JPH09153471A - 半導体ウエハダイシング用粘着フィルム及びその使用方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体ウエハのダイシングの際には強い粘着
力でチップの飛散を防止し、ピックアップの際には冷却
または加熱することにより粘着力が低下する半導体ウエ
ハダイシング用粘着フィルム、及びその使用方法を提供
する。 【解決手段】 基材フィルムの片面に粘着剤層が設けら
れた半導体ウエハダイシング用粘着フィルムであって、
該粘着剤層が結晶性高分子を含む粘着剤により形成さ
れ、その粘着力が、−１０℃以上の温度における少なく
とも一部の温度範囲Ａ〜Ｂ℃、または７０℃以下の温度
における少なくとも一部の温度範囲Ｅ〜Ｆ℃においての
み１５０〜２，０００ｇ／２５ｍｍであり、且つ、Ａ℃
未満またはＦ℃を超える温度領域において１５０ｇ／２
５ｍｍ未満であることを特徴とする半導体ウエハダイシ
ング用粘着フィルム、及びその使用方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハダイ
シング用粘着フィルム及びその使用方法に関する。詳し
くは、シリコンウエハ等の半導体ウエハの集積回路が組
み込まれた側の面（以下、ウエハ表面という）の反対側
の面（以下、ウエハ裏面という）に貼着して該ウエハを
固定し、素子小片に分割してから、各素子ごとに剥離し
て取り出す（以下、ピックアップという）半導体ウエハ
ダイシング用粘着フィルムであり、温度変化によって粘
着力が変化する粘着剤層を有する半導体ウエハダイシン
グ用粘着フィルム及びその使用方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】通常、半導体集積回路は、高純度シリコ
ン単結晶等をスライスしてウエハとした後、イオン注
入、エッチング等によりその表面に集積回路を形成し、
更にウエハの裏面をグライディング、ポリッシング、ラ
ッピング等により研削し、ウエハの厚さを１００〜６０
０μｍ程度まで薄くしてから、素子小片（以下、チップ
という）に分割し（以下、ダイシングという）、得られ
たチップをマウンティング、ボンディング、シーリング
等の工程を経てパッケージの中に組み込む方法で製造さ
れている。これらの工程の中で、半導体ウエハダイシン
グ時に、チップの飛散を防止したり、ダイシング工程を
容易にするため、粘着フィルムをその粘着剤層を介して
ウエハ裏面に貼付して固定する方法が用いられている。

【０００３】粘着フィルムをウエハ裏面に貼着してウエ
ハを固定する場合、該粘着フィルムに求められる性能の
一つに、半導体ウエハ裏面に対する粘着特性が挙げられ
る。具体的には、ウエハダイシング時にはチップが飛散
しない程度の高い粘着力を有し、チップをピックアップ
する際には容易に剥離できる程度の低い粘着力が必要と
されている。しかし、近年、大容量化、高集積化、が図
られるに伴い、チップは大きくなる傾向があり、それに
伴いチップと粘着剤層の接触面積が増大し（従って、剥
離粘着力が増大し）、容易にピックアップができなくな
る問題が生じてきており、半導体ウエハダイシング時の
チップの飛散防止とピックアップ時の作業性のバランス
を保つことが難しくなってきている。

【０００４】これらの問題を解決する方法として、例え
ば、特開昭６０−１９６９５６号公報には、半導体ウエ
ハを素子小片に切断分離する際の半導体ウエハ固定用の
接着薄板であって、光透過性の支持体とこの支持体上に
設けられた光照射により硬化し三次元網状化する性質を
有する感圧性接着剤層とからなる半導体ウエハ固定用接
着薄板が開示されている。

【０００５】しかし、該公報に開示されている光照射に
より硬化し三次元網状化する性質を有する感圧性接着剤
層（粘着剤層）は、ラジカル重合により重合する粘着剤
層であるため、ウエハと粘着剤層の間に酸素が入り込ん
だ場合には、酸素の重合禁止効果により硬化反応が十分
に進まず、半導体ウエハダイシング後のピックアップ時
に凝集力の低い未硬化の粘着剤がチップの回路の組み込
まれていない面（以下、チップの裏面という）を汚染す
ることがあった。実際、裏面研削後の半導体ウエハ裏面
には研削に伴う凹凸があり、空気（酸素）を全く挟み込
まずに貼付することは不可能である。また、貼付のため
に酸素を除いた系を作り出すには大掛かりな装置と大き
なコストが必要となる。この様な粘着剤層に起因する汚
染は、次工程で、チップをパッケージの中に組み込む際
に、チップと基体との接合不良の原因になったり、回路
の電気特性に影響を与える等の製品不良の原因となる可
能性がある。

【０００６】近年、半導体集積回路の大容量化および高
集積化によるチップの大型化が図られるに伴い、チップ
の裏面への汚染が少なく、且つ、半導体ウエハダイシン
グ時のチップの飛散防止とピックアップ時の作業性のバ
ランスのとれた半導体ウエハダイシング用粘着フィルム
及びその使用方法が望まれている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】以上の点に鑑み、本発
明の目的は、半導体ウエハのダイシングの際には強い粘
着力でチップの飛散を防止し、ピックアップの際には冷
却または加熱することにより粘着力が低下して作業性を
低下させず、容易にピックアップすることができ、尚か
つ、ピックアップ後に粘着剤層からのチップの裏面に付
着する汚染物が殆どない、半導体集積回路の大容量化お
よび高集積化によるチップの大型化に対応できる半導体
ウエハダイシング用粘着フィルム及びその使用方法を提
供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意検討し
た結果、結晶性高分子を含み、且つ、温度変化と共に粘
着力が劇的に変化する性質を有する粘着剤層が基材フィ
ルムの片面に形成された半導体ウエハダイシング用粘着
フィルムの中で、特定の粘着力特性を有する粘着フィル
ムが、上記目的を達成し得て、半導体集積回路の大容量
化および高集積化によるチップの大型化に対応できる半
導体ウエハダイシング用粘着フィルムとして使用できる
ことを見出し、本発明に到った。

【０００９】具体的には、粘着剤に結晶性高分子を含有
させるこにより、特定の温度範囲においてのみウエハ裏
面を固定するに充分な粘着力を示し、その温度範囲外の
低温領域または高温領域では粘着力が低下することを見
出し、更に、該温度範囲において貼着、ダイシングを行
い、該温度範囲外においてピックアップを行うことによ
り上記目的が達成し得ることを見出し、本発明に到っ
た。

【００１０】すなわち、本発明の第１発明は、半導体ウ
エハを素子小片に分割する際の固定用に用いられる、基
材フィルムの片面に粘着剤層が設けられた半導体ウエハ
ダイシング用粘着フィルムであって、該粘着剤層が結晶
性高分子を含む粘着剤により形成され、該半導体ウエハ
ダイシング用粘着フィルムの粘着力が、−１０℃以上の
温度における少なくとも一部の温度範囲Ａ〜Ｂ℃（Ａ＜
Ｂ）においてのみ１５０〜２，０００ｇ／２５ｍｍであ
り、且つ、Ａ℃未満の温度領域において１５０ｇ／２５
ｍｍ未満であることを特徴とする半導体ウエハダイシン
グ用粘着フィルムである。

【００１１】本発明の第２発明は、半導体ウエハを素子
小片に分割する際の固定用に用いられる、基材フィルム
の片面に粘着剤層が設けられた半導体ウエハダイシング
用粘着フィルムであって、該粘着剤層が結晶性高分子を
含む粘着剤により形成され、該半導体ウエハダイシング
用粘着フィルムの粘着力が、７０℃以下の温度における
少なくとも一部の温度範囲Ｅ〜Ｆ℃（Ｅ＜Ｆ）において
のみ１５０〜２，０００ｇ／２５ｍｍであり、且つ、Ｆ
℃を超える温度領域において１５０ｇ／２５ｍｍ未満で
あることを特徴とする半導体ウエハダイシング用粘着フ
ィルムである。

【００１２】本発明の第３発明は、半導体ウエハを素子
小片に分割し、取り出す際にその裏面に貼着する半導体
ウエハダイシング用粘着フィルムの使用方法であって、
該半導体ウエハダイシング用粘着フィルムが、基材フィ
ルムの片面に結晶性高分子を含む粘着剤により形成され
た粘着剤層を有し、その粘着力が−１０℃以上の温度に
おける少なくとも一部の温度範囲Ａ〜Ｂ℃（Ａ＜Ｂ）に
おいてのみ１５０〜２，０００ｇ／２５ｍｍであり、且
つ、Ａ℃未満の温度領域において１５０ｇ／２５ｍｍ未
満であり、Ａ〜Ｂ℃の温度範囲に含まれる少なくとも一
部の温度範囲Ｃ〜Ｄ℃（Ａ＜Ｃ≦Ｄ＜Ｂ、１≦Ｃ≦Ｄ≦
６０）においてウエハ裏面に該粘着フィルムを貼着し、
Ｃ〜Ｄ℃の温度範囲の冷却水をかけながら半導体ウエハ
を素子小片に分割し、次いで、Ａ℃未満に冷却した状態
で該粘着フィルムから素子小片を剥離して取り出すこと
を特徴とする半導体ウエハダイシング用粘着フィルムの
使用方法である。

【００１３】また、本発明の第４発明は、半導体ウエハ
を素子小片に分割し、取り出す際にその裏面に貼着する
半導体ウエハダイシング用粘着フィルムの使用方法であ
って、該半導体ウエハダイシング用粘着フィルムが、基
材フィルムの片面に結晶性高分子を含む粘着剤により形
成された粘着剤層を有し、その粘着力が７０℃以下の温
度における少なくとも一部の温度範囲Ｅ〜Ｆ℃（Ｅ＜
Ｆ）においてのみ１５０〜２，０００ｇ／２５ｍｍであ
り、且つ、Ｆ℃を超える温度領域において１５０ｇ／２
５ｍｍ未満であり、Ｅ〜Ｆ℃の温度範囲に含まれる少な
くとも一部の温度範囲Ｇ〜Ｈ℃（Ｅ＜Ｇ≦Ｈ＜Ｆ、１≦
Ｇ）においてウエハ裏面に該粘着フィルムを貼着し、Ｇ
〜Ｈ℃の温度範囲の冷却水をかけながら半導体ウエハを
素子小片に分割し、次いで、Ｆ℃を超える温度に加熱し
た状態で該粘着フィルムから素子小片を剥離して取り出
すことを特徴とする半導体ウエハダイシング用粘着フィ
ルムの使用方法である。

【００１４】本発明の半導体ウエハダイシング用粘着フ
ィルム（以下、粘着フィルムという）は、半導体ウエハ
のダイシングの際には強い粘着力でチップの飛散を防止
する。また、ピックアップの際には冷却または加熱する
ことにより粘着力を低下させ得るため、ピックアップを
容易にして作業性の低下を防止することができる。さら
に、ピックアップ後にはチップの裏面に粘着剤層に起因
する汚染物が殆ど付着することがなく、チップ裏面の汚
染防止にも優れた効果を発揮する。そのため、本発明に
よれば、半導体集積回路の大容量化および高集積化によ
るチップの大型化、に対応できる半導体ウエハダイシン
グ用粘着フィルム及びその使用方法が提供される。

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明の粘着フィルムは、基材フ
ィルムに粘着剤層を構成する成分を含有した粘着剤溶液
またはエマルジョン液（以下、粘着剤という）を塗布、
乾燥して粘着剤層を形成することにより製造される。こ
の場合、環境に起因する汚染等から粘着剤層を保護する
ために粘着剤層の表面に剥離フィルムを貼着することが
好ましい。また、剥離フィルムの片表面に粘着剤を塗
布、乾燥して粘着剤層を形成した後、粘着剤層の表面に
基材フィルムを貼付して粘着剤層を基材フィルム側に転
着する方法によっても製造される。この場合は、粘着剤
層を乾燥する際等において粘着剤層表面が汚染されない
利点がある。

【００１６】基材フィルムまたは剥離フィルムのいずれ
の片表面に粘着剤塗布液等を塗布するかは、基材フィル
ム及び剥離フィルムの耐熱性、表面張力、チップ裏面へ
の汚染性等を考慮して決める。例えば、剥離フィルムの
耐熱性が基材フィルムのそれより優れている場合は、剥
離フィルムの表面に粘着剤層を設けた後、基材フィルム
へ転写する。耐熱性が同等または基材フィルムの方が優
れている場合は、基材フィルムの表面に粘着剤層を設
け、その表面に剥離フィルムを貼付する。しかし、粘着
フィルムは、剥離フィルムを剥離したときに露出する粘
着剤層の表面を介して半導体ウエハ裏面に貼付されるこ
とを考慮し、粘着剤層によるチップの裏面の汚染防止を
図るためには、耐熱性の良好な剥離フィルムを使用し、
その表面に粘着剤塗布液を塗布、乾燥して粘着剤層を形
成する方法が好ましい。

【００１７】本発明の半導体ウエハダイシング用粘着フ
ィルムの使用方法は、特定の温度範囲において粘着剤層
を介して半導体ウエハの裏面に貼着し、ダイシングを行
い、次いで、該温度範囲外に冷却または加熱して粘着剤
層の温度を該温度範囲外とした後にピックアップする方
法である。

【００１８】先ず、本発明の粘着フィルムの製造方法に
ついて説明する。本発明の粘着フィルムは、通常、基材
フィルムの片表面に粘着剤を塗布、乾燥して粘着剤層を
形成する方法、または、剥離フィルムの片表面に粘着剤
を塗布、乾燥して粘着剤層を形成した後、基材フィルム
の片表面に転着する方法により製造される。

【００１９】基材フィルムまたは剥離フィルムの片表面
に粘着剤を塗布する方法としては、従来公知の塗布方
法、例えば、ロールコーター法、リバースロールコータ
ー法、グラビアロールコーター法、バーコーター法、コ
ンマコーター法、ダイコーター法等が採用できる。ま
た、粘着剤を塗布する方法の他に、基材フィルムと粘着
剤層を共押出しする方法も挙げられる。粘着剤層や基材
フィルム等の性質に応じて、これらの方法でも適宜選択
できる。

【００２０】本発明の粘着フィルムに用いる基材フィル
ムとして、合成樹脂、天然ゴム、合成ゴム等から製造さ
れたフィルムが挙げられる。具体的に例示するならば、
エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−メタクリル
酸共重合体、ポリブタジエン、軟質塩化ビニル樹脂、ポ
リオレフィン、ポリアミド、アイオノマー、ポリエステ
ル等の樹脂、およびそれらの共重合体エラストマー、お
よびジエン系、ニトリル系、シリコーン系、アクリル系
等の合成ゴム等のフィルムが挙げられる。基材フィルム
は単層体であっても、また、積層体であってもよい。

【００２１】基材フィルムの厚みは、半導体ウエハをダ
イシングする際のフィルム強度、ウエハ裏面への貼付作
業性、並びに、ピックアップ時に通常行われるエキスパ
ンディングの際の基材の拡張性および強度等に影響す
る。かかる観点から、基材フィルムの厚みは、通常、１
０〜２０００μｍである。好ましくは５０〜３００μｍ
である。

【００２２】ピックアップ時に通常行われるエキスパン
ディングの際の基材の拡張性を考慮すると、ＪＩＳ Ｋ
７１１３、またはＪＩＳ Ｋ ６７６０に準拠して測
定した引張破壊強さが０．８〜６Ｋｇｆ／ｍｍ²、引張
破壊伸びが１００〜２０００％の樹脂をフィルム状に加
工したものが好ましい。例えば、アイオノマー、エチレ
ン−メタクリル酸共重合体等のフィルムが好ましく用い
られる。基材フィルムと粘着剤層との接着力を向上させ
るため、基材フィルムの粘着剤層を設ける面にはコロナ
放電処理または化学処理等を施すことが好ましい。ま
た、基材フィルムと粘着剤層の間に下塗り剤を用いても
よい。

【００２３】本発明の粘着フィルムの粘着剤層表面に配
設する剥離フィルムとして、ポリプロピレン、ポリエチ
レンテレフタレート等の合成樹脂フィルムが挙げられ
る。必要に応じてその表面にシリコーン処理等が施され
たものが好ましい。剥離フィルムの厚みは、通常１０〜
２０００μｍである。好ましくは３０〜１００μｍであ
る。

【００２４】本発明の粘着フィルムに設ける粘着剤層
は、結晶性高分子を含有し、特定の温度範囲において、
半導体ウエハ及びチップを固定するに十分な粘着力を示
す粘着剤によって形成される。粘着剤の具体例として
は、例えば、特表平６−５１０５４８号公報（国際公開
番号：ＷＯ９２／１３９０１）に記載されている粘着剤
が好ましい。すなわち、通常、粘着テープ等の粘着剤層
に使用されている粘着剤組成物（以下、通常の粘着剤と
いう）と結晶性高分子との混合物である。通常、その混
合割合は、通常の粘着剤約５０〜９９．７重量部に対し
て、結晶性高分子が約０．３〜５０重量部の範囲で混合
することが好ましい。より好ましくは、通常の粘着剤約
６５〜９５重量部に対して、結晶性高分子が約５〜３５
重量部であり、さらに好ましくは、通常の粘着剤約７０
〜９０重量部に対して、結晶性高分子が約１０〜３０重
量部であり、最も好ましくは、通常の粘着剤約７０〜８
０重量部に対して結晶性高分子が約２０〜３０重量部で
ある。

【００２５】通常の粘着剤としては、天然ゴム系粘着
剤、並びに、スチレン−ブタジエン共重合体系粘着剤、
及び、炭素数１〜９のアルキル基を有するポリアクリル
酸アルキルエステルまたはその共重合体等のアクリル系
粘着剤等の合成ゴム系粘着剤等が挙げられ、これらは単
独でも２種以上の混合物であってもよい。これらの通常
の粘着剤は架橋剤を用いて凝集力や粘着力特性を調整す
る必要がある場合には、架橋点となりうる官能基を有し
ていることが好ましい。官能基としてはカルボキシル
基、水酸基、アミノ基等が挙げられる。またこれらの通
常の粘着剤には、適宜、可塑剤、粘着付与剤、安定剤等
を混合してもよい。

【００２６】結晶性高分子としては、側鎖結晶性高分
子、主鎖結晶性高分子等が挙げられる。粘着力の温度変
化への依存性を考慮すると前者の方が好ましい。側鎖結
晶性高分子としては、重合性炭素−炭素２重結合をもつ
１種以上の単量体であって、重合した際に結晶化が可能
となる側鎖を有する単量体（以下、ＳＣＣ単量体と称す
る）を重合して得られる重合体または共重合体、並び
に、ＳＣＣ単量体及びＳＣＣ単量体と共重合可能な他の
単量体とを共重合して得られる共重合体が挙げられる。
ＳＣＣ単量体は単独で使用してもよいし、２種以上を混
合して使用してもよい。また、ＳＣＣ単量体と共重合可
能な他の単量体も２種以上を混合して使用してもよい。

【００２７】これらのＳＣＣ単量体として、炭素数１０
〜５０の脂肪族基を有するアクリレート、メタクリレー
ト、アクリルアミド誘導体、メタクリルアミド誘導体、
ビニルエーテル誘導体、ビニルエステル誘導体、少なく
とも一部がフッ素置換された炭素数６〜５０の脂肪族基
を有するアクリレート、メタクリレート、アクリルアミ
ド誘導体、メタクリルアミド誘導体、ビニルエーテル誘
導体、ビニルエステル誘導体、並びに、炭素数８〜２４
のアルキル基を有するスチレン誘導体から選ばれた少な
くとも１種の単量体等が挙げられる。

【００２８】これらの内、粘着特性の温度依存性、重合
反応性等を考慮すると、炭素数１４〜５０の線状脂肪族
基を有するアクリレート、メタクリレート、アクリルア
ミド誘導体、メタクリルアミド誘導体等が好ましい。さ
らに好ましくは、炭素数１４〜２２の線状脂肪族基を有
するアクリレート、メタクリレート、アクリルアミド誘
導体、メタクリルアミド誘導体等である。

【００２９】上記のＳＣＣ単量体と共重合可能な他の単
量体としては、炭素数が１〜９のアルキル基を有するア
クリル酸アルキルエステルまたはメタクリル酸アルキル
エステル、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン等
が挙げられる。

【００３０】架橋剤を用いて凝集力や粘着力特性を調整
する必要がある場合等を考慮すると、側鎖結晶性高分子
には、架橋点となり得る官能基を有する単量体を共重合
することが好ましい。架橋点となり得る官能基を有する
単量体として、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン
酸、メサコン酸、シトラコン酸、フマル酸、マレイン
酸、イタコン酸モノアルキルエステル、メサコン酸モノ
アルキルエステル、シトラコン酸モノアルキルエステ
ル、フマル酸モノアルキルエステル、マレイン酸モノア
ルキルエステル、アクリル酸２−ヒドロキシエチル、メ
タクリル酸２−ヒドロキシエチル、アクリルアミド、メ
タクリルアミド、ターシャル−ブチルアミノエチルアク
リレート、ターシャル−ブチルアミノエチルメタクリレ
ート等が挙げられる。

【００３１】また、アクリル酸グリシジル、メタクリル
酸グリシジル、イソシアネートエチルアクリレート、イ
ソシアネートエチルメタクリレート、２−（１−アジリ
ジニル）エチルアクリレート、２−（１−アジリジニ
ル）エチルメタクリレート等の自己架橋性の官能基を持
った単量体、さらには、ジビニルベンゼン、アクリル酸
ビニル、メタクリル酸ビニル、アクリル酸アリル、メア
クリル酸アリル等の多官能性の単量体を組み合わせても
よい。

【００３２】粘着フィルムの粘着力特性を考慮すると、
側鎖結晶性高分子は、結晶性側鎖の質量の合計が、結晶
性高分子全体の質量の５０重量％以上になるように合成
することが好ましい。より好ましくは６５重量％以上で
ある。

【００３３】側鎖結晶性高分子を重合する方法として
は、溶液重合法、懸濁重合法、乳化重合法等既知の様々
な方法が採用できる。重合反応機構としては、ラジカル
重合、アニオン重合、カチオン重合等が挙げられるが、
粘着剤の製造コスト等を等慮すればラジカル重合によっ
て重合することが好ましい。ラジカル重合反応によって
重合する際、ラジカル重合開始剤として、ベンゾイルパ
ーオキサイド、アセチルパーオキサイド、イソブチリル
パーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、ジ−タ
ーシャル−ブチルパーオキサイド、ジ−ターシャル−ア
ミルパーオキサイド等の有機過酸化物、過硫酸アンモニ
ウム、過硫酸カリウム、過硫酸ナトリウム等の無機過酸
化物、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，
２’−アゾビス−２−メチルブチロニトリル、４，４’
−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等のアゾ化
合物等が挙げられる。これらは、得られる側鎖結晶性高
分子の性質、重合方法に応じて適宜選択される。

【００３４】側鎖結晶性高分子としては、上記重合体の
他に、結晶性側鎖を有するものであれば、ポリエステル
系、ポリエーテル系、ポリアミド系、ポリエチレンイミ
ン系、シリコーン系等の高分子等が挙げられる。また、
主鎖結晶性高分子としては、水不溶性ポリアルキレンオ
キシド、低級アルキルポリエステル、ポリアミド、ナイ
ロン、ポリテトラヒドロフラン、及び一般式（１）〔化
１〕

【００３５】

【化１】 （式中、Ｒは水素、炭素数１〜１２の直鎖状または枝分
かれ状アルキル基、ｎは５〜５００００の整数である）
で表される構造のポリ−α−オレフィン等が挙げられ
る。上記一般式（１）〔化１〕において、好ましくは、
Ｒが炭素数１〜８の直鎖状または枝分かれ状アルキル基
である。

【００３６】粘着特性の温度依存性、チップの裏面への
汚染性を考慮すると、上記結晶性高分子は３，５００か
ら９００，０００程度の分子量を有するものが好まし
い。これらの結晶性高分子の分子量は、特に粘着特性の
温度依存性に影響を与え、分子量によって、ダイシング
の際にチップの飛散を防止する充分な粘着力を示す温度
範囲（以下、この温度範囲をＡ〜Ｂ℃の温度範囲、また
は、Ｅ〜Ｆ℃の温度範囲という）が異なる傾向にある。
例えば、結晶性高分子の分子量が大きくなるに従い、温
度範囲の上限ＢまたはＦの値が大きくなる傾向があり、
特に、第２および第４発明の場合、分子量が大きくなり
すぎると、粘着剤層とチップ裏面の間に化学的な相互作
用（チップ裏面の腐食、汚染等）を引き起こす温度、粘
着剤層の分解温度、基材フィルムの軟化温度等、を越え
る温度に加熱しても粘着フィルムからチップをピックア
ップすることが出来なくなることがある。従って、結晶
性高分子の分子量は半導体ウエハのダイシング工程にお
ける温度条件（冷却水の温度、ピックアップ時の温度
等）、チップ裏面への汚染性等を考慮して決定する必要
がある。

【００３７】例えば、Ｅ〜Ｆ℃の温度範囲においてのみ
ウエハ裏面を固定し、チップの飛散を防止するに充分な
粘着力を示す粘着剤が形成された粘着フィルムを、Ｆ℃
を超える温度範囲外に加熱してチップをピックアップす
る場合、分子量は３，５００から２５，０００程度の範
囲に調整することが好ましく、より好ましくは、３，５
００から１２，０００程度の範囲である。

【００３８】また、Ａ〜Ｂ℃の温度範囲においてのみウ
エハ裏面を固定し、チップの飛散を防止するに充分な粘
着力を示す粘着剤が形成された粘着フィルムを、Ａ℃未
満の温度範囲外に冷却してチップをピックアップする場
合には、何れの分子量でも特に問題はないが、チップ裏
面への汚染性を考慮するとより高い分子量が好ましく、
従って２５，０００から９００，０００程度の範囲に調
整することが好ましく、より好ましくは、１００，００
０から９００，０００程度の範囲である。

【００３９】通常の粘着剤と結晶性高分子の混合物は、
粘着力特性、凝集力の調整、チップ裏面への汚染性等を
考慮して、必要に応じて、架橋させてもよい。ウエハ裏
面の凹凸の状態によっても異なるが、ダイシング後、冷
却してからチップをピックアップする場合、架橋させた
方が、粘着力が低下し易くなる傾向がある。架橋方法と
しては、架橋剤による架橋、光や放射線等による架橋等
既知の架橋方法の中から適宜選択することができるが、
架橋方法の簡便さを考慮すると架橋剤による架橋が好ま
しい。

【００４０】架橋剤としては、テトラメチレンジイソシ
アネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメチ
ロールプロパンのトルエンジイソシアネート３付加物、
ポリイソシアネート等のイソシアネート系化合物、ソル
ビトールポリグリシジルエーテル、ポリグリセロールポ
リグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリ
シジルエーテル、ジグリセロールポリグリシジルエーテ
ル、グリセロールポリグリシジルエーテル、ネオペンチ
ルグリコールジグリシジルエーテル、レソルシンジグリ
シジルエーテル等のエポキシ系化合物、トリメチロール
プロパン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、テ
トラメチロールメタン−トリ−β−アジリジニルプロピ
オネート、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルメタン−４，４’−ビ
ス（１−アジリジンカルボキシアミド）、Ｎ，Ｎ’−ヘ
キサメチレン−１，６−ビス（１−アジリジンカルボキ
シアミド）、Ｎ，Ｎ’−トルエン−２，４−ビス（１−
アジリジンカルボキシアミド）、トリメチロールプロパ
ン−トリ−β−（２−メチルアジリジン）プロピオネー
ト等のアジリジン系化合物、及びヘキサメトキシメチロ
ールメラミン等のメラミン系化合物等が挙げられる。こ
れらは単独で使用してもよいし、２種以上を併用しても
よい。

【００４１】架橋剤の添加量は、粘着剤層に求められる
粘着特性、凝集力、通常の粘着剤および結晶性高分子の
性質等により異なるが、通常、通常の粘着剤と結晶性高
分子の混合物１００重量部に対して０．０１〜３０重量
部の範囲で適宜選択される。

【００４２】粘着剤層の厚みは、半導体ウエハの裏面の
状態、ダイシングの方法等により適宣決められるが、半
導体ウエハをダイシングしている時のチップの飛散を防
止するための粘着力、ダイシングブレードの切込み等を
勘案すると、通常２〜１００μｍ程度である。好ましく
は５〜７０μｍである。

【００４３】上記のようにして得られる本発明の粘着フ
ィルムは、半導体ウエハ裏面に粘着フィルムを貼着する
工程から該ウエハのダイシング工程を経てピックアップ
工程の直前に到るまでの間、チップ裏面にしっかりと貼
着してチップの飛散を防止するに充分な粘着力を有する
粘着フィルムである。ここで、チップの飛散を防止する
に充分な粘着力とは、ダイシング時に冷却水の水圧やブ
レードの回転の勢い等により、チップが粘着フィルムか
ら脱落しない程度の粘着力のことであり、具体的には、
ＪＩＳ Ｚ ０２３７に規定される方法に準拠して、被
着体としてＳＵＳ３０４−ＢＡ板を用い、剥離速度３０
０ｍｍ／ｍｉｎ．、剥離角度１８０度の条件下で測定し
た粘着力が所定の温度において、通常、１５０〜２００
０ｇ／２５ｍｍの範囲内であることを意味する。好まし
くは２００〜２０００ｇ／２５ｍｍの範囲内である。

【００４４】かくして、上記の如くして製造される本発
明に係わる粘着フィルムは、−１０℃以上の温度におけ
る少なくとも一部の温度範囲Ａ〜Ｂ℃（Ａ＜Ｂ）におい
てのみ１５０〜２，０００ｇ／２５ｍｍの粘着力を示
し、且つ、Ａ℃未満の温度領域に冷却することにより、
その粘着力が１５０ｇ／２５ｍｍ未満に低下するもので
ある。温度範囲Ａ〜Ｂ℃（Ａ＜Ｂ）における好ましい粘
着力は２００〜２０００ｇ／２５ｍｍである。Ａ℃未満
の温度領域における好ましい粘着力は８０ｇ／２５ｍｍ
以下である。また、好ましいＡ〜Ｂ℃の温度範囲は、１
０℃以上の温度範囲における少なくとも一部の温度範囲
である。ここで、「−１０℃以上の温度範囲」に於ける
上限の温度には特に制限はないが、実質的には基材フィ
ルムが加熱により軟化し、本発明で定義する粘着力の測
定が事実上不可能となる温度であり、具体的には、ＪＩ
Ｓ Ｋ ２２０７（環球法）に準拠して測定した基材フ
ィルムの原料樹脂（即ちフィルム化前の樹脂）の軟化温
度＋５０℃程度の温度が挙げられる。基材フィルムが融
点を有する場合は融点程度の温度が上限温度である。

【００４５】また、本発明の他の発明に係わる粘着フィ
ルムは、７０℃以下の温度における少なくとも一部の温
度範囲Ｅ〜Ｆ℃（Ｅ＜Ｆ）においてのみ１５０〜２，０
００ｇ／２５ｍｍの粘着力を示し、且つ、Ｆ℃を超える
温度領域に加熱することにより、その粘着力が１５０ｇ
／２５ｍｍ未満に低下するものである。好ましくは、Ｅ
〜Ｆ℃の温度範囲は、６０℃以下の温度における少なく
とも一部の温度範囲である。温度範囲Ｅ〜Ｆ℃（Ｅ＜
Ｆ）における好ましい粘着力は２００〜２０００ｇ／２
５ｍｍである。Ｆ℃を超える温度領域における好ましい
粘着力は８０ｇ／２５ｍｍ以下である。ここで、「７０
℃以下の温度範囲」に於ける下限の温度には特に制限は
ないが、実質的には、基材フィルムが冷却により脆性を
示すようになり、本発明で定義する粘着力の測定が事実
上不可能となる温度である。具体的には、ＡＳＴＭ Ｄ
−７４６に準拠して測定した基材フィルムの原料樹脂
（即ちフィルム化前の樹脂）の脆化温度−１００℃程度
の温度が挙げられる。さらに、実際の作業性を考慮する
と、上記のいずれの粘着フィルムついても、少なくとも
２０〜２５℃の温度範囲内において、チップの飛散を防
止するに充分な粘着力を示すものであることが好まし
い。さらに好ましくは少なくとも１５〜３０℃の温度範
囲内においてチップの飛散を防止するに充分な粘着力を
示すものである。

【００４６】次いで、本発明の半導体ウエハダイシング
用粘着フィルムの使用方法について説明する。第１の方
法として、粘着フィルムの粘着剤層から剥離フィルムを
剥離して粘着剤層表面を露出させ、その粘着剤層を介し
て集積回路が形成された側の面と反対側の半導体ウエハ
の裏面に、−１０℃以上の温度における少なくとも一部
の温度範囲Ａ〜Ｂ℃（Ａ＜Ｂ）の温度範囲に含まれる少
なくとも一部の温度範囲Ｃ〜Ｄ℃（Ａ＜Ｃ≦Ｄ＜Ｂ、１
≦Ｃ≦Ｄ≦６０）において該粘着フィルムを貼着し、粘
着フィルムの基材フィルム側を介してダイシング装置の
チャックテーブル等に半導体ウエハを固定し、Ｃ〜Ｄ℃
の温度範囲の冷却水をかけながら半導体ウエハをダイシ
ングし、次いで、Ａ℃未満に冷却した状態でチップをピ
ックアップする方法が挙げられる。

【００４７】ウエハ裏面に粘着フィルムを貼着し、且
つ、冷却水の温度である上記Ｃ〜Ｄ℃の温度範囲は、１
０≦Ｃ≦Ｄ≦４０であることが好ましい。チップの飛散
を防止するに十分な粘着力を示す温度範囲に管理するた
めに、ダイシング中の冷却水の温度、ダイシング室温等
をＣ〜Ｄ℃の範囲内で管理する必要がある。ピックアッ
プ時の温度は、Ａ℃未満ならば、任意の温度でよいが、
実際の作業性を考慮すると、通常、−３０℃以上が好ま
しい。

【００４８】また、第２の方法として、粘着フィルムの
粘着剤層から剥離フィルムを剥離して粘着剤層表面を露
出させ、その粘着剤層を介して集積回路が形成された側
の面と反対側の半導体ウエハの裏面に、７０℃以下の温
度に含まれる少なくとも一部の温度範囲Ｇ〜Ｈ℃（Ｅ＜
Ｇ≦Ｈ＜Ｆ、１≦Ｇ）において該粘着フィルムを貼着
し、粘着フィルムの基材フィルム側を介してダイシング
装置のチャックテーブル等に半導体ウエハを固定し、Ｇ
〜Ｈ℃の温度範囲の冷却水をかけながら半導体ウエハを
ダイシングし、次いで、Ｆ℃を超える温度に加熱した状
態でチップをピックアップする方法が挙げられる。

【００４９】ウエハ裏面に粘着フィルムを貼着し、且
つ、冷却水の温度である上記Ｇ〜Ｈ℃の温度範囲は、１
０≦Ｇ≦Ｈ≦４０であることが好ましい。チップの飛散
を防止するに十分な粘着力を示す温度範囲に管理するた
めに、ダイシング中の冷却水の温度、ダイシング室温等
をＧ〜Ｈ℃の範囲内で管理する必要がある。ピックアッ
プ時の温度は、Ｆ℃を超える温度ならば任意の温度でよ
いが、通常、粘着剤層とチップの裏面の間に化学的な相
互作用（ウエハ表面の腐食、汚染等）を引き起こす温
度、粘着剤層の一部が分解し始める温度、または基材フ
ィルムの軟化温度の何れの温度をも超えない様にするこ
とが好ましい。具体的には、通常、基材フィルムの軟化
温度が１００℃以下の場合にはその軟化温度未満、基材
フィルムの軟化温度が１００℃を超える場合には、１０
０℃以下の温度で剥離することが好ましい。本発明の粘
着フィルムの粘着力は、チップの大きさ（面積）、ダイ
シング時間、ダイシング方法、ダイシング前の半導体ウ
エハの裏面形状等種々を考慮して上記範囲内に適宜調整
することができる。

【００５０】半導体ウエハをダイシングする装置、器具
等、及びダイシング方法には特に制限はなく公知の方法
が適用できる。本発明が適用できる半導体ウエハとし
て、シリコンウエハのみならず、ゲルマニウム、ガリウ
ム−ヒ素、ガリウム−リン、ガリウム−ヒ素−アルミニ
ウム等のウエハが挙げられる。

【００５１】

【実施例】以下、実施例を示して本発明についてさらに
詳細に説明する。以下に示す実施例及び比較例の中で、
半導体ウエハダイシング用粘着フィルムの製造（粘着剤
塗布液の調製以降）および半導体ウエハダイシング用粘
着フィルムを用いた半導体ウエハのダイシングは全て米
国連邦規格２０９ｂに規定されるクラス１，０００以下
のクリーン度に維持された環境において実施した。

【００５２】本発明はこれら実施例に限定されるもので
はない。尚、本実施例において使用された通常の粘着剤
（アクリル系粘着剤）、および結晶性高分子（側鎖結晶
性高分子）の合成は、下記調製例１〜４の方法に従って
行った。また、得られた粘着フィルムの性能および該フ
ィルムを用いた半導体ウエハダイシング方法における各
特性は、下記（１）〜（３）の方法により評価した。

【００５３】（１）ダイシング工程における作業性の評
価 裏面研削が完了した、集積回路が形成された半導体シリ
コンウエハ（径：６インチ、厚み：３００μｍ）の裏面
に、それぞれの実施例および比較例で得られた粘着フィ
ルムを貼付し、フリーオートマチックダイシングソー
（（株）ディスコ製、形式：ＤＦＤ−２Ｓ／８）を用い
て、所定の水温の水をかけて冷却しながら半導体シリコ
ンウエハを１辺が５０ｍｍ²のチップに分割（ダイシン
グ）する。ダイシング終了後、所定の条件下で、ニード
ルで突き上げると共にエアピンセットで吸着することに
よりピックアップする。各実施例および比較例毎に半導
体シリコンウエハを３枚使用し、ダイシングを３回行
い、ダイシング中に飛散したチップの割合（％）、ピッ
クアップ時にピックアップできなかったチップの割合
（％）を評価する。

【００５４】（２）顕微鏡によるチップ裏面の汚染の観
察（％） 上記（１）における半導体ウエハダイシング中に飛散せ
ず、かつ、ピックアップのできたチップの裏面を光学顕
微鏡（（株）ニコン製：ＯＰＴＩＰＨＯＴ２）を用いて
５０〜１０００倍の範囲でチップの裏面全体及び微細部
分まで観察し、汚染されているチップの割合を評価す
る。

【００５５】（３）粘着力（ｇ／２５ｍｍ）特性 基本的な操作はＪＩＳ Ｚ ０２３７に記載される方法
に準拠し、以下の条件下で実施する。２３℃において実
施例及び比較例で得られた粘着フィルムをその粘着剤層
を介して、ＳＵＳ３０４−ＢＡ板（縦：２０ｃｍ、横：
５ｃｍ）の表面に貼付し、３０分間放置する。放置後、
試料の一端を挟持し、剥離角度：１８０度、剥離速度：
３００ｍｍ／ｍｉｎ．で所定の温度においてＳＵＳ３０
４−ＢＡ板の表面から試料を剥離し、剥離する際の応力
を測定してｇ／２５ｍｍに換算する。

【００５６】調製例１ ＜アクリル系粘着剤（以下、高分子１）の合成＞アクリ
ル酸ブチル９１重量部、アクリロニトリル４．５重量
部、アクリル酸４．５重量部をトルエン１５０重量部中
で、開始剤として２，２’−アゾビス−イソブチロニト
リル（以下、ＡＩＢＮという）１重量部を用いて窒素雰
囲気下８０℃において共重合して、高分子１の溶液（固
形分４０重量％）を得た。

【００５７】調製例２ ＜側鎖結晶性高分子その１（以下、高分子２）の合成＞
メタクリル酸ヘキサデシル９８重量部、アクリル酸２重
量部をトルエン１８０重量部中でドデシルメルカプタン
５重量部の存在下で、開始剤としてＡＩＢＮ１重量部を
用いて窒素雰囲気下８０℃において共重合して、高分子
２の溶液（固形分３６重量％）を得た。

【００５８】調製例３ ＜側鎖結晶性高分子その２（以下、高分子３）の合成＞
アクリル酸オクタデシル９８重量部、アクリル酸２重量
部をトルエン１８０重量部中でドデシルメルカプタン５
重量部の存在下で、開始剤としてＡＩＢＮ１重量部を用
いて窒素雰囲気下８０℃において共重合して、高分子３
の溶液（固形分３６重量％）を得た。

【００５９】調製例４ ＜側鎖結晶性高分子その３（以下、高分子４）の合成＞
メタクリル酸ヘキサデシル９８重量部、アクリル酸２重
量部を酢酸エチル１８０重量部中で、開始剤としてＡＩ
ＢＮ０．２重量部を用いて窒素雰囲気下７５℃において
共重合して、高分子４の溶液（固形分３６重量％）を得
た。

【００６０】実施例１ 調製例１で合成した高分子１の溶液（固形分４０重量
％）７５重量部、及び、調製例２で合成した高分子２の
溶液（固形分３６重量％）２５重量部を混合し、さら
に、イソシアネート系架橋剤（三井東圧化学（株）製、
オレスターＰ４９−６０ＳＸ、固形分６０重量％）１重
量部を添加して粘着剤塗布液を得た。この粘着剤塗布液
をロールコーターを用いてポリプロピレンフィルム（剥
離フィルム、厚み：５０μｍ）の片面に塗布し、１２０
℃で１分間乾燥して厚さ１５μｍの粘着剤層を設けた。
次いで、コロナ放電処理を施した厚さ１００μｍのエチ
レン−メタクリル酸共重合体フィルム（引張破壊強さ：
２．３Ｋｇｆ／ｍｍ²，引張破壊伸び：５７０％）の該
処理面を貼り合わせ押圧して、粘着剤層を転写させるこ
とにより粘着フィルムを製造した。室温が２３℃に管理
された環境下で、得られた粘着フィルムの粘着剤層から
剥離フィルムを剥離し、粘着剤層表面を露出させ、その
粘着剤層を介して、裏面研削が完了した集積回路が形成
された半導体シリコンウエハ（径：６インチ、厚み：３
００μｍ）の裏面に貼付し、フリーオートマチックダイ
シングソー（（株）ディスコ製、形式ＤＦＤ−２Ｓ／
８）を用いて、２３℃の水をかけて冷却しながら半導体
シリコンウエハを５０ｍｍ²のチップに分割（ダイシン
グ）した。ダイシング終了後、該フィルムを貼着したま
ま５℃に冷却し、この温度を保持したまま、ニードルで
突き上げると共にエアピンセットで吸着することにより
ピックアップを行った。３枚の半導体ウエハについて同
様の操作を３回行った。ダイシング中に飛散したチッ
プ、ピックアップのできなかったチップは皆無であっ
た。得られた粘着フィルムの実施例１の使用条件下での
粘着力特性およびチップ裏面への汚染性、並びに、ダイ
シング結果を〔表１〕に示す。

【００６１】実施例２ 実施例１で得られた粘着フィルムを用いて、実施例１と
同様の環境下において、冷却水の水温を３０℃とした以
外は実施例１と同様の方法で、裏面研削が完了した集積
回路が形成された半導体シリコンウエハ（実施例１と同
じ）を５０ｍｍ ²のチップに分割（ダイシング）した。
ダイシング終了後、該フィルムを貼着したまま１０℃に
冷却し、この温度を保持したまま、実施例１と同様の方
法でピックアップを行った。３枚の半導体ウエハについ
て同様の操作を３回行った。ダイシング中に飛散したチ
ップ、ピックアップのできなかったチップは皆無であっ
た。実施例１の粘着フィルムの実施例２の使用条件下で
の粘着力特性およびチップ裏面への汚染性、並びに、ダ
イシング結果を〔表１〕に示す。

【００６２】実施例３ 調製例１で合成した高分子１の溶液（固形分４０重量
％）７５重量部、及び、調製例３で合成した高分子３の
溶液（固形分３６重量％）２５重量部を混合し、さら
に、イソシアネート系架橋剤（三井東圧化学（株）製、
オレスターＰ４９−６０ＳＸ、固形分６０重量％）２重
量部を添加して粘着剤塗布液を得た。この粘着剤塗布液
を用いて、実施例１と同様の方法で粘着フィルムを製造
した。得られた粘着フィルムを用い、実施例１と同様の
環境下において、実施例１と同様の方法で、裏面研削が
完了した集積回路が形成された半導体シリコンウエハ
（実施例１と同じ）を５０ｍｍ²のチップに分割（ダイ
シング）した。ダイシング終了後、該フィルムを貼着し
たまま６５℃に加熱し、この温度を保持したまま実施例
１と同様の方法でピックアップを行った。３枚の半導体
ウエハについて同様の操作を３回行った。ダイシング中
に飛散したチップ、ピックアップのできなかったチップ
は皆無であった。得られた粘着フィルムの実施例３の使
用条件下での粘着力特性およびチップ裏面への汚染性、
並びに、ダイシング結果を〔表１〕に示す。

【００６３】実施例４ 実施例３で得られた粘着フィルムを用いて、実施例１と
同様の環境下において、冷却水の水温を４０℃とした以
外は実施例１と同様の方法で、裏面研削が完了した集積
回路が形成された半導体シリコンウエハ（実施例１と同
じ）を５０ｍｍ ²のチップに分割（ダイシング）した。
ダイシング終了後、該フィルムを貼着したまま５５℃に
加熱し、この温度を保持したまま実施例１と同様の方法
でピックアップを行った。３枚の半導体ウエハについて
同様の操作を３回行った。ダイシング中に飛散したチッ
プ、ピックアップのできなかったチップは皆無であっ
た。実施例３の粘着フィルムの実施例４の使用条件下で
の粘着力特性およびチップ裏面への汚染性、並びに、ダ
イシング結果を〔表１〕に示す。

【００６４】実施例５ 調製例１で合成した高分子１の溶液（固形分４０重量
％）７０重量部、及び、調製例４で合成した高分子４の
溶液（固形分３６重量％）３０重量部を混合し、さら
に、イソシアネート系架橋剤（三井東圧化学（株）製、
オレスターＰ４９−６０ＳＸ、固形分６０重量％）１．
５重量部を添加して粘着剤塗布液を得た。この粘着剤塗
布液を用いて、実施例１と同様の方法で粘着フィルムを
製造した。得られた粘着フィルムを用い、実施例１と同
様の環境下において、実施例１と同様の方法で、裏面研
削が完了した集積回路が形成された半導体シリコンウエ
ハ（実施例１と同じ）を５０ｍｍ²のチップに分割（ダ
イシング）した。ダイシング終了後、該フィルムを貼着
したまま５℃に冷却し、この温度を保持したまま、実施
例１と同様の方法でピックアップを行った。３枚の半導
体ウエハについて同様の操作を３回行った。ダイシング
中に飛散したチップ、ピックアップのできなかったチッ
プは皆無であった。得られた粘着フィルムの実施例５の
使用条件下での粘着力特性およびチップ裏面への汚染
性、並びに、ダイシング結果を〔表１〕に示す。

【００６５】実施例６ 実施例５で得られた粘着フィルムを用いて、実施例１と
同様の環境下において、冷却水の水温を４０℃とした以
外は実施例１と同様の方法で、裏面研削が完了した集積
回路が形成された半導体シリコンウエハ（実施例１と同
じ）を５０ｍｍ ²のチップに分割（ダイシング）した。
ダイシング終了後、該フィルムを貼着したまま１０℃に
冷却し、この温度を保持したまま、実施例１と同様の方
法でピックアップを行った。３枚の半導体ウエハについ
て同様の操作を３回行った。ダイシング中に飛散したチ
ップ、ピックアップのできなかったチップは皆無であっ
た。実施例５の粘着フィルムの実施例６の使用条件下で
の粘着力特性およびチップ裏面への汚染性、並びに、ダ
イシング結果を〔表１〕に示す。

【００６６】

【表１】

【００６７】比較例１ 実施例１で得られた粘着フィルムを用いて、実施例１と
同様の環境下において、実施例１と同様の方法で、裏面
研削が完了した集積回路が形成された半導体シリコンウ
エハ（実施例１と同じ）を５０ｍｍ²のチップに分割
（ダイシング）した。ダイシング終了後、冷却せずにそ
のまま、実施例１と同様の方法でピックアップを行っ
た。３枚の半導体ウエハについて同様の操作を３回行っ
た。ダイシング中に飛散したチップは皆無であったが、
全てのチップにおいてピックアップできなかった。実施
例１の粘着フィルムの比較例１の使用条件下での粘着力
特性およびダイシング結果を〔表２〕に示す。

【００６８】比較例２ 実施例３で得られた粘着フィルムを用いて、実施例１と
同様の環境下において、実施例１と同様の方法で、裏面
研削が完了した集積回路が形成された半導体シリコンウ
エハ（実施例１と同じ）を５０ｍｍ²のチップに分割
（ダイシング）した。ダイシング終了後、加熱せずにそ
のまま、実施例１と同様の方法でピックアップを行っ
た。３枚の半導体ウエハについて同様の操作を３回行っ
た。ダイシング中に飛散したチップは皆無であったが、
３２％のチップにおいてピックアップ不良が発生した。
実施例３の粘着フィルムの比較例２の使用条件下での粘
着力特性およびチップ裏面への汚染性、並びに、ダイシ
ング結果を〔表２〕に示す。

【００６９】比較例３ 実施例５で得られた粘着フィルムを用いて、実施例１と
同様の環境下において、実施例１と同様の方法で、裏面
研削が完了した集積回路が形成された半導体シリコンウ
エハ（実施例１と同じ）を５０ｍｍ²のチップに分割
（ダイシング）した。ダイシング終了後、冷却せずにそ
のまま、実施例１と同様の方法でピックアップを行っ
た。３枚の半導体ウエハについて同様の操作を３回行っ
た。ダイシング中に飛散したチップは皆無であったが、
４７％のチップにおいてピックアップ不良が発生した。
実施例５の粘着フィルムの比較例３の使用条件下での粘
着力特性およびチップ裏面への汚染性、並びに、ダイシ
ング結果を〔表２〕に示す。

【００７０】比較例４ ５℃の環境下において、実施例１で得られた粘着フィル
ムを、その粘着剤層を介して、裏面研削が完了した集積
回路が形成された半導体シリコンウエハ（実施例１と同
じ）の裏面に貼付したところ、粘着力がほとんどなく貼
付できなかった。結果を〔表２〕に示す。

【００７１】比較例５ 実施例３で得られた粘着フィルムを６５℃に加熱し、そ
のままの温度で、その粘着剤層を介して、裏面研削が完
了した集積回路が形成された半導体シリコンウエハ（実
施例１と同じ）の裏面に貼付したところ、半導体ウエハ
の固定が不十分で、ダイシングが不可能な状態となっ
た。結果を〔表２〕に示す。

【００７２】比較例６ ５℃の環境下において、実施例５で得られた粘着フィル
ムを、その粘着剤層を介して、裏面研削が完了した集積
回路が形成された半導体シリコンウエハ（実施例１と同
じ）の裏面に貼付したところ、粘着力がほとんどなく貼
付できなかった。結果を〔表２〕に示す。

【００７３】比較例７ 実施例１で得られた粘着フィルムを用いて、実施例１と
同様の環境下において、冷却水の水温を１０℃とした以
外は実施例１と同様の方法で、裏面研削が完了した集積
回路が形成された半導体シリコンウエハ（実施例１と同
じ）を５０ｍｍ ²のチップに分割（ダイシング）した。
ダイシング中にウエハ及び、チップの固定が不十分とな
り、ダイシングが不可能となった。結果を〔表２〕に示
す。

【００７４】比較例８ 実施例３で得られた粘着フィルムを用いて、実施例１と
同様の環境下において、冷却水の水温を５５℃とした以
外は実施例１と同様の方法で、裏面研削が完了した集積
回路が形成された半導体シリコンウエハ（実施例１と同
じ）を５０ｍｍ ²のチップに分割（ダイシング）した。
ダイシング中にウエハ及び、チップの固定が不十分とな
り、ダイシングが不可能となった。結果を〔表２〕に示
す。

【００７５】比較例９ 実施例５で得られた粘着フィルムを用いて、実施例１と
同様の環境下において、冷却水の水温を１０℃とした以
外は実施例１と同様の方法で、裏面研削が完了した集積
回路が形成された半導体シリコンウエハ（実施例１と同
じ）を５０ｍｍ ²のチップに分割（ダイシング）した。
ダイシング中にウエハ及び、チップの固定が不十分とな
り、ダイシングが不可能となった。結果を〔表２〕に示
す。

【００７６】

【表２】

【００７７】比較例１０ 調製例１で合成した高分子１の溶液（固形分４０重量
％）１００重量部にイソシアネート系架橋剤（三井東圧
化学（株）製、オレスターＰ４９−６０ＳＸ、固形分６
０％）１．２重量部を添加して粘着剤塗布液を得た。こ
の粘着剤塗布液をロールコーターを用いてポリプロピレ
ンフィルム（剥離フィルム、厚み：５０μｍ）に塗布
し、１２０℃で１分間乾燥して厚さ１５μｍの粘着剤層
を設けた。次いで、コロナ放電処理を施した厚さ１００
μｍのエチレン−メタクリル酸共重合体フィルム（実施
例１と同じ）の該処理面を貼り合わせ押圧して、粘着剤
層を転写させることにより粘着フィルムを製造した。

【００７８】実施例１と同様の環境下において、実施例
１と同様の方法で、裏面研削が完了した集積回路が形成
された半導体シリコンウエハ（実施例１と同じ）を５０
ｍｍ ²のチップに分割（ダイシング）した。ダイシング
終了後、該フィルムを貼着したまま５℃に冷却し、この
温度を保持したまま、実施例１と同様の方法でピックア
ップを行った。３枚の半導体ウエハについて同様の操作
を３回行った。ダイシング中に飛散したチップは皆無で
あったが、７３％のチップにおいてピックアップ不良が
発生した。得られた粘着フィルムの比較例１０の使用条
件下での粘着力特性およびチップ裏面への汚染性、並び
に、ダイシング結果を〔表３〕に示す。

【００７９】比較例１１ 比較例１０で得られた粘着フィルムを用いて、実施例１
と同様の環境下において、実施例１と同様の方法で、裏
面研削が完了した集積回路が形成された半導体シリコン
ウエハ（実施例１と同じ）を５０ｍｍ²のチップに分割
（ダイシング）した。ダイシング終了後、該フィルムを
貼着したまま６５℃に加熱し、この温度を保持したま
ま、実施例１と同様の方法でピックアップを行った。３
枚の半導体ウエハについて同様の操作を３回行った。ダ
イシング中に飛散したチップは皆無であったが、３０％
のチップにおいてピックアップ不良が発生した。比較例
１０の粘着フィルムの比較例１１の使用条件下での粘着
力特性およびチップ裏面への汚染性、並びに、ダイシン
グ結果を〔表３〕に示す。

【００８０】比較例１２ 比較例１０で得られた粘着フィルムを用いて、実施例１
と同様の環境下において、実施例１と同様の方法で、裏
面研削が完了した集積回路が形成された半導体シリコン
ウエハ（実施例１と同じ）を５０ｍｍ²のチップに分割
（ダイシング）した。ダイシング終了後、室温で、実施
例１と同様の方法でピックアップを行った。３枚の半導
体ウエハについて同様の操作を３回行った。ダイシング
中に飛散したチップは皆無であったが、５１％のチップ
においてピックアップ不良が発生した。比較例１０の粘
着フィルムの比較例１１の使用条件下での粘着力特性お
よびチップ裏面への汚染性、並びに、ダイシング結果を
〔表３〕に示す。

【００８１】比較例１３ 調製例１で合成した高分子１の溶液（固形分４０重量
％）１００重量部にイソシアネート系架橋剤（三井東圧
化学（株）製、オレスターＰ４９−６０ＳＸ、固形分６
０％）６．５重量部を添加して粘着剤塗布液を得た。こ
の粘着剤塗布液をロールコーターを用いてポリプロピレ
ンフィルム（剥離フィルム、厚み：５０μｍ）に塗布
し、１２０℃で１分間乾燥して厚さ１５μｍの粘着剤層
を設けた。次いで、コロナ放電処理を施した厚さ１００
μｍのエチレン−メタクリル酸共重合体フィルム（実施
例１と同じ）の該処理面を貼り合わせ押圧して、粘着剤
層を転写させることにより粘着フィルムを製造した。実
施例１と同様の環境下において、実施例１と同様の方法
で、裏面研削が完了した集積回路が形成された半導体シ
リコンウエハ（実施例１と同じ）を５０ｍｍ ²のチップ
に分割（ダイシング）した。ダイシング終了後、室温
で、実施例１と同様の方法でピックアップを行った。３
枚の半導体ウエハについて同様の操作を３回行った。ダ
イシング中に５％のチップが飛散したが、ピックアップ
のできなかったチップは皆無であった。得られた粘着フ
ィルムの比較例１３の使用条件下での粘着力特性および
チップ裏面への汚染性、並びに、ダイシング結果を〔表
３〕に示す。

【００８２】比較例１４ 調製例１で合成した高分子１の溶液（固形分４０重量
％）１００重量部にイソシアネート系架橋剤（三井東圧
化学（株）製、オレスターＰ４９−６０ＳＸ、固形分６
０％）２重量部、ジペンタエリスリトールモノヒドロキ
シペンタアクリレート６重量部およびα−ヒドロキシシ
クロヘキシルフェニルケトン０．４重量部を添加して粘
着剤塗布液を得た。この粘着剤塗布液をロールコーター
を用いてポリプロピレンフィルム（剥離フィルム、厚
み：５０μｍ）に塗布し、１２０℃で１分間乾燥して厚
さ１５μｍの粘着剤層を設けた。次いで、コロナ放電処
理を施した厚さ１００μｍのエチレン−メタクリル酸共
重合体フィルム（実施例１と同じ）の該処理面を貼り合
わせ押圧して、粘着剤層を転写させることにより粘着フ
ィルムを製造した。実施例１と同様の環境下において、
実施例１と同様の方法で、裏面研削が完了した集積回路
が形成された半導体シリコンウエハ（実施例１と同じ）
を５０ｍｍ ²のチップに分割（ダイシング）した。ダイ
シング終了後、粘着フィルムのエチレン−メタクリル酸
共重合体フィルム側から高圧水銀ランプ（４０Ｗ／ｃ
ｍ）で１５ｃｍの距離から２０秒間光照射した後、室温
で実施例１と同様の方法でピックアップを行った。３枚
の半導体ウエハについて同様の操作を３回行った。ダイ
シング中に飛散したチップ、ピックアップのできなかっ
たチップは皆無であった。しかし、顕微鏡による観察
で、３％のチップの裏面に粘着剤に起因する汚染物が観
察された。得られた粘着フィルムの比較例１４の使用条
件下での粘着力特性およびチップ裏面への汚染性、並び
にダイシング結果を〔表３〕に示す。

【００８３】

【表３】

【００８４】

【発明の効果】本発明の半導体ウエハダイシング用粘着
フィルムは、結晶性高分子を含む粘着剤層が形成されて
おり、半導体ウエハをダイシングする際には強い粘着力
で半導体ウエハおよびチップを保持し、チップをピック
アップする際には冷却または加熱する等の簡単な操作で
容易に粘着力が低下する。そのため、ダイシング中に
は、チップが飛散することがない。また、剥離応力が小
さいのでピックアップする際に作業性が低下することが
ない。さらに、ピックアップした後に粘着剤層からの汚
染物がチップの裏面に付着することが殆どない。従っ
て、大容量化、高集積化、による半導体チップの大型
化、高性能化にある当技術分野において優れた効果を発
揮するものである。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体ウエハを素子小片に分割する際の
   固定用に用いられる、基材フィルムの片面に粘着剤層が
   設けられた半導体ウエハダイシング用粘着フィルムであ
   って、該粘着剤層が結晶性高分子を含む粘着剤により形
   成され、該半導体ウエハダイシング用粘着フィルムの粘
   着力が、−１０℃以上の温度における少なくとも一部の
   温度範囲Ａ〜Ｂ℃（Ａ＜Ｂ）においてのみ１５０〜２，
   ０００ｇ／２５ｍｍであり、且つ、Ａ℃未満の温度領域
   において１５０ｇ／２５ｍｍ未満であることを特徴とす
   る半導体ウエハダイシング用粘着フィルム。
2. 【請求項２】 半導体ウエハを素子小片に分割する際の
   固定用に用いられる、基材フィルムの片面に粘着剤層が
   設けられた半導体ウエハダイシング用粘着フィルムであ
   って、該粘着剤層が結晶性高分子を含む粘着剤により形
   成され、該半導体ウエハダイシング用粘着フィルムの粘
   着力が、７０℃以下の温度における少なくとも一部の温
   度範囲Ｅ〜Ｆ℃（Ｅ＜Ｆ）においてのみ１５０〜２，０
   ００ｇ／２５ｍｍであり、且つ、Ｆ℃を超える温度領域
   において１５０ｇ／２５ｍｍ未満であることを特徴とす
   る半導体ウエハダイシング用粘着フィルム。
3. 【請求項３】 半導体ウエハを素子小片に分割し、取り
   出す際にその裏面に貼着する半導体ウエハダイシング用
   粘着フィルムの使用方法であって、該半導体ウエハダイ
   シング用粘着フィルムが、基材フィルムの片面に結晶性
   高分子を含む粘着剤により形成された粘着剤層を有し、
   その粘着力が−１０℃以上の温度における少なくとも一
   部の温度範囲Ａ〜Ｂ℃（Ａ＜Ｂ）においてのみ１５０〜
   ２，０００ｇ／２５ｍｍであり、且つ、Ａ℃未満の温度
   領域において１５０ｇ／２５ｍｍ未満であり、Ａ〜Ｂ℃
   の温度範囲に含まれる少なくとも一部の温度範囲Ｃ〜Ｄ
   ℃（Ａ＜Ｃ≦Ｄ＜Ｂ、１≦Ｃ≦Ｄ≦６０）においてウエ
   ハ裏面に該粘着フィルムを貼着し、Ｃ〜Ｄ℃の温度範囲
   の冷却水をかけながら半導体ウエハを素子小片に分割
   し、次いで、Ａ℃未満に冷却した状態で該粘着フィルム
   から素子小片を剥離して取り出すことを特徴とする半導
   体ウエハダイシング用粘着フィルムの使用方法。
4. 【請求項４】 半導体ウエハを素子小片に分割し、取り
   出す際にその裏面に貼着する半導体ウエハダイシング用
   粘着フィルムの使用方法であって、該半導体ウエハダイ
   シング用粘着フィルムが、基材フィルムの片面に結晶性
   高分子を含む粘着剤により形成された粘着剤層を有し、
   その粘着力が７０℃以下の温度における少なくとも一部
   の温度範囲Ｅ〜Ｆ℃（Ｅ＜Ｆ）においてのみ１５０〜
   ２，０００ｇ／２５ｍｍであり、且つ、Ｆ℃を超える温
   度領域において１５０ｇ／２５ｍｍ未満であり、Ｅ〜Ｆ
   ℃の温度範囲に含まれる少なくとも一部の温度範囲Ｇ〜
   Ｈ℃（Ｅ＜Ｇ≦Ｈ＜Ｆ、１≦Ｇ）においてウエハ裏面に
   該粘着フィルムを貼着し、Ｇ〜Ｈ℃の温度範囲の冷却水
   をかけながら半導体ウエハを素子小片に分割し、次い
   で、Ｆ℃を超える温度に加熱した状態で該粘着フィルム
   から素子小片を剥離して取り出すことを特徴とする半導
   体ウエハダイシング用粘着フィルムの使用方法。