JPH0323294A - 化合物半導体結晶成長方法 - Google Patents
化合物半導体結晶成長方法Info
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- JPH0323294A JPH0323294A JP15587589A JP15587589A JPH0323294A JP H0323294 A JPH0323294 A JP H0323294A JP 15587589 A JP15587589 A JP 15587589A JP 15587589 A JP15587589 A JP 15587589A JP H0323294 A JPH0323294 A JP H0323294A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000003877 atomic layer epitaxy Methods 0.000 claims description 10
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 claims description 4
- -1 alkyl compound Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 15
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 abstract description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 abstract description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 abstract 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 3
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000070 arsenic hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（概要）
化合物半導体結晶戒長方法の改良、特に、低温で良好な
原子層エビタキシを可能にする改良に関し、 低温において良好な原子層エビタキシを可能にし、それ
によって急峻なヘテロ界面を形威することができ、また
、単原子層単位の厳密さをもった急峻な不純物濃度の制
御ができる化合物半導体結晶或長方法を提供することを
目的とし、１の化合物半導体を構成する元素の少なくと
も１をこの元素のアルキル化合物として供給して、化合
物半導体基板上に原子層エビタキシ法を使用して前記の
１の化合物半導体の結晶を戒長ずる化合物半導体結晶成
長方法において、前記の化合物半導体基板の戒長面は（
１ １ ０）面とするようにｖｊ威する． （産業上の利用分野〕 本発明は、化合物半導体結晶或長方法の改良、特に、低
温で良好な原子層エビタヰシを可能にする改良に関する
． 〔従来の技術〕 電子デバイスの微細化を進めてその性能を向上し、更に
は従来の手法をもって製造された化合物半導体結晶には
ない物性を有する化合物半導体結晶を実現して新しい機
能を有する電子デバイスを開発すること等を目的として
、化合物半導体結晶及びその不純物濃度を原子層単位で
制御することが強く望まれている．従来、例えばＧａＡ
ｓの単原子層を威長させる場合には、ＭＯ−ＣＶＤ法を
使用し、戒長温度５ ０ ０ ”Ｃにおいてトリメチル
ガリウム（ （ＣＨ３ Ｌ Ｇａ）またはトリエチルガ
リウム（ （Ｃｍ Ｈｓ ）ｓ Ｇａ）とアルシン（Ａ
ｓＨｚ）とを交互に面方位（１００）のＧａＡｓ基板上
に供給して威長させている． 〔発明が解決しようとする！ｌｕｌｌ）ところが、基板
上に、基板を構戒する元素と異なる元素を含む化合物半
導体結晶を威長させるヘテロエビタキシャル威長をなす
場合には、上記のように５００℃という高温において結
晶戒長させると、ヘテロ界面近傍において、構成原子の
相互拡散が発生し、急峻なヘテロ界面を形成することが
困難になる．また、単原子層単位の厳密さをもった急峻
な不純物濃度の制御も困難になる．さらに、基板の熱膨
張率と異なる熱膨張率を有する化合物半導体を威長させ
る場合には、結晶或長後に基板温度が室温まで低下した
時に、熱膨張率の差に起因する反りや歪みが発生する． そこで、結晶戒長温度を４００゜Ｃ以下に下げることに
よって、これらの問題を解決することを試みたが、新た
に以下に述べる問題が発生した．第４図参照 従来技術より低い４００゜Ｃに加熱したＧａＡｓ（１０
０）基板上に（ＣＨｉ ）ｓ Ｇａを流量４０ＳＣＣＭ
をもってＸ秒間供給した後、水素を３秒間供給してこれ
をパージし、次いで、ＡｓＨ，を流量４８０ＳＣＣＭを
もって１０秒間供給してＧａＡｓ層を戒長した時のＧａ
Ａｓ威長膜厚の１分子層厚に対する比と（ＣＨｓ ）３
Ｇａの供給時間Ｘとの関係を第４図に示す．威長温度
が低すぎるため、（ＣＨｓ”）ｓＧａの分解が十分進ま
ず、戒長速度が極めて遅い． 第５図参照 ４００℃に加熱したＧａＡｓ （１００）基板上にＣＣ
ｔ Ｈｓ ） ｓ Ｇ ａを流量４０ＳＣＣＭをもつ？
Ｘ秒間ｆ＃給した後、水素を３秒間供給してこれをパー
ジし、次いで、ＡｓＨ，を流量４８０５ＣＣＭをもって
１０秒間供給してＧａＡｓ層を戒長した時のＧａＡｓｔ
ｔ長膜厚のｌ分子層厚に対する比と（Ｃ■Ｈｓ）ｓＧａ
の供給時間Ｘとの関係を第５図に示す，ＧａＡｓ或長が
１分子層で自動的に停止するセルフリミッティング作用
が認められない． 本発明の目的は、この欠点を解消することにあり、低温
において良好な原子層エピタキシを可能にし、それによ
って急峻なヘテロ界面を形威することができ、また、単
原子層単位のＩＩｉｔ密さをもった急峻な不純物濃度の
制御ができる化合物半導体結晶或長方法を提供すること
にある． 〔課題を解決するための手段〕 上記の目的は、１の化合物半導体を横威する元素の少な
くともＩをこの元素のアルキル化合物として供給して、
化合物半導体基板（４）上に原子層エピタキシ法を使用
して前記の１の化合物半導体の結晶を成長する化合物半
導体結晶威長方法において、前記の化合物半導体基板（
４）の戒長面は（１１０）面とする化合物半導体結晶或
長方法によって達威される． 〔作用〕 本願の発明者は、多くの研究を重ねた結果、表画が面方
位（１１０）であるＧａＡｓ，ＩｎＰ等の基板の表面に
存在するＧａ，Ｉｎ等の原子は安定していて他の原子と
結合しにく覧、１原子層以上のＧａ、Ｉｎ等を吸着しな
いという自然法則を見出した．本発明に係る化合物半導
体結晶戒長方法においては、この自然法則を利用したも
のである． Ｇａのアルキル化合物、例えば（Ｃｉ Ｈｓ ）ｓＧａ
とＡｓＨ３とを交互にＧａＡｓ基１ｉ上に供給してＧａ
Ａｓ結晶を戒長ずる場合を例として、その理由を以下に
准考する． 第２図参照 ＧａＡｓ基板表面の面方位が（１００）である場合には
、第２図に示すように、基板表面においてＧａ原子はＡ
ｓ原子２個と結合し、ダングリングボンド（不飽和結合
）を２本持っているため、ｌ原子層以上の（Ｃｚ Ｈｓ
）ｍ Ｇａ （ｎ−１〜３）を吸着しやすくなってお
り、セルフリミッティング作用が発生しないものと考え
られる．第３図参照 これに対し、ＧａＡｓ基板表面の面方位が（ｌ１０）で
ある場合には、第３図に示すように、基板表面において
Ｇａ原子はＡｓ原子３個と結合し、ダングリングボンド
を１本しか持たないため、（ Ｃ ｚ Ｈ ｓ ） ＊
Ｇ ａ （ ｎ − １ 〜３ ）を１原子層以上吸
着することができず、セルフリミッティング作用が発生
し、原子層エビタキシが可能になるものと考えられる． 〔実施例〕 以下、図面を参照しつ覧、本発明の一実施例に係る化合
物半導体結晶威長方法において、ＧａＡｓ（１１０）基
板上にＭＯ−ＣＶＤ法を使用してＧａＡｓ結晶を原子層
エビタキシャル威長ずる場合を例として説明する． 第１ａ図参照 第１ａ図は、原子層エビタキシャル戒長に使用される装
置の横戒図であり、１は石英製の反応管であり、２は真
空ポンプ（図示せず）に接続された排気系であり、３は
碁Ｆｉ４を載置するサセブタであり、５は高周波加熱器
であり、６、７、８はガス切り換えバルブである． ＧａＡｓ （１ １０）基板４をサセプタ３上に載置し
、高周波加熱器５を使用してＧａＡｓ （１１０）基板
４を約４００゜Ｃに加熱し、（Ｃ！ＨＳ）！Ｇａの入っ
た温度約１１゜Ｃのバブラ（図示せず）に水素キャリャ
を通気して発生した（ＣｇＨｉ）ｓＧａガスをガス切り
換えバルブ７を介して反応室ｌ内に流量４０３ＣＣＭを
もってＸ秒間供給した後、ガス切り換えバルブ７を切り
換えて（ Ｃ ｚＨｓ）ｓＧａの反応室１内への供給を
停止して、これを系外に排気する．次いで、ガス切り換
えバルブ８を介して水素を反応室１内へ約３秒間供給し
てパージする．パージ完了後、ＡｓＨｓをガス切り換え
バルブ６を介して反応室１内に流量４８０５ＣＣＭをも
って約１０秒間供給した後、ガス切り換えバルブ６を切
り換えてＡ ｓ Ｈ ｓの反応室１内への供給を停止し
て、これを系外に排気する．次いで、ガス切り換えバル
ブ８を介して水素を反応室１内へ約３秒間供給してパー
ジする．第１ｂ図参照 上記の工程を１周期として、これを１７７周期反復繰り
返し、その結果から１周期当りのＧａＡｓ威長膜厚のＧ
ａＡｓ １分子層厚に対する比と（Ｃｚ Ｈａ ）ＩＧ
ａ供給時間Ｘ秒との関係を求めると第１ｂ図に示すよう
になる．戒長温度４００゜Ｃにおいても、（Ｃｍ Ｈｓ
）ｓ Ｇａの供給時間が６秒に達すれば或長膜厚は飽
和してｌ分子層厚となり、セルフリごツテイング作用を
有する原子層エビタキシが可能であるという結果が得ら
れた．なお、（，ａＡｓｔｔ長の外にも、Ｇ ａ Ｐ
（ （ Ｃ＊Ｈ，），ＧａとＰＨｚ とを使用）、Ｉｎ
Ａｓ［ （ｃｘ Ｈ，）ｓ ＩｎとＡＳＨｚとを使用
〕、ＩｎＰ （（Ｃｍ Ｈｓ ）ｓ ＩｎとＰＨ．と
を使用〕等の■−■族化合物半導体の原子層エビタキシ
ャル威長も可能であることはいうまでもない．〔発明の
効果） 以上説明せるとおり、本発明に係る化合物半導体結晶戒
長方法においては、面方位が（１１０）であるＧａＡｓ
等の化合物半導体基板を使用するため、基板表面のＧａ
等の原子はダングリングボンドを１本しか持たない安定
した状態で存在しているので、その上に原子層エビタキ
シ法を使用して化合物半導体の結晶を戒長ずる場合に、
４００”Ｃ以下という低温においても良好な原子層エビ
タキシが可能となる．その結果、本発明に係る化合物半
導体結晶戒長方法は、急峻なヘテロ界面の形或や原子層
単位での不純物濃度の制御、さらには、熱膨張率の大き
く異なる二つの化合物半導体からなるヘテロ界面を有す
る電子デバイスの製造等に有効に利用することができる
．
原子層エビタキシを可能にする改良に関し、 低温において良好な原子層エビタキシを可能にし、それ
によって急峻なヘテロ界面を形威することができ、また
、単原子層単位の厳密さをもった急峻な不純物濃度の制
御ができる化合物半導体結晶或長方法を提供することを
目的とし、１の化合物半導体を構成する元素の少なくと
も１をこの元素のアルキル化合物として供給して、化合
物半導体基板上に原子層エビタキシ法を使用して前記の
１の化合物半導体の結晶を戒長ずる化合物半導体結晶成
長方法において、前記の化合物半導体基板の戒長面は（
１ １ ０）面とするようにｖｊ威する． （産業上の利用分野〕 本発明は、化合物半導体結晶或長方法の改良、特に、低
温で良好な原子層エビタヰシを可能にする改良に関する
． 〔従来の技術〕 電子デバイスの微細化を進めてその性能を向上し、更に
は従来の手法をもって製造された化合物半導体結晶には
ない物性を有する化合物半導体結晶を実現して新しい機
能を有する電子デバイスを開発すること等を目的として
、化合物半導体結晶及びその不純物濃度を原子層単位で
制御することが強く望まれている．従来、例えばＧａＡ
ｓの単原子層を威長させる場合には、ＭＯ−ＣＶＤ法を
使用し、戒長温度５ ０ ０ ”Ｃにおいてトリメチル
ガリウム（ （ＣＨ３ Ｌ Ｇａ）またはトリエチルガ
リウム（ （Ｃｍ Ｈｓ ）ｓ Ｇａ）とアルシン（Ａ
ｓＨｚ）とを交互に面方位（１００）のＧａＡｓ基板上
に供給して威長させている． 〔発明が解決しようとする！ｌｕｌｌ）ところが、基板
上に、基板を構戒する元素と異なる元素を含む化合物半
導体結晶を威長させるヘテロエビタキシャル威長をなす
場合には、上記のように５００℃という高温において結
晶戒長させると、ヘテロ界面近傍において、構成原子の
相互拡散が発生し、急峻なヘテロ界面を形成することが
困難になる．また、単原子層単位の厳密さをもった急峻
な不純物濃度の制御も困難になる．さらに、基板の熱膨
張率と異なる熱膨張率を有する化合物半導体を威長させ
る場合には、結晶或長後に基板温度が室温まで低下した
時に、熱膨張率の差に起因する反りや歪みが発生する． そこで、結晶戒長温度を４００゜Ｃ以下に下げることに
よって、これらの問題を解決することを試みたが、新た
に以下に述べる問題が発生した．第４図参照 従来技術より低い４００゜Ｃに加熱したＧａＡｓ（１０
０）基板上に（ＣＨｉ ）ｓ Ｇａを流量４０ＳＣＣＭ
をもってＸ秒間供給した後、水素を３秒間供給してこれ
をパージし、次いで、ＡｓＨ，を流量４８０ＳＣＣＭを
もって１０秒間供給してＧａＡｓ層を戒長した時のＧａ
Ａｓ威長膜厚の１分子層厚に対する比と（ＣＨｓ ）３
Ｇａの供給時間Ｘとの関係を第４図に示す．威長温度
が低すぎるため、（ＣＨｓ”）ｓＧａの分解が十分進ま
ず、戒長速度が極めて遅い． 第５図参照 ４００℃に加熱したＧａＡｓ （１００）基板上にＣＣ
ｔ Ｈｓ ） ｓ Ｇ ａを流量４０ＳＣＣＭをもつ？
Ｘ秒間ｆ＃給した後、水素を３秒間供給してこれをパー
ジし、次いで、ＡｓＨ，を流量４８０５ＣＣＭをもって
１０秒間供給してＧａＡｓ層を戒長した時のＧａＡｓｔ
ｔ長膜厚のｌ分子層厚に対する比と（Ｃ■Ｈｓ）ｓＧａ
の供給時間Ｘとの関係を第５図に示す，ＧａＡｓ或長が
１分子層で自動的に停止するセルフリミッティング作用
が認められない． 本発明の目的は、この欠点を解消することにあり、低温
において良好な原子層エピタキシを可能にし、それによ
って急峻なヘテロ界面を形威することができ、また、単
原子層単位のＩＩｉｔ密さをもった急峻な不純物濃度の
制御ができる化合物半導体結晶或長方法を提供すること
にある． 〔課題を解決するための手段〕 上記の目的は、１の化合物半導体を横威する元素の少な
くともＩをこの元素のアルキル化合物として供給して、
化合物半導体基板（４）上に原子層エピタキシ法を使用
して前記の１の化合物半導体の結晶を成長する化合物半
導体結晶威長方法において、前記の化合物半導体基板（
４）の戒長面は（１１０）面とする化合物半導体結晶或
長方法によって達威される． 〔作用〕 本願の発明者は、多くの研究を重ねた結果、表画が面方
位（１１０）であるＧａＡｓ，ＩｎＰ等の基板の表面に
存在するＧａ，Ｉｎ等の原子は安定していて他の原子と
結合しにく覧、１原子層以上のＧａ、Ｉｎ等を吸着しな
いという自然法則を見出した．本発明に係る化合物半導
体結晶戒長方法においては、この自然法則を利用したも
のである． Ｇａのアルキル化合物、例えば（Ｃｉ Ｈｓ ）ｓＧａ
とＡｓＨ３とを交互にＧａＡｓ基１ｉ上に供給してＧａ
Ａｓ結晶を戒長ずる場合を例として、その理由を以下に
准考する． 第２図参照 ＧａＡｓ基板表面の面方位が（１００）である場合には
、第２図に示すように、基板表面においてＧａ原子はＡ
ｓ原子２個と結合し、ダングリングボンド（不飽和結合
）を２本持っているため、ｌ原子層以上の（Ｃｚ Ｈｓ
）ｍ Ｇａ （ｎ−１〜３）を吸着しやすくなってお
り、セルフリミッティング作用が発生しないものと考え
られる．第３図参照 これに対し、ＧａＡｓ基板表面の面方位が（ｌ１０）で
ある場合には、第３図に示すように、基板表面において
Ｇａ原子はＡｓ原子３個と結合し、ダングリングボンド
を１本しか持たないため、（ Ｃ ｚ Ｈ ｓ ） ＊
Ｇ ａ （ ｎ − １ 〜３ ）を１原子層以上吸
着することができず、セルフリミッティング作用が発生
し、原子層エビタキシが可能になるものと考えられる． 〔実施例〕 以下、図面を参照しつ覧、本発明の一実施例に係る化合
物半導体結晶威長方法において、ＧａＡｓ（１１０）基
板上にＭＯ−ＣＶＤ法を使用してＧａＡｓ結晶を原子層
エビタキシャル威長ずる場合を例として説明する． 第１ａ図参照 第１ａ図は、原子層エビタキシャル戒長に使用される装
置の横戒図であり、１は石英製の反応管であり、２は真
空ポンプ（図示せず）に接続された排気系であり、３は
碁Ｆｉ４を載置するサセブタであり、５は高周波加熱器
であり、６、７、８はガス切り換えバルブである． ＧａＡｓ （１ １０）基板４をサセプタ３上に載置し
、高周波加熱器５を使用してＧａＡｓ （１１０）基板
４を約４００゜Ｃに加熱し、（Ｃ！ＨＳ）！Ｇａの入っ
た温度約１１゜Ｃのバブラ（図示せず）に水素キャリャ
を通気して発生した（ＣｇＨｉ）ｓＧａガスをガス切り
換えバルブ７を介して反応室ｌ内に流量４０３ＣＣＭを
もってＸ秒間供給した後、ガス切り換えバルブ７を切り
換えて（ Ｃ ｚＨｓ）ｓＧａの反応室１内への供給を
停止して、これを系外に排気する．次いで、ガス切り換
えバルブ８を介して水素を反応室１内へ約３秒間供給し
てパージする．パージ完了後、ＡｓＨｓをガス切り換え
バルブ６を介して反応室１内に流量４８０５ＣＣＭをも
って約１０秒間供給した後、ガス切り換えバルブ６を切
り換えてＡ ｓ Ｈ ｓの反応室１内への供給を停止し
て、これを系外に排気する．次いで、ガス切り換えバル
ブ８を介して水素を反応室１内へ約３秒間供給してパー
ジする．第１ｂ図参照 上記の工程を１周期として、これを１７７周期反復繰り
返し、その結果から１周期当りのＧａＡｓ威長膜厚のＧ
ａＡｓ １分子層厚に対する比と（Ｃｚ Ｈａ ）ＩＧ
ａ供給時間Ｘ秒との関係を求めると第１ｂ図に示すよう
になる．戒長温度４００゜Ｃにおいても、（Ｃｍ Ｈｓ
）ｓ Ｇａの供給時間が６秒に達すれば或長膜厚は飽
和してｌ分子層厚となり、セルフリごツテイング作用を
有する原子層エビタキシが可能であるという結果が得ら
れた．なお、（，ａＡｓｔｔ長の外にも、Ｇ ａ Ｐ
（ （ Ｃ＊Ｈ，），ＧａとＰＨｚ とを使用）、Ｉｎ
Ａｓ［ （ｃｘ Ｈ，）ｓ ＩｎとＡＳＨｚとを使用
〕、ＩｎＰ （（Ｃｍ Ｈｓ ）ｓ ＩｎとＰＨ．と
を使用〕等の■−■族化合物半導体の原子層エビタキシ
ャル威長も可能であることはいうまでもない．〔発明の
効果） 以上説明せるとおり、本発明に係る化合物半導体結晶戒
長方法においては、面方位が（１１０）であるＧａＡｓ
等の化合物半導体基板を使用するため、基板表面のＧａ
等の原子はダングリングボンドを１本しか持たない安定
した状態で存在しているので、その上に原子層エビタキ
シ法を使用して化合物半導体の結晶を戒長ずる場合に、
４００”Ｃ以下という低温においても良好な原子層エビ
タキシが可能となる．その結果、本発明に係る化合物半
導体結晶戒長方法は、急峻なヘテロ界面の形或や原子層
単位での不純物濃度の制御、さらには、熱膨張率の大き
く異なる二つの化合物半導体からなるヘテロ界面を有す
る電子デバイスの製造等に有効に利用することができる
．
第１ａ図は、本発明の一実施例に係る化合物半導体結晶
威長方法に使用される装置の構成図である．第１ｂ図は
、本発明の一実施例に係る化合物半導体結晶戒長方法に
おける（ＣＩ Ｈｓ ）ｓ Ｇａ供給時間とＧａＡｓ戒
長膜厚との関係を示すグラフである． 第２図は、ＧａＡｓ （１００）基板断面の原子配列図
である． 第３図は、ＧａＡｓ （１ １０）ａＩＦＦｉ断面の原
子配列図である． 第４図は、従来技術に係るＣＣＨｓ ）ｓ Ｇａ供給時
間とＱａＡｓｔｃ長膜厚との関係を示すグラフである． 第５図は、従来技術に係る（Ｃｔ Ｈ．）ｓ Ｇａ供給
時間とＧａＡｓ威長膜厚との関係を示すグラフである． ３・・・サセブタ、 ４・・・基板、 ５・・・高周波加熱器、
威長方法に使用される装置の構成図である．第１ｂ図は
、本発明の一実施例に係る化合物半導体結晶戒長方法に
おける（ＣＩ Ｈｓ ）ｓ Ｇａ供給時間とＧａＡｓ戒
長膜厚との関係を示すグラフである． 第２図は、ＧａＡｓ （１００）基板断面の原子配列図
である． 第３図は、ＧａＡｓ （１ １０）ａＩＦＦｉ断面の原
子配列図である． 第４図は、従来技術に係るＣＣＨｓ ）ｓ Ｇａ供給時
間とＱａＡｓｔｃ長膜厚との関係を示すグラフである． 第５図は、従来技術に係る（Ｃｔ Ｈ．）ｓ Ｇａ供給
時間とＧａＡｓ威長膜厚との関係を示すグラフである． ３・・・サセブタ、 ４・・・基板、 ５・・・高周波加熱器、
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １の化合物半導体を構成する元素の少なくとも１を該元
素のアルキル化合物として供給して、化合物半導体基板
（４）上に原子層エピタキシ法を使用して前記１の化合
物半導体の結晶を成長する化合物半導体結晶成長方法に
おいて、 前記化合物半導体基板（４）の成長面は（１１０）面と
する ことを特徴とする化合物半導体結晶成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15587589A JPH0323294A (ja) | 1989-06-20 | 1989-06-20 | 化合物半導体結晶成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15587589A JPH0323294A (ja) | 1989-06-20 | 1989-06-20 | 化合物半導体結晶成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0323294A true JPH0323294A (ja) | 1991-01-31 |
Family
ID=15615415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15587589A Pending JPH0323294A (ja) | 1989-06-20 | 1989-06-20 | 化合物半導体結晶成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0323294A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6833161B2 (en) * | 2002-02-26 | 2004-12-21 | Applied Materials, Inc. | Cyclical deposition of tungsten nitride for metal oxide gate electrode |
| US7732325B2 (en) | 2002-01-26 | 2010-06-08 | Applied Materials, Inc. | Plasma-enhanced cyclic layer deposition process for barrier layers |
| US7781326B2 (en) | 2001-02-02 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Formation of a tantalum-nitride layer |
| US10280509B2 (en) | 2001-07-16 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
-
1989
- 1989-06-20 JP JP15587589A patent/JPH0323294A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7781326B2 (en) | 2001-02-02 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Formation of a tantalum-nitride layer |
| US10280509B2 (en) | 2001-07-16 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
| US7732325B2 (en) | 2002-01-26 | 2010-06-08 | Applied Materials, Inc. | Plasma-enhanced cyclic layer deposition process for barrier layers |
| US6833161B2 (en) * | 2002-02-26 | 2004-12-21 | Applied Materials, Inc. | Cyclical deposition of tungsten nitride for metal oxide gate electrode |
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