JPS62132797A - ３−ｖ族化合物半導体のエピタキシヤル成長方法 - Google Patents
３−ｖ族化合物半導体のエピタキシヤル成長方法Info
- Publication number
- JPS62132797A JPS62132797A JP27394585A JP27394585A JPS62132797A JP S62132797 A JPS62132797 A JP S62132797A JP 27394585 A JP27394585 A JP 27394585A JP 27394585 A JP27394585 A JP 27394585A JP S62132797 A JPS62132797 A JP S62132797A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- growth
- reaction chamber
- elements
- compound semiconductor
- epitaxial growth
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ｌ−ｖ族化合物半導体の比較的低い成長温度
におけるエピタキシャル成長方法に関するものである。
におけるエピタキシャル成長方法に関するものである。
（ｊ ａ Ａ Ｓ ＃ Ｉ ｎＰ等のようなＩ−ＶＩＩ
ｆｃ化合物半導体エヒタキシャル成長結晶は発光ダイオ
ード、レーザダイオードのような元デバイスや、 ｋ
’Ｍ’ｉ’ のようなマイクロ波テパイスに広く応用
されている。
ｆｃ化合物半導体エヒタキシャル成長結晶は発光ダイオ
ード、レーザダイオードのような元デバイスや、 ｋ
’Ｍ’ｉ’ のようなマイクロ波テパイスに広く応用
されている。
所で、これらのデバイスは一層のエピタキシャル層から
成っている事は少なく、構成元素の異なる多層のエピタ
キシャル層、あるいは、同じ組成であっても不純物の種
傾や濃度の異なるエピタキシャル層を積みかさねて成長
しデバイスに応用する場合がほとんどである。また、こ
のような界面を有する場合には、その界面においてｍ欣
元素や不純物が急峻に変化することを要求されることが
多い。
成っている事は少なく、構成元素の異なる多層のエピタ
キシャル層、あるいは、同じ組成であっても不純物の種
傾や濃度の異なるエピタキシャル層を積みかさねて成長
しデバイスに応用する場合がほとんどである。また、こ
のような界面を有する場合には、その界面においてｍ欣
元素や不純物が急峻に変化することを要求されることが
多い。
ところで、これらの化付物半導体のエピタキシャル成長
方法として従来から行なわれてきた製法としては１例え
ばＧａＡｓを例に取ると、Ａｓを溶かし込んだＧａ融液
に基板結晶を接触させて成長を行なう液相エピタキシャ
ル方法（ＬＰＥ法）、また、ガスを用いる気相エピタキ
シャル方法（ＶＰＥ法）、これには、璽族元素の輸送法
としてＧａｅｌのようなＯａの塩化物を用いるハロゲン
輸送法と呼ばれる方法、Ｇａ （ＣＨ，） 、のような
Ｇａの有機金属化合物を用いるＭ（ＪＣＶＤ法等がある
。更には高真を中でＯａおまひ、Ａｓのビームを飛ばし
て成長を行なう分子線エピタキシャル法（ＭＢＥｉも近
年は盛んに研究が行なわれている。
方法として従来から行なわれてきた製法としては１例え
ばＧａＡｓを例に取ると、Ａｓを溶かし込んだＧａ融液
に基板結晶を接触させて成長を行なう液相エピタキシャ
ル方法（ＬＰＥ法）、また、ガスを用いる気相エピタキ
シャル方法（ＶＰＥ法）、これには、璽族元素の輸送法
としてＧａｅｌのようなＯａの塩化物を用いるハロゲン
輸送法と呼ばれる方法、Ｇａ （ＣＨ，） 、のような
Ｇａの有機金属化合物を用いるＭ（ＪＣＶＤ法等がある
。更には高真を中でＯａおまひ、Ａｓのビームを飛ばし
て成長を行なう分子線エピタキシャル法（ＭＢＥｉも近
年は盛んに研究が行なわれている。
さて、界面において構成元素や不純物を急峻に変化させ
るためｌこ最も有効な方法は成長温度を出来るだけ低く
してエピタキシャル成長を行なうことである。この観点
の１ら成長方法を見ると、先ずＬＰＥ法の場合、 成長
温度の低下は溶媒中（例えばＧ ａ Ａ Ｓ成長の場合
、Ｇａを指す）の溶質（例えば（Ｊ ａ Ａ Ｓ成長の
場合、Ａｓを指す）の溶解度の低下を持たらし、これに
よる過飽和度の大幅な増大は成長速度の制御を困難にす
る。また、ＭＯＣＶＤ法は、４００℃以下の低温成長で
は原料の有機金属化合物の分解率が小さくなり、実用的
な成長速度８得ることが困難になる。ハロゲン輸送法に
よるＶＰＥ法やＭＢＥ法は成長温度の低温化は他の方法
に較べれば、比較的容易である。しかし、成長温度の低
温下は飛来原子（あるいは、分子）の成長表面における
拡散の低下を持たらし、表面欠陥の少ない高品質の成長
面を得ることは困難である。
るためｌこ最も有効な方法は成長温度を出来るだけ低く
してエピタキシャル成長を行なうことである。この観点
の１ら成長方法を見ると、先ずＬＰＥ法の場合、 成長
温度の低下は溶媒中（例えばＧ ａ Ａ Ｓ成長の場合
、Ｇａを指す）の溶質（例えば（Ｊ ａ Ａ Ｓ成長の
場合、Ａｓを指す）の溶解度の低下を持たらし、これに
よる過飽和度の大幅な増大は成長速度の制御を困難にす
る。また、ＭＯＣＶＤ法は、４００℃以下の低温成長で
は原料の有機金属化合物の分解率が小さくなり、実用的
な成長速度８得ることが困難になる。ハロゲン輸送法に
よるＶＰＥ法やＭＢＥ法は成長温度の低温化は他の方法
に較べれば、比較的容易である。しかし、成長温度の低
温下は飛来原子（あるいは、分子）の成長表面における
拡散の低下を持たらし、表面欠陥の少ない高品質の成長
面を得ることは困難である。
本発明の目的は、Ｉ−ｖ族化合物半導体の比較的低い成
長温度におけるエピタキシャル成長において、従来の力
）かる欠点を除去し、鏡面性に優れたエピタキシャル成
長層を得ることのできる方法を提供しようとするもので
ある。
長温度におけるエピタキシャル成長において、従来の力
）かる欠点を除去し、鏡面性に優れたエピタキシャル成
長層を得ることのできる方法を提供しようとするもので
ある。
本発明によれば、Ｉ−Ｖ＃ｃ化合物半導体のエピタキシ
ャル成長において、先ず、基板結晶上に成長せしめよう
とする化合物半導体の構成元素、あるいは、その元素を
含むガスを交互に供給して一原子層ずつ吸着させ全体と
して所望の化合物半導体を成長させ、次に、すべての構
成元素、あるいは、その元素を含むガスを同時に供給し
て成長せしめることを特徴とする一−Ｖ族化合物牛導体
のエピタキシャル成長方法が得られる。
ャル成長において、先ず、基板結晶上に成長せしめよう
とする化合物半導体の構成元素、あるいは、その元素を
含むガスを交互に供給して一原子層ずつ吸着させ全体と
して所望の化合物半導体を成長させ、次に、すべての構
成元素、あるいは、その元素を含むガスを同時に供給し
て成長せしめることを特徴とする一−Ｖ族化合物牛導体
のエピタキシャル成長方法が得られる。
本発明は２つのプロセスに分けられる。先ず基板結晶上
に成長せしめようとする化合物半導体の（４次元素、あ
るいは、その元素を含むガスを交互に供給して一原子層
ずつ吸着させ全体として所望の化合物半導体を成長させ
ることである。この成長法は原子層エピタキシャル法（
ＡＬＥ法）と呼ばれ、最近、スントラ（Ｓｕｎｔｏｌａ
）等によって報告（第１６回向体素子、材料コンファレ
ンス予稿集・′（Ｅｘｔｅｎｄｅｄ Ａｂｓｔｒａｃｔ
ｏｆ ｔｂｅ １５ｔｈ Ｃｏｎ −ｆｅｒｅｎ
ｃｅ ｏｎ ５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ １）ｅ
ｖｔｃｅ ａｎｄＭａｔｅｒｉａｌｓ）１９８４．
ｐｐ、６４７−６５０）された方法である。この方法に
よると、膜厚の制御のためには、従来のバルクとし＆長
速度を制御する方法とは異なり、ガスの切り換え回数を
制御すれば良いことにな、９、その精度は格段に向上す
ることができる。所で、この手法によれば、一原子層ず
つ吸着させるためには低温成長においても非常に平坦性
の良い成長面が得られ心と言う特徴がある事がわ力）り
た。これが従来の成長法であれば、成長温度の低下は成
長表面における成長分子の拡散低下を持たらし、その結
果、表面上の酸化膜や微小なゴミ等が核となり、ヒルロ
ック那の表面欠陥の非常に多い成長面となる。ＡＩＪ法
では、この低温成長においても非常に平坦性の良い成長
面が得られると言う特徴がある半面、成長速度が極端に
遅いことが欠点である。そこで我々はこの問題を解決す
べく種々の実験を行なった結果、第１図に示したように
基板結晶ｌ上に上述したＡＩＪ法による第一の成長プロ
セスによるエピタキシャル層２の成長を行ない１次に、
従来の成長手法による第二の成長プロセスによるエピタ
キシャル層３の成長を行なうことによって、鏡面性に優
れ、実用的な成長速度でエピタキシャル成長層を得るこ
とのできることを見いだした。
に成長せしめようとする化合物半導体の（４次元素、あ
るいは、その元素を含むガスを交互に供給して一原子層
ずつ吸着させ全体として所望の化合物半導体を成長させ
ることである。この成長法は原子層エピタキシャル法（
ＡＬＥ法）と呼ばれ、最近、スントラ（Ｓｕｎｔｏｌａ
）等によって報告（第１６回向体素子、材料コンファレ
ンス予稿集・′（Ｅｘｔｅｎｄｅｄ Ａｂｓｔｒａｃｔ
ｏｆ ｔｂｅ １５ｔｈ Ｃｏｎ −ｆｅｒｅｎ
ｃｅ ｏｎ ５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ １）ｅ
ｖｔｃｅ ａｎｄＭａｔｅｒｉａｌｓ）１９８４．
ｐｐ、６４７−６５０）された方法である。この方法に
よると、膜厚の制御のためには、従来のバルクとし＆長
速度を制御する方法とは異なり、ガスの切り換え回数を
制御すれば良いことにな、９、その精度は格段に向上す
ることができる。所で、この手法によれば、一原子層ず
つ吸着させるためには低温成長においても非常に平坦性
の良い成長面が得られ心と言う特徴がある事がわ力）り
た。これが従来の成長法であれば、成長温度の低下は成
長表面における成長分子の拡散低下を持たらし、その結
果、表面上の酸化膜や微小なゴミ等が核となり、ヒルロ
ック那の表面欠陥の非常に多い成長面となる。ＡＩＪ法
では、この低温成長においても非常に平坦性の良い成長
面が得られると言う特徴がある半面、成長速度が極端に
遅いことが欠点である。そこで我々はこの問題を解決す
べく種々の実験を行なった結果、第１図に示したように
基板結晶ｌ上に上述したＡＩＪ法による第一の成長プロ
セスによるエピタキシャル層２の成長を行ない１次に、
従来の成長手法による第二の成長プロセスによるエピタ
キシャル層３の成長を行なうことによって、鏡面性に優
れ、実用的な成長速度でエピタキシャル成長層を得るこ
とのできることを見いだした。
次に、本発明を実施νりに基づき具体的に説明する。
実施例１゜
不実施例ではＧ ａ Ａ Ｓ基板結晶に４００℃の成長
温度でＧ ａ Ａ Ｓをハロゲン輸送法ＶＰＥによタエ
ビタキシャル成長させる方法に本発明を適用した場合に
ついて述べる。成長装置の概略を第２図に示した。この
成長装置では、上段の反応室４の上流にＧａソースポー
ト５を置き、その上流力１らＨ，キャリヤガスと伴にＨ
Ｃｘガスを供給する。この結果Ｇａｅｌが生成され下流
に運ばれる。また、Ｇａソースボート５をバイパスする
バイブロからＡｎの水素化物であるＡ！ｑＨ８をＨｌ
をキャリヤガスと伴に供給する。一方、下段反応室７に
は、−？はりＡｓの水素化物であるＡ Ｓ ）ｉ Ｉを
Ｈ９をキャリヤガスと伴に供給する。このガスは反応管
中で分解し、基板領域では生としてＡＳ４となっている
。基板結晶８としてはＧａＡｓ （１００）を用いた。
温度でＧ ａ Ａ Ｓをハロゲン輸送法ＶＰＥによタエ
ビタキシャル成長させる方法に本発明を適用した場合に
ついて述べる。成長装置の概略を第２図に示した。この
成長装置では、上段の反応室４の上流にＧａソースポー
ト５を置き、その上流力１らＨ，キャリヤガスと伴にＨ
Ｃｘガスを供給する。この結果Ｇａｅｌが生成され下流
に運ばれる。また、Ｇａソースボート５をバイパスする
バイブロからＡｎの水素化物であるＡ！ｑＨ８をＨｌ
をキャリヤガスと伴に供給する。一方、下段反応室７に
は、−？はりＡｓの水素化物であるＡ Ｓ ）ｉ Ｉを
Ｈ９をキャリヤガスと伴に供給する。このガスは反応管
中で分解し、基板領域では生としてＡＳ４となっている
。基板結晶８としてはＧａＡｓ （１００）を用いた。
反応管の温度は抵抗加熱によシ制御しＧａソース部は
８００℃、基板結晶部は４００℃に保った。ガス流者条
件は次の通りである。
８００℃、基板結晶部は４００℃に保った。ガス流者条
件は次の通りである。
上段の反応室
ＨＣＩ （Ｇａ） ｌ０ＣＣ／ｘｉＡＳＨＪ
１いンー Ｈ，５０ＱＱｃｃ／ｍ 下段反応室 ＡａＨｓ ｔｏ蜂− Ｈ，５００叶Ｖ− 成長に際しては、基板結晶８を先ず下段反応室７に置き
、Ａｓａ雰囲気で成長温度（４００℃）まで昇温した。
１いンー Ｈ，５０ＱＱｃｃ／ｍ 下段反応室 ＡａＨｓ ｔｏ蜂− Ｈ，５００叶Ｖ− 成長に際しては、基板結晶８を先ず下段反応室７に置き
、Ａｓａ雰囲気で成長温度（４００℃）まで昇温した。
成長温度に達した所で上段反応室４にＨＣＩを供給し、
−足時間後基板結晶８８、上段反応室４に移動した。そ
こでｌＯ秒間ＱａＵ１８士分に吸着させ、再び、基板結
晶８を下段反応室７に移動した。これを１０往復行なっ
た。なお、基板結晶８移動の際には、移動中の成長を防
ぐために。
−足時間後基板結晶８８、上段反応室４に移動した。そ
こでｌＯ秒間ＱａＵ１８士分に吸着させ、再び、基板結
晶８を下段反応室７に移動した。これを１０往復行なっ
た。なお、基板結晶８移動の際には、移動中の成長を防
ぐために。
Ａ Ｓ Ｈｓの供給を停止し、ＧａＣｌ７囲気で移動す
るようにした。この後、基板ｔｉｌｔ！１８を、上段反
応室４に固定し、従来の手法で４００℃においてＧ ａ
Ａ Ｓを約１μｍの厚さに成長させた。この結果、ヒ
ルロック等の表面欠陥の非常に少なく、鏡面性に優れた
エピタキシャル層が得られた。
るようにした。この後、基板ｔｉｌｔ！１８を、上段反
応室４に固定し、従来の手法で４００℃においてＧ ａ
Ａ Ｓを約１μｍの厚さに成長させた。この結果、ヒ
ルロック等の表面欠陥の非常に少なく、鏡面性に優れた
エピタキシャル層が得られた。
実施例２゜
本実施例では１１Ｐ基板結晶に４００℃の成長温度で１
．３ μｍ帝レしザ用１ ｎ Ｐ／ Ｌ ｎ ＧａＡ
ｓ Ｐダブルへテロ構造をハロゲン輸送法ＶＰＥにより
エピタキシャル成長させる方法に本発明を適用した場合
について述べる。成長装置の概＃！Ｉを第３図に示した
。この成長装置では、上段の反応室４の上流にＧａ、Ｉ
ｎソースボート５を置き、その上流力）らＨ，キャリヤ
ガスと伴にＨＣＩガスを供給する。
．３ μｍ帝レしザ用１ ｎ Ｐ／ Ｌ ｎ ＧａＡ
ｓ Ｐダブルへテロ構造をハロゲン輸送法ＶＰＥにより
エピタキシャル成長させる方法に本発明を適用した場合
について述べる。成長装置の概＃！Ｉを第３図に示した
。この成長装置では、上段の反応室４の上流にＧａ、Ｉ
ｎソースボート５を置き、その上流力）らＨ，キャリヤ
ガスと伴にＨＣＩガスを供給する。
この結果、ＱａＣｌ、１ｎＣＩが生成され下流に運ばれ
る。また、Ｇａソースボート５をバイパスするバイブロ
乃）らＡｓ、Ｐの水素化物であるＡ ｓ Ｈａ 。
る。また、Ｇａソースボート５をバイパスするバイブロ
乃）らＡｓ、Ｐの水素化物であるＡ ｓ Ｈａ 。
ＰＨ，をＨ８をキャリヤガスと伴に供給する。一方下段
反応室７の上流にＩｎソースポート５を置きその上流か
らＨ，キャリヤガスと伴にＨＣＩ ガスを供給する。
反応室７の上流にＩｎソースポート５を置きその上流か
らＨ，キャリヤガスと伴にＨＣＩ ガスを供給する。
この結果、ＩｎＣｌが生成され下流に運ばれる。また、
Ｉｎソースボート５をバイパスするパイプ６カ１らＰの
水素化物でるるＰＨ，をＨｌをキャリヤガスと伴に供給
する。基板結晶８としてはＩｎＰ （１００）を用いた
。反応管の温度は抵抗加熱により制御しＧａソース部は
８００℃、基板結晶部は４００℃に保った。 ガス流量
条件は次の通りである。
Ｉｎソースボート５をバイパスするパイプ６カ１らＰの
水素化物でるるＰＨ，をＨｌをキャリヤガスと伴に供給
する。基板結晶８としてはＩｎＰ （１００）を用いた
。反応管の温度は抵抗加熱により制御しＧａソース部は
８００℃、基板結晶部は４００℃に保った。 ガス流量
条件は次の通りである。
上段の反応室
Ｈｅｌ （Ｇａ） ２ｃｃ／ｍＭＣＩ （Ｉ
ｎ） ｓｅｅ、／＝Ａ Ｓ Ｈｓ
４ ｃＣ／ａｌ＋ＰＨ，６ＣＣ／龍 Ｈ” ５０００ ｃＣ／ｒｎｍ下段反応
室 ＨＣｌ （Ｉｎ） ８にＣ／ｍＰ８．
６ＣＣ／韻 Ｈ自５０００ ｃＣ／Ｈｎ 成長に際しては、基板結晶８を先ず下段反応室７にｌｉ
ｔさ、Ｐ４雰囲気で成長温度（４００℃）まで昇温した
。成長温度に達した所で上段反応室４のＩｎソースにＨ
Ｃｌを供給し、−走時間後基板結晶８を、上段反応室４
に移動した。そこでＩＯ秒間ＩｎＣｌを十分に吸着させ
、再び、基板結晶８を下段反応室７に移動した。
ｎ） ｓｅｅ、／＝Ａ Ｓ Ｈｓ
４ ｃＣ／ａｌ＋ＰＨ，６ＣＣ／龍 Ｈ” ５０００ ｃＣ／ｒｎｍ下段反応
室 ＨＣｌ （Ｉｎ） ８にＣ／ｍＰ８．
６ＣＣ／韻 Ｈ自５０００ ｃＣ／Ｈｎ 成長に際しては、基板結晶８を先ず下段反応室７にｌｉ
ｔさ、Ｐ４雰囲気で成長温度（４００℃）まで昇温した
。成長温度に達した所で上段反応室４のＩｎソースにＨ
Ｃｌを供給し、−走時間後基板結晶８を、上段反応室４
に移動した。そこでＩＯ秒間ＩｎＣｌを十分に吸着させ
、再び、基板結晶８を下段反応室７に移動した。
これをｌＯ往復行なった。なお、基板結晶８移動の際に
は、移動中の成長を防ぐために、Ｐｌ（、の供給を停止
し、１ｎｅｌ雰囲気で移動するようにした。
は、移動中の成長を防ぐために、Ｐｌ（、の供給を停止
し、１ｎｅｌ雰囲気で移動するようにした。
この後、基板結晶８を、下段反応室７に固定し、従来の
手法で４００℃において、Ｈ，８を用いてＳをｌ×１Ｏ
ｃＩＩＬ 程度ドーピングした１ｎＰを約１μｍの厚
さに成長させた。ＩｎＰ成長の間に上段反応室を１ｎＰ
に格子整合して、且つ、発光波長が１．３μｍとなるよ
うな組成を有するＩｎＧａＡｓＰの成長雰囲気とした。
手法で４００℃において、Ｈ，８を用いてＳをｌ×１Ｏ
ｃＩＩＬ 程度ドーピングした１ｎＰを約１μｍの厚
さに成長させた。ＩｎＰ成長の間に上段反応室を１ｎＰ
に格子整合して、且つ、発光波長が１．３μｍとなるよ
うな組成を有するＩｎＧａＡｓＰの成長雰囲気とした。
下段反応室７で１ｎＰを約１μｍの厚さに成長させた後
、基板結晶８を上段反応室４に移動し、Ｑ、１５７ｊｆ
ｉの厚さ１ｎＧａＡｓＰ ｆ成長した。この間に下段反
応室７のドーパントをＨ，Ｓから７．ｎ （Ｃ−Ｈ−）
−に換え、再ひ、基板結晶８を下段反応室７に移動後、
ｒｌ、ｎを１ｘｌＯｃ＋ｙ＋程度ドーピングしたＩｎＰ
を約１μｍの厚さに成長させた。その結果、ヒルロック
等の表面欠陥が非常に少なく、鏡面性に優れたエピタキ
シャル層が得られた。更に％ ＳＩＭＳ分析によりヘテ
ロ界面の急峻性を調べた結果１組成の遷移層の厚さは１
０Ｘ以下であり、ｚｎ、ｓの不糾物に関しても１ｎＧａ
−ＡｓＰ ／−への拡散はほとんど観察されなかった。
、基板結晶８を上段反応室４に移動し、Ｑ、１５７ｊｆ
ｉの厚さ１ｎＧａＡｓＰ ｆ成長した。この間に下段反
応室７のドーパントをＨ，Ｓから７．ｎ （Ｃ−Ｈ−）
−に換え、再ひ、基板結晶８を下段反応室７に移動後、
ｒｌ、ｎを１ｘｌＯｃ＋ｙ＋程度ドーピングしたＩｎＰ
を約１μｍの厚さに成長させた。その結果、ヒルロック
等の表面欠陥が非常に少なく、鏡面性に優れたエピタキ
シャル層が得られた。更に％ ＳＩＭＳ分析によりヘテ
ロ界面の急峻性を調べた結果１組成の遷移層の厚さは１
０Ｘ以下であり、ｚｎ、ｓの不糾物に関しても１ｎＧａ
−ＡｓＰ ／−への拡散はほとんど観察されなかった。
以上述べたように、本発明によるエピタキシャル成長方
法を用いると、４００℃以下の比較的低い成長ａ度にお
けるｌ −Ｖ族化合物半導体エピタキシャル成長におい
て、成長面の鏡面性に優れ、しかも実用的な成長速度が
得られる。またへテロ界面においては構成元素や不純物
が急峻に変化するエピタキシャル成長層を得ることがで
きる。
法を用いると、４００℃以下の比較的低い成長ａ度にお
けるｌ −Ｖ族化合物半導体エピタキシャル成長におい
て、成長面の鏡面性に優れ、しかも実用的な成長速度が
得られる。またへテロ界面においては構成元素や不純物
が急峻に変化するエピタキシャル成長層を得ることがで
きる。
第１図は本発明による方法を説明するための図である。
第２図は本発明の実施例１８説明するための図で、Ｇａ
Ａｓ基板結晶に４００℃の成長温度でＧａＡｓをハロゲ
ン輸送法ＶＰＥによりエピタキシャル成長させるための
成長装置の概略図である。 第３図は本発明の実施例２８説明するための図で、Ｉｎ
Ｐ基板結晶に４００℃の成長温度で１．３μｍ帯レーし
用ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰダブルへテロ構造をハロゲン
輸送法ＶＰＥによりエピタキシャル成長させるための成
長装置の概略図である。 １・・・・・・基板結晶 ２・・・・・エピタキシャル層Ａ ３・・・ エピタキシャル層Ｂ ４・・・・・上段反応室 ５・・・・・ソースボート ６１９８１１．バイパスパイプ ７・・・・・下段反応室 ８・・・・・基板結晶 ９・・・・・・基板ホルダー パ−Ｎ− 一も＋１
Ａｓ基板結晶に４００℃の成長温度でＧａＡｓをハロゲ
ン輸送法ＶＰＥによりエピタキシャル成長させるための
成長装置の概略図である。 第３図は本発明の実施例２８説明するための図で、Ｉｎ
Ｐ基板結晶に４００℃の成長温度で１．３μｍ帯レーし
用ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰダブルへテロ構造をハロゲン
輸送法ＶＰＥによりエピタキシャル成長させるための成
長装置の概略図である。 １・・・・・・基板結晶 ２・・・・・エピタキシャル層Ａ ３・・・ エピタキシャル層Ｂ ４・・・・・上段反応室 ５・・・・・ソースボート ６１９８１１．バイパスパイプ ７・・・・・下段反応室 ８・・・・・基板結晶 ９・・・・・・基板ホルダー パ−Ｎ− 一も＋１
Claims (1)
- III−Ｖ族化合物半導体のエピタキシャル成長において
、先ず、基板結晶上に成長せしめようとする化合物半導
体の構成元素、あるいは、その元素を含むガスを交互に
供給して一原子層ずつ吸着させ、全体として所望の化合
物半導体を成長させ、次に、すべての構成元素、あるい
は、その元素を含むガスを同時に供給して成長せしめる
ことを特徴とするIII−Ｖ族化合物半導体のエピタキシ
ャル成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27394585A JPS62132797A (ja) | 1985-12-04 | 1985-12-04 | ３−ｖ族化合物半導体のエピタキシヤル成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27394585A JPS62132797A (ja) | 1985-12-04 | 1985-12-04 | ３−ｖ族化合物半導体のエピタキシヤル成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62132797A true JPS62132797A (ja) | 1987-06-16 |
Family
ID=17534757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27394585A Pending JPS62132797A (ja) | 1985-12-04 | 1985-12-04 | ３−ｖ族化合物半導体のエピタキシヤル成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62132797A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0466526U (ja) * | 1990-10-19 | 1992-06-11 | ||
| US6706119B2 (en) * | 2001-03-30 | 2004-03-16 | Technologies And Devices International, Inc. | Apparatus for epitaxially growing semiconductor device structures with submicron group III nitride layer utilizing HVPE |
-
1985
- 1985-12-04 JP JP27394585A patent/JPS62132797A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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