JPS62153198A - ３−５族化合物半導体の気相エツチング方法 - Google Patents
３−５族化合物半導体の気相エツチング方法Info
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- JPS62153198A JPS62153198A JP29257485A JP29257485A JPS62153198A JP S62153198 A JPS62153198 A JP S62153198A JP 29257485 A JP29257485 A JP 29257485A JP 29257485 A JP29257485 A JP 29257485A JP S62153198 A JPS62153198 A JP S62153198A
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- crystal
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、■−■族化合物半導体の非常に精密に制御さ
れた気相エツチング方法に関するものである。
れた気相エツチング方法に関するものである。
ＧａＡｓ、ＩｎＰ等のような■−■族化合物半導体の気
相エピタキシャル成長結晶は、発光ダイオード、レーザ
ダイオードのような光デバイスや、ＦＥＴのようなマイ
クロ波デバイスに広く応用されている。ところで、基板
結晶上に気相成長によりエピタキシャル成長を行なう場
合、基板結晶のエツチングを行なうのが普通である。こ
のエツチングには、基板結晶を反応管にセットする前に
行なう溶液によるケミカルエッチラグと、反応管にセッ
ト後成長直前に行なう気相エツチングとがある。前者は
主として基板結晶表面に残っている鏡面研磨の際に発生
した破壊層を取り除くのが目的であり、後者は主として
ケミカルエツチング後から反応管にセットするまでの間
に表面に形成された酸化膜や、ゴミなどの付着した不純
物を除去したり、昇温の間に形成された変成層を除去す
るのが目的である。この気相エツチングが十分でないと
、表面上に残った酸化膜や微小ゴミ等が核となり、ヒル
ロック等の表面欠陥の非常に多い成長面となる。また、
エピタキシャル層と基板結晶の界面にディップ層と呼ば
れるキャリア濃度の非常に低下した部分が生じたりする
。これらは何れもデバイス作製上、有害なものである。
相エピタキシャル成長結晶は、発光ダイオード、レーザ
ダイオードのような光デバイスや、ＦＥＴのようなマイ
クロ波デバイスに広く応用されている。ところで、基板
結晶上に気相成長によりエピタキシャル成長を行なう場
合、基板結晶のエツチングを行なうのが普通である。こ
のエツチングには、基板結晶を反応管にセットする前に
行なう溶液によるケミカルエッチラグと、反応管にセッ
ト後成長直前に行なう気相エツチングとがある。前者は
主として基板結晶表面に残っている鏡面研磨の際に発生
した破壊層を取り除くのが目的であり、後者は主として
ケミカルエツチング後から反応管にセットするまでの間
に表面に形成された酸化膜や、ゴミなどの付着した不純
物を除去したり、昇温の間に形成された変成層を除去す
るのが目的である。この気相エツチングが十分でないと
、表面上に残った酸化膜や微小ゴミ等が核となり、ヒル
ロック等の表面欠陥の非常に多い成長面となる。また、
エピタキシャル層と基板結晶の界面にディップ層と呼ば
れるキャリア濃度の非常に低下した部分が生じたりする
。これらは何れもデバイス作製上、有害なものである。
従って、この気相エツチングは結晶成長上欠かせないプ
ロセスである。
ロセスである。
ところで、最近では、結晶の一部を選択的にエツチング
し、そこに改めて周りの結晶とは電気的。
し、そこに改めて周りの結晶とは電気的。
光学的に性質の異なるエピタキシャル層の成長を行なう
選択成長が行われている。この場合にはエツチング深さ
の精密な制御が要求される事が多い。
選択成長が行われている。この場合にはエツチング深さ
の精密な制御が要求される事が多い。
例えば、ＧａＡｓ ＦＥＴに於けるソースとドレイン
部の電極形成用コンタクト層の成長を例にとると、従来
の一般的な方法では、選択エツチングには８１０２等の
マスクを通した溶液によるケミカルエツチングが主とし
て用いられてきた。しかし、この方法ではデバイスから
要求されるエツチング深さの精密な制御が困難であり、
更に、ケミカルエツチング後、空気中に取り出し基板結
晶の反応管へのセットを行なうため、前述したように、
エピタキシャル層と基板結晶の界面にディップ層と呼ば
れるキャリア濃度の非常に低下した部分が生じたりする
。これもコンタクト履にとって非常に望ましからざる現
象であった。
部の電極形成用コンタクト層の成長を例にとると、従来
の一般的な方法では、選択エツチングには８１０２等の
マスクを通した溶液によるケミカルエツチングが主とし
て用いられてきた。しかし、この方法ではデバイスから
要求されるエツチング深さの精密な制御が困難であり、
更に、ケミカルエツチング後、空気中に取り出し基板結
晶の反応管へのセットを行なうため、前述したように、
エピタキシャル層と基板結晶の界面にディップ層と呼ば
れるキャリア濃度の非常に低下した部分が生じたりする
。これもコンタクト履にとって非常に望ましからざる現
象であった。
従来の気相エツチングを、第４図に示したハイドライド
気相成長法を用いて説明するっＧａＡｓの成長を例に取
ると、反応管１の上流にＧａソースポート９を置き、そ
の上流からＨ２キャリヤガスと共にＨＣＩガスを供給す
る。この結果、ＧａＣｊ！が生成され下流に運ばれる。
気相成長法を用いて説明するっＧａＡｓの成長を例に取
ると、反応管１の上流にＧａソースポート９を置き、そ
の上流からＨ２キャリヤガスと共にＨＣＩガスを供給す
る。この結果、ＧａＣｊ！が生成され下流に運ばれる。
また、Ｇａソースポート９をバイパスするパイプ２から
Ａｓの水素化物であるＡ ｓ Ｈ３をＨ２キャリヤガス
と共に供給する。この両者のガスが基板結晶３の領域で
混合し成長が起こる。気相エツチングはバイパスパイプ
２からＨＣβガスを供給することによって行ない、Ｇａ
輸送用のＨＣβガスとの比を調整することによってその
エツチング速度を制御していた。しかしながら、この従
来方法では、基板結晶温度、Ｇａ輸送用のＨＣｊ７ガス
流量、あるいはＡ ｓ Ｈ３流量等成長条件にエツチン
グ速度が大きく影響され、デバイス作製上要求される精
度を持ってエツチング深さを制御することは不可能であ
った。
Ａｓの水素化物であるＡ ｓ Ｈ３をＨ２キャリヤガス
と共に供給する。この両者のガスが基板結晶３の領域で
混合し成長が起こる。気相エツチングはバイパスパイプ
２からＨＣβガスを供給することによって行ない、Ｇａ
輸送用のＨＣβガスとの比を調整することによってその
エツチング速度を制御していた。しかしながら、この従
来方法では、基板結晶温度、Ｇａ輸送用のＨＣｊ７ガス
流量、あるいはＡ ｓ Ｈ３流量等成長条件にエツチン
グ速度が大きく影響され、デバイス作製上要求される精
度を持ってエツチング深さを制御することは不可能であ
った。
また、エツチングの深さも上流部が大きく、下流部が小
さいというように不均一性が大きかった。
さいというように不均一性が大きかった。
本発明の目的は、Ｉ［［−Ｖ族化合物半導体の気相エツ
チングおいて、従来のかかる欠点を除去し、エツチング
深さの精密な制御が可能な気相エツチングの方法を提供
しようとするものである。
チングおいて、従来のかかる欠点を除去し、エツチング
深さの精密な制御が可能な気相エツチングの方法を提供
しようとするものである。
本発明によれば、■−■族化合物半導体の気相エツチン
グ方法において、ハロゲンないしハロゲン化水素ガスを
結晶表面に吸着させる第一の工程と、■−■族化合物半
導体の■族元素のハロゲン化物として結晶表面から■族
元素を揮発させる第二の工程とにより、全体として■−
■族化合物半導体の結晶表面から一分子層を取り除き、
この第一の工程と第二の工程を繰り返すことによてエツ
チングを行なうことを特徴とするｌ−Ｖｔ化合物半導体
の気相エツチング方法が得られる。
グ方法において、ハロゲンないしハロゲン化水素ガスを
結晶表面に吸着させる第一の工程と、■−■族化合物半
導体の■族元素のハロゲン化物として結晶表面から■族
元素を揮発させる第二の工程とにより、全体として■−
■族化合物半導体の結晶表面から一分子層を取り除き、
この第一の工程と第二の工程を繰り返すことによてエツ
チングを行なうことを特徴とするｌ−Ｖｔ化合物半導体
の気相エツチング方法が得られる。
本発明は２つの工程に分けられる。先ず最初、に基板結
晶上にＣ１２２のようなハロゲンガスないしＨ（ｌのよ
うなハロゲン化水素ガスを吸着させる第一の工程である
。例えばＧａＡｓとＨＣＥ・ガスの場合、基板結晶温度
が比較的高い場合には、ＨＣβガスの供給によりすぐに
エツチングが生じるが、以下の実施例でも述べるように
、４００℃程度になると、基板結晶上にＨＣｆガスを供
給してもエツチングを生じることはなくＨＣＥの吸着の
みが起こる。このようにＨＣＥが吸着した後、ＨＣβガ
スの供給を止め、次にこの基板結晶温度を何らかの方法
で上昇させ、Ｇａ（１！とじて結晶表面からＧａを取り
去る。これが第二の工程である。Ｇａの結合ボンドを切
られたＡｓ原子は自分自身で気相中に飛び出すと考えら
れる。この第一の工程と第二の工程により、基板結晶表
面の一分子層がエツチングされることになる。
晶上にＣ１２２のようなハロゲンガスないしＨ（ｌのよ
うなハロゲン化水素ガスを吸着させる第一の工程である
。例えばＧａＡｓとＨＣＥ・ガスの場合、基板結晶温度
が比較的高い場合には、ＨＣβガスの供給によりすぐに
エツチングが生じるが、以下の実施例でも述べるように
、４００℃程度になると、基板結晶上にＨＣｆガスを供
給してもエツチングを生じることはなくＨＣＥの吸着の
みが起こる。このようにＨＣＥが吸着した後、ＨＣβガ
スの供給を止め、次にこの基板結晶温度を何らかの方法
で上昇させ、Ｇａ（１！とじて結晶表面からＧａを取り
去る。これが第二の工程である。Ｇａの結合ボンドを切
られたＡｓ原子は自分自身で気相中に飛び出すと考えら
れる。この第一の工程と第二の工程により、基板結晶表
面の一分子層がエツチングされることになる。
従って、本発明による気相エツチング方法を用いると、
エツチングの深さは第一の工程と第二の工程の繰り返し
の数にのみ依存し、しかも、一分子層の単位で制御でき
るようになる。更に、ＨＣｌの吸着は一定基板温度以下
なら温度に依存せず基板全面に均一に起こるため、エツ
チング深さは原理的には完全に均一となる。
エツチングの深さは第一の工程と第二の工程の繰り返し
の数にのみ依存し、しかも、一分子層の単位で制御でき
るようになる。更に、ＨＣｌの吸着は一定基板温度以下
なら温度に依存せず基板全面に均一に起こるため、エツ
チング深さは原理的には完全に均一となる。
次に、本発明を実施例に基づき具体的に説明する。
実施例 １
本実施例ではＧａＡｓ基板結晶を前面に亘って気相エツ
チングする場合に本発明を適用した場合について述べる
。本実施例に用いる気相エツチング装置の概略を第１図
に示した。この装置に於いて反応管１の上流からＨ２キ
ャリヤガスと共にＨＣｌガスを供給する。また、反応管
に挿入したバイパスパイプ２からＡｓの水素化物である
Ａ ｓ Ｈ３をＨ２キアリャガスと共に供給する。基板
結晶３としては（１００）面方位のＧａＡｓを用いた。
チングする場合に本発明を適用した場合について述べる
。本実施例に用いる気相エツチング装置の概略を第１図
に示した。この装置に於いて反応管１の上流からＨ２キ
ャリヤガスと共にＨＣｌガスを供給する。また、反応管
に挿入したバイパスパイプ２からＡｓの水素化物である
Ａ ｓ Ｈ３をＨ２キアリャガスと共に供給する。基板
結晶３としては（１００）面方位のＧａＡｓを用いた。
反応管の温度は抵抗加熱により制御し上流部は４００℃
、下流部は６００℃に保った。ガス流量条件は次の通り
である。
、下流部は６００℃に保った。ガス流量条件は次の通り
である。
ＭＣＩ ５ ｃｃ／ｍ１ｎＡＳ８３
５ ｃｃ／ｍ１ｎＨ２’ ２．０
ＯＯｃｃ／ｍｉｎエツチングの手順としては、先ず、基
板結晶３を反応管上流の低温領域４に置き、所定温度（
４００℃）まで昇温した。その温度に達したところでＨ
（ｌを供給し、そこで１０秒間ＨＨＣｌ十分に吸着させ
（第一の工程）、基板結晶３を下流の高温領域５ （６
００℃）に移動しく第二の工程）、１０秒後再び基板結
晶３を反応管上流の低温領域４に移動した。これを−サ
イクルとして、ここでは、３００サイクル行なった。こ
の後、基板結晶３を取り出し、エツチング深さの評価を
行なったところ、ＧａＡｓは約８５０ 人の厚さエツチ
ングされていることがわかった。これは、−サイクルに
一分子層がエツチングされていることを示している。
５ ｃｃ／ｍ１ｎＨ２’ ２．０
ＯＯｃｃ／ｍｉｎエツチングの手順としては、先ず、基
板結晶３を反応管上流の低温領域４に置き、所定温度（
４００℃）まで昇温した。その温度に達したところでＨ
（ｌを供給し、そこで１０秒間ＨＨＣｌ十分に吸着させ
（第一の工程）、基板結晶３を下流の高温領域５ （６
００℃）に移動しく第二の工程）、１０秒後再び基板結
晶３を反応管上流の低温領域４に移動した。これを−サ
イクルとして、ここでは、３００サイクル行なった。こ
の後、基板結晶３を取り出し、エツチング深さの評価を
行なったところ、ＧａＡｓは約８５０ 人の厚さエツチ
ングされていることがわかった。これは、−サイクルに
一分子層がエツチングされていることを示している。
次に反応管上流部に温度を２００〜４００℃、反応管下
流部の温度を６００〜７５０℃の間で変化させたり、Ｈ
ＣＩ流ｌを変化させてエツチング深さの変化を調べたが
、−サイクルにほぼ一分子層がエツチングされている結
果は変わらなかった。これらの結果は、エツチングの深
さは第一の工程と第二の工程の繰り返しの数にのみ依存
し、しかも、一分子層の単位（約３人）で精密に制御で
きる本発明の効果を良く現わしている。また、それぞれ
におけるエツチングの均一性は、±１％以下の測定誤差
以内の優秀なものであった。更に、エツチング面は、表
面欠陥や、特別なモフォロジーがなく鏡面性に優れたも
のが（尋られた。
流部の温度を６００〜７５０℃の間で変化させたり、Ｈ
ＣＩ流ｌを変化させてエツチング深さの変化を調べたが
、−サイクルにほぼ一分子層がエツチングされている結
果は変わらなかった。これらの結果は、エツチングの深
さは第一の工程と第二の工程の繰り返しの数にのみ依存
し、しかも、一分子層の単位（約３人）で精密に制御で
きる本発明の効果を良く現わしている。また、それぞれ
におけるエツチングの均一性は、±１％以下の測定誤差
以内の優秀なものであった。更に、エツチング面は、表
面欠陥や、特別なモフォロジーがなく鏡面性に優れたも
のが（尋られた。
なお、この実施例はエツチングのみを行なうものである
が、これを基本として従来の成長手法を組み合わせるこ
とによって、容易にエツチング−成長の連続プロセスを
実現出来ることは明るかであろう。
が、これを基本として従来の成長手法を組み合わせるこ
とによって、容易にエツチング−成長の連続プロセスを
実現出来ることは明るかであろう。
実施例 ２
本実施例では５１０２マスクの窓を通してＧａＡｓ基板
結晶の一部に気を目エツチングし、その場所に再成長す
る場合に本発明を適用した場合について述べる。本実施
例に用いる成長装置の概略を第２図に示した。この成長
装置では、上段反応室６にはその上流からＨ２キリャヤ
ガスと共にＨＣｌガスを供給できる。また、上流から基
板結晶３に対してアルゴンレーデ光７を照射出来る。下
段反応室８の上流にはＧａソースポート９が置かれ、そ
の上流からＨ２キャリヤガスと共にＨＣｊ２ガスを供給
出来る。また、Ｇａソースポート９をバイパスするパイ
プ２からはＡｓの水素化物であるＡＳＨ３をＨ２キャリ
ヤガスと共に供給できる。基板結晶３としては、第３図
に示すように半絶縁性Ｇ ａ Ａ ｓ （１００）上に
８１０２ ” スクヲ形成Ｌ、そこに１０μｍ幅の窓１
１を開けたウェファ−を用いた。
結晶の一部に気を目エツチングし、その場所に再成長す
る場合に本発明を適用した場合について述べる。本実施
例に用いる成長装置の概略を第２図に示した。この成長
装置では、上段反応室６にはその上流からＨ２キリャヤ
ガスと共にＨＣｌガスを供給できる。また、上流から基
板結晶３に対してアルゴンレーデ光７を照射出来る。下
段反応室８の上流にはＧａソースポート９が置かれ、そ
の上流からＨ２キャリヤガスと共にＨＣｊ２ガスを供給
出来る。また、Ｇａソースポート９をバイパスするパイ
プ２からはＡｓの水素化物であるＡＳＨ３をＨ２キャリ
ヤガスと共に供給できる。基板結晶３としては、第３図
に示すように半絶縁性Ｇ ａ Ａ ｓ （１００）上に
８１０２ ” スクヲ形成Ｌ、そこに１０μｍ幅の窓１
１を開けたウェファ−を用いた。
反応管の温度は抵抗加熱により制御し、Ｇａソース部は
８００℃、基板結晶は４００℃に保った。ガス流量条件
は次の通りである。
８００℃、基板結晶は４００℃に保った。ガス流量条件
は次の通りである。
上段反応室
ＨＣｊｌ！ ５ ｃｃ／ｍ１ｎＨ２２，
０００Ｃｃ／ｍ １ｎ 下段反応室 ＨＣＩ ５ ｃｃ／ｍ１ｎＡＳ８３
５ ｃｃ／ｍ１ｎ８２ ２．０００
ｃ ｃ／ｍ ｉ ｎ先ず、エツチングの手順を示す。
０００Ｃｃ／ｍ １ｎ 下段反応室 ＨＣＩ ５ ｃｃ／ｍ１ｎＡＳ８３
５ ｃｃ／ｍ１ｎ８２ ２．０００
ｃ ｃ／ｍ ｉ ｎ先ず、エツチングの手順を示す。
基板結晶３を反応管にセットし、上段反応室６で所定温
度（４００℃）まで昇温した。その温度に達したところ
でＨＣＩを供給し、１０秒間ＨＨＣＩ十分に吸着させた
（第一の工程）。次に、ＨＣＩの供給を止め、基板結晶
３に対してアルゴンレーザビームラ照射した（第二の工
程）。これを−サイクルとして、ここでは７００サイク
ル行なった。一方、下段反応室８のＧａソースに対しＨ
ＣＩを供給し、バイパスパイプ２からはＡ ｓ Ｈ３ガ
スと１×１０１８ｃｍ−３程度ドーピングするためのド
ーパントガスＨ２Ｓを供給した。上段反応室６でプロセ
ロが終了したところで基板結晶３を下段反応室８に移動
し、ＧａＡｓを約２０００人の厚さに成長させた。成長
結晶を調べた結果、窓１１のＧａＡｓ部分に最初エツチ
ングが行なわれ、その場所に高濃度ドーピング１が再成
長していることが判明した。ところで、エツチング深さ
の評価を行ったところ、ＧａＡｓは約２０００人の厚さ
エツチングされていることがわかった。これは、−サイ
クルにほぼ一分子層がエツチングされていることを示し
ている。エツチング領域におけるエツチング深さの均一
性は、±１％以下の測定誤差以内であった。また、エツ
チングを施した所に再成長したエピタキシャル層はヒル
ロック等の表面欠陥の非常に少なく、鏡面性に優れたも
のであった。
度（４００℃）まで昇温した。その温度に達したところ
でＨＣＩを供給し、１０秒間ＨＨＣＩ十分に吸着させた
（第一の工程）。次に、ＨＣＩの供給を止め、基板結晶
３に対してアルゴンレーザビームラ照射した（第二の工
程）。これを−サイクルとして、ここでは７００サイク
ル行なった。一方、下段反応室８のＧａソースに対しＨ
ＣＩを供給し、バイパスパイプ２からはＡ ｓ Ｈ３ガ
スと１×１０１８ｃｍ−３程度ドーピングするためのド
ーパントガスＨ２Ｓを供給した。上段反応室６でプロセ
ロが終了したところで基板結晶３を下段反応室８に移動
し、ＧａＡｓを約２０００人の厚さに成長させた。成長
結晶を調べた結果、窓１１のＧａＡｓ部分に最初エツチ
ングが行なわれ、その場所に高濃度ドーピング１が再成
長していることが判明した。ところで、エツチング深さ
の評価を行ったところ、ＧａＡｓは約２０００人の厚さ
エツチングされていることがわかった。これは、−サイ
クルにほぼ一分子層がエツチングされていることを示し
ている。エツチング領域におけるエツチング深さの均一
性は、±１％以下の測定誤差以内であった。また、エツ
チングを施した所に再成長したエピタキシャル層はヒル
ロック等の表面欠陥の非常に少なく、鏡面性に優れたも
のであった。
以上述べたように、本発明による■−■族化合物半導体
の気相エツチング方法を用いると、エツチング深さの一
分子層単位での精密な制御および極めて高い均一性の確
保が可能となる。従って、本発明の気相エツチング方法
は、種々のデバイス作製に応用可能である。
の気相エツチング方法を用いると、エツチング深さの一
分子層単位での精密な制御および極めて高い均一性の確
保が可能となる。従って、本発明の気相エツチング方法
は、種々のデバイス作製に応用可能である。
第１図は本発明による実施例１説明するための図で、Ｇ
ａＡｓ基板結晶を前面に亘って気相エツチングする場合
に本発明を適用した場合の気相エツチング装置の概略図
である。 第２図は本発明による実施例２を説明するための図で、
５１０２マスクの窓を通してＧａＡｓ１仮結晶の一部を
気相エツチングし、その場所に再成長させる成長装置の
概略図である。 第３図は実施例２て用いた基板結晶上のＳ】０２パター
ンを示す図である。 第４図は従来の気相エツチング方法を説明するための図
である。
ａＡｓ基板結晶を前面に亘って気相エツチングする場合
に本発明を適用した場合の気相エツチング装置の概略図
である。 第２図は本発明による実施例２を説明するための図で、
５１０２マスクの窓を通してＧａＡｓ１仮結晶の一部を
気相エツチングし、その場所に再成長させる成長装置の
概略図である。 第３図は実施例２て用いた基板結晶上のＳ】０２パター
ンを示す図である。 第４図は従来の気相エツチング方法を説明するための図
である。
Claims (1)
- （１）III−Ｖ族化合物半導体の気相エッチング方法に
おいて、ハロゲンないしハロゲン化水素ガスを結晶表面
に吸着させる第一の工程と、III−Ｖ族化合物半導体の
III族元素のハロゲン化物として結晶表面からIII族元素
を揮発させる第二の工程とにより、全体としてIII−Ｖ
族化合物半導体の結晶表面から一分子層を取り除き、こ
の第一の工程と第二の工程を繰り返すことによってエッ
チングを行なうことを特徴とするIII−Ｖ族化合物半導
体の気相エッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29257485A JPS62153198A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | ３−５族化合物半導体の気相エツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29257485A JPS62153198A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | ３−５族化合物半導体の気相エツチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62153198A true JPS62153198A (ja) | 1987-07-08 |
| JPH0355438B2 JPH0355438B2 (ja) | 1991-08-23 |
Family
ID=17783534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29257485A Granted JPS62153198A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | ３−５族化合物半導体の気相エツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62153198A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6475687A (en) * | 1987-09-18 | 1989-03-22 | Tanaka Precious Metal Ind | Method for removing coating metal from metal oxide base material |
| JPH01289121A (ja) * | 1988-05-16 | 1989-11-21 | Nec Corp | ３‐５族化合物半導体のデジタルエッチング方法 |
| JPH01295424A (ja) * | 1988-01-14 | 1989-11-29 | Sanyo Electric Co Ltd | 光励起エッチング方法 |
-
1985
- 1985-12-27 JP JP29257485A patent/JPS62153198A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6475687A (en) * | 1987-09-18 | 1989-03-22 | Tanaka Precious Metal Ind | Method for removing coating metal from metal oxide base material |
| JPH01295424A (ja) * | 1988-01-14 | 1989-11-29 | Sanyo Electric Co Ltd | 光励起エッチング方法 |
| JPH01289121A (ja) * | 1988-05-16 | 1989-11-21 | Nec Corp | ３‐５族化合物半導体のデジタルエッチング方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0355438B2 (ja) | 1991-08-23 |
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