JPH02296350A - 半導体ウェハ加工用シート - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、基材と、粘着剤層とを備える半導体ウェハ加
工用シートに関する。

〈従来の技術〉 従来、半導体ウェハを、貼着し、ダイシング、エキスパ
ンディング等を行い、次いで該半導体ウェハをピックア
ップすると同時にマウントする際に用いる半導体ウェハ
加工用シートは、光又は放射線透過性を有する基材上に
、光又は放射線により硬化する粘着剤層が塗布されてい
る。具体的には例えば、特開昭６０−１９６９５６号公
転又は特開昭６０−２２３１３９号公報には、粘着剤層
を構成する光重合性化合物として、トリメチロールプロ
パントリアクリレ−１−、ペンタエリスリトールトリア
クリレ−１−、ポリエチレングリコールジアクリレート
、オリゴエステルアクリレ−１〜等の分子内に光重合性
炭素−炭素二重結合を少なくとも２個以上有するアクリ
ル樹脂系化合物を用いることが提案されており、また特
開昭６２−１５３３７６号公報には、分子量３０００〜
１００００のウレタンアクリレート系オリゴマーを用い
ることが開示されている。

しかしながら、前記各々の化合物を用いた粘着剤層では
、特定の半導体ウェハに対して、所望の効果を期待する
ことはできるが、現在半導体業界で使用されている多種
多様の半導体ウェハ全てに対して同様な効果が得られる
とは限らないのが実状である。特に回路の裏面への蒸着
に使用される金属が異なれば、粘着剤層の剥離が安定に
行なわれず１．半“導体ウェハをピックアップするのが
困難であるという欠点が生じる。更に、予め粘着剤層に
粘着した半導体ウェハは、直ちにダイシングを行うとは
限らず、例えばダイシングを行う迄に蛍光灯等の光源に
曝露されると、光又は放射線照射後粘着力の低下が十分
でなく、半導体ウェハのピックアップが安定的にできな
いという欠点がある。

〈発明が解決しようとする課題〉 本発明の目的は、多種多様の半導体ウェハに対して、優
れた接着力を有し、且つ、放射線及び／又は紫外線を照
射後、接着力が低下するので剥離が容易であり、しかも
粘着剤層が基材上に残存することが少ない半導体ウェハ
加工用シートを提供することにある。

〈課題を解決するための手段〉 本発明によれば紫外線及び／又は放射線に対し透過性を
有する基材と、紫外線及び／又は放射線により重合硬化
反応する粘着剤層とを備えるシートであって、該粘着剤
層がベースポリマーとポリエンポリチオール系オリゴマ
ーとを含有することを特徴とする半導体ウェハ加工用シ
ートが提供される。

以下本発明を更に詳細に説明する。

本発明の半導体ウェハ加工用シー１〜は、特定の基材と
粘着剤層とを備え、該粘着剤層かベースポリマーとポリ
エンポリチオール系オリゴマーとを含有することを特徴
とする。

本発明において用いる基材は、紫外線及び／又は放射線
に対し透過性を有しておれば特に限定されるものではな
く、例えばポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレー
１〜、ポリエチレン、ポリプロピレン、ＥＶＡフィルム
等のプラスチックフィルム等を挙げることができる。該
基材の厚さは、通常２５〜２００μｍ程度が好ましいが
特に該範囲に限定されるものではない。

本発明において、前記基材上に設けられる粘着剤層は、
紫外線及び／又は放射線により重合硬化反応を起こし、
且つベースポリマーとボリエンポリチオール系オリゴマ
ーとを含有しておれば良い。

該粘着剤層は、半導体ウェハを接着後、紫外線又は放射
線を照射することにより重合反応して、硬化し、塑性流
動性が低下するので、剥離が容易となると思われる。

前記ベースポリマーとしては、例えば天然又は合成ゴム
等のポリマー或いは（メタ）アクリル酸又はそのエステ
ル、（メタ）アクリル酸又はそのエステルと共重合可能
な不飽和単量体等を重合させてなるアクリル系ポリマー
等を好ましく挙げることができる。また前記ポリエンポ
リチオール系オリゴマーは、ポリエンと、多価チオール
とを含み、該多価チオールがポリエンのエチレン性二重
結合に付加反応したものであり、また分子内にアクリロ
イル基を有さず、硬化反応する際に酸素障害が殆どなく
、しかも硬化物自身が耐汚染性に優れ、−射的に接着性
に劣るオリゴマーである。具体的には、ポリエンとして
は例えばシアクロレインペンタエリスリトール、トリレ
ンジイソシアネー１〜のトリメチロールプロパンジアリ
ルエーテル付加物、不飽和アリルウレタンオリゴマー等
を挙げることができ、また多価チオールとしては、ペン
タエリスリＩ〜−ルのメルカプ１ヘプロピオン酸又はメ
ルカプ１〜酢酸のエステル等を好ましく挙げることがで
きる他、市販のポリエンポリチオール系オリゴマーを用
いることもできる。前記ポリチオール系オリゴマーを調
製するには、前記ポリエンと多価チオールとを混合すれ
ばよい。ポリエンポリチオール系オリゴマーの分子量は
、前記基材上に設置でき、且つ、紫外線及び／又は放射
線により硬化した際に、接着力が低下し、半導体ウェハ
のピックアップを容易に行うことができれば良く、好ま
しくは分子量３００００未満である。分子量が３０００
０以上の場合には、粘度が高くなり、作業性が劣り、硬
化させた際の接着力の低下が十分でないので好ましくな
い。

前記ポリエンポリチオール系オリゴマーと、ベースポリ
マーとの配合割合は、ポリエンポリチオール系オリゴマ
ーを５〜９５重量％、特に２ｏ〜８０重量％、ベースポ
リマーを９５〜５重量％、特に８０〜２０重量％の範囲
であるのが好ましい。

この際ポリエンポリチオール系オリゴマーの配合割合が
５重量％未満の場合には、紫外線及び／又は放射線照射
後の接着力の低下が不十分であり、９５重量％を超える
場合には、紫外線及び／又は放射線照射前の粘着力が低
下し、粘着剤層とならないので好ましくない。また前記
粘着剤層の厚さは、特に限定されるものではないが、５
〜３５μｍ程度であるのが好ましい。

本発明では、特に半導体ウェハに本発明の半導体ウェハ
加工用シートを貼着後、直ちにダイシング処理等を行な
わない場合、蛍光灯等の光源に曝露されても、紫外線及
び／又は放射線照射後、十分な接着力の低下を得るため
に、前記基材及び／又は粘着剤層に紫外線吸収剤を含有
させることもできる。該紫外線吸収剤としては、例えば
レゾルシールモノベンゾエート、２−ヒドロキシ−４＝
メトキシベンゾフエノン、ビス（ジ−ｎ−ブチルジチオ
カルバメート）等を好ましく挙げることができ、使用に
際しては、単独若しくは混合物として用いることができ
る。紫外線吸収剤を使用する場合の含有割合は、ペース
ポリマー又は基材１００重量部に対して、Ｏ，Ｏ，００
１〜５重量部の範囲が好ましい。前記含有割合が０．０
００１重量部未満の場合には、蛍光灯等の光源による紫
外線を防ぐことができず、また５重量部を超える場合に
は、紫外線又は放射線を照射した際の接着力の低下率が
劣るので好ましくない。この際紫外線吸収剤を基材に含
有させるには、例えば基材を成形する前の溶融した基材
成分に練り込みＴダイス等を用いてフィルム化する方法
等により行うことができ、また粘着剤層に含有させるに
は、前記ベースポリマー及びポリエンポリチオール系オ
リゴマーを含む成分中に混合撹拌すれば良い。

本発明において、前記粘着剤層を、前記基材上に形成し
、半導体ウェハ加工用シートを製造するには、粘着剤層
を構成する成分を塗布又は散布等により基材上に布着さ
せ、例えば８０〜１００″Ｃ５１〜１０分間程度加熱処
理等を行って乾燥させることによって得ることができる
。

＝７ 本発明の半導体ウェハ加工用シートを使用するには、公
知の方法で用いることができ、例えば半導体ウェハ加工
用シートに半導体ウェハを貼り付けて固定した後、回転
丸刃で半導体ウェハを素子小片に切断する。その後、前
記加工用シー１−の基材側から紫外線及び／又は放射線
を照射し、次いで素子小片をニードル等で突き上げると
共にエアピンセット等で吸着する方法等によりピックア
ップすると同時にマウントすれば良い。

〈発明の効果〉 本発明の半導体ウェハ加工用シートは粘着剤層にポリエ
ンポリチオール系オリゴマーを含有するので、多種多様
の半導体ウェハに対して十分な接着力を有し、紫外線及
び／又は放射線照射後に、・ピックアップ等を行う際の
最適値まで接着力を低下させることができ、しかも基材
面上に、はとんど粘着剤層を残すことなくピックアップ
することができる。また本発明では、紫外線吸収剤を用
いることによって、蛍光灯等の光源に曝露されても、紫
外線及び／又は放射線照射後の接着力の低下を十分に得
ることができる。

〈実施例〉 以下本発明を実施例及び比較例により、更に詳細に説明
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

実施例１ アクリル酸ブチル１００重量部及びアクリル酸５重量部
を共重合して得られる重量平均分子量５０万の共重合体
１００重量部と、ポリエンポリチオールオリゴマー（旭
電化製：商品名「アデカオプトマーＢＹ−３００ＢＪ　
）５０重量部とを配合した粘着剤層となる樹脂を、剥離
処理した厚さ３８μのポリエステルフィルムに、１５μ
の厚さになるようにコーティングし、９０℃３分間乾燥
した。

その後基材となる８０μのポリエチレンフィルムでラミ
ネートし、半導体加工用シートを作製した。

得られたシートを、裏面の蒸着金属表面が化学的に経時
変化のない通常のシリコンウェハと、経時変化したシリ
コンウェハとのそれぞれに粘着して５回転丸刃を用いて
切断する半導体ウェハと、ＪＩＳ　　Ｚ−０２３７に準
じて粘着力を測定するためのサンプルとを作製した。切
断加工した半導体ウェハ及び粘着力測定用サンプルそれ
ぞれに基材面より１５ａｎの距離から８０Ｗ／■の高圧
水銀ランプを用いて３０秒間照射を行い、粘着剤層を硬
化させた。その後室温まで冷却し切断加工した半導体ウ
ェハは、チップをニードルで１個ずつ突き上げエアピン
セットで吸着する方式でピックアップ適正を確認し、ま
た粘着力はＪＩＳＺＯ２３７に準じて測定した。以上の
結果を表１に示す。

度較潰ユ 実施例１で用いたポリエンポリチオールオリゴマーの代
わりにトリメチロールプロパントリアクリレート（日本
化薬製、商品名＝　「カラヤドＴＭＰＴＡＪ）５０部及
び光開始剤としてベンゾフェノン２部を用いた以外は実
施例１と同様の方法で半導体ウェハとサンプルとを作製
し各測定を行った。

その結果を表１に示す。また得られた半導体ウェハを４
．ＯＷ蛍光灯２灯により３００ルクスの照度を基材側か
ら、連続２４０時間照射した後、ＪＩＳ　　Ｚ−０２３
７に準じて照射前後の粘着力を測定した。その結果を表
２に示す。

失嵐災久 実施例１の粘着剤層となる樹脂に、ベンゾトリアゾール
系紫外線吸収剤（チバ・ガイギー社製、商品名［チヌビ
ンＰＪ）１重量部を添加する以外は、実施例１と同様に
サンプルを作製し、比較例１と同様の蛍光灯曝露条件下
に置き、その後ＪＩＳ　　Ｚ−０２３７に準じて紫外線
照射前後の粘着力を測定した。その結果を表２に示す。

失巖叢主 実施例１において基材となるポリエチレンフィルムに、
ポリエチレン樹脂１００重量部に対し。

紫外線吸収剤（チバガイギー（株）、商品名「チヌビン
Ｄ」）０゜２重量部を配合した以外は、実施例１と同様
にサンプルを得、比較例１と同様の蛍光灯曝露下に置き
、その後紫外線照射前後の粘着力を測定した。その結果
を表２に示す。

表２　蛍光灯曝露下の安定性

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）紫外線及び／又は放射線に対し透過性を有する基材
   と、紫外線及び／又は放射線により重合硬化反応する粘
   着剤層とを備えるシートであって、該粘着剤層がベース
   ポリマーとポリエンポリチオール系オリゴマーとを含有
   することを特徴とする半導体ウェハ加工用シート。 ２）前記基材及び／又は粘着剤層が、紫外線吸収剤を含
   むことを特徴とする請求項１記載の半導体ウェハ加工用
   シート。