KR20190017158A - Uv경화 후 내수성 웨이퍼 비점착 특성을 가지는 반도체 웨이퍼 공정용 고분자량 아크릴 점착제 조성물 및 그 제조방법 - Google Patents

Uv경화 후 내수성 웨이퍼 비점착 특성을 가지는 반도체 웨이퍼 공정용 고분자량 아크릴 점착제 조성물 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 UV경화 후 웨이퍼 비점착 특성을 가지는 반도체 웨이퍼 공정용 고분자량 아크릴 점착제 조성물 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 공중합 가능한 아크릴 모노머, 하이드록시 아크릴 모노머 및 다관능기를 가지는 알리파틱 아크릴레이트 올리고머를 공중합시켜 고분자량의 아크릴 수지를 제조하여 UV 조사 전에는 올리고머의 점성에 의해 표면의 택성을 높여주고, UV조사 후에는 올리고머들이 경화되어 택성과 점착력을 감소시킴과 동시에 UV조사 중에 발생하는 열에 대해서 열적 안정성을 부여하여 웨이퍼면의 전사문제를 개선하며, 올리고머의 알리파틱적 특성과 다관능기의 특성으로 내수성 및 탄성력을 향상시키도록 한 UV경화 후 웨이퍼 비점착 특성을 가지는 반도체 웨이퍼 공정용 고분자량 아크릴 점착제 조성물 및 그 제조방법에 관한 것이다.

Description

UV경화 후 웨이퍼 비점착 특성을 가지는 반도체 웨이퍼 공정용 고분자량 아크릴 점착제 조성물 및 그 제조방법{HIGH MOLECULAR WEIGHT ACRYLIC PRESSURE SENSITIVE ADHESIVE COMPOSITION FOR SEMICONDUCTOR WAFERS HAVING NON-ADHESIVE PROPERTY AFTER UV CURING}
본 발명은 UV경화 후 웨이퍼 비점착 특성을 가지는 반도체 웨이퍼 공정용 고분자량 아크릴 점착제 조성물 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 공중합 가능한 아크릴 모노머, 하이드록시 아크릴 모노머 및 다관능기를 가지는 알리파틱 아크릴레이트 올리고머를 공중합시켜 고분자량의 아크릴 수지를 제조하여 UV 조사 전에는 올리고머의 점성에 의해 표면의 택성을 높여주고, UV조사 후에는 올리고머들이 경화되어 택성과 점착력을 감소시킴과 동시에 UV조사 중에 발생하는 열에 대해서 열적 안정성을 부여하여 웨이퍼면의 전사문제를 개선하며, 올리고머의 알리파틱적 특성과 다관능기의 특성으로 내수성 및 탄성력을 향상시키도록 한 UV경화 후 웨이퍼 비점착 특성을 가지는 반도체 웨이퍼 공정용 고분자량 아크릴 점착제 조성물 및 그 제조방법에 관한 것이다.
반도체 제조공정에서 회로가 설계된 웨이퍼는 큰 직경을 갖는 크기에서 다이싱을 통해 작은 칩들로 분리되고, 분리된 각 칩들은 PCB 기판이나 리드프레임 기판 등의 지지부재에 접착공정을 통해 다이본딩 되는 단계적 공정을 거친다.
이때, 다이싱 공정에서 다이싱 필름을 웨이퍼 이면에 부착하여 다이싱 시에 칩이 비산하거나 움직이는 것을 방지해왔다. 다이싱 필름을 사용하지 않으면 고속으로 회전하는 블레이드에 의해 칩이 비산하거나 움직여 칩에 크랙이 발생할 수 있고 손상을 입게 된다.
따라서, 적절한 점착력을 가진 다이싱 필름을 사용하여 칩의 개별화공정을 용이하게 하는데, 다이싱 필름이 자외선 경화형 조성물인 경우에는 다이싱 완료 후, 후면에 자외선을 조사하여 조성물을 경화시킴으로써 웨이퍼와의 계면 박리력을 낮추어 개별화된 칩 웨이퍼의 픽업(Pick-up) 공정을 용이하게 하고 있다.
상기와 같은 다이싱 필름에 사용되는 점착제로는 일본공개특허 60-196,956호 및 일본공개특허 60-223,139호에 기재면에 광조사로 3차원 망상화할 수 있는, 분자내에 광중합성 탄소-탄소 2중 결합을 적어도 2종 이상 갖는 저분자량 화합물로부터 이루어지는 점착제를 도포한 점착시트가 공지되어 있으며, 상기 점착시트는 방사선 투과성의 기재상에 방사선 경화성 점착제를 도포한 점착테프의 점착제 중에 포함된 방사선 경화성 화합물을 방사선 조사에 의해 경화시키고, 점착제에 3차원 망상화 구조를 부여하여 그 유동성을 현저하게 저하시키는 원리에 기초를 두고 있다.
그러나, 상기 점착제는 경화 반응에 의해 점착제층의 고무 탄성이 소실되는 경우가 많고, 점착시트의 확장시 충분한 확장을 얻을 수가 없으며, 이로 인해 웨이퍼 칩의 간격을 충분히 넓힐 수 없고, 칩의 간격이 불균일해지며, 픽업공정에서 오동작을 일으키는 원인이 되는 등의 문제점이 있다.
또한, 일본공개특허 5-214,298호에는 고무 탄성을 유지하기 위해 비교 적 저분자량의 비닐에테르 화합물을 첨가하고, 또한 방사선 경화성을 부여하기 위해 비교적 저분자량의 불포화올리고머를 첨가하여 이루어지는 점착제층을 구비한 점착시트가 공지되어 있다.
또한, 일본공개특허 6-49,420호에는 다관능 우레탄아크릴레이트계 올리고머와 폴리에스테르 화합물 등의 가소제를 첨가하여 이루어지는 점착제층을 구비한 점착시트가 개시되어 있다.
그러나, 이들 점착제에는 저분자량 성분이나 가소제의 첨가량이 과다하면 초기접착력이 저하되고, 관련된 저분자량 성분이나 가소제가 반도체 웨이퍼 및/또는 칩의 이면에 잔류하는 문제점이 있고, 또한 저분자량 성분이나 가소제의 첨가량이 너무 적으면 방사선을 조사해도 접착력이 충분하게 저하되지 않거나 또는 고무 탄성을 얻을 수 없는 등의 문제점이 있으며, 이로 인해 방사선의 조사 전후에 점착특성을 조절하는 것이 어려운 문제점이 있다.
또한, 한국등록특허 10-0427023(2004년04월01일)에는 에너지선의 조사 전에는 충분한 감압접착성과 초기접착성을 가지며, 조사 후에는 고무탄성을 유지하면서 접착력이 격감하고, 다이싱후의 확장공정에 있어서 칩 정렬성이 우수한 점착제조성물 및 그와 같은 점착제조성물을 이용한 점착시트, 특히 웨이퍼가공용 또는 표면 보호용 점착시트를 제공하기 위하여 아크릴계 공중합체 (A)와, 에너지선 중합성 우레탄아크릴레이트올리고머 (B)와, 분자내에 1개의 아크릴로일기 또는 메타아크릴로일기를 갖는 에너지선 중합성화합물 (C)로부터 얻어지는 것을 특징으로 하는 점착제조성물 및 이를 이용하는 점착시트가 공지되어 있다.
또한, 한국등록특허 10-0323949(2002년01월28일)에는 주성분으로서, 자외선 경화형 아크릴계 점착제 20-70 중량부와 자외선 중합성 화합물을 30-80중량부를 포함하고, 선택적으로, 부착력 증진제로서, 히드록시기를 포함하는 아크릴계 단량체 5 내지 20 중량부, 광중합개시제로서, 벤조일 화합물, 아세토 페논화합물, 퍼옥사이드 화합물, 아민 및 퀴논 중 선택되는 1종 또는 2종 이상의 혼합물 0.1 내지 7 중량부, 경화제로서, 이소시아네이트계 가교제, 메틸올계 가교제 및 에폭시계 가교제 중 1종 또는 2종 이상의 혼합물 4 내지 15 중량부, 그리고 중합방지제를 0.01 내지 1.0중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 자외선 경화성 점착제 조성물이 공지된 바 있다.
또한, 한국등록특허 10-1138793(2012년04월16일)에는 광경화성 점착 조성물 및 이를 포함하는 다이싱 다이본딩 필름에 관한 것으로, 자외선 경화 후 충분한 점착력의 감소를 위하여, 비닐기를 포함하는 아크릴계 점착 바인더 100 중량부 대비, 하이드록실기 및 비닐기를 포함하는 UV 경화형 아크릴레이트 3 내지 50 중량부, 열경화제 0.5 내지 5 중량부 및 광중합 개시제 0.1 내지 3중량부를 포함하는 광경화성 점착 조성물을 이용하여 다이싱 필름 또는 다이싱 다이본딩 필름을 형성함으로써, 픽업 특성을 향상시킬 수 있도록 하는 광경화성 점착 조성물 및 이를 포함하는 다이싱 다이본딩 필름이 공지되어 있다.
그러나, 상기 한국등록특허 10-0427023, 한국등록특허 10-0323949 및 한국등록특허 10-1138793(2012년04월16일)의 점착제 및 점착시트는 저분자량의 아크릴계 공중합체를 사용함에 따라 여전히 경화 반응에 의해 점착제층의 고무 탄성을 얻을 수 없는 문제점이 있고, 저분자량 성분이반도체 웨이퍼 이면에 잔류하여 오염되는 문제점이 있었다.
따라서 본 발명자들은 상기 문제점을 해결하기 위하여 연구한 결과, 공중합 가능한 아크릴 모노머, 하이드록시 아크릴 모노머 및 다관능기를 가지는 알리파틱 아크릴레이트 올리고머를 공중합시켜 고분자량의 아크릴 수지를 제조하여 UV 조사 전에는 올리고머의 점성에 의해 표면의 택성을 높여주고, UV조사 후에는 올리고머들이 경화되어 택성과 점착력을 감소시킴과 동시에 UV조사 중에 발생하는 열에 대해서 열적 안정성을 부여하여 웨이퍼면의 전사문제를 개선하며, 올리고머의 알리파틱적 특성과 다관능기의 특성으로 내수성 및 탄성력을 향상시키도록 한 UV경화 후 웨이퍼 비점착 특성을 가지는 반도체 웨이퍼 공정용 고분자량 아크릴 점착제 조성물을 제조하고 본 발명을 완성하게 되었다.
[특허문헌 1] 일본공개특허 60-196,956호 [특허문헌 2] 일본공개특허 60-223,139호 [특허문헌 3] 일본공개특허 05-214,298호 [특허문헌 4] 일본공개특허 06-049,420호 [특허문헌 5] 한국등록특허 10-0427023호 [특허문헌 6] 한국등록특허 10-0323949호 [특허문헌 7] 한국등록특허 10-1138793호
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여, 공중합 가능한 아크릴 모노머, 하이드록시 아크릴 모노머 및 다관능기를 가지는 알리파틱 아크릴레이트 올리고머를 공중합시켜 고분자량의 아크릴 수지를 제조하여 UV 조사 전에는 올리고머의 점성에 의해 표면의 택성을 높여주고, UV조사 후에는 올리고머들이 경화되어 택성과 점착력을 감소시킴과 동시에 UV조사 중에 발생하는 열에 대해서 열적 안정성을 부여하여 웨이퍼면의 전사문제를 개선하며, 올리고머의 알리파틱적 특성과 다관능기의 특성으로 내수성 및 탄성력을 향상시키도록 한 UV경화 후 웨이퍼 비점착 특성을 가지는 반도체 웨이퍼 공정용 고분자량 아크릴 점착제 조성물을 제공하는 것을 해결하고자 하는 과제로 한다.
본 발명은 상기 과제의 해결을 위하여, 공중합 가능한 아크릴 모노머, 하이드록시 아크릴 모노머 및 다관능기를 가지는 알리파틱 아크릴레이트 올리고머를 혼합, 공중합시킨 공중합체를 포함하여 조성되는 UV경화 후 웨이퍼 비점착 특성을 가지는 반도체 웨이퍼 공정용 고분자량 아크릴 점착제조성물을 과제의 해결수단으로 한다.
상기 공중합 가능한 아크릴 모노머는 2-에틸헥실아크릴레이트(2-EHA) 및 메틸아크릴레이트(MA)인 것을 과제의 해결수단으로 한다.
상기 하이드록시 아크릴 모노머는 2-하이드록시에틸아크릴레이트(2-HEA)인 것을 과제의 해결수단으로 한다.
상기 다관능기를 가지는 알리파틱 아크릴레이트 올리고머는 디페닐펜타에리스리톨헥사아크릴레이트(DPHA)인 것을 과제의 해결수단으로 한다.
상기 UV경화 후 웨이퍼 비점착 특성을 가지는 반도체 웨이퍼 공정용 고분자량 아크릴 점착제 조성물의 중량평균분자량은 130만인 것을 과제의 해결수단으로 한다.
본 발명의 UV경화 후 웨이퍼 비점착 특성을 가지는 반도체 웨이퍼 공정용 고분자량 아크릴 점착제 조성물은 공중합 가능한 아크릴 모노머, 하이드록시 아크릴 모노머 및 다관능기를 가지는 알리파틱 아크릴레이트 올리고머를 공중합시켜 고분자량의 아크릴 수지를 제조하여 UV 조사 전에는 올리고머의 점성에 의해 표면의 택성을 높여주고, UV조사 후에는 올리고머들이 경화되어 택성과 점착력을 감소시킴과 동시에 UV조사 중에 발생하는 열에 대해서 열적 안정성을 부여하여 웨이퍼면의 전사문제를 개선하며, 올리고머의 알리파틱적 특성과 다관능기의 특성으로 내수성 및 탄성력을 향상시키도록 한 우수한 효과가 있다.
본 발명은, 공중합 가능한 아크릴 모노머, 하이드록시 아크릴 모노머 및 다관능기를 가지는 알리파틱 아크릴레이트 올리고머를 혼합, 공중합시킨 공중합체를 포함하여 조성되는 UV경화 후 웨이퍼 비점착 특성을 가지는 반도체 웨이퍼 공정용 고분자량 아크릴 점착제 조성물을 기술구성의 특징으로 한다.
상기 공중합 가능한 아크릴 모노머는 2-에틸헥실아크릴레이트(2-EHA) 및 메틸아크릴레이트(MA)인 것을 기술구성의 특징으로 한다.
상기 하이드록시 아크릴 모노머는 2-하이드록시에틸아크릴레이트(2-HEA)인 것을 기술구성의 특징으로 한다.
상기 다관능기를 가지는 알리파틱 아크릴레이트 올리고머는 디페닐펜타에리스리톨헥사아크릴레이트(DPHA)인 것을 기술구성의 특징으로 한다.
상기 UV경화 후 웨이퍼 비점착 특성을 가지는 반도체 웨이퍼 공정용 고분자량 아크릴 점착제 조성물의 중량평균분자량은 130만인 것을.기술구성의 특징으로 한다.
이하에서는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 통하여 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구형될 수 있으며, 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
먼저, 본 발명의 UV경화 후 웨이퍼 비점착 특성을 가지는 반도체 웨이퍼 공정용 고분자량 아크릴 점착제 조성물은 공중합 가능한 아크릴 모노머, 하이드록시 아크릴 모노머 및 다관능기를 가지는 알리파틱 아크릴레이트 올리고머를 혼합, 공중합시킨 공중합체를 포함하여 조성된다.
여기서, 상기 공중합 가능한 아크릴 모노머는 필름에 점착력을 부여하는 기능을 하는데, 특별한 제한은 없으나, 2-에틸헥실아크릴레이트, 2-에틸헥실메타크릴레이트, 메틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, n-부틸아크릴레이트, iso-부틸아크릴레이트, 이소옥틸아크릴레이트 및 옥타데실메타크릴레이트로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으나, 2-에틸헥실메타크릴레이트(2-EHA) 및 메틸아크릴레이트(MA)를 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 하이드록시 아크릴 모노머로서 특별한 제한이 있는 것은 아니지만, 2-하이드록시에틸메타아크릴레이트, 2-하이드록시에틸아크릴레이트, 4-하이드록시부틸아크릴레이트, 하이드록시프로필(메타)아크릴레이트 및 비닐카프로락탐으로 이루어진 군으로부터 선택되며, 2-하이드록시에틸아크릴레이트(2-HEA)를 사용하는 것이 바람직하다.
이때, 상기 공중합 가능한 아크릴 모노머는 낮은 경화 밀도, linear 한 구조를 가지고 있어 상대적으로 더 좋은 유동성을 가지므로 기재에 대한 초기 택성을 향상시키고, 상기 하이드록시 아크릴 모노머는 속건성이고 경화성이 우수하므로 미경화로 인한 점착력 증가를 억제하게 된다.
또한, 본 발명의 UV경화 후 웨이퍼 비점착 특성을 가지는 반도체 웨이퍼 공정용 고분자량 아크릴 점착제 조성물은 중량평균분자량이 130만에서 가장 우수한 초기점착력 및 UV경화 후 가장 우수한 박리 점착력을 나타내게 된다..
뿐만 아니라, 본 발명의 UV경화 후 웨이퍼 비점착 특성을 가지는 반도체 웨이퍼 공정용 고분자량 아크릴 점착제 조성물은 다관능기를 가지는 알리파틱 아크릴레이트 올리고머를 혼합, 공중합시킨 것으로, 다관능기를 가지는 알리파틱 아크릴레이트 올리고머는 고분자량의 아크릴 수지를 제조할 수 있게 되며, UV 조사 전에는 올리고머의 점성에 의해 표면의 택성을 높여주고, UV조사 후에는 올리고머들이 경화되어 택성과 점착력을 감소시킴과 동시에 UV조사 중에 발생하는 열에 대해서 열적 안정성을 부여하여 웨이퍼면의 전사문제를 개선하며, 올리고머의 알리파틱적 특성과 다관능기의 특성으로 내수성 및 탄성력을 향상시키도록 하는 작용을 하게 된다.
본 발명에서 상기 다관능기를 가지는 알리파틱 아크릴레이트 올리고머는 디에틸렌 글리콜 디아크릴레이트, 에톡실화된 비스페놀 A 디아크릴레이트, 1,6 헥산디올 디아크릴레이트, 네오펜틸 글리콜 디아크릴레이트, 폴리에틸렌 글리콜 디아크릴레이트, 프로폭실화된 네오펜틸 글리콜 디아크릴레이트, 테트라에틸렌 글리콜 디아크릴레이트, 트리에틸렌 글리콜 디아크릴레이트, 트리프로필렌 글리콜 디아크릴레이트, 트리메틸롤프로판 트리아크릴레이트, 에톡실화된 트리메틸롤프로판 트리아크릴레이트, 프로폭실화된 글리세릴 트리아크릴레이트, 트리스(2-히드록시에틸)이소시아누레이트 트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라아크릴레이트, 디페닐펜타에리스리톨헥사아크릴레이트(DPHA)로부터 1종 이상 선택될 수 있으며, 이중 디페닐펜타에리스리톨헥사아크릴레이트(DPHA)가 가장 바람직하다.
질소 가스 도입관, 교반 장치, 온도계 및 콘트롤 장치, 비드컨덴서, 적하 깔대기, 맨틀등이 장착된 1리터의 4구 플라스크에 300 미리 리터 적하 깔대기를 장착하였다. 그리고 EAc, MA, 2-EHA, 2-HEA를 넣고 교반 후, 40oC로 승온 시켰다. 40oC 에서 개시제로서 아조비스이소부티로니트릴(2,2-Azobisisobutyronitrile(AIBN)을 투입시킨 뒤 온도를 더 승온 시켰다. 자체 발열 형성 시 냉각수를 통해 온도조절을 하여 끓어 넘치지 않도록 하고, 중합이 진행되어 점도가 증가하는 것을 확인하며 온도를 유지시켰다. 반응 8시간 후 가열을 중지하고 냉각시킨 뒤 톨루엔, 디페닐펜타에리스리톨헥사아크릴레이트(DPHA)를 넣어 점도와 NVM를 조정하여 본 발명의 UV경화 후 웨이퍼 비점착 특성을 가지는 반도체 웨이퍼 공정용 고분자량 아크릴 점착제 조성물을 수득하였다. 수득된 조성물의 중량평균분자량은 130만이었다.
[비교예 1]
질소 가스 도입관, 교반 장치, 온도계 및 콘트롤 장치, 비드컨덴서, 적하 깔대기, 맨틀등이 장착된 1리터의 4구 플라스크에 300 미리 리터 적하 깔대기를 장착하였다. 그리고 EAc, MA, 2-EHA, 2-HEA를 넣고 교반 후, 40oC로 승온 시켰다. 40oC 에서 개시제로서 아조비스이소부티로니트릴(2,2-Azobisisobutyronitrile(AIBN)을 투입시킨 뒤 온도를 더 승온 시켰다. 자체 발열 형성 시 냉각수를 통해 온도조절을 하여 끓어 넘치지 않도록 하고, 중합이 진행되어 점도가 증가하는 것을 확인하며 온도를 유지시켰다. 반응 8시간 후 가열을 중지하고 냉각시킨 뒤 톨루엔, 디페닐펜타에리스리톨헥사아크릴레이트(DPHA)를 넣어 점도와 NVM를 조정하여 본 발명의 UV경화 후 웨이퍼 비점착 특성을 가지는 반도체 웨이퍼 공정용 고분자량 아크릴 점착제 조성물을 수득하였다. 수득된 조성물의 중량평균분자량은 50만이었다.
[시편제작]
[실시예 1]과 [비교예 1]에서 수득한 아크릴 점착제 조성물을 다음 [표 1]에 나타난 바와 같이 코팅하여 시편을 제작하였다.
구분 조건


배합		 [실시예 1] 점착제 조성물 + 광개시제(IR-184=1-Hydroxy-cyclohexyl-phenyl-ketone) 1.0 phr

[비교예 1] 점착제 조성물 + 광개시제(IR-184=1-Hydroxy-cyclohexyl-phenyl-ketone) 1.0 phr
기재 50㎛ PET
도포두께 20㎛
건조 120 oC/2 min
숙성 60 oC/1 day
코팅방식 Direct
[점착제 조성물의 상온 점착력 측정 및 전사유무 측정]
점착제 조성물의 상온 점착력 및 전사유무를 다음 측정방법에 따라 측정하고 그 결과를 [표 2]에 나타내었다.
UV 조사 전 점착력 테스트 : [실시예 1] 및 [비교예 1]의 샘플을 각각 숙성 한 후 Glass에 부착 후 상온에서 20분 방치 후 180 o peel
UV 조사 전 점착력 테스트 : [실시예 1] 및 [비교예 1]의 샘플을 각각 숙성 한 후 Glass에 부착 후 상온에서 20분 방치 후, 300mj/cm2의 광량으로 UV 조사 한 뒤 180 o peel
전사 유무 테스트 : [실시예 1] 및 [비교예 1]의 샘플을 각각 숙성 한 후 Glass에 부착 후, 1시간 동안 상온 방치한 뒤 90o의 각도로 빠르게 박리하여 전사유무 확인
항목 결 과
실시예 1 비교예 1
점착력
(gf/inch)		 상온 1,500 2200(전사 발생)
UV 조사 후 10 10
전사 유무 상온 전사 없음 전사 발생
상기 [표 2]에 나타난 바와 같이, 본 발명의 UV경화 후 웨이퍼 비점착 특성을 가지는 반도체 웨이퍼 공정용 고분자량 아크릴 점착제 조성물은 고분자량으로서, 분자량이 낮은 [비교예 1] 보다, UV 조사 전에는 올리고머의 점성에 의해 표면의 택성이 높고, UV조사 후에는 올리고머들이 경화되어 택성과 점착력을 감소시킴과 동시에 웨이퍼면의 전사가 없는 우수한 효과가 있음을 알 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정, 변경 및 치환이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예는 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호범위는 아래의 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (5)

  1. 공중합 가능한 아크릴 모노머, 하이드록시 아크릴 모노머 및 다관능기를 가지는 알리파틱 아크릴레이트 올리고머를 혼합, 공중합시킨 공중합체를 포함하여 조성되는 것을 특징으로 하는 UV경화 후 웨이퍼 비점착 특성을 가지는 반도체 웨이퍼 공정용 고분자량 아크릴 점착제 조성물
  2. 제1항에 있어서,
    상기 공중합 가능한 아크릴 모노머는 2-에틸헥실아크릴레이트(2-EHA) 및 메틸아크릴레이트(MA)인 것을 특징으로 하는 UV경화 후 웨이퍼 비점착 특성을 가지는 반도체 웨이퍼 공정용 고분자량 아크릴 점착제 조성물
  3. 제1항에 있어서,
    상기 하이드록시 아크릴 모노머는 2-하이드록시에틸아크릴레이트(2-HEA)인 것을 특징으로 하는 UV경화 후 웨이퍼 비점착 특성을 가지는 반도체 웨이퍼 공정용 고분자량 아크릴 점착제 조성물
  4. 제1항에 있어서,
    상기 다관능기를 가지는 알리파틱 아크릴레이트 올리고머는 디페닐펜타에리스리톨헥사아크릴레이트(DPHA)인 것을 특징으로 하는 UV경화 후 웨이퍼 비점착 특성을 가지는 반도체 웨이퍼 공정용 고분자량 아크릴 점착제 조성물
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 UV경화 후 웨이퍼 비점착 특성을 가지는 반도체 웨이퍼 공정용 고분자량 아크릴 점착제 조성물의 중량평균분자량은 130만인 것을 특징으로 하는 UV경화 후 웨이퍼 비점착 특성을 가지는 반도체 웨이퍼 공정용 고분자량 아크릴 점착제 조성물
    .
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