JPH0971757A - 半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルム及びそれを用いる半導体ウエハの加工方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体ウエハ表面への汚染が少ない半導体ウ
エハ裏面研削用粘着フィルム、及び該粘着フィルムを用
いる半導体ウエハの加工方法を提供する。 【解決手段】 基材フィルムの片表面に、アクリル系モ
ノマー（ａ）６７〜９８．９重量部、架橋剤と反応し得
る官能基を有するコモノマー（ｂ）１〜３０重量部、及
び共重合性とアニオン性界面活性を有する水溶性コモノ
マー（ｃ）０．１〜３重量部を含むモノマー混合物を共
重合させた粘着剤ポリマー１００重量部に対し、粘着剤
ポリマーの官能基と架橋し得る官能基を１分子中に２つ
以上有する架橋剤０．３〜１５重量部を含む粘着剤層が
設けられた半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルム、及
び、それを用いる半導体ウエハの加工方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハの裏
面研削用粘着フィルム及びそれを用いる半導体ウエハの
加工方法に関する。詳しくは、シリコンウエハ等の半導
体ウエハの集積回路が組み込まれた側の面（以下、ウエ
ハ表面という）に粘着フィルムを貼着して該ウエハの他
の面（以下、ウエハ裏面という）を研削し、研削後、さ
らに半導体ウエハを回路（チップ）毎に分割する（ダイ
シング）半導体ウエハの加工方法、並びに、該加工方法
において、半導体ウエハ裏面の研削加工をする際に破損
防止等のために用いる半導体ウエハ裏面研削用粘着フィ
ルムに関する。

【０００２】

【従来の技術】通常、半導体集積回路は高純度シリコン
単結晶等をスライスしてウエハとした後、イオン注入、
エッチング等により集積回路を組み込み、更にウエハの
裏面をグライディング、ポリッシング、ラッピング等に
より研削し、ウエハの厚さを１００〜６００μｍ程度ま
で薄くしてから、ダイシングしてチップ化する方法で製
造されている。これらの工程の中で、ウエハ裏面の研削
時に半導体ウエハの破損を防止したり、研削加工を容易
にするため、半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムをそ
の粘着剤層を介してウエハ表面に貼着して保護する方法
が用いられている。

【０００３】具体的には、先ず、半導体ウエハ裏面研削
用粘着フィルムをウエハ表面に貼着してウエハ裏面を研
削する。研削が完了した後、該フィルムを剥離し、ウエ
ハ表面を洗浄する工程（以下、洗浄工程という）におい
て該ウエハ表面に残存する粘着剤層に起因する汚染物を
除去する。次いで、ダイシング工程等の次工程に移行す
る。洗浄工程では有機溶剤を用いて行われていたため、
作業環境が悪くなる問題や、生産コストが高くなる問題
が生じていた。

【０００４】これらの問題を解決する方法として、例え
ば、特開昭６２−１０１６７８号公報には、回路パター
ンが形成された半導体ウエハの裏面を研磨する際にその
回路パターンの形成面側に貼着される感圧性接着剤層
と、これを支持する基材とで構成された感圧性接着フィ
ルムからなり、前記感圧性接着剤層がポリオレフィング
リコール系界面活性剤を含有することを特徴とする半導
体ウエハの保護部材が開示されている。そして、そのポ
リオレフィングリコール系界面活性剤の配合量が、感圧
性接着剤１００重量部に対し０．１〜１０重量部である
ことが記載されており、これにより半導体ウエハの感圧
性接着剤層成分による汚染を水を用いた洗浄で容易に除
去することが可能であるとされている。

【０００５】また、特開昭６３−２９６２２２号公報に
は、基材の一面上に、（ｉ）少なくともカルボキシル基
の一部が部分中和されたカルボキシル基含有親水性重合
体の部分架橋物と、（ii）アニオン性界面活性剤および
カチオン性界面活性剤からなる群から選択される少なく
とも１種の室温で液状の界面活性剤とを含む粘着剤層が
設けられてなるウエハ研磨用保護シートが開示されてい
る。

【０００６】上記発明は、半導体ウエハ表面の粘着剤層
に起因する汚染を除去するために有機溶剤を使用しなく
ともよい点、及び水洗により容易に除去することができ
る点で効果的である。しかし、いずれも半導体ウエハ表
面に粘着剤層に起因する汚染が生じることを前提とし、
その汚染を半導体ウエハ裏面の研削の後、水洗により除
去しようとするものである。従って、上記発明は半導体
ウエハ裏面研削の後、ダイシング工程に移行する前に洗
浄工程（以下、水洗工程という）をおかざるを得ず、工
程の簡略化を図り得る方法ではない。

【０００７】かかる洗浄工程を省略し得るウエハ加工用
フィルムとして、特開平４−１８６８３２号公報には、
基材フィルムの片面に粘着剤層を設けたウエハ加工用フ
ィルムにおいて、粘着剤重合時の界面活性剤として反応
性界面活性剤を用いた水系エマルジョン粘着剤を用いて
なることを特徴とするウエハ加工用フィルムが開示され
ている。該ウエハ加工用フィルムは、ミラーウエハの表
面を汚染することがなく、これを半導体ウエハ裏面研削
用粘着フィルムとして使用するとウエハ表面の非汚染性
に優れた性能を有し、ウエハ裏面研磨加工の後、ウエハ
表面の洗浄が不要である点で有用である。しかし、本発
明者らが詳細に検討した結果、ウエハ表面に書き込まれ
た回路の凹凸差が３μｍ以下程度の半導体ウエハには特
に問題なく使用できる。しかし、凹凸差が３μｍを超え
るような半導体ウエハに使用すると、粘着剤層に起因す
る汚染物がウエハ表面上に残ることがあった。

【０００８】近年、半導体集積回路の高密度化および高
性能化等に伴い、半導体ウエハおよびそれから得られる
半導体チップの回路面に対する汚染の管理が厳しくなっ
てきている。そのため、ウエハ裏面研削用粘着フィルム
には従来に増してより低汚染性が求められるようになっ
ている。また、近年の半導体製品の量産化、低価格化の
流れにおいては、より高密度化、高性能化された半導体
チップを製造する方法のみならず、低コストで効率よく
製造できる半導体チップの製造方法が望まれている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
問題に鑑み、半導体ウエハ表面への汚染が少なく、さら
に汚染が生じたとしても水との簡単な接触により容易に
浄化できる半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルム、およ
び、該半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを用いる半
導体ウエハの加工方法を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意検討し
た結果、アクリル酸アルキルエステル等の主モノマー
（ａ）、架橋剤と反応し得る官能基を有するコモノマー
（ｂ）及び特定の構造を有する水溶性コモノマー（ｃ）
の各特定量を含むモノマー混合物を共重合したコポリマ
ー、並びに、特定量の架橋剤を含む粘着剤層を有する半
導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを半導体ウエハの表
面に貼着して、該ウエハの裏面を研削し、研削終了後に
該フィルムを剥離し、次いで水をかけながらダイシング
することにより上記目的が達成し得ることを見出し、本
発明に到った。

【００１１】すなわち、本発明は、基材フィルムの片表
面に、主モノマー（ａ）６７〜９８．９重量部、架橋剤
と反応し得る官能基を有するコモノマー（ｂ）１〜３０
重量部及び一般式（１）〔化３〕

【００１２】

【化３】 （式中、Ｒ₁：水素、炭素数が１〜２５のアルキル基ま
たは炭素数が６〜２５のアルケニル基、Ｒ₂：炭素数が
２〜５のアルケニル基、Ｒ₃：水素または炭素数が２〜
５のアルケニル基、Ｒ₄：炭素数が２〜５のアルキレン
基、ｎ：１〜１００の整数、Ｍ：ＮＨ₄ ⁺、Ｎａ⁺または
Ｋ⁺）で表される水溶性コモノマー（ｃ）０．１〜３重
量部を含むモノマー混合物を共重合させた粘着剤ポリマ
ー１００重量部に対し、粘着剤ポリマーの官能基と架橋
し得る官能基を１分子中に２つ以上有する架橋剤０．３
〜１５重量部を含む粘着剤層が設けられていることを特
徴とする半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムである。

【００１３】また、本発明の他の発明は、半導体ウエハ
の表面に上記の半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを
貼着して該ウエハの裏面を研削し、研削終了後に該粘着
フィルムを剥離し、該ウエハ表面に水をかけながらダイ
シングすることを特徴とする半導体ウエハの加工方法で
ある。

【００１４】本発明の特徴は、上記一般式（１）で表さ
れる水溶性コモノマー（ｃ）の特定量を共重合した粘着
剤ポリマーを、架橋剤で架橋した粘着剤層を有する半導
体ウエハ裏面研削用粘着フィルムである点にある。ま
た、他の発明の特徴は、前記半導体ウエハ裏面研削用粘
着フィルムを半導体ウエハの表面に貼着して該ウエハの
裏面を研削し、研削終了後に該粘着フィルムを剥離し、
該ウエハ表面に水をかけながらダイシングすることにあ
る。

【００１５】かかる特徴を有する本発明によれば、半導
体ウエハ裏面研削用粘着フィルムの粘着剤層に起因する
半導体ウエハの表面の汚染が極めて少ない。そして、微
量の汚染が生じたとしてもダイシングする際に水と簡単
に接触させるだけで容易に除去することができる。従っ
て、粘着剤層に起因する汚染を除去するために、専用の
水洗工程を設けなくとも、ダイシング工程において通常
用いられる冷却用水または洗浄用水等と接触させる程度
でウエハ表面の浄化が図れるという従来なし得なかった
効果を奏するものである。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。本発明は、基材フィルムの片表面に粘着剤層が形
成され、さらに必要に応じて、その粘着剤層の表面に剥
離フィルムが配設された半導体ウエハ裏面研削用粘着フ
ィルムおよび該粘着フィルムを用いた半導体ウエハの加
工方法である。

【００１７】本発明の半導体ウエハ裏面研削用粘着フィ
ルムは、基材フィルムまたは剥離フィルムの片表面に、
粘着剤ポリマー、架橋剤、その他必要に応じて他の添加
剤を含む溶液またはエマルジョン液（以下、これらを総
称して粘着剤塗布液という）を塗布、乾燥して粘着剤層
を形成することにより製造される。

【００１８】基材フィルムの片表面に粘着剤層を形成す
る場合は、環境に起因する汚染等から保護するために粘
着剤層の表面に剥離フィルムを貼着することが好まし
い。また、剥離フィルムの片表面に粘着剤層を形成する
場合は、粘着剤層を基材フィルムへ転写する方法がとら
れる。基材フィルム及び剥離フィルムのいずれの片表面
に粘着剤塗布液を塗布するかは、基材フィルム及び剥離
フィルムの耐熱性、半導体ウエハ表面の汚染性を考慮し
て決める。例えば、剥離フィルムの耐熱性が基材フィル
ムのそれより優れている場合は、剥離フィルムの表面に
粘着剤層を設けた後、基材フィルムへ転写する。耐熱性
が同等または基材フィルムが優れている場合は、基材フ
ィルムの表面に粘着剤層を設け、その表面に剥離フィル
ムを貼着する。

【００１９】しかし、半導体ウエハ裏面研削用粘着フィ
ルムは、剥離フィルムを剥離したときに露出する粘着剤
層の表面を介して半導体ウエハ表面に貼着されることを
考慮し、粘着剤層による半導体ウエハ表面の汚染防止を
図るためには、耐熱性の良好な剥離フィルムを使用し、
その表面に粘着剤塗布液を塗布、乾燥して粘着剤層を形
成する方法が好ましい。

【００２０】本発明で用いる基材フィルムとして、合成
樹脂、天然ゴム、合成ゴム等から製造されたフィルムが
挙げられる。具体的に例示するならば、エチレン−酢酸
ビニル共重合体、エチレン−メタクリル酸共重合体、ポ
リブタジエン、軟質塩化ビニル樹脂、ポリオレフィン、
ポリエステル、ポリアミド、アイオノマー等の樹脂、お
よびそれらの共重合体エラストマー、およびジエン系、
ニトリル系、シリコーン系、アクリル系等の合成ゴム等
のフィルムが挙げられる。基材フィルムは単層体であっ
ても、また、積層体であってもよい。

【００２１】また、基材フィルムの厚みは、ウエハ裏面
の研削中の半導体ウエハの破損防止、粘着剤塗布液の塗
布性、半導体ウエハ表面への貼着作業性および剥離作業
性等に影響する。かかる観点から、基材フィルムの厚み
は、通常、１０〜２０００μｍである。好ましくは１０
０〜３００μｍである。基材フィルムの厚み精度は、半
導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムの厚み精度に影響を
与え、ひいては研削後の半導体ウエハの厚み精度に影響
を与える。従って、基材フィルムは上記厚みに±５μｍ
以内の精度で作成されたものが好ましい。さらに好まし
くは±３μｍ以内である。

【００２２】裏面研削中の半導体ウエハの破損防止を考
慮すると、基材フィルムの硬度はＡＳＴＭ−Ｄ−２２４
０に規定されるショアーＤ型硬度が４０以下である弾性
フィルム、例えば、エチレン−酢酸ビニル共重合体フィ
ルム、ポリブタジエンフィルム等が好ましく用いられ
る。この場合、基材フィルムの粘着剤層が設けられる面
の反対側の面に、これより硬いフィルム、具体的にはシ
ョアーＤ型硬度が４０を超えるフィルムを積層すること
が好ましい。そのことにより、半導体ウエハ裏面研削用
粘着フィルムの剛性が増し、貼着作業性及び剥離作業性
が改善される。

【００２３】また、半導体ウエハの裏面を研削した後に
施される酸によるエッチング処理の際にも引続き、半導
体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを用いて半導体ウエハ
の表面を保護する場合には、耐酸性に優れた基材フィル
ムを使用することが好ましい。耐酸性フィルムを基材フ
ィルムの粘着剤層と反対側に積層してもよい。耐酸性の
フィルムしては例えばポリプロピレンフィルム等が挙げ
られる。

【００２４】基材フィルムと粘着剤層との接着力を向上
させるため、基材フィルムの粘着剤層を設ける面にはコ
ロナ放電処理または化学処理等を施すことが好ましい。
また、基材フィルムと粘着剤層の間に下塗り剤を用いて
もよい。

【００２５】本発明に使用する剥離フィルムとして、ポ
リプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等の合成樹
脂フィルムが挙げられる。必要に応じてその表面にシリ
コーン処理等が施されたものが好ましい。剥離フィルム
の厚みは、通常１０〜２０００μｍである。好ましくは
３０〜１００μｍである。

【００２６】本発明に用いる粘着剤塗布液は、その基本
成分である粘着剤ポリマー、及び、凝集力を上げたり粘
着力を調整するための架橋性官能基を１分子中に２個以
上有する架橋剤を含む溶液またはエマルジョン液であ
る。粘着特性を調整するためにロジン系、テルペン樹脂
系等のタッキファイヤーを適宜添加してもよい。また、
粘着剤ポリマーがエマルジョン液である場合はジエチレ
ングリコールモノアルキルエーテル等の造膜助剤を添加
してもよい。

【００２７】本発明に用いる粘着剤ポリマーとして、架
橋剤と架橋反応し得る官能基を有する各種合成ゴム系ポ
リマー等が挙げられる。これらの内、粘着物性の制御、
再現性等を考慮すると、アクリル酸アルキルエステル系
ポリマー、メタクリル酸アルキルエステル系ポリマー、
ブタジエン系ポリマー、イソプレン系ポリマー、スチレ
ン−ブタジエン系ポリマー等が挙げられる。これらの
内、アクリル酸アルキルエステル系ポリマー、メタクリ
ル酸アルキルエステル系ポリマーが好ましい。粘着剤ポ
リマーを含む液体（以下、粘着剤主剤）は溶液、エマル
ジョン液等の何れでもよい。

【００２８】粘着剤ポリマーがアクリル酸アルキルエス
テル系ポリマー、またはメタクリル酸アルキルエステル
系ポリマーである場合、粘着剤ポリマーを構成する主モ
ノマー（ａ）として、アクリル酸メチル、メタクリル酸
メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エチル、アク
リル酸ブチル、メタクリル酸ブチル、アクリル酸−２−
エチルヘキシル、メタクリル酸−２−エチルヘキシル、
等のアクリル酸アルキルエステル、メタクリル酸アルキ
ルエステル、等が挙げられる。これらは単独で使用して
もよいし、また、２種以上を混合して使用してもよい。
主モノマー（ａ）の使用量は粘着剤ポリマーの原料とな
る全モノマーの総量１００重量部中に、通常、６７〜９
８．９重量部の範囲で含まれていることが好ましい。

【００２９】上記主モノマー（ａ）と共重合させる、架
橋剤と反応し得る官能基を持ったコモノマー（ｂ）とし
て、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、メサコン
酸、シトラコン酸、フマル酸、マレイン酸、イタコン酸
モノアルキルエステル、メサコン酸モノアルキルエステ
ル、シトラコン酸モノアルキルエステル、フマル酸モノ
アルキルエステル、マレイン酸モノアルキルエステル、
アクリル酸−２−ヒドロキシエチル、メタクリル酸−２
−ヒドロキシエチル、アクリルアミド、メタクリルアミ
ド、ターシャル−ブチルアミノエチルアクリレート、タ
ーシャル−ブチルアミノエチルメタクリレート等が挙げ
られる。これらの一種を上記主モノマー（ａ）と共重合
させてもよいし、また２種以上を共重合させてもよい。
上記の架橋剤と反応しうる官能基を持ったコモノマー
（ｂ）の使用量は、粘着剤ポリマーの原料となる全モノ
マーの総量１００重量部中に、通常、１〜３０重量部の
範囲で含まれていることが好ましい。

【００３０】本発明においては、上記粘着剤ポリマーを
構成する主モノマー（ａ）及び架橋剤と反応し得る官能
基を持ったコモノマー（ｂ）のほかに上記一般式（１）
で表される水溶性コモノマー（ｃ）を共重合する必要が
ある。一般式（１）で表される水溶性コモノマー（ｃ）
は、上記主モノマー（ａ）及びコモノマー（ｂ）との共
重合性に優れ、しかも、界面活性を有するため、乳化重
合する場合には乳化剤としての作用を有する。共重合性
と界面活性を有する水溶性コモノマーは他にも知られて
いるが、上記主モノマー（ａ）及びコモノマー（ｂ）と
の共重合性を考慮すると、上記一般式（１）で表される
水溶性コモノマー（ｃ）が特に好ましい。さらに、粘着
剤ポリマーを乳化重合で製造する場合には、乳化重合時
のエマルジョンの安定性、得られるエマルジョンの安定
性等の点でも優れている。

【００３１】上記一般式（１）におけるＲ₁、Ｒ₄及びｎ
は、粘着剤ポリマーの重合方法、重合条件、他のモノマ
ーとの共重合性等を考慮して適宜選択する。例えば、乳
化重合法により粘着剤ポリマーを重合する場合、重合時
のエマルジョンの安定性、得られたエマルジョンの安定
性を考慮すれば、ｎは１〜１００の整数であることが好
ましい。さらに好ましくは３〜３０である。Ｒ₄は炭素
数が２〜５であるアルキレン基、具体的には、エチレン
基、プロピレン基、ブチレン基等である。エチレン基ま
たはプロピレン基が好ましい。また、Ｒ₁は炭素数が１
〜２５であるアルキル基または炭素数が６〜２５である
アルケニル基が好ましい。さらに好ましくは炭素数が８
〜１０であるアルキル基である。

【００３２】Ｒ₂及びＲ₃は他のモノマーとの共重合性、
化合物としての安定性等を考慮して適宜選択する。本発
明においては、Ｒ₂は炭素数が２〜５のアルケニル基、
Ｒ₃は水素または炭素数が２〜５のアルケニル基である
ものが使用されるが、化合物としての安定性を考慮する
と、Ｒ₂が１−プロペニル基、Ｒ₃が水素であるものが好
ましい。また、ＭはＮＨ₄ ⁺、Ｎａ⁺またはＫ⁺等の陽イオ
ンであることが好ましい。これらの中で、半導体ウエハ
表面に形成された回路の電気特性への悪影響を考慮すれ
ば、Ｍがアンモニウムイオンの形態のものが好ましい。

【００３３】市販品の具体例としては、Ｒ₁がノニル
基、Ｒ₂が１−プロペニル基、Ｒ₃が水素、Ｒ₄がエチレ
ン基、ｎが１０または２０、Ｍがアンモニウムイオンで
あり、且つ、一般式（１）において、酸素原子の結合位
置をベンゼン環の１位としたときにＲ₁が４位、Ｒ₂が２
位であるアクアロンＨＳ−１０、同ＨＳ−２０等〔第一
工業製薬（株）製の商品名〕が挙げられる。

【００３４】水溶性コモノマー（ｃ）の使用量は、全モ
ノマーの総量１００重量部中に０．１〜３重量部の範囲
である。半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムの粘着剤
層は、該粘着フィルムを半導体ウエハの表面に貼着し
て、水をかけながら半導体ウエハの裏面を研削する際
に、半導体ウエハの表面と粘着剤層との間に水が浸入し
ない様な性質が要求されている。研削中に水が浸入すれ
ば、半導体ウエハの破損や表面汚染を引き起こすことに
なる。これらの性質と、水との簡単な接触により容易に
浄化できる性質のバランスを考慮すると、水溶性コモノ
マー（ｃ）の使用量は０．１〜０．８重量部が好まし
い。

【００３５】上記の主モノマー（ａ）、架橋剤と反応し
得る官能基を持ったコモノマー（ｂ）、水溶性コモノマ
ー（ｃ）の他に、さらに必要に応じてアクリル酸グリシ
ジル、メタクリル酸グリシジル、イソシアネートエチル
アクリレート、イソシアネートエチルメタクリレート、
２−（１−アジリジニル）エチルアクリレート、２−
（１−アジリジニル）エチルメタクリレート等の自己架
橋性の官能基を持ったモノマー、酢酸ビニル、アクリロ
ニトリル、スチレン等の重合性２重結合を持ったモノマ
ー、ジビニルベンゼン、アクリル酸ビニル、メタクリル
酸ビニル、アクリル酸アリル、メタクリル酸アリル等の
多官能性のモノマー等を共重合してもよい。これらのコ
モノマーの使用量は、上記各モノマー（ａ）、（ｂ）及
び（ｃ）とこれらのコモノマーとの合計が１００重量部
となるように使用する。具体的には、最大で３１．９重
量部である。

【００３６】粘着剤ポリマーを重合する方法としては、
溶液重合法、懸濁重合法、乳化重合法、等既知の様々な
方法が採用できるが、得られる粘着剤ポリマーの分子量
およびそれにともなう粘着剤の凝集力への影響を考慮す
る必要がある。これらの重合方法の内、高分子量のポリ
マーが得られること、塗布、乾燥工程における環境汚
染、塗布性等を勘案すると乳化重合法が好ましい。

【００３７】粘着剤ポリマーの重合反応機構としては、
ラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合等が挙げら
れるが、粘着剤の製造コスト、モノマーの官能基の影響
および半導体ウエハ表面へのイオンの影響、等を等慮す
ればラジカル重合によって重合することが好ましい。ラ
ジカル重合反応によって重合する際、ラジカル重合開始
剤として、ベンゾイルパーオキサイド、アセチルパーオ
キサイド、イソブチリルパーオキサイド、オクタノイル
パーオキサイド、ジ−ターシャル−ブチルパーオキサイ
ド、ジ−ターシャル−アミルパーオキサイド等の有機過
酸化物、過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム、過硫酸
ナトリウム等の無機過酸化物、２，２’−アゾビスイソ
ブチロニトリル、２，２’−アゾビス−２−メチルブチ
ロニトリル、４，４’−アゾビス−４−シアノバレリッ
クアシッド等のアゾ化合物、等が挙げられる。

【００３８】乳化重合法により重合する場合には、これ
らのラジカル重合開始剤の中で、水溶性の過硫酸アンモ
ニウム、過硫酸カリウム、過硫酸ナトリウム等の無機過
酸化物、同じく水溶性の４，４’−アゾビス−４−シア
ノバレリックアシッド等の分子内にカルボキシル基を持
ったアゾ化合物が好ましい。半導体ウエハ表面へのイオ
ンの影響を考慮すれば、過硫酸アンモニウム、４，４’
−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等の分子内
にカルボキシル基を持ったアゾ化合物がさらに好まし
い。４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッ
ド等の分子内にカルボキシル基を持ったアゾ化合物が特
に好ましい。

【００３９】乳化重合法により粘着剤ポリマーを得る場
合、乳化重合時のエマルジョンの安定性、得られるエマ
ルジョンの安定性等を考慮すると、得られるエマルジョ
ンの粘着剤ポリマー粒子の粒子径は、平均値で１３０〜
３００ｎｍであることが好ましい。本発明においては、
水溶性コモノマー（ｃ）の使用量は上記範囲であるの
で、エマルジョンの粘着剤ポリマー粒子の粒子径が小さ
くなると、乳化重合時のエマルジョンの安定性、得られ
るエマルジョンの安定性が共に低下する傾向がある。

【００４０】本発明に用いる架橋性の官能基を１分子中
に２個以上有する架橋剤は、粘着剤ポリマーが有する官
能基と反応させ、粘着力および凝集力を調整するために
用いる。架橋剤としては、ソルビトールポリグリシジル
エーテル、ポリグリセロールポリグリシジルエーテル、
ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル、ジグリ
セロールポリグリシジルエーテル、グリセロールポリグ
リシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジ
ルエーテル、レソルシンジグリシジルエーテル等のエポ
キシ系化合物、テトラメチレンジイソシアネート、ヘキ
サメチレンジイソシアネート、トリメチロールプロパン
のトルエンジイソシアネート３付加物、ポリイソシアネ
ート等のイソシアネート系化合物、トリメチロールプロ
パン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、テトラ
メチロールメタン−トリ−β−アジリジニルプロピオネ
ート、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルメタン−４，４’−ビス
（１−アジリジンカルボキシアミド）、Ｎ，Ｎ’−ヘキ
サメチレン−１，６−ビス（１−アジリジンカルボキシ
アミド）、Ｎ，Ｎ’−トルエン−２，４−ビス（１−ア
ジリジンカルボキシアミド）、トリメチロールプロパン
−トリ−β−（２−メチルアジリジン）プロピオネート
等のアジリジン系化合物、及びヘキサメトキシメチロー
ルメラミン等のメラミン系化合物等が挙げられる。

【００４１】これらは単独で使用してもよいし、２種以
上を併用してもよい。上記架橋剤の中で、エポキシ系架
橋剤は架橋反応の速度が遅く、反応が十分に進行しない
場合には粘着剤層の凝集力が低くなり、半導体ウエハ表
面の凹凸によっては粘着剤層に起因する汚染が生じるこ
とがある。したがって、適宜、アミン等の触媒を添加す
るか、もしくは触媒作用のあるアミン系官能基をもつモ
ノマーを粘着剤ポリマーに共重合するか、架橋剤を使用
する際にアミンとしての性質を有するアジリジン系架橋
剤を併用することが好ましい。

【００４２】架橋剤の添加量は、通常、架橋剤中の官能
基数が粘着剤ポリマー中の官能基数よりも多くならない
程度の範囲で添加する。しかし、架橋反応で新たに官能
基が生じる場合や、架橋反応が遅い場合など、必要に応
じて過剰に添加してもよい。通常、ウエハ裏面研削用粘
着フィルムの粘着力は、ＳＵＳ３０４−ＢＡ板に対する
粘着力に換算すると１０〜１０００ｇ／２５ｍｍ、好ま
しくは３０〜６００ｇ／２５ｍｍ程度である。ウエハ裏
面の研削条件、ウエハの口径、研削後のウエハの厚み等
を勘案して上記範囲に調整する。好ましくは粘着剤ポリ
マー１００重量部に対し架橋剤０．３〜１５重量部を添
加して調整する。

【００４３】基材フィルムまたは剥離フィルムの片表面
に粘着剤塗布液を塗布する方法としては、従来公知の塗
布方法、例えばロールコーター法、リバースロールコー
ター法、グラビアロール法、バーコート法、コンマコー
ター法、ダイコーター法等が採用できる。塗布された粘
着剤の乾燥条件には特に制限はないが、一般的には、８
０〜２００℃の温度範囲において１０秒〜１０分間乾燥
することが好ましい。さらに好ましくは８０〜１７０℃
において１５秒〜５分間乾燥する。

【００４４】粘着剤層の厚みは、半導体ウエハの表面状
態、形状、裏面の研削方法等により適宣決められるが、
半導体ウエハの裏面を研削している時の粘着力、研削が
完了した後の剥離性等を勘案すると、通常２〜１００μ
ｍ程度である。好ましくは５〜７０μｍである。架橋剤
と粘着剤ポリマーとの架橋反応を十分に促進させるため
に、被粘着剤塗布液の乾燥が終了した後に、半導体ウエ
ハ裏面研削用粘着フィルムを４０〜８０℃において５〜
３００時間程度加熱しても良い。

【００４５】本発明の半導体ウエハ裏面研削用粘着フィ
ルムの製造方法は、上記の通りであるが、半導体ウエハ
表面の汚染防止の観点から、基材フィルム、剥離フィル
ム、粘着剤主剤等全ての原料資材の製造環境、粘着剤塗
布液の調製、保存、塗布及び乾燥環境は、米国連邦規格
２０９ｂに規定されるクラス１，０００以下のクリーン
度に維持されていることが好ましい。

【００４６】本発明の半導体ウエハ裏面研削用粘着フィ
ルムは、上記方法により製造される。次に、それを用い
た半導体ウエハの加工方法について説明する。本発明の
半導体ウエハの加工方法は、上記方法により製造された
半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを半導体ウエハの
表面に貼着して該半導体ウエハの裏面を研削すること、
及び、該粘着フィルムが剥離された半導体ウエハの表面
に水をかけながら該半導体ウエハをダイシングすること
に特徴がある。

【００４７】その詳細は、先ず、半導体ウエハ裏面研削
用粘着フィルム（以下、粘着フィルムという）から剥離
フィルムを剥離し、粘着剤層表面を露出させ、その粘着
剤層を介して、集積回路が組み込まれた側の半導体ウエ
ハの表面に貼着する。次いで、研削機のチャックテーブ
ル等に粘着フィルムの基材フィルム層を介して半導体ウ
エハを固定し、半導体ウエハの裏面を研削する。研削が
終了した後、粘着フィルムは剥離される。裏面の研削が
完了した後、粘着フィルムを剥離する前にケミカルエッ
チング工程を経ることもある。本発明によれば、半導体
ウエハ表面から粘着フィルムを剥離した後には粘着剤層
に起因する汚染が極めて少ないので、ダイシング工程に
移行する前に、汚染を除去するための専用の洗浄工程を
設けなくてもよい。最後に、ダイシング工程において、
裏面研削後の半導体ウエハの表面に水をかけながらダイ
シングして、半導体チップとする。

【００４８】ダイシングの際に使用する水は、通常、ダ
イシング工程において用いられる冷却用水、ダイシング
削り屑を取り除く為の洗浄用水等で差し支えない。ダイ
シングの際に使用する水量には特に制限はないが、毎分
０．５〜２０リットル程度であることが好ましい。本発
明によれば、半導体ウエハの表面から粘着フィルムを剥
離した後、半導体ウエハ表面には粘着剤層に起因する汚
染が殆ど残らない。本発明の方法において、もし粘着剤
層に起因する微量の汚染があったとしても、上記のダイ
シング工程における冷却用水、洗浄用水等と接触する程
度で簡単に除去することが可能である。

【００４９】半導体ウエハの表面は、光学顕微鏡で観察
できる程度の大きさの異物が付着していてはならいこと
は無論であるが、近年さらに高性能のものが要求され光
学顕微鏡では観察し難い、例えば、０．１〜０．２μｍ
程度の異物付着による汚染さえ好ましくないとされてい
る。そのため、例えば、レーザー式検査装置を用いて微
細な異物の有無を評価したり、Electron Spectroscopy
for Chemical Analysis （以下、ＥＳＣＡという）を用
いてウエハ表面に付着した元素を定量的に評価する必要
がある。しかし、表面に集積回路が組み込まれた半導体
ウエハは表面に凹凸があり、レーザー式検査装置を用い
てその表面に付着した異物を検査することが困難であ
る。また、集積回路にはシリコンのみならずアルミニウ
ム等多くの種類の元素が含まれているため、ＥＳＣＡを
用いてウエハ表面に付着した元素を定量的に評価するこ
とも困難である。

【００５０】従って、本発明では、表面に集積回路が組
み込まれた半導体ウエハに対する汚染性は光学顕微鏡に
よる観察のみとし、レーザー式検査装置やＥＳＣＡを用
いた微量の汚染物の評価は表面に集積回路が組み込まれ
ていないシリコンミラーウエハに対する汚染性で代替し
た。

【００５１】本発明の半導体ウエハ裏面研削用粘着フィ
ルム及びそれを用いる半導体ウエハの加工方法が適用で
きる半導体ウエハとして、シリコンウエハのみならず、
ゲルマニウム、ガリウム−ヒ素、ガリウム−リン、ガリ
ウム−ヒ素−アルミニウム等のウエハが挙げられる。

【００５２】

【実施例】以下、実施例を示して本発明についてさらに
詳細に説明する。以下に示す実施例及び比較例は全て米
国連邦規格２０９ｂに規定されるクラス１，０００以下
のクリーン度に維持された環境において粘着剤塗布液の
調製および塗布、並びに、半導体シリコンウエハの加
工、等を実施した。本発明はこれら実施例に限定される
ものではない。尚、実施例に示した各種特性値は下記の
方法で測定した。

【００５３】（１）裏面研削中の水浸入（枚数） 集積回路が組み込まれた半導体シリコンウエハ（直径：
４インチ、厚み：６００μｍ、表面の凹凸：約８μｍ）
の表面に、試料用の粘着フィルムを貼着し、研削機
〔（株）ディスコ製、形式：ＤＦＧ−８２ＩＦ／８〕を
用いて、水をかけて冷却しながら半導体シリコンウエハ
の裏面を研削して、厚みを約３００μｍとする。研削終
了後、半導体シリコンウエハの表面と粘着フィルムとの
間に周辺部から水が浸入したか否かを目視で観察する。
各粘着フィルム毎に５０枚の半導体シリコンウエハにつ
いて評価する。評価方法は、半導体シリコンウエハの外
周部から内部に向かった水の浸入した距離が２ｍｍ未
満、及び２ｍｍ以上のシリコンウエハの枚数で示す。

【００５４】（２）顕微鏡によるチップ表面の観察（個
数） 上記（１）で得られた裏面研削終了後の半導体シリコン
ウエハの中から、水の浸入がないシリコンウエハを無作
為に２枚選定する。選出されたシリコンウエハから粘着
フィルムを剥離し、フリーオートマチックダイシングソ
ー〔（株）ディスコ製、形式：ＤＦＤ−２Ｓ／８〕を用
いて、シリコンウエハの表面に毎分５リットルの水をか
けながら回路毎に切断する。得られた半導体チップから
無作為に１００個を採取し、それらの集積回路側の表面
を光学顕微鏡〔（株）ニコン製：ＯＰＴＩＰＨＯＴ２〕
を用いて５０〜１０００倍の範囲に拡大して、各チップ
全体及び回路の微細部分まで観察し、汚染されているチ
ップの数を計数する。

【００５５】（３）異物付着量（個数／４インチウエ
ハ） 試料用の粘着フィルムをその粘着剤層を介して異物が付
着していない４インチのシリコンミラーウエハの全表面
に貼着した状態で、温度２３±２℃、相対湿度５０±５
％に調整された雰囲気中に１時間放置した後、試料を剥
離し、シリコンミラーウエハの表面に付着した０．１μ
ｍ以上の異物の数をレーザー表面検査装置〔日立電子エ
ンジニアリング（株）製、形式：ＬＳ−６０００〕を用
いて計数する。

【００５６】（４）ＥＳＣＡによるシリコンミラーウエ
ハチップ表面の汚染測定 ＜シリコンミラーウエハの裏面研削＞試料用の粘着フィ
ルムをその粘着剤層を介して異物が付着していないシリ
コンミラーウエハ（直径：４インチ、厚み：６００μ
ｍ）の全表面に貼着し、研削機〔（株）ディスコ製、形
式：ＤＦＧ−８２ＩＦ／８〕を用いて、水をかけて冷却
しながらシリコンミラーウエハの他の面を研削して、厚
みを約３００μｍとする。各粘着フィルム毎に半導体シ
リコンウエハを５枚使用し、５回研削を行う。研削終了
後のシリコンミラーウエハの中から、シリコンミラーウ
エハの表面と粘着フィルムとの間に周辺部から水が浸入
していないウエハを無作為に１枚選定する。選出された
該ウエハから粘着フィルムを剥離して、次の方法により
ダイシングする。

【００５７】＜水をかけないシリコンミラーウエハのダ
イシング＞ダイアモンドグラスカッター〔（株）井内盛
栄堂〕を用いて、シリコンミラーウエハの表面に水をか
けずに１ｃｍ角に切断する。切断した１ｃｍ角のシリコ
ンミラーウエハチップから無作為に５個を採取し、それ
らの表面に対しＥＳＣＡ（ＶＧ社製、形式：ＥＳＣＡ
ＬＡＢ ＭｋII）による分析を下記条件で実施し、Ｃ／
Ｓｉ比（５個の平均値）を求め、有機物による該チップ
表面の汚染状況を調べる。

【００５８】＜水をかけるシリコンミラーウエハのダイ
シング＞フリーオートマチックダイシングソー〔（株）
ディスコ製、形式：ＤＦＤ−２Ｓ／８〕を用いて、シリ
コンミラーウエハの表面に毎分５リットルの水をかけな
がらダイシングし、１ｃｍ角のシリコンミラーウエハチ
ップを得る。以下、上記と同様にしてチップの表面に対
しＥＳＣＡによる分析を実施する。

【００５９】＜ＥＳＣＡ測定条件及びＣ／Ｓｉ比算出法
＞ Ｘ線源：Ｍｇ Ｋα線（１２５３．６ｅＶ）、Ｘ線出
力：３００Ｗ、測定真空度：２×１０−７Ｐａ以下、Ｃ
／Ｓｉ：（炭素のピーク面積）／（珪素のピーク面積）

【００６０】＜Ｃ／Ｓｉ比の評価方法＞粘着フィルムを
貼着する前のシリコンミラーウエハ表面のＣ／Ｓｉ比は
０．１０（ブランク値）である。従って、粘着フィルム
を貼着した後のシリコンミラーウエハチップ表面のＣ／
Ｓｉ比が０．１０〜０．１２程度のものを汚染無し、そ
れを超えるものを汚染有りと判定する。

【００６１】（５）粘着力（ｇ／２５ｍｍ） 実施例および比較例で得られた粘着フィルムをその粘着
剤層を介して、５×２０ｃｍのＳＵＳ３０４−ＢＡ板
（ＪＩＳ Ｇ−４３０５規定）の表面に貼着し、２３℃
において１時間放置する。試料の一端を挟持し、剥離角
度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎ．でＳＵＳ３
０４−ＢＡ板の表面から試料を剥離する際の応力を測定
し、ｇ／２５ｍｍに換算する。

【００６２】（６）粘着剤ポリマーの平均粒子径（ｎ
ｍ） レーザー粒径解析システム〔大塚電子（株）製、形式：
ＬＰＡ−３０００／３１００〕を用いて測定する。

【００６３】実施例１ 重合反応機に脱イオン水１５０重量部、重合開始剤とし
て４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド
〔大塚化学（株）製、商品名：ＡＣＶＡ〕を０．５重量
部、アクリル酸ブチル７３．２５重量部、メタクリル酸
メチル１４重量部、メタクリル酸−２−ヒドロキシエチ
ル９重量部、メタクリル酸２重量部、アクリルアミド１
重量部、水溶性コモノマーとしてポリオキシエチレンノ
ニルフェニルエ−テル（エチレンオキサイドの付加モル
数の平均＝約２０）の硫酸エステルのアンモニウム塩の
ベンゼン環に重合性の１−プロペニル基を導入したもの
〔第一工業製薬（株）製：アクアロンＨＳ−２０〕０．
７５重量部を用い、撹拌下で７０℃において９時間乳化
重合を実施し、アクリル樹脂系水エマルジョンを得た。
これを１４重量％アンモニア水で中和し、固形分約４０
重量％、平均粒子径２００ｎｍの粘着剤ポリマーエマル
ジョン（粘着剤主剤）を得た。得られた粘着剤主剤エマ
ルジョン１００重量部（粘着剤ポリマー濃度約４０重量
％）を採取し、さらに１４重量％アンモニア水を加えて
ｐＨ９．３に調整した。次いで、アジリジン系架橋剤
〔日本触媒化学工業（株）製、ケミタイトＰＺ−３３〕
２重量部、およびジエチレングリコールモノブチルエー
テル５重量部を添加して粘着剤塗布液を得た。

【００６４】この粘着剤塗布液をロールコーターを用い
てポリプロピレンフィルム（剥離フィルム、厚み：５０
μｍ）に塗布し、１２０℃で１分間乾燥し厚さ１５μｍ
の粘着剤層を設けた。次いで、コロナ放電処理を施した
厚さ１２０μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体フィル
ム（ショアーＤ型硬度：３８）の該処理面を貼り合わせ
押圧して、粘着剤層を転写させた。転写後、６０℃にお
いて４８時間加熱した後、室温まで冷却することにより
半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを製造した。得ら
れた粘着フィルムを、集積回路が組み込まれた半導体シ
リコンウエハ（直径：４インチ、厚み：６００μｍ、表
面の凹凸：約８μｍ）の表面に貼着し、研削機〔（株）
ディスコ製、形式：ＤＦＧ−８２ＩＦ／８〕を用いて、
水をかけて冷却しながら半導体シリコンウエハの裏面を
研削し、厚みを約３００μｍとした。研削終了後、粘着
フィルムを剥離し、フリーオートマチックダイシングソ
ー〔（株）ディスコ製、形式：ＤＦＤ−２Ｓ／８〕を用
いて、半導体シリコンウエハの表面に毎分５リットルの
水をかけながら回路毎に切断し半導体チップを製造し
た。得られた半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムの各
種特性、および、得られたチップ表面の汚染状況等を上
記方法により評価した。得られた結果を〔表１〕に示
す。

【００６５】実施例２ 実施例１の水溶性コモノマーの代わりに、同じく水溶性
コモノマーであるポリオキシエチレンノニルフェニルエ
−テル（エチレンオキサイドの付加モル数の平均＝約１
０）の硫酸エステルのアンモニウム塩のベンゼン環に重
合性の１−プロペニル基を導入したもの〔第一工業製薬
（株）製：アクアロンＨＳ−１０〕を用い、その使用量
を０．７５重量部をとした以外はすべて実施例１と同様
の方法で半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを作製し
た。得られた主剤エマルジョン中の粘着剤ポリマー粒子
の平均粒径は２２０ｎｍであった。得られた粘着フィル
ムを用いて、実施例１と同様にして半導体ウエハの裏面
研削及び該ウエハのダイシングを行って半導体チップを
製造した。得られた粘着フィルムの各種特性、および、
得られたチップ表面の汚染状況等を実施例１と同様にし
て評価した。得られた結果を〔表１〕に示す。

【００６６】実施例３ 重合開始剤として４，４’−アゾビス−４−シアノバレ
リックアシッド〔大塚化学（株）製、商品名：ＡＣＶ
Ａ〕の代わりに過硫酸アンモニウムを０．５重量部用
い、実施例１の水溶性コモノマーの使用量を０．１５重
量部とし、さらにアクリル酸ブチルの使用量を７３．８
５重量部とした以外は、すべて実施例１と同様の方法で
半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを作製した。得ら
れた主剤エマルジョン中の粘着剤ポリマー粒子の平均粒
径は１９０ｎｍであった。得られた粘着フィルムを用い
て、実施例１と同様にして半導体ウエハの裏面研削及び
該ウエハのダイシングを行って半導体チップを製造し
た。得られた粘着フィルムの各種特性、および、得られ
たチップ表面の汚染状況等を実施例１と同様にして評価
した。得られた結果を〔表１〕に示す。

【００６７】実施例４ 実施例１のアジリジン系架橋剤の使用量を０．３重量部
とした以外はすべて実施例１と同様の方法で半導体ウエ
ハ裏面研削用粘着フィルムを作製した。得られた粘着フ
ィルムを用いて、実施例１と同様にして半導体ウエハの
裏面研削及び該ウエハのダイシングを行って半導体チッ
プを製造した。得られた粘着フィルムの各種特性、およ
び、得られたチップ表面の汚染状況等を実施例１と同様
にして評価した。得られた結果を〔表１〕に示す。

【００６８】実施例５ 実施例１のアジリジン系架橋剤の使用量を５重量部とし
た以外はすべて実施例１と同様の方法で半導体ウエハ裏
面研削用粘着フィルムを作製した。得られた粘着フィル
ムを用いて、実施例１と同様にして半導体ウエハの裏面
研削及び該ウエハのダイシングを行って半導体チップを
製造した。得られた粘着フィルムの各種特性、および、
得られたチップ表面の汚染状況等を実施例１と同様にし
て評価した。得られた結果を〔表１〕に示す。

【００６９】実施例６ 実施例１の水溶性コモノマーの使用量を２．５重量部と
し、さらにアクリル酸ブチルの使用量を７１．５重量部
とした以外は、すべて実施例１と同様の方法で半導体ウ
エハ裏面研削用粘着フィルムを作製した。得られた主剤
エマルジョン中の粘着剤ポリマー粒子の平均粒径は１６
０ｎｍであった。得られた粘着フィルムを用いて、実施
例１と同様にして半導体ウエハの裏面研削及び該ウエハ
のダイシングを行って半導体チップを製造した。得られ
た粘着フィルムの各種特性、および、得られたチップ表
面の汚染状況等を実施例１と同様にして評価した。得ら
れた結果を〔表１〕に示す。

【００７０】

【表１】

【００７１】比較例１ 実施例１の水溶性コモノマーの使用量を３．５重量部と
し、アクリル酸ブチルの使用量を７０．５重量部とした
以外は、全て実施例１と同様の方法で半導体ウエハ裏面
研削用粘着フィルムを作製した。得られた粘着フィルム
を用いて、実施例１と同様にして半導体ウエハの裏面研
削及び該ウエハのダイシングを行って半導体チップを製
造した。得られた主剤エマルジョン中の粘着剤ポリマー
粒子の平均粒径は１６０ｎｍであった。得られた粘着フ
ィルムの各種特性、および、得られたチップ表面の汚染
状況等を実施例１と同様にして評価した。得られた結果
を〔表２〕に示す。

【００７２】比較例２ 実施例３の水溶性コモノマーの使用量を０．０８重量部
とし、アクリル酸ブチルの使用量を７３．９２重量部と
した以外は、全て実施例３と同様の方法で半導体ウエハ
裏面研削用粘着フィルムを作製した。得られた主剤エマ
ルジョン中の粘着剤ポリマー粒子の平均粒径は１９０ｎ
ｍであった。得られた粘着フィルムを用いて、実施例１
と同様にして半導体ウエハの裏面研削及び該ウエハのダ
イシングを行って半導体チップを製造した。得られた粘
着フィルムの各種特性、および、得られたチップ表面の
汚染状況等を実施例１と同様にして評価した。得られた
結果を〔表２〕に示す。

【００７３】比較例３ 実施例１のアジリジン系架橋剤〔日本触媒化学工業
（株）製、ケミタイトＰＺ−３３〕の添加量を０重量部
とした以外はすべて実施例１と同様の方法で半導体ウエ
ハ裏面研削用粘着フィルムを作製した。得られた粘着フ
ィルムを用いて、実施例１と同様にして半導体ウエハの
裏面研削及び該ウエハのダイシングを行って半導体チッ
プを製造した。得られた粘着フィルムの各種特性、およ
び、得られたチップ表面の汚染状況等を実施例１と同様
にして評価した。得られた結果を〔表２〕に示す。

【００７４】比較例４ 実施例１のアジリジン系架橋剤〔日本触媒化学工業
（株）製、ケミタイトＰＺ−３３〕の添加量を７重量部
とした以外はすべて実施例１と同様の方法で半導体ウエ
ハ裏面研削用粘着フィルムを作製した。得られた粘着フ
ィルムを用いて、実施例１と同様にして半導体ウエハの
裏面研削及び該ウエハのダイシングを行って半導体チッ
プを製造した。得られた粘着フィルムの各種特性、およ
び、得られたチップ表面の汚染状況等を実施例１と同様
にして評価した。得られた結果を〔表２〕に示す。

【００７５】

【表２】

【００７６】

【発明の効果】本発明は、水溶性コモノマーを共重合さ
せた粘着剤ポリマーを架橋剤により架橋した粘着剤層を
持つことを特徴とする半導体ウエハ裏面研削用粘着フィ
ルム及びそれを用いる半導体ウエハの加工方法である。
本発明によれば、半導体ウエハおよび得られたチップの
表面を汚染することなく、裏面研削、ダイシング等の半
導体ウエハの加工を行うことができる。もし粘着フィル
ムの粘着剤層に起因する僅かな汚染が生じたとしても、
ダイシング時の冷却水との接触で簡単に除去できる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/304 ３２１ Ｈ０１Ｌ 21/304 ３２１Ｂ (72)発明者 片岡 真 愛知県名古屋市南区丹後通２丁目１番地 三井東圧化学株式会社内 (72)発明者 山森 毬男 愛知県名古屋市南区丹後通２丁目１番地 三井東圧化学株式会社内 (72)発明者 藤井 靖子 愛知県名古屋市南区丹後通２丁目１番地 三井東圧化学株式会社内

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基材フィルムの片表面に、主モノマー
   （ａ）６７〜９８．９重量部、架橋剤と反応し得る官能
   基を有するコモノマー（ｂ）１〜３０重量部及び一般式
   （１）〔化１〕 【化１】 （式中、Ｒ₁：水素、炭素数が１〜２５のアルキル基ま
   たは炭素数が６〜２５のアルケニル基、Ｒ₂：炭素数が
   ２〜５のアルケニル基、Ｒ₃：水素または炭素数が２〜
   ５のアルケニル基、Ｒ₄：炭素数が２〜５のアルキレン
   基、ｎ：１〜１００の整数、Ｍ：ＮＨ₄ ⁺、Ｎａ⁺または
   Ｋ⁺）で表される水溶性コモノマー（ｃ）０．１〜３重
   量部を含むモノマー混合物を共重合させた粘着剤ポリマ
   ー１００重量部に対し、粘着剤ポリマーの官能基と架橋
   し得る官能基を１分子中に２つ以上有する架橋剤０．３
   〜１５重量部を含む粘着剤層が設けられていることを特
   徴とする半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルム。
2. 【請求項２】 主モノマー（ａ）が、アクリル酸アルキ
   ルエステル及びメタクリル酸アルキルエステルからなる
   群から選ばれた少なくとも１種の化合物であることを特
   徴とする請求項１記載の半導体ウエハ裏面研削用粘着フ
   ィルム。
3. 【請求項３】 コモノマー（ｂ）の官能基が、水酸基、
   カルボキシル基及びアミノ基からなる群から選ばれた少
   なくとも１種の官能基であることを特徴とする請求項１
   記載の半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルム。
4. 【請求項４】 一般式（１）〔化１〕におけるＲ₁が炭
   素数８〜１０のアルキル基、Ｒ₂が１−プロペニル基、
   Ｒ₃が水素、Ｒ₄がエチレン基であり、ｎが３〜３０、且
   つ、Ｍがアンモニウムイオンであることを特徴とする請
   求項１記載の半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルム。
5. 【請求項５】 粘着剤ポリマーが、乳化共重合されたコ
   ポリマーであることを特徴とする請求項１記載の半導体
   ウエハ裏面研削用粘着フィルム。
6. 【請求項６】 乳化共重合が、分子内にカルボキシル基
   を有するアゾ化合物の存在下における反応であることを
   特徴とする請求項５記載の半導体ウエハ裏面研削用粘着
   フィルム。
7. 【請求項７】 架橋剤が、エポキシ系、イソシアネート
   系、アジリジン系及びメラミン系の各化合物からなる群
   から選ばれた少なくとも１種の化合物であることを特徴
   とする請求項１記載の半導体ウエハ裏面研削用粘着フィ
   ルム。
8. 【請求項８】 半導体ウエハの表面に粘着フィルムを貼
   着して該ウエハの裏面を研削し、研削終了後に粘着フィ
   ルムを剥離し、更に該ウエハをダイシングする半導体ウ
   エハの加工方法であって、該粘着フィルムが、基材フィ
   ルムの片表面に、主モノマー（ａ）６７〜９８．９重量
   部、架橋剤と反応し得る官能基を有するコモノマー
   （ｂ）１〜３０重量部及び一般式（１）〔化２〕 【化２】 （式中、Ｒ₁：水素、炭素数が１〜２５のアルキル基ま
   たは炭素数が６〜２５のアルケニル基、Ｒ₂：炭素数が
   ２〜５のアルケニル基、Ｒ₃：水素または炭素数が２〜
   ５のアルケニル基、Ｒ₄：炭素数が２〜５のアルキレン
   基、ｎ：１〜１００の整数、Ｍ：ＮＨ₄ ⁺、Ｎａ⁺または
   Ｋ⁺）で表される水溶性コモノマー（ｃ）０．１〜３重
   量部を含むモノマー混合物を共重合させた粘着剤ポリマ
   ー１００重量部に対し、粘着剤ポリマーの官能基と架橋
   し得る官能基を１分子中に２つ以上有する架橋剤０．３
   〜１５重量部を含む粘着剤層を有し、且つ、該ウエハ表
   面に水をかけながらダイシングすることを特徴とする半
   導体ウエハの加工方法。
9. 【請求項９】 主モノマー（ａ）が、アクリル酸アルキ
   ルエステル及びメタクリル酸アルキルエステルなる群か
   ら選ばれた少なくとも１種の化合物であることを特徴と
   する請求項８記載の半導体ウエハの加工方法。
10. 【請求項１０】 コモノマー（ｂ）の官能基が、水酸
    基、カルボキシル基及びアミノ基からなる群から選ばれ
    た少なくとも１種の官能基であることを特徴とする請求
    項８記載の半導体ウエハの加工方法。
11. 【請求項１１】 一般式（１）〔化２〕におけるＲ₁が
    炭素数８〜１０のアルキル基、Ｒ₂が１−プロペニル
    基、Ｒ₃が水素、Ｒ₄がエチレン基であり、ｎが３〜３
    ０、且つ、Ｍがアンモニウムイオンであることを特徴と
    する請求項８記載の半導体ウエハの加工方法。
12. 【請求項１２】 粘着剤ポリマーが、乳化共重合された
    コポリマーであることを特徴とする請求項８記載の半導
    体ウエハの加工方法。
13. 【請求項１３】 乳化共重合が、分子内にカルボキシル
    基を有するアゾ化合物の存在下における反応であること
    を特徴とする請求項１２記載の半導体ウエハの加工方
    法。
14. 【請求項１４】 架橋剤が、エポキシ系、イソシアネー
    ト系、アジリジン系及びメラミン系の各化合物からなる
    群から選ばれた少なくとも１種の化合物であることを特
    徴とする請求項８記載の半導体ウエハの加工方法。
15. 【請求項１５】 粘着フィルムを剥離した後、専用の洗
    浄工程を経ずにダイシング工程に移行することを特徴と
    する請求項８〜１４のいずれかに記載の半導体ウエハの
    加工方法。