JPS63222421A - ▲ｉｉｉ▼−▲ｖ▼族化合物半導体の原子層エピタキシヤル成長方法 - Google Patents
▲ｉｉｉ▼−▲ｖ▼族化合物半導体の原子層エピタキシヤル成長方法Info
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- JPS63222421A JPS63222421A JP5517387A JP5517387A JPS63222421A JP S63222421 A JPS63222421 A JP S63222421A JP 5517387 A JP5517387 A JP 5517387A JP 5517387 A JP5517387 A JP 5517387A JP S63222421 A JPS63222421 A JP S63222421A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、原子単位で完全に平坦な成長面を有するｍ−
ｖ族化合物半導体の原子層エピタキシャル層の成長方法
に関するものである。
ｖ族化合物半導体の原子層エピタキシャル層の成長方法
に関するものである。
従来のＧａＡｓ等の化合物半導体の薄膜エピタキシャル
層の成長方法としては、構成元素の塩化物、水素化物、
あるいは有機金属化合物のガス状原料を用いる気相エピ
タキシャル成長法（ＶＰＥ法）、また、高真空中で構成
元素をビーム化し、基板結晶上に照射して成長を行う分
子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ法）などが用いられ
てきた。
層の成長方法としては、構成元素の塩化物、水素化物、
あるいは有機金属化合物のガス状原料を用いる気相エピ
タキシャル成長法（ＶＰＥ法）、また、高真空中で構成
元素をビーム化し、基板結晶上に照射して成長を行う分
子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ法）などが用いられ
てきた。
ところで、これらの成長法では、単分子・原子層（数人
程度）の成長膜厚の制御となると、流量。
程度）の成長膜厚の制御となると、流量。
圧力１時間といった要因を極めて精密に制御しなければ
ならない。そこで、これらを解決する優れた手法として
、化合物半導体の構成元素、あるいは、その元素を含む
ガスを交互に供給して一原子・分子層ずつ吸着させ全体
として所望の化合物半導体を成長させる原子層エピタキ
シャル成長方法（ＡＬＥ法）が提案された〔ツォモ・ス
ントラ（Ｔ、５ｕｎｔｏｌａ） ＋第１６凹面体素子・
材料コンファレンス（Ｅｘｔｅｎｄｅｄ Ａｂｓｔｒａ
ｃｔ ｏｆ ｔｈｅ １６ｔｈ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ
ｏｎ ５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ Ｄｅｖｉｃｅ ａ
ｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ）、 Ｋｏｂｅ。
ならない。そこで、これらを解決する優れた手法として
、化合物半導体の構成元素、あるいは、その元素を含む
ガスを交互に供給して一原子・分子層ずつ吸着させ全体
として所望の化合物半導体を成長させる原子層エピタキ
シャル成長方法（ＡＬＥ法）が提案された〔ツォモ・ス
ントラ（Ｔ、５ｕｎｔｏｌａ） ＋第１６凹面体素子・
材料コンファレンス（Ｅｘｔｅｎｄｅｄ Ａｂｓｔｒａ
ｃｔ ｏｆ ｔｈｅ １６ｔｈ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ
ｏｎ ５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ Ｄｅｖｉｃｅ ａ
ｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ）、 Ｋｏｂｅ。
１９８４、 ｐｐ、６４７−６５０） 、この手法は本
発明者等により、ｍ−ｖ族化合物半導体の成長にも適用
された。
発明者等により、ｍ−ｖ族化合物半導体の成長にも適用
された。
この方法によると、膜厚制御のためには、従来の成長速
度を制御する方法とは異なり、例えば、ＧａＣ！！、と
ＡｓＨ３を原料とするＧａＡｓ ＡＬＥ法では、Ｇａ
Ｃｊ！の吸着回数のみを制御することになる。しかも、
広い成長温度、流量範囲において、単分子層単位の成長
が可能であり、これによって膜厚の制御技術は格段に向
上した〔碓井（Ａ。
度を制御する方法とは異なり、例えば、ＧａＣ！！、と
ＡｓＨ３を原料とするＧａＡｓ ＡＬＥ法では、Ｇａ
Ｃｊ！の吸着回数のみを制御することになる。しかも、
広い成長温度、流量範囲において、単分子層単位の成長
が可能であり、これによって膜厚の制御技術は格段に向
上した〔碓井（Ａ。
Ｕｓｕｉ）他、ジャパニーズ ジャーナル オブ アプ
ライド フィジックスＵａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａ
ｌ ｏｆ＾ｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）、ｖｏｌ、
２５＋ｎｏ、 ３ ＋１９８６＋ＰＰ、Ｌ２１２−２１
４〕。
ライド フィジックスＵａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａ
ｌ ｏｆ＾ｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）、ｖｏｌ、
２５＋ｎｏ、 ３ ＋１９８６＋ＰＰ、Ｌ２１２−２１
４〕。
ところが、この■族元素の塩化物と、■族元素、あるい
はその水素化物とを交互に供給するｍ−ｖ族化合物半導
体の原子層エピタキシャル成長技術にも、解決すべき幾
つかの問題点がある。本発明が解決しようとした問題点
はそのなかでも極めて重要なもので成長面の平坦性に関
するものである。
はその水素化物とを交互に供給するｍ−ｖ族化合物半導
体の原子層エピタキシャル成長技術にも、解決すべき幾
つかの問題点がある。本発明が解決しようとした問題点
はそのなかでも極めて重要なもので成長面の平坦性に関
するものである。
即ち、この成長手法においては、■族元素の塩化物の基
板結晶上への吸着は基板表面の凹凸をそのまま受は継ぎ
、その後■族元素を供給し、Ｇａ −Ａ３ボンドを形成
しても、その表面拡散が成長温度（５００℃付近）程度
では極めて小さく成長面の平坦化には殆ど寄与しない。
板結晶上への吸着は基板表面の凹凸をそのまま受は継ぎ
、その後■族元素を供給し、Ｇａ −Ａ３ボンドを形成
しても、その表面拡散が成長温度（５００℃付近）程度
では極めて小さく成長面の平坦化には殆ど寄与しない。
従って、成長終了後においても成長面は基板表面の形状
をそのまま受は継いでいると考えられる。このような成
長モードは単に厚い膜を成長させる時にはあまり問題に
ならないが、規則性混晶や超格子を成長させた場合その
特徴を十分発揮させることができない。ところで、基板
結晶の凹凸の軽減には、通常のＶＰＥやＭＢＥ法でも１
ａｙｅｒ−ｂｙ−１ａｙｅｒ成長に近い条件でエピタキ
シャル成長させることが有効とされている。しかしなが
ら、この方法によっても原子オーダで完全に平坦な成長
面を有するエピタキシャル成長面を得ることは極めて困
難であった。
をそのまま受は継いでいると考えられる。このような成
長モードは単に厚い膜を成長させる時にはあまり問題に
ならないが、規則性混晶や超格子を成長させた場合その
特徴を十分発揮させることができない。ところで、基板
結晶の凹凸の軽減には、通常のＶＰＥやＭＢＥ法でも１
ａｙｅｒ−ｂｙ−１ａｙｅｒ成長に近い条件でエピタキ
シャル成長させることが有効とされている。しかしなが
ら、この方法によっても原子オーダで完全に平坦な成長
面を有するエピタキシャル成長面を得ることは極めて困
難であった。
本発明の目的は、上記従来技術のかかる欠点を除去し、
原子オーダで完全に平坦な成長面を有するｍ−ｖ族化合
物半導体の原子層エピタキシャル層の成長方法を提供し
ようとするものである。
原子オーダで完全に平坦な成長面を有するｍ−ｖ族化合
物半導体の原子層エピタキシャル層の成長方法を提供し
ようとするものである。
本発明は、ｍ−ｖ族化合物半導体の原子層エピタキシャ
ル成長方法において、先ず、基板結晶上に通常のハロゲ
ン輸送法による気相成長法を用いてバッファ層を形成し
た後、これに引き続いて■族元素の塩化物を供給して吸
着層を形成した後、気相中の■族元素の塩化物を排出し
、次に■族元素、あるいはその水素化物を基板結晶上に
一定時間供給するプロセスを少なくとも一回以上繰り返
し、その７＆Ｖ族元素、あるいはその水素化物と■族元
素の塩化物とを交互に供給することによりエピタキシセ
ル成長を行うことを特徴とする。
ル成長方法において、先ず、基板結晶上に通常のハロゲ
ン輸送法による気相成長法を用いてバッファ層を形成し
た後、これに引き続いて■族元素の塩化物を供給して吸
着層を形成した後、気相中の■族元素の塩化物を排出し
、次に■族元素、あるいはその水素化物を基板結晶上に
一定時間供給するプロセスを少なくとも一回以上繰り返
し、その７＆Ｖ族元素、あるいはその水素化物と■族元
素の塩化物とを交互に供給することによりエピタキシセ
ル成長を行うことを特徴とする。
前述したように基板結晶の凹凸の軽減には通常のＶＰＥ
やＭＢＥ法で１ａｙｅｒ−ｂｙ−１ａｙｅｒ成長に近い
条件で、ある程度の厚さにエピタキシャル成長させるこ
とが有効な方法として知られている。本発明では、先ず
この方法によっである程度平坦な成長面を形成する。次
に、■族元素の塩化物のみを成長表面に供給すると、こ
れらは成長表面の凹凸をそのまま受は継ぎ吸着すると考
えられる。この後、気相中の■族元素の塩化物を排出し
、新たに■族元素、あるいはその水素化物を基板結晶上
に一定時間供給することにより、これらは吸着した■族
元素の塩化物の塩素をはずして■族元素と結合する。と
ころが、成長温度が高いと■族元素は再び気相中に飛び
出し、成長表面には■族元素のダングリングボンド（ｄ
ａｎｇｌｉｎｇ ｂｏｎｄ）が残る。ところで、成長表
面は原子オーダで平坦ではないために、■族元素に対し
て結合しているボンドの数が異なり、成長温度を適当に
選ぶことによって凹凸の窪みに入った■族元素はそのま
まで、最上部の表面上の■族元素だけを外すことが可能
である。
やＭＢＥ法で１ａｙｅｒ−ｂｙ−１ａｙｅｒ成長に近い
条件で、ある程度の厚さにエピタキシャル成長させるこ
とが有効な方法として知られている。本発明では、先ず
この方法によっである程度平坦な成長面を形成する。次
に、■族元素の塩化物のみを成長表面に供給すると、こ
れらは成長表面の凹凸をそのまま受は継ぎ吸着すると考
えられる。この後、気相中の■族元素の塩化物を排出し
、新たに■族元素、あるいはその水素化物を基板結晶上
に一定時間供給することにより、これらは吸着した■族
元素の塩化物の塩素をはずして■族元素と結合する。と
ころが、成長温度が高いと■族元素は再び気相中に飛び
出し、成長表面には■族元素のダングリングボンド（ｄ
ａｎｇｌｉｎｇ ｂｏｎｄ）が残る。ところで、成長表
面は原子オーダで平坦ではないために、■族元素に対し
て結合しているボンドの数が異なり、成長温度を適当に
選ぶことによって凹凸の窪みに入った■族元素はそのま
まで、最上部の表面上の■族元素だけを外すことが可能
である。
この後、表面を再び■族元素の塩化物にさらすと、■族
元素の上には吸着するが、■族元素上の吸着は極めて弱
くなり、容易に気相中に飛び出す。そこで再び表面に■
族元素、あるいはその水素化物を供給すると上記反応が
再現する。このプロセスを繰り返すことにより、凹んだ
部分が次第に埋められ、ついには原子オーダで平坦な表
面が得られる。これら一連の反応は、原理からいって平
坦な表面が得られた段階で自動的に止まる自己停止機能
を有しているのが特徴の一つである。
元素の上には吸着するが、■族元素上の吸着は極めて弱
くなり、容易に気相中に飛び出す。そこで再び表面に■
族元素、あるいはその水素化物を供給すると上記反応が
再現する。このプロセスを繰り返すことにより、凹んだ
部分が次第に埋められ、ついには原子オーダで平坦な表
面が得られる。これら一連の反応は、原理からいって平
坦な表面が得られた段階で自動的に止まる自己停止機能
を有しているのが特徴の一つである。
次に、本発明を実施例に基づき具体的に説明する。
実施例１
本実施例では、ＩｎＰ基板結晶に５５０℃で原子層エピ
タキシャル成長法により、Ｇ ａ Ａ ｓ ／ Ｉ ｎ
Ａｓ規則性混晶を成長した場合について述べる。
タキシャル成長法により、Ｇ ａ Ａ ｓ ／ Ｉ ｎ
Ａｓ規則性混晶を成長した場合について述べる。
成長装置の概略を第１図に示した。反応室１の上流にＧ
ａソース２、反応室３の上流にＩｎソース４を置き、そ
れらの上流から導入パイプ５，６を経てＨ，キャリアガ
スと共にＨＣｌガスを供給する。この結果、ＧａＣ１１
およびＩ ｎｃｊ！が生成され下流に運ばれる。一方、
これらの反応室１．３にはＨＣＩ導入パイプ５．６とは
別にＡｓＨ，あるいはＰＨ，を導入するためのハイドラ
イドガス導入パイプ７．８がある。また、反応室９には
黒人バイブ１０からＰＨ，、ＡｓＨ３あるいはＨｚＳｅ
をＨ，キャリアガスと共に供給する。基板結晶１１とし
てはＩ ｎ Ｐ （１００）を用いた。反応室の温度は
抵抗加熱により制御し、■族金属ソース部は８００℃、
基板結晶部は５５０℃とした。ガス流量条件は次の通り
である。
ａソース２、反応室３の上流にＩｎソース４を置き、そ
れらの上流から導入パイプ５，６を経てＨ，キャリアガ
スと共にＨＣｌガスを供給する。この結果、ＧａＣ１１
およびＩ ｎｃｊ！が生成され下流に運ばれる。一方、
これらの反応室１．３にはＨＣＩ導入パイプ５．６とは
別にＡｓＨ，あるいはＰＨ，を導入するためのハイドラ
イドガス導入パイプ７．８がある。また、反応室９には
黒人バイブ１０からＰＨ，、ＡｓＨ３あるいはＨｚＳｅ
をＨ，キャリアガスと共に供給する。基板結晶１１とし
てはＩ ｎ Ｐ （１００）を用いた。反応室の温度は
抵抗加熱により制御し、■族金属ソース部は８００℃、
基板結晶部は５５０℃とした。ガス流量条件は次の通り
である。
ＨＣｌ（Ｇａ） １０ ｃｃ／ｍ１ｎＨＣ１（Ｉ
ｎ） １０ ｃｃ／ｍ１ｎＡ ｓ Ｈ：ｌ
１０ ｃｃ／ｍ１ｎＰ Ｈ３１０ｃｃ／ｌｌ
ｌ１ｎ Ｈ２Ｓ ｅ １０ ｃｃ／ｍｉｎ全流量（
各反応室に対して） ５０００ ｃｃ／ｍｉｎ成長に
際しては、ケミカルエツチングを行った半絶縁性基板結
晶１１を先ず反応室９に置き、ＰＨａ気流中で成長温度
まで昇温した。成長温度に達したところで反応室３にＨ
ＣｌおよびＰＨ３を供給し、一定時間後基板結晶１１を
反応室３に移動した。
ｎ） １０ ｃｃ／ｍ１ｎＡ ｓ Ｈ：ｌ
１０ ｃｃ／ｍ１ｎＰ Ｈ３１０ｃｃ／ｌｌ
ｌ１ｎ Ｈ２Ｓ ｅ １０ ｃｃ／ｍｉｎ全流量（
各反応室に対して） ５０００ ｃｃ／ｍｉｎ成長に
際しては、ケミカルエツチングを行った半絶縁性基板結
晶１１を先ず反応室９に置き、ＰＨａ気流中で成長温度
まで昇温した。成長温度に達したところで反応室３にＨ
ＣｌおよびＰＨ３を供給し、一定時間後基板結晶１１を
反応室３に移動した。
そこでＩｎＰバッファ層を約１μｍ成長させた後、基板
結晶１１を再び反応室９に戻した。そこで反応室３のＰ
Ｈ３の供給を停止し、Ｉ ｎｃｌだけの雰囲気とした後
基板結晶１１を移動して５秒間ＩｎＣ２にさらし、吸着
させた後、基板結晶１１を反応室９に戻した。そして、
表面を５秒間Ｈ，Ｓｅ雰囲気にさらした。その後再度基
板結晶１１を反応室３に移動し、このサイクルを１０回
繰り返した。
結晶１１を再び反応室９に戻した。そこで反応室３のＰ
Ｈ３の供給を停止し、Ｉ ｎｃｌだけの雰囲気とした後
基板結晶１１を移動して５秒間ＩｎＣ２にさらし、吸着
させた後、基板結晶１１を反応室９に戻した。そして、
表面を５秒間Ｈ，Ｓｅ雰囲気にさらした。その後再度基
板結晶１１を反応室３に移動し、このサイクルを１０回
繰り返した。
このプロセスが終了した後、原子層エピタキシャル成長
法により、Ｉｎｃｌ−ＡＳＨ３−ＧａＣＩｌ−ＡＳＨＩ
の順に基板結晶１１の移動を繰り返し、先ず高抵抗のＧ
ａ Ａ ｓ ／ Ｉ ｎ Ａ ｓ規則性混晶を成長さ
せ、次にノンドープのＧ ａ Ａ ｓ ／ Ｉ ｎ Ａ
ｓ規則性混晶を成長させた。
法により、Ｉｎｃｌ−ＡＳＨ３−ＧａＣＩｌ−ＡＳＨＩ
の順に基板結晶１１の移動を繰り返し、先ず高抵抗のＧ
ａ Ａ ｓ ／ Ｉ ｎ Ａ ｓ規則性混晶を成長さ
せ、次にノンドープのＧ ａ Ａ ｓ ／ Ｉ ｎ Ａ
ｓ規則性混晶を成長させた。
得られた結晶のホール測定を行った結果、７７Ｋにおけ
る移動度として１０’ｃｍ”／Ｖ −ｓｅｃ台（キャリ
ア濃度：〜１０”ｃｍ−″）がコンスタントに得られ、
本発明を適用しない場合の値、１０’ｃｍ／Ｖ−ｓｅｃ
台（キャリア濃度二〜１０”ｃｍ−３）と比較してその
有効性が明らかとなった。
る移動度として１０’ｃｍ”／Ｖ −ｓｅｃ台（キャリ
ア濃度：〜１０”ｃｍ−″）がコンスタントに得られ、
本発明を適用しない場合の値、１０’ｃｍ／Ｖ−ｓｅｃ
台（キャリア濃度二〜１０”ｃｍ−３）と比較してその
有効性が明らかとなった。
実施例２
本実施例では、ＧａＡｓ基板結晶に５５０℃で原子層エ
ピタキシャル成長法により、ＩｎＰを成長した場合につ
いて述べる。成長装置および成長条件は実施例１で用い
たものと同じである。反応室１の上流にＧａソース２、
反応室３の上流にＩｎソース４を置き、それらの上流か
ら導入パイプ５゜６を経てＨ２キャリアガスと共にＨＣ
ｌガスを供給する。この結果、ＧａＣ１およびＩｎ（１
！が生成され下流に運ばれる。また、反応室９には導入
パイプ１０からＡ３Ｈ３あるいはＨｚＳｅをＨ２キャリ
アガスと共に供給する。基板結晶１１としてはＧ ａ
Ａ ｓ （１００）を用いた。反応室の温度は抵抗加熱
により制御し、■族金属ソース部は８００℃、基板結晶
部は５５０℃とした。ガス流量条件は次の通りである。
ピタキシャル成長法により、ＩｎＰを成長した場合につ
いて述べる。成長装置および成長条件は実施例１で用い
たものと同じである。反応室１の上流にＧａソース２、
反応室３の上流にＩｎソース４を置き、それらの上流か
ら導入パイプ５゜６を経てＨ２キャリアガスと共にＨＣ
ｌガスを供給する。この結果、ＧａＣ１およびＩｎ（１
！が生成され下流に運ばれる。また、反応室９には導入
パイプ１０からＡ３Ｈ３あるいはＨｚＳｅをＨ２キャリ
アガスと共に供給する。基板結晶１１としてはＧ ａ
Ａ ｓ （１００）を用いた。反応室の温度は抵抗加熱
により制御し、■族金属ソース部は８００℃、基板結晶
部は５５０℃とした。ガス流量条件は次の通りである。
ＨＣｌ（Ｇａ） １０ ｃｃ／ｍ１ｎＨＣ１（
Ｉｎ） １０ ｃｃ／ｍ１ｎＡ ｓ Ｈ３１０
ｃｃ／ｍ１ｎ Ｐ Ｈ３１０ｃｃ／ｍ１ｎ Ｈａｓ ｅ １０ ｃｃ／ｍｉｎ全流量
（各反応室に対して） ５０００ ｃｃ／ｍｉｎ成長
に際しては、ケミカルエツチングを行った半絶縁性基板
結晶１１を先ず反応室９に置き、ＡｓＨ３気流中で成長
温度まで昇温した。成長温度に達したところで反応室１
にＨＣＩおよびＡｓＨ３を供給し、一定時間後基板結晶
１１を反応室ｌに移動した。そこでＧａＡｓバフファ層
を約１μｍ成長させた後、基板結晶１１を再び反応室９
に戻した。
Ｉｎ） １０ ｃｃ／ｍ１ｎＡ ｓ Ｈ３１０
ｃｃ／ｍ１ｎ Ｐ Ｈ３１０ｃｃ／ｍ１ｎ Ｈａｓ ｅ １０ ｃｃ／ｍｉｎ全流量
（各反応室に対して） ５０００ ｃｃ／ｍｉｎ成長
に際しては、ケミカルエツチングを行った半絶縁性基板
結晶１１を先ず反応室９に置き、ＡｓＨ３気流中で成長
温度まで昇温した。成長温度に達したところで反応室１
にＨＣＩおよびＡｓＨ３を供給し、一定時間後基板結晶
１１を反応室ｌに移動した。そこでＧａＡｓバフファ層
を約１μｍ成長させた後、基板結晶１１を再び反応室９
に戻した。
そこで反応室１のＡＳＨ３の供給を停止し、Ｇａｃｇだ
けの雰囲気とした後基板結晶１１を移動して５秒間Ｇａ
Ｃ１にさらし、吸着させた後、基板結晶１１を再び反応
室９に戻した。そして、表面を５秒間Ｈ，Ｓｅ雰囲気に
さらした。その後再度基板結晶１１を反応室１に移動し
、このサイクルを１０回繰り返した。
けの雰囲気とした後基板結晶１１を移動して５秒間Ｇａ
Ｃ１にさらし、吸着させた後、基板結晶１１を再び反応
室９に戻した。そして、表面を５秒間Ｈ，Ｓｅ雰囲気に
さらした。その後再度基板結晶１１を反応室１に移動し
、このサイクルを１０回繰り返した。
このプロセスが終了した後、原子層エピタキシャル成長
法により、Ｉ ｎ ＣＩ Ｐ Ｈｔの順に基板結晶１
１の移動を操り返し、（ｎＰを成長させた。
法により、Ｉ ｎ ＣＩ Ｐ Ｈｔの順に基板結晶１
１の移動を操り返し、（ｎＰを成長させた。
得られた結晶を透過電子顕微鏡により格子像を調べた結
果、基板と成長層の界面の極めて平坦な結晶が得られた
。
果、基板と成長層の界面の極めて平坦な結晶が得られた
。
以上述べたように、本発明による成長方法を用いると、
原子オーダで完全に平坦な成長面を有するｍ−ｖ族化合
物半導体の原子層エピタキシャル層が得られ、その結果
、高品質の規則性混晶や超格子構造の成長が可能になる
。なお、本発明においては■族元素およびその水素化物
を用いたが、同様な作用を有する他の元素あるいは化合
物に対しても適用可能であることは勿論、同様な原理で
ｎ−ｖｒ族化合物半導体の成長にも適用できる。
原子オーダで完全に平坦な成長面を有するｍ−ｖ族化合
物半導体の原子層エピタキシャル層が得られ、その結果
、高品質の規則性混晶や超格子構造の成長が可能になる
。なお、本発明においては■族元素およびその水素化物
を用いたが、同様な作用を有する他の元素あるいは化合
物に対しても適用可能であることは勿論、同様な原理で
ｎ−ｖｒ族化合物半導体の成長にも適用できる。
第１図は本発明による実施例を説明するための図で、成
長装置の概略を示したものである。 １．３．９・・・反応室 ２・・・・・・・Ｇａソース ４・・・・・・・Ｉｎソース ５．６．１９・・・導入パイプ ７．８・・・・・ハイドライドガス導入パイプ１１・・
・・・・・基板結晶
長装置の概略を示したものである。 １．３．９・・・反応室 ２・・・・・・・Ｇａソース ４・・・・・・・Ｉｎソース ５．６．１９・・・導入パイプ ７．８・・・・・ハイドライドガス導入パイプ１１・・
・・・・・基板結晶
Claims (1)
- （１）III−Ｖ族化合物半導体の原子層エピタキシャル
成長方法において、先ず、基板結晶上に通常のハロゲン
輸送法による気相成長法を用いてバッファ層を形成した
後、これに引き続いてIII族元素の塩化物を供給して吸
着層を形成した後、気相中のIII族元素の塩化物を排出
し、次にVI族元素、アるいはその水素化物を基板結晶上
に一定時間供給するプロセスを少なくとも一回以上繰り
返し、その後Ｖ族元素、あるいはその水素化物とIII族
元素の塩化物とを交互に供給することによりエピタキシ
ャル成長を行うことを特徴とするIII−Ｖ族化合物半導
体の原子層エピタキシャル成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5517387A JPH0620047B2 (ja) | 1987-03-12 | 1987-03-12 | ▲ｉｉｉ▼−▲ｖ▼族化合物半導体の原子層エピタキシヤル成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5517387A JPH0620047B2 (ja) | 1987-03-12 | 1987-03-12 | ▲ｉｉｉ▼−▲ｖ▼族化合物半導体の原子層エピタキシヤル成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63222421A true JPS63222421A (ja) | 1988-09-16 |
| JPH0620047B2 JPH0620047B2 (ja) | 1994-03-16 |
Family
ID=12991335
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5517387A Expired - Lifetime JPH0620047B2 (ja) | 1987-03-12 | 1987-03-12 | ▲ｉｉｉ▼−▲ｖ▼族化合物半導体の原子層エピタキシヤル成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0620047B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7781326B2 (en) | 2001-02-02 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Formation of a tantalum-nitride layer |
| US7846840B2 (en) | 2000-06-28 | 2010-12-07 | Applied Materials, Inc. | Method for forming tungsten materials during vapor deposition processes |
| US9587310B2 (en) | 2001-03-02 | 2017-03-07 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
-
1987
- 1987-03-12 JP JP5517387A patent/JPH0620047B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7846840B2 (en) | 2000-06-28 | 2010-12-07 | Applied Materials, Inc. | Method for forming tungsten materials during vapor deposition processes |
| US7781326B2 (en) | 2001-02-02 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Formation of a tantalum-nitride layer |
| US9012334B2 (en) | 2001-02-02 | 2015-04-21 | Applied Materials, Inc. | Formation of a tantalum-nitride layer |
| US9587310B2 (en) | 2001-03-02 | 2017-03-07 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
| US10280509B2 (en) | 2001-07-16 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0620047B2 (ja) | 1994-03-16 |
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