DE112008003020T5 - Klebefolie für das Schneiden von Chips - Google Patents

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Takeshi Ibaraki Matsumura
Katsuhiko Ibaraki Kamiya
Shuuhei Ibaraki Murata
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Nitto Denko Corp
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Abstract

Haftklebefolie (10, 11) für das Schneiden von Chips, die eine Trennfolie mit einer Haftklebemittelschicht (2) auf einem Trägermaterial (1) und eine auf der Trennfolie ausgebildete Chiphaftschicht (3, 3') aufweist,
wobei
die Haftklebemittelschicht (2) ein Polymer enthält, das durch Additionsreaktion eines Acrylpolymers, das 10 bis 30 Mol-% eines Hydroxylgruppen enthaltenden Monomers enthält, mit 70 bis 90 Mol-%, und zwar auf das Hydroxylgruppen enthaltende Monomer bezogen, einer Isocyanatverbindung mit einer gegenüber Radikalen reaktiven Kohlenstoff-Kohlenstoff-Doppelbindung erhalten wird, und außerdem 2 bis 20 Gew.-Teile, und zwar auf 100 Gew.-Teile des Polymers bezogen, eines Vernetzungsmittels enthält, das zwei oder mehr funktionelle Gruppen mit einer Reaktiviät gegenüber der Hydroxylgruppe im Molekül aufweist, und
wobei die Chiphaftschicht ein Epoxidharz aufweist.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Klebefolie für das Schneiden bzw. Sägen (nachfolgend als Schneiden bezeichnet) von Chips, die zum Schneiden eines Werkstücks verwendet wird, wobei ein Klebemittel zum Fixieren eines plättchenförmigen Werkstücks (wie etwa eines Halbleiterchips) und eines Elektrodenteils auf dem Werkstück (wie etwa einem Halbleiter-Wafer) bereitgestellt wird, bevor das Schneiden erfolgt
  • ALLGEMEINER STAND DER TECHNIK
  • Ein Halbleiter-Wafer (Werkstück), in dem ein Schaltkreismuster gebildet ist, wird in Halbleiterchips (plättchenförmige Werkstücke) geschnitten (Schneideschritt), nachdem dessen Dicke durch Schleifen der Rückseite wie erforderlich eingestellt worden ist. Bei diesem Schneideschritt wird der Halbleiter-Wafer im allgemeinen bei einem geeigneten Flüssigkeitsdruck (normalerweise etwa 2 kg/cm2) gewaschen, um eine Abfallschicht zu entfernen. Der Halbleiterchip wird dann mit einem Klebemittel auf einer Klebefläche, wie etwa einem Leiterrahmen, fixiert (Befestigungsschritt) und dann zu einem Bonding- bzw. Verbindungsschritt (nachfolgend als Bonding bezeichnet) transportiert.
  • Beim Befestigungsschritt ist das Klebemittel auf dem Leiterrahmen oder dem Halbleiterchip aufgebracht. Bei diesem Verfahren ist es jedoch problematisch, die Klebemittelschicht gleichmäßig zu erzeugen, und es sind eine spezielle Vorrichtung und ein langer Zeitraum beim Aufbringen des Klebemittels erforderlich. Aus diesem Grund wird eine Klebefolie für das Schneiden von Chips vorgeschlagen, die den Halbleiter-Wafer beim Schneideschritt haftend festhält und auch eine Klebemittelschicht zum Fixieren der Chips bietet, die beim Befestigungsschritt erforderlich ist (siehe z. B. Patentdokument 1).
  • Die im Patentdokument 1 beschriebene Klebefolie für das Schneiden von Chips besteht aus einer Klebemittelschicht, die auf einem Trägermaterial ausgebildet ist, so daß sie abgelöst werden kann. Das heißt, die Klebefolie für das Schneiden von Chips wird so hergestellt, daß der Halbleiterchip, nachdem der Halbleiter-Wafer geschnitten worden ist, wobei er von der Klebemittelschicht festgehalten wird, zusammen mit der Klebemittelschicht abgelöst wird, indem das Trägermaterial gestreckt wird, die Halbleiterchips werden einzeln gewonnen und dann werden sie auf einer Klebefläche, wie einem Leiterrahmen, fixiert, wobei sich die Klebemittelschicht dazwischen befindet.
  • Bei einer Klebemittelschicht einer Klebefolie für das Schneiden von Chips dieses Typs sind eine gute Haltekraft gegenüber dem Halbleiter-Wafer und ein gutes Ablösevermögen erforderlich, damit nach dem Schneiden die Halbleiterchips und die Klebemittelschicht zusammen vom Träger abgelöst werden können, so daß es nicht zu einer Undurchführbarkeit des Schneidens, zu Maßfehlern oder dgl. kommt. Es war jedoch noch nie einfach, beide Eigenschaften auszugleichen. Besonders dann, wenn eine hohe Haltekraft in der Klebemittelschicht erforderlich ist, wie bei einem Verfahren zum Schneiden eines Halbleiter-Wafers mit einer rotierenden kreisförmigen Klinge oder dgl., ist es problematisch, eine Klebefolie für das Schneiden von Chips zu erhalten, die die vorstehend beschriebenen Eigenschaften erfüllt.
  • Zur Lösung dieser Probleme sind folglich verschiedene Verbesserungsverfahren vorgeschlagen worden (siehe z. B. Patentdokument 2). Im Patentdokument 2 wird ein Verfahren vorgeschlagen, bei dem eine Haftklebemittelschicht, die durch UV-Strahlen gehärtet werden kann, zwischen dem Trägermaterial und der Klebemittelschicht ange ordnet wird, womit die Haftkraft zwischen der Haftklebemittelschicht und der Klebemittelschicht verringert wird, wenn diese nach dem Schneiden mit UV-Strahlen gehärtet wird, und das Aufnehmen der Halbleiterchips erleichtert wird, indem beide Schichten abgelöst werden.
  • Es gibt jedoch den Fall, daß selbst durch dieses Modifizierungsverfahren nur schwer eine Klebefolie für das Schneiden von Chips erhalten werden kann, bei der die Haltekraft beim Schneiden und das Ablösevermögen nach dem Schneiden hervorragend ausgeglichen sind. Wenn z. B. ein großer Halbleiterchip mit den Abmessungen 10 mm × 10 mm oder mehr erhalten wird, ist es aufgrund seiner großen Fläche nicht einfach, den Halbleiterchip unter Verwendung eines üblichen Chip-Bonders aufzunehmen.
    • Patentdokument 1: JP-A 60-057 642
    • Patentdokument 2: JP-A 2-248 064
  • OFFENBARUNG DER ERFINDUNG
  • MIT DER ERFINDUNG ZU LÖSENDE PROBLEME
  • Die vorliegende Erfindung erfolgte angesichts der vorstehend aufgeführten Probleme, und eine ihrer Aufgaben besteht in der Bereitstellung einer Klebefolie für das Schneiden von Chips, die eine Haftklebemittelschicht auf einem Trägermaterial und eine auf der Haftklebemittelschicht ausgebildete Chiphaftschicht aufweist, bei der, selbst wenn der Halbleiter-Wafer dünn ist, die Haltekraft für den dünnen Halbleiter-Wafer beim Schneiden und das Ablösevermögen seiner Halbleiterchips, die durch das Schneiden erhalten werden, hervorragend ausgeglichen sind, wenn sie zusammen mit der Chiphaftschicht abgezogen werden.
  • MASSNAHMEN ZUR LÖSUNG DIESER PROBLEME
  • Die hier genannten Erfinder haben eine Klebefolie für das Schneiden von Chips intensiv untersucht, um die vorstehend beschriebenen Probleme zu lösen. Als Ergebnis haben sie festgestellt, daß der Zugelastizitätsmodul eingestellt wird, wenn die zuge gebene Menge eines in der Haftklebemittelschicht einer Trennfolie enthaltenen Vernetzungsmittels gesteuert wird, womit das Ablösevermögen beim Aufnehmen verbessert werden kann, während die Haltekraft beim Schneiden erhalten bleibt. Somit gelangten sie zur vorliegenden Erfindung.
  • Das heißt, um die vorstehend genannten Probleme zu lösen, betrifft die vorliegende Erfindung eine Klebefolie für das Schneiden von Chips, die eine Trennfolie mit einer Haftklebemittelschicht auf einem Trägermaterial und eine Chiphaftschicht bzw. eine Chipbondingschicht aufweist, die auf der Trennfolie ausgebildet ist, wobei die Haftklebemittelschicht ein Polymer enthält, das durch eine Additionsreaktion eines Acrylpolymers, das 10 bis 30 Mol-% eines Hydroxylgruppen enthaltenden Monomers enthält, mit 70 bis 90 Mol-%, und zwar auf das Hydroxylgruppen enthaltende Monomer bezogen, einer Isocyanatverbindung mit einer gegenüber Radikalen reaktiven Kohlenstoff-Kohlenstoff-Doppelbindung erhalten wird, und auch 2 bis 20 Gew.-Teile eines Vernetzungsmittels enthält, das 2 oder mehr funktionelle Gruppen mit einer Reaktivität gegenüber der Hydroxylgruppe im Molekül aufweist, und zwar auf 100 Gew.-Teile des Polymers bezogen, und wobei die Chiphaftschicht bzw. Chipbondingschicht ein Epoxidharz aufweist.
  • Die Trennfolie enthält gemäß der vorliegenden Erfindung als wesentliche Komponente ein Vernetzungsmittel mit zwei oder mehr funktionellen Gruppen mit einer Reaktivität gegenüber Hydroxylgruppen im Molekül. Durch Steuerung der zugegebenen Menge dieses Vernetzungsmittels wird der Zugelastizitätsmodul so eingestellt, daß ein gutes Aufnahmevermögen bzw. gute Aufnahmeeigenschaften (nachfolgend als Aufnahmevermögen bezeichnet) erreicht werden kann bzw. können, während die Haltekraft beim Schneiden erhalten bleibt.
  • Da der Gehalt des Vernetzungsmittels gemäß der vorliegenden Erfindung 2 Gew.-Teile oder mehr beträgt, und zwar auf 100 Gew.-Teile des Polymers bezogen, ist es möglich, eine unzureichende Vernetzung nach der UV-Bestrahlung zu vermeiden und zu verhindern, daß ein Klebemittelrückstand an einem Schneidering entsteht, der beim Schneiden auf die Haftklebemittelschicht geklebt werden muß. Es ist auch möglich, eine Beeinträchtigung des Aufnahmevermögens eines Halbleiterchips zu verhindern.
  • Da der Gehalt 20 Gew.-Teile oder weniger beträgt, kann andererseits das Abplatzen beim Schneiden verhindert werden.
  • Eine unzureichende Vernetzung nach der UV-Bestrahlung wird auch vermieden, indem der Gehalt des Hydroxylgruppen enthaltenden Monomers bei 10 Mol-% oder mehr eingestellt wird. Im Ergebnis kann verhindert werden, daß ein Klebemittelrtickstand an einem Schneidering entsteht, der beim Schneiden auf die Haftklebemittelschicht geklebt werden muß. Wenn der Gehalt des Hydroxylgruppen enthaltenden Monomers andererseits bei 30 Mol-% oder weniger eingestellt wird, kann eine Beeinträchtigung des Aufnahmevermögens verhindert werden, die dadurch hervorgerufen wird, daß die Polarität des Haftklebemittels zunimmt und folglich die Wechselwirkung mit der Chiphaftschicht bzw. Chipbondingschicht stärker wird, so daß das Ablösen problematisch wird.
  • Da gemäß der vorliegenden Erfindung die Isocyanatverbindung mit einer gegenüber Radikalen reaktiven Kohlenstoff-Kohlenstoff-Doppelbindung anstelle eines polyfunktionellen Monomers verwendet wird, diffundiert das polyfunktionelle Monomer nicht in die Chiphaftschicht. Als Ergebnis kann vermieden werden, daß die Grenzfläche zwischen der Trennfolie und der Chiphaftschicht verschwindet, und es kann ein besseres Aufnahmevermögen erreicht werden.
  • Es ist bevorzugt, daß das Hydroxylgruppen enthaltende Monomer zumindest ein solches ist, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus 2-Hydroxyethyl(meth)acrylat, 2-Hydroxypropyl(meth)acrylat, 4-Hydroxybutyl(meth)acrylat, 6-Hydroxyhexyl(meth)acrylat, 8-Hydroxyoctyl(meth)acrylat, 10-Hydroxydecyl(meth)acrylat, 12-Hydroxylauryl(meth)acrylat und (4-Hydroxymethylcyclohexyl)methyl(meth)acrylat besteht.
  • Es ist bevorzugt, daß die Isocyanatverbindung mit einer gegenüber Radikalen reaktiven Kohlenstoff-Kohlenstoff-Doppelbindung entweder 2-Methacryloyloxyethylisocyanat oder 2-Acryloyloxyethylisocyanat ist.
  • Es ist bevorzugt, daß die Haftklebemittelschicht keine Acrylsäure enthält. Dadurch können die Reaktion und Wechselwirkung zwischen der Haftklebemittelschicht und der Chiphaftschicht vermieden und das Aufnahmevermögen weiter verbessert werden.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGSFIGUREN
  • 1 ist eine schematische Schnittansicht, die eine Klebefolie für das Schneiden von Chips gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 2 ist eine schematische Schnittansicht, die eine Klebefolie für das Schneiden von Chips gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 3 ist eine schematische Schnittansicht, die ein Beispiel zeigt, bei dem ein Halbleiterchip mittels der Chiphaftschicht in der Klebefolie für das Schneiden von Chips befestigt ist.
    • 1
    Trägermaterial
    2
    Haftklebemittelschicht
    3
    Chiphaftschicht
    4
    Halbleiter-Wafer
    5
    Halbleiterchip
    6
    Klebefläche
    7
    Verbindungsdraht
    8
    Versiegelungsharz
    9
    Distanzstück
    10, 11
    Klebefolie für das Schneiden von Chips
  • BESTE ART UND WEISE DER DURCHFÜHRUNG DER ERFINDUNG
  • Klebefolie für das Schneiden von Chips
  • Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden unter Bezugnahme auf 1 und 2 beschrieben. 1 ist eine schematische Schnittansicht, die eine Klebefolie für das Schneiden von Chips gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. 2 ist eine schematische Schnittansicht, die eine Klebefolie für das Schneiden von Chips gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. Teile, die für die Beschreibung nicht nötig sind, sind jedoch nicht aufgeführt, und es gibt Teile, die vergrößert, minimiert usw. dargestellt sind, um die Beschreibung zu vereinfachen.
  • Wie in 1 dargestellt, hat die Klebefolie 10 für das Schneiden von Chips einen Aufbau mit einer Trennfolie, bei der eine Haftklebemittelschicht 2 auf einem Trägermaterial 1 vorgesehen ist, und einer Chiphaftschicht 3, die auf der Haftklebemittelschicht 2 vorgesehen ist. Die vorliegende Erfindung kann ferner auch einen solchen Aufbau aufweisen, bei dem die Chiphaftschicht 3' nur in dem Bereich zum Aufkleben des Halbleiter-Wafers ausgebildet ist, wie es in 2 dargestellt ist.
  • Das Trägermaterial 1 hat eine UV-Transparenz und ist eine Verstärkungsmatrix der Klebefolien 10, 11 für das Schneiden von Chips. Zu Beispielen davon gehören Polyolefine, wie Polyethylen niedriger Dichte, geradkettiges Polyethylen, Polyethylen mittlerer Dichte, Polyethylen hoher Dichte, Polyethylen sehr geringer Dichte, ein statistisches Polypropylencopolymer, ein Polypropylenblockcopolymer, Homopolypropylen, Polybuten und Polymethylpenten; ein Ethylen-Vinylacetat-Copolymer; ein Ionomerharz; ein Ethylen-(Meth)acrylsäure-Copolymer; ein (statistisches oder alternierendes) Ethylen-(Meth)acrylsäureester-Copolymer; ein Ethylen-Buten-Copolymer; ein Ethylen-Hexen-Copolymer; Polyurethan; Polyester, wie Polyethylenterephthalat und Polyethylennaphthalat; Polycarbonat; Polyetheretherketon; Polyimid; Polyetherimid; Polyamid; vollkommen aromatische Polyamide; Polyphenylsulfid; Aramid (Papier); Glas; Glasleinwand; ein Fluorharz; Polyvinylchlorid; Polyvinylidenchlorid; ein Celluloseharz; ein Siliconharz; Metall (Folie); und Papier.
  • Das Material des Trägermaterials 1 weist ferner ein Polymer, wie etwa einen vernetzten Körper aus den vorstehend aufgeführten Harzen, auf. Die vorstehend aufgeführte Kunststoffolie kann auch ungestreckt verwendet werden oder kann je nach Bedarf nach der Durchführung einer monoaxialen oder biaxialen Streckbehandlung eingesetzt werden. Bei Harzschichten, denen Wärmeschrumpfungseigenschaften durch die Streckbehandlung usw. verliehen werden, ist die Klebefläche der Haftklebemittelschicht 2 und der Chiphaftschichten 3, 3' durch die Wärmeschrumpfung des Trägermaterials 1 nach dem Schneiden kleiner, und die Gewinnung der Halbleiterchips kann erleichtert werden.
  • Es kann eine bekannte Oberflächenbehandlung, wie z. B. eine chemische oder physikalische Behandlung, z. B. eine Chromatbehandlung, das Einwirken von Ozon, das Einwirken von Flammen, das Einwirken einer elektrischen Hochspannung und eine Behandlung mit ionisierten Strahlen, und eine Beschichtungsbehandlung mit einem Grundierungsmittel (z. B. eine klebrige Substanz, wie es später beschrieben ist), auf der Oberfläche des Trägermaterials 1 vorgenommen werden, um das Haftvermögen, die Halteeigenschaften usw. gegenüber der angrenzenden Schicht zu verbessern.
  • Als Trägermaterial 1 können die gleiche Art oder unterschiedliche Arten eines Trägermaterials geeignet ausgewählt und verwendet werden, und es kann je nach Bedarf ein Trägermaterial verwendet werden, bei dem mehrere Arten gemischt sind. Ferner kann eine aufgedampfte Schicht aus einer leitfähigen Substanz, die aus einem Metall, einer Legierung, einem Oxid davon usw. besteht und eine Dicke von etwa 30 bis 500 Åaufweist, auf dem Trägermaterial 1 vorgesehen sein, um dem Trägermaterial 1 eine antistatische Funktion zu verleihen. Das Trägermaterial 1 kann eine einzelne Schicht oder mehrere Schichten von zwei oder mehreren Arten sein.
  • Die Dicke des Trägermaterials 1 kann ohne besondere Einschränkungen geeignet festgelegt werden. Sie beträgt jedoch im allgemeinen etwa 5 bis 200 µm.
  • Die Haftklebemittelschicht 2 wird durch Aufnehmen eines mittels UV härtenden Haftklebemittels gebildet. Die Haftfestigkeit des mittels UV härtenden Haftklebemittels kann einfach verringert werden, indem der Vernetzungsgrad durch Bestrahlen mit UV-Strahlen erhöht wird. Wenn nur der Bereich 2a bestrahlt wird, der dem Bereich zum Aufkleben des Halbleiter-Wafers der Haftklebemittelschicht 2 entspricht, wie es in 2 gezeigt ist, kann auch für einen Unterschied der Haftfestigkeit im Verhältnis zum anderen Bereich 2b gesorgt werden.
  • Durch Härten der mittels UV härtenden Haftklebemittelschicht 2 mit der Chiphaftschicht 3', die in 2 dargestellt ist, läßt sich ferner der Bereich 2a einfach erzeugen, in dem die Haftfestigkeit merklich verringert ist. Da die Chiphaftschicht 3' auf den Bereich 2a aufgeklebt wird, in dem die Haftfestigkeit durch Harten verringert worden ist, hat die Grenzfläche zwischen dem Bereich 2a der Haftklebemittelschicht 2 und der Chiphaftschicht 3' die Eigenschaft, daß sie beim Aufnehmen leicht abgelöst wird. Andererseits hat der Bereich, der nicht mit UV-Strahlen bestrahlt worden ist, eine ausreichende Haftfestigkeit und bildet den Bereich 2b.
  • Wie vorstehend beschrieben, klebt bei der Haftklebemittelschicht 2 der Klebefolie 10 für das Schneiden von Chips, die in 1 dargestellt ist, der Bereich 2b, der von dem nicht gehärteten, mittels UV härtenden Haftklebemittel gebildet wird, an der Chiphaftschicht 3, und es kann die Haltekraft beim Schneiden gesichert werden. Auf diese Weise kann das mittels UV härtende Haftklebemittel die Chiphaftschicht 3 zum Fixieren des Halbleiterchips auf einer Klebefläche, wie einem Substrat, mit gut ausgeglichener Haftung und Ablösung unterstützen. Bei der Haftklebemittelschicht 2 der Klebefolie 11 für das Schneiden von Chips, wie sie in 2 gezeigt ist, ist am Bereich 2b ein Schneidering fixiert. Es kann z. B ein Schneidering aus einem Metall, wie rostfreiem Stahl, oder einem Harz verwendet werden.
  • Das verwendete mittels UV härtende Haftklebemittel hat eine mittels UV härtende funktionelle Gruppe mit einer gegenüber Radikalen reaktiven Kohlenstoff-Kohlenstoff-Doppelbindung usw. und weist ein Haftvermögen auf. Beispiele des mittels UV härtenden Haftklebemittels sind ein zugesetzter Typ eines mittels UV härtenden Haftklebemittels, bei dem eine mittels UV härtende Monomerkomponente oder Oligomerkomponente in ein Acryl-Haftklebemittel eingemischt ist. Das Acryl-Haftklebemittel ist ein Haftklebemittel mit einem Acrylpolymer als Basispolymer, und es ist in Hinblick auf die Eigenschaften bei der Reinigung und Säuberung usw. der elektrischen Teile, die vor einer Verunreinigung geschützt werden müssen, wie etwa ein Halbleiter-Wafer und Glas, mit hochreinem Wasser und einem organischen Lösungsmittel, wie Alkohol, bevorzugt.
  • Zu bestimmten Beispielen der Acrylpolymere gehören ein Acrylpolymer, bei dem Acrylat als hauptsächliche Monomerkomponente verwendet wird. Zu Beispielen des Acrylats gehören Alkylacrylat (z. B. ein geradkettiger oder verzweigter Alkylester mit 1 bis 30 Kohlenstoffatomen und insbesondere 4 bis 18 Kohlenstoffatomen in der Alkylgruppe, wie Methylester, Ethylester, Propylester, Isopropylester, Butylester, Isobutylester, sek.-Butylester, t-Butylester, Pentylester, Isopentylester, Hexylester, Heptylester, Octylester, 2-Ethylhexylester, Isooctylester, Nonylester, Decylester, Isodecylester, Undecylester, Dodecylester, Tridecylester, Tetradecylester, Hexadecylester, Octadecylester und Eicosylester) und Cycloalkylacrylat (z. B. Cyclopentylester, Cyclohexylester usw.). Diese Monomere können allein verwendet werden oder es können zwei oder mehrere Arten in Kombination eingesetzt werden. (Meth)acrylester steht für Acrylsäureester und/oder Methacrylsäureester und hat in der vorliegenden Erfindung genau die gleiche Bedeutung wie (Meth).
  • Das Acrylpolymer enthält als wesentliche Komponente ein Hydroxylgruppen enthaltendes Monomer, das mit dem Acrylat copolymerisiert werden kann. Zu Beispielen des Hydroxylgruppen enthaltenden Monomers gehören 2-Hydroxyethyl(meth)acrylat, 2-Hydroxypropyl(meth)acrylat, 4-Hydroxybutyl(meth)acrylat, 6-Hydroxyhexyl(meth)acrylat, 8-Hydroxyoctyl(meth)acrylat, 10-Hydroxydecyl(meth)acrylat, 12-Hydroxylauryl(meth)acrylat und (4-Hydroxymethylcyclohexyl)methyl(meth)acrylat.
  • Der Gehalt des Hydroxylgruppen enthaltende Monomers liegt vorzugsweise im Bereich von 10 bis 30 Mol-% und stärker bevorzugt im Bereich von 15 bis 25 Mol-%, und zwar auf das Acrylat bezogen. Wenn der Gehalt weniger als 10 Mol-% beträgt, wird die Vernetzung nach der UV-Bestrahlung unzureichend, und es tritt der Fall ein, daß beim Schneiden ein Klebemittelrückstand an dem auf die Haftklebemittelschicht 2 aufgeklebten Schneidering entsteht. Wenn andererseits der Gehalt 30 Mol-% über steigt, werden die Polarität des Haftklebemittels stark, die Wechselwirkung mit der Chiphaftschicht hoch und somit das Ablösen problematisch.
  • Das Acrylpolymer kann eine Einheit enthalten, die anderen Monomerkomponenten entspricht, die mit dem Alkylacrylat oder Cycloalkylester copolymerisiert werden können, wobei dies von den Erfordernissen für eine Modifizierung der Kohäsionskraft, der Wärmebeständigkeit usw. abhängt.
  • Zu Beispielen solcher Monomerkomponenten gehören ein Carboxylgruppen enthaltendes Monomer, wie Acrylsäure, Methacrylsäure, Carboxyethyl(meth)acrylat, Carboxypentyl(meth)acrylat, Itaconsäure, Maleinsäure, Fumarsäure und Crotonsäure; ein Säureanhydridmonomer, wie Maleinsäureanhydrid und Itaconsäureanhydrid; ein Sulfonsäuregruppen enthaltendes Monomer, wie Styrolsulfonsäure, Allylsulfonsäure, 2-(Meth)acrylamid-2-methylpropansulfonsäure, (Meth)acrylamidpropansulfonsäure, Sulfopropyl(meth)acrylat und (Meth)acryloyloxynaphthalinsulfonsäure; ein Phosphorsäure enthaltendes Monomer, wie 2-Hydroxyethylacryloylphosphat; Acrylamid; und Acrylonitril.
  • Es können eine Art oder zwei oder mehrere Arten dieser copolymerisierbaren Monomerkomponenten verwendet werden. Die verwendete Menge dieser copolymerisierbaren Monomere beträgt vorzugsweise 40 Gew.-% oder weniger der gesamten Monomerkomponenten. Im Falle eines Carboxylgruppen enthaltenden Monomers verschwindet jedoch die Grenzfläche zwischen der Haftklebemittelschicht 2 und der Chiphaftschicht 3, wenn die Carboxylgruppe mit einer Epoxygruppe in einem Epoxidharz in der Chiphaftschicht 3 reagiert, und das Ablösevermögen von beiden kann schlechter werden.
  • Folglich beträgt die verwendete Menge des Carboxylgruppen enthaltenden Monomers vorzugsweise 0 bis 3 Gew.-% der gesamten Monomerkomponenten. Da das Hydroxylgruppen enthaltende Monomer und ein Glycidylgruppen enthaltendes Monomer außerdem auch mit der Epoxygruppe im Epoxidharz reagieren können, werden die verwendeten Mengen davon vorzugsweise genauso wie im Falle des Carboxylgruppen enthaltenden Monomers gewählt. Von diesen Monomerkomponenten enthält die Haft klebemittelschicht 2 gemäß der vorliegenden Erfindung ferner vorzugsweise keine Acrylsäure.
  • Der Grund dafür ist, daß die Reaktion und Wechselwirkung zwischen der Haftklebemittelschicht 2 und der Chiphaftschicht 3 verhindert werden können und sogar eine Verbesserung der Aufnahmeeigenschaften versucht werden kann. Der Grund dafür ist, daß Acrylsäure in die Chiphaftschicht 3 diffundiert und die Grenzfläche zwischen der Trennfolie 2 und der Chiphaftschicht 3 verschwinden kann, was zu einer Beeinträchtigung des Ablösevermögens führt.
  • Das Acrylpolymer enthält hier kein polyfunktionnelles Monomer als Monomerkomponente für die Copolymerisation. Folglich kommt es nicht zu einer Massendiffusion des polyfunktionellen Monomers zur Chiphaftschicht und einer Verschlechterung der Aufnahmeeigenschaften, die durch das Verschwinden der Grenzfläche zwischen der Haftklebemittelschicht 2 und der Chiphaftschicht 3 hervorgerufen wird.
  • Das Acrylpolymer kann ferner eine Isocyanatverbindung enthalten, die eine gegenüber Radikalen reaktive Kohlenstoff-Kohlenstoff-Doppelbindung aufweist. Zu Beispielen der Isocyanatverbindung gehören Methacryloylisocyanat, 2-Methacryloyloxyethylisocyanat, 2-Acryloyloxyethylisocyanat und m-Isopropenyl-α,α-dimethylbenzylisocyanat.
  • Der Gehalt der Isocyanatverbindung liegt vorzugsweise im Bereich von 70 bis 90 Mol-% und stärker bevorzugt im Bereich von 75 bis 85 Mol-%, und zwar auf das Hydroxylgruppen enthaltende Monomer bezogen. Wenn der Gehalt weniger als 70 Mol-% beträgt, wird die Vernetzung nach der UV-Bestrahlung unzureichend, und beim Schneiden entsteht am auf die Haftklebemittelschicht aufgeklebten Schneidering ein Klebemittelrückstand. Wenn andererseits der Gehalt 90 Mol-% übersteigt, wird das Ablösen problematisch, da die Polarität des Haftklebemittels steigt und die Wechselwirkung mit der Chiphaftschicht zunimmt.
  • Das Acrylpolymer kann durch Polymerisieren eines einzelnen Monomers oder eines Monomergemischs von zwei oder mehreren Arten erhalten werden. Die Polymerisation kann mit irgendwelchen Verfahren, wie Lösungspolymerisation, Emulsionspolymeri sation, Massepolymerisation und Suspensionspolymerisation, erfolgen. In Hinblick auf die Verhinderung einer Verunreinigung einer sauberen Klebefläche usw. ist der Gehalt einer Substanz mit geringem Molekulargewicht vorzugweise gering. Angesichts dessen beträgt das Gewichtsmittel des Molekulargewichts des Acrylpolymers vorzugsweise 350 000 bis 1 000 000 und stärker bevorzugt etwa 450 000 bis 800 000.
  • Die Haftklebemittelschicht 2 enthält gemäß der vorliegenden Erfindung ein Vernetzungsmittel mit zwei oder mehreren funktionellen Gruppen, die eine Reaktivität gegenüber einer Hydroxylgruppe im Molekül aufweisen. Zu Beispielen der funktionellen Gruppen mit einer Reaktivität gegenüber einer Hydroxylgruppe gehören eine Isocyanatgruppe, eine Epoxygruppe und Glycidylgruppe. Insbesondere gehören zu Beispielen der vernetzenden Gruppe mit einer solchen funktionellen Gruppe ein Vernetzungsmittel auf Isocyanat-Basis, ein Vernetzungsmittel auf Epoxy-Basis, ein Vernetzungsmittel auf Aziridin-Basis und ein Vernetzungsmittel auf Melamin-Basis.
  • Das Vernetzungsmittel auf Isocyanat-Basis ist nicht besonders eingeschränkt, sofern es zwei oder mehr Isocyanatgruppen im Molekül aufweist, und zu Beispielen davongehören Toluoldiisocyanat, Diphenylmethandiisocyanat und Hexamethylendiisocyanat. Diese Vernetzungsmittel auf Isocyanat-Basis können allein verwendet werden, oder es können zwei oder mehrere Arten davon in Kombination eingesetzt werden.
  • Das Vernetzungsmittel auf Epoxy-Basis ist nicht besonders begrenzt, sofern es zwei oder mehr Epoxygruppen im Molekül aufweist, und zu Beispielen davon gehören Ethylenglycoldiglycidylether, Sorbitolpolyglycidylether, Polyglycerolpolyglycidylether, Diglycerolpolyglycidylether, Glycerolpolyglycidylether und Resorcindiglycidylether. Diese Vernetzungsmittel auf Epoxy-Basis können allein verwendet werden oder es können zwei oder mehrere Arten davon in Kombination eingesetzt werden.
  • Das Vernetzungsmittel auf Aziridin-Basis ist nicht besonders eingeschränkt, sofern es zwei oder mehr Aziridingruppen im Molekül aufweist, und es werden vorzugsweise z. B. ω-Aziridinylpropionsäure-2,2-dihydroxymethylbutanoltriester, 4,4'-Bis(ethyleniminocarbonylamino)diphenylmethan, 2,4,6-(Triethylenimino)-sym-triazin und 1,6-Bis(ethyleniminocarbonylamino)hexan verwendet. Diese Vernetzungsmittel auf Aziridin-Basis können allein verwendet werden oder es können zwei oder mehrere Arten davon in Kombination eingesetzt werden.
  • Der Gehalt des Vernetzungsmittels liegt vorzugsweise im Bereich von 2 bis 20 Gew.-Teilen und stärker bevorzugt von 4 bis 15 Gew.-Teilen, und zwar auf 100 Gew.-Teile des Basispolymers bezogen. Wenn der Gehalt weniger als 2 Gew.-Teile beträgt, nimmt der Zugelastizitätsmodul aufgrund einer unzureichenden Vernetzung nach der UV-Bestrahlung ab. Als Ergebnis entsteht beim Schneiden eines Halbleiter-Wafers ein Klebemittelrückstand am Schneidering, der auf die Haftklebemittelschicht geklebt werden muß.
  • Beim Aufnehmen von Halbleiterchips verschlechtert sich das Aufnahmevermögen aufgrund einer übermäßig gestiegenen Ablösefestigkeit. Wenn der Gehalt andererseits 20 Gew.-Teile übersteigt, nimmt der Zugelastizitätsmodul übermäßig zu, und somit kommt es beim Schneiden zum Abplatzen. Als Haftklebemittel können zusätzlich zu den vorstehend beschriebenen Komponenten, falls erforderlich, auch verschiedene herkömmlich bekannte Zusätze, wie ein klebrigmachendes Mittel und ein Alterungsverzögerer, verwendet werden.
  • Zu Beispielen der einzumischenden, mittels UV härtenden Monomerkomponente gehören ein Urethanoligomer, Urethan(meth)acrylat, Trimethylolpropantri(meth)acrylat, Tetramethylolmethantetra(meth)acrylat, Pentaerythritoltri(meth)acrylat, Pentaerythritoltetra(meth)acrylat, Dipentaerythritolmonohydroxypenta(meth)acrylat, Dipentaerythritolhexa(meth)acrylat und 1,4-Butandioldi(meth)acrylat. Zu der mittels UV härtenden Oligomerkomponente gehören ferner verschiedene Arten von Oligomeren, wie ein auf Urethan basierendes, ein auf Polyether basierendes, ein auf Polyester basierendes, ein auf Polycarbonat basierendes und ein auf Polybutadien basierendes Oligomer, und dessen Molekulargewicht liegt geeigneterweise in einem Bereich von etwa 100 bis 30 000.
  • Die einzumischende Menge der mittels UV-Strahlen härtenden Monomerkomponente und Oligomerkomponente kann in Abhängigkeit von der Art der Haftklebemittelschicht geeignet bei einer Menge bestimmt werden, bei der die Haftfestigkeit der Haft klebemittelschicht verringert werden kann. Im allgemeinen beträgt sie z. B. 5 bis 500 Gew.-Teile und vorzugsweise etwa 40 bis etwa 150 Gew.-Teile, und zwar auf 100 Gew.-Teile des Basispolymers, wie eines Acrylpolymers, bezogen, das das Haftklebemittel bildet.
  • Neben dem vorstehend beschriebenen zugesetzten, mittels UV härtenden Haftklebemitteltyp schließt das mittels UV härtende Haftklebemittel ferner ein internes, mittels UV härtendes Haftklebemittel ein, wobei ein Acrylpolymer als Basispolymer verwendet wird, das eine gegenüber Radikalen reaktive Kohlenstoff-Kohlenstoff-Doppelbindung in der Seitenkette, in der Hauptkette oder am Ende der Hauptkette des Polymers aufweist. Die internen, mittels UV härtenden Haftklebemittel des intern bereitgestellten Typs sind bevorzugt, da sie die Oligomerkomponente usw. nicht enthalten müssen, die eine Komponente mit geringem Molekulargewicht ist, oder die meisten davon keine enthalten, und eine Haftklebemittelschicht mit einer stabilen Schichtstruktur bilden können, ohne daß die Oligomerkomponente usw. im Verlauf der Zeit in das Haftklebemittel wandern.
  • Als Basispolymer mit einer gegenüber Radikalen reaktiven Kohlenstoff-Kohlenstoff-Doppelbindung können ohne besondere Einschränkung jene mit einer gegenüber Radikalen reaktiven Kohlenstoff-Kohlenstoff-Doppelbindung und auch mit Haftvermögen verwendet werden. Ein solches Basispolymer hat vorzugsweise ein Acrylpolymer als Grundgerüst. Das Grundgerüst aus dem Acrylpolymer schließt die vorstehend beschriebenen Acrylpolymere ein.
  • Das Verfahren zum Einführen der gegenüber Radikalen reaktiven Kohlenstoff-Kohlenstoff-Doppelbindung in das Acrylpolymer ist nicht besonders eingeschränkt, und es können verschiedene Verfahren gewählt werden. In Hinblick auf die Molekülgestaltung ist es jedoch einfach, die gegenüber Radikalen reaktive Kohlenstoff-Kohlenstoff-Doppelbindung in die Seitenkette des Polymers einzuführen. Ein Beispiel ist ein Verfahren, bei dem vorher ein Monomer mit einer Hydroxylgruppe mit dem Acrylpolymer copolymerisiert wird und dann eine Kondensations- oder Additionsreaktion an der Isocyanatverbindung vorgenommen wird, die eine Isocyanatgruppe, die mit dieser Hydroxylgruppe reagieren kann, und eine gegenüber Radikalen reaktive Kohlenstoff-Kohlen stoff-Doppelbindung aufweist, wobei die Fähigkeit zum UV-Härten der gegenüber Radikalen reaktiven Kohlenstoff-Kohlenstoff-Doppelbindung erhalten bleibt.
  • Zu Beispielen der Isocyanatverbindungen mit einer Isocyanatgruppe und einer gegenüber Radikalen reaktiven Kohlenstoff-Kohlenstoff-Doppelbindung gehören jene, die vorstehend als Beispiele aufgeführt sind. Ferner können jene als Acrylpolymer verwendet werden, bei denen das als Beispiel genannte, Hydroxylgruppen enthaltende Monomer und eine auf Ether basierende Verbindung, wie 2-Hydroxyethylvinylether, 4-Hydroxybutylvinylether und Diethylenglycolmonovinylether usw. copolymerisiert sind.
  • Beim internen, mittels UV härtenden Haftklebemittel kann ein Basispolymer (insbesondere das Acrylpolymer) mit einer gegenüber Radikalen reaktiven Kohlenstoff-Kohlenstoff-Doppelbindung allein verwendet werden. Die mittels UV härtenden Monomerkomponenten oder Oligomerkomponenten können auch bis zu einem Ausmaß eingemischt werden, bei dem die Eigenschaften nicht beeinträchtigt werden. Die einzumischende Menge der mittels UV-Strahlen härtenden Oligomerkomponenten usw. liegt normalerweise im Bereich von 0 bis 30 Gew.-Teilen und vorzugsweise im Bereich von 0 bis 10 Gew.-Teilen, und zwar auf 100 Gew.-Teile des Basispolymers bezogen.
  • Im internen, mittels UV härtenden Haftklebemittel ist im Falle des Härtens mit UV, wie UV-Strahlen, ein Photopolymerisationsinitiator enthalten. Zu Beispielen des Photopolymerisationsinitiators gehören eine auf α-Ketol basierende Verbindung, wie 4-(2-Hydroxyethoxy)phenyl(2-hydroxy-2-propyl)keton, α-Hydroxy-α,α'-dimethylacetophenon, 2-Methyl-2-hydroxypropiophenon und 1-Hydroxycyclohexylphenylketon; eine Verbindung auf Acetophenon-Basis, wie Methoxyacetophenon, 2,2-Dimethoxy-2-phenylacetophenon, 2,2-Diethoxyacetophenon und 2-Methyl-1-[4-(methylthio)-phenyl]-2-morpholinopropan-1; eine Verbindung auf Benzoinether-Basis, wie Benzoinethylether, Benzoinisopropylether und Anisoinmethylether; eine Verbindung auf Ketal-Basis, wie Benzyldimethylketal; eine auf aromatischem Sulfonylchlorid basierende Verbindung, wie 2-Naphthalinsulfonylchlorid; eine auf photoaktivem Oxim basierende Verbindung, wie 1-Phenon-1,1-propandion-2-(o-ethoxycarbonyl)oxim; eine Verbindung auf Benzophenon-Basis, wie Benzophenon, Benzoylbenzoesäure und 3,3'-Dimethyl-4-methoxybenzophenon; eine Verbindung auf Thioxanthon-Basis, wie Thioxanthon, 2-Chlorthioxanthon, 2-Methylthioxanthon, 2,4-Dimethylthioxanthon, Isopropylthioxanthon, 2,4-Dichlorthioxanthon, 2,4-Diethylthioxanthon und 2,4-Diisopropylthioxanthon; Campherchinon; halogeniertes Keton, Acylphosphinoxid; Acylphosphonat und dgl. Die einzumischende Menge des Photopolymerisationsinitiators beträgt z. B. etwa 0,05 bis 20 Gew.-Teile, und zwar auf 100 Gew.-Teile des Basispolymers, wie eines Acrylpolymers, bezogen, das das Haftklebemittel bildet.
  • Zu Beispielen des mittels UV härtenden Haftklebemittels gehören ferner ein auf Kautschuk basierendes Haftklebemittel und ein auf Acryl basierendes Haftklebemittel, das eine durch Additionspolymerisation polymerisierbare Verbindung mit zwei oder mehr ungesättigten Bindungen, eine photopolymerisierbare Verbindung, wie ein Alkoxysilan mit einer Epoxygruppe, und einem Photopolymerisationsinitiator, wie eine Carbonylverbindung, eine organische Schwefelverbindung, ein Peroxid, eine auf Aminsalz und eine auf Oniumsalz basierende Verbindung enthält, wie sie in der JP-A-60-196 956 offenbart sind.
  • Bei der Erzeugung der mittels UV härtenden Haftklebemittelschicht 2 kann die mittels UV härtende Haftklebemittelschicht 2 auf dem Trägermaterial 1 ausgebildet werden, oder die auf einem Separator erzeugte, mittels UV härtende Klebemittelschicht 2 kann auf das Trägermaterial 1 übertragen werden.
  • Bei der Haftklebemittelschicht 2 der Klebefolie 10 für das Schneiden von Chips kann die UV-Bestrahlung auf einen Bereich der Haftklebemittelschicht 2 erfolgen, so daß die Haftfestigkeit dieses Bereichs 2a geringer als die Haftfestigkeit der anderen Bereiche 2b wird. Das heißt, der Bereich 2a, in dem die Haftfestigkeit geringer ist, kann erzeugt werden, indem solche verwendet werden, bei denen der Bereich, der von dem Bereich verschieden ist, der dem Bereich 3a zum Aufkleben des Halbleiter-Wafers entspricht, auf zumindest einer Seite des Trägermaterials 1 vollständig oder teilweise abgeschirmt wird, darauf die mit UV härtende Haftklebemittelschicht 2 erzeugt wird, dann mit UV bestrahlt wird und der Bereich härtet, der dem Bereich 3a zum Auf kleben des Halbleiter-Wafers entspricht. Das Abschirmungsmaterial, das eine Photomaske auf einer Trägerfolie sein kann, kann durch Bedrucken, Bedampfen usw. erzeugt werden. Die erfindungsgemäße Kiebefolie 10 für das Schneiden von Chips kann somit effizient hergestellt werden.
  • In dem Fall, bei dem es während der UV-Bestrahlung zu einer Beeinträchtigung des Härtens aufgrund von Sauerstoff kommt, wird hier Sauerstoff (Luft) wünschenswerterweise von der Oberfläche der Haftklebemittelschicht 2 ferngehalten. Zu Beispielen des Verfahrens gehören ein Verfahren, bei dem die Oberfläche der Haftklebemittelschicht 2 mit einem Separator beschichtet wird, und ein Verfahren, bei dem das Bestrahlen mit ultravioletten Strahlen, wie UV-Strahlen, in einer Stickstoffgasatmosphäre durchgeführt wird.
  • Die Dicke der Haftklebemittelschicht 2 ist nicht besonders eingeschränkt. In Hinblick auf die Kompatibilität mit der Verhinderung des Abplatzens der Schnittfläche der Chips und dem Erhalt der Fixierung der Klebemittelschicht usw. beträgt sie jedoch vorzugsweise etwa 1 bis 50 μm. Sie beträgt vorzugsweise 2 bis 30 μm und stärker bevorzugt 5 bis 25 μm.
  • Die Chiphaftschicht 3 kann einen Aufbau aufweisen, der z. B. nur aus einer einzigen Schicht der Klebemittelschicht besteht. Ferner kann sie eine mehrschichtige Struktur aus zwei oder mehr Schichten haben, indem ein thermoplastisches Harz mit einer anderen Glastibergangstemperatur und ein wärmehärtendes Harz mit einer anderen Wärmehärtungstemperatur geeignet kombiniert werden. Da beim Schneideschritt des Halbleiter-Wafers beim Trennen Wasser verwendet wird, ist es hier der Fall, daß die Chiphaftschicht 3 Feuchtigkeit absorbiert und der Feuchtigkeitsgehalt den Normalzustand oder mehr erreicht.
  • Wenn die Chiphaftschicht 3 an einem Substrat usw. klebt, sammelt sich bei einem solch hohen Feuchtigkeitsgehalt beim Schritt nach dem Härten Wasserdampf auf der haftenden Grenzfläche an, und es liegt der Fall vor, bei dem es zum Schwimmen kommt. Wenn das Klebemittel für die Chiphaftung mit einem solchen Aufbau hergestellt wird, bei dem ein Kernmaterial mit einer hohen Feuchtigkeitsdurchlässigkeit mit einem Chipklebemittel als Sandwichstruktur angeordnet wird, diffundiert folglich beim Schritt nach dem Harten Wasserdampf durch die Schicht, und ein derartiges Problem kann vermieden werden. Angesichts dessen kann die Chiphaftschicht 3 eine mehrschichtige Struktur haben, bei der die Klebemittelschicht auf einer Seite oder beiden Seiten des Kernmaterials ausgebildet ist.
  • Zu Beispielen der Kernmaterialien gehören eine Schicht (z. B. eine Polyimidschicht, eine Polyesterschicht, eine Polyethylenterephthalatschicht, eine Polyethylennaphthalatschicht, eine Polycarbonatschicht usw.), ein Harzsubstrat, das mit Glasfasern oder ungewebten Kunststoffasern verstärkt ist, ein Siliciumsubstrat und ein Glassubstrat.
  • Die Chiphaftschicht 3 wird gemäß der vorliegenden Erfindung gebildet, indem ein Epoxidharz als Hauptbestandteil aufgenommen wird. Das Epoxidharz ist deshalb bevorzugt, weil es weniger ionische Verunreinigungen usw. enthält, die ein Halbleiterelement korrodieren lassen können. Das Epoxidharz ist nicht besonders eingeschränkt, sofern es allgemein als Klebemittelzusammensetzung verwendet wird, und es werden z. B. ein difunktionelles Epoxidharz und ein polyfunktionelles Epoxidharz, wie ein Epoxidharz vom Bisphenol A-Typ, Bisphenol F-Typ, Bisphenol S-Typ, bromierten Bisphenol A-Typ, hydrierten Bisphenol A-Typ, Bisphenol AF-Typ, Biphenyl-Typ, Naphthalin-Typ, Fluor-Typ, Phenol-Novolak-Typ, o-Cresol-Novolak-Typ, Trishydroxyphenylmethan-Typ und Tetraphenylolethan-Typ, oder ein Epoxidharz, wie eines vom Hydantoin-Typ, Trisglycidylisocyanurat-Typ und Glycidylamin-Typ, verwendet.
  • Diese können allein verwendet werden, oder es können zwei oder mehrere Arten in Kombination eingesetzt werden. Von diesen Epoxidharzen sind ein Epoxidharz vom Novolak-Typ, ein Epoxidharz vom Biphenyl-Typ, ein Harz vom Trishydroxyphenylmethan-Typ und ein Epoxidharz vom Tetraphenylolethan-Typ besonders bevorzugt. Der Grund dafür ist, daß diese Epoxidharze eine hohe Reaktivität gegenüber einem Phenolharz als Harter und eine hervorragende Wärmebeständigkeit usw. aufweisen.
  • Ferner können je nach Erfordernis auch andere wärmehärtende Harze oder thermoplastische Harze gemeinsam in der Chiphaftschicht 3 verwendet werden. Zu Beispielen der wärmehärtenden Harze gehören ein Phenolharz, ein Aminoharz, ein ungesättigtes Polyesterharz, ein Polyurethanharz, ein Siliconharz und ein wärmehärtendes Polyimidharz. Diese Harze können allein verwendet werden, oder es können zwei oder mehrere Arten in Kombination verwendet werden. Der Harter des Epoxidharzes ist ferner vorzugsweise ein Phenolharz.
  • Das Phenolharz wirkt ferner als Harter des Epoxidharzes, und zu Beispielen gehören ein Phenolharz vom Novolak-Typ, wie ein Phenol-Novolakharz, ein Phenolaralkylharz, ein Cresol-Novolakharz, ein tert.-Butylphenol-Novolakharz und ein Nonylphenol-Novolakharz; ein Phenolharz vom Resol-Typ; und ein Polyoxystyrol, wie Polyparaoxystyrol. Diese können allein verwendet werden, oder es können zwei oder mehrere Arten in Kombination eingesetzt werden. Von diesen Phenolharzen sind ein Phenol-Novolakharz und ein Phenolaralkylharz besonders bevorzugt. Der Grund dafür ist, daß die Zuverlässigkeit der Verbindung der Halbleitervorrichtung verbessert werden kann.
  • Das Mischungsverhältnis von Epoxidharz und Phenolharz wird vorzugsweise so gewählt, daß die Hydroxylgruppe im Phenolharz 0,5 bis 2,0 Äquivalente pro Äquivalent der Epoxygruppe in der Epoxidharzkomponente ausmacht. Es beträgt stärker bevorzugt 0,8 bis 1,2 Äquivalente. Das heißt, wenn das Mischungsverhältnis der beiden außerhalb dieses Bereichs liegt, findet keine ausreichende Härtungsreaktion statt und die Eigenschaften des gehärteten Epoxidharzproduktes werden schnell beeinträchtigt.
  • Zu Beispielen der thermoplastischen Harze gehören Naturkautschuk, Butylkautschuk, Isoprenkautschuk, Chloroprenkautschuk, ein Ethylen-Vinylacetat-Copolymer, ein Ethylen-Acrylsäure-Copolymer, ein Ethylen-Acrylat-Copolymer, ein Polybutadienharz, ein Polycarbonatharz, ein thermoplastisches Polyimidharz, ein Polyamidharz, wie Nylon 6 und Nylon 6,6, ein Phenoxyharz, ein Acrylharz, ein gesättigtes Polyesterharz, wie PET und PBT, ein Polyamidimidharz und ein Fluorharz.
  • Diese thermoplastischen Harze können allein verwendet werden, oder es können zwei Arten oder mehr in Kombination verwendet werden. Von diesen thermoplastischen Harzen ist ein Acrylharz besonders bevorzugt, in dem die ionischen Verunreinigungen gering sind, dessen Wärmebeständigkeit hoch ist und bei dem die Zuverlässigkeit des Halbleiterelementes gesichert werden kann.
  • Das Acrylharz nicht besonders eingeschränkt, und zu Beispielen gehören solche Polymere mit einer Art oder zwei oder mehreren Arten eines Arcylsäure- oder Methacrylsäureesters mit einer geradkettigen oder verzweigten Alkylgruppe mit 30 oder mehr Kohlenstoffatomen, insbesondere 4 bis 18 Kohlenstoffatomen, als eine Komponente. Zu Beispielen der Alkylgruppe gehören eine Methylgruppe, eine Ethylgruppe, eine Propylgruppe, eine Isopropylgruppe, eine n-Butylgruppe, eine t-Butylgruppe, eine Isobutylgruppe, eine Amylgruppe, eine Isoamylgruppe, eine Hexylgruppe, eine Heptylgruppe, eine Cyclohexylgruppe, eine 2-Ethylhexylgruppe, eine Octylgruppe, eine Isooctylgruppe, eine Nonylgruppe, eine Isononylgruppe, eine Decylgruppe, eine Isodecylgruppe, eine Undecylgruppe, eine Laurylgruppe, eine Tridecylgruppe, eine Tetradecylgruppe, eine Stearylgruppe, eine Octadecylgruppe und eine Dodecylgruppe.
  • Außerdem sind weitere Monomere, die diese Polymere bilden, nicht besonders eingeschränkt, und zu Beispielen gehören ein Carboxylgruppen enthaltendes Monomer, wie Acrylsäure, Methacrylsäure, Carboxyethylacrylat, Carboxypentylacrylat, Itaconsäure, Maleinsäure, Fumarsäure und Crotonsäure; ein Säureanhydridmonomer, wie Maleinsäureanhydrid und Itaconsäureanhydrid; ein Hydroxylgruppen enthaltendes Monomer, wie 2-Hydroxyethyl(meth)acrylat, 2-Hydroxypropyl(meth)acrylat, 4-Hydroxybutyl(meth)acrylat, 6-Hydroxyhexyl(meth)acrylat, 8-Hydroxyoctyl(meth)acrylat, 10-Hydroxydecyl(meth)acrylat, 12-Hydroxylauryl(meth)acrylat und (4-Hydroxymethylcyclohexyl)methylacrylat; ein Sulfonsäure enthaltendes Monomer, wie Styrolsulfonsäure, Allylsulfonsäure, 2-(Meth)acrylamide-2-methylpropansulfonsäure, (Meth)acrylamidpropansulfonsäure, Sulfopropyl(meth)acrylat und (Meth)acryloyloxynaphthalinsulfonsäure; und ein Phosphorsäure enthaltendes Monomer, wie 2-Hydroxyethylacryloylphosphat.
  • Da das Vernetzen in der Klebemittelschicht der Chiphaftschicht 3 bis zu einem gewissen Ausmaß vorher stattfindet, wird bei der Herstellung vorzugsweise eine polyfunktionelle Verbindung, die mit einer funktionellen Gruppe am Ende der Molekülkette des Polymers reagiert, als Vernetzungsmittel zugesetzt. Somit werden die Klebeeigenschaften bei einer hohen Temperatur verbessert, und es wird eine Verbesserung der Wärmebeständigkeit versucht.
  • Je nach Bedarf können hier auch andere Zusätze in geeigneter Weise in die Klebemittelschicht der Chiphaftschicht 3 eingemischt werden. Zu Beispielen der anderen Zusätze gehören ein Flammhemmstoff, ein Silankopplungsmittel und ein Innenfänger. Zu Beispielen des Flammhemmstoffs gehören Antimontrioxid, Antimonpentoxid und ein bromiertes Epoxidharz. Diese können allein verwendet werden oder es können zwei oder mehrere Arten in Kombination benutzt werden.
  • Zu Beispielen des Silankopplungsmittels gehören β-(3,4-Epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilan, γ-Glycidoxypropyltrimethoxysilan und γ-Glycidoxypropylmethyldiethoxysilan. Diese Verbindungen können allein verwendet werden oder es können zwei oder mehrere Arten in Kombination benutzt werden. Zu Beispielen der Ionenfänger gehören Hydrotalcite und Wismuthydroxid. Diese können allein verwendet werden, es können zwei oder mehrere Arten in Kombination eingesetzt werden.
  • Die Dicke der Chiphaftschicht 3 ist nicht besonders begrenzt. Sie beträgt jedoch etwa 5 bis 100 µm und vorzugsweise etwa 5 bis 50 µm.
  • Die Klebefolien 10, 11 für das Schneiden von Chips können so hergestellt werden, daß sie eine antistatische Funktion haben. Folglich können das Zusammenbrechen eines Schaltkreises aufgrund der Entstehung einer elektrostatischen Energie während der Haftung und beim Ablösen des Chips und das Aufladen des Werkstücks (ein Halbleiter-Wafer usw.) durch elektrostatische Energie oder dgl. verhindert werden.
  • Das Verleihen der antistatischen Funktion kann in einer geeigneten Art und Weise erfolgen, z. B. mit einem Verfahren, bei dem dem Trägermaterial 1, der Haftmittelklebeschicht 2 und der Chiphaftschicht 3 ein antistatisches Mittel oder eine leitfähige Substanz zugesetzt wird und für das Trägermaterial 1 eine leitfähige Schicht bereitgestellt wird, die aus einem Ladungsübertragungskomplex, einer Metallschicht usw. besteht. Diese Verfahren sind vorzugsweise ein Verfahren, bei dem nur schwer Verunreinigungsionen entstehen, die die Gefahr einer Qualitätsveränderung des Halbleiter-Wafers bergen.
  • Zu Beispielen der leitfähigen Substanz (leitfähiger Füllstoff), die für die Verleihung der Leitfähigkeit, für eine Verbesserung der Wärmeleitfähigkeit usw. eingemischt werden soll, gehören ein kugelförmiges, ein nadelförmiges, ein plättchenförmiges Metallpulver, wie Silber, Aluminium, Gold, Kupfer, Nickel und eine leitfähige Legierung; ein Metalloxid, wie Aluminiumoxid; amorpher Ruß und Graphit. Die Chiphaftschichten 3, 3' sind jedoch in Hinblick darauf, daß sie keinen elektrischen Verlust zeigen, vorzugsweise nicht leitend.
  • Die Chiphaftschichten 3, 3' der Klebefolien 10, 11 für das Schneiden von Chips werden vorzugsweise von einem Separator (nicht gezeigt) geschützt. Der Separator hat die Funktion eines Schutzmaterials, das die Chiphaftschichten 3, 3' schützt, bis sie in der Praxis eingesetzt werden. Der Separator kann ferner als Trägermaterial verwendet werden, wenn die Chiphaftschichten 3, 3' auf die Haftklebemittelschicht 2 übertragen werden.
  • Der Separator wird abgelöst, wenn auf die Chiphaftschichten 3, 3' der Klebefolie für das Schneiden von Chips ein Werkstück aufgeklebt wird. Polyethylenterephthalate (PET), Polyethylen, Polypropylen, eine Kunststoffolie, Papier usw., deren Oberfläche mit einem Abzugsmittel, wie einem Abzugsmittel auf Fluorbasis und einem Abzugsmittel auf der Basis eines langkettigen Alkylacrylats, beschichtet ist, können ebenfalls als Separator verwendet werden.
  • Verfahren zum Herstellen einer Klebefolie für das Schneiden von Chips
  • Nachfolgend wird ein Verfahren zum Herstellen der erfindungsgemäßen Klebefolie für das Schneiden von Chips anhand der Klebefolie 10 für das Schneiden von Chips als Beispiel beschrieben. Zuerst kann das Trägermaterial 1 mit einem herkömmlich bekannten Folienherstellungsverfahren erzeugt werden. Zu Beispielen des Folienherstellungsverfahrens gehören ein Kalandrierverfahren zur Folienherstellung, ein Gießverfahren in einem organischen Lösungsmittel, ein Extrusionsverfahren mittels Aufblasen in einem fest abgedichteten System, ein Extrusionsverfahren mit einer T-Düse, ein Coextrusionsverfahren und ein Trockenlaminierverfahren.
  • Danach wird die Haftklebemittelschicht 2 erzeugt, indem eine Zusammensetzung, die das Haftklebemittel enthält, auf das Trägermaterial 1 aufgebracht und getrocknet wird (Vernetzen mittels Wärme, je nach Bedarf). Zu Beispielen des Verfahrens zum Aufbringen gehören das Beschichten mittels Walzen, das Beschichten mittels eines Siebs und das Beschichten mittels Tiefdruck. Das Aufbringen kann ferner direkt auf dem Trägermaterial 1 erfolgen, oder es wird ein Abzugspapier usw., dessen Oberfläche einer Ablösebehandlung unterzogen worden ist, aufgebracht, und dann erfolgt die Übertragung auf das Trägermaterial 1.
  • Danach wird eine Auftragsschicht erzeugt, indem ein Material für die Erzeugung der Chiphaftschicht 3 so auf das Abzugspapier aufgebracht wird, daß es die vorgeschriebene Dicke hat, und ferner wird unter vorgegebenen Bedingungen getrocknet. Die Chiphaftschicht 3 wird erzeugt, indem diese Auftragsschicht auf die Haftklebemittelschicht 2 übertragen wird. Die Chiphaftschicht 3 kann ferner auch erzeugt werden, indem dieses erzeugende Material direkt auf die Haftklebemittelschicht 2 aufgebracht und danach unter vorgegebenen Bedingungen getrocknet wird. Somit kann die erfindungsgemäße Klebefolie 10 für das Schneiden von Chips erhalten werden.
  • Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
  • Die erfindungsgemäßen Klebefolien 10, 11 für das Schneiden von Chips werden wie folgt verwendet, wobei der beliebig auf den Chiphaftschichten 3, 3' vorgesehene Separator geeignet abgelöst wird. Dies wird nachfolgend unter Bezugnahme auf 3 beschrieben, wobei die Klebefolie 11 für das Schneiden von Chips als Beispiel dient.
  • Zuerst wird ein Halbleiter-Wafer 4 mittels Druck auf die Chiphaftschicht 3 in der Klebefolie 11 für das Schneiden von Chips geklebt und durch Haften und Halten fixiert (Montageschritt). Dieser Schritt wird durchgeführt, wobei mit einer Druckvorrichtung, wie einer Andrückwalze, gedrückt wird.
  • Danach erfolgt das Schneiden des Halbleiter-Wafers 4. Der Halbleiter-Wafer 4 wird folglich auf die vorgeschriebene Größe zerschnitten und vereinzelt, und es werden Halbleiterchips erzeugt. Das Schneiden erfolgt mit einem üblichen Verfahren, z. B. von der Seite der Schaltkreisfläche des Halbleiter-Wafers 4. Dieser Schritt kann ferner ein Trennverfahren verwenden, das als Vollschnitt bezeichnet wird, das einen Schlitz in der Klebefolie 10 für das Schneiden von Chips erzeugt. Die in diesem Schritt verwendete Schneidevorrichtung ist nicht besonders eingeschränkt, und es kann eine herkömmlich bekannte Vorrichtung verwendet werden. Da der Halbleiter-Wafer an der Klebefolie 10 für das Schneiden von Chips haftet und durch diese fixiert ist, können ferner das Reißen und Wegspringen der Chips unterdrückt werden, und gleichzeitig kann auch eine Beschädigung des Halbleiter-Wafers vermieden werden.
  • Das Aufnehmen des Halbleiterchips 5 erfolgt, um einen Halbleiterchip abzulösen, der an der Klebefolie 10 für das Schneiden von Chips haftet und fixiert ist. Das Verfahren zum Aufnehmen ist nicht besonders begrenzt, und es können verschiedene herkömmlich bekannte Verfahren gewählt werden. Zu Beispielen gehört ein Verfahren, bei dem der einzelne Halbleiterchip 5 von der Seite der Klebefolie 10 für das Schneiden von Chips mit einer Nadel nach oben gedrückt und der hochgedrückte Halbleiterchip 5 mit einer Aufnahmevorrichtung aufgenommen wird.
  • Das Aufnehmen erfolgt hier, nachdem die Haftklebemittelschicht 2 mit UV-Strahlen bestrahlt worden ist, da die Haftklebemittelschicht 2 eine solche vom mittels UV-Strahlung härtenden Typ ist. Die Haftfestigkeit der Haftklebemittelschicht 2 an der Chiphaftschicht 3a nimmt folglich ab, und das Ablösen des Halbleiterchips 5 wird einfach. Als Folge wird das Aufnehmen ohne Beschädigung des Halbleiterchips möglich. Die Bedingungen, wie Strahlungsintensität und Bestrahlungszeit, beim Bestrahlen mit UV-Strahlen sind nicht besonders eingeschränkt, und sie können je nach Bedarf geeignet eingestellt werden.
  • Die Gesamtmenge der UV-Strahlen beträgt z. B. vorzugsweise 50 bis 500 mJ/cm2. Selbst wenn die Gesamtmenge der UV-Strahlen im vorstehend aufgeführten Bereich liegt, wird es aufgrund der sehr starken Vernetzung durch die UV-Bestrahlung nicht problematisch, die Chiphaftschicht gemäß der vorliegenden Erfindung abzulösen, und es zeigt sich ein gutes Aufnahmevermögen. Als Lichtquelle, die für die UV-Bestrahlung verwendet werden soll, können jene verwendet werden, die vorstehend beschrieben sind.
  • Der aufgenommene Halbleiterchip 5 wird durch die dazwischen angeordnete Chiphaftschicht 3a an die Klebefläche 6 angeklebt und haftet an dieser (Chipbonding). Die Klebefläche 6 wird auf einem Wärmeblock 9 befestigt. Zu Beispielen der Klebefläche 6 gehören ein Leiterrahmen, eine TAB-Folie, ein Substrat und ein separat hergestellter Halbleiterchip. Die Klebefläche 6 kann z. B. eine verformbare Klebefläche, die sich leicht verformen läßt, oder eine nicht verformbare Klebefläche (ein Halbleiter-Wafer usw.) sein, die sich kaum verformen läßt.
  • Als Substrat kann ein herkömmlich bekanntes Substrat verwendet werden. Als Leiterrahmen können ferner ein Metallführungsrahmen, wie ein Leiterrahmen aus Cu und ein Leiterrahmen aus der Legierung 42, und ein organisches Substrat, das aus Glas-Epoxy, BT (Bismaleimid-Triazin) und Polyimid besteht, verwendet werden. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht darauf beschränkt und beinhaltet ein Schaltkreissubstrat, das verwendet werden kann, wenn ein Halbleiterelement montiert und das elektrische Verbinden mit dem Halbleiterelement vorgenommen wird.
  • Wenn die Chiphaftschicht 3 vom wärmehärtenden Typ ist, wird der Halbleiterchip 5 durch Wärmehärten an die Klebefläche 6 geklebt und darauf fixiert, so daß die Wärmebeständigkeit verbessert wird. Ein Produkt, bei dem der Halbleiterchip 5 durch einen dazwischen angeordneten Bereich 3a zum Aufkleben des Halbleiter-Wafers auf einem Substrat usw. aufgeklebt und fixiert ist, kann hier einem Aufschmelzlötschritt unterzogen werden.
  • Danach erfolgt die Verdrahtung durch elektrisches Verbinden der Spitze eines Anschlußteils (innere Leitung) des Substrats und eines Elektrodenpads (nicht gezeigt) auf dem Halbleiterchip 5 mit einem Verbindungsdraht 7, und außerdem wird der Halbleiterchip mit einem Versiegelungsharz 8 versiegelt und das Versiegelungsharz 8 wird gehärtet. Damit ist die erfindungsgemäße Halbleitervorrichtung hergestellt.
  • BEISPIELE
  • Nachfolgend werden bevorzugte Beispiele dieser Erfindung detailliert erläutert. Die Materialien, die einzumischende Menge usw., die in diesen Beispielen angegeben sind, sollen jedoch den Umfang dieser Erfindung nicht allein darauf begrenzen, wenn es nicht anderes angegeben ist, und diese stellen nur erläuternde Beispiele dar. Ferner ist ”Teil” in jedem Beispiel ein Gewichtsstandard, wenn es nicht anders angegeben ist.
  • Beispiel 1
  • Herstellung einer Trennfolie
  • Das Acrylpolymer A wurde erhalten, indem 86,4 Teile 2-Ethylhexylacrylat (nachfolgend als ”2EHA” bezeichnet), 13,6 Teile 2-Hydroxyethylacrylat (nachfolgend als ”HEA” bezeichnet), 0,2 Teile Benzoylperoxid und 65 Teile Toluol in einen Reaktor gegeben wurden, der mit einem Kondensator, einer Leitung zum Einführen von Stickstoff, einem Thermometer und einer Rührvorrichtung ausgestattet war, und es wurde für 6 Stunden eine Polymerisation bei 61°C unter einer Stickstoffspülung durchgeführt. Das HEA betrug 20 Mol-%.
  • Das Acrylpolymer A' wurde erhalten, indem 14,6 Teile 2-Methacryloyloxyethylisocyanat (hier nachfolgend als ”MOI” bezeichnet) (80 Mol-%, bezogen auf HEA) zu dem Acrylpolymer A gegeben wurden und für 48 Stunden eine Additionsreaktion bei 50°C in einem Luftstrom durchgeführt wurde.
  • Danach wurde eine Haftklebemittellösung hergestellt, indem 8 Teile einer Polyisocyanatverbindung (Handelsbezeichnung: COLONATE L, von Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd. hergestellt) und 5 Teile eines Photopolymerisationsinitiators (Handelsbezeichnung: IRUGACURE 651, von Ciba hergestellt), und zwar auf 100 Teile des Acrylpolymers A' bezogen, zugesetzt wurden.
  • Eine Haftklebemittelschicht mit einer Dicke von 10 µm wurde erzeugt, indem die vorstehend hergestellte Haftklebemittellösung auf die Oberfläche einer PET-Abzugsbahn aufgebracht wurde, wobei eine Siliconbehandlung und das Vernetzen für 2 Minuten bei 120°C vorgenommen wurden. Dann wurde eine Polyolefinfolie mit einer Dicke von 100 µm auf die Oberfläche der Haftklebemittelschicht aufgeklebt. Danach wurde sie für 24 Stunden bei 50°C belassen, und somit wurde die Klebefolie für das Schneiden von Chips gemäß diesem Beispiel hergestellt.
  • Herstellung einer Chiphaftschicht
  • 59 Teile des Epoxidharzes 1 (Handelsbezeichnung: EPICOAT 1004, von Japan Epoxy Resins Co., Ltd. hergestellt), 53 Teile des Epoxidharzes 2 (Handelsbezeichnung: EPICOAT 827, von Japan Epoxy Resins Co., Ltd. hergestellt), 121 Teile eines Phenolharzes (Handelsbezeichnung: MILEX XLC-4L, von Mitsui Chemicals, Inc. hergestellt), 222 Teile Siliciumdioxidkügelchen (Handelsbezeichnung: SO-25R, von Admatechs Co., Ltd. hergestellt), und zwar auf 100 Teile eines Acrylatpolymers bezogen (Handelsbezeichnung: PARACRON W-197CM, von Negami Chemical Industrial Co., Ltd. hergestellt) mit Ethylacrylat-Methylmethacrylat als Hauptbestandteil wurden in Methylethylketon gelöst und so vorbereitet, das die Konzentration 23, 6 Gew.-% betrug.
  • Eine Lösung dieser Klebemittelzusammensetzung wurde auf eine mit einem Formtrennmittel behandelte Folie als Abzugsbahn (Separator) aufgebracht, die aus einer Polyethylenterephthalatfolie mit einer Dicke von 38 µm bestand, bei der eine Behandlung mit einem Formtrennmittel vorgenommen worden war, und danach für 2 Minuten bei 130°C getrocknet. Somit wurde die Chiphaftschicht mit einer Dicke von 25 µm hergestellt. Ferner wurde die Klebefolie für das Schneiden von Chips gemäß diesem Beispiel erhalten, indem die Chiphaftschicht auf die Seite der Haftklebemittelschicht der vorstehend beschriebenen Trennfolie übertragen wurde.
  • Beispiele 2 bis 9
  • Eine Klebefolie für das Schneiden von Chips wurde in jedem der Beispiele 2 bis 9 in der gleichen Art und Weise wie in Beispiel 1 hergestellt, außer daß die Zusammensetzung und die Anteile auf die in der nachfolgenden Tabelle 1 angegebenen Werte geändert wurden. Tabelle 1
    Hydroxylgruppen enthaltendes Monomer Isocyanatverbindung Vernetzungsmittel Photopolymerisationsinitiator
    2EHA HEA 4HBA MOI AOI C/L C203 0
    Beispiel 1 86,4 13,6 (20) - 14,6 (80) - 8 - 5
    Beispiel 2 93,5 6,6 (10) - 7,9 (90) - 8 - 5
    Beispiel 3 78,7 21,3 (30) - 22,7 (80) - 8 - 5
    Beispiel 4 86,4 13,6 (20) - 12,3 (70) - 8 - 5
    Beispiel 5 84 16 (20) 14,2 (80) - 8 - 5
    Beispiel 6 86,4 13,6 (20) - 13,4 (80) 8 - 5
    Beispiel 7 86,4 13,6 (20) 14,6 (80) - 4 - 5
    Beispiel 8 86,4 13,6 (20) 14,6 (80) - 16 - 5
    Beispiel 9 86,4 13,6 (20) 14,6 (80) - - 8 5
  • Die Zahlen in Klammern stehen für ”Mol”, wohingegen die Zahlen in Klammern bei MOI und AOI das ”Molverhältnis” gegenüber HEA oder 4HBA angeben.
  • Die Bedeutung der Abkürzungen, die in den Tabellen 1 und 2 aufgeführt sind, sind wie folgt:
    • 2EHA:
    2-Ethylhexylacrylat
    HEA:
    2-Hydroxyethylacrylat
    4HBA:
    4-Hydroxybutylacrylat
    AOI:
    2-Acryloyloxyethylisocyanat
    C/L:
    Polyisocyanatverbindung (Handelsbezeichnung ”Colonate L”, von Nippon Polyurethane Co. hergestellt)
    C2030:
    Handelsbezeichnung ”Colonate 2030”, von Nippon Polyurethane Co. hergestellt
  • Vergleichsbeispiele 1 bis 6
  • In jedem der Vergleichsbeispiele 1 bis 6 wurde eine Klebefolie für das Schneiden von Chips in der gleichen Weise wie in Beispiel 1 hergestellt, außer daß die Zusammensetzung und die Anteile auf die in der nachfolgenden Tabelle 2 angegebenen Werte geändert wurden. Tabelle 2
    Hydroxylgruppen enthaltendes Monomer Isocyanatverbindung Vernetzungsmittel Photopolymerisationsinitiator
    2EHA HEA 4HBA MOI AOI C/L C2030
    Vergleichs beispiel 1 72,6 27,4 (37,5) - 29,3 (80) - 8 - 5
    Vergleichs beispiel 2 96 , 9 3,1 (4,8) - 3,3 (80) - 8 - 5
    Vergleichs beispiel 3 86,4 13,6 (20) - 7,3 (40) - 8 - 5
    Vergleichs beispiel 4 86,4 13,6 (20) - 16,8 (100) - 8 - 5
    Vergleichs beispiel 5 86,4 13,6 (20) - 14,6 (80) - 0,5 - 5
    Vergleichs beispiel 6 86,4 13,6 (20) - 14,6 (80) - 3 - 5
  • Die Zahlen in Klammern stehen für ”Mol”, wohingegen die Zahlen in Klammern bei MOI und AOI das ”Molverhältnis” gegenüber HEA oder 4HBA angeben.
  • Schneiden
  • Bei jeder Klebefolie für das Schneiden von Chips der Beispiele und Vergleichsbeispiele wurde das Schneiden eines Halbleiter-Wafers praktisch in der nachfolgend beschriebenen Art und Weise durchgeführt, und es wurde das Leistungsvermögen jeder Klebefolie für das Schneiden von Chips ausgewertet.
  • Die Rückseite eines Halbleiter-Wafers (Durchmesser 8 inch, Dicke 0,6 mm) wurde geschliffen, und als Werkstück wurde ein Spiegel-Wafer mit einer Dicke von 0,15 mm verwendet. Nach dem Ablösen des Separators von der Klebefolie für das Schneiden von Chips wurde ein Spiegel-Wafer durch Andrücken mit einer Walze bei 40°C auf die Chiphaftschicht aufgeklebt, und außerdem wurde das Schneiden vorgenommen. Das Schneiden erfolgte zudem mit einem Vollschnitt, so daß die Chipgröße 1 mm2 betrug.
  • Bei dem Halbleiter-Wafer und der Klebefolie für das Schneiden von Chips wurde nach dem Schneiden festgestellt, ob das Wegspringen von Chips aufgetreten war oder nicht. Beim Wegspringen von Chips wurde der Fall, bei dem sogar ein Halbleiterchip wegspringt, mit X bezeichnet, und der Fall, bei sie nicht wegsprangen, wurde mit O bezeichnet. Die Schleifbedingungen des Wafers, die Aufklebebedingungen und die Schneidebedingungen werden später beschrieben.
  • Schleifbedingungen des Wafers
    • Schleifvorrichtung: DFG-8560, von DISCO Corporation hergestellt
    • Halbleiter-Wafer: Durchmesser 8 inch (die Rückseite wurde so geschliffen, so daß die Dicke 0,6 mm bis 0,15 mm betrug) Aufklebebedingungen
    • Aufklebevorrichtung: MA-3000II, von Nitto Seiki Co., Ltd. hergestellt
    • Aufklebegeschwindigkeit: 10 mm/min
    • Druck beim Aufkleben: 0,15 MPa
    • Trägertemperatur beim Aufkleben: 40°C
  • Schneidebedingungen
    • Schneidevorrichtung: DFD-6361, von DISCO Corporation hergestellt
    • Schneidering: 2-8-1 (von DISCO Corporation hergestellt)
    • Schneidegeschwindigkeit: 80 mm/s
    • Schneideklinge: Z1; 2050HEDD von DISCO Corporation hergestellt Z2; 2050HEBB von DISCO Corporation hergestellt
    • Rotationsgeschwindigkeit der Schneideklinge: Z1; 40 000 U/min Z2; 40 000 U/min
    • Höhe der Klinge: Z1; 0,215 mm (von der Dicke des Halbleiter-Wafers abhängig (0,170 mm, wenn die Dicke des Wafers 75 µm beträgt)) Z2; 0,085 mm
    • Schneideverfahren: A-Modus/Stufenschnitt
    • Größe der Chips aus dem Wafer: 1,0 mm2
  • Aufnehmen
  • Bei jeder Klebefolie für das Schneiden von Chips der Beispiele und Vergleichsbeispiele erfolgte das Aufnehmen, nachdem der Halbleiter-Wafer praktisch in der nachfolgend beschriebenen Art und Weise geschnitten worden war, und es wurde das Leistungsvermögen jeder Klebefolie für das Schneiden von Chips ausgewertet.
  • Die Rückseite eines Halbleiter-Wafers (Durchmesser 8 inch, Dicke 0,6 mm) wurde geschliffen, und als Werkstück wurde ein Spiegel-Wafer mit einer Dicke von 0,075 mm verwendet. Nach dem Aufkleben der Trennfolie und Chiphaftschicht wurde er für 1 Stunde bei 23°C belassen. Danach wurde der Separator auf der Klebemittelschicht der Chiphaftschicht abgelöst, und der Spiegel-Wafer wurde durch Andrücken mit einer Walze bei 40°C auf die Chiphaftschicht aufgeklebt. Nachdem das Ganze für 1 Stunde bei 23°C belassen worden war, erfolgte ferner das Schneiden des Spiegel-Wafers. Das Schneiden wurde mit einem Vollschnitt durchgeführt, so daß die Chipgröße 10 mm2 betrug.
  • Danach wurde ein Streckschritt durchgeführt, um zwischen den Chips Zwischenräume zu schaffen, indem bei jeder Klebefolie für das Schneiden von Chips eine UV-Bestrahlung vorgenommen und die Folie gestreckt wurde. Ferner wurden die Aufnahmeeigenschaften ausgewertet, indem Halbleiterchips von der Trägermaterialseite jeder Klebefolie für das Schneiden von Chips nach einem Verfahren aufgenommen wurden, bei dem sie mit einer Nadel nach oben gedrückt wurden.
  • Insbesondere wurden 400 Halbleiterchips kontinuierlich aufgenommen, der Fall, bei dem beide Erfolgsraten bei der Durchführung unter den später beschriebenen Bedingungen A und B 100% betrugen, wurden mit ⊙ bezeichnet, der Fall, bei dem die Erfolgsrate bei der Durchführung unter der Bedingung A den Wert 100% besaß und die Erfolgsrate bei der Durchführung unter der Bedingung B keine 100% betrug, wurde mit O bezeichnet, und der Fall, bei dem beide Erfolgsraten bei der Durchführung unter den Bedingungen A und B keine 100% betrugen, wurde mit X bezeichnet.
  • Schleifbedingungen des Wafers
    • Schleifvorrichtung: DFG-8560, von DISCO Corporation hergestellt
    • Halbleiter-Wafer: Durchmesser 8 inch (die Rückseite wurde so geschliffen, so daß die Dicke 0,6 mm bis 0,075 mm betrug)
  • Aufklebebedingungen
    • Aufklebevorrichtung: MA-3000II, von Nitto Seiki Co., Ltd. hergestellt
    • Aufklebegeschwindigkeit: 10 mm/min
    • Druck beim Aufkleben: 0,15 MPa
    • Trägertemperatur beim Aufkleben: 40°C
  • Schneidebedingungen
    • Schneidevorrichtung: DFD-6361, von DISCO Corporation hergestellt
    • Schneidering: 2-8-1 (von DISCO Corporation hergestellt)
    • Schneidegeschwindigkeit: 80 mm/s
    • Schneideklinge: Z1; 2050HEDD von DISCO Corporation hergestellt Z2; 2050HEBB von DISCO Corporation hergestellt
    • Rotationsgeschwindigkeit der Schneideklinge: Z1; 40 000 U/min Z2; 40 000 U/min
    • Höhe der Klinge: 71; 0,0170 mm (von der der Dicke des Halbleiter-Wafers abhängig (0,170 mm, wenn die Dicke des Wafers 75 µm beträgt)) Z2; 0,085 mm
    • Schneideverfahren: A-Modus/Stufenschnitt
    • Größe der Chips aus dem Wafer: 10,0 mm2
  • Bedingungen bei der UV-Bestrahlung
  • Vorrichtung zum Bestrahlen mit ultravioletter Strahlung (UV): UM-810 (Handelsbezeichnung, von Nitto Seiki Co., Ltd. hergestellt)
    Integrierte Lichtmenge der UV-Strahlung: 300 mJ/cm2
    Die UV-Bestrahlung erfolgte hier von der Seite der Polyolefinfolie.
  • Aufnahmebedingungen
  • Das Aufnehmen erfolgte jeweils unter der Bedingung A und der Bedingung B, die in der folgenden Tabelle 3 angegeben sind. Tabelle 3
    Nadel Bedingung A Bedingung B
    Gesamtlänge: 10 mm, Durchmesser: 0,7 mm, Spitzer Winkel: 15°, Radius der Spitze R: 350 µm das gleiche wie links
    Anzahl der Nadeln 9 5
    Betrag des Hochdrückens der Nadeln (µm) 350 250
    Geschwindigkeit des Hochdrückens der Nadeln (mm/s) 5 5
    Haltezeit des Metallrings (ms) 200 200
    Strecken (mm/s) 3 3
  • Klebemittelrückstand des Schneiderings
  • Die Trennfolie wurde vom Schneidering abgelöst, und es wurde visuell festgestellt, ob ein Klebemittelrückstand am Schneidering entstanden war oder nicht. Der Schneidering, bei dem der Klebemittelrückstand festgestellt worden war, wurde mit X bezeichnet, und der, bei dem dies nicht festgestellt worden war, wurde mit O bezeichnet. Tabelle 4
    Aufnahmevermögen Abplatzen Klebemittelrückstand am Schneidering
    Beispiel 1 ⊙ O O
    Beispiel 2 O O O
    Beispiel 3 O O O
    Beispiel 4 O O O
    Beispiel 5 ⊙ O O
    Beispiel ⊙ O O
    Beispiel 7 O O O
    Beispiel 8 ⊙ O O
    Beispiel 9 ⊙ O O
    Tabelle 5
    Aufnahmevermögen Abplatzen Klebemittelrückstand am Schneidering
    Vergleichsbeispiel 1 X O O
    Vergleichsbeispiel 2 X O X
    Vergleichsbeispiel 3 X O O
    Vergleichsbeispiel 4 X O X
    Vergleichsbeispiel 5 X O X
    Vergleichsbeispiel 6 O X O
  • ZUSAMMENFASSUNG
  • Die vorliegende Erfindung gibt eine Klebefolie (10, 11) für das Schneiden von Chips an, die eine Haftklebemittelschicht (2) auf einem Trägermaterial (1) und eine auf der Haftklebemittelschicht (2) ausgebildete Chiphaftschicht (3, 3') aufweist, bei der, selbst wenn der Halbleiter-Wafer (4) dünn ist, die Haltekraft für den dünnen Halbleiter-Wafer (4) während des Schneidens und das Ablösevermögen seiner Halbleiterchips (5), die durch Schneiden erhalten werden, beim Ablösen zusammen mit der Chiphaftschicht (3, 3') hervorragend ausgeglichen sind. Die Klebefolie (10, 11) für das Schneiden von Chips weist eine Trennfolie mit einer Haftklebemittelschicht (2) auf einem Trägermaterial (1) und eine Chiphaftschicht (3, 3') auf, die auf der Trennfolie ausgebildet ist, wobei die Haftklebemittelschicht (2) ein Polymer enthält, das durch Additionsreaktion eines Acrylpolymers, das 10 bis 30 Mol-% eines Hydroxylgruppen enthaltenden Monomers enthält, mit 70 bis 90 Mol-%, und zwar auf das Hydroxylgruppen enthaltende Monomer bezogen, einer Isocyanatverbindung mit einer gegenüber Radikalen reaktiven Kohlenstoff-Kohlenstoff-Doppelbindung erhalten wird, und auch 2 bis 20 Gew.-Teile, und zwar auf 100 Gew.-Teile des Polymers bezogen, eines Vernetzungsmittels enthält, das zwei oder mehr funktionelle Gruppen mit einer Reaktivität gegenüber eine Hydroxylgruppe im Molekül aufweist, und die Chiphaftschicht (3, 3') weist ein Epoxidharz auf.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
    • - JP 60-057642 A [0007]
    • - JP 2-248064 A [0007]
    • - JP 60-196956 A [0059]

Claims (4)

  1. Haftklebefolie (10, 11) für das Schneiden von Chips, die eine Trennfolie mit einer Haftklebemittelschicht (2) auf einem Trägermaterial (1) und eine auf der Trennfolie ausgebildete Chiphaftschicht (3, 3') aufweist, wobei die Haftklebemittelschicht (2) ein Polymer enthält, das durch Additionsreaktion eines Acrylpolymers, das 10 bis 30 Mol-% eines Hydroxylgruppen enthaltenden Monomers enthält, mit 70 bis 90 Mol-%, und zwar auf das Hydroxylgruppen enthaltende Monomer bezogen, einer Isocyanatverbindung mit einer gegenüber Radikalen reaktiven Kohlenstoff-Kohlenstoff-Doppelbindung erhalten wird, und außerdem 2 bis 20 Gew.-Teile, und zwar auf 100 Gew.-Teile des Polymers bezogen, eines Vernetzungsmittels enthält, das zwei oder mehr funktionelle Gruppen mit einer Reaktiviät gegenüber der Hydroxylgruppe im Molekül aufweist, und wobei die Chiphaftschicht ein Epoxidharz aufweist.
  2. Klebefolie (10, 11) für das Schneiden von Chips nach Anspruch 1, wobei das Hydroxylgruppen enthaltende Monomer zumindest ein solches ist, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus 2-Hydroxyethyl(meth)acrylat, 2-Hydroxypropyl(meth)acrylat, 4-Hydroxybutyl(meth)acrylat, 6-Hydroxyhexyl(meth)acrylat, 8-Hydroxyoctyl(meth)acrylat, 10-Hydroxydecyl(meth)acrylat, 12-Hydroxylauryl(meth)acrylat und (4-Hydroxymethylcyclohexyl)methyl(meth)acrylat besteht.
  3. Klebefolie (10, 11) für das Schneiden von Chips nach Anspruch 1, wobei die Isocyanatverbindung mit einer gegenüber Radikalen reaktiven Kohlenstoff-Kohlenstoff-Doppelbindung entweder 2-Methacryloyloxyethylisocyanat oder 2-Acryloyloxyethylisocyanat ist.
  4. Klebefolie (10, 11) für das Schneiden von Chips nach Anspruch 1, wobei die Haftklebemittelschicht (2) keine Acrylsäure enthält.
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4717051B2 (ja) * 2007-11-08 2011-07-06 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4717052B2 (ja) * 2007-11-08 2011-07-06 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4717085B2 (ja) * 2008-01-18 2011-07-06 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4717086B2 (ja) * 2008-01-18 2011-07-06 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4553400B2 (ja) * 2008-02-18 2010-09-29 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2012122058A (ja) * 2010-11-18 2012-06-28 Nitto Denko Corp ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、ダイボンドフィルムの製造方法、及び、ダイボンドフィルムを有する半導体装置
JP5781302B2 (ja) * 2010-12-28 2015-09-16 日東電工株式会社 放射線硬化型粘着剤組成物及び粘着シート
JP2013127012A (ja) * 2011-12-16 2013-06-27 Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd 粘着剤、粘着シートおよびディスプレイ
JP5979953B2 (ja) * 2012-04-16 2016-08-31 日本合成化学工業株式会社 透明電極用粘着剤、タッチパネル及び画像表示装置、並びに粘着剤層含有積層体の製造方法
JP5955076B2 (ja) * 2012-04-25 2016-07-20 日本合成化学工業株式会社 アクリル系樹脂組成物、アクリル系粘着剤、粘着シート、両面粘着シート、透明電極用粘着剤、タッチパネル及び画像表示装置、並びに粘着剤層含有積層体の製造方法
JP6007576B2 (ja) * 2012-05-09 2016-10-12 日立化成株式会社 半導体装置の製造方法
JP2015525368A (ja) 2012-05-21 2015-09-03 エルジー・ケム・リミテッド 光学部材、粘着剤組成物及び液晶表示装置
KR102162853B1 (ko) 2012-11-16 2020-10-07 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 펜던트 (메트)아크릴로일 기를 포함하는 접착제, 용품 및 방법
CN104231981A (zh) * 2013-06-07 2014-12-24 东洋油墨Sc控股株式会社 粘合剂、粘合片及显示器
KR102117112B1 (ko) * 2016-04-06 2020-05-29 주식회사 엘지화학 반도체용 점착 조성물, 이의 제조방법 및 반도체용 보호 필름
KR102069937B1 (ko) 2016-04-29 2020-01-23 주식회사 엘지화학 발열체의 제조방법
KR102069936B1 (ko) 2016-04-29 2020-01-23 주식회사 엘지화학 발열체
JP6386696B1 (ja) * 2016-10-03 2018-09-05 リンテック株式会社 半導体加工用粘着テープおよび半導体装置の製造方法
JP7084228B2 (ja) * 2018-06-26 2022-06-14 日東電工株式会社 半導体装置製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6057642A (ja) 1983-08-03 1985-04-03 ナショナル　スタ−チ　アンド　ケミカル　コ−ポレイション ダイシングフイルムおよび方法
JPS60196956A (ja) 1984-03-12 1985-10-05 Nitto Electric Ind Co Ltd 半導体ウエハ固定用接着薄板
JPH02248064A (ja) 1989-03-20 1990-10-03 Nitto Denko Corp 半導体チップ固着キャリヤの製造方法及びウエハ固定部材

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4619867A (en) * 1983-06-14 1986-10-28 Minnesota Mining And Manufacturing Company Azlactone-containing pressure-sensitive adhesives
US4961804A (en) * 1983-08-03 1990-10-09 Investment Holding Corporation Carrier film with conductive adhesive for dicing of semiconductor wafers and dicing method employing same
US5714029A (en) * 1984-03-12 1998-02-03 Nitto Electric Industrial Co., Ltd. Process for working a semiconductor wafer
US7641966B2 (en) * 1999-06-14 2010-01-05 Nitto Denko Corporation Re-release adhesive and re-release adhesive sheet
JP4230080B2 (ja) * 2000-02-18 2009-02-25 リンテック株式会社 ウエハ貼着用粘着シート
JP4812963B2 (ja) * 2001-05-18 2011-11-09 リンテック株式会社 半導体ウエハ加工用粘着シートおよび半導体ウエハの加工方法
JP2003096412A (ja) * 2001-09-26 2003-04-03 Nitto Denko Corp 半導体部品ダイシング用粘着シートおよび半導体部品の製造方法
JP2004231932A (ja) * 2002-12-02 2004-08-19 Nitto Denko Corp 接着剤組成物、接着フィルムおよびこれを用いた半導体装置
JP2004022784A (ja) * 2002-06-17 2004-01-22 Nitto Denko Corp ウエハ加工用粘着シート
KR101016081B1 (ko) * 2002-07-26 2011-02-17 닛토덴코 가부시키가이샤 점착 시트와 그의 제조방법, 상기 점착 시트의 사용방법,및 상기 점착 시트에 사용되는 다층 시트와 그의 제조방법
JP4107417B2 (ja) * 2002-10-15 2008-06-25 日東電工株式会社 チップ状ワークの固定方法
JP2004256788A (ja) * 2002-11-29 2004-09-16 Sekisui Chem Co Ltd 加熱消滅性材料
JP4283596B2 (ja) * 2003-05-29 2009-06-24 日東電工株式会社 チップ状ワークの固定方法
JP2005005355A (ja) * 2003-06-10 2005-01-06 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2005116920A (ja) * 2003-10-10 2005-04-28 Nitto Denko Corp 半導体加工用粘着シートおよび半導体加工方法
JP4275522B2 (ja) * 2003-12-26 2009-06-10 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2005239884A (ja) * 2004-02-26 2005-09-08 Nitto Denko Corp 半導体ウエハ加工用粘着シート
EP1724320B1 (de) * 2004-03-11 2010-07-21 Nitto Denko Corporation Warm abziehbare haftklebefolie und verfahren zur verarbeitung von haftgrund mit der warm abziehbaren haftklebefolie
MY138566A (en) * 2004-03-15 2009-06-30 Hitachi Chemical Co Ltd Dicing/die bonding sheet
JP2005263876A (ja) * 2004-03-16 2005-09-29 Lintec Corp 両面粘着シートおよび脆質部材の転写方法
JP4443962B2 (ja) * 2004-03-17 2010-03-31 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4776189B2 (ja) * 2004-08-03 2011-09-21 古河電気工業株式会社 ウエハ加工用テープ
JP2006165074A (ja) * 2004-12-03 2006-06-22 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム及びそれを用いた半導体装置の製造方法
JP2006303472A (ja) * 2005-03-23 2006-11-02 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2007084722A (ja) * 2005-09-22 2007-04-05 Nitto Denko Corp 粘着シートとその製造方法、及び、製品の加工方法
JP4799205B2 (ja) * 2006-02-16 2011-10-26 日東電工株式会社 活性面貼付ダイシング用粘着テープ又はシートおよび被加工物の切断片のピックアップ方法
JP2007277282A (ja) * 2006-04-03 2007-10-25 Nitto Denko Corp 半導体ウエハ加工用粘着シート
JP4970863B2 (ja) * 2006-07-13 2012-07-11 日東電工株式会社 被加工物の加工方法
JP4837490B2 (ja) * 2006-08-22 2011-12-14 日東電工株式会社 加工用粘着シート
JP4620028B2 (ja) * 2006-10-19 2011-01-26 日東電工株式会社 基板加工用粘着シート
JP4717052B2 (ja) * 2007-11-08 2011-07-06 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4717085B2 (ja) * 2008-01-18 2011-07-06 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4717086B2 (ja) * 2008-01-18 2011-07-06 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4553400B2 (ja) * 2008-02-18 2010-09-29 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6057642A (ja) 1983-08-03 1985-04-03 ナショナル　スタ−チ　アンド　ケミカル　コ−ポレイション ダイシングフイルムおよび方法
JPS60196956A (ja) 1984-03-12 1985-10-05 Nitto Electric Ind Co Ltd 半導体ウエハ固定用接着薄板
JPH02248064A (ja) 1989-03-20 1990-10-03 Nitto Denko Corp 半導体チップ固着キャリヤの製造方法及びウエハ固定部材

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