JPH01290221A - 半導体気相成長方法 - Google Patents
半導体気相成長方法Info
- Publication number
- JPH01290221A JPH01290221A JP12087288A JP12087288A JPH01290221A JP H01290221 A JPH01290221 A JP H01290221A JP 12087288 A JP12087288 A JP 12087288A JP 12087288 A JP12087288 A JP 12087288A JP H01290221 A JPH01290221 A JP H01290221A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- supplied
- temperature
- raw material
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 23
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 11
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- -1 alkyl compound Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 19
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 abstract description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 18
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 8
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 abstract description 6
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 abstract 2
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000003877 atomic layer epitaxy Methods 0.000 description 17
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 5
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
本発明は化合物半導体の原子層エピタキシに関し、
より低温で化合物半導体を気相エピタキシャル成長させ
ることを目的とし、 例えばm−v化合物の成長法に於いて、■族元素の原料
であるアルキル金属を基板結晶表面に供給し、該アルキ
ル金属が基板表面に吸着した状態で、加熱水素を供給し
て前記吸着状態のアルキル金属を分解して■族元素層を
堆積する工程と、■族元素の原料ガスを供給する工程と
を包含して構成する。
ることを目的とし、 例えばm−v化合物の成長法に於いて、■族元素の原料
であるアルキル金属を基板結晶表面に供給し、該アルキ
ル金属が基板表面に吸着した状態で、加熱水素を供給し
て前記吸着状態のアルキル金属を分解して■族元素層を
堆積する工程と、■族元素の原料ガスを供給する工程と
を包含して構成する。
本発明は化合物半導体、典型的にはm−v化合物の気相
エピタ4キシャル成長法に関わり、特に、化合物半導体
を構成する金属元素のアルキル化物を用いて行われる原
子層エピタキシに関わる。
エピタ4キシャル成長法に関わり、特に、化合物半導体
を構成する金属元素のアルキル化物を用いて行われる原
子層エピタキシに関わる。
近年、半導体集積回路は素子の微細化による高密化、高
速化が進んでいるが、一方ではへテロ接合や超格子構造
を利用した高性能素子の開発も進められている。そのよ
うな素子では、ヘテロ接合や超格子を形成する化合物半
導体の組成や厚さを原子層単位で制御することが強く要
望されている。
速化が進んでいるが、一方ではへテロ接合や超格子構造
を利用した高性能素子の開発も進められている。そのよ
うな素子では、ヘテロ接合や超格子を形成する化合物半
導体の組成や厚さを原子層単位で制御することが強く要
望されている。
化合物半導体を原子層単位でエピタキシャル成長させる
場合、一方の組成の原料を供給して、その元素の層を1
原子層だけ堆積し、原料ガスを切り換えて他方を1原子
層成長させ、これの繰り返しによって必要な厚みの化合
物半導体層を形成することになる。
場合、一方の組成の原料を供給して、その元素の層を1
原子層だけ堆積し、原料ガスを切り換えて他方を1原子
層成長させ、これの繰り返しによって必要な厚みの化合
物半導体層を形成することになる。
所望の原子層を堆積させる方法は分子線エピタキシでも
よいが、生産性を考慮するとMOCVDのようなCVD
法で原子層エピタキシを実現することが望ましい、MO
CVDは、例えばGaAsをエピタキシャル成長させる
場合、Gaの原料としてトリメチルガリウム(TMG)
若しくはトリエチルガリウム(T EG)を用い、As
の原料としてアルシン(AsHs)、キャリヤガスとし
てH2を用いて行われる。 。
よいが、生産性を考慮するとMOCVDのようなCVD
法で原子層エピタキシを実現することが望ましい、MO
CVDは、例えばGaAsをエピタキシャル成長させる
場合、Gaの原料としてトリメチルガリウム(TMG)
若しくはトリエチルガリウム(T EG)を用い、As
の原料としてアルシン(AsHs)、キャリヤガスとし
てH2を用いて行われる。 。
MOCVDによって原子層エピタキシを実施する場合、
何らかの方法によって、各層の堆積を1層だけに限定す
ること、即ち白層制限(self−1i+*ittin
g)効果を生ぜしめることが必要である。
何らかの方法によって、各層の堆積を1層だけに限定す
ること、即ち白層制限(self−1i+*ittin
g)効果を生ぜしめることが必要である。
本来、化合物半導体は化学量論組成が最も安定であるか
ら、白層制限効果を示す傾向はあるが、−方の原料の供
給だけが続く状況では、該効果を超越して、同原子層が
何層も堆積することが起こる。
ら、白層制限効果を示す傾向はあるが、−方の原料の供
給だけが続く状況では、該効果を超越して、同原子層が
何層も堆積することが起こる。
したがってMOCVDによる原子層エピタキシでは、原
料供給条件や時間、処理温度などを厳密に制御して、堆
積層を1原子層とすることが行われている。アルキル金
属の分解が気相中で進行するよりも、分解せずに基板に
吸着され、その状態で熱、光あるいは化学エネルギによ
って分解の進む方が、原子層エピタキシの実現には好都
合である。
料供給条件や時間、処理温度などを厳密に制御して、堆
積層を1原子層とすることが行われている。アルキル金
属の分解が気相中で進行するよりも、分解せずに基板に
吸着され、その状態で熱、光あるいは化学エネルギによ
って分解の進む方が、原子層エピタキシの実現には好都
合である。
即ち、アルキル金属が基板に吸着する時には、基板側に
金属が、表面側にアルキル基が並ぶように吸着されるの
で、−旦このような吸着状態を実現した後、アルキル基
を分離して金属層とするようにすれば、金属層が多層化
することが避けられる。何故なら基板表面がアルキル基
で覆われた状態では、それ以上の吸着は進行し難いから
である。
金属が、表面側にアルキル基が並ぶように吸着されるの
で、−旦このような吸着状態を実現した後、アルキル基
を分離して金属層とするようにすれば、金属層が多層化
することが避けられる。何故なら基板表面がアルキル基
で覆われた状態では、それ以上の吸着は進行し難いから
である。
これに反し、気相中で遊離した金属原子が基板上に堆積
する形で金属層の成長が進行すれば、白層制限効果は現
れ難く、原子層エピタキシには不向きな状況となる。
する形で金属層の成長が進行すれば、白層制限効果は現
れ難く、原子層エピタキシには不向きな状況となる。
このような事情とは別に、ヘテロ接合を形成する温度を
なるべく低くしたいという要求がある。
なるべく低くしたいという要求がある。
ヘテロ接合形成中あるいはその後の処理温度が高いと、
−旦急峻な組成分布を実現しても、構成原子の相互拡散
が起こって、所望の界面が得られないことになるからで
あり、接合構成層の熱膨張係数が異なると、エピタキシ
ャル成長後、室温に下げた時に反りや歪を生じることに
なるからである。
−旦急峻な組成分布を実現しても、構成原子の相互拡散
が起こって、所望の界面が得られないことになるからで
あり、接合構成層の熱膨張係数が異なると、エピタキシ
ャル成長後、室温に下げた時に反りや歪を生じることに
なるからである。
また、ヘテロ接合を利用する素子では、ヘテロ接合を構
成する2層の不純物濃度に差があったり、導電型が異な
るなど、不純物濃度分布の急峻な変化を要求する場合も
少なくないので、ヘテロ接合形成中に不純物再分布が起
こらないようにする意味でも、処理温度は低いことが望
ましい。
成する2層の不純物濃度に差があったり、導電型が異な
るなど、不純物濃度分布の急峻な変化を要求する場合も
少なくないので、ヘテロ接合形成中に不純物再分布が起
こらないようにする意味でも、処理温度は低いことが望
ましい。
その反面、基板温度が低いとアルキル金属が分解し難く
なるため成長速度が低下し、エピタキシャル成長層の結
晶性も悪くなる。
なるため成長速度が低下し、エピタキシャル成長層の結
晶性も悪くなる。
上述のTMGやTEGを用いるGaAsの原子層エピタ
キシでは、基板温度は500℃程度が通常であり、結晶
性のみに着目すればこれは600℃程度に上げることが
望ましいくらいである。結晶性を無視すれば、TEGで
は350℃、TMGでは400℃でもGa層は成長する
が、成長速度は極端に低下する。
キシでは、基板温度は500℃程度が通常であり、結晶
性のみに着目すればこれは600℃程度に上げることが
望ましいくらいである。結晶性を無視すれば、TEGで
は350℃、TMGでは400℃でもGa層は成長する
が、成長速度は極端に低下する。
このような事情から、処理温度が低く、成長速度を低下
させずに、良好な結晶の得られる原子層エピタキシ技術
が希求されている。
させずに、良好な結晶の得られる原子層エピタキシ技術
が希求されている。
〔従来の技術と発明が解決しようとする課題〕例えばG
aAsの原子層エピタキシでは、Gaの原料としてはT
MG或いはTEGを、Asの原料としてはAsHsを用
い、成長温度500℃で上記原料ガスを交互に供給して
行われている。
aAsの原子層エピタキシでは、Gaの原料としてはT
MG或いはTEGを、Asの原料としてはAsHsを用
い、成長温度500℃で上記原料ガスを交互に供給して
行われている。
成長温度がこのように高いと、ヘテロ界面を持つ結晶成
長を行った場合にヘテロ界面近傍で構成原子の相互拡散
が起こり、急峻なヘテロ接合を得ることが難しくなる。
長を行った場合にヘテロ界面近傍で構成原子の相互拡散
が起こり、急峻なヘテロ接合を得ることが難しくなる。
また、室温との温度差が大であることに起因して、反り
などの歪が発生する。
などの歪が発生する。
これを避けるため成長温度のみを低下させ、他の条件を
変えずにエピタキシャル成長を行うと、TMGやTEG
の分解速度が低下し、結晶成長が進行しなくなる。As
層の堆積はこの温度でも進行するので、アルキルGaの
分解を低温で実現すれば、GaAsの低温エピタキシャ
ル成長が可能となる。この傾向はm−v化合物半導体の
原子層エピタキシ一般に共通するものである。
変えずにエピタキシャル成長を行うと、TMGやTEG
の分解速度が低下し、結晶成長が進行しなくなる。As
層の堆積はこの温度でも進行するので、アルキルGaの
分解を低温で実現すれば、GaAsの低温エピタキシャ
ル成長が可能となる。この傾向はm−v化合物半導体の
原子層エピタキシ一般に共通するものである。
基板表面に吸着したアルキル金属を光エネルギによって
分解し、より低温で化合物半導体の原子層エピタキシを
行うことも知られているが、この公知技術ではエキシマ
レーザのような強力な光源を使用しており、−度に処理
し得る面積に限界があるので、ウェハの大型化に対処す
る上で大きな障害となる。また、不純物濃度が高いとい
う問題も残されている。
分解し、より低温で化合物半導体の原子層エピタキシを
行うことも知られているが、この公知技術ではエキシマ
レーザのような強力な光源を使用しており、−度に処理
し得る面積に限界があるので、ウェハの大型化に対処す
る上で大きな障害となる。また、不純物濃度が高いとい
う問題も残されている。
本発明の目的は、基板表面に吸着したアルキル金属の分
解を化学的手段によって促進し、より低温でm−v化合
物半導体の原子層エピタキシを可能ならしめることであ
る。
解を化学的手段によって促進し、より低温でm−v化合
物半導体の原子層エピタキシを可能ならしめることであ
る。
上記目的を達成するため、
化合物半導体を構成する少なくも一の元素のアルキル化
物を原料の一部とする半導体の気相成長方法である本発
明の原子層エピタキシには、前記アルキル化物を基板結
晶表面に供給し、しかる後、前記基板の温度以上の温度
に加熱した水素を前記基板表面に供給する工程と、 前記化合物半導体を構成する他の元素の原料ガスを基板
表面に供給する工程とが包含される。
物を原料の一部とする半導体の気相成長方法である本発
明の原子層エピタキシには、前記アルキル化物を基板結
晶表面に供給し、しかる後、前記基板の温度以上の温度
に加熱した水素を前記基板表面に供給する工程と、 前記化合物半導体を構成する他の元素の原料ガスを基板
表面に供給する工程とが包含される。
GaAsの原子層エピタキシを例にあげると、TMGや
TEGのようなアルキル金属が基板結晶のAs面に吸着
する時は、基板表面のAsとGaが結合するので、最表
面側にはアルキル基が並び、それ以上の層の吸着は起こ
らない。
TEGのようなアルキル金属が基板結晶のAs面に吸着
する時は、基板表面のAsとGaが結合するので、最表
面側にはアルキル基が並び、それ以上の層の吸着は起こ
らない。
この状態で熱、光等のエネルギが与えられ、或いはアル
シンのような化学物質と反応すると、アルキル基が離脱
して基板表面がGa面になり、次に供給されるAsと結
合して1分子層だけGaAsが成長する。
シンのような化学物質と反応すると、アルキル基が離脱
して基板表面がGa面になり、次に供給されるAsと結
合して1分子層だけGaAsが成長する。
この時の基板温度が低いと熱エネルギ或いは化学エネル
ギによるアルキル基の離脱が進行し難くなり、結晶成長
が行われなくなる。そこで、この状態の基板に加熱した
水素ガスを供給すると、アルキル基と水素が結合してG
aが遊離し、続いて供給されるAsと共にGaAs分子
を形成する。
ギによるアルキル基の離脱が進行し難くなり、結晶成長
が行われなくなる。そこで、この状態の基板に加熱した
水素ガスを供給すると、アルキル基と水素が結合してG
aが遊離し、続いて供給されるAsと共にGaAs分子
を形成する。
即ち、低い基板温度でもGaAsのエピタキシャル成長
が行われることになる。
が行われることになる。
Ga[が1層だけに限定されるのは、即ち白層制限効果
が生ずるのは、上記の吸着層が多層にならないことによ
るものであり、Asが1層に限定されるのは、Asの蒸
気圧が高く、1原子層以上の吸着が生じないためである
。
が生ずるのは、上記の吸着層が多層にならないことによ
るものであり、Asが1層に限定されるのは、Asの蒸
気圧が高く、1原子層以上の吸着が生じないためである
。
本発明の実施態様を、TMGとアルシンを原料とし、H
zをキャリヤガスとするGaAsの原子層エピタキシの
例に従って説明する。
zをキャリヤガスとするGaAsの原子層エピタキシの
例に従って説明する。
第1図は該実施例で使用される気相成長装置の構成を模
式的に示す図であって、lは反応管、2はエピタキシャ
ル成長下地結晶である基板、3はサセプタ、4はRF加
熱コイル、5.5′、5#は切り換えバルブ、6はヒー
タである。
式的に示す図であって、lは反応管、2はエピタキシャ
ル成長下地結晶である基板、3はサセプタ、4はRF加
熱コイル、5.5′、5#は切り換えバルブ、6はヒー
タである。
TMGの供給は、3℃のTMGをキャリヤガスであるH
oでバブリングし、キャリヤガスと共にTMGの蒸気を
反応管に導く方法で行われる。他方の原料であるアルシ
ンは常温でガスであり、これもH2で希釈したものが反
応管に導かれる。これ等の原料ガスを交互に反応管に導
入するのは、切り換えバルブ5.5′の操作による。
oでバブリングし、キャリヤガスと共にTMGの蒸気を
反応管に導く方法で行われる。他方の原料であるアルシ
ンは常温でガスであり、これもH2で希釈したものが反
応管に導かれる。これ等の原料ガスを交互に反応管に導
入するのは、切り換えバルブ5.5′の操作による。
本実施例では更に加熱H8も反応管に導入され、これも
切り換えバルブ5′により、選択されたタイミングで、
基板に供給される。基板温度は400℃である。TMG
、アルシン、加熱H7が反応管に導入される順は第3図
に示されており、ガス流量と夫々の供給時間は次表の通
りである。
切り換えバルブ5′により、選択されたタイミングで、
基板に供給される。基板温度は400℃である。TMG
、アルシン、加熱H7が反応管に導入される順は第3図
に示されており、ガス流量と夫々の供給時間は次表の通
りである。
流量: SCCM/sec 時間: sec上表で
TMGの流量はバブルさせるH8の流量であり、この値
Xを変化させた時の1周期当たりの成長層厚が第2図に
示されている。また、アルシンの流量はHaで10%に
希釈したガスの流量で、単位はいづれも標準状態に換算
したcj/secである。
TMGの流量はバブルさせるH8の流量であり、この値
Xを変化させた時の1周期当たりの成長層厚が第2図に
示されている。また、アルシンの流量はHaで10%に
希釈したガスの流量で、単位はいづれも標準状態に換算
したcj/secである。
第2図はTMGをバブルするH8の流量を変化させた場
合の、1周期当たりの成長層厚を示す線図であって、成
長層厚は177周期の成長を行った結果を、予め準備さ
れた選択成長部の成長段差を接触膜差計で測定し、1回
当たりの値を求めたものである0図から明らかなように
、T、MG供給量がある値以上になると成長層厚は1分
子層に相当する厚さで飽和し、白層制限効果が得られた
ことを示している。
合の、1周期当たりの成長層厚を示す線図であって、成
長層厚は177周期の成長を行った結果を、予め準備さ
れた選択成長部の成長段差を接触膜差計で測定し、1回
当たりの値を求めたものである0図から明らかなように
、T、MG供給量がある値以上になると成長層厚は1分
子層に相当する厚さで飽和し、白層制限効果が得られた
ことを示している。
以上の処理に使用する加熱H3の温度は、通常の処理で
キャリヤガスとして存在するH!がサセプタなどにより
加熱されて到達する温度よりも高くなければならないこ
とは当然であり、本実施例ではヒータ内のHSの温度は
800℃である。
キャリヤガスとして存在するH!がサセプタなどにより
加熱されて到達する温度よりも高くなければならないこ
とは当然であり、本実施例ではヒータ内のHSの温度は
800℃である。
概して言えば、前記加熱H!の温度は高いほど効果があ
るが、高温のガスを多量に供給すると基板温度を上昇さ
せ、低温成長を下げるという当初の目的に反することに
なる。従って本発明の処理で使用する加熱水素ガスの温
度は、装置や処理条件にもよるが、基板温度+(300
〜800℃)程度が適当である。
るが、高温のガスを多量に供給すると基板温度を上昇さ
せ、低温成長を下げるという当初の目的に反することに
なる。従って本発明の処理で使用する加熱水素ガスの温
度は、装置や処理条件にもよるが、基板温度+(300
〜800℃)程度が適当である。
以上説明したように、本発明によれば基板温度を低下さ
せても白層制限効果が確実に得られ、MOCVDによる
原子層エピタキシが容易に行われることになる。また、
本発明では光照射のように面積を限定されることがなく
、基板ウェハの大型化にも容易に対処することが出来る
。
せても白層制限効果が確実に得られ、MOCVDによる
原子層エピタキシが容易に行われることになる。また、
本発明では光照射のように面積を限定されることがなく
、基板ウェハの大型化にも容易に対処することが出来る
。
本発明をGaAs/AfGaAs系の高電子移動度トラ
ンジスタ(HEMT)の形成に利用する場合、チャネル
層となる高純度GaAs層を本発明の方法によって形成
し、電子供給層であるAlGaAs層は従来の方法によ
って形成すれば、特性の優れたHEMTを得ることが出
来る。
ンジスタ(HEMT)の形成に利用する場合、チャネル
層となる高純度GaAs層を本発明の方法によって形成
し、電子供給層であるAlGaAs層は従来の方法によ
って形成すれば、特性の優れたHEMTを得ることが出
来る。
第1図は本発明に用いられる装置を模式的に示す図、
第2図はTMG供給量と成長膜厚の関係を示す図、
第3図は原料ガスと加熱H2を供給する周期を示す模式
図 であって、 図に於いて 1は反応管、 2は基板、 3はサセプタ、 4はRFコイル、 5.5’、5’は切り換えバルブ 6はヒータ である。 加熱H2 本発明に用いられる装置を模式的に示す図第1図 TMG供給量と成長膜厚の関係を示す図第2図 口:H2皿:TMG 時間 原料ガスと加熱Hzを供給する周期を示す模式図第3図
図 であって、 図に於いて 1は反応管、 2は基板、 3はサセプタ、 4はRFコイル、 5.5’、5’は切り換えバルブ 6はヒータ である。 加熱H2 本発明に用いられる装置を模式的に示す図第1図 TMG供給量と成長膜厚の関係を示す図第2図 口:H2皿:TMG 時間 原料ガスと加熱Hzを供給する周期を示す模式図第3図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 化合物半導体を構成する少なくも一の元素のアルキル
化合物を原料の一部とする半導体の気相成長方法に於い
て、 前記アルキル化合物を基板結晶表面に供給し、しかる後
、前記基板の温度以上の温度に加熱した水素を前記基板
表面に供給する工程と、 前記化合物半導体を構成する他の元素の原料ガスを基板
表面に供給する工程とを包含することを特徴とする半導
体気相成長方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12087288A JPH01290221A (ja) | 1988-05-18 | 1988-05-18 | 半導体気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12087288A JPH01290221A (ja) | 1988-05-18 | 1988-05-18 | 半導体気相成長方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01290221A true JPH01290221A (ja) | 1989-11-22 |
Family
ID=14797039
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12087288A Pending JPH01290221A (ja) | 1988-05-18 | 1988-05-18 | 半導体気相成長方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01290221A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2697108A1 (fr) * | 1992-10-20 | 1994-04-22 | Fujitsu Ltd | Procédé de dépôt d'un semiconducteur composite formant un dispositif à semiconducteur. |
JP2007027791A (ja) * | 1999-01-04 | 2007-02-01 | Genus Inc | 原子層成長プロセスのための処理チャンバ |
JP2007154297A (ja) * | 2005-12-08 | 2007-06-21 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法および成膜装置 |
US7781326B2 (en) | 2001-02-02 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Formation of a tantalum-nitride layer |
US10280509B2 (en) | 2001-07-16 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
-
1988
- 1988-05-18 JP JP12087288A patent/JPH01290221A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2697108A1 (fr) * | 1992-10-20 | 1994-04-22 | Fujitsu Ltd | Procédé de dépôt d'un semiconducteur composite formant un dispositif à semiconducteur. |
JP2007027791A (ja) * | 1999-01-04 | 2007-02-01 | Genus Inc | 原子層成長プロセスのための処理チャンバ |
US7781326B2 (en) | 2001-02-02 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Formation of a tantalum-nitride layer |
US10280509B2 (en) | 2001-07-16 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
JP2007154297A (ja) * | 2005-12-08 | 2007-06-21 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法および成膜装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5760426A (en) | Heteroepitaxial semiconductor device including silicon substrate, GaAs layer and GaN layer #13 | |
JPH01225114A (ja) | 半導体薄膜の製造方法 | |
CN106206258A (zh) | 在硅衬底上形成GaN层的方法以及GaN衬底 | |
JPH05291140A (ja) | 化合物半導体薄膜の成長方法 | |
US5834362A (en) | Method of making a device having a heteroepitaxial substrate | |
WO1998024129A1 (en) | Iii-v nitride semiconductor devices and process for the production thereof | |
JP3895410B2 (ja) | Iii−v族窒化物結晶膜を備えた素子、およびその製造方法 | |
JPH01290221A (ja) | 半導体気相成長方法 | |
JP4238372B2 (ja) | 半導体基板の製造方法及び素子構造の製造方法 | |
JP5954677B2 (ja) | III/VSiテンプレートの製造方法およびIII/V半導体ベースの半導体部品をモノリシック集積化する方法 | |
JPH03218621A (ja) | 薄膜の選択成長方法及び薄膜の選択成長装置 | |
JPH01290222A (ja) | 半導体気相成長方法 | |
JPH02221196A (ja) | 3―v族化合物半導体薄膜の形成方法 | |
JP3577880B2 (ja) | 3−5族化合物半導体の製造方法 | |
JPH01313927A (ja) | 化合物半導体結晶成長方法 | |
JPH0427116A (ja) | 半導体異種接合を形成する方法 | |
JPH0582447A (ja) | 化合物半導体結晶の成長方法 | |
JP2753832B2 (ja) | 第▲iii▼・v族化合物半導体の気相成長法 | |
JPS63159296A (ja) | 気相エピタキシヤル成長方法 | |
JPH01179788A (ja) | Si基板上への3−5族化合物半導体結晶の成長方法 | |
JPH05267198A (ja) | 化合物半導体の結晶成長方法 | |
JP2024042982A (ja) | 窒化物半導体層付き単結晶シリコン基板及び窒化物半導体層付き単結晶シリコン基板の製造方法 | |
JPH09213635A (ja) | ヘテロエピタキシャル半導体基板の形成方法、かかるヘテロエピタキシャル半導体基板を有する化合物半導体装置、およびその製造方法 | |
JP2000351694A (ja) | 混晶膜の気相成長方法およびその装置 | |
JPH03290925A (ja) | 化合物半導体装置およびその製造方法 |