JPS63222420A - ▲ｉｉｉ▼−▲ｖ▼族化合物半導体の原子層エピタキシヤル成長方法 - Google Patents
▲ｉｉｉ▼−▲ｖ▼族化合物半導体の原子層エピタキシヤル成長方法Info
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- JPS63222420A JPS63222420A JP5517287A JP5517287A JPS63222420A JP S63222420 A JPS63222420 A JP S63222420A JP 5517287 A JP5517287 A JP 5517287A JP 5517287 A JP5517287 A JP 5517287A JP S63222420 A JPS63222420 A JP S63222420A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、原子単位で完全に平坦な成長面を有するＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体の原子層エピタキシャル層の成長
方法に関するものである。
Ｉ−Ｖ族化合物半導体の原子層エピタキシャル層の成長
方法に関するものである。
従来のＧａＡｓ等の化合物半導体の薄膜エピタキシャル
層の成長方法としては、構成元素の塩化物、水素化物、
あるいは有機金属化合物のガス状原料を用いる気相エピ
タキシャル成長法（ＶＰＥ法）、また、高真空中で構成
元素をビーム化し、基板結晶上に照射して成長を行う分
子線エピタキシャル成長法（ＭＢ２法）などが用いられ
てきた。
層の成長方法としては、構成元素の塩化物、水素化物、
あるいは有機金属化合物のガス状原料を用いる気相エピ
タキシャル成長法（ＶＰＥ法）、また、高真空中で構成
元素をビーム化し、基板結晶上に照射して成長を行う分
子線エピタキシャル成長法（ＭＢ２法）などが用いられ
てきた。
ところで、これらの成長法では、単分子・原子層（数人
程度）の成長膜厚の制御となると、流量。
程度）の成長膜厚の制御となると、流量。
圧力２時間といった要因を極めて精密に制御しなければ
ならない。そこで、これらを解決する優れた手法として
、化合物半導体の構成元素、あるいは、その元素を含む
ガスを交互に供給して一原子・分子層ずつ吸着させ全体
として所望の化合物半導体を成長させる原子層エピタキ
シャル成長方法（Ａ Ｌ Ｅ法）が提案された〔ツォモ
・スントラ（Ｔ、５ｕｎｔｏｌａ） ＊第１６回置体素
子・材料コンファレンス（Ｅｘｔｅｎｄｅｄ Ａｂｓｔ
ｒａｃｔ ｏｆ ｔｈｅ １６ｔｈ Ｃｏｎｆｅｒｅｎ
ｃｅｏｎ ５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ Ｄｅｖｉｃｅ ａ
ｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ）、 Ｋｏｂｅ。
ならない。そこで、これらを解決する優れた手法として
、化合物半導体の構成元素、あるいは、その元素を含む
ガスを交互に供給して一原子・分子層ずつ吸着させ全体
として所望の化合物半導体を成長させる原子層エピタキ
シャル成長方法（Ａ Ｌ Ｅ法）が提案された〔ツォモ
・スントラ（Ｔ、５ｕｎｔｏｌａ） ＊第１６回置体素
子・材料コンファレンス（Ｅｘｔｅｎｄｅｄ Ａｂｓｔ
ｒａｃｔ ｏｆ ｔｈｅ １６ｔｈ Ｃｏｎｆｅｒｅｎ
ｃｅｏｎ ５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ Ｄｅｖｉｃｅ ａ
ｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ）、 Ｋｏｂｅ。
１９８４、 ｐｐ、６４７−６５０）。この手法は本発
明者等により、ｍ−ｖ族化合物半導体の成長にも適用さ
れた。
明者等により、ｍ−ｖ族化合物半導体の成長にも適用さ
れた。
この方法によると、膜厚制御のためには、従来の成長速
度を制御する方法とは異なり、例えば、ＧａＣｔとＡＳ
Ｈｆｆを原料とするＧａＡｓ ＡＬＥ法では、ＧａＣ
ｆｆの吸着回数のみを制御することになる。しかも、広
い成長温度、流量範囲において、単分子層単位の成長が
可能であり、これによって膜厚の制御技術は格段に向上
した〔碓井（Ａ。
度を制御する方法とは異なり、例えば、ＧａＣｔとＡＳ
Ｈｆｆを原料とするＧａＡｓ ＡＬＥ法では、ＧａＣ
ｆｆの吸着回数のみを制御することになる。しかも、広
い成長温度、流量範囲において、単分子層単位の成長が
可能であり、これによって膜厚の制御技術は格段に向上
した〔碓井（Ａ。
Ｕｓｕｉ）他、ジャパニーズ ジャーナル オブ アプ
ライド フィジフクス（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎ
ａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）、ｖｏ
ｌ、２５．ｎｏ、 ３．１９８６．ＰＰ、Ｌ２１２−２
１４〕。
ライド フィジフクス（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎ
ａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）、ｖｏ
ｌ、２５．ｎｏ、 ３．１９８６．ＰＰ、Ｌ２１２−２
１４〕。
ところが、この■族元素の塩化物と、■族元素、あるい
はその水素化物とを交互に供給するｍ−ｖ族化合物半導
体の原子層エピタキシャル成長技術にも、解決すべき幾
つかの問題点がある。本発明が解決しようとした問題点
はそのなかでも栂めて重要なもので成長面の平坦性に関
するものである。
はその水素化物とを交互に供給するｍ−ｖ族化合物半導
体の原子層エピタキシャル成長技術にも、解決すべき幾
つかの問題点がある。本発明が解決しようとした問題点
はそのなかでも栂めて重要なもので成長面の平坦性に関
するものである。
即ち、この成長手法においては、■族元素の塩化物の基
板結晶上への吸着は基板表面の凹凸をそのまま受は継ぎ
、その後Ｖ族元素を供給し、Ｇａ −Ａｓボンドを形成
しても、その表面拡散が成長温度（５００℃付近）程度
では極めて小さく成長面の平坦化には殆ど寄与しない。
板結晶上への吸着は基板表面の凹凸をそのまま受は継ぎ
、その後Ｖ族元素を供給し、Ｇａ −Ａｓボンドを形成
しても、その表面拡散が成長温度（５００℃付近）程度
では極めて小さく成長面の平坦化には殆ど寄与しない。
従って、成長終了後においても成長面は基板表面の形状
をそのまま受は継いでいると考えられる。このような成
長モードは単に厚い膜を成長させる時にはあまり問題に
ならないが、単分子から成る規則性混晶や超格子を成長
させた場合その特徴を十分発揮させることができない。
をそのまま受は継いでいると考えられる。このような成
長モードは単に厚い膜を成長させる時にはあまり問題に
ならないが、単分子から成る規則性混晶や超格子を成長
させた場合その特徴を十分発揮させることができない。
本発明の目的は、上記従来技術のかかる欠点を除去し、
原子オーダで完全に平坦な成長面を有するｍ−ｖ族化合
物半導体の原子層エピタキシャル層の成長方法を提供し
ようとするものである。
原子オーダで完全に平坦な成長面を有するｍ−ｖ族化合
物半導体の原子層エピタキシャル層の成長方法を提供し
ようとするものである。
本発明は、ｍ−ｖ族化合物半導体の原子層エピタキシャ
ル成長方法において、先ず、基板結晶上に■族元素の塩
化物を供給して吸着層を形成した後、気相中の■族元素
の塩化物を排出し、次に■族元素、あるいはその水素化
物を基板結晶上に一定時間供給するプロセスを少なくと
も一回以上繰り返し、その後■族元素、あるいはその水
素化物と■族元素の塩化物とを交互に供給することによ
りエピタキシャル成長を行うことを特徴とする。
ル成長方法において、先ず、基板結晶上に■族元素の塩
化物を供給して吸着層を形成した後、気相中の■族元素
の塩化物を排出し、次に■族元素、あるいはその水素化
物を基板結晶上に一定時間供給するプロセスを少なくと
も一回以上繰り返し、その後■族元素、あるいはその水
素化物と■族元素の塩化物とを交互に供給することによ
りエピタキシャル成長を行うことを特徴とする。
前述したように■族元素の塩化物は基板表面の凹凸をそ
のまま受は継ぎ吸着すると考えられる。
のまま受は継ぎ吸着すると考えられる。
この後、気相中の■族元素の塩化物を排出し、新たに■
族元素、あるいはその水素化物を基板結晶上に一定時間
供給すると、これらは吸着した■族元素の塩化物の塩素
をはずして■族元素と結合する。ところが、成長温度が
高いと■族元素は再び気相中に飛び出し、基板表面には
■族元素のダングリングボンド（ｄａｎｇｌｉｎｇ ｂ
ｏｎｄ）が残る。ところで、基板表面は原子オーダで平
坦ではないために、■族元素に対して結合しているボン
ドの数が異なり、成長温度を適当に選ぶことによって凹
凸の窪みに入った■族元素はそのままで、最上部の表面
上の■族元素だけを外すことが可能である。この後、表
面を再び■族元素の塩化物にさらすと、■族元素の上に
は吸着するが、■族元素上の吸着は極めて弱くなり、容
易に気相中に飛び出す。そこで再び表面に■族元素、あ
るいはその水素化物を供給すると上記反応が再現する。
族元素、あるいはその水素化物を基板結晶上に一定時間
供給すると、これらは吸着した■族元素の塩化物の塩素
をはずして■族元素と結合する。ところが、成長温度が
高いと■族元素は再び気相中に飛び出し、基板表面には
■族元素のダングリングボンド（ｄａｎｇｌｉｎｇ ｂ
ｏｎｄ）が残る。ところで、基板表面は原子オーダで平
坦ではないために、■族元素に対して結合しているボン
ドの数が異なり、成長温度を適当に選ぶことによって凹
凸の窪みに入った■族元素はそのままで、最上部の表面
上の■族元素だけを外すことが可能である。この後、表
面を再び■族元素の塩化物にさらすと、■族元素の上に
は吸着するが、■族元素上の吸着は極めて弱くなり、容
易に気相中に飛び出す。そこで再び表面に■族元素、あ
るいはその水素化物を供給すると上記反応が再現する。
このプロセスを繰り返すことにより、基板の凹んだ部分
が次第に埋められ、ついには原子オーダで平坦な表面が
得られる。これら一連の反応は、原理からいって平坦な
表面が得られた段階で自動的に止まる自己停止ａ能を有
しているのが特徴の一つである。
が次第に埋められ、ついには原子オーダで平坦な表面が
得られる。これら一連の反応は、原理からいって平坦な
表面が得られた段階で自動的に止まる自己停止ａ能を有
しているのが特徴の一つである。
次に、本発明を実施例に基づき具体的に説明する。
実施例１
本実施例では、ＩｎＰ基板結晶に５５０”Ｃで原子層エ
ピタキシャル成長法により、Ｇａ Ａ ｓ ／ ｌ ｎ
Ａｓ規則性混晶を成長した場合について述べる。
ピタキシャル成長法により、Ｇａ Ａ ｓ ／ ｌ ｎ
Ａｓ規則性混晶を成長した場合について述べる。
石英製反応管の概略を第１図に示した。反応室１の上流
にＧａソース２、反応室３の上流にＩｎソース４を置き
、それらの上流がらＨ２キャリアガスと共にＨＣｌガス
を供給する。この結果、ＧａＣ１およびＩ ｎＣｊ２が
生成され下流に運ばれる。
にＧａソース２、反応室３の上流にＩｎソース４を置き
、それらの上流がらＨ２キャリアガスと共にＨＣｌガス
を供給する。この結果、ＧａＣ１およびＩ ｎＣｊ２が
生成され下流に運ばれる。
一方、反応室５にはＡｓＨ，あるいはＨａｓ ｅをＨ２
キャリアガスと共に供給する。基板結晶６としてはＩ
ｎ Ｐ （１００）を用いた。反応室の温度は抵抗加熱
により制御し、■族金属ソース部は８００″Ｃ１基板結
晶部は５５０’ｃとした。ガス流量条件は次の通りであ
る。
キャリアガスと共に供給する。基板結晶６としてはＩ
ｎ Ｐ （１００）を用いた。反応室の温度は抵抗加熱
により制御し、■族金属ソース部は８００″Ｃ１基板結
晶部は５５０’ｃとした。ガス流量条件は次の通りであ
る。
ＨＣＩ （Ｇａ） ｔｏ ｃｃ／ｍ１ｎＨＣ１（
Ｉ ｎ） １０ ｃｃ／ｍ１ｎＰ Ｈ３１０ｃｃ
／ｍ１ｎ Ａ ｓ Ｈ：＋ １０ ｃｃ／ｍ１ｎＨｚ
Ｓ ｅ １０ ｃｃ／ｍｉｎ全流量（各反
応室に対して） ５０００ ｃｃ／…ｉｎ成長に際し
ては、ケミカルエツチングを行った半絶縁性基板結晶６
を先ず反応室５に置き、ＰＨ３気流中で成長温度まで昇
温した。成長温度に達したところで反応室３にＨＣｌを
供給し、一定時間後基板結晶６を反応室３に移動した。
Ｉ ｎ） １０ ｃｃ／ｍ１ｎＰ Ｈ３１０ｃｃ
／ｍ１ｎ Ａ ｓ Ｈ：＋ １０ ｃｃ／ｍ１ｎＨｚ
Ｓ ｅ １０ ｃｃ／ｍｉｎ全流量（各反
応室に対して） ５０００ ｃｃ／…ｉｎ成長に際し
ては、ケミカルエツチングを行った半絶縁性基板結晶６
を先ず反応室５に置き、ＰＨ３気流中で成長温度まで昇
温した。成長温度に達したところで反応室３にＨＣｌを
供給し、一定時間後基板結晶６を反応室３に移動した。
そこで５秒間Ｉ ｎＣ１にさらし、吸着させた後、基板
結晶６を反応室５に戻した。そこでは、表面を５秒間Ｈ
２Ｓｅ雰囲気にさらした。その後再び基板結晶６を反応
室３に移動し、このサイクルを５０回繰り返した。
結晶６を反応室５に戻した。そこでは、表面を５秒間Ｈ
２Ｓｅ雰囲気にさらした。その後再び基板結晶６を反応
室３に移動し、このサイクルを５０回繰り返した。
このプロセスが終了した後、通常の原子層エピタキシャ
ル成長法により、ＩｎＣ１−ＡｓＨ，−ＧａＣ１−Ａｓ
Ｈ３の順に基板結晶６の移動を操り返し、先ず高抵抗の
ＧａＡｓ／ｆｎＡｓ規則性混晶を成長させ、次にノンド
ープのＧ ａ Ａ ｓ ／ ＩｎＡｓ規則性混晶を成長
させた。
ル成長法により、ＩｎＣ１−ＡｓＨ，−ＧａＣ１−Ａｓ
Ｈ３の順に基板結晶６の移動を操り返し、先ず高抵抗の
ＧａＡｓ／ｆｎＡｓ規則性混晶を成長させ、次にノンド
ープのＧ ａ Ａ ｓ ／ ＩｎＡｓ規則性混晶を成長
させた。
得られた結晶のホール測定を行った結果、７７Ｋにおけ
る移動度として１０’ｃｍ”／Ｖ−ｓｅｃ台（キャリア
濃度二〜１０Ｉ１０ｌ５’）がコンスタントに得られ、
本発明を適用しない場合の値、１０’ｃｍ／Ｖ −ｓｅ
ｃ台（キャリア濃度：〜１０１ｓｃ１０１ｓと比較して
その有効性が明らかとなった。
る移動度として１０’ｃｍ”／Ｖ−ｓｅｃ台（キャリア
濃度二〜１０Ｉ１０ｌ５’）がコンスタントに得られ、
本発明を適用しない場合の値、１０’ｃｍ／Ｖ −ｓｅ
ｃ台（キャリア濃度：〜１０１ｓｃ１０１ｓと比較して
その有効性が明らかとなった。
実施例２
本実施例では、ＧａＡｓ基板結晶に５５０℃で原子層エ
ピタキシャル成長法により、ＩｎＰを成長した場合につ
いて述べる。反応管および成長条件は実施例１で用いた
ものと同じである。反応室１ノ上流にＧａソース２、反
応室３の上流にＩｎソース４を置き、それらの上流から
Ｈ２キャリアガスと共にＨＣｌ１！ガスを供給する。こ
の結果、ＧａＣ１およびＴｎＣｌが生成され下流に運ば
れる。
ピタキシャル成長法により、ＩｎＰを成長した場合につ
いて述べる。反応管および成長条件は実施例１で用いた
ものと同じである。反応室１ノ上流にＧａソース２、反
応室３の上流にＩｎソース４を置き、それらの上流から
Ｈ２キャリアガスと共にＨＣｌ１！ガスを供給する。こ
の結果、ＧａＣ１およびＴｎＣｌが生成され下流に運ば
れる。
一方、反応室５にはＡｓＨ，、、ＰＨ３およびＨ２Ｓｅ
をＨ２キャリアガスと共に供給する。基板結晶６として
はＧ ａ Ａ ｓ （１００）を用いた。反応室の温度
は抵抗加熱により制御し、■族金属ソース部は８００℃
、基板結晶部は５５０℃とした。ガス流量条件は次の通
りである。
をＨ２キャリアガスと共に供給する。基板結晶６として
はＧ ａ Ａ ｓ （１００）を用いた。反応室の温度
は抵抗加熱により制御し、■族金属ソース部は８００℃
、基板結晶部は５５０℃とした。ガス流量条件は次の通
りである。
ＨＣｌ（Ｇａ） １０ ｃｃ／ｍ１ｎＨＣｌ （
Ｉ ｎ） １０ ｃｃ／ｍ１ｎＰ Ｈ３１０ｃｃ
／ｍ１ｎ ＨｚＳ ｅ １０ ｃｃ／ｍｉｎ全流量（
各反応室に対して） ５０００ ｃｃ／ｍｉｎ成長に
際しては、ケミカルエツチングを行った半絶縁性基板結
晶６を先ず反応室５に置き、成長温度まで昇温した。成
長温度に達したところで反応室１にＨＣＩを供給し、一
定時間後基板結晶６を反応室１に移動した。そこで基板
結晶６を５秒間ＧａＣ１にさらし、吸着させた後、反応
室５に移動した。そこでは、表面を５秒間Ｈ２Ｓｅ雰囲
気にさらした。その後再び基板結晶６を反応室１に移動
し、このサイクルを５０回操り返した。
Ｉ ｎ） １０ ｃｃ／ｍ１ｎＰ Ｈ３１０ｃｃ
／ｍ１ｎ ＨｚＳ ｅ １０ ｃｃ／ｍｉｎ全流量（
各反応室に対して） ５０００ ｃｃ／ｍｉｎ成長に
際しては、ケミカルエツチングを行った半絶縁性基板結
晶６を先ず反応室５に置き、成長温度まで昇温した。成
長温度に達したところで反応室１にＨＣＩを供給し、一
定時間後基板結晶６を反応室１に移動した。そこで基板
結晶６を５秒間ＧａＣ１にさらし、吸着させた後、反応
室５に移動した。そこでは、表面を５秒間Ｈ２Ｓｅ雰囲
気にさらした。その後再び基板結晶６を反応室１に移動
し、このサイクルを５０回操り返した。
このプロセスが終了した後、通常の原子層エピタキシ皐
ル成長法により、Ｉ ｎ Ｃｉ！ Ｐ Ｈ３の順に基
板結晶６を移動し、ＩｎＰを成長させた。
ル成長法により、Ｉ ｎ Ｃｉ！ Ｐ Ｈ３の順に基
板結晶６を移動し、ＩｎＰを成長させた。
得られた結晶を透過電子顕微鏡により格子像を調べた結
果、基板と成長層の界面は一原子のオーダで極めて平坦
なことが確認された。
果、基板と成長層の界面は一原子のオーダで極めて平坦
なことが確認された。
以上述べたように、本発明による成長方法を用いると、
原子オーダで完全に平坦な成長面を存するｍ−ｖ族化合
物半導体の原子層エピタキシャル層が得られ、その結果
、高品質の規則性混晶や超格子構造の成長が可能になる
。なお、本発明においては■族元素およびその水素化物
を用いたが、同様な作用を有する他の元素あるいは化合
物に対しても適用可能であることは勿論、同様な原理で
１ｌ−Ｖｌ族化合物半導体の成長にも適用できる。
原子オーダで完全に平坦な成長面を存するｍ−ｖ族化合
物半導体の原子層エピタキシャル層が得られ、その結果
、高品質の規則性混晶や超格子構造の成長が可能になる
。なお、本発明においては■族元素およびその水素化物
を用いたが、同様な作用を有する他の元素あるいは化合
物に対しても適用可能であることは勿論、同様な原理で
１ｌ−Ｖｌ族化合物半導体の成長にも適用できる。
第１図は本発明による実施例を説明するための図で、石
英製反応管の概略を示したものである。 １、 ３． ５・・・反応室 ２・・・・・・・Ｇａソース ４・・・・・・・Ｉｎソース ６・・・・・・・基板結晶
英製反応管の概略を示したものである。 １、 ３． ５・・・反応室 ２・・・・・・・Ｇａソース ４・・・・・・・Ｉｎソース ６・・・・・・・基板結晶
Claims (1)
- （１）III−Ｖ族化合物半導体の原子層エピタキシャル
成長方法において、先ず、基板結晶上にIII族元素の塩
化物を供給して吸着層を形成した後、気相中のIII族元
素の塩化物を排出し、次にVI族元素、あるいはその水素
化物を基板結晶上に一定時間供給するプロセスを少なく
とも一回以上繰り返し、その後Ｖ族元素、あるいはその
水素化物とIII族元素の塩化物とを交互に供給すること
によりエピタキシャル成長を行うことを特徴とするIII
−Ｖ族化合物半導体の原子層エピタキシャル成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5517287A JPH0620046B2 (ja) | 1987-03-12 | 1987-03-12 | ▲ｉｉｉ▼−▲ｖ▼族化合物半導体の原子層エピタキシヤル成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5517287A JPH0620046B2 (ja) | 1987-03-12 | 1987-03-12 | ▲ｉｉｉ▼−▲ｖ▼族化合物半導体の原子層エピタキシヤル成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63222420A true JPS63222420A (ja) | 1988-09-16 |
| JPH0620046B2 JPH0620046B2 (ja) | 1994-03-16 |
Family
ID=12991305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5517287A Expired - Lifetime JPH0620046B2 (ja) | 1987-03-12 | 1987-03-12 | ▲ｉｉｉ▼−▲ｖ▼族化合物半導体の原子層エピタキシヤル成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0620046B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7781326B2 (en) | 2001-02-02 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Formation of a tantalum-nitride layer |
| US7846840B2 (en) | 2000-06-28 | 2010-12-07 | Applied Materials, Inc. | Method for forming tungsten materials during vapor deposition processes |
| US9587310B2 (en) | 2001-03-02 | 2017-03-07 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
-
1987
- 1987-03-12 JP JP5517287A patent/JPH0620046B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7846840B2 (en) | 2000-06-28 | 2010-12-07 | Applied Materials, Inc. | Method for forming tungsten materials during vapor deposition processes |
| US7781326B2 (en) | 2001-02-02 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Formation of a tantalum-nitride layer |
| US9012334B2 (en) | 2001-02-02 | 2015-04-21 | Applied Materials, Inc. | Formation of a tantalum-nitride layer |
| US9587310B2 (en) | 2001-03-02 | 2017-03-07 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
| US10280509B2 (en) | 2001-07-16 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0620046B2 (ja) | 1994-03-16 |
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