JPS61260622A - ＧａＡｓ単結晶薄膜の成長法 - Google Patents
ＧａＡｓ単結晶薄膜の成長法Info
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- JPS61260622A JPS61260622A JP60101379A JP10137985A JPS61260622A JP S61260622 A JPS61260622 A JP S61260622A JP 60101379 A JP60101379 A JP 60101379A JP 10137985 A JP10137985 A JP 10137985A JP S61260622 A JPS61260622 A JP S61260622A
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- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/42—Gallium arsenide
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/60—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明はＧａＡｓの単結晶成長層を単分子層オーダーで
形成するのに好適なＧａＡｓ単結晶薄膜の成長法に関す
る。
形成するのに好適なＧａＡｓ単結晶薄膜の成長法に関す
る。
［先行技術の説明］
従来から半導体の薄膜結晶を得るための気相エピタキシ
ー技術として、有機金属気相成長法（以下、ＭＯ−ＣＶ
Ｄ法と呼ぶ）や分子線エピタキシー法（以下、ＭＢＥ法
と呼ぶ）が知られている。しかし、Ｎｏ −ＣＶＤ法は
ソースとして■族、Ｖ族元素を水素ガス等をキャリアと
して、同時に反応室へ導入し、熱分解によって成長させ
るため、成長層の品質が悪い。また、単分子層オーダー
の制御が困難である等の欠点がある。
ー技術として、有機金属気相成長法（以下、ＭＯ−ＣＶ
Ｄ法と呼ぶ）や分子線エピタキシー法（以下、ＭＢＥ法
と呼ぶ）が知られている。しかし、Ｎｏ −ＣＶＤ法は
ソースとして■族、Ｖ族元素を水素ガス等をキャリアと
して、同時に反応室へ導入し、熱分解によって成長させ
るため、成長層の品質が悪い。また、単分子層オーダー
の制御が困難である等の欠点がある。
一方、超高真空を利用した結晶成長法としてよく知られ
るＭ３Ｃ法は、物理吸着を第一段階とするために、結晶
の品質は化学反応を利用した気相成長法に劣る。ＧａＡ
ｓのような■族−■族間の化合物半導体を成長する時に
は、■族、Ｖ族元素をソースとして用い、ソース源自体
を成長室の中に設置している。このため、ソース源を加
熱して得られる放出ガスと蒸発量の制御、および、ソー
スの補給が困難であり、成長速度を長時間一定に保つこ
とが困難である。また、蒸発物の排出など真空装置が複
雑になる。更には、化合物半導体の化学量論的組成（ス
トイキオメトリ−）を精密に制御することが困難で、結
局、高品質の結晶を得ることができない欠点がある。
るＭ３Ｃ法は、物理吸着を第一段階とするために、結晶
の品質は化学反応を利用した気相成長法に劣る。ＧａＡ
ｓのような■族−■族間の化合物半導体を成長する時に
は、■族、Ｖ族元素をソースとして用い、ソース源自体
を成長室の中に設置している。このため、ソース源を加
熱して得られる放出ガスと蒸発量の制御、および、ソー
スの補給が困難であり、成長速度を長時間一定に保つこ
とが困難である。また、蒸発物の排出など真空装置が複
雑になる。更には、化合物半導体の化学量論的組成（ス
トイキオメトリ−）を精密に制御することが困難で、結
局、高品質の結晶を得ることができない欠点がある。
このような点に鑑み、本願発明者等は上記従来技術の欠
点を除いて、単分子層オーダーの成長膜層の制御性を有
する半導体結晶成長方法を先に提案した（特願昭５９−
１５３９７８号明細再参照）。これを第５図を参照して
説明する。
点を除いて、単分子層オーダーの成長膜層の制御性を有
する半導体結晶成長方法を先に提案した（特願昭５９−
１５３９７８号明細再参照）。これを第５図を参照して
説明する。
第５図において、１は成長槽で材質はステンレス等の金
属、２はゲートバルブ、；）は成長槽１を超高真空に排
気するための排気装置、４，５は例えばｎｌ族−Ｖ族化
合物半導体のＩＩＩ族、■族の成分元素のガス状の化合
物を導入するノズル、６，７はノズル４゜５を開閉する
バルブ、８ば■族の成分元素を含むガス状の化合物、９
は■族の成分元素を含むガス状の化合物、１０は基板加
熱用のヒーターで石英ガラスに封入したタングステン（
Ｗ）線であり、電線等は図示省略しである。１１は測温
用の熱電対、１２は化合物半導体の基板、１３は成長槽
内の真空度を測るための圧力計である。
属、２はゲートバルブ、；）は成長槽１を超高真空に排
気するための排気装置、４，５は例えばｎｌ族−Ｖ族化
合物半導体のＩＩＩ族、■族の成分元素のガス状の化合
物を導入するノズル、６，７はノズル４゜５を開閉する
バルブ、８ば■族の成分元素を含むガス状の化合物、９
は■族の成分元素を含むガス状の化合物、１０は基板加
熱用のヒーターで石英ガラスに封入したタングステン（
Ｗ）線であり、電線等は図示省略しである。１１は測温
用の熱電対、１２は化合物半導体の基板、１３は成長槽
内の真空度を測るための圧力計である。
ＧａＡｓの分子層を一層ずつ基板１２上にエピタキシャ
ル成長させる方法は、以下の通りである。即ち、ゲート
バルブ２を開けて超高真空排気装置３により。
ル成長させる方法は、以下の通りである。即ち、ゲート
バルブ２を開けて超高真空排気装置３により。
成長槽１内を１Ｏ−７−１０−１ｌＰａｓｃａｌ（以下
、Ｐａと略す）程度に排気する。次に、ＧａＡｓ基板１
２を例えば３００〜８００°Ｃ程度ヒーター１０により
加熱し、Ｇａを含むガスとしてＴＭＧ（１〜リメチルガ
リウム）８を成長槽ｌ内の圧力が１０’−’ 〜１Ｏ−
７Ｐａになる範囲で、０．５〜１０秒間バルブ６を開け
て導入する。その後、バルブ６を閉じて成長槽ｌ内のガ
スを排気後、今度はＡｓを含むガスとしてＡ、ｓｌｌ
３ （アルシン）９を圧力が１０”” 〜１０−７Ｐａ
になる範囲で、２〜２００秒間バルブ７を開けて導入す
る。これにより、基板１２上にＧａＡｓが少なくとも１
分子層成長できる。以上の操作を繰り返し、単分子層を
次々と成長させることにより、所望の厚さのＧａＡｓの
エピタキシャル成長層を単分子層の精度で成長させるこ
とができる。
、Ｐａと略す）程度に排気する。次に、ＧａＡｓ基板１
２を例えば３００〜８００°Ｃ程度ヒーター１０により
加熱し、Ｇａを含むガスとしてＴＭＧ（１〜リメチルガ
リウム）８を成長槽ｌ内の圧力が１０’−’ 〜１Ｏ−
７Ｐａになる範囲で、０．５〜１０秒間バルブ６を開け
て導入する。その後、バルブ６を閉じて成長槽ｌ内のガ
スを排気後、今度はＡｓを含むガスとしてＡ、ｓｌｌ
３ （アルシン）９を圧力が１０”” 〜１０−７Ｐａ
になる範囲で、２〜２００秒間バルブ７を開けて導入す
る。これにより、基板１２上にＧａＡｓが少なくとも１
分子層成長できる。以上の操作を繰り返し、単分子層を
次々と成長させることにより、所望の厚さのＧａＡｓの
エピタキシャル成長層を単分子層の精度で成長させるこ
とができる。
ところで、結晶成長のプロセスでは、結晶成長の温度を
高くしていくと空位や格子間原子などが存在するように
なる。また、オートドーピングなどにより不純物が取り
込まれるようになり完全性の高い結晶を成長する上から
好ましくない。そのため、温度を高くせず結晶成長する
必要があるが、先に提案した結晶成長法においては、結
晶成長温度が３００〜８００℃とかなり高温になってい
たため、４一 完全性の高いＧａＡｓの単結晶が得られない問題があっ
た。
高くしていくと空位や格子間原子などが存在するように
なる。また、オートドーピングなどにより不純物が取り
込まれるようになり完全性の高い結晶を成長する上から
好ましくない。そのため、温度を高くせず結晶成長する
必要があるが、先に提案した結晶成長法においては、結
晶成長温度が３００〜８００℃とかなり高温になってい
たため、４一 完全性の高いＧａＡｓの単結晶が得られない問題があっ
た。
［発明の目的］
本発明は上記の問題を解消して、更に高品質なＧａＡｓ
半導体単結晶薄膜を単分子層のオーダーで成長させる方
法を提供することを目的とする。
半導体単結晶薄膜を単分子層のオーダーで成長させる方
法を提供することを目的とする。
［発明の概要］
このため本発明では、ＴＥＧとＡｓＨ２をソースガスと
して用い、成長槽内に所定圧力下で所定時間交互に導入
することにより、３００°Ｃ以下の低温で高純度なＧａ
Ａｓの単結晶薄膜が得られるようにしたものである。
して用い、成長槽内に所定圧力下で所定時間交互に導入
することにより、３００°Ｃ以下の低温で高純度なＧａ
Ａｓの単結晶薄膜が得られるようにしたものである。
［発明の実施例］
以下、本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の一実施例に係る分子層エピタキシャル
成長装置の構成図を示したものである。
成長装置の構成図を示したものである。
図中、第５図と同一符号は同一または相当部分を示し、
第５図の構成と異なる点は、加熱源として赤外線ランプ
３０を用い、これを成長槽１外のランプハウス３１内に
設け、そのランプハウス３１から放出する赤外線を石英
ガラス３２を介して基板１２に照射することにより、サ
セプター３３に保持させた基板１２を加熱するようにし
た点である。
第５図の構成と異なる点は、加熱源として赤外線ランプ
３０を用い、これを成長槽１外のランプハウス３１内に
設け、そのランプハウス３１から放出する赤外線を石英
ガラス３２を介して基板１２に照射することにより、サ
セプター３３に保持させた基板１２を加熱するようにし
た点である。
この装置を用い、Ｇａを含むガスとしてＴＥＧ （１−
リエチルガリウム）８を１０−５〜１０−”Ｐａの圧力
で１〜２０秒間導入し１〜２０秒間排気する。そして、
Ａｓを含むガスとしてＡｓ１ｌ ３（アルシン）９を１
０−４〜ＩＰａの圧力で１〜２００秒間導入し１〜２０
秒間排気する。これにより、基板１２上にＧａＡｓの単
分子層が成長できる。以−ヒの操作を繰り返し単分子層
を次々と成長させることにより、所望の厚さのＧａＡｓ
の単結晶成長膜を単分子層の精度で成長させることがで
きる。
リエチルガリウム）８を１０−５〜１０−”Ｐａの圧力
で１〜２０秒間導入し１〜２０秒間排気する。そして、
Ａｓを含むガスとしてＡｓ１ｌ ３（アルシン）９を１
０−４〜ＩＰａの圧力で１〜２００秒間導入し１〜２０
秒間排気する。これにより、基板１２上にＧａＡｓの単
分子層が成長できる。以−ヒの操作を繰り返し単分子層
を次々と成長させることにより、所望の厚さのＧａＡｓ
の単結晶成長膜を単分子層の精度で成長させることがで
きる。
第２図は、導入ガスとしてＴＥＧとＡｓＨ３を用い基板
温度をパラメーターとして２６０°Ｃから３５０℃の間
で１サイクル当りのＧａＡｓ膜の＜１１１＞Ｂ面方向に
おける成長膜厚を示したものである。基板温度が２９０
℃の時に１サイクル当りのＧａＡｓ膜が１分子層に相当
する３、２人となった。上記２６０°Ｃという成長温度
は、本発明者等が先に提案したＴＭＧとＡｓＨ３の組み
合わせによる結晶成長法における結晶成長温度最低３５
０°Ｃに比べて約９０°Ｃ程、更に低い温度である。
温度をパラメーターとして２６０°Ｃから３５０℃の間
で１サイクル当りのＧａＡｓ膜の＜１１１＞Ｂ面方向に
おける成長膜厚を示したものである。基板温度が２９０
℃の時に１サイクル当りのＧａＡｓ膜が１分子層に相当
する３、２人となった。上記２６０°Ｃという成長温度
は、本発明者等が先に提案したＴＭＧとＡｓＨ３の組み
合わせによる結晶成長法における結晶成長温度最低３５
０°Ｃに比べて約９０°Ｃ程、更に低い温度である。
第３図は基板温度が２９０°Ｃでガス導入圧力が１０
’ −１０’ Ｐａ、導入時間が２−６０秒、排気時
間が２〜２０秒の間で１サイクル当りのＴＨＧの導入量
をパラメーターとして１サイクル当りのＧａＡｓ膜の成
長膜厚を示したものである。この図から判るように、１
サイクル当りのＴＥＧの導入量が増えると成長膜厚が飽
和する。従って、この飽和値共−ｈのガスの導入量で成
長してやれば、たとえ、ガス導入量が多少変動しても確
実に１サイクル１分子層成長するため原子単位の精度で
膜厚が制御できる。このようにして得られたＧａＡｓの
エピタキシャル成長層を電子線回折およびＸ線回折で調
べたところ。
’ −１０’ Ｐａ、導入時間が２−６０秒、排気時
間が２〜２０秒の間で１サイクル当りのＴＨＧの導入量
をパラメーターとして１サイクル当りのＧａＡｓ膜の成
長膜厚を示したものである。この図から判るように、１
サイクル当りのＴＥＧの導入量が増えると成長膜厚が飽
和する。従って、この飽和値共−ｈのガスの導入量で成
長してやれば、たとえ、ガス導入量が多少変動しても確
実に１サイクル１分子層成長するため原子単位の精度で
膜厚が制御できる。このようにして得られたＧａＡｓの
エピタキシャル成長層を電子線回折およびＸ線回折で調
べたところ。
非常に完全性の高い薄膜単結晶となっていることが判明
した。
した。
第４図はＴＥＧとＡＳ１１３をソースガスにして分子層
エピタキシャル成長した膜の不純物密度と移動度の関係
を従来のＴＭＧとＡｓＨ３による分子層エビタキシャル
成長膜と比較して示したものである。図中、Ａで示す曲
線は理論計算値、Ｂで示す点はＴＥＧ 。
エピタキシャル成長した膜の不純物密度と移動度の関係
を従来のＴＭＧとＡｓＨ３による分子層エビタキシャル
成長膜と比較して示したものである。図中、Ａで示す曲
線は理論計算値、Ｂで示す点はＴＥＧ 。
ＡｓＨ３をソースとする成長膜、Ｃで示す点は従来の分
子層エピタキシャル成長槽を示している。この図から判
るように、従来のものは不純物密度が１０１８〜１０２
０ ｃｍ −３と高く、移動度も１００Ｃｉｖ−１ｓ−
”以下のものしか得られていなかったが、本発明によれ
ば、不純物密度は１０１５〜１０１７ｃｍ ” と２
〜３桁も改善されており、移動度も３６０ｃｍＴＶ−”
Ｓ−’ とほぼ理論値に近い値が得られた。
子層エピタキシャル成長槽を示している。この図から判
るように、従来のものは不純物密度が１０１８〜１０２
０ ｃｍ −３と高く、移動度も１００Ｃｉｖ−１ｓ−
”以下のものしか得られていなかったが、本発明によれ
ば、不純物密度は１０１５〜１０１７ｃｍ ” と２
〜３桁も改善されており、移動度も３６０ｃｍＴＶ−”
Ｓ−’ とほぼ理論値に近い値が得られた。
ここで、得られた成長膜はＴＥＧの圧力が１０−３〜１
０’Ｐａ、八ｓＨ３の圧力が１０−’ −１０−２Ｐａ
で導入時間が２〜６０秒の間にあり排気時間が２〜２０
秒であるような実験条件下で作られたものである。第４
図から本発明による成長膜は従来の分子層エピタキシャ
ル成長によって得られたものに比べて格段に優れた高純
度単結晶であることが判る。
０’Ｐａ、八ｓＨ３の圧力が１０−’ −１０−２Ｐａ
で導入時間が２〜６０秒の間にあり排気時間が２〜２０
秒であるような実験条件下で作られたものである。第４
図から本発明による成長膜は従来の分子層エピタキシャ
ル成長によって得られたものに比べて格段に優れた高純
度単結晶であることが判る。
このようにして、得られた結晶の不純物密度は１０１１
０１ｓ’以下であり、移動度は３６０ＣｉＶ −１ｓ−
１以−１ユのものが得られている。
０１ｓ’以下であり、移動度は３６０ＣｉＶ −１ｓ−
１以−１ユのものが得られている。
〜８−
［発明の効果コ
以上のように本発明によれば、一層ずつ成長できること
、化学量論的組成を満たすことが容易で、基板温度が低
温にできるため、格子欠陥の非常に少ない良質な単結晶
を基板上に形成させることができる。
、化学量論的組成を満たすことが容易で、基板温度が低
温にできるため、格子欠陥の非常に少ない良質な単結晶
を基板上に形成させることができる。
また、不純物の添加を一層ずつ行なうことができるので
、非常に急峻な不純物密度分布を得ることができる等、
非常に高速なトランジスタ、集積回路、ダイオード発光
素子等の製作に対して優れた作用効果を発揮する。
、非常に急峻な不純物密度分布を得ることができる等、
非常に高速なトランジスタ、集積回路、ダイオード発光
素子等の製作に対して優れた作用効果を発揮する。
第１図は本発明の一実施例に係る結晶成長装置の構成図
、第２図は第１図の結晶成長装置を用いて製作した結晶
の成長膜厚と基板温度の関係を示すグラフ図、第３図は
基板温度２９０℃の時における成長膜厚とＴＥＧ導入量
の関係を示すグラフ図、第４図はＴＥＧとＡｓｔ１３を
ソースガスとする成長膜の不純物密度と移動度の関係を
従来分子層エピタキシャル膜と比較して示したグラフ図
、第５図は本願発明者等が先に提案した結晶成長装置の
構成図である。 １・・成長槽、２・・ゲートバルブ、３・・・排気装置
、４，５・・・ ノズル、６．７・・・バルブ、８，９
・・・ガス状化合物、１０・・・ヒーター、１１・・・
熱電対、１２・・・基板、１３・・・圧力計、３０・・
・赤外線ランプ、３１ ・・ランプハウス、３２・・
・石英ガラス、３３・・・サセプター。 ７−′・＼ 一１１＝ 第１図
、第２図は第１図の結晶成長装置を用いて製作した結晶
の成長膜厚と基板温度の関係を示すグラフ図、第３図は
基板温度２９０℃の時における成長膜厚とＴＥＧ導入量
の関係を示すグラフ図、第４図はＴＥＧとＡｓｔ１３を
ソースガスとする成長膜の不純物密度と移動度の関係を
従来分子層エピタキシャル膜と比較して示したグラフ図
、第５図は本願発明者等が先に提案した結晶成長装置の
構成図である。 １・・成長槽、２・・ゲートバルブ、３・・・排気装置
、４，５・・・ ノズル、６．７・・・バルブ、８，９
・・・ガス状化合物、１０・・・ヒーター、１１・・・
熱電対、１２・・・基板、１３・・・圧力計、３０・・
・赤外線ランプ、３１ ・・ランプハウス、３２・・
・石英ガラス、３３・・・サセプター。 ７−′・＼ 一１１＝ 第１図
Claims (5)
- （１）真空に排気する成長槽内に外部より結晶成分元素
を含むガスを導入し、基板上にＧａＡｓ単結晶薄膜を成
長させる方法において、前記成長槽内を所定の圧力に排
気する一方、ＴＥＧ（トリエチルガリウム）を前記成長
槽に所定の圧力で所定の時間導入し、排出後ＡｓＨ＿３
（アルシン）を、前記成長槽に所定の圧力で所定の時間
導入することによって少なくともほぼ１分子層を成長さ
せるサイクルを繰り返すことにより所望の厚さのＧａＡ
ｓ単結晶薄膜を単分子層の精度で成長させることを特徴
とするＧａＡｓ単結晶薄膜の成長法。 - （２）特許請求の範囲第１項記載において、加熱源とし
て成長槽外に設けた赤外線ランプを用いることを特徴と
するＧａＡｓ単結晶薄膜の成長法。 - （３）特許請求の範囲第１項記載において、ガス導入の
１サイクルで平均分子層数が２以下になっていることを
特徴とするＧａＡｓ単結晶薄膜の成長法。 - （４）特許請求の範囲第１項あるいは第２項記載におい
て、ＴＥＧ、ＡｓＨ＿３の導入圧力が１〜１０＾−＾５
Ｐａで導入時間が１〜２００秒、前記ガス導入後の排気
時間が１〜２０秒であることを特徴とするＧａＡｓ単結
晶薄膜の成長法。 - （５）特許請求の範囲第１項〜第３項記載において、基
板温度が３００℃以下であることを特徴とするＧａＡｓ
単結晶薄膜の成長法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60101379A JPS61260622A (ja) | 1985-05-15 | 1985-05-15 | ＧａＡｓ単結晶薄膜の成長法 |
| DE3616358A DE3616358C2 (de) | 1985-05-15 | 1986-05-15 | Verfahren zum Aufwachsen einer GaAs-Einkristallschicht |
| FR8606988A FR2582023B1 (fr) | 1985-05-15 | 1986-05-15 | Procede de developpement d'un film d'un monocristal gaas sous la forme d'une seule couche moleculaire |
| GB8612024A GB2190400B (en) | 1985-05-15 | 1986-05-16 | Process for growing gaas monocrystal film |
| US07/790,118 US5250148A (en) | 1985-05-15 | 1991-11-12 | Process for growing GaAs monocrystal film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60101379A JPS61260622A (ja) | 1985-05-15 | 1985-05-15 | ＧａＡｓ単結晶薄膜の成長法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61260622A true JPS61260622A (ja) | 1986-11-18 |
| JPH0556650B2 JPH0556650B2 (ja) | 1993-08-20 |
Family
ID=14299154
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60101379A Granted JPS61260622A (ja) | 1985-05-15 | 1985-05-15 | ＧａＡｓ単結晶薄膜の成長法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61260622A (ja) |
| DE (1) | DE3616358C2 (ja) |
| FR (1) | FR2582023B1 (ja) |
| GB (1) | GB2190400B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61275195A (ja) * | 1985-05-29 | 1986-12-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 化合物半導体薄膜形成法 |
| JP2015525484A (ja) * | 2012-06-18 | 2015-09-03 | アメリカ合衆国 | 低温における、立方晶系及び六方晶系ＩｎＮ並びにＡｌＮを伴うその合金のプラズマ支援原子層エピタキシー法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| GB2162207B (en) * | 1984-07-26 | 1989-05-10 | Japan Res Dev Corp | Semiconductor crystal growth apparatus |
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