JPS62153200A - ３−５族化合物半導体の気相エツチング装置 - Google Patents
３−５族化合物半導体の気相エツチング装置Info
- Publication number
- JPS62153200A JPS62153200A JP29257685A JP29257685A JPS62153200A JP S62153200 A JPS62153200 A JP S62153200A JP 29257685 A JP29257685 A JP 29257685A JP 29257685 A JP29257685 A JP 29257685A JP S62153200 A JPS62153200 A JP S62153200A
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- Japan
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- substrate crystal
- reaction tube
- substrate
- iii
- crystal
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、Ｉ−Ｖ族化合物半導体の非常に精密に制御さ
れた気相エツチング装置に関するものである。
れた気相エツチング装置に関するものである。
ＧａＡｓ、ＩｎＰ等のような■−Ｖ族化合物半導体の気
相エピタキシャル成長結晶は、発光ダイオード、レーザ
ーダイオードのような光デバイスや、ＦＥＴのようなマ
イクロ波のデバイスに広く応用されている。ところで、
基板結晶上：ご気を目成長によりエピタキシャル成長を
行なう場合、基板結晶のエツチングを行なうのが普通で
ある。このエツチングには、基板結晶を反応管にセット
する前に行なう溶液によるケミカルエツチングと、反応
管にセット後成長直前に行なう気を目エツチングとがあ
る。前者は主として基板結晶表面に残っている鏡面研摩
の際に発生した破壊層を取り除くのが目的であり、後者
は主としてケミカルエツチング後から反応管にセットす
るまでの間に表面に形成された酸化膜や、ゴミなどの付
着した不純物を除去したり、昇温の間に形成された変成
層を除去するのが目的である。この気相エツチングが十
分でないと、表面上に残った酸化膜や微小なゴミ等が核
となり、ヒルロック等の表面欠陥の非常に多い成長面と
なる。また、エピタキシャル層と基板結晶の界面にディ
ップ層と呼ばれるキャリア濃度の非常に低下した部分が
生じたりする。これらは何れもデバイス作製上、有害な
ものである。従って、この気相エツチングは結晶成長上
欠かせないプロセスである。
相エピタキシャル成長結晶は、発光ダイオード、レーザ
ーダイオードのような光デバイスや、ＦＥＴのようなマ
イクロ波のデバイスに広く応用されている。ところで、
基板結晶上：ご気を目成長によりエピタキシャル成長を
行なう場合、基板結晶のエツチングを行なうのが普通で
ある。このエツチングには、基板結晶を反応管にセット
する前に行なう溶液によるケミカルエツチングと、反応
管にセット後成長直前に行なう気を目エツチングとがあ
る。前者は主として基板結晶表面に残っている鏡面研摩
の際に発生した破壊層を取り除くのが目的であり、後者
は主としてケミカルエツチング後から反応管にセットす
るまでの間に表面に形成された酸化膜や、ゴミなどの付
着した不純物を除去したり、昇温の間に形成された変成
層を除去するのが目的である。この気相エツチングが十
分でないと、表面上に残った酸化膜や微小なゴミ等が核
となり、ヒルロック等の表面欠陥の非常に多い成長面と
なる。また、エピタキシャル層と基板結晶の界面にディ
ップ層と呼ばれるキャリア濃度の非常に低下した部分が
生じたりする。これらは何れもデバイス作製上、有害な
ものである。従って、この気相エツチングは結晶成長上
欠かせないプロセスである。
ところで、最近では、結晶の一部を選択的にエツチング
し、そこに改めて周りの結晶とは電気的。
し、そこに改めて周りの結晶とは電気的。
光学的に性質の異なるエピタキシャル層の成長を行なう
選択成長が行なわれている。この場合にはエツチング深
さの精密な制御が要求される事が多い。例えば、ＧａＡ
ｓ ＦＥＴに於けるソースとドレイン部の電極形成用
コンタクト層の成長を例にとると、従来の一般的な方法
では、選択エツチングには５ｉ０２等のマスクを通した
溶液によるケミカルエツチングが主として用いられてき
た。
選択成長が行なわれている。この場合にはエツチング深
さの精密な制御が要求される事が多い。例えば、ＧａＡ
ｓ ＦＥＴに於けるソースとドレイン部の電極形成用
コンタクト層の成長を例にとると、従来の一般的な方法
では、選択エツチングには５ｉ０２等のマスクを通した
溶液によるケミカルエツチングが主として用いられてき
た。
しかし、この方法ではデバイスから要求されるエツチン
グ深さの精密な制御が困難であり、更に、ケミカルエツ
チング後、空気中に取り出し基板結晶の反応管へのセッ
トを行なうため、前述したように、エピタキシャル層と
基板結晶の界面にディップ層と呼ばれるキ、 ＩＪア濃
度の非常に低下した部分が生じたりする。これもコンタ
クト層にとって非常に望ましからざる現象であった。
グ深さの精密な制御が困難であり、更に、ケミカルエツ
チング後、空気中に取り出し基板結晶の反応管へのセッ
トを行なうため、前述したように、エピタキシャル層と
基板結晶の界面にディップ層と呼ばれるキ、 ＩＪア濃
度の非常に低下した部分が生じたりする。これもコンタ
クト層にとって非常に望ましからざる現象であった。
従来の気相エツチング装置を、第４図に示したハイドラ
イド気相成長装置に於いて説明する。
イド気相成長装置に於いて説明する。
ＧａＡｓの成長を例に取ると、反応管１の上流にＧａソ
ースポート８を置き、その上流からＨ２キャリヤガスと
共にＨＣｌガスを供給する。この結果、Ｇａ（ｌが生成
され下流に運ばれる。また、Ｇａソースポート８をバイ
パスするバイブ９からＡｓの水素化物であるＡ ｓ Ｈ
３をＨ２キャリヤガスと共に供給する。この両者のガス
が基板結晶３の領域で混合し成長が起こる。気相エツチ
ングはバイパスパイプ９からＨＣｌガスを供給すること
によって行ない、Ｇａ輸送用のＨＣｌガスとの比を調整
することによってそのエツチング速度を制御していた。
ースポート８を置き、その上流からＨ２キャリヤガスと
共にＨＣｌガスを供給する。この結果、Ｇａ（ｌが生成
され下流に運ばれる。また、Ｇａソースポート８をバイ
パスするバイブ９からＡｓの水素化物であるＡ ｓ Ｈ
３をＨ２キャリヤガスと共に供給する。この両者のガス
が基板結晶３の領域で混合し成長が起こる。気相エツチ
ングはバイパスパイプ９からＨＣｌガスを供給すること
によって行ない、Ｇａ輸送用のＨＣｌガスとの比を調整
することによってそのエツチング速度を制御していた。
しかしながら、この従来装置では、基板結晶温度、Ｇａ
輸送用のＨＣｌガス流量、あるいはＡ Ｓ Ｈ３流量等
成長条件にエツチング速度が大きく影響され、デバイス
作製上要求される精度を持ってエツチング深さを制御す
ることは不可能であった。
輸送用のＨＣｌガス流量、あるいはＡ Ｓ Ｈ３流量等
成長条件にエツチング速度が大きく影響され、デバイス
作製上要求される精度を持ってエツチング深さを制御す
ることは不可能であった。
本発明の目的は、Ｉ−Ｖ族化合物半導体の気相エツチン
グにおいて、従来のかかる欠点を除去し、エツチング深
さの精密な制御が可能な気相エツチング装置を提供しよ
うとするものである。
グにおいて、従来のかかる欠点を除去し、エツチング深
さの精密な制御が可能な気相エツチング装置を提供しよ
うとするものである。
本発明によれば、Ｉ［ｌ−Ｖ族化合物半導体の気相エツ
チング装置において、反応管と、この反応管の内部に設
けられ、基板結晶を保持する基板ホルダと、前記反応管
の外部に設けられ、反応管内部を加熱する加熱手段と、
前記反応管の外部に設けられ、前記基板ホルダに保持さ
れた基板結晶に照射する励起光を発生する励起光発生手
段とを備え、ハロゲンないしハロゲン化水素ガスを基板
結晶表面に吸着させ、励起光を照射して■−■族化合物
半導体の■族元素のハロゲン化物として基板結晶表面か
ら■族原素を揮発させることを特徴とする■−■族化合
物半導体の気相エツチング装置が得られる。
チング装置において、反応管と、この反応管の内部に設
けられ、基板結晶を保持する基板ホルダと、前記反応管
の外部に設けられ、反応管内部を加熱する加熱手段と、
前記反応管の外部に設けられ、前記基板ホルダに保持さ
れた基板結晶に照射する励起光を発生する励起光発生手
段とを備え、ハロゲンないしハロゲン化水素ガスを基板
結晶表面に吸着させ、励起光を照射して■−■族化合物
半導体の■族元素のハロゲン化物として基板結晶表面か
ら■族原素を揮発させることを特徴とする■−■族化合
物半導体の気相エツチング装置が得られる。
本発明の装置では２つの工程が実施される。
先ず最初に基板結晶上にハロゲンないしハロゲン化水素
ガスを吸着させる第一の工程である□。例えばＧａＡＳ
とＨＣｌガスの場合、基板結晶温度が比較的高い場合に
は、ＨＣｌガスの供給によりすぐにエツチングが生じる
が、以下の実施例でも述べるように、４００℃程度にな
ると、基板結晶上にＨＣｌガスを供給してもエツチング
を生じることはなくＨ（ｌの吸着のみが起こる。このよ
うにＨＣｌが吸着した後、ＨＣｌガスの供給を止め、次
に、この基板結晶にレーザ光等の励起光を照射し、Ｇａ
Ｃβとして結晶表面からＧａを取り去る。
ガスを吸着させる第一の工程である□。例えばＧａＡＳ
とＨＣｌガスの場合、基板結晶温度が比較的高い場合に
は、ＨＣｌガスの供給によりすぐにエツチングが生じる
が、以下の実施例でも述べるように、４００℃程度にな
ると、基板結晶上にＨＣｌガスを供給してもエツチング
を生じることはなくＨ（ｌの吸着のみが起こる。このよ
うにＨＣｌが吸着した後、ＨＣｌガスの供給を止め、次
に、この基板結晶にレーザ光等の励起光を照射し、Ｇａ
Ｃβとして結晶表面からＧａを取り去る。
これが第二の工程である。Ｇａとの結合ボンドを切られ
たＡｓ原子は自分自身で気相中に飛び出すと考えられる
。この第一の工程と第二の工程により、基板結晶表面の
一分子層がエツチングされることになる。
たＡｓ原子は自分自身で気相中に飛び出すと考えられる
。この第一の工程と第二の工程により、基板結晶表面の
一分子層がエツチングされることになる。
従って、本発明による気相エツチング装置を用いると、
エツチングの深さは第一の工程と第二の工程の繰り返し
の数にのみ依存し、しかも、一分子層の単位（約３人）
で制御できるようになる。
エツチングの深さは第一の工程と第二の工程の繰り返し
の数にのみ依存し、しかも、一分子層の単位（約３人）
で制御できるようになる。
次に、本発明を実施例に基づき具体的に説明する。
実施例 １
本実施例ではＧ ａ Ａ Ｓ基板結晶の表面を全面に亘
って気相エツチングする場合に本発明を適用した場合に
ついて述べる。本実施例気相エツチング装置の概略を第
１図に示した。反応管１は１つの反応室を有しその内部
に基板ホルダ２が設けられている。反応管１の外部には
、反応管内部を加熱する抵抗加熱手段１２と、基板ホル
ダ２に保持された基板結晶に照射されるレーザ光４を発
生するレーザ光源５とが設けられている。
って気相エツチングする場合に本発明を適用した場合に
ついて述べる。本実施例気相エツチング装置の概略を第
１図に示した。反応管１は１つの反応室を有しその内部
に基板ホルダ２が設けられている。反応管１の外部には
、反応管内部を加熱する抵抗加熱手段１２と、基板ホル
ダ２に保持された基板結晶に照射されるレーザ光４を発
生するレーザ光源５とが設けられている。
この装置に於いて反応管１上流からＨ２キャリヤガスと
共にＨＣβガスを供給する。基板結晶３としては（１０
０）面方位のＧ ａ Ａ ｓを用いた。基板結晶３の温
度は抵抗加熱手段１２により制御し４００℃に保った。
共にＨＣβガスを供給する。基板結晶３としては（１０
０）面方位のＧ ａ Ａ ｓを用いた。基板結晶３の温
度は抵抗加熱手段１２により制御し４００℃に保った。
ガス流量条件は次の通りである。
Ｈ（Ｊ！ ５ ｃｃ／ｍ１ｎ８２２．
０００ ｃ ｃ／ｍ ｉ ｎ エツチングの手順としては、先ず、基板結晶３を所定温
度（４００℃）まで昇温した。その温度に達したところ
でＨＣＡを供給し、１０秒間ＨＣＩを十分に吸着させた
（第一の工程）。次に、ＨＣＡの供給を止め、基板結晶
３の一部に対して、レーザ光源５から約１０μｍに絞っ
たアルゴンレーザビーム４を照射し、そのビームを走査
したく第二の工程）。これを−サイクルとして、ここで
は３００サイクル行なった。この後、基板結晶３を取り
出し、エツチング深さの評価を行なったところ、ＧａＡ
ｓは約８５０人の厚さエツチングされていることがわか
った。これは、−サイクルにほぼ一分子層がエツチング
されていることを示している。
０００ ｃ ｃ／ｍ ｉ ｎ エツチングの手順としては、先ず、基板結晶３を所定温
度（４００℃）まで昇温した。その温度に達したところ
でＨＣＡを供給し、１０秒間ＨＣＩを十分に吸着させた
（第一の工程）。次に、ＨＣＡの供給を止め、基板結晶
３の一部に対して、レーザ光源５から約１０μｍに絞っ
たアルゴンレーザビーム４を照射し、そのビームを走査
したく第二の工程）。これを−サイクルとして、ここで
は３００サイクル行なった。この後、基板結晶３を取り
出し、エツチング深さの評価を行なったところ、ＧａＡ
ｓは約８５０人の厚さエツチングされていることがわか
った。これは、−サイクルにほぼ一分子層がエツチング
されていることを示している。
次に基板結晶温度を２００〜４００℃の間で変化させた
り、Ｈ（ｌ流量を変化させてエツチング深さの変化を調
べたが、−サイクルにほぼ一分子層がエツチングされて
いる結果は変わらなかった。これらの結果は、エツチン
グの深さは第一の工程と第二の工程の繰り返しの数にの
み依存し、しかも、一分子層の単位（約３人）で精密に
制御できる本発明の効果を良く現わしている。さらに、
エツチング面は、表面欠陥や、特別なモフォロジーがな
く、鏡面性に優れたものが得られた。
り、Ｈ（ｌ流量を変化させてエツチング深さの変化を調
べたが、−サイクルにほぼ一分子層がエツチングされて
いる結果は変わらなかった。これらの結果は、エツチン
グの深さは第一の工程と第二の工程の繰り返しの数にの
み依存し、しかも、一分子層の単位（約３人）で精密に
制御できる本発明の効果を良く現わしている。さらに、
エツチング面は、表面欠陥や、特別なモフォロジーがな
く、鏡面性に優れたものが得られた。
実施例 ２
本実施例では３１０２マスクの窓を通してＧａＡｓ基板
結晶の一部に気相エツチングし、その場所に再成長する
場合に本発明を適用した場合について述べる。用いた成
長装置の概略を第２図に示した。反応管１は上段反応室
６と下段反応室７との２つの反応室を有し、反応管１の
内部にはこれら反応室間を移動し得る基板ホルダ２が設
けられている。反応管１の外部には、反応管内部を加熱
する抵抗加熱手段１２と、上段反応室６で基板ホルダ２
に保持された基板結晶３に照射されるレーザ光４を発生
するレーザ光源５とが設けられている。
結晶の一部に気相エツチングし、その場所に再成長する
場合に本発明を適用した場合について述べる。用いた成
長装置の概略を第２図に示した。反応管１は上段反応室
６と下段反応室７との２つの反応室を有し、反応管１の
内部にはこれら反応室間を移動し得る基板ホルダ２が設
けられている。反応管１の外部には、反応管内部を加熱
する抵抗加熱手段１２と、上段反応室６で基板ホルダ２
に保持された基板結晶３に照射されるレーザ光４を発生
するレーザ光源５とが設けられている。
この成長装置では、上段反応室６にはその上流からＨ２
キャリヤガスと共にＨＣβガスを供給出来る。また、上
流から基板結晶３に対してアルゴンレーザ４を照射出来
る。下段反応室７の上流にはＧａソースポート８が置か
れ、その上流からＨ２キャリヤガスと共にＨＣβガスを
供給出来る。また、Ｇａソースポート８をバイパスする
パイプ９からはＡｓの水素化物であるＡ ｓ Ｈ３をＨ
２キアリャガスと共に供給できる。基板結晶３としては
、第３図のように半絶縁性Ｇ ａ Ａ ｓ （１００）
上に５１０２マスク１０を形成し、そこに１０μｍ幅の
窓１１を開けたウェファ−を用いた。反応管の温度は抵
抗加熱により制御し、Ｇａソース部は８００℃、基板結
晶部は４００℃に保った。ガス流量条件は次の通りであ
る。
キャリヤガスと共にＨＣβガスを供給出来る。また、上
流から基板結晶３に対してアルゴンレーザ４を照射出来
る。下段反応室７の上流にはＧａソースポート８が置か
れ、その上流からＨ２キャリヤガスと共にＨＣβガスを
供給出来る。また、Ｇａソースポート８をバイパスする
パイプ９からはＡｓの水素化物であるＡ ｓ Ｈ３をＨ
２キアリャガスと共に供給できる。基板結晶３としては
、第３図のように半絶縁性Ｇ ａ Ａ ｓ （１００）
上に５１０２マスク１０を形成し、そこに１０μｍ幅の
窓１１を開けたウェファ−を用いた。反応管の温度は抵
抗加熱により制御し、Ｇａソース部は８００℃、基板結
晶部は４００℃に保った。ガス流量条件は次の通りであ
る。
上段反応室
ＨＣＩ ５ ｃｃ／ｍ１ｎ
Ｈ２２，０００Ｃｃ ／ｍ ｉ ｎ
下段反応室
ＨＣＡ （Ｇａ） ５ ｃｃ／ｍｉｎＡＳ８３
５ ｃｃ／ｍ１ｎＨ２２，０ＯＯＣｃ／
ｍ ｉ ｎ 先ず、エツチングの手順を示す。基板結晶３を基板ホル
ダ２にセットし、上段反応室６で所定温度（４００℃）
まで昇温した。その温度に達したところでＨ（ｌを供給
し、１０秒間ＨＣ１を十分に吸着させたく第一の工程）
。次に、ＨＣｌの供給を止め、基板結晶３に対してアル
ゴンレーザビーム４を照射した（第二の工程）。これを
−サイクルとして、ここでは７００サイクル行なった。
５ ｃｃ／ｍ１ｎＨ２２，０ＯＯＣｃ／
ｍ ｉ ｎ 先ず、エツチングの手順を示す。基板結晶３を基板ホル
ダ２にセットし、上段反応室６で所定温度（４００℃）
まで昇温した。その温度に達したところでＨ（ｌを供給
し、１０秒間ＨＣ１を十分に吸着させたく第一の工程）
。次に、ＨＣｌの供給を止め、基板結晶３に対してアル
ゴンレーザビーム４を照射した（第二の工程）。これを
−サイクルとして、ここでは７００サイクル行なった。
一方、下段反応室７のＧａソースに対してＨＣｌ２を供
給し、バイパスパイプ９からはＡ ｓ Ｈ３ガスと１×
１０１８ Ｃｍ −３程度ドーピングするためのドーパ
ントガスＨ２Ｓを供給した。上段反応室６でのプロセス
が終了したところで基板結晶３を下段反応室７に移動し
、ＧａＡｓを約２０００ Ａの厚さに成長させた。
給し、バイパスパイプ９からはＡ ｓ Ｈ３ガスと１×
１０１８ Ｃｍ −３程度ドーピングするためのドーパ
ントガスＨ２Ｓを供給した。上段反応室６でのプロセス
が終了したところで基板結晶３を下段反応室７に移動し
、ＧａＡｓを約２０００ Ａの厚さに成長させた。
成長結晶を調べた結果、窓１１のＧａＡｓ部分に最初エ
ツチングが行なわれ、その場所に高濃度ドーピング層が
再成長していることが判明した。ところで、エツチング
深さの評価を行なったところ、ＧａＡｓは約２０００人
の厚さエツチングされていることがわかった。これは、
−サイクルにほぼ一分子層がエツチングされていること
を示している。
ツチングが行なわれ、その場所に高濃度ドーピング層が
再成長していることが判明した。ところで、エツチング
深さの評価を行なったところ、ＧａＡｓは約２０００人
の厚さエツチングされていることがわかった。これは、
−サイクルにほぼ一分子層がエツチングされていること
を示している。
また、エツチングを施した所に再成長したエビクキシャ
ル層はヒルロック等の表面欠陥の非常に少なく、鏡面性
に優れたものであった。
ル層はヒルロック等の表面欠陥の非常に少なく、鏡面性
に優れたものであった。
以上述べたように、本発明による■−■族化合物半導体
の気相エツチング装置を用いると、エツチング深さの一
分子層単位での精密な制御が可能となる。従って本発明
の気相エツチング装置は、種々のデバイス作成に応用可
能である。
の気相エツチング装置を用いると、エツチング深さの一
分子層単位での精密な制御が可能となる。従って本発明
の気相エツチング装置は、種々のデバイス作成に応用可
能である。
第１図は本発明による実施例１を説明するための図で、
ＧａＡＳ基板結晶を前面に亘って気相エツチングする場
合に本発明を適用した場合の気相エツチング装置の概略
図である。 第２図は本発明による実施例２を説明するための図で、
５１０２マスクの窓を通してＧａＡｓ基板結晶の一部を
気相エツチングし、その場所に再成長させる成長装置の
概略図である。 第３図は実施例２で用いた基板結晶上のＳ １０２パタ
ーンを示す図である。 第４図は従来のハイドライド法による気相エツチング装
置を説明するための図である。 １ ・・・・ ・・・・・・・・ 反応管２
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・ 基板ホルダ３ ・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・ 基板結晶４ ・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ レーザ
光５ ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・ レーザ光源６ ・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・ 上段反応室７ ・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
下段反応室８ ・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・ Ｇａソースポート９ ・・・・
・・ ・・・・・ バイパスパイプ１０ ・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・ マスク１１・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・窓１２ ・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・ 抵抗加熱手段代理
人 弁理士 岩 佐 複 幸 第３図 第４図 ４課
ＧａＡＳ基板結晶を前面に亘って気相エツチングする場
合に本発明を適用した場合の気相エツチング装置の概略
図である。 第２図は本発明による実施例２を説明するための図で、
５１０２マスクの窓を通してＧａＡｓ基板結晶の一部を
気相エツチングし、その場所に再成長させる成長装置の
概略図である。 第３図は実施例２で用いた基板結晶上のＳ １０２パタ
ーンを示す図である。 第４図は従来のハイドライド法による気相エツチング装
置を説明するための図である。 １ ・・・・ ・・・・・・・・ 反応管２
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・ 基板ホルダ３ ・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・ 基板結晶４ ・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ レーザ
光５ ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・ レーザ光源６ ・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・ 上段反応室７ ・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
下段反応室８ ・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・ Ｇａソースポート９ ・・・・
・・ ・・・・・ バイパスパイプ１０ ・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・ マスク１１・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・窓１２ ・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・ 抵抗加熱手段代理
人 弁理士 岩 佐 複 幸 第３図 第４図 ４課
Claims (1)
- （１）III−Ｖ族化合物半導体の気相エッチング装置に
おいて、反応管と、この反応管の内部に設けられ、基板
結晶を保持する基板ホルダと、前記反応管の外部に設け
られ、反応管内部を加熱する加熱手段と、前記反応管の
外部に設けられ、前記基板ホルダに保持された基板結晶
に照射する励起光を発生する励起光発生手段とを備え、
ハロゲンないしハロゲン化水素ガスを基板結晶表面に吸
着させ、励起光を照射してIII−Ｖ族化合物半導体のII
I族元素のハロゲン化物として基板結晶表面からIII族原
素を揮発させることを特徴とするIII−Ｖ族化合物半導
体の気相エッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29257685A JPS62153200A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | ３−５族化合物半導体の気相エツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29257685A JPS62153200A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | ３−５族化合物半導体の気相エツチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62153200A true JPS62153200A (ja) | 1987-07-08 |
| JPH0355440B2 JPH0355440B2 (ja) | 1991-08-23 |
Family
ID=17783558
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29257685A Granted JPS62153200A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | ３−５族化合物半導体の気相エツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62153200A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02304924A (ja) * | 1989-05-19 | 1990-12-18 | Nec Corp | 原子層ドライエッチング方法 |
| JP2014028715A (ja) * | 2012-07-31 | 2014-02-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体単結晶の製造方法 |
-
1985
- 1985-12-27 JP JP29257685A patent/JPS62153200A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02304924A (ja) * | 1989-05-19 | 1990-12-18 | Nec Corp | 原子層ドライエッチング方法 |
| JP2014028715A (ja) * | 2012-07-31 | 2014-02-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体単結晶の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0355440B2 (ja) | 1991-08-23 |
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