコン／アルミニウムの構成のもの、又
はｎｍ＠から太陽光を照射するタイプ、例えばステンレ
ス／ｐ−１−ｎアモルファスシリコン／透明電極の構成
のもの等、柚々のものがある。他の例としては、ｐ層と
透明電極との間に薄い絶縁層をつけたり、薄い金族層を
つけた構造のもの、或はショットキーバリヤー型のもの
、ＭＩＳ型のもの等がある０要は以下に述べる如く、真
性アモルファスシリコンを活性層とする太陽電池であれ
ばいかなる構成のものであってもよい。
照射するタイプ、例えばガラス／透明電極／ｐ−１−ｎ
アモルファスシリコン／アルミニウムの構成のもの、又
はｎｍ＠から太陽光を照射するタイプ、例えばステンレ
ス／ｐ−１−ｎアモルファスシリコン／透明電極の構成
のもの等、柚々のものがある。他の例としては、ｐ層と
透明電極との間に薄い絶縁層をつけたり、薄い金族層を
つけた構造のもの、或はショットキーバリヤー型のもの
、ＭＩＳ型のもの等がある０要は以下に述べる如く、真
性アモルファスシリコンを活性層とする太陽電池であれ
ばいかなる構成のものであってもよい。
使用する基板としては、透明電極（工Ｔｏ 、 ５ｎ０
２等）を蒸着したガラスや高分子フィルム、金属等、通
常の太陽電池の構成に用いられるあらゆる基板が使用可
能である。
２等）を蒸着したガラスや高分子フィルム、金属等、通
常の太陽電池の構成に用いられるあらゆる基板が使用可
能である。
シリコン化合物或は希釈用ガスと混合されたシリコン化
合物をグロー放電分解して得られる約１０−７秒以上の
キャリヤー寿命で約１０”ｃｓ−” ｅＶ−”以下の局
在準位密度及び１０４♂／Ｖ・秒以上の易動度をもつ真
性アモルファスシリコンを１層とし゛、例えばｐ型ドー
プ半導体とｎ型ドープ半導体で接合したｐｉｎ接合構造
にする。ｐｉｎ接合を用いた場合の太陽電池としての代
表的な構成は透明電極／ｐ型アモルファス半４体／ｉ型
アモルファス半導体／ｎ型アモルファス半導体／電極の
構造で、透明電極側から光を照射する。透明電極は工’
ｌ’Ｏや８゜Ｏ癖に８ｎｏ□が好ましく、ガラス基板に
あらかじめ蒸着して用いたりｐ型アモルファス半導体上
に直接蒸着してもよい。太陽光を照射する側のｐ層の厚
みは約３０〜３００Ａ好ましくは５０〜２００Ａ、 ｉ
層の厚みは約２５００〜１００００ムが用いられる。ｎ
層はオーミックコンタクトをとる為の層でもあル厚みは
限定されないが、約１５０〜６００ムが用いられる。
合物をグロー放電分解して得られる約１０−７秒以上の
キャリヤー寿命で約１０”ｃｓ−” ｅＶ−”以下の局
在準位密度及び１０４♂／Ｖ・秒以上の易動度をもつ真
性アモルファスシリコンを１層とし゛、例えばｐ型ドー
プ半導体とｎ型ドープ半導体で接合したｐｉｎ接合構造
にする。ｐｉｎ接合を用いた場合の太陽電池としての代
表的な構成は透明電極／ｐ型アモルファス半４体／ｉ型
アモルファス半導体／ｎ型アモルファス半導体／電極の
構造で、透明電極側から光を照射する。透明電極は工’
ｌ’Ｏや８゜Ｏ癖に８ｎｏ□が好ましく、ガラス基板に
あらかじめ蒸着して用いたりｐ型アモルファス半導体上
に直接蒸着してもよい。太陽光を照射する側のｐ層の厚
みは約３０〜３００Ａ好ましくは５０〜２００Ａ、 ｉ
層の厚みは約２５００〜１００００ムが用いられる。ｎ
層はオーミックコンタクトをとる為の層でもあル厚みは
限定されないが、約１５０〜６００ムが用いられる。
もう一つの代表的な構成は
透明電極／ｎ型アモルファス半導体／１型アモルファス
半導体／ｐ型アモルファス半導体／電極の構造で、透明
電極側から太陽光を照射する。光を照射する餞のｎ層の
厚みは約３０〜３００ム好ましくＦｉ５０〜２００ム、
１層の厚みは２５００〜１００００ムが通常用いられる
。ｐ層の厚みは限定されないが約１５０〜６００ムが用
いられる。透明電極の素材及び蒸着法については前同様
である。
半導体／ｐ型アモルファス半導体／電極の構造で、透明
電極側から太陽光を照射する。光を照射する餞のｎ層の
厚みは約３０〜３００ム好ましくＦｉ５０〜２００ム、
１層の厚みは２５００〜１００００ムが通常用いられる
。ｐ層の厚みは限定されないが約１５０〜６００ムが用
いられる。透明電極の素材及び蒸着法については前同様
である。
次に、実施例によシ本発明の効果について説明するが、
本発明は°以下の実施例により限定されるものではない
。
本発明は°以下の実施例により限定されるものではない
。
対照例
内径１１信の石英反応管を用い基板温度２５０℃にて１
３．５６ＭＨｚの高周波でグロー放電分解を行った。
３．５６ＭＨｚの高周波でグロー放電分解を行った。
１型アモルファスシリコンは水素で希釈したシランを５
Ｔｏｒｒでグロー放電分解して得られた。ｎ型アモル
ファスシリコンは水素で希釈したシランと７オスフイン
（ＰＨ，） （ＰＨ，／ ５１ａ４＝ ０．５モルチ）
を同様にグロー放電分解して得られた。ｎ型アモルファ
スシリコンは水素で希釈したシランとジボラン（ＢｇＨ
ｓ） （Ｂ、Ｈ６／ ｓＩＨ，＝ ０．２モルチ）を同
様にグロー放電分解して得られた。１層の成長速度は１
．８Ａ／秒であった。また、ｐｒｗｌの２０℃における
暗電気伝導度は５Ｘ１０−’（Ω・ｃｍ）−”であった
。
Ｔｏｒｒでグロー放電分解して得られた。ｎ型アモル
ファスシリコンは水素で希釈したシランと７オスフイン
（ＰＨ，） （ＰＨ，／ ５１ａ４＝ ０．５モルチ）
を同様にグロー放電分解して得られた。ｎ型アモルファ
スシリコンは水素で希釈したシランとジボラン（ＢｇＨ
ｓ） （Ｂ、Ｈ６／ ｓＩＨ，＝ ０．２モルチ）を同
様にグロー放電分解して得られた。１層の成長速度は１
．８Ａ／秒であった。また、ｐｒｗｌの２０℃における
暗電気伝導度は５Ｘ１０−’（Ω・ｃｍ）−”であった
。
太陽電池の構成は、２５Ω／口の’ｎｏｍｉ！膜のつい
たガラス基板のＳｎＯ，面上にアモルファスシリコンを
ｐ型、ｉ型、ｎ型の順に成長せしめ最後に３．３鱈のア
ルミニウムを蒸着してＡＭ １ （１００ｍＷ／―１
）のソーラーシュミレータ−で太陽電池特性を調べたｏ
Ｐ層が１３５ム、１層が５００ＯＡ、 ｎ層が５００ム
の厚みを有する太陽電池の％性は短絡電流Ｊｓｃ ＝
１０．３ ｍＡ／ｃｒｎ”、開放電圧Ｖｏｃ ＝０．７
５ｖｏｌｔｓ、変換効率η＝４．６チであった。
たガラス基板のＳｎＯ，面上にアモルファスシリコンを
ｐ型、ｉ型、ｎ型の順に成長せしめ最後に３．３鱈のア
ルミニウムを蒸着してＡＭ １ （１００ｍＷ／―１
）のソーラーシュミレータ−で太陽電池特性を調べたｏ
Ｐ層が１３５ム、１層が５００ＯＡ、 ｎ層が５００ム
の厚みを有する太陽電池の％性は短絡電流Ｊｓｃ ＝
１０．３ ｍＡ／ｃｒｎ”、開放電圧Ｖｏｃ ＝０．７
５ｖｏｌｔｓ、変換効率η＝４．６チであった。
実施例
光分解反応を実施する前室をグロー放電分解反応器の直
前に設置し、これにキセノンランプを光源とする波長３
３００Ａ付近の光（１００ｍＷ／（：♂）を照射する以
外は対照例と同様にした。
前に設置し、これにキセノンランプを光源とする波長３
３００Ａ付近の光（１００ｍＷ／（：♂）を照射する以
外は対照例と同様にした。
１鳩の成長速度は８ム／秒、ｐ層の２０℃における暗電
気伝橢度はｌＸｌ０−＠（Ωｅｘ）−”であった。
気伝橢度はｌＸｌ０−＠（Ωｅｘ）−”であった。
対照例と同様の厚みを有する太陽電池の特性はＪ ｅ
ｃ ＝ １１．３ ｍ１７ｃｍ”、Ｖｏａ＝０．７８ｖ
ｏｌｔｅ、η＝５．３チであった。このように１層の成
長速度は光を照射しない場合の４倍以上となった。また
、３３００ム付近の光の照射によって、２０℃における
暗電気伝導度が光を照射しない場合の２倍とな夛太陽電
池の効率も１５ｑＡ改善された。
ｃ ＝ １１．３ ｍ１７ｃｍ”、Ｖｏａ＝０．７８ｖ
ｏｌｔｅ、η＝５．３チであった。このように１層の成
長速度は光を照射しない場合の４倍以上となった。また
、３３００ム付近の光の照射によって、２０℃における
暗電気伝導度が光を照射しない場合の２倍とな夛太陽電
池の効率も１５ｑＡ改善された。
％軒出願人 鐘淵化学工業株式会社
代理人弁理士内田敏彦
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光分解反応を補助的に施して、シリコン化合物をプ
ラズマ分解することによシ得られたことを性徴とするア
モルファスシリコン系半導体。 ２ 前記プラズマ分解に際し、周期体表ｌｌ１１！ｉｃ
又はマ族の元本でドーピングされたことを特徴とする臀
ｒｆ＃１求の範囲第１項に記載のアモルファスシリコン
系半導体。 ３ 前記アモルファスシリコン系半導体絋光、起電力素
子のｅｘｇ！索として用いられることをｔ＋！ｆ９とす
る９軒請求の範囲第１項又は第２項に記載のアモルファ
スシリコン系半導体。 ４ ＾１１紀元起電力素子Ｆｉｐ−１−ｎ接合を有する
ことを特徴とする特軒紬求の範囲ｍ３項記載のアモルフ
ァスシリコン系半導体◇ ５ 嗣紀アモルファスシリコン系半導体はアモルファス
シリコン、アモルファスシリコンカーバイド（ａ−８１
０）、アモルファスシリコンナイトライド（ａ−８１Ｎ
）又はそれらの混合物であることを特徴とする特許請
求の範囲第１項、第２項、又は第３項記載のアモルファ
スシリコン系半寺体０ ６ 光分解反応に用いる光の波長が５０００Ａ以下であ
ることを特徴とする特＃！ｆ趙求の範囲第１項記４１ｍ
のアモルファスシリコン系半導体。 ７ 光分解反応に用いる光の強腋が２０ｍＷ／ａｊ以上
であることを特徴とする請求 項記載のアモルファスシリコン系半導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56122874A JPS5823434A (ja) | 1981-08-04 | 1981-08-04 | アモルフアスシリコン系半導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56122874A JPS5823434A (ja) | 1981-08-04 | 1981-08-04 | アモルフアスシリコン系半導体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5823434A true JPS5823434A (ja) | 1983-02-12 |
| JPH0447453B2 JPH0447453B2 (ja) | 1992-08-04 |
Family
ID=14846759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56122874A Granted JPS5823434A (ja) | 1981-08-04 | 1981-08-04 | アモルフアスシリコン系半導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5823434A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59177919A (ja) * | 1983-03-28 | 1984-10-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜の選択成長法 |
| EP0124795A2 (en) | 1983-04-11 | 1984-11-14 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Silver halide photographic emulsion |
| JPS60175411A (ja) * | 1984-02-22 | 1985-09-09 | Hitachi Ltd | 半導体薄膜の製造方法及びその製造装置 |
| JPS6143411A (ja) * | 1984-08-08 | 1986-03-03 | Res Dev Corp Of Japan | 単結晶薄膜成長装置 |
| EP0769531A1 (en) | 1995-10-16 | 1997-04-23 | Konica Corporation | Ink jet recording ink containing an azomethine dye |
| CN102496663A (zh) * | 2011-12-29 | 2012-06-13 | 普乐新能源（蚌埠）有限公司 | 降低非晶硅太阳能电池衰减率的方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56124229A (en) * | 1980-03-05 | 1981-09-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of thin film |
-
1981
- 1981-08-04 JP JP56122874A patent/JPS5823434A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56124229A (en) * | 1980-03-05 | 1981-09-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of thin film |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| EP0124795A2 (en) | 1983-04-11 | 1984-11-14 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Silver halide photographic emulsion |
| JPS60175411A (ja) * | 1984-02-22 | 1985-09-09 | Hitachi Ltd | 半導体薄膜の製造方法及びその製造装置 |
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| EP0769531A1 (en) | 1995-10-16 | 1997-04-23 | Konica Corporation | Ink jet recording ink containing an azomethine dye |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0447453B2 (ja) | 1992-08-04 |
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